JPS63312964A - インジウム・スズ・酸化物層の製造方法 - Google Patents
インジウム・スズ・酸化物層の製造方法Info
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- JPS63312964A JPS63312964A JP63135378A JP13537888A JPS63312964A JP S63312964 A JPS63312964 A JP S63312964A JP 63135378 A JP63135378 A JP 63135378A JP 13537888 A JP13537888 A JP 13537888A JP S63312964 A JPS63312964 A JP S63312964A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、水素を含む非晶質シリコン層表面に出発金
属又は酸化物を蒸着するかあるいはスパッタリングし、
続いて酸素雰囲気中で焼きもどし熱処理することにより
、透明で導電性のインジウム・スズ・酸化物層を形成す
る方法に関するものである。この層は例えば水素を含む
非晶質シリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）をベースとする画像セ
ンサ列の電極として使用されるものである。
属又は酸化物を蒸着するかあるいはスパッタリングし、
続いて酸素雰囲気中で焼きもどし熱処理することにより
、透明で導電性のインジウム・スズ・酸化物層を形成す
る方法に関するものである。この層は例えば水素を含む
非晶質シリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）をベースとする画像セ
ンサ列の電極として使用されるものである。
画像センサ列の被覆ｔａが可視光に対して少なくとも８
５％以上の透明度と同時に３００Ω／口以下の低い面積
抵抗を示す必要があることは公知である。このような仕
様は２００℃以上の温度で沈積させたかあるいは４４０
℃以上の温度で焼もどし後処理を受けた１７０層だけが
満たすことができるものである（「ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジクス（Ｊ、ｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、）
６０、〔１１〕、１９８６年Ｒ１２３〜１２９頁参照）
。
５％以上の透明度と同時に３００Ω／口以下の低い面積
抵抗を示す必要があることは公知である。このような仕
様は２００℃以上の温度で沈積させたかあるいは４４０
℃以上の温度で焼もどし後処理を受けた１７０層だけが
満たすことができるものである（「ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジクス（Ｊ、ｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、）
６０、〔１１〕、１９８６年Ｒ１２３〜１２９頁参照）
。
画像変換器の製作に際してインジウム・スズ・酸化物の
加熱に対しては、層の沈積と焼きもどし熱処理において
次の点を考慮しなければならない。
加熱に対しては、層の沈積と焼きもどし熱処理において
次の点を考慮しなければならない。
（１） ＩＴＯｆｉの沈積後フォトリソグラフィによ
りてこの層に構造が作られるためには、沈積材料
゛が約１５０℃以上の温度に加熱されないようにしな
ければならない、これ以上の処理温度はＩＴＯの化学的
溶解度を低下させ、残留物無しの構造エツチングが不可
能となる。ひきはがし法と呼ばれている別法では層形成
中基板が構造化されたフォトレジスト層で覆われていな
ければならないが、この層は約１００″Ｃの温度を超え
ると有機溶剤によってひきはがすことはできなくなる。
りてこの層に構造が作られるためには、沈積材料
゛が約１５０℃以上の温度に加熱されないようにしな
ければならない、これ以上の処理温度はＩＴＯの化学的
溶解度を低下させ、残留物無しの構造エツチングが不可
能となる。ひきはがし法と呼ばれている別法では層形成
中基板が構造化されたフォトレジスト層で覆われていな
ければならないが、この層は約１００″Ｃの温度を超え
ると有機溶剤によってひきはがすことはできなくなる。
（２） ＩＴＯＩｌｉの下に置かれている光伝導性の
水素含有非晶質シリコンは、３００℃以上の温度でその
半導体特性にとって重要な水素を失う。従って冷間析出
し構造化された１７０層を要求された仕様に導く４４０
℃においての後熱処理はもはや実施不可能となる。
水素含有非晶質シリコンは、３００℃以上の温度でその
半導体特性にとって重要な水素を失う。従って冷間析出
し構造化された１７０層を要求された仕様に導く４４０
℃においての後熱処理はもはや実施不可能となる。
これらの制限の外に製作工程の進行中に基板を加熱し続
いて冷却することは、コストと通過時間に関して重大な
問題となる。
いて冷却することは、コストと通過時間に関して重大な
問題となる。
この問題は今なお充分に解決されていない、慣行のＩＴ
Ｏ製法を試料加熱の点で上記の制限に応じて変更すると
ＩＴＯの仕様は明らかに粗悪なものになる。これによっ
て画像センサの性能は検出できる程度に低下する。
Ｏ製法を試料加熱の点で上記の制限に応じて変更すると
ＩＴＯの仕様は明らかに粗悪なものになる。これによっ
て画像センサの性能は検出できる程度に低下する。
この問題をも考慮に入れた製法の一例は欧州特許出願公
開第０２１４０９５号明細書に記載されている。この方
法においては透明度（９０％）をそのままに保持して層
抵抗値（３００Ω／口）を改善するため最高２００℃の
焼もどし熱処理を２段階に分け、最初は透明度の達成の
ため酸素雰囲気中で実施し、次いで層抵抗の調整のため
プラズマで活性化した化成ガス雰囲気中で実施する。
開第０２１４０９５号明細書に記載されている。この方
法においては透明度（９０％）をそのままに保持して層
抵抗値（３００Ω／口）を改善するため最高２００℃の
焼もどし熱処理を２段階に分け、最初は透明度の達成の
ため酸素雰囲気中で実施し、次いで層抵抗の調整のため
プラズマで活性化した化成ガス雰囲気中で実施する。
この発明の目的は、非晶質シリコン（ａ−３ｔ：Ｈ）か
ら成る画像センサのように低い熱負荷という制限条件の
下にインジウム・スズ・酸化物（ＩＴｏ）から成る導電
性透明電極層を上記の従来方法とは別の方式で製作する
ことである。
ら成る画像センサのように低い熱負荷という制限条件の
下にインジウム・スズ・酸化物（ＩＴｏ）から成る導電
性透明電極層を上記の従来方法とは別の方式で製作する
ことである。
この発明によればこの目的は、次の工程段によって達成
される。
される。
（ａｌ 層形成に無加熱基板を使用する。
Φ）層形酸中排気鐘内の酸素分圧を一時的に低下させる
。
。
（Ｃ） 層形成後電極構造をエツチングによって作る
。
。
（ｄ） 焼もどし熱処理を酸素気流中又は空気中で２
５０℃以下の温度で実施する。
５０℃以下の温度で実施する。
層形成の開始にあたって酸素分圧を１０−’ｍｂａｒか
ら１０−”＋５ｂａｒの間に調整し、析出層の厚さが所
望の値のほぼ１／３に達したとき酸素の供給を断ってＩ
Ｘ １０−’＋５ｂａｒ以下に下げることもこの発明
の枠内にある。更に所望厚さの１／３が析出したとき酸
素の供給を再開して最初の酸素分圧値に戻すと好適であ
る。
ら１０−”＋５ｂａｒの間に調整し、析出層の厚さが所
望の値のほぼ１／３に達したとき酸素の供給を断ってＩ
Ｘ １０−’＋５ｂａｒ以下に下げることもこの発明
の枠内にある。更に所望厚さの１／３が析出したとき酸
素の供給を再開して最初の酸素分圧値に戻すと好適であ
る。
この発明のその他の実施態様は請求項４以下に示されて
いる。
いる。
この発明の方法により、面抵抗が２００Ω／口（これは
２０ｘｌＯ−’ΩＣ１１の抵抗率に対応する）であり可
視光に対する透明度が９０％のＩＴＯＩｉを作ることが
できる。
２０ｘｌＯ−’ΩＣ１１の抵抗率に対応する）であり可
視光に対する透明度が９０％のＩＴＯＩｉを作ることが
できる。
〔実施例］
実施例についてこの発明を更に詳細に説明する。
図面は酸素供給停止時間（秒）に対する透明度（％）と
層抵抗（Ω／口）の関係を示すダイアダラムであり、曲
線Ｉは透明度、曲線■は層抵抗である。これらの曲線は
、停止時間が１５０ないし３４５秒のとき透明度と層抵
抗の最適値が達成されることを示している。
層抵抗（Ω／口）の関係を示すダイアダラムであり、曲
線Ｉは透明度、曲線■は層抵抗である。これらの曲線は
、停止時間が１５０ないし３４５秒のとき透明度と層抵
抗の最適値が達成されることを示している。
酸化物としての出発材料（Ｓｎｏｗを１６重量％含む１
ｎｚｏｓ）を電子銃を使用する反応性蒸発過程により無
加熱基板（水素含有非晶質シリコンＮ）に蒸着する。排
気鐘内の酸素分圧は蒸着開始時に８ Ｘ １０−’ｍｂ
ａｒに調整する。電子銃の出力は蒸着速度が０．１ ｎ
ｍ／ Ｓとなるように調整する。
ｎｚｏｓ）を電子銃を使用する反応性蒸発過程により無
加熱基板（水素含有非晶質シリコンＮ）に蒸着する。排
気鐘内の酸素分圧は蒸着開始時に８ Ｘ １０−’ｍｂ
ａｒに調整する。電子銃の出力は蒸着速度が０．１ ｎ
ｍ／ Ｓとなるように調整する。
基板表面の沈積厚さが３０ｎ＋＋となったとき酸素の供
給を断って蒸着を続け、酸素分圧をｌＸｌ０−’ｍｂａ
ｒ以下に下げる。３００秒の停止時間後酸素分圧を最初
の（ｆｉ ８ Ｘ １０−’ｍｂａｒに戻し、層の厚さ
が約１１００ｎとなるまで蒸着を続ける。蒸着層は排気
鐘から取り出し、加熱炉に入れて酸素気流中２００℃１
時間の焼きもどし熱処理を行う。
給を断って蒸着を続け、酸素分圧をｌＸｌ０−’ｍｂａ
ｒ以下に下げる。３００秒の停止時間後酸素分圧を最初
の（ｆｉ ８ Ｘ １０−’ｍｂａｒに戻し、層の厚さ
が約１１００ｎとなるまで蒸着を続ける。蒸着層は排気
鐘から取り出し、加熱炉に入れて酸素気流中２００℃１
時間の焼きもどし熱処理を行う。
この発明の方法によって作られた１７０層の研磨断面の
顕微鏡検査によれば、酸素供給を中断することなく作ら
れた層に比べて明らかに緻密な構造である。この層の蒸
着復燐もどし処理が行われる前のフォトリングラフィに
よる構造化に際して化学的エツチングの可能性は極めて
良好であり、エツチング残留物は認められない。
顕微鏡検査によれば、酸素供給を中断することなく作ら
れた層に比べて明らかに緻密な構造である。この層の蒸
着復燐もどし処理が行われる前のフォトリングラフィに
よる構造化に際して化学的エツチングの可能性は極めて
良好であり、エツチング残留物は認められない。
スパッタリングによって作られた１７０層も同様に良好
な効果を示す。出発材料として金属を使用して作られた
ＩＴＯ［についても同様である。
な効果を示す。出発材料として金属を使用して作られた
ＩＴＯ［についても同様である。
図面はこの発明の製法において酸素供給中断時間に対す
る形成層の透明度と層抵抗の関係を示すダイアダラムで
あって、■は透明度曲線、■は層抵抗曲線である。 ｅＣ
る形成層の透明度と層抵抗の関係を示すダイアダラムで
あって、■は透明度曲線、■は層抵抗曲線である。 ｅＣ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ａ）加熱されない基板が層形成に使用されること、 ｂ）層形成中一時的に排気鐘内の酸素分圧が低下させら
れること、 ｃ）層形成後電極構造がエッチングされること、 ｄ）焼もどし熱処理が酸素気流中又は空気中で２５０℃
以下の温度において実施される こと を特徴とする出発金属又はその酸化物を水素含有非晶質
シリコン層表面に蒸着又はスパッタリングした後酸素雰
囲気中で焼もどし熱処理することにより透明で導電性の
インジウム・スズ・酸化物層を製造する方法。 ２）層形成の開始時に酸素分圧が１０＾−＾４ないし１
０＾−＾２ｍｂａｒの範囲内に調整されることを特徴と
する請求項１記載の方法。 ３）層形成の開始時に排気鐘内の酸素分圧が８×１０＾
−＾４ｍｂａｒに調整され、層の厚さが所望値の約１／
３に達したとき酸素の供給を断つことにより低い値１×
１０＾−＾５ｍｂａｒに低下し、次の１／３が達成され
たとき酸素の供給の再開により最初の値に戻されること
を特徴とする請求項１又は２記載の方法。 ４）酸素の供給を断つ時間が７５ないし４５０秒の範囲
内で変化することを特徴とする請求項１ないし３の１つ
に記載の方法。 ５）酸化物としての出発材料を電子線照射して０．１ｎ
ｍ／ｓｅｃの析出速度をもって厚さ１００ｎｍのインジ
ウム・スズ・酸化物層を形成させる際、層の厚さが約３
０ｎｍに達したとき蒸着を続けながら酸素の供給が約３
００秒の間中断されることを特徴とする請求項１ないし
４の１つに記載の方法。 ６）形成層が炉に入れられ酸素流中で約１時間２００℃
の焼もどし熱処理を受けることを特徴とする請求項１な
いし５の１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3718762.7 | 1987-06-04 | ||
| DE3718762 | 1987-06-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63312964A true JPS63312964A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=6329075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63135378A Pending JPS63312964A (ja) | 1987-06-04 | 1988-06-01 | インジウム・スズ・酸化物層の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4842705A (ja) |
| EP (1) | EP0293645A1 (ja) |
| JP (1) | JPS63312964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6608353B2 (en) | 1992-12-09 | 2003-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor having pixel electrode connected to a laminate structure |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264077A (en) * | 1989-06-15 | 1993-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing a conductive oxide pattern |
| JP3117446B2 (ja) * | 1989-06-15 | 2000-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物導電膜の成膜加工方法 |
| EP0618984A1 (en) * | 1991-12-28 | 1994-10-12 | Higher Vacuum Ind Co.,Ltd. | Exothermic reflexible glass, exothermic transparent glass and process of manufacturing them |
| JP2912506B2 (ja) * | 1992-10-21 | 1999-06-28 | シャープ株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
| DE4323654C2 (de) * | 1993-07-15 | 1995-04-20 | Ver Glaswerke Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer wenigstens eine Schicht aus einem Metalloxid vom n-Halbleitertyp aufweisenden beschichteten Glasscheibe |
| US5473456A (en) * | 1993-10-27 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Method for growing transparent conductive gallium-indium-oxide films by sputtering |
| JPH07326783A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-12 | Canon Inc | 光起電力素子の形成方法及びそれに用いる薄膜製造装置 |
| JPH0874034A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-19 | Aneruba Kk | Ｉｔｏ透明導電膜の作製方法 |
| US6153271A (en) * | 1999-12-30 | 2000-11-28 | General Vacuum, Inc. | Electron beam evaporation of transparent indium tin oxide |
| WO2001055477A1 (fr) * | 2000-01-27 | 2001-08-02 | Nikon Corporation | Procede de fabrication d'un film de materiau composite renfermant un element generateur de gaz |
| GB2361245A (en) * | 2000-04-14 | 2001-10-17 | Jk Microtechnology Ltd | High conductivity indium-tin-oxide films |
| JP4807933B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2011-11-02 | 株式会社アルバック | 透明導電膜の形成方法及び透明電極 |
| CN112968076A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-06-15 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种透明导电薄膜的制备方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD89766A (ja) * | ||||
| US2932590A (en) * | 1956-05-31 | 1960-04-12 | Battelle Development Corp | Indium oxide coatings |
| US3655545A (en) * | 1968-02-28 | 1972-04-11 | Ppg Industries Inc | Post heating of sputtered metal oxide films |
| FR2371009A1 (fr) * | 1976-11-15 | 1978-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de controle du depot de couches par pulverisation reactive et dispositif de mise en oeuvre |
| US4201649A (en) * | 1978-11-29 | 1980-05-06 | Ppg Industries, Inc. | Low resistance indium oxide coatings |
| EP0030732B1 (en) * | 1979-12-15 | 1984-11-28 | Nitto Electric Industrial Co., Ltd. | Transparent electrically conductive film and process for production thereof |
| GB2085482B (en) * | 1980-10-06 | 1985-03-06 | Optical Coating Laboratory Inc | Forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques |
| US4412900A (en) * | 1981-03-13 | 1983-11-01 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing photosensors |
| US4605565A (en) * | 1982-12-09 | 1986-08-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of depositing a highly conductive, highly transmissive film |
| US4514437A (en) * | 1984-05-02 | 1985-04-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition |
| EP0217095A3 (de) * | 1985-09-03 | 1989-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen niederohmiger, transparenter Indium-Zinnoxid-Schichten, insbesondere für Bildsensorelemente |
-
1988
- 1988-03-28 US US07/174,183 patent/US4842705A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-05-10 EP EP88107515A patent/EP0293645A1/de not_active Withdrawn
- 1988-06-01 JP JP63135378A patent/JPS63312964A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6608353B2 (en) | 1992-12-09 | 2003-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor having pixel electrode connected to a laminate structure |
| US7045399B2 (en) | 1992-12-09 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit |
| US7061016B2 (en) | 1992-12-09 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit |
| US7105898B2 (en) | 1992-12-09 | 2006-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit |
| US7547916B2 (en) | 1992-12-09 | 2009-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit |
| US7897972B2 (en) | 1992-12-09 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit |
| US8294152B2 (en) | 1992-12-09 | 2012-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic circuit including pixel electrode comprising conductive film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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