JPS63243261A - 低抵抗透明導電膜の製造方法 - Google Patents
低抵抗透明導電膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低抵抗透明導電膜の製造方法に関する。更に
詳しくは、絶縁性基板上に酸化インジウム系導電膜を形
成させる低抵抗透明導電膜の製造方法に関する。
詳しくは、絶縁性基板上に酸化インジウム系導電膜を形
成させる低抵抗透明導電膜の製造方法に関する。
透明導電膜は、可視光透過性が良く、導電性も良いので
、液晶用電極や太陽熱利用の選択透過膜などに使用され
ている。特に、ＳｎＯ□系やＩｎ２Ｏ，系の薄膜は、抵
抗値が低く、可視光の透過率が高く、しかも安定性も良
いため、一般的に広く用いられている。
、液晶用電極や太陽熱利用の選択透過膜などに使用され
ている。特に、ＳｎＯ□系やＩｎ２Ｏ，系の薄膜は、抵
抗値が低く、可視光の透過率が高く、しかも安定性も良
いため、一般的に広く用いられている。
かかる低抵抗透明導電膜は、従来からスプレー法、メッ
キ法などの化学的製膜法あるいは真空蒸着法、スパッタ
リング法などの物理的製膜法によって製造されており、
中でも良質の透明導電膜が得られるなどのすぐれた特性
を有するスパッタリング法が多く採用されている。
キ法などの化学的製膜法あるいは真空蒸着法、スパッタ
リング法などの物理的製膜法によって製造されており、
中でも良質の透明導電膜が得られるなどのすぐれた特性
を有するスパッタリング法が多く採用されている。
この場合、ターゲットとして少量の錫を含有する酸化イ
ンジウムを使用することが好ましく、これから良導電性
膜を得るためには、基板を加熱しながら、製膜するかあ
るいは膜形成後にアニーリングを行なって抵抗値を下げ
る処理が行われている（例えば、特開昭６０−１３１，
７１２号公報）。これらの処理は、好ましくは３００℃
以上の温度を必要とするため、用いられる絶縁性基板は
セラミックスや石英などの耐熱性基板に限定され、プラ
スチック製基板などには適用し得ないという限界がみら
れる。
ンジウムを使用することが好ましく、これから良導電性
膜を得るためには、基板を加熱しながら、製膜するかあ
るいは膜形成後にアニーリングを行なって抵抗値を下げ
る処理が行われている（例えば、特開昭６０−１３１，
７１２号公報）。これらの処理は、好ましくは３００℃
以上の温度を必要とするため、用いられる絶縁性基板は
セラミックスや石英などの耐熱性基板に限定され、プラ
スチック製基板などには適用し得ないという限界がみら
れる。
そこで、本発明者は先に、プラスチック製などの絶縁性
基板上にプレナーマグネトロン方式による高周波スパッ
タリングを行なって錫含有酸化インジウム導電膜を形成
し、形成された導電膜をアルゴンガスでスパッタエツチ
ングする方法を提案している（特開昭６１−２９０，６
０７号公報）。
基板上にプレナーマグネトロン方式による高周波スパッ
タリングを行なって錫含有酸化インジウム導電膜を形成
し、形成された導電膜をアルゴンガスでスパッタエツチ
ングする方法を提案している（特開昭６１−２９０，６
０７号公報）。
上記したような従来技術では、形成される錫含有酸化イ
ンジウム導電膜がいずれも必ず結晶性を伴なっているが
、この導電膜の形成を酸素雰囲気中での高周波イオンプ
レーティング法により行なうことにより、Ｘ線回析によ
り非晶質膜が形成されることが始めて見出された。
ンジウム導電膜がいずれも必ず結晶性を伴なっているが
、この導電膜の形成を酸素雰囲気中での高周波イオンプ
レーティング法により行なうことにより、Ｘ線回析によ
り非晶質膜が形成されることが始めて見出された。
従って、本発明は低抵抗透明導電膜の製造方法に係り、
低抵抗透明導電膜の製造は、酸素雰囲気中で錫含有酸化
インジウム（ＩＴＯ）を高周波イオンプレーティングし
て絶縁性基板上に非晶質ＩＴＯ股を形成させた後、該非
晶質ＩＴＯ膜にアルゴンによるスパッタエツチング処理
を施すことにより行われる。
低抵抗透明導電膜の製造は、酸素雰囲気中で錫含有酸化
インジウム（ＩＴＯ）を高周波イオンプレーティングし
て絶縁性基板上に非晶質ＩＴＯ股を形成させた後、該非
晶質ＩＴＯ膜にアルゴンによるスパッタエツチング処理
を施すことにより行われる。
高周波イオンプレーティング法による非晶質ＩＴＯ膜の
形成は、例えば第１図に示されるような装置を用いて行
われる。
形成は、例えば第１図に示されるような装置を用いて行
われる。
まず、真空槽１内に、直流型［７に接続された絶縁性基
板６取付用の基板ホルダ２を設置し、この基板ホルダに
対向する位置に、一般に約３重量％程度のＳｎを含有す
るＩｎ、Ｏ，（ＩＴＯ）ターゲット３を入れたルツボ４
を設置し、真空槽内を５ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下、
好ましくはＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下に排気した後
、酸素ガスをガス導入口５から約５ Ｘ １０”’Ｔｏ
ｒｒ〜３×１Ｏ−３Ｔｏｒｒの圧力になる迄導入し、高
周波電力約１０〜３００１１．直流バイアス０．１〜Ｉ
ＫＶの条件下で、イオンプレーティングが行われる。
板６取付用の基板ホルダ２を設置し、この基板ホルダに
対向する位置に、一般に約３重量％程度のＳｎを含有す
るＩｎ、Ｏ，（ＩＴＯ）ターゲット３を入れたルツボ４
を設置し、真空槽内を５ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下、
好ましくはＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下に排気した後
、酸素ガスをガス導入口５から約５ Ｘ １０”’Ｔｏ
ｒｒ〜３×１Ｏ−３Ｔｏｒｒの圧力になる迄導入し、高
周波電力約１０〜３００１１．直流バイアス０．１〜Ｉ
ＫＶの条件下で、イオンプレーティングが行われる。
イオンプレーティングは、高周波電源８に接続された高
周波コイル９に高周波電力をかけ、放電させながら電子
ビーム電源１０に接続されたフィラメント１１をＩＴＯ
に発射させることにより行われ、形成されるＩＴＯ膜の
膜厚は膜厚モニタにより測定される。なお、符号１３は
基板加熱用のヒータであり、１４はガス排気口であり、
１５はシャッタであり、これはＩＴＯを蒸発させるとき
、表切にシャタアを閉じて金属に付着している不純物を
取り除き、基板に付着させない働きをしている。
周波コイル９に高周波電力をかけ、放電させながら電子
ビーム電源１０に接続されたフィラメント１１をＩＴＯ
に発射させることにより行われ、形成されるＩＴＯ膜の
膜厚は膜厚モニタにより測定される。なお、符号１３は
基板加熱用のヒータであり、１４はガス排気口であり、
１５はシャッタであり、これはＩＴＯを蒸発させるとき
、表切にシャタアを閉じて金属に付着している不純物を
取り除き、基板に付着させない働きをしている。
高周波イオンプレーティングを酸素雰囲気中で行なうと
、欠乏してくる酸素が補給されるばかりではなく、蒸発
ＩＴＯ粒子と酸素とがイオンプレーティングによるエネ
ルギーにより反応し、そこに非晶質膜を形成させる。
、欠乏してくる酸素が補給されるばかりではなく、蒸発
ＩＴＯ粒子と酸素とがイオンプレーティングによるエネ
ルギーにより反応し、そこに非晶質膜を形成させる。
前述の如く、従来法により形成されるＩＴＯ膜はいずれ
も結晶性を伴なっているが、本発明方法では非晶質膜と
して得られる。同じ高周波イオンプレーティング法を用
いても、窒化チタンの場合には高結晶性膜が形成される
ので（特願昭６１−１７２５３５号参照）、非晶質膜の
形成はＩＴＯの場合に特有のものであるということがで
きる。
も結晶性を伴なっているが、本発明方法では非晶質膜と
して得られる。同じ高周波イオンプレーティング法を用
いても、窒化チタンの場合には高結晶性膜が形成される
ので（特願昭６１−１７２５３５号参照）、非晶質膜の
形成はＩＴＯの場合に特有のものであるということがで
きる。
このようにして形成された非晶質ＩＴＯ膜は、前記特許
公開公報記載の方法と同様にして、アルゴンによるスパ
ッタエツチング処理が施される。このスパッタエツチン
グ処理は、最表面の結晶調整と電子の注入のために行わ
れるものであり、その処理条件としては、例えばアルゴ
ンガス圧力５×１０−’Ｔｏｒｒ、高周波電力約５０〜
３００１７、処理待間約０．５〜ｌＯ分間などが採用さ
れる。
公開公報記載の方法と同様にして、アルゴンによるスパ
ッタエツチング処理が施される。このスパッタエツチン
グ処理は、最表面の結晶調整と電子の注入のために行わ
れるものであり、その処理条件としては、例えばアルゴ
ンガス圧力５×１０−’Ｔｏｒｒ、高周波電力約５０〜
３００１７、処理待間約０．５〜ｌＯ分間などが採用さ
れる。
本発明に係る低抵抗透明導電膜は、次のような特徴を有
する。
する。
（１）ＩＴＯ膜が非晶質膜として形成されるため、結晶
粒界が小さく、平滑性および耐食性も良好である。
粒界が小さく、平滑性および耐食性も良好である。
（２）高周波イオンプレーティングは、室温条件下でも
行なうことができるため、プラスチックなどの非耐熱性
の絶縁性基板を用いることができる。
行なうことができるため、プラスチックなどの非耐熱性
の絶縁性基板を用いることができる。
（３）従来の耐熱性基板を用いての高温アニーリング処
理では、基板の変形が避けられず、また冷却に比較的長
い時間を要するという生産性の点での問題などがみられ
たが、本発明方法ではこうした欠点がみられない。
理では、基板の変形が避けられず、また冷却に比較的長
い時間を要するという生産性の点での問題などがみられ
たが、本発明方法ではこうした欠点がみられない。
（４）生産性については、スパッタリング法とは異なり
、大面積に製膜が可能となるため向上する。
、大面積に製膜が可能となるため向上する。
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例１〜６
第１図に図示された態様に従がい、アクリル板、ガラス
板またはアルミナ板を絶縁性基板として用い、各種条件
下で高周波イオンスパッタリングおよびスパッタエツチ
ングを順次行ない、得られた基板上の透明な非晶質ＩＴ
Ｏ膜について、波長４００〜８００ｎｍにおける可視光
透過率および導電度（周波数５〜１３Ｘ１０’ｌ（ｚに
おける複素インピーダンスプロットから求めた値）をそ
れぞれ測定した。得られた結果は、処理条件と共に、下
記表に示される。なお、測定結果については、各基板共
はぼ同一値であった。
板またはアルミナ板を絶縁性基板として用い、各種条件
下で高周波イオンスパッタリングおよびスパッタエツチ
ングを順次行ない、得られた基板上の透明な非晶質ＩＴ
Ｏ膜について、波長４００〜８００ｎｍにおける可視光
透過率および導電度（周波数５〜１３Ｘ１０’ｌ（ｚに
おける複素インピーダンスプロットから求めた値）をそ
れぞれ測定した。得られた結果は、処理条件と共に、下
記表に示される。なお、測定結果については、各基板共
はぼ同一値であった。
（以下余白）
１７Ｘ１０”’ ２００ ０．５ ５Ｘ１０″
１００ ３ ２Ｘ１ゲ ＞９０２７Ｘ１０−’
３００ ０．２ ５Ｘ１０−’ １００ ３
６Ｘ１０２８５３５ｘｌＯ−’ ２００ ０
．５ ５ｘｌＯ−’ １００ ３ ８ｘｌＯ”
９０４７ＸＩＦ’ ２００ ０．５ ５Ｘ
１０″ ５０ ３ ２Ｘ１０２８０５７ｘｌＦ’
５００ ０．５ ５ｘｌＯ−’ １００
３ １ｘｌＯ１６５６７Ｘ１０−’ ２００
０．５ ５Ｘ１０−’ １００ １ ６Ｘ１０
２８０
１００ ３ ２Ｘ１ゲ ＞９０２７Ｘ１０−’
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６Ｘ１０２８５３５ｘｌＯ−’ ２００ ０
．５ ５ｘｌＯ−’ １００ ３ ８ｘｌＯ”
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３ １ｘｌＯ１６５６７Ｘ１０−’ ２００
０．５ ５Ｘ１０−’ １００ １ ６Ｘ１０
２８０
第１図は、本発明方法で用いられる高周波イオンプレー
ティング装置の一態様の概要図である。 （符号の説明） １・・・・・真空槽 ２・・・・・基板ホルダ ３・・・・・ＩＴＯターゲット ４・・・・・ルツボ ６・・・・・絶縁性基板 ７・・・・・直流電源 ８・・・・・高周波電源 ９・・・・・高周波コイル １０・・・・・電子ビーム電源 １１・・・・・フィラメント
ティング装置の一態様の概要図である。 （符号の説明） １・・・・・真空槽 ２・・・・・基板ホルダ ３・・・・・ＩＴＯターゲット ４・・・・・ルツボ ６・・・・・絶縁性基板 ７・・・・・直流電源 ８・・・・・高周波電源 ９・・・・・高周波コイル １０・・・・・電子ビーム電源 １１・・・・・フィラメント
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸素雰囲気中で錫含有酸化インジウム（ＩＴＯ）を
高周波イオンプレーティングして絶縁性基板上に非晶質
ＩＴＯ膜を形成させた後、該非晶質ＩＴＯ膜にアルゴン
によるスパッタエッチング処理を施すことを特徴とする
低抵抗透明導電膜の製造方法。 ２、イオンプレーティング処理が室温条件下で行われる
特許請求の範囲第１項記載の低抵抗透明導電膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078907A JPH089767B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078907A JPH089767B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243261A true JPS63243261A (ja) | 1988-10-11 |
| JPH089767B2 JPH089767B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=13674902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62078907A Expired - Lifetime JPH089767B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089767B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04270316A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-25 | Seiko Instr Inc | 多色表示装置の製造方法 |
| JP2002196348A (ja) * | 1999-06-11 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2008078549A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | パターニング方法 |
| JP2009074178A (ja) * | 2001-10-02 | 2009-04-09 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 金属酸化物薄膜の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224217A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | 日本電気株式会社 | レ−ザ用透明導電膜の製造法 |
| JPS61290605A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-20 | エヌオーケー株式会社 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62078907A patent/JPH089767B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224217A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | 日本電気株式会社 | レ−ザ用透明導電膜の製造法 |
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| JP2009074178A (ja) * | 2001-10-02 | 2009-04-09 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 金属酸化物薄膜の製造方法 |
| JP2008078549A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | パターニング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH089767B2 (ja) | 1996-01-31 |
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