JPH02157123A - チタン酸バリウム薄膜の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム薄膜の製造方法Info
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- JPH02157123A JPH02157123A JP63311071A JP31107188A JPH02157123A JP H02157123 A JPH02157123 A JP H02157123A JP 63311071 A JP63311071 A JP 63311071A JP 31107188 A JP31107188 A JP 31107188A JP H02157123 A JPH02157123 A JP H02157123A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、優れた誘電体材料であるチタン酸バリウム薄
膜の製造方法に関するものである。
膜の製造方法に関するものである。
従来の技術
チタン酸バリウム系セラミックスは、高い抵抗率・誘電
率をもつため、セラミンク・フィルタやコンデンザ材料
など幅広く利用されている。
率をもつため、セラミンク・フィルタやコンデンザ材料
など幅広く利用されている。
近年、電子部品の小型軽量化の動きが強まる中で、チタ
ン酸バリウム等比誘電率の大きな材料を薄膜化すること
により、小型大容量のコンデンサなどを作製することが
可能となることから、真空蒸着法やスパッタ法によりチ
タン酸バリウムの薄膜化の研究がなされている。
ン酸バリウム等比誘電率の大きな材料を薄膜化すること
により、小型大容量のコンデンサなどを作製することが
可能となることから、真空蒸着法やスパッタ法によりチ
タン酸バリウムの薄膜化の研究がなされている。
真空蒸着法によりチタン酸バリウム薄膜を作製する際、
バリウムとチタンの蒸着源からの蒸発速度が異なるため
モル比率のコントロールが難しくまたチタン酸バリウム
が高融点物質であることがらヒータ材質の混入が避けら
れないと言った欠点がある。そのため、現在では、高周
波スパッタ法よる研究が中心となっている。そしてスバ
ンタ時の基板温度またはスパッタ後の熱処理温度を１０
００°Ｃ以上にすることにより、誘電率ｌ０００以上の
薄膜が得られている。
バリウムとチタンの蒸着源からの蒸発速度が異なるため
モル比率のコントロールが難しくまたチタン酸バリウム
が高融点物質であることがらヒータ材質の混入が避けら
れないと言った欠点がある。そのため、現在では、高周
波スパッタ法よる研究が中心となっている。そしてスバ
ンタ時の基板温度またはスパッタ後の熱処理温度を１０
００°Ｃ以上にすることにより、誘電率ｌ０００以上の
薄膜が得られている。
発明が解決しようとする課題
高周波スパッタ法で誘電率１０００以上のチタン酸バリ
ウム薄膜を得るためには、上述した様に１０００°Ｃ以
上の基板温度または熱処理温度が必要であり、この加熱
により結晶粒成長に伴うマイクロクランクやピンポール
が発生してしまい、電極を蒸着等により形成するど短絡
してしまうことが多い。
ウム薄膜を得るためには、上述した様に１０００°Ｃ以
上の基板温度または熱処理温度が必要であり、この加熱
により結晶粒成長に伴うマイクロクランクやピンポール
が発生してしまい、電極を蒸着等により形成するど短絡
してしまうことが多い。
本発明は蒸気問題点に鑑み、優れた誘電特性を示すチタ
ン酸バリウム薄膜を、４００°Ｃ以下の低温で製造する
方法を提供するものである。
ン酸バリウム薄膜を、４００°Ｃ以下の低温で製造する
方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明は、チタン酸バリウ
ムの製造方法に、プラズマの活性さを利用したプラズマ
ＣＶＤ法、電子サイクロトロン（ＥＣＲ）プラスマＣＶ
Ｄ法、ＥＣＲプラズマスパンタ法を用いることにより
、４００ ’Ｃ以下の低温でチタン酸バリウム薄膜を成
膜するという構造を備えたものである。
ムの製造方法に、プラズマの活性さを利用したプラズマ
ＣＶＤ法、電子サイクロトロン（ＥＣＲ）プラスマＣＶ
Ｄ法、ＥＣＲプラズマスパンタ法を用いることにより
、４００ ’Ｃ以下の低温でチタン酸バリウム薄膜を成
膜するという構造を備えたものである。
作用
本発明は上記した構成の製造方法であるので、プラズマ
ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法ＥＣＲプラズマスパ
ッタ法において、成膜時の条件を選んでやることにより
、優れた誘電性を示すチタン酸バリウム薄膜を、４００
°Ｃ以下の低温で製造できるという作用がなされる。
ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法ＥＣＲプラズマスパ
ッタ法において、成膜時の条件を選んでやることにより
、優れた誘電性を示すチタン酸バリウム薄膜を、４００
°Ｃ以下の低温で製造できるという作用がなされる。
実施例
（実施例１）
以下本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ法によるチタン
酸バリウム薄膜の製造方法について図面を参照しながら
説明する。
酸バリウム薄膜の製造方法について図面を参照しながら
説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装置
の概略図を示すものである。第１図において１は反応チ
ャンバー、２は電極、３は反応チャンバー内を低圧に保
つための排気系で、４は下地基板、５は高周波電源（１
３，５６ＭＨｚ）６゜７は原料の入った気化器で、８は
キャリアガスボンへ（Ｎ２）、９は反応ガスボンへ（０
□）、１０は基板加熱ヒーターである。
の概略図を示すものである。第１図において１は反応チ
ャンバー、２は電極、３は反応チャンバー内を低圧に保
つための排気系で、４は下地基板、５は高周波電源（１
３，５６ＭＨｚ）６゜７は原料の入った気化器で、８は
キャリアガスボンへ（Ｎ２）、９は反応ガスボンへ（０
□）、１０は基板加熱ヒーターである。
気化器６にバリウムジピバロイルメタン［Ｂ ａ （Ｃ
，、Ｈ，０）２ ） 、７にテＩ・ラーｎ−プロピルオ
ルトチクナーｌ−１：（ｎ−Ｃ３Ｈ７０）４Ｔ ｉ ：
１を入れ、それぞれ１４０°Ｃ２１３０°Ｃに加熱し、
その蒸気を窒素キャリア（流ｆｔ３．Ｏ３ｃｃＭ）とと
もに排気系３により減圧された反応チャンバー１内に導
入する。同時に反応ガスである酸素（流量４．．８ Ｓ
ＣＣＭ）も導入し、プラズマを発生（電力ｏ、４ Ｗ
／ １ ａｆｌ）させ、４０分間減圧下（８，２Ｘｌ
０ ’ Ｔｏｒｒ）で反応を行ない、３５０°Ｃに加熱
した白金基板上に成膜した。得られた膜を解析すると、
組成りａＴｉｏＯでペロブスカイト型の結晶構造をして
いた。また膜厚は２．２μｍであった。さらに対向電極
（白金）を蒸着により形成し、誘電率を測定したところ
εシー４１００、ｔａｎδ−０，０１＋であった。
，、Ｈ，０）２ ） 、７にテＩ・ラーｎ−プロピルオ
ルトチクナーｌ−１：（ｎ−Ｃ３Ｈ７０）４Ｔ ｉ ：
１を入れ、それぞれ１４０°Ｃ２１３０°Ｃに加熱し、
その蒸気を窒素キャリア（流ｆｔ３．Ｏ３ｃｃＭ）とと
もに排気系３により減圧された反応チャンバー１内に導
入する。同時に反応ガスである酸素（流量４．．８ Ｓ
ＣＣＭ）も導入し、プラズマを発生（電力ｏ、４ Ｗ
／ １ ａｆｌ）させ、４０分間減圧下（８，２Ｘｌ
０ ’ Ｔｏｒｒ）で反応を行ない、３５０°Ｃに加熱
した白金基板上に成膜した。得られた膜を解析すると、
組成りａＴｉｏＯでペロブスカイト型の結晶構造をして
いた。また膜厚は２．２μｍであった。さらに対向電極
（白金）を蒸着により形成し、誘電率を測定したところ
εシー４１００、ｔａｎδ−０，０１＋であった。
また他の金属化合物を用いた場合においても同様に優れ
た誘電特性を示すチタン酸バリウム薄膜が得られた。そ
の−例を上記結果と合わせて表１に示ず。
た誘電特性を示すチタン酸バリウム薄膜が得られた。そ
の−例を上記結果と合わせて表１に示ず。
（以 下 余 白）
なお特許請求の範囲において、プラズマを維持する時の
圧力が１． ＯＸ １０３〜１． ＯＴｏｒｒとしたの
ば、１． ＯＴｏｒｒ以上だと化学蒸着の際プラズマが
有効に効かないため低温でチタン酸バリウム薄膜が得ら
れないからである。また１、 ＯＸ Ｉ Ｏ”” Ｔｏ
ｒｒ以下だと成膜速度が非常に遅くなってしまうからで
ある。
圧力が１． ＯＸ １０３〜１． ＯＴｏｒｒとしたの
ば、１． ＯＴｏｒｒ以上だと化学蒸着の際プラズマが
有効に効かないため低温でチタン酸バリウム薄膜が得ら
れないからである。また１、 ＯＸ Ｉ Ｏ”” Ｔｏ
ｒｒ以下だと成膜速度が非常に遅くなってしまうからで
ある。
（実施例２）
以下本発明の一実施例のＥＣＲプラズマＣＶＤ法による
チタン酸バリウム薄膜の製造方法について図面を参照し
ながら説明する。
チタン酸バリウム薄膜の製造方法について図面を参照し
ながら説明する。
第２図はＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の概略図を示してい
る。第２図において２１はＥＣＲの高密度プラズマを発
生させるためのプラズマ室、２２はＥＣＲに必要な磁場
を供給する電磁石であり、２３は反応室、２４はマイク
ロ波（２，４５ＧＨｚ）導入口、２５はプラズマ源とな
るガス（酸素）の導入口、２６は下地基板、２７は基板
ホルダーである。２８．２９は原料の入った気化器で、
３０はキャリアガス（Ｎ２）導入口である。３１は反応
室を強制排気するだめのポンプ（油回転ポンプおよびタ
ーボ分子ポンプ）につながっている排気口である。
る。第２図において２１はＥＣＲの高密度プラズマを発
生させるためのプラズマ室、２２はＥＣＲに必要な磁場
を供給する電磁石であり、２３は反応室、２４はマイク
ロ波（２，４５ＧＨｚ）導入口、２５はプラズマ源とな
るガス（酸素）の導入口、２６は下地基板、２７は基板
ホルダーである。２８．２９は原料の入った気化器で、
３０はキャリアガス（Ｎ２）導入口である。３１は反応
室を強制排気するだめのポンプ（油回転ポンプおよびタ
ーボ分子ポンプ）につながっている排気口である。
まずプラズマ室２１および反応室２３内を１．ＯＸ １
０’ Ｔｏｒｒ以下に減圧して吸着ガス等を除去する。
０’ Ｔｏｒｒ以下に減圧して吸着ガス等を除去する。
次にプラズマ室２１に導入口２５からプラズマ源となる
酸素（流量３．４３ＣＣＭ）を導入し、導入口２４より
２．４５ ＣＩ（ｚ（７）？イクＯ波を４００Ｗ印加し
て、電磁石により磁界強度を８７５ガウスとすることに
よりＥＣＲプラズマを発生さ一已る。
酸素（流量３．４３ＣＣＭ）を導入し、導入口２４より
２．４５ ＣＩ（ｚ（７）？イクＯ波を４００Ｗ印加し
て、電磁石により磁界強度を８７５ガウスとすることに
よりＥＣＲプラズマを発生さ一已る。
その際、電磁石２２による発散磁界により、発生したプ
ラズマはプラズマ室２１より反応室２３に引き出される
。また、気化器２８．２９にそれぞれバリウムジピバロ
イルメタン、テ］・シーｎ−プロピルオルトチタナート
を入れておき、それぞれ１３０°Ｃ２１２０°Ｃに加熱
し、その蒸気を窒素キャリア（流量それぞれ１．５３Ｃ
ＣＭ）とともに反応室２３に導入する。導入された蒸気
をプラズマ室２１内より引き出された活性なプラズマに
触れさせることにより、３０分間反応を行ない白金基根
土に成膜した。
ラズマはプラズマ室２１より反応室２３に引き出される
。また、気化器２８．２９にそれぞれバリウムジピバロ
イルメタン、テ］・シーｎ−プロピルオルトチタナート
を入れておき、それぞれ１３０°Ｃ２１２０°Ｃに加熱
し、その蒸気を窒素キャリア（流量それぞれ１．５３Ｃ
ＣＭ）とともに反応室２３に導入する。導入された蒸気
をプラズマ室２１内より引き出された活性なプラズマに
触れさせることにより、３０分間反応を行ない白金基根
土に成膜した。
なお、成膜時の基板温度は１５０°Ｃで一定であった。
また、成膜時の真空度は５．２ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ
であった。
であった。
得られた膜を解析すると、組成りａＴｉ０３でペロブス
カイト型の結晶構造をしていた。膜厚は１８μｍであっ
た。さらに対向電極（白金）を蒸着により形成し、誘電
率を測定したところεＴ−３８００、ｔａｎδ−０，０
４であった。
カイト型の結晶構造をしていた。膜厚は１８μｍであっ
た。さらに対向電極（白金）を蒸着により形成し、誘電
率を測定したところεＴ−３８００、ｔａｎδ−０，０
４であった。
また他の金属化合物を用いた場合にも同様に優れた誘電
特性を示すチタン酸バリウム薄膜が得られた。その−例
を上記結果と合わせて表２に示す。
特性を示すチタン酸バリウム薄膜が得られた。その−例
を上記結果と合わせて表２に示す。
（以 下 余 白）
、特許請求の範囲第（２）項においてプラズマを維持す
るときの圧力を１．０ｘ１０Ｊ５〜１．０×１０°２Ｔ
ｏｒｒとしたのは、１．ｏｘ１ｏｉ以下だと反応生成物
の成膜速度が遅く実用上問題があるためであり、１．０
Ｘ Ｉ ０２Ｔｏｒｒ以上だとプラズマが有効に効か
ないためである。
るときの圧力を１．０ｘ１０Ｊ５〜１．０×１０°２Ｔ
ｏｒｒとしたのは、１．ｏｘ１ｏｉ以下だと反応生成物
の成膜速度が遅く実用上問題があるためであり、１．０
Ｘ Ｉ ０２Ｔｏｒｒ以上だとプラズマが有効に効か
ないためである。
（実施例３）
以下本発明の一実施例のＥＣＲプラズマスパッタ法によ
るチタン酸バリウム薄膜の製造方法について図面を参照
しながら説明する。
るチタン酸バリウム薄膜の製造方法について図面を参照
しながら説明する。
第３図はＥＣＲプラズマスパッタリング装置の概略図を
示している。第３図において４１は高密度プラズマを発
生させるためのプラズマ室、４２はＥＣＲに必要な磁場
を供給する電磁石であり、４３は反応室、４４はマイク
ロ波（２，４５Ｇｌ（ｚ）導入口、４５はプラズマ源と
なるガスの導入口、４６はスパッタ電源、４７はターゲ
ット、４８は下地基板、４９は基板ホルダー、５０は反
応室を強制排気するためのポンプ（油回転ポンプおよび
ターボ分子ポンプ）につながっている排気口である。ま
た５１は酸素導入口である。
示している。第３図において４１は高密度プラズマを発
生させるためのプラズマ室、４２はＥＣＲに必要な磁場
を供給する電磁石であり、４３は反応室、４４はマイク
ロ波（２，４５Ｇｌ（ｚ）導入口、４５はプラズマ源と
なるガスの導入口、４６はスパッタ電源、４７はターゲ
ット、４８は下地基板、４９は基板ホルダー、５０は反
応室を強制排気するためのポンプ（油回転ポンプおよび
ターボ分子ポンプ）につながっている排気口である。ま
た５１は酸素導入口である。
まずプラズマ室４１および反応室４３内を１、０ ×１
０′６Ｔｏｒｒ以下に減圧して吸着ガス等を除去する。
０′６Ｔｏｒｒ以下に減圧して吸着ガス等を除去する。
次にプラズマ室４１に導入口４５からプラズマ源となる
アルゴン（流量４．Ｏ３ＣＣＭ）および酸素（流量２．
Ｏ３ＣＣＭ）を導入し、導入口４４より２．４５ ＧＨ
ｚのマイクロ波を５００Ｗ印加して、電磁石により磁界
強度を８７５ガウスとすることによりＥＣＲプラズマを
発生させる。その際電磁石４２による発散磁界によりプ
ラズマは、反応室４３に引き出される。ターゲット４７
としてＢａＯとＴｉＯ２を用意しておき、スパック電源
に３００Ｗ印加することによりスパッタし、導入口５１
より導入した酸素（流量１．８３ＣＣＭ）とともにＥＣ
Ｒ特有の基板」−へのイオン衝撃効果により下地基板４
８上にチタン酸バリウム薄膜を５０分間成膜した。なお
下地基板として白金を用いた。また、成膜時の真空度は
４．２Ｘ１０′’ Ｔｏｒｒで、基板温度は１７０°Ｃ
で一定であった。
アルゴン（流量４．Ｏ３ＣＣＭ）および酸素（流量２．
Ｏ３ＣＣＭ）を導入し、導入口４４より２．４５ ＧＨ
ｚのマイクロ波を５００Ｗ印加して、電磁石により磁界
強度を８７５ガウスとすることによりＥＣＲプラズマを
発生させる。その際電磁石４２による発散磁界によりプ
ラズマは、反応室４３に引き出される。ターゲット４７
としてＢａＯとＴｉＯ２を用意しておき、スパック電源
に３００Ｗ印加することによりスパッタし、導入口５１
より導入した酸素（流量１．８３ＣＣＭ）とともにＥＣ
Ｒ特有の基板」−へのイオン衝撃効果により下地基板４
８上にチタン酸バリウム薄膜を５０分間成膜した。なお
下地基板として白金を用いた。また、成膜時の真空度は
４．２Ｘ１０′’ Ｔｏｒｒで、基板温度は１７０°Ｃ
で一定であった。
得られた膜を解析すると、組成りａＴｉ０３でペロブス
カイト型の結晶構造をしていた。薄膜は２．３μｍであ
った。さら対向電極（白金）を蒸着により形成し、誘電
率を測定したところεγ−４５００ｔａｎδ−０．１２
であった。
カイト型の結晶構造をしていた。薄膜は２．３μｍであ
った。さら対向電極（白金）を蒸着により形成し、誘電
率を測定したところεγ−４５００ｔａｎδ−０．１２
であった。
また、他のターゲットを用いて成膜した場合にも同様に
ＢａＴ＋０３７ｉｔ膜が得られ、εＴ≧３５００、ｔ
ａ ｎδ≦０．１２の特性を示した。
ＢａＴ＋０３７ｉｔ膜が得られ、εＴ≧３５００、ｔ
ａ ｎδ≦０．１２の特性を示した。
なお、特許請求の範囲第（３）項において、プラズマを
糺持するときの圧力を１．０Ｘ１０”〜１．０×１０２
Ｔｏｒｒとしたのは、１．０Ｘ１０’以下だと反応生成
物の成膜速度が遅く実用上問題があるためであり、１．
０ ×１０２Ｔｏｒｒ以上だとプラズマが有効に効かな
いからである。
糺持するときの圧力を１．０Ｘ１０”〜１．０×１０２
Ｔｏｒｒとしたのは、１．０Ｘ１０’以下だと反応生成
物の成膜速度が遅く実用上問題があるためであり、１．
０ ×１０２Ｔｏｒｒ以上だとプラズマが有効に効かな
いからである。
発明の効果
以上述べてきたように本発明は、プラズマの活性さを巧
みに利用した成膜方法であるため、４００ ’Ｃ以下の
低温で、チタン酸バリウム薄膜を合成できる製造方法で
あり、誘電体材料の分野においてきわめて有益な発明で
ある。
みに利用した成膜方法であるため、４００ ’Ｃ以下の
低温で、チタン酸バリウム薄膜を合成できる製造方法で
あり、誘電体材料の分野においてきわめて有益な発明で
ある。
第１図は、本発明の一実施例におりるプラズマＣＶＤ装
置の概略図、第２図は本発明の一実施例におけるＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の概略ｌ、第３図は、本発明の一実
施例におけるＥ ＣＲプラズマスパンタリング装置の概
略図である。 ］・・・・・・反応チャンバー、２ ・・電極、３・
・・（」１気系、４・・・・・下地基板、５・・・・高
周波電源、６７・・・・気化器、８・・・・・・キャリ
アガスボンへ、９・・・反応ガスボンへ、１０・・・・
・基板加熱ヒータ代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 は
か１名Ｇ
置の概略図、第２図は本発明の一実施例におけるＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の概略ｌ、第３図は、本発明の一実
施例におけるＥ ＣＲプラズマスパンタリング装置の概
略図である。 ］・・・・・・反応チャンバー、２ ・・電極、３・
・・（」１気系、４・・・・・下地基板、５・・・・高
周波電源、６７・・・・気化器、８・・・・・・キャリ
アガスボンへ、９・・・反応ガスボンへ、１０・・・・
・基板加熱ヒータ代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 は
か１名Ｇ
Claims (7)
- （１）バリウムを含む化合物の蒸気とチタンを含む化合
物の蒸気と酸素を、減圧プラズマ中で分解せさ、対象基
板上にペロブスカイト型酸化物を化学蒸着することを特
徴とするチタン酸バリウム薄膜の製造方法。 - （２）バリウムを含む化合物の蒸気とチタンを含む化合
物の蒸気を、電子サイクロトロン共鳴を用いて発生させ
た高密度酸素プラズマを利用して分解させ、対象基板上
にペロブスカイト型酸化物を化学蒸着することを特徴と
するチタン酸バリウム薄膜の製造方法。 - （３）バリウムを含む金属又は化合物とチタンを含む金
属又は化合物のターゲットを用いて、対象基板上にバリ
ウムとチタンを含む金属又は化合物をスパッタリングし
ながら、電子サイクロトロン共鳴を用いて発生させた高
密度酸素プラズマを対象基板上に照射して、ペロブスカ
イト型酸化物薄膜を形成することを特徴とするチタン酸
バリウム薄膜の製造方法 - （４）バリウムを含む化合物が、β−ジケトン系金属錯
体であることを特徴とする請求項（１）または（２）の
いずれかに記載のチタン酸バリウム薄膜の製造方法。 - （５）チタンを含む化合物β−ジケトン系金属錯体また
はビスシクロペンタジエニル錯塩または金属アルコキシ
ドであることを特徴とする請求項（１）または（２）の
いずれかに記載のチタン酸バリウム薄膜の製造方法。 - （６）プラズマを維持するときの圧力が１．０×１０＾
−＾３〜１．０Ｔｏｒｒであることを特徴とする請求項
（１）記載のチタン酸バリウム薄膜の製造方法。 - （７）プラズマを維持するときの圧力が１．０×１０＾
−＾５〜１．０×１０＾−＾２Ｔｏｒｒであることを特
徴とする請求項（２）または（３）のいずれかに記載の
チタン酸バリウム薄膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311071A JPH075310B2 (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | チタン酸バリウム薄膜の製造方法 |
| US07/446,767 US5006363A (en) | 1988-12-08 | 1989-12-06 | Plasma assited MO-CVD of perooskite dalectric films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311071A JPH075310B2 (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | チタン酸バリウム薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02157123A true JPH02157123A (ja) | 1990-06-15 |
| JPH075310B2 JPH075310B2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=18012764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63311071A Expired - Fee Related JPH075310B2 (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | チタン酸バリウム薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH075310B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03205316A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-06 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | ペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法 |
| US5379718A (en) * | 1992-12-25 | 1995-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming a titanium thin film |
| RU2523000C1 (ru) * | 2013-01-24 | 2014-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭЛЕМЕНТ-22" | Способ изготовления сегнетоэлектрических конденсаторов |
| JP2022502853A (ja) * | 2018-09-28 | 2022-01-11 | パワー ロール リミテッド | エネルギー貯蔵装置用の基板を処理する方法 |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP63311071A patent/JPH075310B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03205316A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-06 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | ペロブスカイト型複合酸化物粉末の製造方法 |
| US5379718A (en) * | 1992-12-25 | 1995-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming a titanium thin film |
| RU2523000C1 (ru) * | 2013-01-24 | 2014-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭЛЕМЕНТ-22" | Способ изготовления сегнетоэлектрических конденсаторов |
| JP2022502853A (ja) * | 2018-09-28 | 2022-01-11 | パワー ロール リミテッド | エネルギー貯蔵装置用の基板を処理する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH075310B2 (ja) | 1995-01-25 |
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