JPH089767B2 - 低抵抗透明導電膜の製造方法 - Google Patents
低抵抗透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH089767B2 JPH089767B2 JP62078907A JP7890787A JPH089767B2 JP H089767 B2 JPH089767 B2 JP H089767B2 JP 62078907 A JP62078907 A JP 62078907A JP 7890787 A JP7890787 A JP 7890787A JP H089767 B2 JPH089767 B2 JP H089767B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductive film
- transparent conductive
- resistance transparent
- low resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、低抵抗透明導電膜の製造方法に関する。更
に詳しくは、絶縁性基板上に酸化インジウム系導電膜を
形成させる低抵抗透明導電膜の製造方法に関する。
に詳しくは、絶縁性基板上に酸化インジウム系導電膜を
形成させる低抵抗透明導電膜の製造方法に関する。
〔従来の技術〕 透明導電膜は、可視光透過性が良く、導電性も良いの
で、液晶用電極や太陽熱利用の選択透過膜などに使用さ
れている。特に、SnO2系やIn2O3系の薄膜は、抵抗値が
低く、可視光の透過率が高く、しかも安定性も良いた
め、一般的に広く用いられている。
で、液晶用電極や太陽熱利用の選択透過膜などに使用さ
れている。特に、SnO2系やIn2O3系の薄膜は、抵抗値が
低く、可視光の透過率が高く、しかも安定性も良いた
め、一般的に広く用いられている。
かかる低抵抗透明導電膜は、従来からスプレー法、メ
ッキ法などの化学的製膜法あるいは真空蒸着法、スパッ
タリング法などの物理的製膜法によって製造されてお
り、中でも良質の透明導電膜が得られるなどのすぐれた
特性を有するスパッタリング法が多く採用されている。
ッキ法などの化学的製膜法あるいは真空蒸着法、スパッ
タリング法などの物理的製膜法によって製造されてお
り、中でも良質の透明導電膜が得られるなどのすぐれた
特性を有するスパッタリング法が多く採用されている。
この場合、ターゲットとして少量の錫を含有する酸化
インジウムを使用することが好ましく、これから良導電
性膜を得るためには、基板を加熱しながら、製膜するか
あるいは膜形成時にアニーリングを行なって抵抗値を下
げる処理が行われている（例えば、特開昭60−131,712
号公報）。これらの処理は、好ましくは300℃以上の温
度を必要とするため、用いられる絶縁性基板はセラミッ
クスや石英などの耐熱性基板に限定され、プラスチック
製基板などには適用し得ないという限界がみられる。
インジウムを使用することが好ましく、これから良導電
性膜を得るためには、基板を加熱しながら、製膜するか
あるいは膜形成時にアニーリングを行なって抵抗値を下
げる処理が行われている（例えば、特開昭60−131,712
号公報）。これらの処理は、好ましくは300℃以上の温
度を必要とするため、用いられる絶縁性基板はセラミッ
クスや石英などの耐熱性基板に限定され、プラスチック
製基板などには適用し得ないという限界がみられる。
そこで、本発明者は先に、プラスチック製などの絶縁
性基板上にプレナーマグネトロン方式による高周波スパ
ッタリングを行なって錫含有酸化インジウム導電膜を形
成し、形成された導電膜をアルゴンガスでスパッタエッ
チングする方法を提案している（特公平５−11374号公
報）。
性基板上にプレナーマグネトロン方式による高周波スパ
ッタリングを行なって錫含有酸化インジウム導電膜を形
成し、形成された導電膜をアルゴンガスでスパッタエッ
チングする方法を提案している（特公平５−11374号公
報）。
上記したような従来技術では、形成される錫含有酸化
インジウム導電膜がいずれも必ず結晶性を伴なっている
が、この導電膜の形成を酸素雰囲気中での高周波イオン
プレーティング法により行なうことにより、Ｘ線回析に
より非晶質膜が形成されることが始めて見出された。
インジウム導電膜がいずれも必ず結晶性を伴なっている
が、この導電膜の形成を酸素雰囲気中での高周波イオン
プレーティング法により行なうことにより、Ｘ線回析に
より非晶質膜が形成されることが始めて見出された。
従って、本発明は低抵抗透明導電膜の製造方法に係
り、低抵抗透明導電膜の製造は、酸素雰囲気中で錫含有
酸化インジウム（ITO）を高周波イオンプレーティング
して絶縁性基板上に非晶質ITO膜を形成させた後、該非
晶質ITO膜にアルゴンによるスパッタエッチング処理を
施すことにより行われる。
り、低抵抗透明導電膜の製造は、酸素雰囲気中で錫含有
酸化インジウム（ITO）を高周波イオンプレーティング
して絶縁性基板上に非晶質ITO膜を形成させた後、該非
晶質ITO膜にアルゴンによるスパッタエッチング処理を
施すことにより行われる。
高周波イオンプレーティング法による非晶質ITO膜の
形成は、例えば第１図に示されるような装置を用いて行
われる。
形成は、例えば第１図に示されるような装置を用いて行
われる。
まず、真空槽１内に、直流電源７に接続された絶縁性
基板６取付用の基板ホルダ２を設置し、この基板ホルダ
に対向する位置に、一般に約３重量％程度のSnを含有す
るIn2O3（ITO）ターゲット３を入れたルツボ４を設置
し、真空槽内を５×10-5Torr以下、好ましくは１×10-5
Torr以下に排気した後、酸素ガスをガス導入口５から約
５×10-4Torr〜３×10-3Torrの圧力になる迄導入し、高
周波電力約10〜300W、直流バイアス0.1〜1KVの条件下
で、イオンプレーティングが行われる。
基板６取付用の基板ホルダ２を設置し、この基板ホルダ
に対向する位置に、一般に約３重量％程度のSnを含有す
るIn2O3（ITO）ターゲット３を入れたルツボ４を設置
し、真空槽内を５×10-5Torr以下、好ましくは１×10-5
Torr以下に排気した後、酸素ガスをガス導入口５から約
５×10-4Torr〜３×10-3Torrの圧力になる迄導入し、高
周波電力約10〜300W、直流バイアス0.1〜1KVの条件下
で、イオンプレーティングが行われる。
イオンプレーティングは、高周波電源８に接続された
高周波コイル９に高周波電力をかけ、放電させながら電
子ビーム電源10に接続されたフィラメント11をITOに発
射させることにより行われ、形成されるITO膜の膜厚は
膜厚モニタにより測定される。なお、符号13は基板加熱
用のヒータであり、14はガス排気口であり、15はシャッ
タであり、これはITOを蒸発させるとき、最初にシャッ
タを閉じて金属に付着している不純物を取り除き、基板
に付着させない働きをしている。
高周波コイル９に高周波電力をかけ、放電させながら電
子ビーム電源10に接続されたフィラメント11をITOに発
射させることにより行われ、形成されるITO膜の膜厚は
膜厚モニタにより測定される。なお、符号13は基板加熱
用のヒータであり、14はガス排気口であり、15はシャッ
タであり、これはITOを蒸発させるとき、最初にシャッ
タを閉じて金属に付着している不純物を取り除き、基板
に付着させない働きをしている。
高周波イオンプレーティングを酸素雰囲気中で行なう
と、欠乏してくる酸素が補給されるばかりではなく、蒸
発ITO粒子と酸素とがイオンプレーティングによるエネ
ルギーにより反応し、そこに非晶質膜を形成させる。
と、欠乏してくる酸素が補給されるばかりではなく、蒸
発ITO粒子と酸素とがイオンプレーティングによるエネ
ルギーにより反応し、そこに非晶質膜を形成させる。
前述の如く、従来法により形成されるITO膜はいずれ
も結晶性を伴なっているが、本発明方法では非晶質膜と
して得られる。同じ高周波イオンプレーティング法を用
いても、窒化チタンの場合には高結晶性膜が形成される
ので（特開昭63−29243号公報）、非晶質膜の形成はITO
の場合に特有のものであるということができる。
も結晶性を伴なっているが、本発明方法では非晶質膜と
して得られる。同じ高周波イオンプレーティング法を用
いても、窒化チタンの場合には高結晶性膜が形成される
ので（特開昭63−29243号公報）、非晶質膜の形成はITO
の場合に特有のものであるということができる。
このようにして形成された非晶質ITO膜は、前記特許
公告公報記載の方法と同様にして、アルゴンによるスパ
ッタエッチング処理が施される。このスパッタエッチン
グ処理は、最表面の結晶調整と電子の注入のために行わ
れるものであり、その処理条件としては、例えばアルゴ
ンガス圧力５×10-4Torr、高周波電力約50〜300W、処理
時間約0.5〜10分間などが採用される。
公告公報記載の方法と同様にして、アルゴンによるスパ
ッタエッチング処理が施される。このスパッタエッチン
グ処理は、最表面の結晶調整と電子の注入のために行わ
れるものであり、その処理条件としては、例えばアルゴ
ンガス圧力５×10-4Torr、高周波電力約50〜300W、処理
時間約0.5〜10分間などが採用される。
本発明に係る低抵抗透明導電膜は、次のような特徴を
有する。
有する。
（１）ITO膜が非晶質膜として形成されるため、結晶粒
界が小さく、平滑性および耐食性も良好である。
界が小さく、平滑性および耐食性も良好である。
（２）高周波イオンプレーティングは、室温条件下でも
行なうことができるため、プラスチックなどの非耐熱性
の絶縁性基板を用いることができる。
行なうことができるため、プラスチックなどの非耐熱性
の絶縁性基板を用いることができる。
（３）従来の耐熱性基板を用いての高温アニーリング処
理では、基板の変形が避けられず、また冷却に比較的長
い時間を要するという生産性の点での問題などがみられ
たが、本発明方法ではこうした欠点がみられない。
理では、基板の変形が避けられず、また冷却に比較的長
い時間を要するという生産性の点での問題などがみられ
たが、本発明方法ではこうした欠点がみられない。
（４）生産性については、スパッタリング法とは異な
り、大面積に製膜が可能となるため向上する。
り、大面積に製膜が可能となるため向上する。
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例１〜６ 第１図に図示された態様に従がい、アクリル板、ガラ
ス板またはアルミナ板を絶縁製基板として用い、各種条
件下で高周波イオンスパッタリングおよびスパッタエッ
チングを順次行ない、得られた基板上の透明な非晶質IT
O膜について、波長400〜800nmにおける可視光透過率お
よび導電度（周波数５〜13×106Hzにおける複素インピ
ーダンスプロットから求めた値）をそれぞれ測定した。
得られた結果は、処理条件と共に、下記表に示される。
なお、測定結果については、各基板共ほぼ同一値であっ
た。
ス板またはアルミナ板を絶縁製基板として用い、各種条
件下で高周波イオンスパッタリングおよびスパッタエッ
チングを順次行ない、得られた基板上の透明な非晶質IT
O膜について、波長400〜800nmにおける可視光透過率お
よび導電度（周波数５〜13×106Hzにおける複素インピ
ーダンスプロットから求めた値）をそれぞれ測定した。
得られた結果は、処理条件と共に、下記表に示される。
なお、測定結果については、各基板共ほぼ同一値であっ
た。
第１図は、本発明方法で用いられる高周波イオンプレー
ティング装置の一態様の概要図である。 （符号の説明） １……真空槽 ２……基板ホルダ ３……ITOターゲット ４……ルツボ ６……絶縁性基板 ７……直流電源 ８……高周波電源 ９……高周波コイル 10……電子ビーム電源 11……フィラメント
ティング装置の一態様の概要図である。 （符号の説明） １……真空槽 ２……基板ホルダ ３……ITOターゲット ４……ルツボ ６……絶縁性基板 ７……直流電源 ８……高周波電源 ９……高周波コイル 10……電子ビーム電源 11……フィラメント
Claims (2)
- 【請求項１】酸素雰囲気中で錫含有酸化インジウム（IT
O）を高周波イオンプレーティングして絶縁性基板上に
非晶質ITO膜を形成させた後、該非晶質ITO膜にアルゴン
によるスパッタエッチング処理を施すことを特徴とする
低抵抗透明導電膜の製造方法。 - 【請求項２】イオンプレーティング処理が室温条件下で
行われる特許請求の範囲第１項記載の低抵抗透明導電膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078907A JPH089767B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078907A JPH089767B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243261A JPS63243261A (ja) | 1988-10-11 |
| JPH089767B2 true JPH089767B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=13674902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62078907A Expired - Lifetime JPH089767B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089767B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2598342B2 (ja) * | 1991-02-26 | 1997-04-09 | セイコー電子工業株式会社 | 多色表示装置の製造方法 |
| JP2002196348A (ja) * | 1999-06-11 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| ATE524574T1 (de) * | 2001-10-02 | 2011-09-15 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Verfahren zur herstellung vom dünnen metalloxidfilm |
| JP4899747B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-03-21 | 凸版印刷株式会社 | パターニング方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224217A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | 日本電気株式会社 | レ−ザ用透明導電膜の製造法 |
| JPS61290605A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-20 | エヌオーケー株式会社 | 低抵抗透明導電膜の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62078907A patent/JPH089767B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63243261A (ja) | 1988-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4895734A (en) | Process for forming insulating film used in thin film electroluminescent device | |
| JP2003520296A (ja) | 透明インジウム錫酸化物の電子ビーム蒸着方法 | |
| US4428810A (en) | Method and apparatus for depositing conducting oxide on a substrate | |
| CN106756792A (zh) | 一种氧化物透明电极薄膜的制备方法 | |
| JP3766453B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| US3749658A (en) | Method of fabricating transparent conductors | |
| JP4137254B2 (ja) | 透明導電積層体の製造方法 | |
| JPH089767B2 (ja) | 低抵抗透明導電膜の製造方法 | |
| JPH11335815A (ja) | 透明導電膜付き基板および成膜装置 | |
| JP3746526B2 (ja) | 表面プラスモン共鳴分析用担体の製造方法 | |
| CN111020506B (zh) | 一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法 | |
| JP3746525B2 (ja) | 表面プラスモン共鳴分析用担体の製造方法 | |
| JP2945968B2 (ja) | 透明導電性薄膜の形成方法 | |
| JPH0723532B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPH058527B2 (ja) | ||
| JPS6354788B2 (ja) | ||
| JP2003073860A (ja) | 積層型の透明導電膜、及びその透明導電膜のパターニング方法 | |
| Ishibashi et al. | Large area deposition of ITO films by cluster type sputtering system | |
| JPH0384816A (ja) | 透明導電膜の処理方法 | |
| JP2941086B2 (ja) | 透明電極 | |
| JPH02157123A (ja) | チタン酸バリウム薄膜の製造方法 | |
| US3315208A (en) | Nitrogen stabilized titanium thin film resistor and method of making same | |
| JPH0160544B2 (ja) | ||
| JPS60189118A (ja) | 導電性透明薄膜の形成方法 | |
| JPH08269686A (ja) | 透明導電膜の形成方法および透明導電膜形成装置 |