JPS6354788B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6354788B2 JPS6354788B2 JP55159438A JP15943880A JPS6354788B2 JP S6354788 B2 JPS6354788 B2 JP S6354788B2 JP 55159438 A JP55159438 A JP 55159438A JP 15943880 A JP15943880 A JP 15943880A JP S6354788 B2 JPS6354788 B2 JP S6354788B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- indium oxide
- sputtering
- film
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、透明かつ低抵抗な酸化インジウム電
導膜を基体に形成する方法、特に可視光線平均透
過率TVが70％以上、比抵抗が５×10-4Ωcm以下
の透明な低抵抗酸化インジウム電導膜をマグネト
ロンスパツター法によりガラス基体に形成する方
法に関するものである。
導膜を基体に形成する方法、特に可視光線平均透
過率TVが70％以上、比抵抗が５×10-4Ωcm以下
の透明な低抵抗酸化インジウム電導膜をマグネト
ロンスパツター法によりガラス基体に形成する方
法に関するものである。
ガラス板表面に酸化錫や酸化インジウム等の透
明電導性被膜を被覆した電導性ガラスは、上記電
導性被膜に電流を通じて発熱させ、ガラス表面へ
の水滴の結露、氷結による曇りを防ぐ防曇ガラス
として、あるいは電導性ガラスの一対をその電導
性被膜の被覆された面が内側になる様に対向さ
せ、その間の空間に電気光学的性質を示す物質、
例えば液晶を介在させ、一対の電導性被膜間に電
圧を印加し、上記電気光学的性質を有する物質の
変化を利用して調光する様にした調光装置の基板
として、あるいは上記電導性ガラスの電導性被膜
面に適当なパターンを施してデイスプレー素子の
基板として、あるいは太陽電池の基板として利用
されている。
明電導性被膜を被覆した電導性ガラスは、上記電
導性被膜に電流を通じて発熱させ、ガラス表面へ
の水滴の結露、氷結による曇りを防ぐ防曇ガラス
として、あるいは電導性ガラスの一対をその電導
性被膜の被覆された面が内側になる様に対向さ
せ、その間の空間に電気光学的性質を示す物質、
例えば液晶を介在させ、一対の電導性被膜間に電
圧を印加し、上記電気光学的性質を有する物質の
変化を利用して調光する様にした調光装置の基板
として、あるいは上記電導性ガラスの電導性被膜
面に適当なパターンを施してデイスプレー素子の
基板として、あるいは太陽電池の基板として利用
されている。
これら透明電導性被膜としては、通常酸化錫あ
るいは酸化インジウムを主体とするものが一般的
であり、この酸化錫、あるいは酸化インジウムの
電導膜は、真空蒸着法、スパツター法、CVD法
（Clemical Vapor Deposition）、スプレー法等に
より形成することが知られている。中でも、スパ
ツター法は、比較的低温の基板に後処理なしでも
付着力の優れた低抵抗の被膜を形成できるという
点で注目されていたが、これまでのスパツター装
置は付着速度が非常に遅いとともに、基板の温度
上昇が激しい等の理由により広く使用されなかつ
た。
るいは酸化インジウムを主体とするものが一般的
であり、この酸化錫、あるいは酸化インジウムの
電導膜は、真空蒸着法、スパツター法、CVD法
（Clemical Vapor Deposition）、スプレー法等に
より形成することが知られている。中でも、スパ
ツター法は、比較的低温の基板に後処理なしでも
付着力の優れた低抵抗の被膜を形成できるという
点で注目されていたが、これまでのスパツター装
置は付着速度が非常に遅いとともに、基板の温度
上昇が激しい等の理由により広く使用されなかつ
た。
近年上記した種々の欠点を有するスパツター装
置の改良されたものとして、マグネトロン型RF
スパツタリング装置が出現した。このマグネトロ
ン型RFスパツタリング装置は、蒸発源としての
ターゲツト上に特殊な磁界をかけ、放電によつて
発生するプラズマ中の電子をその磁場の中に閉じ
込め、電離効率を上げてプラズマ密度を上げるこ
とにより基板の温度上昇を防ぎ、同時に高い付着
速度が得られ、又作業圧力を下げることができる
ものである。
置の改良されたものとして、マグネトロン型RF
スパツタリング装置が出現した。このマグネトロ
ン型RFスパツタリング装置は、蒸発源としての
ターゲツト上に特殊な磁界をかけ、放電によつて
発生するプラズマ中の電子をその磁場の中に閉じ
込め、電離効率を上げてプラズマ密度を上げるこ
とにより基板の温度上昇を防ぎ、同時に高い付着
速度が得られ、又作業圧力を下げることができる
ものである。
このストツパー法は、スパツタリング速度が速
いこと以外にも、反応性に富む、作成された膜の
選択配向性が大きい、10-2Torr以下のより高真
空度下でのスパツターが可能である等の従来のス
パツター法にはない、いくつかの特徴を有してい
る。かかるスパツター法による酸化インジウム電
導膜の製法には、酸化物ターゲツトを使用する場
合と、金属ターゲツトを使用して反応スパツター
する場合の両方が知られているが、ターゲツトの
調整，作成が容易な点から金属ターゲツトがより
有利と考えられている。
いこと以外にも、反応性に富む、作成された膜の
選択配向性が大きい、10-2Torr以下のより高真
空度下でのスパツターが可能である等の従来のス
パツター法にはない、いくつかの特徴を有してい
る。かかるスパツター法による酸化インジウム電
導膜の製法には、酸化物ターゲツトを使用する場
合と、金属ターゲツトを使用して反応スパツター
する場合の両方が知られているが、ターゲツトの
調整，作成が容易な点から金属ターゲツトがより
有利と考えられている。
しかしながら、金属ターゲツトからの反応スパ
ツター法により、錫をドービングさせた酸化イン
ジウム電導膜を製造する場合には、低抵抗の酸化
インジウム電導膜（n2O3―Sn膜）、特に５×
10-4Ωcm以下の低抵抗の酸化インジウム電導膜が
得られにくいことが判明した。
ツター法により、錫をドービングさせた酸化イン
ジウム電導膜を製造する場合には、低抵抗の酸化
インジウム電導膜（n2O3―Sn膜）、特に５×
10-4Ωcm以下の低抵抗の酸化インジウム電導膜が
得られにくいことが判明した。
たとえば酸素分圧が６×10-3TorrのAr／02が
80／20の雰囲気下において、錫を10％含んだイン
ジウム金属ターゲツトより200℃以上に加熱され
たガラス基体上に作成した透明酸化インジムー錫
は透過率は75％であつたが、その比抵抗は３×
10-3Ωcmと高く、好ましい電導性を示さなかつ
た。この膜のＸ線回析を調べたところ、これらの
膜は、マグネトロンスパツター特有の配向の選択
性により、基体に対し、＜111＞の強い配向性をし
たIn2O3―Sn膜であることが確認された。いつた
んこのような配向の強い膜が形成されたならば、
膜形成後における非酸化性雰囲気における加熱処
理によつても５×10-4Ωcm以下の低抵抗膜は得に
くく、透明電導膜としては好ましくないものであ
つた。
80／20の雰囲気下において、錫を10％含んだイン
ジウム金属ターゲツトより200℃以上に加熱され
たガラス基体上に作成した透明酸化インジムー錫
は透過率は75％であつたが、その比抵抗は３×
10-3Ωcmと高く、好ましい電導性を示さなかつ
た。この膜のＸ線回析を調べたところ、これらの
膜は、マグネトロンスパツター特有の配向の選択
性により、基体に対し、＜111＞の強い配向性をし
たIn2O3―Sn膜であることが確認された。いつた
んこのような配向の強い膜が形成されたならば、
膜形成後における非酸化性雰囲気における加熱処
理によつても５×10-4Ωcm以下の低抵抗膜は得に
くく、透明電導膜としては好ましくないものであ
つた。
本発明者は、かかる点を改善することを目的と
して研究の結果、マグネトロンスパツター法によ
る酸化インジウム電導膜は、マグネトロンスパツ
ター法特有の配向の選択性により基体に対し＜
111＞の強い配向性を示すことがＸ線回折により
確認され、この配向性の強い膜が、膜形成後の非
酸化性雰囲気における加熱処理によつても５×
10-4Ωcm以下の低抵抗膜が得られにくいというこ
とが判明した。
して研究の結果、マグネトロンスパツター法によ
る酸化インジウム電導膜は、マグネトロンスパツ
ター法特有の配向の選択性により基体に対し＜
111＞の強い配向性を示すことがＸ線回折により
確認され、この配向性の強い膜が、膜形成後の非
酸化性雰囲気における加熱処理によつても５×
10-4Ωcm以下の低抵抗膜が得られにくいというこ
とが判明した。
本発明者は、かかる知見に基づき、更に研究の
結果、錫を含んだインジウム金属のターゲツトを
用いて反応マグネトロンスパツターする場合にお
いては、十分酸化が進む高酸素分圧から次第に酸
素ガス濃度あるいは全ガス圧を低下させるに従つ
て、透明な膜から灰色つぽい散乱強度の強いヘイ
ジイな膜が形成され、ついには不透明な金属光沢
を有するIn・Sn膜となつてしまうが、上記ヘイ
ジイな膜となる直前の条件に酸素ガス分圧を調節
することにより、酸化インジウム電導膜の
In2O3・Sn微結晶の基体に対する＜111＞配向性
を弱めることができ、これによつて５×10-4Ωcm
以下の比抵抗を有する低抵抗透明酸化インジウム
電導膜が得られることを見出し、本発明として提
案するに到つたものである。
結果、錫を含んだインジウム金属のターゲツトを
用いて反応マグネトロンスパツターする場合にお
いては、十分酸化が進む高酸素分圧から次第に酸
素ガス濃度あるいは全ガス圧を低下させるに従つ
て、透明な膜から灰色つぽい散乱強度の強いヘイ
ジイな膜が形成され、ついには不透明な金属光沢
を有するIn・Sn膜となつてしまうが、上記ヘイ
ジイな膜となる直前の条件に酸素ガス分圧を調節
することにより、酸化インジウム電導膜の
In2O3・Sn微結晶の基体に対する＜111＞配向性
を弱めることができ、これによつて５×10-4Ωcm
以下の比抵抗を有する低抵抗透明酸化インジウム
電導膜が得られることを見出し、本発明として提
案するに到つたものである。
即ち、本発明は、錫が添加されたインジウム金
属ターゲツトを用いて反応マグネトロンスパツタ
ー法により少量の錫を含む酸化インジウム透明電
導膜を基体面に形成する方法において、スパツタ
ーガスを不活性ガスと酸素ガスの混合ガスとする
とともに、酸素分圧を２×10-4〜２×10-3として
反応スパツターし、形成される錫を含む酸化イン
ジウム透明電導膜の結晶の基体に対する＜111＞
配向を弱めた事を特徴とする酸化インジウム透明
電導膜の形成方法を要旨とするものである。
属ターゲツトを用いて反応マグネトロンスパツタ
ー法により少量の錫を含む酸化インジウム透明電
導膜を基体面に形成する方法において、スパツタ
ーガスを不活性ガスと酸素ガスの混合ガスとする
とともに、酸素分圧を２×10-4〜２×10-3として
反応スパツターし、形成される錫を含む酸化イン
ジウム透明電導膜の結晶の基体に対する＜111＞
配向を弱めた事を特徴とする酸化インジウム透明
電導膜の形成方法を要旨とするものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明において使用されるターゲツトとして
は、錫を含む金属インジウムのターゲツトが最適
である。ここで、錫は酸化インジウム膜に電導性
を与えるためのドーパントとして加えられるもの
であり、金属インジウムに対し0.5wt％〜30wt％
程度加えるのが適当である。
は、錫を含む金属インジウムのターゲツトが最適
である。ここで、錫は酸化インジウム膜に電導性
を与えるためのドーパントとして加えられるもの
であり、金属インジウムに対し0.5wt％〜30wt％
程度加えるのが適当である。
反応マグネトロンスパツター法により酸化イン
ジウム膜を形成する基体は、膜の付着性，緻密
性，や低抵抗値が得られる様に200℃〜500℃程度
に加熱するのが特に好ましい。
ジウム膜を形成する基体は、膜の付着性，緻密
性，や低抵抗値が得られる様に200℃〜500℃程度
に加熱するのが特に好ましい。
又、反応マグネトロンスパツター時のスパツタ
ーガス及び酸素分圧は、装置の形状，ポンプの排
気能力，不純物ガスの発生，スパツターリングパ
ワー等に依存するが、スパツターガスは、アルゴ
ン，窒素等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス
で、酸素濃度が２〜30％、全ガス圧が２〜15×
10-3Torrであるのが好ましく、酸素分圧が２×
10-4〜２×10-3Torrの範囲とするのが最適であ
る。ここで、酸素濃度と酸素分圧が上記範囲より
大である場合には、＜111＞配向性の弱い膜を得る
作成条件の幅が非常に狭くなり、実用的でなく、
又上記範囲より小である場合には、金属光沢を有
する不透明なIn・Snの金属膜となり、透明電導
膜が得られない。
ーガス及び酸素分圧は、装置の形状，ポンプの排
気能力，不純物ガスの発生，スパツターリングパ
ワー等に依存するが、スパツターガスは、アルゴ
ン，窒素等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス
で、酸素濃度が２〜30％、全ガス圧が２〜15×
10-3Torrであるのが好ましく、酸素分圧が２×
10-4〜２×10-3Torrの範囲とするのが最適であ
る。ここで、酸素濃度と酸素分圧が上記範囲より
大である場合には、＜111＞配向性の弱い膜を得る
作成条件の幅が非常に狭くなり、実用的でなく、
又上記範囲より小である場合には、金属光沢を有
する不透明なIn・Snの金属膜となり、透明電導
膜が得られない。
本発明において、スパツターガスの酸素分圧
は、質量分析計によつて酸素分圧の変化をモニタ
ーし、真空槽内の酸素分圧が最適条件となる様に
酸素ガスを導入することで２×10-4〜２×
10-3Torrの範囲内に維持することが好ましい。
は、質量分析計によつて酸素分圧の変化をモニタ
ーし、真空槽内の酸素分圧が最適条件となる様に
酸素ガスを導入することで２×10-4〜２×
10-3Torrの範囲内に維持することが好ましい。
本発明において、＜111＞配向性が弱いとは、具
体的に言えば、ASTM6―0416に示されるパウダ
ーにおける配向に比べて、（222）面からの回析強
度が他の面からの回析強度に比べて著しく低い場
合を指すものである。具体的に言えば、パウダー
による（222）面からの強度I222と（400）面から
の強度I400の比I400／I222は0.33で、＜111＞配向性
が高いことを示すが、本発明によつて作成された
酸化インジウム電導膜は、（400），（211），（440）
，
（622）面からも強いピークを示し、特にI400／
I222は1.0以上となつており、＜111＞配向性が弱い
ことが認められる。
体的に言えば、ASTM6―0416に示されるパウダ
ーにおける配向に比べて、（222）面からの回析強
度が他の面からの回析強度に比べて著しく低い場
合を指すものである。具体的に言えば、パウダー
による（222）面からの強度I222と（400）面から
の強度I400の比I400／I222は0.33で、＜111＞配向性
が高いことを示すが、本発明によつて作成された
酸化インジウム電導膜は、（400），（211），（440）
，
（622）面からも強いピークを示し、特にI400／
I222は1.0以上となつており、＜111＞配向性が弱い
ことが認められる。
本発明によれば、反応マグネトロンスパツター
時におけるスパツターガスの酸素濃度を２％〜30
％、かつ全ガス圧を２〜15×10-3Torrとし、特
に酸素ガス分圧を２×10-4〜２×10-3Torrとす
ることにより、酸化インジウム電導膜のIn2O3・
Sn微結晶の（400），（211），（440），（622）面か
らの回析強度を高くすることによつて＜111＞配
向性を弱めることができ、それによつて５×
10-4Ωcm以下の低抵抗な透明酸化インジウム電導
膜を得ることができる。この様にして、透明酸化
インジウム電導膜が低抵抗となる理由は、単結晶
In2O3微粒子の電気的異方性に起因しているもの
と思われる。
時におけるスパツターガスの酸素濃度を２％〜30
％、かつ全ガス圧を２〜15×10-3Torrとし、特
に酸素ガス分圧を２×10-4〜２×10-3Torrとす
ることにより、酸化インジウム電導膜のIn2O3・
Sn微結晶の（400），（211），（440），（622）面か
らの回析強度を高くすることによつて＜111＞配
向性を弱めることができ、それによつて５×
10-4Ωcm以下の低抵抗な透明酸化インジウム電導
膜を得ることができる。この様にして、透明酸化
インジウム電導膜が低抵抗となる理由は、単結晶
In2O3微粒子の電気的異方性に起因しているもの
と思われる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例
酸化インジウム電導膜を作成するに当り、まず
ソーダライムガラス基体（寸法；５cm×５cm×３
mm）を中性洗剤で洗浄し、流水で十分に濯いだ
後、エタノールで洗浄し、N2ガスで乾燥した。
このガラス基体をマグネトロンスパツター装置の
スパツター槽内にターゲツトとの距離が約３cmと
なる様に配置した。上記ターゲツトとしては、錫
を10wt％添加したインジウム金属を用いた。
ソーダライムガラス基体（寸法；５cm×５cm×３
mm）を中性洗剤で洗浄し、流水で十分に濯いだ
後、エタノールで洗浄し、N2ガスで乾燥した。
このガラス基体をマグネトロンスパツター装置の
スパツター槽内にターゲツトとの距離が約３cmと
なる様に配置した。上記ターゲツトとしては、錫
を10wt％添加したインジウム金属を用いた。
次いで、マグネトロンスパツター装置のスパツ
ター槽内にアルゴン80％、酸素20％の混合ガスを
導入し、該スパツター槽内を3.1×10-3Torrのガ
ス圧に、酸素分圧を6.2×10-4Torrに維持すると
ともにガラス基体は400℃に加熱し、0.2〜0.3KV
の電圧を印加し、反応マグネトロンスパツターを
行い、透明なIn2O3―Sn電導膜を得た。この様に
して得られた膜は、可視光透過率80％、比抵抗
2.4×10-4／Ωcm、膜厚約400Åの低抵抗な透明酸
化インジウム電導膜であつた。又、この膜につい
て配向性をＸ線回析法により調べたところ、弱い
（222）面からのピークと、（211），（400），（440）
，
（622）面からのより強いピークが観察された。
又、（222）面と（400）面のピーク強度比I400／
I222は2.0であり、弱い＜111＞配向膜であること
が確認された。
ター槽内にアルゴン80％、酸素20％の混合ガスを
導入し、該スパツター槽内を3.1×10-3Torrのガ
ス圧に、酸素分圧を6.2×10-4Torrに維持すると
ともにガラス基体は400℃に加熱し、0.2〜0.3KV
の電圧を印加し、反応マグネトロンスパツターを
行い、透明なIn2O3―Sn電導膜を得た。この様に
して得られた膜は、可視光透過率80％、比抵抗
2.4×10-4／Ωcm、膜厚約400Åの低抵抗な透明酸
化インジウム電導膜であつた。又、この膜につい
て配向性をＸ線回析法により調べたところ、弱い
（222）面からのピークと、（211），（400），（440）
，
（622）面からのより強いピークが観察された。
又、（222）面と（400）面のピーク強度比I400／
I222は2.0であり、弱い＜111＞配向膜であること
が確認された。
比較例 １
スパツター槽内のガス圧を6.0×10-3Torrとし
たほかは、実施例２と同様な方法により反応マグ
ネトロンスパツターしたところ、得られた膜は比
抵抗3.1×10-3Ωcmの抵抗値の高い酸化インジウム
電導膜であつた。又、この膜について配向性をＸ
線回折法により調べたところ、（222）面が主ピー
クとなつている＜111＞配向性の強い膜であつた。
たほかは、実施例２と同様な方法により反応マグ
ネトロンスパツターしたところ、得られた膜は比
抵抗3.1×10-3Ωcmの抵抗値の高い酸化インジウム
電導膜であつた。又、この膜について配向性をＸ
線回折法により調べたところ、（222）面が主ピー
クとなつている＜111＞配向性の強い膜であつた。
以上の様に、本発明によれば、比抵抗５×
10-4Ωcm以下の透明な低抵抗酸化インジウム電導
膜を得られることができる。
10-4Ωcm以下の透明な低抵抗酸化インジウム電導
膜を得られることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 錫が添加されたインジウム金属ターゲツトを
用いて反応マグネトロンスパツター法により少量
の錫を含む酸化インジウム透明電導膜を基体面に
形成する方法において、スパツターガスを不活性
ガスと酸素ガスの混合ガスとするとともに、酸素
分圧を２×10-4〜２×10-3Torrとして反応スパ
ツターし、形成される錫を含む酸化インジウム透
明電導膜の結晶の基体に対する＜111＞配向を弱
めた事を特徴とする酸化インジウム透明電導膜の
形成方法。 ２ スパツターガスの酸素濃度が２％〜30％であ
る事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の酸
化インジウム透明電導膜の形成方法。 ３ 基体を200℃以上に加熱することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の酸化インジウム透
明電導膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15943880A JPS5788028A (en) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | Formation of electrically conductive transparent film of indium oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15943880A JPS5788028A (en) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | Formation of electrically conductive transparent film of indium oxide |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5788028A JPS5788028A (en) | 1982-06-01 |
| JPS6354788B2 true JPS6354788B2 (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=15693749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15943880A Granted JPS5788028A (en) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | Formation of electrically conductive transparent film of indium oxide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5788028A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4512864A (en) * | 1983-11-30 | 1985-04-23 | Ppg Industries, Inc. | Low resistance indium oxide films |
| JPS6116153A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-24 | Toyota Motor Corp | 自動車用導電性透明部材 |
| JPH0784651B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1995-09-13 | ティーディーケイ株式会社 | 透明導電膜およびその製造方法 |
| JP3055384B2 (ja) * | 1993-11-26 | 2000-06-26 | カシオ計算機株式会社 | 配線を有する電子デバイス |
| TW570909B (en) * | 2001-06-26 | 2004-01-11 | Mitsui Mining & Smelting Co | Sputtering target for forming transparent conductive film of high electric resistance and method for producing transparent conductive film of high electric resistance |
| JP5257255B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2013-08-07 | 旭硝子株式会社 | 熱線反射性透明材料、熱線反射性透明材料の製造方法及び熱線反射性透明材料を備えた温室 |
| US9988707B2 (en) * | 2014-05-30 | 2018-06-05 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Transparent conducting indium doped tin oxide |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5469183A (en) * | 1977-11-15 | 1979-06-02 | Asahi Glass Co Ltd | Preparation of transparent, electrically-conductive plastic |
-
1980
- 1980-11-14 JP JP15943880A patent/JPS5788028A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5469183A (en) * | 1977-11-15 | 1979-06-02 | Asahi Glass Co Ltd | Preparation of transparent, electrically-conductive plastic |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5788028A (en) | 1982-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0636702B1 (en) | Methods for producing functional films | |
| JP5005772B2 (ja) | 導電性積層体およびその製造方法 | |
| JP2004511655A (ja) | マグネトロンネガティブイオンスパッタ源を用いるインジウムスズ酸化物薄膜の作製方法 | |
| JPS6215496B2 (ja) | ||
| JPS62122011A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| WO2004055233A1 (ja) | 透明導電膜及びその成膜方法 | |
| Ben-Shalom et al. | SnO2 transparent conductor films produced by filtered vacuum arc deposition | |
| JPH06187833A (ja) | 透明導電膜 | |
| Harding et al. | Aluminium-and indium-doped zinc oxide thin films prepared by DC magnetron reactive sputtering | |
| KR100336621B1 (ko) | 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막증착 방법 | |
| CN104962865A (zh) | 一种离子源辅助ito膜热蒸镀工艺 | |
| JPS6354788B2 (ja) | ||
| JPH02232358A (ja) | 低抵抗透明導電膜の製造方法 | |
| JP2003105533A (ja) | 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜 | |
| JPS6146921B2 (ja) | ||
| JPH04929B2 (ja) | ||
| JP2017193755A (ja) | 透明導電膜の製造方法、及び透明導電膜 | |
| JP4170507B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0133006B2 (ja) | ||
| JPS6128615B2 (ja) | ||
| JPH0723532B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| TWI417410B (zh) | 導電薄膜製作方法 | |
| JPS647445B2 (ja) | ||
| JPS6230148B2 (ja) | ||
| KR930005825B1 (ko) | 고분자 투명도전성 필름제조방법 |