JPS6146921B2 - - Google Patents
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- JPS6146921B2 JPS6146921B2 JP54008306A JP830679A JPS6146921B2 JP S6146921 B2 JPS6146921 B2 JP S6146921B2 JP 54008306 A JP54008306 A JP 54008306A JP 830679 A JP830679 A JP 830679A JP S6146921 B2 JPS6146921 B2 JP S6146921B2
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- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910000925 Cd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気発色性の眼鏡、シヨウウインドー
の展示品、液晶の展示品、太陽電池、太陽エネル
ギー変換装置の熱反射被膜などに用いる透明電極
として有用な電気伝導性錫酸カドミウム塩
(Cd2SnO4)のフイルムに関するものであ。本発明
は特に改良された信頼性のあるかつ経済的な錫酸
カドミウム塩のフイルムを付着させる方法に関す
る。
の展示品、液晶の展示品、太陽電池、太陽エネル
ギー変換装置の熱反射被膜などに用いる透明電極
として有用な電気伝導性錫酸カドミウム塩
(Cd2SnO4)のフイルムに関するものであ。本発明
は特に改良された信頼性のあるかつ経済的な錫酸
カドミウム塩のフイルムを付着させる方法に関す
る。
これ迄、電気伝導性Cd2SnO4のフイルムは熱圧
縮Cd2SnO4末ターゲツトをラジオ周波数RFを用
いる蒸着法(スパツタリング)によつて付着させ
る方法で作られて来た(A.J.Nozik、合衆国特許
第3811953号)。この技法ではCdOおよびSnO2の
混合物を先ず燃焼させて錫酸カドミウム塩粉末を
合成する。次にこの粉末を熱圧縮させてセラミツ
クターゲツト板を作り、ラジオ周波数を以てする
蒸着装置に据付けるのに適当な裏装板に接着させ
る。
縮Cd2SnO4末ターゲツトをラジオ周波数RFを用
いる蒸着法(スパツタリング)によつて付着させ
る方法で作られて来た(A.J.Nozik、合衆国特許
第3811953号)。この技法ではCdOおよびSnO2の
混合物を先ず燃焼させて錫酸カドミウム塩粉末を
合成する。次にこの粉末を熱圧縮させてセラミツ
クターゲツト板を作り、ラジオ周波数を以てする
蒸着装置に据付けるのに適当な裏装板に接着させ
る。
粉末の熱圧縮は複雑であり、且つ時間がかゝり
その上に、高価な装置を必要とする。もしターゲ
ツトの大きさが直径30cm以上必要な場合にはその
装置は入手を不可能にするような程高価なものに
なる。裏装板にセラミツクターゲツトを接着させ
るのも複雑で費用のかゝるというのは蒸着処理で
発熱したターゲツトの表面の熱が裏装板の水冷却
によつて容易に除き得るように前記した接着は良
好な熱伝導性を与えるものでなければならないか
らである。
その上に、高価な装置を必要とする。もしターゲ
ツトの大きさが直径30cm以上必要な場合にはその
装置は入手を不可能にするような程高価なものに
なる。裏装板にセラミツクターゲツトを接着させ
るのも複雑で費用のかゝるというのは蒸着処理で
発熱したターゲツトの表面の熱が裏装板の水冷却
によつて容易に除き得るように前記した接着は良
好な熱伝導性を与えるものでなければならないか
らである。
水冷を以てしても熱圧縮セラミツクターゲツト
板を高RF動力での蒸着に用いることは出来な
い。高RF動力はターゲツト表面を加熱し、セラ
ミツク板中に熱ストレスを惹き起し、遂にはこれ
を破壊するに至るような温度にまで到達する。か
くて高価につく部品の取換えがしばしば必要にな
る。しかし実際には許容範囲のRF動力の限界に
よつてフイルムの付着速度が制限される。それ故
セラミツクターゲツトからの蒸着は速度が遅く不
経済な工程である。
板を高RF動力での蒸着に用いることは出来な
い。高RF動力はターゲツト表面を加熱し、セラ
ミツク板中に熱ストレスを惹き起し、遂にはこれ
を破壊するに至るような温度にまで到達する。か
くて高価につく部品の取換えがしばしば必要にな
る。しかし実際には許容範囲のRF動力の限界に
よつてフイルムの付着速度が制限される。それ故
セラミツクターゲツトからの蒸着は速度が遅く不
経済な工程である。
本発明によると、その組成がCd2SnO4であるタ
ーゲツト板はCd2SnO4、フイルムの蒸着には必要
でないことが見出された。かくてターゲツト板に
カドミウム/錫合金を用いる時にもまた、錫酸カ
ドミウムを形成し得ることが現在見出された。酸
素プラズマ中金属ターゲツトからの二成分系金属
酸化物の蒸着は既知の技術であり、一般に反応性
蒸着という。かくて反応性蒸着法によつてSnO2
フイルムを製造することはE.CianlおよびR.Kelly
によつて示された、「蒸着および陽極化による
SnO2フイルム製造の研究」(Journal of the
Electrochemical Society、第121巻No.3394―399
頁)。しかし我々の知る限りにおいては2種の異
なる金属を含む三成分系酸化物の反応性蒸着の成
功例はまだ報告されていない。
ーゲツト板はCd2SnO4、フイルムの蒸着には必要
でないことが見出された。かくてターゲツト板に
カドミウム/錫合金を用いる時にもまた、錫酸カ
ドミウムを形成し得ることが現在見出された。酸
素プラズマ中金属ターゲツトからの二成分系金属
酸化物の蒸着は既知の技術であり、一般に反応性
蒸着という。かくて反応性蒸着法によつてSnO2
フイルムを製造することはE.CianlおよびR.Kelly
によつて示された、「蒸着および陽極化による
SnO2フイルム製造の研究」(Journal of the
Electrochemical Society、第121巻No.3394―399
頁)。しかし我々の知る限りにおいては2種の異
なる金属を含む三成分系酸化物の反応性蒸着の成
功例はまだ報告されていない。
かくてカドミウム―錫ターゲツトの如き合金タ
ーゲツトからの蒸着によつてCd2SnO4フイルムを
生成することは期待されず、金属それ自身の1種
或は2種および、或は金属酸化物の1種或はそれ
以上の混合物を含むフイルムであるのが最動可能
性のあることゝ思われた。しかし驚くべきことに
我々は以下に述べる様に酸素プラズマ中、カドミ
ウム/錫金属ターゲツトからの蒸着(スパツタリ
ング)によつてCd2SnO4のフイルムを生じ得るこ
とを見出した。
ーゲツトからの蒸着によつてCd2SnO4フイルムを
生成することは期待されず、金属それ自身の1種
或は2種および、或は金属酸化物の1種或はそれ
以上の混合物を含むフイルムであるのが最動可能
性のあることゝ思われた。しかし驚くべきことに
我々は以下に述べる様に酸素プラズマ中、カドミ
ウム/錫金属ターゲツトからの蒸着(スパツタリ
ング)によつてCd2SnO4のフイルムを生じ得るこ
とを見出した。
Cd2SnO4セラミツクターゲツト板をCd/Sn合
金板におきかえることの有利な点は多様である。
先ず第一に金属ターゲツトは容易に製造し得るこ
とである。即ちカドミウムと錫金属の必要量を一
緒に単純に熔融し、熔融物を板状に鋳造すること
によつて容易に製造することが出来る。費用の
かゝる熱圧縮は必要でない。同様に合金板はどん
な大きさ、形にも機械で仕上げられる。機械的強
度の点で金属はセラミツク板にはるかに優れ、取
扱いも容易であり、熱ひずみによる破壊も生じな
い。さらに金属の熱伝導率がセラミツクに比較し
て高いため、蒸着中にターゲツトの表面からの熱
の除去を容易にすることが出来るのでたやすく入
手出来る伝導性エポキサイドを使用して金属板を
裏装板に接着することが出来、複雑で費用がかさ
む接着工程は必要でない。
金板におきかえることの有利な点は多様である。
先ず第一に金属ターゲツトは容易に製造し得るこ
とである。即ちカドミウムと錫金属の必要量を一
緒に単純に熔融し、熔融物を板状に鋳造すること
によつて容易に製造することが出来る。費用の
かゝる熱圧縮は必要でない。同様に合金板はどん
な大きさ、形にも機械で仕上げられる。機械的強
度の点で金属はセラミツク板にはるかに優れ、取
扱いも容易であり、熱ひずみによる破壊も生じな
い。さらに金属の熱伝導率がセラミツクに比較し
て高いため、蒸着中にターゲツトの表面からの熱
の除去を容易にすることが出来るのでたやすく入
手出来る伝導性エポキサイドを使用して金属板を
裏装板に接着することが出来、複雑で費用がかさ
む接着工程は必要でない。
経済的意識のもう一つの有利な点は金属ターゲ
ツトが電気的に伝導性であり、ラジオ周波数にお
ける蒸着が必要でないことである。むしろ直流
(DC)蒸着を用いることが出来る。DC蒸着を行
なうための費用もRF蒸着の場合よりも少なくて
すみ、主要コストを下げることになる。
ツトが電気的に伝導性であり、ラジオ周波数にお
ける蒸着が必要でないことである。むしろ直流
(DC)蒸着を用いることが出来る。DC蒸着を行
なうための費用もRF蒸着の場合よりも少なくて
すみ、主要コストを下げることになる。
最後に金属ターゲツトの機械的特性は、蒸着に
利用出来る動力水準を制限しないので、付着速度
を高めることが出来る。このことは全体の製造時
間を短縮することによつて蒸着工程の経済性を高
めることになる。
利用出来る動力水準を制限しないので、付着速度
を高めることが出来る。このことは全体の製造時
間を短縮することによつて蒸着工程の経済性を高
めることになる。
金属ターゲツト板におけるカドミウムの錫に対
する比はあまり重要ではない。Cd2SnO4化合物の
ためにはCd/Snモル比2:1が最もよいと期待
されるが、カドミウムが不足のターゲツトからも
等しくよい特性(即ち高い電気伝導度および高い
光学透過率)が得られる。Cd/Snモル比は1.7:
1まで低くあつてよく、而もすぐれた透過伝導性
が得られる。一方2.5:1ほど高いCd/Sn比も好
適に用い得る。
する比はあまり重要ではない。Cd2SnO4化合物の
ためにはCd/Snモル比2:1が最もよいと期待
されるが、カドミウムが不足のターゲツトからも
等しくよい特性(即ち高い電気伝導度および高い
光学透過率)が得られる。Cd/Snモル比は1.7:
1まで低くあつてよく、而もすぐれた透過伝導性
が得られる。一方2.5:1ほど高いCd/Sn比も好
適に用い得る。
プラズマガスとしては純粋な酸素が好ましい。
しかし酸素とアルゴン或は窒素の様な他の不活性
ガスとの混合物を用いるならば、受け容れること
の出来る電気的および光学的なフイルム特性が得
られる。
しかし酸素とアルゴン或は窒素の様な他の不活性
ガスとの混合物を用いるならば、受け容れること
の出来る電気的および光学的なフイルム特性が得
られる。
Cd2SnO4フイルムを蒸着によつて付着するため
にカドミウム/錫金属ターゲツトを利用する場合
の重要な工程はターゲツト表面の条件調整であ
る。かくて新たに作つたターゲツト板から製造し
たフイルムは第2相として過剰のCdOを含み、
その結果、蒸着後の熱処理を済ました後ですら、
電気的および光学的特性は非再生的である。この
理由はターゲツトからカドミウム成分の優先的な
蒸着が起るからである。連続的に蒸着を行なつて
1〜10μmのターゲツト表面を除去すると表面の
平均化が起り、その後は再現性のよい透過伝導度
特性が得られる。
にカドミウム/錫金属ターゲツトを利用する場合
の重要な工程はターゲツト表面の条件調整であ
る。かくて新たに作つたターゲツト板から製造し
たフイルムは第2相として過剰のCdOを含み、
その結果、蒸着後の熱処理を済ました後ですら、
電気的および光学的特性は非再生的である。この
理由はターゲツトからカドミウム成分の優先的な
蒸着が起るからである。連続的に蒸着を行なつて
1〜10μmのターゲツト表面を除去すると表面の
平均化が起り、その後は再現性のよい透過伝導度
特性が得られる。
次の例は本発明を説明するのに役立つであろ
う。
う。
例 1
カドミウム/錫(モル比2:1)の合金より成
る直径12.7cm(5インチ)のターゲツト板を、直
径45.72cm(18インチ)の真空チヤンバーに取付
け、ターゲツト表面の条件調整を行い且つ平衡化
する目的を以て酸素プラズマ(8μ圧)中で蒸着
を(スパツタリング)を90分行なつた。この後4
個の2.54cm×2.54cm×1mmのシリカ基体をターゲ
ツト板の下に5.08cm離して置いた。そして酸素圧
8μおよび900ワツトのRF出力でCd2SnO4で被覆
した。20分後検体を蒸着装置から取出し、熱処理
をAr/CdS気体中で650℃において行なつた。得
られたフイルムは光学的に透明で、該シートの電
気抵抗28オーム/平方および視感透過率84%を有
していた。
る直径12.7cm(5インチ)のターゲツト板を、直
径45.72cm(18インチ)の真空チヤンバーに取付
け、ターゲツト表面の条件調整を行い且つ平衡化
する目的を以て酸素プラズマ(8μ圧)中で蒸着
を(スパツタリング)を90分行なつた。この後4
個の2.54cm×2.54cm×1mmのシリカ基体をターゲ
ツト板の下に5.08cm離して置いた。そして酸素圧
8μおよび900ワツトのRF出力でCd2SnO4で被覆
した。20分後検体を蒸着装置から取出し、熱処理
をAr/CdS気体中で650℃において行なつた。得
られたフイルムは光学的に透明で、該シートの電
気抵抗28オーム/平方および視感透過率84%を有
していた。
例 2
例1と同様なターゲツトを用いて、コーニング
7059ガラスよりなる3.81cm×2.54cmの基体を被覆
した。スパツタリングの時間は900ワツトRF出力
で5分とした。熱処理後検体フイルムの電気抵抗
は13.6オーム/平方、視感透過率は87%であつ
た。
7059ガラスよりなる3.81cm×2.54cmの基体を被覆
した。スパツタリングの時間は900ワツトRF出力
で5分とした。熱処理後検体フイルムの電気抵抗
は13.6オーム/平方、視感透過率は87%であつ
た。
例 3
上記のカドミウム/錫合金ターゲツトを用いて
4種の2.54cm×2.54cm×1mmシリカ基体を被覆し
た。付着時間30分後および付着後の熱処理
(Ar/CdS中、650℃,20分)の後、フイルムの
電気抵抗は1.8オーム/平方、視感透過率は82%
であつた。
4種の2.54cm×2.54cm×1mmシリカ基体を被覆し
た。付着時間30分後および付着後の熱処理
(Ar/CdS中、650℃,20分)の後、フイルムの
電気抵抗は1.8オーム/平方、視感透過率は82%
であつた。
前述の例に示されたのと同じ結果が、RF蒸着
法よりむしろDC蒸着法を使用することによつて
得られている。
法よりむしろDC蒸着法を使用することによつて
得られている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 錫酸カドミウムフイルムをRFまたはDC蒸着
によつて製造する方法において、カドミウム対錫
のモル比1.7:1及至2.5:1の組成のカドミウム
―錫合金ターゲツトから酸素プラズマ中において
蒸着することを特徴とする錫酸カドミウムフイル
ムの製造方法。 2 合金中のカドミウム対錫のモル比が2:1で
ある特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 錫酸カドミウムを基体上に蒸着する前にター
ゲツトを条件調整し且つ平衡化する目的でそれに
充分な時間予め蒸着を行なう特許請求の範囲第1
項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US87345178A | 1978-01-30 | 1978-01-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54113096A JPS54113096A (en) | 1979-09-04 |
JPS6146921B2 true JPS6146921B2 (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=25361663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP830679A Granted JPS54113096A (en) | 1978-01-30 | 1979-01-29 | Preparation of film in orthoostannic acid cadmium |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS54113096A (ja) |
AU (1) | AU521645B2 (ja) |
BE (1) | BE873761A (ja) |
BR (1) | BR7807832A (ja) |
CA (1) | CA1111373A (ja) |
DE (1) | DE2853875A1 (ja) |
ES (1) | ES477282A1 (ja) |
FR (1) | FR2415864A1 (ja) |
GB (1) | GB2013724B (ja) |
IT (1) | IT1113734B (ja) |
NL (1) | NL7811077A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63114159U (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-22 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3103509C2 (de) * | 1981-02-03 | 1986-11-20 | Günter Dr. Dipl.-Phys. 7801 Buchenbach Kleer | Target zum Herstellen dünner Schichten, Verfahren zum Erzeugen des Targets und Verwendung des Targets |
US4806221A (en) * | 1987-03-26 | 1989-02-21 | Ppg Industries, Inc. | Sputtered films of bismuth/tin oxide |
GB2256282A (en) * | 1991-04-02 | 1992-12-02 | Elmwood Sensors | Electrochromic device. |
JPH04127042U (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-19 | 富士通テン株式会社 | 車載用部材の取付装置 |
US6761985B2 (en) | 2000-10-05 | 2004-07-13 | Battelle Memorial Institute | Magnetic transparent conducting oxide film and method of making |
TWI310408B (en) * | 2004-12-23 | 2009-06-01 | Ind Tech Res Inst | Cadmium tin oxide multi-layer laminate and its producing method |
MX2010011842A (es) * | 2008-05-01 | 2010-11-26 | First Solar Inc | Materiales conductores transparentes que incluyen estanato de cadmio. |
US9276142B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-03-01 | First Solar, Inc. | Methods for forming a transparent oxide layer for a photovoltaic device |
US8476105B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-07-02 | General Electric Company | Method of making a transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device |
CN114657423B (zh) * | 2022-03-15 | 2023-03-24 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种CdSn合金靶材及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB732891A (en) * | 1949-03-25 | 1955-06-29 | Megatron Ltd | Improvements in and relating to the production of thin layers of chemical compounds on surfaces |
US4040927A (en) * | 1975-11-19 | 1977-08-09 | Honeywell Inc. | Cadmium tellurite thin films |
-
1978
- 1978-10-12 CA CA313,265A patent/CA1111373A/en not_active Expired
- 1978-10-18 AU AU40817/78A patent/AU521645B2/en not_active Expired
- 1978-10-18 GB GB7840996A patent/GB2013724B/en not_active Expired
- 1978-11-07 NL NL7811077A patent/NL7811077A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-11-15 FR FR7832284A patent/FR2415864A1/fr active Granted
- 1978-11-29 BR BR7807832A patent/BR7807832A/pt unknown
- 1978-12-13 DE DE19782853875 patent/DE2853875A1/de not_active Withdrawn
-
1979
- 1979-01-10 IT IT47571/79A patent/IT1113734B/it active
- 1979-01-29 BE BE0/193120A patent/BE873761A/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-01-29 JP JP830679A patent/JPS54113096A/ja active Granted
- 1979-01-30 ES ES477282A patent/ES477282A1/es not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63114159U (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-22 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU521645B2 (en) | 1982-04-22 |
BR7807832A (pt) | 1979-07-31 |
BE873761A (fr) | 1979-07-30 |
NL7811077A (nl) | 1979-08-01 |
JPS54113096A (en) | 1979-09-04 |
DE2853875A1 (de) | 1979-08-02 |
FR2415864B1 (ja) | 1983-11-18 |
ES477282A1 (es) | 1979-10-16 |
GB2013724B (en) | 1982-10-06 |
IT1113734B (it) | 1986-01-20 |
AU4081778A (en) | 1980-04-24 |
FR2415864A1 (fr) | 1979-08-24 |
CA1111373A (en) | 1981-10-27 |
GB2013724A (en) | 1979-08-15 |
IT7947571A0 (it) | 1979-01-10 |
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