JPS647445B2 - - Google Patents
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- JPS647445B2 JPS647445B2 JP4177679A JP4177679A JPS647445B2 JP S647445 B2 JPS647445 B2 JP S647445B2 JP 4177679 A JP4177679 A JP 4177679A JP 4177679 A JP4177679 A JP 4177679A JP S647445 B2 JPS647445 B2 JP S647445B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置、エレクトロクロミツク
表示装置の透明電極、あるいは帯電防止用、赤外
線反射用の透明導電極膜に関するものである。
表示装置の透明電極、あるいは帯電防止用、赤外
線反射用の透明導電極膜に関するものである。
従来から透明導電膜として、酸化錫および酸化
インジウムが利用されており、これらの透明導電
膜の製造方法としてはスプレー法、化学気相成長
法、真空蒸着、スパツタリング法等がある。酸化
錫透明導電膜はスプレー法により安価に製造され
ているが、導電性が劣るとともにエツチング性が
悪くパターン化が困難であるために、液晶等の利
用には酸化インジウムが用いられている。酸化イ
ンジウム膜は原料が高価であるとともに、真空蒸
着法により低速度で作成するために高価なものに
なつている。また、酸化錫あるいは酸化インジウ
ム系の透明導電膜の製造に際して成膜中の基板加
熱あいは成膜後の熱処理として300℃以上の加熱
温度が必要であり高分子材料基板の使用が困難で
ある。
インジウムが利用されており、これらの透明導電
膜の製造方法としてはスプレー法、化学気相成長
法、真空蒸着、スパツタリング法等がある。酸化
錫透明導電膜はスプレー法により安価に製造され
ているが、導電性が劣るとともにエツチング性が
悪くパターン化が困難であるために、液晶等の利
用には酸化インジウムが用いられている。酸化イ
ンジウム膜は原料が高価であるとともに、真空蒸
着法により低速度で作成するために高価なものに
なつている。また、酸化錫あるいは酸化インジウ
ム系の透明導電膜の製造に際して成膜中の基板加
熱あいは成膜後の熱処理として300℃以上の加熱
温度が必要であり高分子材料基板の使用が困難で
ある。
本発明は所定の作成条件下でイオンプレーテイ
ング法により３価金属を含んだ酸化亜鉛膜を透明
導電膜として提供するものである。このようにし
て得られた本発明の透明導電膜は上述の既存の透
明導電膜に対して、原料が安価であるとともに生
産性に富み、パターン化が容易であり、かつ低基
板温度で製造することができる特徴を有してい
る。
ング法により３価金属を含んだ酸化亜鉛膜を透明
導電膜として提供するものである。このようにし
て得られた本発明の透明導電膜は上述の既存の透
明導電膜に対して、原料が安価であるとともに生
産性に富み、パターン化が容易であり、かつ低基
板温度で製造することができる特徴を有してい
る。
酸化亜鉛はＮ型半導体として知られているが透
明導電膜としては顧みられなかつた。
明導電膜としては顧みられなかつた。
また、酸化亜鉛は一般にはスパツタ法で作成さ
れているが圧電膜としての応用を主目的としてい
るために、むしろ高抵抗であることが望まれ105
Ωcm以上の高抵抗の膜が作成されている。金属亜
鉛を蒸発源として微量の酸素雰囲気中で真空蒸着
する反応性蒸着においては黒色の膜しか作成する
ことができない。透明膜を得るためには基板温度
をマイナス10℃以下、成長速度0.1μm／min以下
において102Ωcmの透明な酸化亜鉛膜の作成例が
報告されている。しかしこの方法は基板冷却が必
要であり実用的でない。
れているが圧電膜としての応用を主目的としてい
るために、むしろ高抵抗であることが望まれ105
Ωcm以上の高抵抗の膜が作成されている。金属亜
鉛を蒸発源として微量の酸素雰囲気中で真空蒸着
する反応性蒸着においては黒色の膜しか作成する
ことができない。透明膜を得るためには基板温度
をマイナス10℃以下、成長速度0.1μm／min以下
において102Ωcmの透明な酸化亜鉛膜の作成例が
報告されている。しかしこの方法は基板冷却が必
要であり実用的でない。
また、透明導電膜としての用途には高抵抗すぎ
る。以上のように透明導電膜としては、実用的に
は70％以上の透過率で10-1Ωcm以下の比抵抗であ
ることが望ましいが、従来酸化亜鉛膜ではこのよ
うな特性を満足できることは知られていなかつ
た。
る。以上のように透明導電膜としては、実用的に
は70％以上の透過率で10-1Ωcm以下の比抵抗であ
ることが望ましいが、従来酸化亜鉛膜ではこのよ
うな特性を満足できることは知られていなかつ
た。
本発明では任意の過剰亜鉛を含む酸化亜鉛膜を
形成し、更に適量の３価金属を添加することによ
つて酸化亜鉛が透明導電膜として利用し得ること
を見出したものである。以下に実施例について具
体的に説明する。
形成し、更に適量の３価金属を添加することによ
つて酸化亜鉛が透明導電膜として利用し得ること
を見出したものである。以下に実施例について具
体的に説明する。
実施例
第１図に本発明に使用した膜作成装置を示す。
本成膜装置は真空容器１の中に抵抗加熱るつぼ５
およびプラズマ発生用高周波コイル６を組み込ん
だ通常の高周波イオンプレーテイング装置であ
る。蒸発源として金属亜鉛３を用いた。真空容器
１を10-6mmHg以下に排気後、酸素導入孔７より
１×10-3mmHgのガス圧に酸素を導入した。コイ
ル６により200Wの高周波電力を導入してプラズ
マを発生させた。るつぼ５の加熱温度を変えるこ
とにより膜成長速度を変えてガラス基板２に成膜
し、各試料の面抵抗および透過率を測定した。そ
の結果を第２図に示す。８は成長膜の面抵抗であ
り、９は透過率を示したものである。なお、作成
した試料の膜厚は0.2μmであり、成長中の基板温
度は100℃以下であつた。第２図からわかるよう
に成長した膜の抵抗値は成長速度に大きく依存し
ており、100〜800Å／minの成長速度に対して
1010Ω／□〜80Ω／□の面抵抗を示した。
本成膜装置は真空容器１の中に抵抗加熱るつぼ５
およびプラズマ発生用高周波コイル６を組み込ん
だ通常の高周波イオンプレーテイング装置であ
る。蒸発源として金属亜鉛３を用いた。真空容器
１を10-6mmHg以下に排気後、酸素導入孔７より
１×10-3mmHgのガス圧に酸素を導入した。コイ
ル６により200Wの高周波電力を導入してプラズ
マを発生させた。るつぼ５の加熱温度を変えるこ
とにより膜成長速度を変えてガラス基板２に成膜
し、各試料の面抵抗および透過率を測定した。そ
の結果を第２図に示す。８は成長膜の面抵抗であ
り、９は透過率を示したものである。なお、作成
した試料の膜厚は0.2μmであり、成長中の基板温
度は100℃以下であつた。第２図からわかるよう
に成長した膜の抵抗値は成長速度に大きく依存し
ており、100〜800Å／minの成長速度に対して
1010Ω／□〜80Ω／□の面抵抗を示した。
このことはイオンプレーテイング法により作成
される酸化亜鉛の過剰亜鉛の量を成長速度により
制御できることを示唆している。また、透過率９
からわかるように500Å／min以下の成長速度で
得られたものは透明であるが、500Å／min以上
の成長速度で作成した試料は濃く着色していた。
作成試料の透過率と比抵抗の関係で見れば、亜鉛
過剰酸化亜鉛膜はおおよそ10-2Ωcmまで透明度を
保つていることがわかる。380〜500Å／minの成
長速度範囲で作成することによつて透過率が85％
以上で面抵抗（厚さ2000Åとして）200〜1000
Ω／□のものを得ることができる。これに３価金
属を添加することにより優れた透明導電膜が得ら
れることを示す。アルミニウムと亜鉛を別々のる
つぼに入れて各るつぼを制御することによつて添
加量を調整しながら実施例と同様のイオンプレー
テイングを行つた。第２図１０の曲線で示した面
積抵抗は亜鉛に対して4atm％のAlを含んだ酸化
亜鉛膜の面積抵抗である。膜厚は2000Åである。
される酸化亜鉛の過剰亜鉛の量を成長速度により
制御できることを示唆している。また、透過率９
からわかるように500Å／min以下の成長速度で
得られたものは透明であるが、500Å／min以上
の成長速度で作成した試料は濃く着色していた。
作成試料の透過率と比抵抗の関係で見れば、亜鉛
過剰酸化亜鉛膜はおおよそ10-2Ωcmまで透明度を
保つていることがわかる。380〜500Å／minの成
長速度範囲で作成することによつて透過率が85％
以上で面抵抗（厚さ2000Åとして）200〜1000
Ω／□のものを得ることができる。これに３価金
属を添加することにより優れた透明導電膜が得ら
れることを示す。アルミニウムと亜鉛を別々のる
つぼに入れて各るつぼを制御することによつて添
加量を調整しながら実施例と同様のイオンプレー
テイングを行つた。第２図１０の曲線で示した面
積抵抗は亜鉛に対して4atm％のAlを含んだ酸化
亜鉛膜の面積抵抗である。膜厚は2000Åである。
ここでatm％とは、膜中の全金属原子数に対す
るAlの原子数比を示す。すなわち、 −（Alの原子数）／（Alの原子数）＋（亜鉛の原子数）
×100 のことである。
るAlの原子数比を示す。すなわち、 −（Alの原子数）／（Alの原子数）＋（亜鉛の原子数）
×100 のことである。
面積抵抗はアルミニウムを含んでいないものに
比して約10分１になつているが、透過率はほとん
ど差が見られなかつた。８％以上の添加ではかえ
つて高抵抗になり不適当であつた。Al添加量に
対する抵抗値の依存性を第３図に示す。図に示す
ように、4atm％のAlを添加した膜が最も低抵抗
であり、0.5〜8atm％添加した酸化亜鉛膜が実用
上好ましいことがわかる。
比して約10分１になつているが、透過率はほとん
ど差が見られなかつた。８％以上の添加ではかえ
つて高抵抗になり不適当であつた。Al添加量に
対する抵抗値の依存性を第３図に示す。図に示す
ように、4atm％のAlを添加した膜が最も低抵抗
であり、0.5〜8atm％添加した酸化亜鉛膜が実用
上好ましいことがわかる。
従つて特に低抵抗の透明導電膜を必要とする場
合は本実施例の３価金属添加が非常に有効であ
る。
合は本実施例の３価金属添加が非常に有効であ
る。
なお、実施例において便宜上膜の特性を成長速
度に対応して記述したが、高周波電力の増大、る
つぼ基板距離を長くする等の活性化の効率を高め
ることにより透明導電膜となる成長速度を本実施
例より数倍大きくすることができる。
度に対応して記述したが、高周波電力の増大、る
つぼ基板距離を長くする等の活性化の効率を高め
ることにより透明導電膜となる成長速度を本実施
例より数倍大きくすることができる。
以上本発明の３価金属を0.5〜8atm％含んだ酸
化亜鉛膜が透明導電膜として優れたものであるこ
とを示した。また、この透明導電膜は通常のホト
リゾグラフイ技術によつて希塩酸をエツチング液
として容易に10ミクロン以下のパターンをも作成
可能であり微細な電極パターンを必要とする分野
において有用であるとともに実施例で示したよう
に基板加熱を必要としないために高分子フイルム
上に本発明の透明導電膜を形成することができ一
層応用分野の広いものである。また製造に関して
も安価な金属亜鉛を原料としており亜鉛の蒸気圧
が高いためにるつぼ温度も数百度以下で十分であ
り、実施例に用いた装置より高電力の高周波電源
を用いることによつて１分以下の短時間で製造す
ることが可能であり量産性に富んでいる。
化亜鉛膜が透明導電膜として優れたものであるこ
とを示した。また、この透明導電膜は通常のホト
リゾグラフイ技術によつて希塩酸をエツチング液
として容易に10ミクロン以下のパターンをも作成
可能であり微細な電極パターンを必要とする分野
において有用であるとともに実施例で示したよう
に基板加熱を必要としないために高分子フイルム
上に本発明の透明導電膜を形成することができ一
層応用分野の広いものである。また製造に関して
も安価な金属亜鉛を原料としており亜鉛の蒸気圧
が高いためにるつぼ温度も数百度以下で十分であ
り、実施例に用いた装置より高電力の高周波電源
を用いることによつて１分以下の短時間で製造す
ることが可能であり量産性に富んでいる。
以上説明したように本発明による透明導電膜は
工業的価値の大なるものである。
工業的価値の大なるものである。
第１図は本発明による導電膜を作成するために
用いた装置の概略図、第２図は得られた試料の特
性を示す一例である。第３図はAl添加量に対す
る抵抗値の依存性を示す図である。 １…真空容器、２…ガラス基板、３…金属亜
鉛、５…抵抗加熱るつぼ、６…高周波コイル、７
…酸素導入孔、８…成長膜の面抵抗、９…透過
率。
用いた装置の概略図、第２図は得られた試料の特
性を示す一例である。第３図はAl添加量に対す
る抵抗値の依存性を示す図である。 １…真空容器、２…ガラス基板、３…金属亜
鉛、５…抵抗加熱るつぼ、６…高周波コイル、７
…酸素導入孔、８…成長膜の面抵抗、９…透過
率。
Claims (1)
- １ Alを0.5〜8atm％含んだ酸化亜鉛膜からなる
ことを特徴とする透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177679A JPS55133703A (en) | 1979-04-06 | 1979-04-06 | Method of producing transparent conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177679A JPS55133703A (en) | 1979-04-06 | 1979-04-06 | Method of producing transparent conductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55133703A JPS55133703A (en) | 1980-10-17 |
| JPS647445B2 true JPS647445B2 (ja) | 1989-02-08 |
Family
ID=12617770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4177679A Granted JPS55133703A (en) | 1979-04-06 | 1979-04-06 | Method of producing transparent conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55133703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0641206U (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-31 | 横河電子機器株式会社 | サーキュレータ |
| WO2020218561A1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | 日本製鉄株式会社 | 回転杭の施工方法、杭群の製造方法、杭群、回転杭の施工管理装置、及び回転杭の施工管理システム |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1219547A (en) * | 1983-04-04 | 1987-03-24 | Prem Nath | Apparatus for and method of continuously depositing a highly conductive, highly transmissive film |
| JPS61190808A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-25 | 三井東圧化学株式会社 | 透明電極 |
| JPS61224217A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | 日本電気株式会社 | レ−ザ用透明導電膜の製造法 |
| JPS63106623A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49117997A (ja) * | 1973-03-19 | 1974-11-11 | ||
| JPS5220294A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of and apparatus for manufacturing compound thin film |
-
1979
- 1979-04-06 JP JP4177679A patent/JPS55133703A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0641206U (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-31 | 横河電子機器株式会社 | サーキュレータ |
| WO2020218561A1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | 日本製鉄株式会社 | 回転杭の施工方法、杭群の製造方法、杭群、回転杭の施工管理装置、及び回転杭の施工管理システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55133703A (en) | 1980-10-17 |
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