JPH11302017A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPH11302017A JPH11302017A JP10111891A JP11189198A JPH11302017A JP H11302017 A JPH11302017 A JP H11302017A JP 10111891 A JP10111891 A JP 10111891A JP 11189198 A JP11189198 A JP 11189198A JP H11302017 A JPH11302017 A JP H11302017A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示素子やプラズマ発光表示素子等の透
明電極、太陽電池等の透明電極、赤外線吸収反射膜、防
曇膜、電磁遮蔽膜等に利用される良好な電気伝導性と可
視光透過性を有する透明導電膜。 【解決手段】 インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、酸素（Ｏ）の３成分を主構成成分とし、欠陥蛍石
型結晶構造を有する複酸化物であり、一般式：Ｉｎ 3Ｓ
ｂ1-XＯ7-δ（−０．２≦Ｘ≦０．２、および−０．５
≦δ≦０．５の範囲である）で表される透明導電膜であ
り、さらにＳｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｅ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ａｓ、Ｃ
ｅの高原子価金属元素、もしくはＦ、Ｂｒ、Ｉのハロゲ
ン元素から選ばれる少なくとも１種類以上の元素を０．
０１〜２０原子％の割合でドープする。また還元アニー
ルにより酸素空孔を生成させ、それによりキャリア電子
を注入する。
明電極、太陽電池等の透明電極、赤外線吸収反射膜、防
曇膜、電磁遮蔽膜等に利用される良好な電気伝導性と可
視光透過性を有する透明導電膜。 【解決手段】 インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、酸素（Ｏ）の３成分を主構成成分とし、欠陥蛍石
型結晶構造を有する複酸化物であり、一般式：Ｉｎ 3Ｓ
ｂ1-XＯ7-δ（−０．２≦Ｘ≦０．２、および−０．５
≦δ≦０．５の範囲である）で表される透明導電膜であ
り、さらにＳｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｅ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ａｓ、Ｃ
ｅの高原子価金属元素、もしくはＦ、Ｂｒ、Ｉのハロゲ
ン元素から選ばれる少なくとも１種類以上の元素を０．
０１〜２０原子％の割合でドープする。また還元アニー
ルにより酸素空孔を生成させ、それによりキャリア電子
を注入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、良好な電気伝導性
と可視光透過性を有する透明導電膜に関するものであ
り、当該導電膜は液晶表示素子やプラズマ発光表示素子
等の透明電極、太陽電池等の透明電極、赤外線吸収反射
膜、防曇膜、電磁遮蔽膜等に利用される。
と可視光透過性を有する透明導電膜に関するものであ
り、当該導電膜は液晶表示素子やプラズマ発光表示素子
等の透明電極、太陽電池等の透明電極、赤外線吸収反射
膜、防曇膜、電磁遮蔽膜等に利用される。
【０００２】
【従来技術とその解決しようとする課題】現在、透明導
電膜は液晶表示素子、プラズマ発光表示素子、太陽電池
等の透明電極の他、赤外線吸収反射膜、防曇膜、電磁遮
蔽膜等に利用されている。
電膜は液晶表示素子、プラズマ発光表示素子、太陽電池
等の透明電極の他、赤外線吸収反射膜、防曇膜、電磁遮
蔽膜等に利用されている。
【０００３】特に液晶表示装置は、近年、パソコンやワ
ープロ等のＯＡ機器への採用が活発であり、それととも
に透明電極の需要も高まっている。液晶表示素子用の透
明電極については、抵抗率が十分低いことと、エッチン
グによるパターニング性が比較的容易なことから、酸化
インジウムにスズを数モル％ドープしたＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）が主に用いられている。
ープロ等のＯＡ機器への採用が活発であり、それととも
に透明電極の需要も高まっている。液晶表示素子用の透
明電極については、抵抗率が十分低いことと、エッチン
グによるパターニング性が比較的容易なことから、酸化
インジウムにスズを数モル％ドープしたＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）が主に用いられている。
【０００４】しかし、最近の液晶表示装置は大面積化、
多画素子化、高精細化、低コスト化の傾向にあり、表示
欠陥の無い高画質の液晶表示素子を得る上で、透明電極
の性能、特にシート抵抗の低減と可視光透過率の向上が
望まれている上、透明電極そのもののコストダウンが極
めて重要な課題になっている。
多画素子化、高精細化、低コスト化の傾向にあり、表示
欠陥の無い高画質の液晶表示素子を得る上で、透明電極
の性能、特にシート抵抗の低減と可視光透過率の向上が
望まれている上、透明電極そのもののコストダウンが極
めて重要な課題になっている。
【０００５】このため、従来、ＩＴＯの成膜技術改良や
スパッタリングターゲットの改良等により透明導電膜の
物性向上とコストダウンを進めてきたが、ＩＴＯの物性
には限界があり、最近のより進んだニーズへの対応が困
難になっている。
スパッタリングターゲットの改良等により透明導電膜の
物性向上とコストダウンを進めてきたが、ＩＴＯの物性
には限界があり、最近のより進んだニーズへの対応が困
難になっている。
【０００６】一方、最近、ＩＴＯとは異なる新規透明導
電材料（Ｉｎ3ＳｂＯ7系複酸化物）が、ＩＴＯ以上の高
い可視光透過性と良好な導電性を有することがわかって
きた（特開平９-１９４２１２号、特開平９-１９４２５
９号）。この材料は、主構成成分にインジウム、アンチ
モンを用いるものであり、高価なインジウムの含有率が
７５％程度（金属元素ｍｏｌ比）と、従来のＩＴＯのイ
ンジウム含有率（９０％以上）よりも低く、原料コスト
が安くなる。
電材料（Ｉｎ3ＳｂＯ7系複酸化物）が、ＩＴＯ以上の高
い可視光透過性と良好な導電性を有することがわかって
きた（特開平９-１９４２１２号、特開平９-１９４２５
９号）。この材料は、主構成成分にインジウム、アンチ
モンを用いるものであり、高価なインジウムの含有率が
７５％程度（金属元素ｍｏｌ比）と、従来のＩＴＯのイ
ンジウム含有率（９０％以上）よりも低く、原料コスト
が安くなる。
【０００７】
【課題を解決するための具体的手段】本発明者らは、上
記の問題に鑑み鋭意検討の結果、ＩｎとＳｂをモル比で
３：１の割合で含む複酸化物、すなわちＩｎ3ＳｂＯ7で
表される新規透明導電材料を、スパッタリング法にて成
膜した結果、ＩＴＯよりも優れる可視光透過性と良好な
抵抗率を示すことを見い出し本発明に到達した。
記の問題に鑑み鋭意検討の結果、ＩｎとＳｂをモル比で
３：１の割合で含む複酸化物、すなわちＩｎ3ＳｂＯ7で
表される新規透明導電材料を、スパッタリング法にて成
膜した結果、ＩＴＯよりも優れる可視光透過性と良好な
抵抗率を示すことを見い出し本発明に到達した。
【０００８】すなわち本発明は、インジウム（Ｉｎ）、
アンチモン（Ｓｂ）、酸素（Ｏ）の３成分を主構成成分
とし、欠陥蛍石型結晶構造を有する複酸化物であり、一
般式：Ｉｎ3Ｓｂ1-XＯ7-δ（−０．２≦Ｘ≦０．２、お
よび−０．５≦δ≦０．５の範囲である）で表される透
明導電膜で、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｅ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ａｓ、Ｃ
ｅの高原子価金属元素及びＦ、Ｂｒ、Ｉのハロゲン元素
から選ばれる少なくとも１種類以上の元素を０．０１〜
２０原子％の割合でドープした透明導電膜であり、さら
に還元アニールにより酸素空孔を生成させ、それにより
キャリア電子を注入した透明導電膜を提供するものであ
る。
アンチモン（Ｓｂ）、酸素（Ｏ）の３成分を主構成成分
とし、欠陥蛍石型結晶構造を有する複酸化物であり、一
般式：Ｉｎ3Ｓｂ1-XＯ7-δ（−０．２≦Ｘ≦０．２、お
よび−０．５≦δ≦０．５の範囲である）で表される透
明導電膜で、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｅ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ａｓ、Ｃ
ｅの高原子価金属元素及びＦ、Ｂｒ、Ｉのハロゲン元素
から選ばれる少なくとも１種類以上の元素を０．０１〜
２０原子％の割合でドープした透明導電膜であり、さら
に還元アニールにより酸素空孔を生成させ、それにより
キャリア電子を注入した透明導電膜を提供するものであ
る。
【０００９】本発明においてインジウムとアンチモンの
モル比が３：１−Ｘ（−０．２≦Ｘ≦０．２）の組成の
膜を得ることが重要である。この組成からずれると、良
好な導電性が期待される欠陥蛍石型結晶構造を有するＩ
ｎ3ＳｂＯ7相以外の第２相（Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ
ＳｂＯ4など）が生成し、膜の抵抗率が上昇するため好
ましくない。
モル比が３：１−Ｘ（−０．２≦Ｘ≦０．２）の組成の
膜を得ることが重要である。この組成からずれると、良
好な導電性が期待される欠陥蛍石型結晶構造を有するＩ
ｎ3ＳｂＯ7相以外の第２相（Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ
ＳｂＯ4など）が生成し、膜の抵抗率が上昇するため好
ましくない。
【００１０】また、基本組成であるＩｎ：Ｓｂ＝３：１
のモル比でも十分に良好な導電性が得られるが、例え
ば、上記の範囲内でずらした、非化学量論組成にする
と、さらにキャリア電子が注入され、抵抗率が減少す
る。
のモル比でも十分に良好な導電性が得られるが、例え
ば、上記の範囲内でずらした、非化学量論組成にする
と、さらにキャリア電子が注入され、抵抗率が減少す
る。
【００１１】一方、上記組成の透明導電膜にIV族元素で
あるＳｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｐｂ、V族元素で
あるＶ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｂｉ、Ａｓ、VI族元素であるＣ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｅ、ランタノイド元素であるＣｅ及び
ハロゲン元素であるＦ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくと
も１種以上をそれぞれドープすることによって、すなわ
ち、高原子価元素の置換固溶による電荷補償から生じる
キャリア電子の注入、または酸素元素にハロゲン元素が
置換することによる電荷補償から生じるキャリア電子の
注入も可能であり、このようなドーピングにより、さら
に抵抗率が減少する。
あるＳｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｐｂ、V族元素で
あるＶ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｂｉ、Ａｓ、VI族元素であるＣ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｅ、ランタノイド元素であるＣｅ及び
ハロゲン元素であるＦ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくと
も１種以上をそれぞれドープすることによって、すなわ
ち、高原子価元素の置換固溶による電荷補償から生じる
キャリア電子の注入、または酸素元素にハロゲン元素が
置換することによる電荷補償から生じるキャリア電子の
注入も可能であり、このようなドーピングにより、さら
に抵抗率が減少する。
【００１２】しかし、上記の元素を添加する場合、０．
０１〜２０原子％の割合でドープすることが望ましい。
この範囲を越えると、ドープした元素は固溶限を越え、
これによりＩｎ3ＳｂＯ7相以外の第２相が生成し、抵抗
率の上昇を招き好ましくない。このため、添加元素のド
ープ量は上記の範囲で行うことが好ましい。
０１〜２０原子％の割合でドープすることが望ましい。
この範囲を越えると、ドープした元素は固溶限を越え、
これによりＩｎ3ＳｂＯ7相以外の第２相が生成し、抵抗
率の上昇を招き好ましくない。このため、添加元素のド
ープ量は上記の範囲で行うことが好ましい。
【００１３】さらに、上記透明導電膜を還元雰囲気でア
ニール処理することにより酸素空孔を生成させ、それに
よる電荷補償から生じるキャリア電子の注入も可能であ
る。上記組成の透明導電膜を還元雰囲気で１００℃〜１
３００℃の温度範囲で、０．１〜１０時間アニール処理
を行うのが好ましい。この時の還元雰囲気は酸素分圧１
０-1〜１０-21ａｔｍ程度であり、真空中、もしくはＨ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の希ガス中、窒素ガス中、一酸化炭素
ガス中、水素ガス中、およびこれらのガスから選ばれる
２種類以上の混合ガス中での処理によって行われる。
ニール処理することにより酸素空孔を生成させ、それに
よる電荷補償から生じるキャリア電子の注入も可能であ
る。上記組成の透明導電膜を還元雰囲気で１００℃〜１
３００℃の温度範囲で、０．１〜１０時間アニール処理
を行うのが好ましい。この時の還元雰囲気は酸素分圧１
０-1〜１０-21ａｔｍ程度であり、真空中、もしくはＨ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の希ガス中、窒素ガス中、一酸化炭素
ガス中、水素ガス中、およびこれらのガスから選ばれる
２種類以上の混合ガス中での処理によって行われる。
【００１４】本発明の透明導電膜は、スパッタリング法
で製造可能である。もちろん製造方法がスパッタリング
法のみに限定されるわけではなく、真空蒸着法、イオン
プレーティング法等の他の物理的成膜方法、あるいは熱
スプレー法、ディップコート法、ＣＶＤ法等の化学的成
膜方法でも上記透明導電膜の製造は十分可能である。し
かし、スパッタリング法は他の成膜方法と比較して、透
明導電膜の製造では一般的であり、低抵抗の透明導電膜
が容易に得やすいという利点がある。
で製造可能である。もちろん製造方法がスパッタリング
法のみに限定されるわけではなく、真空蒸着法、イオン
プレーティング法等の他の物理的成膜方法、あるいは熱
スプレー法、ディップコート法、ＣＶＤ法等の化学的成
膜方法でも上記透明導電膜の製造は十分可能である。し
かし、スパッタリング法は他の成膜方法と比較して、透
明導電膜の製造では一般的であり、低抵抗の透明導電膜
が容易に得やすいという利点がある。
【００１５】次に、スパッタリング法にて本発明の透明
導電膜の製造を行う際の、スパッタリングターゲット
は、基本的にインジウムおよびアンチモン、もしくはイ
ンジウムとアンチモンの他に、上記添加元素を含有した
構成成分からなる材料を用いる。形態は、Ｉｎ3ＳｂＯ7
焼結体、およびその粉末、もしくは酸化インジウムと酸
化アンチモンの混合体、または金属インジウムと金属ア
ンチモンの合金などが可能であるが、一般的には酸化物
焼結体をスパッタリングターゲット材料に用いることが
多い。
導電膜の製造を行う際の、スパッタリングターゲット
は、基本的にインジウムおよびアンチモン、もしくはイ
ンジウムとアンチモンの他に、上記添加元素を含有した
構成成分からなる材料を用いる。形態は、Ｉｎ3ＳｂＯ7
焼結体、およびその粉末、もしくは酸化インジウムと酸
化アンチモンの混合体、または金属インジウムと金属ア
ンチモンの合金などが可能であるが、一般的には酸化物
焼結体をスパッタリングターゲット材料に用いることが
多い。
【００１６】また、スパッタリング法における電源は、
ＤＣ電源あるいはＲＦ電源、どちらを用いても製造可能
であるが、ＤＣ電源を用いる場合は、導電性のスパッタ
リングターゲットを用いる必要があり、この点から、導
電性を有するＩｎ3ＳｂＯ7焼結体、または金属合金をス
パッタリングターゲットとして用いる方が有利である。
しかし、後者は反応性スパッタとなり、一般的に多量の
導入酸素を、精密に制御しないと良好な透明導電膜は得
られにくいなどの欠点がある。このため、Ｉｎ 3ＳｂＯ7
焼結体をスパッタリングターゲットとして用いる方が好
ましい。
ＤＣ電源あるいはＲＦ電源、どちらを用いても製造可能
であるが、ＤＣ電源を用いる場合は、導電性のスパッタ
リングターゲットを用いる必要があり、この点から、導
電性を有するＩｎ3ＳｂＯ7焼結体、または金属合金をス
パッタリングターゲットとして用いる方が有利である。
しかし、後者は反応性スパッタとなり、一般的に多量の
導入酸素を、精密に制御しないと良好な透明導電膜は得
られにくいなどの欠点がある。このため、Ｉｎ 3ＳｂＯ7
焼結体をスパッタリングターゲットとして用いる方が好
ましい。
【００１７】さらに、本発明の透明導電膜を支持する基
板は、透明な基板であり、用途に応じて種々の材料を用
いることができる。例えば、アルカリガラス、無アルカ
リガラス、石英ガラスなどの無機物の他、アクリルやＰ
ＭＭＲ等の透明樹脂等が用いられる。
板は、透明な基板であり、用途に応じて種々の材料を用
いることができる。例えば、アルカリガラス、無アルカ
リガラス、石英ガラスなどの無機物の他、アクリルやＰ
ＭＭＲ等の透明樹脂等が用いられる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、かかる実施例に限定されるものではない。
が、かかる実施例に限定されるものではない。
【００１９】実施例１ ＤＣプレーナー型マグネトロンスパッタ装置の陰極上に
元素比（Ｉｎ：Ｓｂ）＝３：１のＩｎ3ＳｂＯ7焼結体タ
ーゲットをセットした。その後、１ｍｍ厚の無アルカリ
ガラス基板を真空チャンバー内に入れ、真空ポンプで
１．３×１０-4Ｐａまで排気した。この際、基板を５０
０℃に加熱した。
元素比（Ｉｎ：Ｓｂ）＝３：１のＩｎ3ＳｂＯ7焼結体タ
ーゲットをセットした。その後、１ｍｍ厚の無アルカリ
ガラス基板を真空チャンバー内に入れ、真空ポンプで
１．３×１０-4Ｐａまで排気した。この際、基板を５０
０℃に加熱した。
【００２０】次にＡｒとＯ2の混合ガスをＡｒ：Ｏ2＝９
８：２の割合で真空チャンバに導入し、ガス圧が６．５
×１０-1Ｐａになるように調節した。この状態でスパッ
タリングターゲットに２Ｗ／ｃｍ2の出力の直流電流を
印加し、２０分間プレスパッタした後、３０分間スパッ
タ成膜を行い、上記Ｉｎ3ＳｂＯ7複酸化物膜を得た。
８：２の割合で真空チャンバに導入し、ガス圧が６．５
×１０-1Ｐａになるように調節した。この状態でスパッ
タリングターゲットに２Ｗ／ｃｍ2の出力の直流電流を
印加し、２０分間プレスパッタした後、３０分間スパッ
タ成膜を行い、上記Ｉｎ3ＳｂＯ7複酸化物膜を得た。
【００２１】以上のようにして製造した複酸化物膜は、
Ｘ線回折法による解析の結果、Ｉｎ 3ＳｂＯ7相のみが認
められ、他の結晶相は認められなかった。この膜につい
て、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行ったとこ
ろ、膜厚：２０２０ 、抵抗率：３．８×１０-4Ω・ｃ
ｍ、可視光透過率：９３％であった。これらの結果は、
表１に示した。なお、膜厚は触針式表面粗さ計より求
め、抵抗率は直流４探針法、可視光透過率は分光光度計
を用いて測定を行った。
Ｘ線回折法による解析の結果、Ｉｎ 3ＳｂＯ7相のみが認
められ、他の結晶相は認められなかった。この膜につい
て、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行ったとこ
ろ、膜厚：２０２０ 、抵抗率：３．８×１０-4Ω・ｃ
ｍ、可視光透過率：９３％であった。これらの結果は、
表１に示した。なお、膜厚は触針式表面粗さ計より求
め、抵抗率は直流４探針法、可視光透過率は分光光度計
を用いて測定を行った。
【００２２】
【表１】
【００２３】実施例２ スパッタリングターゲットに元素比（Ｉｎ：Ｓｂ）＝
３：０．９５の非化学量論組成のＩｎ3Ｓｂ0.95Ｏ7-δ
焼結体を用いた他は、すべて実施例１と同様の方法で行
い複酸化物膜を得た。
３：０．９５の非化学量論組成のＩｎ3Ｓｂ0.95Ｏ7-δ
焼結体を用いた他は、すべて実施例１と同様の方法で行
い複酸化物膜を得た。
【００２４】Ｘ線回折法による解析の結果Ｉｎ3ＳｂＯ7
相のみが認められ、他の結晶相は認められなかった。こ
の膜について、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行
った。その結果を表１に示した。
相のみが認められ、他の結晶相は認められなかった。こ
の膜について、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行
った。その結果を表１に示した。
【００２５】実施例３ スパッタリングターゲットに元素比（Ｉｎ：Ｓｂ：Ｆ）
＝３：１：０．１のハロゲン元素としてフッ素をドープ
したＩｎ3ＳｂＯ7焼結体を用いた他は、すべて実施例１
と同様の方法で行い複酸化物膜を得た。
＝３：１：０．１のハロゲン元素としてフッ素をドープ
したＩｎ3ＳｂＯ7焼結体を用いた他は、すべて実施例１
と同様の方法で行い複酸化物膜を得た。
【００２６】Ｘ線回折法による解析の結果Ｉｎ3ＳｂＯ7
相のみが認められ、他の結晶相は認められなかった。こ
の膜について、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行
った。その結果を表１に示した。
相のみが認められ、他の結晶相は認められなかった。こ
の膜について、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行
った。その結果を表１に示した。
【００２７】実施例４ スパッタリングターゲットに元素比（Ｉｎ：Ｓｂ：Ｓ
ｎ）＝３：１：０．２の高原子価金属元素のＳｎをドー
プしたＩｎ3ＳｂＯ7焼結体を用いた他は、すべて実施例
１と同様の方法で行い複酸化物膜を得た。
ｎ）＝３：１：０．２の高原子価金属元素のＳｎをドー
プしたＩｎ3ＳｂＯ7焼結体を用いた他は、すべて実施例
１と同様の方法で行い複酸化物膜を得た。
【００２８】Ｘ線回折法による解析の結果Ｉｎ3ＳｂＯ7
相のみが認められ、他の結晶相は認められなかった。こ
の膜について、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行
った。その結果を表１に示した。
相のみが認められ、他の結晶相は認められなかった。こ
の膜について、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行
った。その結果を表１に示した。
【００２９】実施例５ 実施例１と同様の方法で得られたＩｎ3ＳｂＯ7複酸化物
膜を、その後、水素気流中、２５０℃、３０分間アニー
ル処理を行った。
膜を、その後、水素気流中、２５０℃、３０分間アニー
ル処理を行った。
【００３０】以上のようにして製造した複酸化物膜は、
Ｘ線回折法による解析の結果Ｉｎ3ＳｂＯ7相のみが認め
られ、他の結晶相は認められなかった。この膜につい
て、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行った。その
結果を表１に示した。
Ｘ線回折法による解析の結果Ｉｎ3ＳｂＯ7相のみが認め
られ、他の結晶相は認められなかった。この膜につい
て、膜厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行った。その
結果を表１に示した。
【００３１】比較例１ ＤＣプレーナー型マグネトロンスパッタ装置の陰極上に
元素比（Ｉｎ：Ｓｎ）＝９：１のＩＴＯ焼結体ターゲッ
トをセットした。その後、十分洗浄、乾燥した１ｍｍ厚
の無アルカリガラス基板を真空チャンバー内に入れ、真
空ポンプで１．３×１０-4Ｐａまで排気した。この際、
基板を５００℃に加熱した。
元素比（Ｉｎ：Ｓｎ）＝９：１のＩＴＯ焼結体ターゲッ
トをセットした。その後、十分洗浄、乾燥した１ｍｍ厚
の無アルカリガラス基板を真空チャンバー内に入れ、真
空ポンプで１．３×１０-4Ｐａまで排気した。この際、
基板を５００℃に加熱した。
【００３２】次にＡｒとＯ2の混合ガスをＡｒ：Ｏ2＝９
９：１の割合で真空チャンバに導入し、ガス圧が６．５
×１０-1Ｐａになるようにバルブで調節した。この状態
でスパッタリングターゲットに２Ｗ／ｃｍ2の出力の直
流電流を印加し、２０分間プレスパッタした後、３０分
間スパッタ成膜を行い、ＩＴＯ膜を得た。
９：１の割合で真空チャンバに導入し、ガス圧が６．５
×１０-1Ｐａになるようにバルブで調節した。この状態
でスパッタリングターゲットに２Ｗ／ｃｍ2の出力の直
流電流を印加し、２０分間プレスパッタした後、３０分
間スパッタ成膜を行い、ＩＴＯ膜を得た。
【００３３】以上のようにして製造した酸化物膜は、Ｘ
線回折法による解析の結果Ｉｎ2Ｏ3相のみが認められ、
他の結晶相は認められなかった。この膜について、膜
厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行った。その結果を
表１に示した。
線回折法による解析の結果Ｉｎ2Ｏ3相のみが認められ、
他の結晶相は認められなかった。この膜について、膜
厚、抵抗率、可視光透過率の測定を行った。その結果を
表１に示した。
【００３４】表１から明らかなように、本発明の透明導
電膜は、可視光透過率が高く、低い抵抗率を示している
ことが分かる。特に高原子価金属元素、およびハロゲン
元素のドープ、または非化学量論化、還元アニールによ
り可視光透過性を損なうことなく、さらに抵抗率が改善
されていることが分かる。
電膜は、可視光透過率が高く、低い抵抗率を示している
ことが分かる。特に高原子価金属元素、およびハロゲン
元素のドープ、または非化学量論化、還元アニールによ
り可視光透過性を損なうことなく、さらに抵抗率が改善
されていることが分かる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の透明導電膜は、従来材料比較し
て、良好な抵抗率を有しながらも、可視光透過率の向
上、および材料コストの低減を可能にしたものである。
て、良好な抵抗率を有しながらも、可視光透過率の向
上、および材料コストの低減を可能にしたものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、酸素（Ｏ）の３成分を主構成成分とし、欠陥蛍石
型結晶構造を有する複酸化物であり、一般式：Ｉｎ 3Ｓ
ｂ1-XＯ7-δ（−０．２≦Ｘ≦０．２、および−０．５
≦δ≦０．５の範囲である）で表される透明導電膜。 - 【請求項２】 請求項１に記載の透明導電膜おいて、Ｓ
ｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｔｅ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ａｓ、Ｃｅの高原子価金
属元素及びＦ、Ｂｒ、Ｉのハロゲン元素から選ばれる少
なくとも１種類以上の元素を０．０１〜２０原子％の割
合でドープしたことを特徴とする請求項１記載の透明導
電膜。 - 【請求項３】 還元アニールにより酸素空孔を生成さ
せ、それによりキャリア電子を注入したことを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10111891A JPH11302017A (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10111891A JPH11302017A (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11302017A true JPH11302017A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14572741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10111891A Pending JPH11302017A (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11302017A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1998
- 1998-04-22 JP JP10111891A patent/JPH11302017A/ja active Pending
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