JPH0344465A - Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JPH0344465A JPH0344465A JP17912489A JP17912489A JPH0344465A JP H0344465 A JPH0344465 A JP H0344465A JP 17912489 A JP17912489 A JP 17912489A JP 17912489 A JP17912489 A JP 17912489A JP H0344465 A JPH0344465 A JP H0344465A
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
且里立亘並
本発明は、スパッタリングによるＩＴＯ薄膜又はターゲ
ットの抵抗率の経時変化が少ないＩＴＯ透明導電膜形成
用スパッタリングターゲットの製造方法に関する。
ットの抵抗率の経時変化が少ないＩＴＯ透明導電膜形成
用スパッタリングターゲットの製造方法に関する。
産呈上立剋旦公且
Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）膜や
ネサ膜と呼ばれているＳｎＯ，膜、Ｉｎ、○、膜等の酸
化物透明導電膜は、通常化学量論的組成からの「ずれ」
によりｎ型の導電性を示す半導体特性を利用し、これに
必要に応じてドーパントを添加して１０−１〜１０４Ω
・傭の低い抵抗膜としたものである。特にＩＴＯ膜は高
い導電性と可視光透過性を有するので、透明導電膜とし
て最も広く用いられている。
ネサ膜と呼ばれているＳｎＯ，膜、Ｉｎ、○、膜等の酸
化物透明導電膜は、通常化学量論的組成からの「ずれ」
によりｎ型の導電性を示す半導体特性を利用し、これに
必要に応じてドーパントを添加して１０−１〜１０４Ω
・傭の低い抵抗膜としたものである。特にＩＴＯ膜は高
い導電性と可視光透過性を有するので、透明導電膜とし
て最も広く用いられている。
一般にＩＴＯ等の透明導電膜は電卓やデジタル時計に使
用する液晶表示装置、薄膜エレクトロルミネセンス（Ｅ
Ｌ）表示装置、放射線検出素子、端末機器の透明タブレ
ット、窓ガラスの結露防止用発熱膜、帯電防止膜あるい
は太陽光集熱器用選択透過膜など巾広い用途がある。
用する液晶表示装置、薄膜エレクトロルミネセンス（Ｅ
Ｌ）表示装置、放射線検出素子、端末機器の透明タブレ
ット、窓ガラスの結露防止用発熱膜、帯電防止膜あるい
は太陽光集熱器用選択透過膜など巾広い用途がある。
′ び口 ・・
酸化物透明導電膜を形成する方法としては、従来化合物
の熱分解を利用して加熱基板に酸化物を形成するスプレ
ィ法やＣＶＤ法などの化学的製膜法あるいは物理的製膜
法として真空蒸着法やスパッタリング法などがあるが、
大面積化を可能とし低抵抗膜を再現性よく得る手段とし
てスパッタリングによる方法が広く採用されてきている
。
の熱分解を利用して加熱基板に酸化物を形成するスプレ
ィ法やＣＶＤ法などの化学的製膜法あるいは物理的製膜
法として真空蒸着法やスパッタリング法などがあるが、
大面積化を可能とし低抵抗膜を再現性よく得る手段とし
てスパッタリングによる方法が広く採用されてきている
。
スパッタリング法による薄膜形成の技術は周知であるが
、それを簡単に説明するならば真空吸引された容器内に
少量のアルゴン等の不活性ガスを導入し、ターゲットと
基板を対向させて載置し、該ターゲットと基板間で放電
させる。この結果、ターゲット材料が電離したアルゴン
イオン衝撃によりはじき出されて飛翔し、対向する前記
基板に堆積する、このような原理を利用したものである
。
、それを簡単に説明するならば真空吸引された容器内に
少量のアルゴン等の不活性ガスを導入し、ターゲットと
基板を対向させて載置し、該ターゲットと基板間で放電
させる。この結果、ターゲット材料が電離したアルゴン
イオン衝撃によりはじき出されて飛翔し、対向する前記
基板に堆積する、このような原理を利用したものである
。
一般にターゲツト材が単一物質では特に問題がないが、
化合物の場合には同じ化学組成の材料が基板上に析出す
るとは限らないという問題がある。
化合物の場合には同じ化学組成の材料が基板上に析出す
るとは限らないという問題がある。
酸化インジウムと酸化錫からなるＩＴＯ膜のターゲット
はこれが著しく、スパッタリングされた基板上のＩＴＯ
膜の抵抗値が一定にならないという問題を生じた。
はこれが著しく、スパッタリングされた基板上のＩＴＯ
膜の抵抗値が一定にならないという問題を生じた。
この原因を究明していくと、ターゲットそのものが、イ
オン衝撃（イオンボンバード）及び熱影響により酸化物
が解離し、ＩＴＯ膜形成のために調整した適合するター
ゲットの組成に比べ酸素含有量がスパッタリング中に減
少していくということが分った。
オン衝撃（イオンボンバード）及び熱影響により酸化物
が解離し、ＩＴＯ膜形成のために調整した適合するター
ゲットの組成に比べ酸素含有量がスパッタリング中に減
少していくということが分った。
このターゲット組成の酸素減少に応じてスパッタリング
条件を制御するという手法も考えられるが事実上非常に
難しく、実現できていない。
条件を制御するという手法も考えられるが事実上非常に
難しく、実現できていない。
ＩＴＯ膜は、酸化物組成の化学量論的なずれが導電性を
著しく増大させるものであり、酸素含有量の微少な増減
がＩＴＯ膜特性に著しい影響を与えるものであるから上
記のようなターゲット中の酸素減少化傾向はＩＴＯ膜の
性能向上に大きな障害となるものである。
著しく増大させるものであり、酸素含有量の微少な増減
がＩＴＯ膜特性に著しい影響を与えるものであるから上
記のようなターゲット中の酸素減少化傾向はＩＴＯ膜の
性能向上に大きな障害となるものである。
且旦立且盟
本願発明は上記のような情況に鑑み、ＩＴＯターゲット
の酸素減少化による抵抗値の経時変化を効果的に抑制す
ることができるＩＴＯ透明導電膜形成用ターゲットの製
造方法を提供するものである。
の酸素減少化による抵抗値の経時変化を効果的に抑制す
ることができるＩＴＯ透明導電膜形成用ターゲットの製
造方法を提供するものである。
すなわち本発明は、Ｉ ｎ２Ｏ２とＳｎＯ，を主成分と
する粉末混合体１０００℃〜１７００℃、１〜５時間大
気中で一次焼結した後、３００℃〜１７００℃で１〜１
０時間、真空中又は不活性ガス（例えばアルゴンガス）
雰囲気中又は還元ガス（例えば水素ガス）雰囲気中又は
熱分解を起す高温加熱雰囲気中で二次焼結を行うことを
特徴とするスパッタリング中の抵抗率の経時変化が少な
いＩＴＯ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造
方法、及び上記二次焼結後のターゲットに含有される酸
素含有量が焼結前の粉末混合体の酸素含有量の理論計算
値を重量比で１００とした場合９８．５以下、８９．９
以上であることを特徴とする前記ＩＴＯ透明導電膜用ス
パッタリングターゲットの製造方法、並びに二次焼結後
のターゲットの密度が４．０〜５．８ｇ／ｃｒｉＴであ
ることを特徴とする前記それぞれのＩＴＯ透明導電膜用
スパッタリングターゲットの製造方法に関する。
する粉末混合体１０００℃〜１７００℃、１〜５時間大
気中で一次焼結した後、３００℃〜１７００℃で１〜１
０時間、真空中又は不活性ガス（例えばアルゴンガス）
雰囲気中又は還元ガス（例えば水素ガス）雰囲気中又は
熱分解を起す高温加熱雰囲気中で二次焼結を行うことを
特徴とするスパッタリング中の抵抗率の経時変化が少な
いＩＴＯ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造
方法、及び上記二次焼結後のターゲットに含有される酸
素含有量が焼結前の粉末混合体の酸素含有量の理論計算
値を重量比で１００とした場合９８．５以下、８９．９
以上であることを特徴とする前記ＩＴＯ透明導電膜用ス
パッタリングターゲットの製造方法、並びに二次焼結後
のターゲットの密度が４．０〜５．８ｇ／ｃｒｉＴであ
ることを特徴とする前記それぞれのＩＴＯ透明導電膜用
スパッタリングターゲットの製造方法に関する。
且里立且盗並五里
ＩＴＯ透明導電膜の主要成分はＩｎ２Ｏ２であり、約７
０〜９５％を占める。このＩｎ□Ｏ３は通常化学量論組
成からの「ずれ」によりｎ型の電導性を示す半導体で、
これに同効果をもつＳｎＯ，を添加し、その自由電子濃
度Ｎ（キャリヤ濃度）をｎＸｌ０”ａｎ−”オーダー程
度に高め、抵抗率ρが１０−１〜１０’Ω・印程度とな
る膜をつくることができる。これがＩＴＯ膜である。
０〜９５％を占める。このＩｎ□Ｏ３は通常化学量論組
成からの「ずれ」によりｎ型の電導性を示す半導体で、
これに同効果をもつＳｎＯ，を添加し、その自由電子濃
度Ｎ（キャリヤ濃度）をｎＸｌ０”ａｎ−”オーダー程
度に高め、抵抗率ρが１０−１〜１０’Ω・印程度とな
る膜をつくることができる。これがＩＴＯ膜である。
上記のようにＩＴＯ膜はＩ ｎ２Ｏ２にＳｎＯ，を添加
することによって著しい低抵抗化膜を得ることができる
が、さらにこれにＦやＳｅ等の微量元素を添加してさら
に導電性を改善する提案もなされている。
することによって著しい低抵抗化膜を得ることができる
が、さらにこれにＦやＳｅ等の微量元素を添加してさら
に導電性を改善する提案もなされている。
上記のようにＩＴＯ膜形成用のターゲットはスパッタリ
ング中に適正に配合した酸化インジウムと酸化錫中の酸
素含有量が減少するという問題を解決するために、本発
明においては予め、使用するターゲットそのものから酸
素を事前に減少させておくという手法を見出したもので
ある。
ング中に適正に配合した酸化インジウムと酸化錫中の酸
素含有量が減少するという問題を解決するために、本発
明においては予め、使用するターゲットそのものから酸
素を事前に減少させておくという手法を見出したもので
ある。
ＩＴＱターゲットの原材料として基本成分となるＩｎ、
０３粉末及びＳｎ○、粉末は高純度の粉末を使用する。
０３粉末及びＳｎ○、粉末は高純度の粉末を使用する。
上記ＳｎＯ，は５〜３０％添加するが、５％未満及び３
０％を超えると添加する低抵抗化の効果がなくなるので
上記の混合割合とする。特に好ましい添加割合は５〜１
０％である。この他導電性を向上させる添加材料として
Ｓｅａ、、ＳｎＦ、等を０．１〜３％加えることができ
る。
０％を超えると添加する低抵抗化の効果がなくなるので
上記の混合割合とする。特に好ましい添加割合は５〜１
０％である。この他導電性を向上させる添加材料として
Ｓｅａ、、ＳｎＦ、等を０．１〜３％加えることができ
る。
このようにして準備された原料粉をそれぞれ所定の比率
で混合し、これを板状に成形する。この段階で上記粉末
混合体の酸素含有量は理論計算値とほぼ等しく、例えば
Ｉ ｎ、 Ｏ，（９０ｗｔ％）＋ Ｓ ｎ○、 （１０
ｗｔ％）中の酸素含有量は１７．６８３ｗｔ％となる。
で混合し、これを板状に成形する。この段階で上記粉末
混合体の酸素含有量は理論計算値とほぼ等しく、例えば
Ｉ ｎ、 Ｏ，（９０ｗｔ％）＋ Ｓ ｎ○、 （１０
ｗｔ％）中の酸素含有量は１７．６８３ｗｔ％となる。
成形されたものをさらに大気焼結を行うが、焼結条件は
大気中、酸素を調整した酸化性雰囲気中、酸素を含有さ
せたＡｒ等の不活性雰囲気中のいずれの雰囲気で行うこ
ともできる。これらの条件を含めて本願明細書では大気
焼結といい、これらの条件は焼結体の目的に応じて適宜
選択される。
大気中、酸素を調整した酸化性雰囲気中、酸素を含有さ
せたＡｒ等の不活性雰囲気中のいずれの雰囲気で行うこ
ともできる。これらの条件を含めて本願明細書では大気
焼結といい、これらの条件は焼結体の目的に応じて適宜
選択される。
−次焼結温度は１ＯＯＯ℃〜１７ｏＯ℃で１〜５時間実
施する。上記においては、成形と焼結を分けて行ってい
るが、これを同時に行うホットプレス法によっても製造
できる。
施する。上記においては、成形と焼結を分けて行ってい
るが、これを同時に行うホットプレス法によっても製造
できる。
この−次焼結ターゲットをスパッタリングターゲットと
して使用することができるが、スパッタリング中に酸素
含有量が低減化するという問題があり、基板に被着する
ＩＴＯ膜の酸素含有量が経時的に変化する欠点があるこ
とが見出された。しかし、この酸素低減化傾向も一定値
に飽和してくるので、スパッタリング操作で低減化する
量だけ予めＩＴＯターゲットから除いておけば、原理的
にはスパッタリング中での酸素含有量の変化（低減化）
はないわけである。
して使用することができるが、スパッタリング中に酸素
含有量が低減化するという問題があり、基板に被着する
ＩＴＯ膜の酸素含有量が経時的に変化する欠点があるこ
とが見出された。しかし、この酸素低減化傾向も一定値
に飽和してくるので、スパッタリング操作で低減化する
量だけ予めＩＴＯターゲットから除いておけば、原理的
にはスパッタリング中での酸素含有量の変化（低減化）
はないわけである。
このため上記−次焼結の後、３００’Ｃ−１７００℃で
１〜１０時間、真空中又は不活性ガス（例えばアルゴン
ガス）雰囲気中又は還元ガス（例えば水素ガス）雰囲気
中又は熱分解を起す高温加熱雰囲気中で二次焼結を行う
。
１〜１０時間、真空中又は不活性ガス（例えばアルゴン
ガス）雰囲気中又は還元ガス（例えば水素ガス）雰囲気
中又は熱分解を起す高温加熱雰囲気中で二次焼結を行う
。
例えば、真空中では５００℃程度〜１７００℃程度で二
次焼結を行う。不活性ガス（例えばアルゴンガスや窒素
ガス）雰囲気中（圧力は特に問わない）では、５００℃
程度〜１７００℃程度で二次焼結を行う。還元性ガス（
例えば水素ガス）雰囲気中（圧力は特に問わない）では
３００°Ｃ〜８００℃程度で二次焼結を行う。又は上記
の他高温（１０００℃〜１７００℃程度）において熱分
解（ガス雰囲気は問わない）が起る条件で二次焼結を行
っても良い。
次焼結を行う。不活性ガス（例えばアルゴンガスや窒素
ガス）雰囲気中（圧力は特に問わない）では、５００℃
程度〜１７００℃程度で二次焼結を行う。還元性ガス（
例えば水素ガス）雰囲気中（圧力は特に問わない）では
３００°Ｃ〜８００℃程度で二次焼結を行う。又は上記
の他高温（１０００℃〜１７００℃程度）において熱分
解（ガス雰囲気は問わない）が起る条件で二次焼結を行
っても良い。
これによってＩＴＯ焼結体ターゲットに含有される酸素
は、前記粉末混合体の酸素含有量（重量％）の理論計算
値を１００とした場合に、それ未満（１００未満）とな
る。最下限値は６９．０である。
は、前記粉末混合体の酸素含有量（重量％）の理論計算
値を１００とした場合に、それ未満（１００未満）とな
る。最下限値は６９．０である。
この最下限値はＩｎ、０３とＳｎ○３が還元され、それ
ぞれＩｎ○とＳｎＯになったときの値である。
ぞれＩｎ○とＳｎＯになったときの値である。
酸素含有量は８９．９以上９８．５以下とすることが望
ましく、それは二次焼結の条件の選択によって達成でき
る。 上記数値 ８９．９はスパッタリング中の酸素低
減化による飽和値と認められる値であり、数値９８．５
は抵抗率の経時変化が顕著に緩和してくる値である。
ましく、それは二次焼結の条件の選択によって達成でき
る。 上記数値 ８９．９はスパッタリング中の酸素低
減化による飽和値と認められる値であり、数値９８．５
は抵抗率の経時変化が顕著に緩和してくる値である。
上記の一連の工程における焼結（−次焼結、二次焼結）
は比較的低温の焼結であり、ＩＴＯ焼結体ターゲットの
密度は４．０〜５ 、８ ｇ ／ ｃｎ？、好ましくは
４．８〜５．８ｇ／ｃボ（一般には中密度といわれる）
となる。二次焼結条件を数次繰り返しても良いが、コス
ト的に得策でない、しかし本願発明はこれらを実質的に
包含するものである。
は比較的低温の焼結であり、ＩＴＯ焼結体ターゲットの
密度は４．０〜５ 、８ ｇ ／ ｃｎ？、好ましくは
４．８〜５．８ｇ／ｃボ（一般には中密度といわれる）
となる。二次焼結条件を数次繰り返しても良いが、コス
ト的に得策でない、しかし本願発明はこれらを実質的に
包含するものである。
焼結ターゲットの外観をみると、上記−次焼結ターゲッ
トは淡い薄縁色を呈しているが、二次焼結ターゲットは
黒色化した。これはスパッタリング中に酸素が欠乏化し
た従来ターゲットの外観に近似しており、二次焼結後の
焼結体ターゲットが理論計算値の酸素含有量よりも低減
化していることが分る。
トは淡い薄縁色を呈しているが、二次焼結ターゲットは
黒色化した。これはスパッタリング中に酸素が欠乏化し
た従来ターゲットの外観に近似しており、二次焼結後の
焼結体ターゲットが理論計算値の酸素含有量よりも低減
化していることが分る。
上記のような低真空中での二次焼結ではＩｎ。
ＯｌとＳｎＯ，の熱解離を生じ、理論化合物組成から酸
素が解離し、減少するという現象が生ずるためである。
素が解離し、減少するという現象が生ずるためである。
スパッタリング操作中ではアルゴン雰囲気の低真空中で
行われるから、ＩＴＯターゲットの熱解離とイオン衝撃
エネルギーによるＩｎ。
行われるから、ＩＴＯターゲットの熱解離とイオン衝撃
エネルギーによるＩｎ。
ＯいＳｎＯ，の解離が必然的に行われていると推測され
る。
る。
本発明の如く、予め減少化する量又はそれに近似する量
だけＩＴＯターゲットから酸素を除いておくと、スパッ
タリング中での解離現象が著しく減少し、基板に析出す
るＩＴＯ膜の抵抗率にほとんど経時変化がなくなり、良
好なスパッタリングを行うことができる。
だけＩＴＯターゲットから酸素を除いておくと、スパッ
タリング中での解離現象が著しく減少し、基板に析出す
るＩＴＯ膜の抵抗率にほとんど経時変化がなくなり、良
好なスパッタリングを行うことができる。
上記の製造工程によって得られた焼結体は機械加工によ
りターゲットとして必要な形状、例えば矩形、円盤等の
板状体に仕上げられる。
りターゲットとして必要な形状、例えば矩形、円盤等の
板状体に仕上げられる。
次に実施例に沿って本願発明を説明する。
１遍」Ｕ巳り釦虹園
基本成分となる高純度のＩ ｎ２Ｏ２粉末、Ｓｎ○、粉
を準備し、Ｉ ｎ、０，９０ｗｔ％、Ｓｎ０，１０ｗｔ
％の成分配合割合にて予め板状の成形体を作成した。そ
してこれを大気中で焼結して４“φ×４ｔの寸法の５．
１ｇ／ｃｏｔの密度を有するＩＴＯターゲットを作製し
た。焼結温度は１５００℃、焼結時間は３時間である。
を準備し、Ｉ ｎ、０，９０ｗｔ％、Ｓｎ０，１０ｗｔ
％の成分配合割合にて予め板状の成形体を作成した。そ
してこれを大気中で焼結して４“φ×４ｔの寸法の５．
１ｇ／ｃｏｔの密度を有するＩＴＯターゲットを作製し
た。焼結温度は１５００℃、焼結時間は３時間である。
これは−次焼結に相当し、この−次焼結したものを比較
例として掲示する。
例として掲示する。
次に本発明の実施例として一次焼結までは全く同様にし
て作製したＩＴＯターゲット材をさらにアルゴン雰囲気
１００Ｐａ （パスカル）、１２００℃で５時間二次焼
結を行った。この時のターゲット密度は５．Ｏｇ／ｄで
あった。酸素含有量はＩＴＯの成分組成の理論計算値を
１００とすると９８．５であった。
て作製したＩＴＯターゲット材をさらにアルゴン雰囲気
１００Ｐａ （パスカル）、１２００℃で５時間二次焼
結を行った。この時のターゲット密度は５．Ｏｇ／ｄで
あった。酸素含有量はＩＴＯの成分組成の理論計算値を
１００とすると９８．５であった。
以上の本発明例及び比較例のターゲットについてスパッ
タリングし基板に形成された薄膜の抵抗の経時変化を調
べた。
タリングし基板に形成された薄膜の抵抗の経時変化を調
べた。
スパッタリング条件は次の通りである。（装置、日型ア
ネルバ製５ｐＦ−２１０８） 投入パワー ０．５Ｗ／ｃｆｆｌ スパッタリングガス 純アルゴン 法 ス 圧 ０．５Ｐａ基 板
温 度 室温 （２５℃）一般にＩＴＯ膜
の電気特性すなわち抵抗率ρ（Ωｃｍ）は次式で表すこ
とができる。
ネルバ製５ｐＦ−２１０８） 投入パワー ０．５Ｗ／ｃｆｆｌ スパッタリングガス 純アルゴン 法 ス 圧 ０．５Ｐａ基 板
温 度 室温 （２５℃）一般にＩＴＯ膜
の電気特性すなわち抵抗率ρ（Ωｃｍ）は次式で表すこ
とができる。
Ｎ （ｃｍ−”） キ’ｔ’）ヤ濃度μ（ｃｒ
Ｉｉ／Ｖ−８ｅｃ） 易動度ｅ （＋、６０２Ｘ１０
＝ｃ）電気素量この結果を第１図及び第２図に示すが、
図で成膜１回ごと（約１５００人）に膜の抵抗を計った
（図では黒点で示される）。全てアニール（大気中３０
０℃Ｘ３０分）後の抵抗率（ρ）の経時変化を示す。
Ｉｉ／Ｖ−８ｅｃ） 易動度ｅ （＋、６０２Ｘ１０
＝ｃ）電気素量この結果を第１図及び第２図に示すが、
図で成膜１回ごと（約１５００人）に膜の抵抗を計った
（図では黒点で示される）。全てアニール（大気中３０
０℃Ｘ３０分）後の抵抗率（ρ）の経時変化を示す。
第１図は本発明分実施例であるが、連続してスパッタリ
ングしてもＩＴＯ膜の抵抗率ρは殆ど時間的に変化が認
められず、はぼ一定である。これに対して第２図で示さ
れる比較例の一次焼結のみのＩＴＯターゲットでは、次
第に抵抗率が上昇していくのが分る。
ングしてもＩＴＯ膜の抵抗率ρは殆ど時間的に変化が認
められず、はぼ一定である。これに対して第２図で示さ
れる比較例の一次焼結のみのＩＴＯターゲットでは、次
第に抵抗率が上昇していくのが分る。
この結果、比較例のＩＴＯターゲットは膜の抵抗値が不
安定で品質に問題を有しているが、本発明例ではこれが
なく、良好な品質のものが得られる。
安定で品質に問題を有しているが、本発明例ではこれが
なく、良好な品質のものが得られる。
ＩＴＯ膜の一般的光学特性としては基礎吸収端が紫外域
にあり、さらに適度の自由電子による吸収を近赤外域か
ら生じるためその画成に挾まれた可視域において透明と
なり、赤外域においては熱線を反射する。そして可視透
過率は８０％を超え、通常９０％以上である。本願発明
のスパッタリングターゲットを用いて形成した透明導電
膜は、いずれも可視透過率が９０％を超えた。
にあり、さらに適度の自由電子による吸収を近赤外域か
ら生じるためその画成に挾まれた可視域において透明と
なり、赤外域においては熱線を反射する。そして可視透
過率は８０％を超え、通常９０％以上である。本願発明
のスパッタリングターゲットを用いて形成した透明導電
膜は、いずれも可視透過率が９０％を超えた。
生且玉立亙玉
上記から明らかなように本願発明は透明導電膜としてス
パッタリングによってＩＴＯ膜を形成する際、経時変化
のない優れた特性をもつＩＴＯ膜を提供するものである
。
パッタリングによってＩＴＯ膜を形成する際、経時変化
のない優れた特性をもつＩＴＯ膜を提供するものである
。
本願発明のようにスパッタリングによるＩＴＯ膜の形成
において、安定した品質を得ることができれば、歩留り
が向上し、膜特性を良好に維持することができる。本発
明の製造方法によって得られたターゲットを用いること
により、透明導電膜の今後の技術開発に著しい貢献をも
たらすことができる。
において、安定した品質を得ることができれば、歩留り
が向上し、膜特性を良好に維持することができる。本発
明の製造方法によって得られたターゲットを用いること
により、透明導電膜の今後の技術開発に著しい貢献をも
たらすことができる。
第１図は本発明の製造方法によって得られたＩＴＯター
ゲットによって形成された薄膜の抵抗率の関係を経時的
に示すグラフであり、第２図は比較例を示す同グラフで
ある。
ゲットによって形成された薄膜の抵抗率の関係を経時的
に示すグラフであり、第２図は比較例を示す同グラフで
ある。
Claims (3)
- （１）Ｉｎ＿２Ｏ＿２とＳｎＯ＿２を主成分とする粉末
混合体を１０００℃〜１７００℃、１〜５時間大気中で
一次焼結した後、３００℃〜１７００℃で１〜１０時間
、真空中又は不活性ガス（例えばアルゴンガス）雰囲気
中又は還元ガス（例えば水素ガス）雰囲気中又は熱分解
を起す高温加熱雰囲気中で二次焼結を行うことを特徴と
するスパッタリングによる抵抗率の経時変化の少ないＩ
ＴＯ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法
。 - （２）上記二次焼結後のターゲットに含有される酸素含
有量が、焼結前の粉末混合体の酸素含有量の理論計算値
を重量比で１００とした場合、９８．５以下、８９．９
以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のＩＴＯ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造
方法。 - （３）二次焼結後のターゲットの密度が４．０〜５．８
ｇ／ｃｍ＾３であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第２項のそれぞれに記載するＩＴＯ透明導電膜
用スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17912489A JPH0784654B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17912489A JPH0784654B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344465A true JPH0344465A (ja) | 1991-02-26 |
| JPH0784654B2 JPH0784654B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=16060416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17912489A Expired - Lifetime JPH0784654B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784654B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5160675A (en) * | 1988-05-16 | 1992-11-03 | Tosoh Corporation | Sputtering target for producing electroconductive transparent films and process for manufacture thereof |
| NL9500634A (nl) * | 1994-04-19 | 1995-12-01 | Leybold Ag | Inrichting voor het bekleden van een substraat. |
| US5480532A (en) * | 1994-03-09 | 1996-01-02 | Leybold Materials | Sputter target for cathodic atomization to produce transparent, conductive layers |
| FR2731441A1 (fr) * | 1995-03-11 | 1996-09-13 | Leybold Materials Gmbh | Cible de pulverisation cathodique en oxyde d'indium-oxyde d'etain et son procede de fabrication |
| JP2007145712A (ja) * | 1994-05-25 | 2007-06-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 紫外線、近赤外線遮へい用インジウム−錫酸化物粉末とこれを用いた紫外線、近赤外線遮へいガラスおよびその製造方法 |
| WO2011058882A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor |
| US8338002B2 (en) | 2008-06-06 | 2012-12-25 | Dexerials Corporation | Sputtering composite target, method for manufacuturing transparent conductive film using the same and transparent conductive film-provided base material |
| WO2014156234A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN114853467A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-08-05 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种ito平面靶材及其制备方法 |
| CN115893988A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-04-04 | 洛阳晶联光电材料有限责任公司 | 一种太阳能电池用蒸镀靶材及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104109838A (zh) * | 2014-07-04 | 2014-10-22 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | Ito薄膜的制备方法及ito薄膜 |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP17912489A patent/JPH0784654B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
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| JP4600685B2 (ja) * | 1994-05-25 | 2010-12-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 紫外線、近赤外線遮へいガラス |
| FR2731441A1 (fr) * | 1995-03-11 | 1996-09-13 | Leybold Materials Gmbh | Cible de pulverisation cathodique en oxyde d'indium-oxyde d'etain et son procede de fabrication |
| NL1001687C2 (nl) * | 1995-03-11 | 1998-08-11 | Leybold Materials Gmbh | Indiumoxyde/tinoxyde-sputtertarget voor kathoden-verstuiving. |
| US8338002B2 (en) | 2008-06-06 | 2012-12-25 | Dexerials Corporation | Sputtering composite target, method for manufacuturing transparent conductive film using the same and transparent conductive film-provided base material |
| JP2011122238A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにトランジスタ |
| WO2011058882A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor |
| US8937020B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor |
| JP2015061953A (ja) * | 2009-11-13 | 2015-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | スパッタリング用ターゲット、及びその作製方法 |
| US10083823B2 (en) | 2009-11-13 | 2018-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor |
| WO2014156234A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5987105B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-09-06 | Ｊｘ金属株式会社 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JPWO2014156234A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-02-16 | Ｊｘ金属株式会社 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN114853467A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-08-05 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种ito平面靶材及其制备方法 |
| CN115893988A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-04-04 | 洛阳晶联光电材料有限责任公司 | 一种太阳能电池用蒸镀靶材及其制备方法 |
| CN115893988B (zh) * | 2022-12-07 | 2023-09-08 | 洛阳晶联光电材料有限责任公司 | 一种太阳能电池用蒸镀靶材及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0784654B2 (ja) | 1995-09-13 |
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