JPH054768B2 - - Google Patents
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- JPH054768B2 JPH054768B2 JP62016146A JP1614687A JPH054768B2 JP H054768 B2 JPH054768 B2 JP H054768B2 JP 62016146 A JP62016146 A JP 62016146A JP 1614687 A JP1614687 A JP 1614687A JP H054768 B2 JPH054768 B2 JP H054768B2
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Landscapes
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- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は表示デバイス等を構成し得る酸化イン
ジウム系透明導電膜の製造法に関する。
ジウム系透明導電膜の製造法に関する。
［従来の技術］
透明導電膜は液晶表示素子やエレクトロルミネ
ツセンスなどの表示デバイスの透明電極、種々の
部品や装置の電気的遮蔽膜、又は自動車、航空機
などの窓ガラスの氷結防止用ヒータなどに広く使
用されている。
ツセンスなどの表示デバイスの透明電極、種々の
部品や装置の電気的遮蔽膜、又は自動車、航空機
などの窓ガラスの氷結防止用ヒータなどに広く使
用されている。
このような透明導電膜として従来から酸化錫や
酸化インジウムの膜が知られている。その中でも
酸化インジウム膜及び酸化錫をドープした酸化イ
ンジウム膜（以下ITO膜という）はスパツタリン
グ、電子ビーム蒸着などを始めとする各種薄膜形
成法により形成され、高透過率且つ高導電性の膜
として広く使用されている。
酸化インジウムの膜が知られている。その中でも
酸化インジウム膜及び酸化錫をドープした酸化イ
ンジウム膜（以下ITO膜という）はスパツタリン
グ、電子ビーム蒸着などを始めとする各種薄膜形
成法により形成され、高透過率且つ高導電性の膜
として広く使用されている。
上記透明導電膜の一例としてスパツタリング技
術により成膜されるITO膜について説明する。こ
れはインジウム・錫合金又は酸化インジウム・酸
化錫焼結体を蒸着基材（以下ターゲツトという）
とし、典型的にはアルゴンガス雰囲気中又はアル
ゴンガス＋酸素ガス雰囲気中でのスパツタリング
よつて成膜される。この際に、ITO膜の導電率及
び透過率を向上させるために、必要に応じて基板
加熱又はアフターアニールを行うことが知られて
いる。
術により成膜されるITO膜について説明する。こ
れはインジウム・錫合金又は酸化インジウム・酸
化錫焼結体を蒸着基材（以下ターゲツトという）
とし、典型的にはアルゴンガス雰囲気中又はアル
ゴンガス＋酸素ガス雰囲気中でのスパツタリング
よつて成膜される。この際に、ITO膜の導電率及
び透過率を向上させるために、必要に応じて基板
加熱又はアフターアニールを行うことが知られて
いる。
［発明が解決しようとする課題］
蒸着基材として酸化インジウム系焼結体を使用
してスパツタリング、電子ビーム蒸着などの方法
によつて酸化インジウム膜やITO膜を形成する場
合に、その焼結体の焼結性が悪いと次のような問
題が生じる。
してスパツタリング、電子ビーム蒸着などの方法
によつて酸化インジウム膜やITO膜を形成する場
合に、その焼結体の焼結性が悪いと次のような問
題が生じる。
焼結体内部にガスを吸蔵しやすく、その吸蔵
ガスは真空中で徐々に放出され、装置チヤンバ
ー内の真空度を低下させる。
ガスは真空中で徐々に放出され、装置チヤンバ
ー内の真空度を低下させる。
プラズマ、電子ビームなどの外部衝撃により
焼結体の一部が飛散してITO膜中に混入するこ
とがある。
焼結体の一部が飛散してITO膜中に混入するこ
とがある。
焼結体の機械的強度が小さく熱歪などによつ
て破損し易い。
て破損し易い。
上記の問題点は導電膜の電気特性などの低
下、は導電膜の欠陥の発生、は蒸着基材の破
損による導電膜の生産性の低下、などの原因とな
る。
下、は導電膜の欠陥の発生、は蒸着基材の破
損による導電膜の生産性の低下、などの原因とな
る。
従来の透明導電膜、例えばITO膜により表示デ
バイスを作成する場合に、光透過性を重視して
ITO膜の膜厚を薄くすればITO膜の抵抗値が大き
くなり、その結果として表示画質のムラが発生し
たり、駆動に高い電圧が必要となつたりしてお
り、逆に、ITO膜の膜厚を厚くして抵抗値を小さ
くすれば、ITO膜の光透過性が悪くなる、といつ
た問題があつた。
バイスを作成する場合に、光透過性を重視して
ITO膜の膜厚を薄くすればITO膜の抵抗値が大き
くなり、その結果として表示画質のムラが発生し
たり、駆動に高い電圧が必要となつたりしてお
り、逆に、ITO膜の膜厚を厚くして抵抗値を小さ
くすれば、ITO膜の光透過性が悪くなる、といつ
た問題があつた。
また、酸化インジウム膜やITO膜における電気
伝導はｎ型半導体としての電子による伝導が主た
るものであり、そのキヤリヤとしての電子の生成
には膜中の酸素欠陥も寄与しているので、耐熱性
にも問題があつた。
伝導はｎ型半導体としての電子による伝導が主た
るものであり、そのキヤリヤとしての電子の生成
には膜中の酸素欠陥も寄与しているので、耐熱性
にも問題があつた。
本発明の目的は、透明導電膜それ自体の抵抗率
が低くて、より高い透明性、より高い導電性を持
つ酸化インジウム系導電膜の製造法を提供するこ
とにある。
が低くて、より高い透明性、より高い導電性を持
つ酸化インジウム系導電膜の製造法を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は又耐熱性に優れた酸化イン
ジウム系透明導電膜の製造法を提供することにあ
る。
ジウム系透明導電膜の製造法を提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段］
本発明者等は、上記の目的を達成する手段につ
いて種々検討の結果、酸化珪素又は酸化ゲルマニ
ウムを添加した酸化インジウム系焼結体を成膜原
料として用いて得られた透明導電膜は抵抗率が小
さく、耐熱性が著しく優れていることを見いだし
た。
いて種々検討の結果、酸化珪素又は酸化ゲルマニ
ウムを添加した酸化インジウム系焼結体を成膜原
料として用いて得られた透明導電膜は抵抗率が小
さく、耐熱性が著しく優れていることを見いだし
た。
本発明の酸化インジウム系透明導電膜の製造法
は、透明導電膜の成膜原料として、酸化インジウ
ム、又は酸化インジイム及び酸化錫を含み、更に
酸化珪素及び／又は酸化ゲルマニウムを含有し、
好ましくは、の珪素及び／又はゲルマニウムの含
有量がインジウム１モル当たり0.0001〜0.6モル
である酸化インジウム系焼結体を用いることを特
徴とする。
は、透明導電膜の成膜原料として、酸化インジウ
ム、又は酸化インジイム及び酸化錫を含み、更に
酸化珪素及び／又は酸化ゲルマニウムを含有し、
好ましくは、の珪素及び／又はゲルマニウムの含
有量がインジウム１モル当たり0.0001〜0.6モル
である酸化インジウム系焼結体を用いることを特
徴とする。
本発明の製造法で成膜原料として用いる酸化イ
ンジウム系焼結体して、例えば、In2O3−SiO2
系、In2O3−GeO2系、In2O3−SiO2−GeO2系、
In2O3−SnO2−SiO2系、In2O3−SnO2−GeO2系、
In2O3−SnO2−SiO2−GeO2系等の焼結体があり、
これらの焼結体においては各々の酸化物は少なく
とも一部は固溶体として存在しており、残りは複
酸化物として、その酸化物のままで、又はそれら
の混合状態で存在している。
ンジウム系焼結体して、例えば、In2O3−SiO2
系、In2O3−GeO2系、In2O3−SiO2−GeO2系、
In2O3−SnO2−SiO2系、In2O3−SnO2−GeO2系、
In2O3−SnO2−SiO2−GeO2系等の焼結体があり、
これらの焼結体においては各々の酸化物は少なく
とも一部は固溶体として存在しており、残りは複
酸化物として、その酸化物のままで、又はそれら
の混合状態で存在している。
上記の酸化インジウム系焼結体を構成する酸化
インジウムの出発材料としては、In2O3が一般的
であるが、勿論In単体、Inの水酸化物、塩化物、
硝酸塩、硫酸塩等を用いることもできる。酸化物
以外の出発材料を用いる場合には、酸素を含有す
る雰囲気中での〓焼で又は焼結の過程で酸化物形
に変えて焼結体中に取り込む。しかしながらそれ
らの一部がIn等各出発材料の形態でそのまま焼結
体中に取り込まれていてもよい。
インジウムの出発材料としては、In2O3が一般的
であるが、勿論In単体、Inの水酸化物、塩化物、
硝酸塩、硫酸塩等を用いることもできる。酸化物
以外の出発材料を用いる場合には、酸素を含有す
る雰囲気中での〓焼で又は焼結の過程で酸化物形
に変えて焼結体中に取り込む。しかしながらそれ
らの一部がIn等各出発材料の形態でそのまま焼結
体中に取り込まれていてもよい。
前記の酸化インジウム及び酸化錫を含む焼結体
を構成する酸化錫の出発材料としては、SnO2等
の酸化物が一般的であるが、Sn単体、Snの水酸
化物、塩化物、硝酸塩、硝酸塩等を用いることも
できる。酸化物以外の出発材料を用いる場合に
は、酸化インジウムの場合と同様にして、予め酸
化物形に変えて焼結体中に取り込む。しかしなが
らそれらの一部がSn等各出発材料の形態でその
まま焼結体中に取り込まれていてもよい。
を構成する酸化錫の出発材料としては、SnO2等
の酸化物が一般的であるが、Sn単体、Snの水酸
化物、塩化物、硝酸塩、硝酸塩等を用いることも
できる。酸化物以外の出発材料を用いる場合に
は、酸化インジウムの場合と同様にして、予め酸
化物形に変えて焼結体中に取り込む。しかしなが
らそれらの一部がSn等各出発材料の形態でその
まま焼結体中に取り込まれていてもよい。
前記の酸化インジウム系焼結体を構成する酸化
珪素の出発材料としては、SiO2等の酸化物が一
般的であるが、Si単体、Siの水酸化物等を用いる
こともできる。酸化物以外の出発材料を用いる場
合には、酸化インジウムの場合と同様にして、予
め酸化物形に変えて焼結体中に取り込む。しかし
ながらそれらの一部がSi等各出発材料の形態でそ
のまま焼結体中に取り込まれて、例えば、In2O3
−SnO2−SiO2−Si系等の焼結体が形成されてい
てもよい。
珪素の出発材料としては、SiO2等の酸化物が一
般的であるが、Si単体、Siの水酸化物等を用いる
こともできる。酸化物以外の出発材料を用いる場
合には、酸化インジウムの場合と同様にして、予
め酸化物形に変えて焼結体中に取り込む。しかし
ながらそれらの一部がSi等各出発材料の形態でそ
のまま焼結体中に取り込まれて、例えば、In2O3
−SnO2−SiO2−Si系等の焼結体が形成されてい
てもよい。
前記の酸化インジウム系焼結体を構成する酸化
ゲルマニウムの出発材料としては、GeO2等の酸
化物が一般的であるが、Ge単体、Geの水酸化
物、塩化物等を用いることもできる。酸化物以外
の出発材料を用いる場合には、酸化インジウムの
場合と同様にして、予め酸化物形に変えて焼結体
中に取り込む。しかしながらそれらの一部がGe
等各出発材料の形態でそのまま焼結体中に取り込
まれて、例えば、In2O3−SnO2−GeO2−Ge系等
の焼結体が形成されていてもよい。
ゲルマニウムの出発材料としては、GeO2等の酸
化物が一般的であるが、Ge単体、Geの水酸化
物、塩化物等を用いることもできる。酸化物以外
の出発材料を用いる場合には、酸化インジウムの
場合と同様にして、予め酸化物形に変えて焼結体
中に取り込む。しかしながらそれらの一部がGe
等各出発材料の形態でそのまま焼結体中に取り込
まれて、例えば、In2O3−SnO2−GeO2−Ge系等
の焼結体が形成されていてもよい。
前記の酸化インジウム系焼結体は本発明の目的
を損なわない範囲の量で随伴元素を含んでいても
よい。
を損なわない範囲の量で随伴元素を含んでいても
よい。
本発明の製造法によつて耐熱性に優れた低抵抗
率の酸化インジウム系透明導電膜を形成する際に
蒸着基材として用いるのに適している前記の酸化
インジウム系焼結体は、前記した出発材料の粉末
を、酸化インジウム系透明導電膜に所要の組成と
ほぼ等しい量割合で混合し、常温圧縮して得られ
た圧粉体を、必要に応じて〓焼した後、焼成する
か又はホツトプレスにより製造することができる
が、前記の酸化インジウム系焼結体を製造する場
合には、該圧粉体を単に高温下に付することより
なる焼成工程を経るのみで、耐熱性に優れ且つ気
孔率の極めて低い緻密質の焼結体を得ることがで
きる。焼成温度は、所望する焼結体の組成等に応
じて適宜選択することができるが、通常は140〜
1500℃であり、また焼成に用いる雰囲気は、酸素
を含有する雰囲気、例えば空気雰囲気、O2と
CO、CO2、N2、Ar、H2、H2O等との混合気体
雰囲気、酸素を含有しない雰囲気、例えば真空
中、又はAr、N2等の雰囲気とすることができ
る。また、用いる雰囲気中の酸素分圧を調節する
ことにより、焼結体の酸素欠陥量をコントロール
し、そのことによつて透明導電膜の酸素欠陥量を
コントロールしてキヤリヤ電子密度、導電性を制
御することができるし、また逆に雰囲気中にH2、
COなどの還元性ガスを導入するすることにより、
酸素欠陥量をコントロールして透明導電膜のキヤ
リヤ電子密度、導電性を制御することもできる。
率の酸化インジウム系透明導電膜を形成する際に
蒸着基材として用いるのに適している前記の酸化
インジウム系焼結体は、前記した出発材料の粉末
を、酸化インジウム系透明導電膜に所要の組成と
ほぼ等しい量割合で混合し、常温圧縮して得られ
た圧粉体を、必要に応じて〓焼した後、焼成する
か又はホツトプレスにより製造することができる
が、前記の酸化インジウム系焼結体を製造する場
合には、該圧粉体を単に高温下に付することより
なる焼成工程を経るのみで、耐熱性に優れ且つ気
孔率の極めて低い緻密質の焼結体を得ることがで
きる。焼成温度は、所望する焼結体の組成等に応
じて適宜選択することができるが、通常は140〜
1500℃であり、また焼成に用いる雰囲気は、酸素
を含有する雰囲気、例えば空気雰囲気、O2と
CO、CO2、N2、Ar、H2、H2O等との混合気体
雰囲気、酸素を含有しない雰囲気、例えば真空
中、又はAr、N2等の雰囲気とすることができ
る。また、用いる雰囲気中の酸素分圧を調節する
ことにより、焼結体の酸素欠陥量をコントロール
し、そのことによつて透明導電膜の酸素欠陥量を
コントロールしてキヤリヤ電子密度、導電性を制
御することができるし、また逆に雰囲気中にH2、
COなどの還元性ガスを導入するすることにより、
酸素欠陥量をコントロールして透明導電膜のキヤ
リヤ電子密度、導電性を制御することもできる。
前記の酸化インジウム系焼結体の形状は使用態
様に応じて適宜選択されるが、例えばITO膜形成
用のスパツタリング用ターゲツトとして用いる場
合には、通常例えば127×381×６（mm）等の寸法
の矩形平板等の形状に成形する。また、電子ビー
ム蒸着に用いる場合などには、通常例えば20φ×
10（mm）等の寸法のペレツト状に成形する。
様に応じて適宜選択されるが、例えばITO膜形成
用のスパツタリング用ターゲツトとして用いる場
合には、通常例えば127×381×６（mm）等の寸法
の矩形平板等の形状に成形する。また、電子ビー
ム蒸着に用いる場合などには、通常例えば20φ×
10（mm）等の寸法のペレツト状に成形する。
本発明の製造法で成膜原料として用いる酸化イ
ンジウム系焼結体におけるSi及び／又はGeの含
有量は、In １モルあたり好ましくは0.0001〜0.6
モル、より好ましくは0.01〜0.3モル、最も好ま
しくは0.02〜0.1モルである。何故ならば、この
範囲内にあれば、その焼結体を成膜原料として用
いて形成される透明導電膜の生産性が向上し、そ
の形成される透明導電膜の欠陥が抑制されると共
に、その透明導電膜におけるキヤリヤ電子の密度
並びに移動度を適切にコントロールし導電性を良
好な範囲に保つことができるが、その含有量が
0.0001モル未満であると、その導電膜におけるキ
ヤリヤ電子密度が所望の値より小さくなり、また
0.6モルを越えると、キヤリヤ電子の移動度が低
下すると共に導電性を劣化させる方向に働くから
である。
ンジウム系焼結体におけるSi及び／又はGeの含
有量は、In １モルあたり好ましくは0.0001〜0.6
モル、より好ましくは0.01〜0.3モル、最も好ま
しくは0.02〜0.1モルである。何故ならば、この
範囲内にあれば、その焼結体を成膜原料として用
いて形成される透明導電膜の生産性が向上し、そ
の形成される透明導電膜の欠陥が抑制されると共
に、その透明導電膜におけるキヤリヤ電子の密度
並びに移動度を適切にコントロールし導電性を良
好な範囲に保つことができるが、その含有量が
0.0001モル未満であると、その導電膜におけるキ
ヤリヤ電子密度が所望の値より小さくなり、また
0.6モルを越えると、キヤリヤ電子の移動度が低
下すると共に導電性を劣化させる方向に働くから
である。
本発明の製造法で成膜原料として用いる酸化イ
ンジウム及び酸化錫を含む焼結体は、ITO膜の形
成に一般に使用されている焼結体であり、その酸
化錫の含有量はSnとしてIn １モル当たり好まし
くは0.001〜0.3モル、より好ましくは0.01〜0.15
モル、最も好ましくは0.05〜0.1モルである。こ
の範囲内であれば、その焼結体を成膜原料として
用いて得られる透明導電膜のキヤリヤ電子の密度
並びに移動度を適切にコントロールして導電性を
良好な範囲に保つことができるが、0.001モル未
満であると、キヤリヤ電子密度が小さくなり、ま
た0.3モルを越えると、キヤリヤ電子の移動度を
低下させると共に導電性を劣化させる方向に働
く。
ンジウム及び酸化錫を含む焼結体は、ITO膜の形
成に一般に使用されている焼結体であり、その酸
化錫の含有量はSnとしてIn １モル当たり好まし
くは0.001〜0.3モル、より好ましくは0.01〜0.15
モル、最も好ましくは0.05〜0.1モルである。こ
の範囲内であれば、その焼結体を成膜原料として
用いて得られる透明導電膜のキヤリヤ電子の密度
並びに移動度を適切にコントロールして導電性を
良好な範囲に保つことができるが、0.001モル未
満であると、キヤリヤ電子密度が小さくなり、ま
た0.3モルを越えると、キヤリヤ電子の移動度を
低下させると共に導電性を劣化させる方向に働
く。
本発明の製造法は、製造される透明導電膜の所
望の組成とほぼ同じ組成を持つ酸化インジウム系
焼結体を蒸着基材として使用してスパツタリン
グ、電子ビーム蒸着などの方法を用いて実施して
耐熱性に優れた低抵抗率の酸化インジウム系透明
導電膜を形成することができる。
望の組成とほぼ同じ組成を持つ酸化インジウム系
焼結体を蒸着基材として使用してスパツタリン
グ、電子ビーム蒸着などの方法を用いて実施して
耐熱性に優れた低抵抗率の酸化インジウム系透明
導電膜を形成することができる。
実施例 １
純度99.99％以上のIn2O3、SnO2及びSiO2の各
粉末を用い、混合粉末におけるSnO2の含有量を
５重量％に固定し、残余をInO3とSiO2との任意
の混合割合とした数種の混合粉末を調整し、それ
ぞれの混合粉末を圧力500Kg／cm2でプレス成形を
行つたものを、空気中1450℃で２時間焼成して、
直径100mm、厚さ５mmの円盤状のITO膜形成用焼
結体を得た。
粉末を用い、混合粉末におけるSnO2の含有量を
５重量％に固定し、残余をInO3とSiO2との任意
の混合割合とした数種の混合粉末を調整し、それ
ぞれの混合粉末を圧力500Kg／cm2でプレス成形を
行つたものを、空気中1450℃で２時間焼成して、
直径100mm、厚さ５mmの円盤状のITO膜形成用焼
結体を得た。
これらの焼結体の相対密度を測定した。その結
果は、Si含有量を横軸、相対密度を縦軸とした第
１図中の曲線１の通りであつた。また、得られた
焼結体の比抵抗を測定した。その結果は、Si含有
量を横軸、比抵抗を縦軸とした第２図中の曲線１
の通りであつた。第１図及び第２図に示した結果
から、好適範囲の量のSiを含有する焼結体は品質
が改良され、従つてこのような焼結体を用いて形
成される膜の性質や生産性を改良し得ることが確
認された。
果は、Si含有量を横軸、相対密度を縦軸とした第
１図中の曲線１の通りであつた。また、得られた
焼結体の比抵抗を測定した。その結果は、Si含有
量を横軸、比抵抗を縦軸とした第２図中の曲線１
の通りであつた。第１図及び第２図に示した結果
から、好適範囲の量のSiを含有する焼結体は品質
が改良され、従つてこのような焼結体を用いて形
成される膜の性質や生産性を改良し得ることが確
認された。
次いで、これらの焼結体を高周波マグネトロン
スパツタリング装置のターゲツトとして用いて、
下記の条件下でスパツタリングを行い、透明導電
膜を作製した。
スパツタリング装置のターゲツトとして用いて、
下記の条件下でスパツタリングを行い、透明導電
膜を作製した。
スパツタリング条件
使用ガス：Ar
スパツタ圧力：５×10-3Torr
スパツタ電力：200W（36W／cm2）
基板加熱：なし
スパツタ時間：５分
上記で使用した焼結体ターゲツトは、真空排気
時のガス放出が少なく、10-6Torrに排気するま
で５分を要しなかつた。また、機械的強度が増
し、スパツタリング時の破損はなかつた。更に、
成膜したITO膜中への焼結体混入の痕跡も認めら
れなかつた。膜の透光性について測定を行つたと
ころ、可視光域において90％以上の透過率を示し
た。
時のガス放出が少なく、10-6Torrに排気するま
で５分を要しなかつた。また、機械的強度が増
し、スパツタリング時の破損はなかつた。更に、
成膜したITO膜中への焼結体混入の痕跡も認めら
れなかつた。膜の透光性について測定を行つたと
ころ、可視光域において90％以上の透過率を示し
た。
実施例 ２
SiO2の代わりにSiを用いた以外は実施例１と
同様にして焼結体を作製し、次いでITO膜を形成
した。
同様にして焼結体を作製し、次いでITO膜を形成
した。
かくして得られた焼結体の相対密度及び焼結体
の比抵抗は、第１図中の曲線１及び第２図中の曲
線１と同等のものであつた。また、透明導電膜も
実施例１と同様であつた。
の比抵抗は、第１図中の曲線１及び第２図中の曲
線１と同等のものであつた。また、透明導電膜も
実施例１と同様であつた。
実施例 ３
SiO2の代わりにSi／SiO2混合粉末を用い、ま
た、焼成雰囲気を酸素分圧の調節可能な雰囲気と
した以外は実施例１と同様にして焼結体を作製
し、次いでITO膜を作製した。
た、焼成雰囲気を酸素分圧の調節可能な雰囲気と
した以外は実施例１と同様にして焼結体を作製
し、次いでITO膜を作製した。
かくして得られた焼結体の耐熱性及び焼結体の
導電性は実施例１の場合と同様に良好なものであ
つた。また、透明導電膜も実施例１と同様であつ
た。
導電性は実施例１の場合と同様に良好なものであ
つた。また、透明導電膜も実施例１と同様であつ
た。
実施例 ４
SiO2の代わりにGeO2を用いた以外は実施例１
と同様にして焼結体を作製し、次いで透明導電膜
を作製した。
と同様にして焼結体を作製し、次いで透明導電膜
を作製した。
かくして得られた焼結体の相対密度（第１図中
の曲線２）及び焼結体の比抵抗（第２図中の曲線
２）は、実施例１と同様に良好なものであつた。
また、透明導電膜も実施例１と同様であつた。
の曲線２）及び焼結体の比抵抗（第２図中の曲線
２）は、実施例１と同様に良好なものであつた。
また、透明導電膜も実施例１と同様であつた。
実施例 ５
純度99.99％以上のIn2O3及びSnO2をモル比で
91：９の割合で混合した粉末に対して、純度
99.99％以上のSiO2を各々０、0.5、1.0及び1.5モ
ル％の割合で混合した混合粉末を調製し、各々を
圧力500Kg／cm2でプレス成形して、空気中、1450
℃で２時間焼成することにより、直径80mm、厚み
５mmの円盤状ITO膜形成用焼結体を得た。
91：９の割合で混合した粉末に対して、純度
99.99％以上のSiO2を各々０、0.5、1.0及び1.5モ
ル％の割合で混合した混合粉末を調製し、各々を
圧力500Kg／cm2でプレス成形して、空気中、1450
℃で２時間焼成することにより、直径80mm、厚み
５mmの円盤状ITO膜形成用焼結体を得た。
次いでこれらの焼結体を高周波マグネトロンス
パツタリング装置のターゲツト材として使用し、
下記の条件下でスパツタリングを行い、透明導電
膜を作製した。
パツタリング装置のターゲツト材として使用し、
下記の条件下でスパツタリングを行い、透明導電
膜を作製した。
スパツタリング条件
使用ガス：Ar＋O2（O2は１モル％）
スパツタ圧力：５ｍTorr
スパツタ電力：200W
基板温度：400℃
スパツタリング中、焼結体ターゲツトには何等
異常なしでITO膜を形成することができた。形成
されたITO膜は膜欠陥がなく、良好な透明性を示
す膜であつた。その膜の体積抵抗率は第３図の曲
線３に示す通りであつた。
異常なしでITO膜を形成することができた。形成
されたITO膜は膜欠陥がなく、良好な透明性を示
す膜であつた。その膜の体積抵抗率は第３図の曲
線３に示す通りであつた。
また、0.5モル％のSiO2を添加した焼結体を使
用して得たITO膜の耐熱性については、加熱処理
温度と体積抵抗率との関係で求めたところ第４図
の曲線５に示す通りであつた。また、基板温度を
室温とした以外は同様の条件で作製したITO膜に
ついては、第４図の曲線８で示す通りであつた。
用して得たITO膜の耐熱性については、加熱処理
温度と体積抵抗率との関係で求めたところ第４図
の曲線５に示す通りであつた。また、基板温度を
室温とした以外は同様の条件で作製したITO膜に
ついては、第４図の曲線８で示す通りであつた。
比較のため、SiO2を添加しない以外は同様の
条件下で作製したITO膜の耐熱性を調べたとこ
ろ、第４図の曲線７及び１０に示す通りであつ
た。曲線７は基板温度が400℃の場合であり、曲
線１０は基板温度が室温の場合である。
条件下で作製したITO膜の耐熱性を調べたとこ
ろ、第４図の曲線７及び１０に示す通りであつ
た。曲線７は基板温度が400℃の場合であり、曲
線１０は基板温度が室温の場合である。
実施例 ６
SiO2の代わりにGeO2を用いた以外は実施例５
と同様にして焼結体ターゲツト及びITO膜を作製
した。
と同様にして焼結体ターゲツト及びITO膜を作製
した。
スパツタリング中、焼結体ターゲツトには同等
異常なしでITO膜を形成することができた。形成
されたITO膜は膜欠陥がなく、良好な透明性を示
す膜であつた。その膜の体積抵抗率は第３図の曲
線４に示す通りであつた。
異常なしでITO膜を形成することができた。形成
されたITO膜は膜欠陥がなく、良好な透明性を示
す膜であつた。その膜の体積抵抗率は第３図の曲
線４に示す通りであつた。
また、同様に0.5モル％のGeO2を添加した焼結
体を使用して得たITO膜の耐熱性については、加
熱処理温度と体積抵抗率との関係で求めたところ
第４図の曲線６及び９で示す通りであつた。曲線
６は基板温度が400℃の場合であり、曲線９は基
板温度が室温の場合である。
体を使用して得たITO膜の耐熱性については、加
熱処理温度と体積抵抗率との関係で求めたところ
第４図の曲線６及び９で示す通りであつた。曲線
６は基板温度が400℃の場合であり、曲線９は基
板温度が室温の場合である。
第３図及び第４図（曲線５と曲線７との比較及
び曲線８と曲線１０との比較）から明らかなよう
に、酸化珪素又は酸化ゲルマニウムを含有する本
発明の酸化インジウム系透明導電膜は、それらを
含有しない酸化インジウム系透明導電膜よりも体
積抵抗率がかなり低い。
び曲線８と曲線１０との比較）から明らかなよう
に、酸化珪素又は酸化ゲルマニウムを含有する本
発明の酸化インジウム系透明導電膜は、それらを
含有しない酸化インジウム系透明導電膜よりも体
積抵抗率がかなり低い。
また、第４図から明らかなように、酸化珪素又
は酸化ゲルマニウムを含有する本発明の酸化イン
ジウム系透明導電膜は、それらを含有しない酸化
インジウム系透明導電膜よりも耐熱性がかなり良
好である。
は酸化ゲルマニウムを含有する本発明の酸化イン
ジウム系透明導電膜は、それらを含有しない酸化
インジウム系透明導電膜よりも耐熱性がかなり良
好である。
尚、実施例５および６の場合と同じ混合粉末を
用いて電子ビーム蒸着用のペレツトを作製し、電
子ビーム蒸着によりITO膜を作製した。この時の
電子ビーム蒸着条件は次の通りであつた： 真空度：５×10-6Torr 蒸着速度：10Å／sec 蒸着後、空気中、400℃で１時間の熱処理を施
したところ、SiO2同じGeO2の各々の好適な含量
範囲においては膜欠陥がなく、実施例５及び実施
例６で作製した膜体に近い導電性、透明性及び耐
熱性を示した。
用いて電子ビーム蒸着用のペレツトを作製し、電
子ビーム蒸着によりITO膜を作製した。この時の
電子ビーム蒸着条件は次の通りであつた： 真空度：５×10-6Torr 蒸着速度：10Å／sec 蒸着後、空気中、400℃で１時間の熱処理を施
したところ、SiO2同じGeO2の各々の好適な含量
範囲においては膜欠陥がなく、実施例５及び実施
例６で作製した膜体に近い導電性、透明性及び耐
熱性を示した。
［発明の効果］
本発明の酸化インジウム系透明導電膜は、従来
の酸化インジウム系透明導電膜に比べて体積抵抗
率が小さく、従つて同じシート抵抗ならば膜厚を
従来よりも薄くすることができ、それで膜の透明
性が向上し、パターニングが容易になる等の利点
がある。また、従来と同じ膜厚とした場合には本
発明の酸化インジウム系透明導電膜シート抵抗が
より低くなり、それで配線による電圧降下も小さ
くなるので大面積の表示デバイス等が可能にな
る。更に本発明酸化インジウム系透明導電膜は
SiO2やGeO2の添加により、膜中の酸素欠陥を増
大させることなしで高導電性を発現させることが
できるため、耐熱性も著しく向上している。
の酸化インジウム系透明導電膜に比べて体積抵抗
率が小さく、従つて同じシート抵抗ならば膜厚を
従来よりも薄くすることができ、それで膜の透明
性が向上し、パターニングが容易になる等の利点
がある。また、従来と同じ膜厚とした場合には本
発明の酸化インジウム系透明導電膜シート抵抗が
より低くなり、それで配線による電圧降下も小さ
くなるので大面積の表示デバイス等が可能にな
る。更に本発明酸化インジウム系透明導電膜は
SiO2やGeO2の添加により、膜中の酸素欠陥を増
大させることなしで高導電性を発現させることが
できるため、耐熱性も著しく向上している。
第１図は本発明の酸化インジウム系透明導電膜
を形成する際に蒸着基材として用いるのに適した
酸化インジウム系焼結体の相対密度とSi又はGe
の含有量との関係を示すグラフである。第２図は
同じく蒸着基材として用いるのに適した酸化イン
ジウム系焼結体の比抵抗とSi又はGeの含有量と
の関係を示すグラフである。第３図は本発明の酸
化インジウム系透明導電膜の体積抵抗率とSi又は
Geの含有量との関係を示すグラフである。第４
図は本発明の酸化インジウム系透明導電膜及び従
来の酸化インジウム系透明導電膜の熱処理温度と
体積抵抗率との関係を示すグラフである。
を形成する際に蒸着基材として用いるのに適した
酸化インジウム系焼結体の相対密度とSi又はGe
の含有量との関係を示すグラフである。第２図は
同じく蒸着基材として用いるのに適した酸化イン
ジウム系焼結体の比抵抗とSi又はGeの含有量と
の関係を示すグラフである。第３図は本発明の酸
化インジウム系透明導電膜の体積抵抗率とSi又は
Geの含有量との関係を示すグラフである。第４
図は本発明の酸化インジウム系透明導電膜及び従
来の酸化インジウム系透明導電膜の熱処理温度と
体積抵抗率との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 酸化インジウム、又は酸化インジウム及び酸
化錫を含み、更に酸化珪素及び／又は酸化ゲルマ
ニウムを含有しており、その珪素及び／又はゲル
マニウムの含有量がインジウム１モル当り0.0001
〜0.6モルである酸化インジウム系焼結体を透明
導電膜の成膜原料として用いることを特徴とする
酸化インジウム系透明銅電膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016146A JPS62202415A (ja) | 1984-12-06 | 1987-01-28 | 酸化インジウム系透明導電膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256566A JPS61136954A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体 |
| JP62016146A JPS62202415A (ja) | 1984-12-06 | 1987-01-28 | 酸化インジウム系透明導電膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202415A JPS62202415A (ja) | 1987-09-07 |
| JPH054768B2 true JPH054768B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=26352408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62016146A Granted JPS62202415A (ja) | 1984-12-06 | 1987-01-28 | 酸化インジウム系透明導電膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202415A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01259320A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板又は電極板ブランクの製造方法 |
| JPH01259319A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板ブランク及び電極板 |
| JPH0668935B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1994-08-31 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲット |
| JP2001307553A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Geomatec Co Ltd | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
| TWI254080B (en) | 2002-03-27 | 2006-05-01 | Sumitomo Metal Mining Co | Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescence device |
| WO2010035716A1 (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-01 | 日鉱金属株式会社 | 透明導電膜製造用の酸化物焼結体 |
| JP6080399B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2017-02-15 | ジオマテック株式会社 | 透明導電膜 |
| WO2014168073A1 (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、その製造方法及び光記録媒体用保護膜 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5940624A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Nissan Chem Ind Ltd | 表示パネル用フイルム |
| JPS61136954A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656006B2 (ja) * | 1987-07-17 | 1994-07-27 | 沖舘鉄工有限会社 | 降雪の処理装置 |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP62016146A patent/JPS62202415A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5940624A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Nissan Chem Ind Ltd | 表示パネル用フイルム |
| JPS61136954A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62202415A (ja) | 1987-09-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |