JPH01259319A - 表示装置用電極板ブランク及び電極板 - Google Patents
表示装置用電極板ブランク及び電極板Info
- Publication number
- JPH01259319A JPH01259319A JP8850088A JP8850088A JPH01259319A JP H01259319 A JPH01259319 A JP H01259319A JP 8850088 A JP8850088 A JP 8850088A JP 8850088 A JP8850088 A JP 8850088A JP H01259319 A JPH01259319 A JP H01259319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode plate
- ito film
- tin oxide
- display device
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- -1 acroyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000007447 staining method Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、各種表示装置、液晶デイスプレィ及び液晶を
用いた表示・入力装置などに用いられる表示装置用電極
板ブランク及び電極板に関する。
用いた表示・入力装置などに用いられる表示装置用電極
板ブランク及び電極板に関する。
〈従来の技術〉
高密度表示の液晶デイスプレィは画素や端子部のピンチ
が１００μｍ付近と透明電極の微細なパタニングを要求
しつつある。同時に大画面化しつつある。これに伴って
液晶駆動の観点から透明電極の低抵抗化がさらに望まれ
ている。
が１００μｍ付近と透明電極の微細なパタニングを要求
しつつある。同時に大画面化しつつある。これに伴って
液晶駆動の観点から透明電極の低抵抗化がさらに望まれ
ている。
加えて、液晶デイスプレィのカラー化も進展しつつある
。カラー液晶デイスプレィに用いられるカラーフィルタ
ーの付いた表示装置用電極板において、カラーフィルタ
ーの上に透明電極を形成するいわゆる“上ＩＴＯ”構成
が好ましい。上ＩＴＯは、カラーフィルターの下に透明
電極を形成したものより液晶駆動が容易で、かつ液晶デ
イスプレィとしての表示品位が格段に良い。
。カラー液晶デイスプレィに用いられるカラーフィルタ
ーの付いた表示装置用電極板において、カラーフィルタ
ーの上に透明電極を形成するいわゆる“上ＩＴＯ”構成
が好ましい。上ＩＴＯは、カラーフィルターの下に透明
電極を形成したものより液晶駆動が容易で、かつ液晶デ
イスプレィとしての表示品位が格段に良い。
良好な比抵抗、例えば２Ｘ１０−’Ωｃｍを得るため、
２００°Ｃ〜４００°Ｃの基板加熱を行なってＩＴＯ（
酸化インジウム−酸化錫）の成膜を行なった後、エツチ
ング加工して透明電極とすることが一般的である。
２００°Ｃ〜４００°Ｃの基板加熱を行なってＩＴＯ（
酸化インジウム−酸化錫）の成膜を行なった後、エツチ
ング加工して透明電極とすることが一般的である。
）！Ｅ仮加熱を行なう場合、良い比抵抗を得るためＩＴ
Ｏ中の酸化錫量を１０重量パーセントとした酸化インジ
ウム基材のターゲットを用いることは知られている。
Ｏ中の酸化錫量を１０重量パーセントとした酸化インジ
ウム基材のターゲットを用いることは知られている。
基板温度を室温付近としたスパッタリング（特に直流電
源を用いた例）では１．酸化錫量を５重量パーセントの
場合に低温スパッタリングとしては良好な４Ｘ１０−’
Ω（Ｉｉの比抵抗のＩＴＯ膜が得られることは知られて
いる。
源を用いた例）では１．酸化錫量を５重量パーセントの
場合に低温スパッタリングとしては良好な４Ｘ１０−’
Ω（Ｉｉの比抵抗のＩＴＯ膜が得られることは知られて
いる。
〈発明が解決しようとする課題〉
透明電極の低抵抗化のため、ＩＴＯ中の酸化錫量を１０
重量パーセント以上とすると、エツチングによるパター
ンの切れ及び形状が悪くなり、ピッチ１００ μｍ以下
の微細パターンのパタニングは技術的に困難であった。
重量パーセント以上とすると、エツチングによるパター
ンの切れ及び形状が悪くなり、ピッチ１００ μｍ以下
の微細パターンのパタニングは技術的に困難であった。
表示装置用電極板におけるＩＴＯ膜中の酸化錫量を５重
量パーセン１−とじたもので５比抵抗が４×ｉｏ−’Ω
（ｍレヘルのものは知られている。しかし、４Ｘ１０−
’ΩｃＩ１１の比抵抗では２Ｘ１０−’ΩＣｆｆ１のＩ
ＴＯＭと同じ面積抵抗値を得るためには２倍の膜厚に設
定しなければならなず不経済である。さらに、前記ＩＴ
Ｏ膜中の酸化錫量を５重量パーセントとした電極板は単
純に室温膜付のものがしられているのみであり、このよ
うなものは熱的影口を受け、抵抗値が変化し易い致命的
な欠点がある。単純な室温膜付の場合、酸化錫量の最適
値は５重足パーセントで、酸化錫量がこの値より増減す
ると比抵抗の値は悪くなる。
量パーセン１−とじたもので５比抵抗が４×ｉｏ−’Ω
（ｍレヘルのものは知られている。しかし、４Ｘ１０−
’ΩｃＩ１１の比抵抗では２Ｘ１０−’ΩＣｆｆ１のＩ
ＴＯＭと同じ面積抵抗値を得るためには２倍の膜厚に設
定しなければならなず不経済である。さらに、前記ＩＴ
Ｏ膜中の酸化錫量を５重量パーセントとした電極板は単
純に室温膜付のものがしられているのみであり、このよ
うなものは熱的影口を受け、抵抗値が変化し易い致命的
な欠点がある。単純な室温膜付の場合、酸化錫量の最適
値は５重足パーセントで、酸化錫量がこの値より増減す
ると比抵抗の値は悪くなる。
したがって、本発明は、エツチング後のパターン形状が
良好であり、しかも比抵抗が低いという両方の特徴と兼
ね備えた表示装置層重極板ブランクを提供することを目
的とする。
良好であり、しかも比抵抗が低いという両方の特徴と兼
ね備えた表示装置層重極板ブランクを提供することを目
的とする。
更に本発明は、エツチングパターン形状が良好であり、
しかも比抵抗が低いという両方の特徴を兼ね備えた表示
装置用電極板を提供することを目的とする。
しかも比抵抗が低いという両方の特徴を兼ね備えた表示
装置用電極板を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するため、本発明における表示装置用電
極板ブランクは、透明基板上に形成されているＩＴＯ膜
中に含まれる酸化錫の量は６〜９重量パーセントであっ
て、しかも前記ＩＴＯの結晶は（２２２）面の配向度が
高いものである。更に前記透明基板とＩＴＯ膜との間に
少なくともカラーフィルター層を有せしめてもよい。あ
るいはＩＴＯ膜の上にカラーフィルター層を有せしめて
もよい。また本発明においては、前記ＩＴＯ膜をパター
ン状にすることによって表示装置用電極板とすることが
できるものである。
極板ブランクは、透明基板上に形成されているＩＴＯ膜
中に含まれる酸化錫の量は６〜９重量パーセントであっ
て、しかも前記ＩＴＯの結晶は（２２２）面の配向度が
高いものである。更に前記透明基板とＩＴＯ膜との間に
少なくともカラーフィルター層を有せしめてもよい。あ
るいはＩＴＯ膜の上にカラーフィルター層を有せしめて
もよい。また本発明においては、前記ＩＴＯ膜をパター
ン状にすることによって表示装置用電極板とすることが
できるものである。
本発明においては前記カラーフィル−層を設【３た場合
にはカラーフィルター層を保護するために該カラーフィ
ルター層の上に更にオーバーコート層を設けておくこと
が好ましい。
にはカラーフィルター層を保護するために該カラーフィ
ルター層の上に更にオーバーコート層を設けておくこと
が好ましい。
本発明においては、必要に応じて、座標位置入力などの
表示以外の目的に対応するため、カラーフィルター層を
形成する前にガラス板上に金属薄膜によるセンス線、も
しくはＴＰＴやダイオード素子などの薄膜半導体パター
ンを形成しても良い。
表示以外の目的に対応するため、カラーフィルター層を
形成する前にガラス板上に金属薄膜によるセンス線、も
しくはＴＰＴやダイオード素子などの薄膜半導体パター
ンを形成しても良い。
本発明に、採用できるカラーフィルターは無機の酸化物
の多層干渉フィルター、顔料等の蒸着フィルター、印刷
フィルター、染色フィルターなど種々可能である。オー
バーコート材料は、ＳｉＪやＭｇＯ１＾Ｌ２０３ など
無機の酸化物あるいは、ペプチド樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン
樹脂、他種々の耐熱性樹脂であっても良い。無機材料と
を機材料の２層構成であっても良い。オーバーコートに
有機材料を用いる場合は基板周囲（透明電極の端子部）
は形成しない方が良い。好ましくは、印１りもしくはフ
ォトリソグラフィの手法でオーバーコートをパタニング
しておくこと望ましい。パタニング加工用樹脂は前述の
樹脂の他、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、タレゾールノボランク型
エポキシ樹脂などが採用可能である。
の多層干渉フィルター、顔料等の蒸着フィルター、印刷
フィルター、染色フィルターなど種々可能である。オー
バーコート材料は、ＳｉＪやＭｇＯ１＾Ｌ２０３ など
無機の酸化物あるいは、ペプチド樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン
樹脂、他種々の耐熱性樹脂であっても良い。無機材料と
を機材料の２層構成であっても良い。オーバーコートに
有機材料を用いる場合は基板周囲（透明電極の端子部）
は形成しない方が良い。好ましくは、印１りもしくはフ
ォトリソグラフィの手法でオーバーコートをパタニング
しておくこと望ましい。パタニング加工用樹脂は前述の
樹脂の他、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、タレゾールノボランク型
エポキシ樹脂などが採用可能である。
本発明は透明電極上に更に金属薄膜やめっきによるパタ
ーンを形成しても良い。これら金属薄膜やめつきによる
パターンを介して液晶駆動用のＩＣ’やダイオードを表
面実装することは可能である。
ーンを形成しても良い。これら金属薄膜やめつきによる
パターンを介して液晶駆動用のＩＣ’やダイオードを表
面実装することは可能である。
〈作用〉
本発明の表示装置用電極板ブランクは透明基板上にＩＴ
Ｏ膜を有するものであり、前記ＩＴＯ膜は酸化錫を６〜
９重にパーセント含有していると共に前記ＩＴＯ膜の結
晶は（２２２）面の配向度が高いものである。前記酸化
錫の含有星が６〜９重量パーセントであるため、比抵抗
が低くなり、しかも前記ＩＴＯ膜の結晶は（２２２）面
の配向度が高いものであるためにこのブランクをエツチ
ングした場合にもパターン形状が良好になる。
Ｏ膜を有するものであり、前記ＩＴＯ膜は酸化錫を６〜
９重にパーセント含有していると共に前記ＩＴＯ膜の結
晶は（２２２）面の配向度が高いものである。前記酸化
錫の含有星が６〜９重量パーセントであるため、比抵抗
が低くなり、しかも前記ＩＴＯ膜の結晶は（２２２）面
の配向度が高いものであるためにこのブランクをエツチ
ングした場合にもパターン形状が良好になる。
また、透明基板上にＩＴＯ膜がパターン状に形成された
表示装置用電極板である本発明の電極板において、特に
ＩＴＯ膜中の酸化錫の量は６〜９重量パーセントである
ため、比抵抗が低く、しかもＩＴＯ膜の結晶が（２２２
）面へ配向度が高いためにパターン形状を良好とするこ
とが可能である。
表示装置用電極板である本発明の電極板において、特に
ＩＴＯ膜中の酸化錫の量は６〜９重量パーセントである
ため、比抵抗が低く、しかもＩＴＯ膜の結晶が（２２２
）面へ配向度が高いためにパターン形状を良好とするこ
とが可能である。
本発明において、ＩＴＯ膜中の酸化錫の量を６〜９重量
パーセントにしたのは次の理由による。
パーセントにしたのは次の理由による。
すなわち、前記酸化錫の量を９重量パーセントよりも多
くした場合には、１５０°Ｃよりも低い基板温度にてス
パッタリング法にて［ＴＯＩｌｌを形成させても比抵抗
が大きくなってしまう。また基板温度が高い場合にはそ
の結晶面は（４００）面へ配列してしまう。このものは
電極板形成のためのエツチング時のパターン形状をきれ
いにすることができず、いわゆるエツチングの抜けが悪
いという状態を示してしまう。
くした場合には、１５０°Ｃよりも低い基板温度にてス
パッタリング法にて［ＴＯＩｌｌを形成させても比抵抗
が大きくなってしまう。また基板温度が高い場合にはそ
の結晶面は（４００）面へ配列してしまう。このものは
電極板形成のためのエツチング時のパターン形状をきれ
いにすることができず、いわゆるエツチングの抜けが悪
いという状態を示してしまう。
また、［ＴＯ成膜中酸化錫の量を６重量パーセントより
も少なくすると比抵抗の値が大きくなってしまう。
も少なくすると比抵抗の値が大きくなってしまう。
〈実施例１〉
厚さ１ｍ＋ａのフロートガラス（青板）である透明な基
板上に、７重量パーセントの酸化錫含有する酸化インジ
ウム基材（ＩＴＯ基材）のターゲットを用いて、高周波
スパッタリング装置にてスパッタリングを行なった。
板上に、７重量パーセントの酸化錫含有する酸化インジ
ウム基材（ＩＴＯ基材）のターゲットを用いて、高周波
スパッタリング装置にてスパッタリングを行なった。
この場合のスパッタリングは０．２Ｘ酸素を含有するア
ルゴンガスを導入しながら、基板の加熱なしに（室温に
て） 、ＵＶの出力にて行ない、形成されたＩＴＯ膜の
厚さは２４００人とした。このときの光の透過率はエア
ーレフアンスで約６８％であり、ＩＴＯ膜はアモルファ
ス状態であり、面積抵抗値は約３７Ω／口であった。
ルゴンガスを導入しながら、基板の加熱なしに（室温に
て） 、ＵＶの出力にて行ない、形成されたＩＴＯ膜の
厚さは２４００人とした。このときの光の透過率はエア
ーレフアンスで約６８％であり、ＩＴＯ膜はアモルファ
ス状態であり、面積抵抗値は約３７Ω／口であった。
次にこうしてＩＴＯ膜を形成させた基材を２００ °Ｃ
にて３０分間オーブン内で熱処理し、て表示装置用電極
板ブランクとした。
にて３０分間オーブン内で熱処理し、て表示装置用電極
板ブランクとした。
このブランクの光透過率は前記出回様のエアーレフアン
スで約８５χであり、面積抵抗値は約９Ωノロ（比抵抗
２．２ Ｘｌ０−’Ωｃｍ ）であり、またＩＴＯ膜の
結晶は（２２２）の配向度の高いものとなっていた。こ
のものはエンチング処理により表示装置用電極板とする
ことができたが、そのエンチングパーンの形状はサイド
エッチがほとんどなくきわめて良好なものであった。
スで約８５χであり、面積抵抗値は約９Ωノロ（比抵抗
２．２ Ｘｌ０−’Ωｃｍ ）であり、またＩＴＯ膜の
結晶は（２２２）の配向度の高いものとなっていた。こ
のものはエンチング処理により表示装置用電極板とする
ことができたが、そのエンチングパーンの形状はサイド
エッチがほとんどなくきわめて良好なものであった。
〈実施例２〉
実施例１で用いたのと同様の基板上に公知の技術である
レリーフ染色法によって緑（Ｇ）、赤（Ｒ）、青（Ｂ）
と順次３色のカラーフィルター層を形成した。このフィ
ルター層の厚みは約１．８μｍであった。このカラーフ
ィルター上に、フェノールノボラック系エポキシ樹脂と
無水ジカルボン酸の反応物（アクロイル基を付加して感
光性をもたせである）のポリマーを乾燥後の膜厚で約１
μｍになるようにコーティングした。
レリーフ染色法によって緑（Ｇ）、赤（Ｒ）、青（Ｂ）
と順次３色のカラーフィルター層を形成した。このフィ
ルター層の厚みは約１．８μｍであった。このカラーフ
ィルター上に、フェノールノボラック系エポキシ樹脂と
無水ジカルボン酸の反応物（アクロイル基を付加して感
光性をもたせである）のポリマーを乾燥後の膜厚で約１
μｍになるようにコーティングした。
乾燥後紫外線で露光し、未露光部を炭酸ナトリウム水溶
液で現像除去し、オーバーコート層とした。次にこのも
のに更に実施例１と同様にして、ＩＴＯ膜のスパッタリ
ングによる成膜処理とその後に続く加熱処理を行なった
。こうして得られた表示装置用電極板ブランクは、実施
例１と同様の特性を有し、更にカラーフィルター層を有
しているものであった。
液で現像除去し、オーバーコート層とした。次にこのも
のに更に実施例１と同様にして、ＩＴＯ膜のスパッタリ
ングによる成膜処理とその後に続く加熱処理を行なった
。こうして得られた表示装置用電極板ブランクは、実施
例１と同様の特性を有し、更にカラーフィルター層を有
しているものであった。
〈実施例３〉
厚さ１鵬のフロートガラス（青板）である透明な基板に
公知の技術であるレリーフ染色法によって緑（Ｇ）、赤
（Ｒ）、青（Ｂ）と順次３色のがら−フィルターを形成
した。厚みは約１．８μｍである。該カラーフィルター
上にフェノールのボラツク系エポキシ１Δ４脂と無水ジ
カルボン酸の反応物（アクロイル基を付加して感光性を
もたせである）のポリマーを乾燥後のｌＩ２厚で約１１
１ｍになるようにコーティングした。乾燥後紫外線で露
光し、未露光部を炭酸ナトリウム水溶液で現像除去し、
オーバーコート層とした。次に高周波スパッタリング装
置に７重量パーセント酸化錫を合作する酸化インジウム
基材のターゲストを用いてスパッタリグを行なった。
公知の技術であるレリーフ染色法によって緑（Ｇ）、赤
（Ｒ）、青（Ｂ）と順次３色のがら−フィルターを形成
した。厚みは約１．８μｍである。該カラーフィルター
上にフェノールのボラツク系エポキシ１Δ４脂と無水ジ
カルボン酸の反応物（アクロイル基を付加して感光性を
もたせである）のポリマーを乾燥後のｌＩ２厚で約１１
１ｍになるようにコーティングした。乾燥後紫外線で露
光し、未露光部を炭酸ナトリウム水溶液で現像除去し、
オーバーコート層とした。次に高周波スパッタリング装
置に７重量パーセント酸化錫を合作する酸化インジウム
基材のターゲストを用いてスパッタリグを行なった。
この場合のスパ７・タリングは０．２χ酸素を合作する
アルゴンガスを導入しながら、基板加熱なしにＩＫＷの
出力にて行ない、形成したＩＴＯの膜厚は２４００人で
あった。この時の透過率はエアーレファレンスで約６８
χであり、面積抵抗値は約３７Ω／口であった。また、
この状態でのＩＴＯ膜はアモルファス状態であった。次
に公知のフォトリソグラフィの手法でＩＴＯをエンチン
グ、パタニングして透明電極とした。
アルゴンガスを導入しながら、基板加熱なしにＩＫＷの
出力にて行ない、形成したＩＴＯの膜厚は２４００人で
あった。この時の透過率はエアーレファレンスで約６８
χであり、面積抵抗値は約３７Ω／口であった。また、
この状態でのＩＴＯ膜はアモルファス状態であった。次
に公知のフォトリソグラフィの手法でＩＴＯをエンチン
グ、パタニングして透明電極とした。
パタニング後、２００°Ｃにて３０分オーブン内で熱処
理した。熱処理後、透過率は同じレファレンスで約８５
χ３面積抵抗値は約９Ω／コ（比抵抗２．２×１０”’
Ωｃｍ） であった。またこのときの＋ｒｏＨｑは（
２２２）面の配向度の高い結晶であった。また透明電極
′のパターンはサイドエッチがほぼＯｕｍときわめて良
好であった。
理した。熱処理後、透過率は同じレファレンスで約８５
χ３面積抵抗値は約９Ω／コ（比抵抗２．２×１０”’
Ωｃｍ） であった。またこのときの＋ｒｏＨｑは（
２２２）面の配向度の高い結晶であった。また透明電極
′のパターンはサイドエッチがほぼＯｕｍときわめて良
好であった。
このものはカラー表示装置用電極板として使用するため
に極めて良好な適性を有するものであった。
に極めて良好な適性を有するものであった。
〈発明の効果〉
本発明の表示装置用電極板ブランクは透明基板上にＩＴ
Ｏ膜を有するものであり、前記ＩＴＯ膜は酸化錫を６〜
９重世パーセント含有していると共に前記ＩＴＯ膜の結
晶は（２２２）面の配向度の高いものである。前記酸化
錫の含有量が６〜９重廿パーセントであるため、比抵抗
が低くなり、しかも前記ＩＴＯ膜の結晶は（２２２）面
の配向度の高いものであるためにこのブランクをエツチ
ングした場合にもパターン形状が良好になる。
Ｏ膜を有するものであり、前記ＩＴＯ膜は酸化錫を６〜
９重世パーセント含有していると共に前記ＩＴＯ膜の結
晶は（２２２）面の配向度の高いものである。前記酸化
錫の含有量が６〜９重廿パーセントであるため、比抵抗
が低くなり、しかも前記ＩＴＯ膜の結晶は（２２２）面
の配向度の高いものであるためにこのブランクをエツチ
ングした場合にもパターン形状が良好になる。
また、透明基板上にＩＴＯ膜がパターン状に形成とれた
表示装置用電極板である本発明の電極において、特にＩ
ＴＯ膜中の酸化錫の量は６〜９Ｎ叶パーセントであるた
めに比抵抗が低く、しかもＩＴＯ膜の結晶が（２２２）
面へ配向度が高いためにパターン形状を良好とすること
が可能である。
表示装置用電極板である本発明の電極において、特にＩ
ＴＯ膜中の酸化錫の量は６〜９Ｎ叶パーセントであるた
めに比抵抗が低く、しかもＩＴＯ膜の結晶が（２２２）
面へ配向度が高いためにパターン形状を良好とすること
が可能である。
特 許 出 願 人
凸版印刷株式会社
代表者 鈴木和夫
Claims (4)
- （１）透明基板上にＩＴＯ膜を有する表示装置用電極板
ブランクであって、前記ＩＴＯ膜は酸化錫を６〜９重量
パーセント含有していると共に、その結晶は（２２２）
面の配向度が高いものであることを特徴とする表示装置
用電極板ブランク。 - （２）前記透明基板とＩＴＯ膜との間に少なくともカラ
ーフィルター層を有することを特徴とする請求項１記載
の表示装置用電極板ブランク。 - （３）透明基板上にＩＴＯ膜がパタン状に形成された表
示装置用電極板であって、前記ＩＴＯ膜は酸化錫を６〜
９重量パーセント含有していると共に、その結晶は（２
２２）面の配向度が高いものであることを特徴とする表
示装置用電極板。 - （４）前記透明基板とＩＴＯ膜との間に少なくともカラ
ーフィルター層を有することを特徴とする請求項３記載
の表示装置用電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8850088A JPH01259319A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 表示装置用電極板ブランク及び電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8850088A JPH01259319A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 表示装置用電極板ブランク及び電極板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259319A true JPH01259319A (ja) | 1989-10-17 |
Family
ID=13944545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8850088A Pending JPH01259319A (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | 表示装置用電極板ブランク及び電極板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01259319A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124102A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | 旭硝子株式会社 | 導体 |
| JPS61143724A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネル |
| JPS61215527A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示装置用電極板の製造方法 |
| JPS6212009A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 昭和電工株式会社 | 酸化インジウム系低抵抗透明薄膜の形成方法 |
| JPS62202415A (ja) * | 1984-12-06 | 1987-09-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系透明導電膜の製造法 |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP8850088A patent/JPH01259319A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124102A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-01 | 旭硝子株式会社 | 導体 |
| JPS62202415A (ja) * | 1984-12-06 | 1987-09-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系透明導電膜の製造法 |
| JPS61143724A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶パネル |
| JPS61215527A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示装置用電極板の製造方法 |
| JPS6212009A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 昭和電工株式会社 | 酸化インジウム系低抵抗透明薄膜の形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2808480B2 (ja) | 液晶カラー表示素子用基板の製造方法 | |
| JP2839829B2 (ja) | 透明導電膜、その形成方法および透明導電膜の加工方法 | |
| JPS63131103A (ja) | カラ−フイルタ− | |
| JPH063506B2 (ja) | カラー液晶表示用透明基板 | |
| JPH01259319A (ja) | 表示装置用電極板ブランク及び電極板 | |
| JPH01259320A (ja) | 表示装置用電極板又は電極板ブランクの製造方法 | |
| KR100325119B1 (ko) | 칼라필터기판의제조방법 | |
| JP4038846B2 (ja) | 液晶表示装置用カラーフィルターの製造方法 | |
| KR960000260B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2001330712A (ja) | 透明光拡散機能膜、カラーフィルターおよび液晶表示装置 | |
| JP3027622B2 (ja) | カラーフィルターの製造方法 | |
| JPH0237327A (ja) | 表示装置用電極板 | |
| JP2002333516A (ja) | 透明基板および透明基板の製造方法 | |
| JPH02140704A (ja) | カラーフィルタ | |
| JPH03167522A (ja) | 透明パネルヒーターを有する液晶素子 | |
| JP2005084493A (ja) | カラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板 | |
| JPH0453407B2 (ja) | ||
| JPH06308319A (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
| JPH08220327A (ja) | カラーフィルタ | |
| JPH05224220A (ja) | 液晶表示素子用基板のパタ−ン形成方法 | |
| JPS561016A (en) | Production of liquid crystal display device | |
| JPS6385720A (ja) | カラ−表示装置用電極板 | |
| JP3283604B2 (ja) | ブラックマトリックス基板用のレリーフ画像 | |
| JPS63197903A (ja) | 透明導電性カラ−フイルタ付基板 | |
| JPH07270612A (ja) | カラーフィルターの製造方法 |