JPH0372011B2 - - Google Patents
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- JPH0372011B2 JPH0372011B2 JP60046782A JP4678285A JPH0372011B2 JP H0372011 B2 JPH0372011 B2 JP H0372011B2 JP 60046782 A JP60046782 A JP 60046782A JP 4678285 A JP4678285 A JP 4678285A JP H0372011 B2 JPH0372011 B2 JP H0372011B2
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- Japan
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- zinc oxide
- transparent conductive
- conductive film
- oxide transparent
- heat
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は耐熱性酸化亜鉛透明導電膜、具体的に
は、広い温度範囲にわたつて抵抗率の変化の小さ
い耐熱性酸化亜鉛透明導電膜に関する。
は、広い温度範囲にわたつて抵抗率の変化の小さ
い耐熱性酸化亜鉛透明導電膜に関する。
（従来の技術）
従来、透明導電膜としては、ITO膜として知ら
れている酸化インジウム−酸化スズ系透明導電膜
が広く実用に供されている。このITO膜は、光学
的特性、電気的特性および耐熱性に優れている
が、原材料のインジウムが希少金属であるため資
源的に問題があり、また高価であるという問題が
あつた。最近、安価な酸化亜鉛が透明導電膜用材
料として注目されている。
れている酸化インジウム−酸化スズ系透明導電膜
が広く実用に供されている。このITO膜は、光学
的特性、電気的特性および耐熱性に優れている
が、原材料のインジウムが希少金属であるため資
源的に問題があり、また高価であるという問題が
あつた。最近、安価な酸化亜鉛が透明導電膜用材
料として注目されている。
（発明が解決しようとする問題点）
この酸化亜鉛透明導電膜は、ITO膜に比べコス
トが1/10〜1/50と安価であり、常温で使用する限
りにおいてはITO膜と同程度の電気特性および光
学特性を実現できるが、高温域、例えば、200〜
500℃の温度で使用すると、使用後の抵抗率が102
〜1010倍以上に増加するという問題がある。
トが1/10〜1/50と安価であり、常温で使用する限
りにおいてはITO膜と同程度の電気特性および光
学特性を実現できるが、高温域、例えば、200〜
500℃の温度で使用すると、使用後の抵抗率が102
〜1010倍以上に増加するという問題がある。
即ち、従来の酸化亜鉛透明導電膜は常温で
10-4Ωcmオーダの抵抗率を示し、十分実用可能で
あるが、各種雰囲気中で高温にさらされると、第
１図に比較列として示すように、抵抗が真空や不
活性ガス雰囲気中においてさえも、102〜106倍に
増大する。従つて、酸化亜鉛透明導電膜を、例え
ば、エレクトロルミネツセンス素子用透明導電膜
として適用する場合、その製造過程で透明導電膜
は約400℃の真空あるいは不活性ガス雰囲気中は
約１時間放置されることになるため、実用に供す
ることができない。
10-4Ωcmオーダの抵抗率を示し、十分実用可能で
あるが、各種雰囲気中で高温にさらされると、第
１図に比較列として示すように、抵抗が真空や不
活性ガス雰囲気中においてさえも、102〜106倍に
増大する。従つて、酸化亜鉛透明導電膜を、例え
ば、エレクトロルミネツセンス素子用透明導電膜
として適用する場合、その製造過程で透明導電膜
は約400℃の真空あるいは不活性ガス雰囲気中は
約１時間放置されることになるため、実用に供す
ることができない。
このような酸化亜鉛透明導電膜の抵抗率が増大
する原因は、膜中に捕らえられていた酸素が温度
上昇に伴い膜中で化学吸着することによると考え
られる。即ち、酸化亜鉛透明導電膜の低抵抗率が
真性格子欠陥である酸素空孔もしくは格子間亜鉛
の作る浅いドナー準位の存在により実現されてい
るため、酸素の吸着により伝導電子密度が減少
し、結果として抵抗が増大する。従つて、酸化亜
鉛透明導電膜の低抵抗率化が材料固有の真性格子
欠陥に依存する限り、抵抗率増大は材料物性上の
本質的な欠点とも言える。
する原因は、膜中に捕らえられていた酸素が温度
上昇に伴い膜中で化学吸着することによると考え
られる。即ち、酸化亜鉛透明導電膜の低抵抗率が
真性格子欠陥である酸素空孔もしくは格子間亜鉛
の作る浅いドナー準位の存在により実現されてい
るため、酸素の吸着により伝導電子密度が減少
し、結果として抵抗が増大する。従つて、酸化亜
鉛透明導電膜の低抵抗率化が材料固有の真性格子
欠陥に依存する限り、抵抗率増大は材料物性上の
本質的な欠点とも言える。
従つて、本発明は安価に、かつ容易に製造で
き、室温以上の高温度で、各種雰囲気中での使用
に対し抵抗率変化の極めて小さい酸化亜鉛透明導
電膜を得ることを目的とする。
き、室温以上の高温度で、各種雰囲気中での使用
に対し抵抗率変化の極めて小さい酸化亜鉛透明導
電膜を得ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、前記問題を解決するための手段とし
て、酸化亜鉛を主成分とする薄膜に、外因性ドナ
ーとして亜鉛原子に対し１〜20原子％のホウ素、
スカンジウム、ガリウム、イツトリウム、インジ
ウムおよびタリウムからなる群から選ばれた少な
くとも一種の族金属元素を含有させ、前記酸化
亜鉛の結晶格子中の亜鉛原子を前記外因性ドナー
で置換させるようにしたものである。
て、酸化亜鉛を主成分とする薄膜に、外因性ドナ
ーとして亜鉛原子に対し１〜20原子％のホウ素、
スカンジウム、ガリウム、イツトリウム、インジ
ウムおよびタリウムからなる群から選ばれた少な
くとも一種の族金属元素を含有させ、前記酸化
亜鉛の結晶格子中の亜鉛原子を前記外因性ドナー
で置換させるようにしたものである。
本発明によれば、酸化亜鉛を主成分とする薄膜
からなり、該酸化亜鉛の結晶格子中の亜鉛原子が
亜鉛原子に対して１〜20原子％の外因性ドナーで
置換され、該外因性ドナーがホウ素、スカンジウ
ム、ガリウム、イツトリウム、インジウムおよび
タリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種
の族金属元素であつて、可視光透過率が80％以
上、抵抗率が10-4Ωcmオーダー以下であることを
特徴とする耐熱性酸化亜鉛透明導電膜が得られ
る。
からなり、該酸化亜鉛の結晶格子中の亜鉛原子が
亜鉛原子に対して１〜20原子％の外因性ドナーで
置換され、該外因性ドナーがホウ素、スカンジウ
ム、ガリウム、イツトリウム、インジウムおよび
タリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種
の族金属元素であつて、可視光透過率が80％以
上、抵抗率が10-4Ωcmオーダー以下であることを
特徴とする耐熱性酸化亜鉛透明導電膜が得られ
る。
前記族金属の含有量は、酸化亜鉛結晶中の亜
鉛原子に対し１〜20原子％、好ましくは、２〜８
原子％とするのが適当である。これは、含有量が
１原子％未満ではその添加効果が十分に得られ
ず、20原子％を越えると、結晶性が悪化し抵抗率
が増加するからである。なお、族金属の含有量
は、族金属含有透明導電膜の全構成元素に対
し、0.5〜10原子％となる。
鉛原子に対し１〜20原子％、好ましくは、２〜８
原子％とするのが適当である。これは、含有量が
１原子％未満ではその添加効果が十分に得られ
ず、20原子％を越えると、結晶性が悪化し抵抗率
が増加するからである。なお、族金属の含有量
は、族金属含有透明導電膜の全構成元素に対
し、0.5〜10原子％となる。
また、コスト低減の観点から前記群から選ばれ
た族金属のうちの少なくとも一種と共に、アル
ミニウムを含有させるようにしても良い。この場
合、前記群から選ばれた少なくとも一種の族金
属元素を２〜８原子％、アルミニウムの含有量を
１〜８原子％とするのが好ましい。
た族金属のうちの少なくとも一種と共に、アル
ミニウムを含有させるようにしても良い。この場
合、前記群から選ばれた少なくとも一種の族金
属元素を２〜８原子％、アルミニウムの含有量を
１〜８原子％とするのが好ましい。
本発明に係る酸化亜鉛透明導電膜は、スパツタ
法、真空蒸着法、化学気相成長法、陽極酸化法な
どの公知の任意の薄膜形成方法を用いて形成でき
るが、いづれの方法においても、酸化亜鉛膜を酸
素欠乏状態で、即ち、中性ガスもしくは不活性ガ
ス雰囲気中で形成することによつて酸化亜鉛の結
晶格子中に外因性ドナーとして前記族金属を導
入することができる。この場合、前記模作成過程
で、予め原材料に金属元素、金属酸化物、有機金
属およびハロゲン化物等の形態で導入したものを
使用して薄膜を形成するのが好適であるが、酸化
亜鉛透明導電膜形成後に前記族金属元素を熱拡
散やイオン注入する方法を採用することも可能で
ある。
法、真空蒸着法、化学気相成長法、陽極酸化法な
どの公知の任意の薄膜形成方法を用いて形成でき
るが、いづれの方法においても、酸化亜鉛膜を酸
素欠乏状態で、即ち、中性ガスもしくは不活性ガ
ス雰囲気中で形成することによつて酸化亜鉛の結
晶格子中に外因性ドナーとして前記族金属を導
入することができる。この場合、前記模作成過程
で、予め原材料に金属元素、金属酸化物、有機金
属およびハロゲン化物等の形態で導入したものを
使用して薄膜を形成するのが好適であるが、酸化
亜鉛透明導電膜形成後に前記族金属元素を熱拡
散やイオン注入する方法を採用することも可能で
ある。
（作用）
酸化亜鉛は前記族金属を添加しなくても、前
述の真性格子欠陥によるドナー準位により縮退し
たＮ形半導体が比較的容易に得られ、ほぼ1020cm
-3オーダの伝導電子密度を実現できる。これにホ
ウ素、スカンジウム、ガリウム、イツトリウム、
インジウムおよびタリウムからなる群から選ばれ
た少なくとも一種の族金属、例えば、ホウ素を
導入すると、ホウ素原子が外因性ドナー、即ち、
置換型不純物として有効に働き、酸化亜鉛の結晶
格子中の亜鉛原子と置換され、電子を放出してイ
オン化するため、1021cm-3オーダの伝導電子密度
を実現できる。ホウ素原子のような外因性ドナー
は、酸化亜鉛の真性格子欠陥による内因性ドナー
と比較して、高温の酸化性雰囲気中でも膜中で安
定に存在する。このように、族金属を含有する
酸化亜鉛透明導電膜は無添加酸化亜鉛透明導電膜
に比べて、伝導電子密度が約１桁大きいこと、及
びドナーが不純物による外因性であること等の特
性改善によつて耐熱性を実現するものである。
述の真性格子欠陥によるドナー準位により縮退し
たＮ形半導体が比較的容易に得られ、ほぼ1020cm
-3オーダの伝導電子密度を実現できる。これにホ
ウ素、スカンジウム、ガリウム、イツトリウム、
インジウムおよびタリウムからなる群から選ばれ
た少なくとも一種の族金属、例えば、ホウ素を
導入すると、ホウ素原子が外因性ドナー、即ち、
置換型不純物として有効に働き、酸化亜鉛の結晶
格子中の亜鉛原子と置換され、電子を放出してイ
オン化するため、1021cm-3オーダの伝導電子密度
を実現できる。ホウ素原子のような外因性ドナー
は、酸化亜鉛の真性格子欠陥による内因性ドナー
と比較して、高温の酸化性雰囲気中でも膜中で安
定に存在する。このように、族金属を含有する
酸化亜鉛透明導電膜は無添加酸化亜鉛透明導電膜
に比べて、伝導電子密度が約１桁大きいこと、及
びドナーが不純物による外因性であること等の特
性改善によつて耐熱性を実現するものである。
次に、本発明を実施例について説明する。
実施例 １
酸化亜鉛と酸化ガリウム（Ga2O3）とを原料と
して用い、亜鉛原子に対して３原子％のガリウム
を含有する酸化亜鉛からなる焼結体を製造し、こ
れをターゲツトとして用い、高周波マグネトロン
スパツタ装置により、室温に保持したガラス基板
上にガリウム含有酸化亜鉛透明導電膜を形成し
た。
して用い、亜鉛原子に対して３原子％のガリウム
を含有する酸化亜鉛からなる焼結体を製造し、こ
れをターゲツトとして用い、高周波マグネトロン
スパツタ装置により、室温に保持したガラス基板
上にガリウム含有酸化亜鉛透明導電膜を形成し
た。
なお、スパツタリングは、10-4Paにまで減圧
した後、純アルゴンガスを導入し、雰囲気圧力
0.8Paの条件下で行つた。
した後、純アルゴンガスを導入し、雰囲気圧力
0.8Paの条件下で行つた。
得られたガリウム含有酸化亜鉛透明導電膜は、
抵抗率が2.2×10-4Ωcmで、可視光透過率が85％以
上であつた。
抵抗率が2.2×10-4Ωcmで、可視光透過率が85％以
上であつた。
また、この透明導電膜を真空中（真空度
10-4Pa）に配置し、温度を室温から400℃まで上
昇させ、400℃で１時間保持したのち徐冷し、そ
の過程での抵抗の変化を測定し、酸化亜鉛透明導
電膜の抵抗温度特性を求めた。その結果を第１図
に実線で示す。
10-4Pa）に配置し、温度を室温から400℃まで上
昇させ、400℃で１時間保持したのち徐冷し、そ
の過程での抵抗の変化を測定し、酸化亜鉛透明導
電膜の抵抗温度特性を求めた。その結果を第１図
に実線で示す。
図から明らかなように、本発明に係る透明導電
膜は優れた温度特性を示し、しかも、前記高温域
での熱処理によつて可視光透過率の顕著な変化は
認められなかつた。
膜は優れた温度特性を示し、しかも、前記高温域
での熱処理によつて可視光透過率の顕著な変化は
認められなかつた。
比較例 １
高純度酸化亜鉛（ZnO）からなる焼結体をター
ゲツトとして用い、高周波マグネトロンスパツタ
装置により、実施例１と同条件下でガラス基板上
に酸化亜鉛透明導電膜を形成した。
ゲツトとして用い、高周波マグネトロンスパツタ
装置により、実施例１と同条件下でガラス基板上
に酸化亜鉛透明導電膜を形成した。
この酸化亜鉛透明導電膜は、常温での抵抗率が
5.6×10-4Ωcmで、可視光透過率が85％であつた。
また、実施例１と同様にして、酸化亜鉛透明導電
膜の抵抗温度特性を求めたところ、第１図に破線
で示す結果が得られた。
5.6×10-4Ωcmで、可視光透過率が85％であつた。
また、実施例１と同様にして、酸化亜鉛透明導電
膜の抵抗温度特性を求めたところ、第１図に破線
で示す結果が得られた。
第１図の結果から、本発明に係る酸化亜鉛透明
導電膜は、400℃で１時間放置した後でも室温で
の抵抗の変化がほとんどなく、抵抗の温度依存性
が小さく、耐熱性が著しく改善されていることが
わかる。
導電膜は、400℃で１時間放置した後でも室温で
の抵抗の変化がほとんどなく、抵抗の温度依存性
が小さく、耐熱性が著しく改善されていることが
わかる。
実施例 ２
実施例１で調製したガリウム含有酸化亜鉛透明
導電膜について、１気圧のアルゴンガス雰囲気中
での抵抗温度特性を測定したところ、第２図に示
す結果が得られた。
導電膜について、１気圧のアルゴンガス雰囲気中
での抵抗温度特性を測定したところ、第２図に示
す結果が得られた。
さらに、膜厚を50〜1000nｍの範囲で変化させ
てガリウム含有酸化亜鉛透明導電膜を製造し、そ
れらの特性を同様に測定したところ、抵抗の温度
依存性に関する限り膜厚による大きな相異は認め
られなかつた。また、これらの膜は、前記方法に
より500℃まで昇温して１時間保持した後の抵抗
値も、ほぼ第２図と同様の値と傾向を示し、アル
ゴン雰囲気中で使用する場合にもおいても、500
℃までの耐熱性が得られることさ明らかとなつ
た。なお、ここで得た透明導電膜は、熱処理前の
抵抗率が全て10-4Ωcmオーダであつた。
てガリウム含有酸化亜鉛透明導電膜を製造し、そ
れらの特性を同様に測定したところ、抵抗の温度
依存性に関する限り膜厚による大きな相異は認め
られなかつた。また、これらの膜は、前記方法に
より500℃まで昇温して１時間保持した後の抵抗
値も、ほぼ第２図と同様の値と傾向を示し、アル
ゴン雰囲気中で使用する場合にもおいても、500
℃までの耐熱性が得られることさ明らかとなつ
た。なお、ここで得た透明導電膜は、熱処理前の
抵抗率が全て10-4Ωcmオーダであつた。
また、本発明に係る前記ガリウム含有酸化亜鉛
透明導電膜を２重絶縁構造ZnS：Mnエレクトロ
ルミネツサンス素子の透明電極として適用した場
合、従来のITO透明電極を利用した素子に比べて
遜色のない素子が得られた。
透明導電膜を２重絶縁構造ZnS：Mnエレクトロ
ルミネツサンス素子の透明電極として適用した場
合、従来のITO透明電極を利用した素子に比べて
遜色のない素子が得られた。
比較例 ２
比較例１で形成した高純度酸化亜鉛（ZnO）か
らなる酸化亜鉛透明導電膜をアルゴンガス雰囲気
中で実施例と同条件下で熱処理し、その抵抗温度
特性を測定した。その結果を第２図に破線で示
す。
らなる酸化亜鉛透明導電膜をアルゴンガス雰囲気
中で実施例と同条件下で熱処理し、その抵抗温度
特性を測定した。その結果を第２図に破線で示
す。
第２図の結果から、実施例１のガリウム含有酸
化鉛透明導電膜は、不活性ガス中において高温度
にさらされても、優れた耐熱性を示すことがわか
る。
化鉛透明導電膜は、不活性ガス中において高温度
にさらされても、優れた耐熱性を示すことがわか
る。
実施例 ３
酸化亜鉛と酸化硼素（B2O3）とを原料として
用い、亜鉛原子に対して10原子％の硼素(B)を含有
する酸化亜鉛からなる焼結体を製造し、これをタ
ーゲツトとして高周波マグネトロンスパツタ装置
により室温に保持したガラス基板上に、実施例１
と同様の硼素含有酸化亜鉛透明導電膜を形成し
た。
用い、亜鉛原子に対して10原子％の硼素(B)を含有
する酸化亜鉛からなる焼結体を製造し、これをタ
ーゲツトとして高周波マグネトロンスパツタ装置
により室温に保持したガラス基板上に、実施例１
と同様の硼素含有酸化亜鉛透明導電膜を形成し
た。
硼素含有酸化亜鉛透明導電膜と抵抗率は6.0×
10-4Ωcmであつた。また、前記透明導電膜は真空
中あるいは不活性ガス中において、第１図および
第２図に示す実施例のガリウム含有酸化亜鉛透明
導電膜とほぼ同様の抵抗温度特性を示すととも
に、500℃までの耐熱性を示すことが判つた。
10-4Ωcmであつた。また、前記透明導電膜は真空
中あるいは不活性ガス中において、第１図および
第２図に示す実施例のガリウム含有酸化亜鉛透明
導電膜とほぼ同様の抵抗温度特性を示すととも
に、500℃までの耐熱性を示すことが判つた。
実施例 ４
酸化亜鉛粉末と、酸化硼素（B2O3）と酸化ア
ルミニウム（Al2O3）と混合粉とを原料として用
い、亜鉛原子に対して、硼素が2.5原子％、アル
ミニウムが6.5原子％含有される酸化亜鉛からな
る粉末成形体を製造し、これをターゲツトとして
高周波マグネトロンスパツタ装置により室温に保
持したガラス基板上に、実施例１と同様の条件下
で、硼素とアルミニウムを含有した酸化亜鉛透明
導電膜を形成した。
ルミニウム（Al2O3）と混合粉とを原料として用
い、亜鉛原子に対して、硼素が2.5原子％、アル
ミニウムが6.5原子％含有される酸化亜鉛からな
る粉末成形体を製造し、これをターゲツトとして
高周波マグネトロンスパツタ装置により室温に保
持したガラス基板上に、実施例１と同様の条件下
で、硼素とアルミニウムを含有した酸化亜鉛透明
導電膜を形成した。
得られた透明導電膜は抵抗率が2.3×10-4Ωcm
で、真空中あるいは不活性ガス中において、第１
図および第２図に示す実施例のガリウム含有酸化
亜鉛透明導電膜とほぼ同様の抵抗温度特性を示す
とともに、500℃までの耐熱性を示すことが判つ
た。
で、真空中あるいは不活性ガス中において、第１
図および第２図に示す実施例のガリウム含有酸化
亜鉛透明導電膜とほぼ同様の抵抗温度特性を示す
とともに、500℃までの耐熱性を示すことが判つ
た。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
透明導電膜は耐熱性に優れ、ITO膜と同等の電気
特性及び光学特性を示し、しかも主原料である亜
鉛がITO膜の主原料であるインジウムに比べ極め
て安価で、資源的にも豊富で、公害を招くことも
ほとんどなく、製造コストを著しく低減できる。
また、透明導電膜中に含有させる族金属のうち
インジウムおよびガリウムは高価であるが、主原
料で亜鉛であり、族金属元素はドーパントであ
るため、必要とする量はITO膜の1/30以下であ
り、安価となる。また、族金属を含有する酸化
亜鉛透明導電膜の表面は極めて平滑で、かつ膜の
ガラス等の基体に対する付着力が強く、熱的また
は化学的にも機械的にも安定であるので、透明電
極、熱線遮蔽膜、透明ヒータ等の多層コーテイン
グを必要とする用途に適用できるなど優れた効果
が得られる。
透明導電膜は耐熱性に優れ、ITO膜と同等の電気
特性及び光学特性を示し、しかも主原料である亜
鉛がITO膜の主原料であるインジウムに比べ極め
て安価で、資源的にも豊富で、公害を招くことも
ほとんどなく、製造コストを著しく低減できる。
また、透明導電膜中に含有させる族金属のうち
インジウムおよびガリウムは高価であるが、主原
料で亜鉛であり、族金属元素はドーパントであ
るため、必要とする量はITO膜の1/30以下であ
り、安価となる。また、族金属を含有する酸化
亜鉛透明導電膜の表面は極めて平滑で、かつ膜の
ガラス等の基体に対する付着力が強く、熱的また
は化学的にも機械的にも安定であるので、透明電
極、熱線遮蔽膜、透明ヒータ等の多層コーテイン
グを必要とする用途に適用できるなど優れた効果
が得られる。
第１図は本発明に係る酸化亜鉛透明導電膜およ
び従来の酸化亜鉛透明導電膜の真空中での抵抗温
度特性を示すグラフ、第２図は本発明に係る酸化
亜鉛透明導電膜および従来の酸化亜鉛透明導電膜
のアルゴンガス中での抵抗温度特性を示すグラフ
である。
び従来の酸化亜鉛透明導電膜の真空中での抵抗温
度特性を示すグラフ、第２図は本発明に係る酸化
亜鉛透明導電膜および従来の酸化亜鉛透明導電膜
のアルゴンガス中での抵抗温度特性を示すグラフ
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化亜鉛を主成分とする薄膜からなり、前記
酸化亜鉛の結晶格子中の亜鉛原子が亜鉛原子に対
して１〜20原子％の外因性ドナーで置換され、該
外因性ドナーがホウ素、スカンジウム、ガリウ
ム、イツトリウム、インジウムおよびタリウムか
らなる群から選ばれた少なくとも一種の族金属
元素であつて、可視光透過率が80％以上、抵抗率
が10-4Ωcmオーダー以下であることを特徴とする
耐熱性酸化亜鉛透明導電膜。 ２ 少なくとも一種の族金属がホウ素である特
許請求の範囲第１項記載の耐熱性酸化亜鉛透明導
電膜。 ３ 少なくとも一種の族金属がスカンジウムで
ある特許請求の範囲第１項記載の耐熱性酸化亜鉛
透明導電膜。 ４ 少なくとも一種の族金属がガリウムである
特許請求の範囲第１項記載の耐熱性酸化亜鉛透明
導電膜。 ５ 少なくとも一種の族金属がイツトリウムで
ある特許請求の範囲第１項記載の耐熱性酸化亜鉛
透明導電膜。 ６ 少なくとも一種の族金属がインジウムであ
る特許請求の範囲第１項記載の耐熱性酸化亜鉛透
明導電膜。 ７ 少なくとも一種の族金属がタリウムである
特許請求の範囲第１項記載の耐熱性酸化亜鉛透明
導電膜。 ８ 前記少なくとも一種の族金属元素の含有量
が２〜８原子％である特許請求の範囲第１項〜第
７項記載のいずれ一項記載の耐熱性酸化亜鉛透明
導電膜。 ９ 前記少なくとも一種の族金属元素と共に亜
鉛原子に対し１〜８原子％のアルミニウムを含有
してなる特許請求の範囲第９項記載の耐熱性酸化
亜鉛透明導電膜。 １０ 前記族金属元素がホウ素である特許請求
の範囲第９項記載の耐熱性酸化亜鉛透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60046782A JPS61205619A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 耐熱性酸化亜鉛透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60046782A JPS61205619A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 耐熱性酸化亜鉛透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205619A JPS61205619A (ja) | 1986-09-11 |
| JPH0372011B2 true JPH0372011B2 (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=12756897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60046782A Granted JPS61205619A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 耐熱性酸化亜鉛透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61205619A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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