JPH01242417A - 透明導電性酸化亜鉛膜の製造方法 - Google Patents
透明導電性酸化亜鉛膜の製造方法Info
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- JPH01242417A JPH01242417A JP7111588A JP7111588A JPH01242417A JP H01242417 A JPH01242417 A JP H01242417A JP 7111588 A JP7111588 A JP 7111588A JP 7111588 A JP7111588 A JP 7111588A JP H01242417 A JPH01242417 A JP H01242417A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は暗所室温における抵抗値が１０”Ω・αレベル
の透明導電性酸化亜鉛膜の製造方法に関する。
の透明導電性酸化亜鉛膜の製造方法に関する。
酸化亜鉛は、３．２ ｅ Ｖのワイドバンドギャップ幅
を持つ牛導体として知られており、その膜が光導電性、
圧電特性を有する事から電子写真用感光材、圧電変換素
子として利用されている。また不純物のドーピング及び
膜の部分還元により導電性を制御することが可能であり
、可視光透過性があるため、太陽電池等の透明導電膜と
しての利用が考えられている。特に、Ｚｎ５ｅ、ＣｄＴ
ｅ等の■−■族系半導体膜を用いた太陽電池を形成する
際に、通常のＩＴＯ，Ｔｏ透明導電暎を用いた場合、Ｉ
ｎ、Ｓｎとカルコゲン元素が反応し易く十分な特性を得
るのが難しいため、Ｉ−Ｖｌ族系半導体膜との反応安定
性を有しかつマツチングの良し・酸化亜鉛膜を用いるこ
とが検討されている。
を持つ牛導体として知られており、その膜が光導電性、
圧電特性を有する事から電子写真用感光材、圧電変換素
子として利用されている。また不純物のドーピング及び
膜の部分還元により導電性を制御することが可能であり
、可視光透過性があるため、太陽電池等の透明導電膜と
しての利用が考えられている。特に、Ｚｎ５ｅ、ＣｄＴ
ｅ等の■−■族系半導体膜を用いた太陽電池を形成する
際に、通常のＩＴＯ，Ｔｏ透明導電暎を用いた場合、Ｉ
ｎ、Ｓｎとカルコゲン元素が反応し易く十分な特性を得
るのが難しいため、Ｉ−Ｖｌ族系半導体膜との反応安定
性を有しかつマツチングの良し・酸化亜鉛膜を用いるこ
とが検討されている。
（従来技術とその問題点）
透明酸化亜鉛膜は従来真空蒸着法、スノくツタリング法
、ＣＶＤ法、スプレィパイロリシス法、亜鉛化合物の有
機溶液の塗布熱分解法、酸化亜鉛粉末をペースト化した
ものをスクリーン印刷後焼成する方法等により製造され
ており％特にスパッタリング法により作成した置族金属
（Ｂ、Ａｔ。
、ＣＶＤ法、スプレィパイロリシス法、亜鉛化合物の有
機溶液の塗布熱分解法、酸化亜鉛粉末をペースト化した
ものをスクリーン印刷後焼成する方法等により製造され
ており％特にスパッタリング法により作成した置族金属
（Ｂ、Ａｔ。
Ｓｃ、 Ｇａ、 Ｙ、 Ｉｎ、 ＴＩ ）を含有させ
てなる酸化亜鉛膜は５００℃迄の耐熱性な有し、すぐれ
た透明性と導電性（ｌＯΩ・エオーダー）を示す（９１
１えば、特開昭６１−２０５６１９号公報〜しかるに、
この方法は高価な装置と高価なターゲット原料を要し、
手軽に実施できない。製法上製造装置、生産性等のコス
ト面において、スプレィパイロリシス法、亜鉛有機化合
物溶液の塗布熱分解法１ｍ化亜鉛粉末をペースト化した
ものをスクリーン印刷後焼成する方法が優れている。ス
プレィパイロリシス法では、膜厚の均一性、襖の透明性
に問題があり、又酸化亜鉛粉末ペーストのスクリーン印
刷後焼成する方法では、暎厚数μｍ以下の薄膜の作成が
困難である。亜鉛有機化合物の塗布熱分解法は、デバイ
ス作成に使用可能な膜厚数μｍ以下の１講の作成に有利
な方法であるが、実用上十分な導電性な示さなかった。
てなる酸化亜鉛膜は５００℃迄の耐熱性な有し、すぐれ
た透明性と導電性（ｌＯΩ・エオーダー）を示す（９１
１えば、特開昭６１−２０５６１９号公報〜しかるに、
この方法は高価な装置と高価なターゲット原料を要し、
手軽に実施できない。製法上製造装置、生産性等のコス
ト面において、スプレィパイロリシス法、亜鉛有機化合
物溶液の塗布熱分解法１ｍ化亜鉛粉末をペースト化した
ものをスクリーン印刷後焼成する方法が優れている。ス
プレィパイロリシス法では、膜厚の均一性、襖の透明性
に問題があり、又酸化亜鉛粉末ペーストのスクリーン印
刷後焼成する方法では、暎厚数μｍ以下の薄膜の作成が
困難である。亜鉛有機化合物の塗布熱分解法は、デバイ
ス作成に使用可能な膜厚数μｍ以下の１講の作成に有利
な方法であるが、実用上十分な導電性な示さなかった。
例えば窯業協会誌、第８３巻、５３５頁（１９７５）に
よれば、亜鉛化合物の有機溶液の塗布熱分解法により製
造した透明酸化亜鉛膜は膜の抵抗値が暗所室温において
ｌＯΩ・二と中絶縁性の領域に在り、従って透明導電嗅
としての特性を有しておらず、実用に用いることは不可
能であった。
よれば、亜鉛化合物の有機溶液の塗布熱分解法により製
造した透明酸化亜鉛膜は膜の抵抗値が暗所室温において
ｌＯΩ・二と中絶縁性の領域に在り、従って透明導電嗅
としての特性を有しておらず、実用に用いることは不可
能であった。
（発明の目的）
本発明者は、亜鉛化合物の有機溶液の塗布熱分解法によ
り製造した透明酸化亜鉛膜を透明導を摸化すべく鋭意検
討？重ねた結果、超透明酸化亜鉛摸をさらにボロン化合
物存在下水素雰囲気で熱処理することにより上記目的を
達成し得ることを見出し、本発明に到達した。
り製造した透明酸化亜鉛膜を透明導を摸化すべく鋭意検
討？重ねた結果、超透明酸化亜鉛摸をさらにボロン化合
物存在下水素雰囲気で熱処理することにより上記目的を
達成し得ることを見出し、本発明に到達した。
（発明の構成）
すなわち、本発明によれば、ボロンを含有させてなる透
明４を性酸化亜鉛喚の形成法において、亜鉛化合物の有
機溶液の塗布熱分解法により形成した透明酸化亜鉛膜゛
をボロン化合物の存在下、水素雰囲気で３００〜６８０
℃で熱処理することにより導電性及び耐熱性を有する透
明酸化亜鉛膜とすることを特徴とする透明導電性耐熱性
酸化亜鉛膜の製造方法、が得られる。
明４を性酸化亜鉛喚の形成法において、亜鉛化合物の有
機溶液の塗布熱分解法により形成した透明酸化亜鉛膜゛
をボロン化合物の存在下、水素雰囲気で３００〜６８０
℃で熱処理することにより導電性及び耐熱性を有する透
明酸化亜鉛膜とすることを特徴とする透明導電性耐熱性
酸化亜鉛膜の製造方法、が得られる。
このように得られた透明導電性酸化亜鉛膜は暗所室温に
おける抵抗値が１０”Ω・αレベルのものであり、かつ
熱処理温度の上限６８０℃までの耐熱性を有している。
おける抵抗値が１０”Ω・αレベルのものであり、かつ
熱処理温度の上限６８０℃までの耐熱性を有している。
本発明に用いることが出来る亜鉛化合物は、硝酸亜鉛、
塩化亜鉛等の無機亜鉛化合物、ヘキサン酸亜鉛、オクチ
ル酸亜鉛、ナンテン酸亜鉛等の有機酸亜鉛、ビスアセチ
ルアセトナト匝鉛、ビスオキソブタン酸エチラト亜鉛等
の亜鉛のβ−ジケトン錯体、β−ケトエステル錯体等が
用いることができる。本発明の第一工程では、これらの
化合物と必要に応じては、ＰＥＧ、ＰＶＡ、ＰＶＢ、Ｉ
Ｊノール酸等の有機バインダーまたは被嘆形成物質？有
機溶剤に溶かした溶液との混合液を基盤に塗布後、酸化
雰囲気で焼成する。この時の焼成温度は４００℃以上で
あることが必要である。基板の安定な、また酸化亜鉛膜
と基板との反応がおこらない温度範囲内であれば、結晶
粒が成長し易い高温での焼成の万が望ましい。焼成温度
が４００℃以下であると、膜中に炭素成分が残留し易く
、第二工程での熱処理後に十分な導電性を得ることが出
来ない。また、十分な導電性特性を得るためには塗布熱
分解を繰り返し膜厚を厚くしておく万が望ましい。
塩化亜鉛等の無機亜鉛化合物、ヘキサン酸亜鉛、オクチ
ル酸亜鉛、ナンテン酸亜鉛等の有機酸亜鉛、ビスアセチ
ルアセトナト匝鉛、ビスオキソブタン酸エチラト亜鉛等
の亜鉛のβ−ジケトン錯体、β−ケトエステル錯体等が
用いることができる。本発明の第一工程では、これらの
化合物と必要に応じては、ＰＥＧ、ＰＶＡ、ＰＶＢ、Ｉ
Ｊノール酸等の有機バインダーまたは被嘆形成物質？有
機溶剤に溶かした溶液との混合液を基盤に塗布後、酸化
雰囲気で焼成する。この時の焼成温度は４００℃以上で
あることが必要である。基板の安定な、また酸化亜鉛膜
と基板との反応がおこらない温度範囲内であれば、結晶
粒が成長し易い高温での焼成の万が望ましい。焼成温度
が４００℃以下であると、膜中に炭素成分が残留し易く
、第二工程での熱処理後に十分な導電性を得ることが出
来ない。また、十分な導電性特性を得るためには塗布熱
分解を繰り返し膜厚を厚くしておく万が望ましい。
以上の第一工程によって得た透明酸化亜鉛膜に導電性を
付与するために、第二工程として酸膜を更にボロン化合
物存在下水嚢雰囲気で３００℃〜６８０℃で熱処理する
ことにより、透明導電性酸化亜鉛膜を得ることが出来る
。本発明に用いることが出来るボロン化合物はほう酸、
酸化はう素。
付与するために、第二工程として酸膜を更にボロン化合
物存在下水嚢雰囲気で３００℃〜６８０℃で熱処理する
ことにより、透明導電性酸化亜鉛膜を得ることが出来る
。本発明に用いることが出来るボロン化合物はほう酸、
酸化はう素。
ハロゲン化はう素、は５酸エステル類、有機は５素化合
物等であり、該ポロ／化合物の溶液を酸化亜鉛膜上に塗
布乾燥後、水素雰囲気で熱処理する方法により、本発明
の透明導電性酸化亜鉛膜を製造することができる。その
際、該ボロン化合物をガス状で酸化亜鉛膜に供給する方
法にても、透明導電性酸化亜鉛＠な製造できる。雰囲気
は水素を含んだ還元性の雰囲気であることが必要であり
、酸素、突気等の酸化性雰囲気下、またはアルゴン。
物等であり、該ポロ／化合物の溶液を酸化亜鉛膜上に塗
布乾燥後、水素雰囲気で熱処理する方法により、本発明
の透明導電性酸化亜鉛膜を製造することができる。その
際、該ボロン化合物をガス状で酸化亜鉛膜に供給する方
法にても、透明導電性酸化亜鉛＠な製造できる。雰囲気
は水素を含んだ還元性の雰囲気であることが必要であり
、酸素、突気等の酸化性雰囲気下、またはアルゴン。
窒素等の不活性雰囲気下では十分な導電性は発現しない
。熱処理温度は、３００℃未満の温度ではほとんど効果
が無く、また６８０℃を超えた温度ではＺｎＯの還元、
蒸発等による膜の劣化が始まり不適である。
。熱処理温度は、３００℃未満の温度ではほとんど効果
が無く、また６８０℃を超えた温度ではＺｎＯの還元、
蒸発等による膜の劣化が始まり不適である。
本発明の透明導電性酸化亜鉛膜の透明性は亜鉛化合物の
有機溶液の塗布熱分解時の状態が維持されており、熱処
理後の低下はほとんど見られない。
有機溶液の塗布熱分解時の状態が維持されており、熱処
理後の低下はほとんど見られない。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、以
下の実施例は本発明の範囲を限定するものではない。
下の実施例は本発明の範囲を限定するものではない。
実施例１
オクチル酸亜鉛２０％、リノール酸５％のベンゼン溶液
をＰｙｒ ｅｘ基板に回転数３００ Ｏｒ ｐｍでスピ
ンコード後室温で３０分放置、大気下４００℃で一時間
熱処理、更に５５０℃で一時間焼成を行った。この操作
を三回繰り返し膜厚約２０００Ａの透明ＺｎＯ膜な得た
。この嗅の暗所室温における抵抗値は１．０Ｘ１０’
Ω・αと半絶縁性で、光透過率は９５％であった。この
ＺｎＯ喚上に更にほう酸１０％５ＰＥＧｔｏ暢な（エタ
ノール；Ｈ，Ｏ／２ ； １ ）ＩＩＣＦｊ解り、 タ
ｇ’？塗布乾燥シタ鏝、管状炉内水業界囲気５５０℃で
一時間熱処理な行った。得られた−の暗所室温における
抵抗値は２ＸＩＯ’Ω・薗で導電性時性な有し、光透過
率は９５１％と熱処理前とほとんど変化無かった。
をＰｙｒ ｅｘ基板に回転数３００ Ｏｒ ｐｍでスピ
ンコード後室温で３０分放置、大気下４００℃で一時間
熱処理、更に５５０℃で一時間焼成を行った。この操作
を三回繰り返し膜厚約２０００Ａの透明ＺｎＯ膜な得た
。この嗅の暗所室温における抵抗値は１．０Ｘ１０’
Ω・αと半絶縁性で、光透過率は９５％であった。この
ＺｎＯ喚上に更にほう酸１０％５ＰＥＧｔｏ暢な（エタ
ノール；Ｈ，Ｏ／２ ； １ ）ＩＩＣＦｊ解り、 タ
ｇ’？塗布乾燥シタ鏝、管状炉内水業界囲気５５０℃で
一時間熱処理な行った。得られた−の暗所室温における
抵抗値は２ＸＩＯ’Ω・薗で導電性時性な有し、光透過
率は９５１％と熱処理前とほとんど変化無かった。
実施例２〜６
実施例２〜６の条件及び結果な第１表にまとめた。
８ｇ １ 表 実施例２〜６
注） １）ＨｓＢＯｎ、ＰＥＧをエタノール／Ｈ１Ｏ
Ｋ溶解した溶液を塗布 ２）ＢＸｓ ＝８（０（？４Ｈ１１）３ とＰＶＡ’
にエタノール／Ｈ！０に溶解した溶液な 塗布。
Ｋ溶解した溶液を塗布 ２）ＢＸｓ ＝８（０（？４Ｈ１１）３ とＰＶＡ’
にエタノール／Ｈ！０に溶解した溶液な 塗布。
Ｆ） Ｂ Ｙｓ ＝ Ｂ （ＯＣｓ Ｈ＋ｓ ）ｓと
ＰＶＢｔエタノール／Ｈ１０に溶解した溶液を 堕布。
ＰＶＢｔエタノール／Ｈ１０に溶解した溶液を 堕布。
比較例１〜７
比較例１〜７０条件及び結果を第２表にまとめた。
第 ２ 表 比較例１〜７
注） １） Ｈ３ＢＯ３，ＰＥＧをエタノール／
ＨｔＯに溶解した溶液を塗布。
ＨｔＯに溶解した溶液を塗布。
実施例７
オクチル酸亜鉛２０％、リノールｆ１１５％のベンゼン
溶液をＰｙｒａｘ基板に回転数３００Ｏｒｐｍでスピン
コード後、室温で３０分放置、大気下４００℃で一時間
焼成後、更に５５０℃で一時間焼成を行った。この操作
を三回繰り返し、膜厚約２００ＯＡのＺｎＯ膜を得た。
溶液をＰｙｒａｘ基板に回転数３００Ｏｒｐｍでスピン
コード後、室温で３０分放置、大気下４００℃で一時間
焼成後、更に５５０℃で一時間焼成を行った。この操作
を三回繰り返し、膜厚約２００ＯＡのＺｎＯ膜を得た。
この膜の暗所室温における抵抗値は１．０Ｘ１０’Ω・
工と牛絶縁性で、光透過率は９５％であった。この膜を
５５０”Ｃに加熱した管状炉内に置き、６００℃に加熱
した管状炉前室にほう酸をアルミナ裂ボートに入れて置
き、水素をキャリアーガスとして流しながら一時間熱処
理を行った。得られた襖は暗所室温における抵抗値１．
７Ｘ１０”Ω・ぼを示し導電性特性を有し、光透過率は
９５優と熱処理前とほとんど変化無かった。
工と牛絶縁性で、光透過率は９５％であった。この膜を
５５０”Ｃに加熱した管状炉内に置き、６００℃に加熱
した管状炉前室にほう酸をアルミナ裂ボートに入れて置
き、水素をキャリアーガスとして流しながら一時間熱処
理を行った。得られた襖は暗所室温における抵抗値１．
７Ｘ１０”Ω・ぼを示し導電性特性を有し、光透過率は
９５優と熱処理前とほとんど変化無かった。
実施例８
ヘキシル酸亜鉛２０％、リルン酸６％のベンゼン溶液を
Ｐｙｒｅｘ基板に回転数３００Ｏｒｐｍでスピンコード
後室温で３０分放置、大気下４００℃で一時間焼成後、
更に５５０℃で一時間焼成を行った。この操作な三回繰
り返し、膜厚約２６００人のＺｎＯ膜を得た。この膜の
暗所室温における抵抗値１．０Ｘ１０’Ω・儂と牛絶縁
性で、光透過率は９６％であった。この膜を５３０℃に
加熱した管状炉内に置き、水素をキャリアーガスにＢ（
ＯＣＨｓ）ｓの飽和蒸気を一時間流し熱処理を行った。
Ｐｙｒｅｘ基板に回転数３００Ｏｒｐｍでスピンコード
後室温で３０分放置、大気下４００℃で一時間焼成後、
更に５５０℃で一時間焼成を行った。この操作な三回繰
り返し、膜厚約２６００人のＺｎＯ膜を得た。この膜の
暗所室温における抵抗値１．０Ｘ１０’Ω・儂と牛絶縁
性で、光透過率は９６％であった。この膜を５３０℃に
加熱した管状炉内に置き、水素をキャリアーガスにＢ（
ＯＣＨｓ）ｓの飽和蒸気を一時間流し熱処理を行った。
得られた膜は暗所室温における抵抗値２．５×１０３Ω
・儂を示して導電性特性を有し、光透過率は９６％と熱
処理前とほとんど変化無かった。
・儂を示して導電性特性を有し、光透過率は９６％と熱
処理前とほとんど変化無かった。
実施例９〜１３
実施例９〜１３の条件及び結果を第３表にまとめた。
第 ３ 表 実施例９〜１３
注）実施例９〜１１は、実施例７と四隙のＺｎＯ膜を用
い同様の装置、方法により、熱処理を行った。
い同様の装置、方法により、熱処理を行った。
実施例１２．１３は実施例８と同様のＺｎＯ膜を用いた
。実施例１２では有機は５素化合物ガスと水素との混合
ガスを炉内に導入し熱処理を行い、実施例１３では、実
施例８と同様の装置を用い熱処理を行った。
。実施例１２では有機は５素化合物ガスと水素との混合
ガスを炉内に導入し熱処理を行い、実施例１３では、実
施例８と同様の装置を用い熱処理を行った。
比較例８〜１３
比較例８〜１３の条件及び結果を第４表にまとめた。
第 ４ 表 比較例８〜１３
注）比較例８〜１３は、実施例７と同様のＺｎＯ膜を用
い同様の装置、方法により熱処理を行った。
い同様の装置、方法により熱処理を行った。
比較例１１−１３は実施例８と同様のＺｎＯ膜を用い同
様の装置を用い熱処理を行った。
様の装置を用い熱処理を行った。
（発明の効果）
本発明の透明導電性酸化亜鉛膜は、従来のＣＶＤ法、ス
パッタリング法による透明導電性酸化亜鉛膜に比べて装
置かつ簡便に調造が可能であり、太陽電池９表示業子等
の通常の透明導電膜として、ＩＴＯ，ＴＯＩＯ代賛とｌ
９、さらに今までのＩＴＯ，Ｔｏ膜の使用できなかった
工程、応用分野への透明溝ｔ＠の新規利用も可能となる
。
パッタリング法による透明導電性酸化亜鉛膜に比べて装
置かつ簡便に調造が可能であり、太陽電池９表示業子等
の通常の透明導電膜として、ＩＴＯ，ＴＯＩＯ代賛とｌ
９、さらに今までのＩＴＯ，Ｔｏ膜の使用できなかった
工程、応用分野への透明溝ｔ＠の新規利用も可能となる
。
特許出頭人 三菱金属株式会社
白 川 義 直
Claims (3)
- （１）ボロンを含有させてなる透明導電性酸化亜鉛膜の
形成法において、亜鉛化合物の有機溶液の塗布熱分解法
により形成した透明酸化亜鉛膜をボロン化合物の存在下
、水素雰囲気で３００〜６８０℃で熱処理することによ
り導電性及び耐熱性を有する透明酸化亜鉛膜とすること
を特徴とする透明導電性耐熱性酸化亜鉛膜の製造方法。 - （２）特許請求の範囲第一項記載の透明導電性酸化亜鉛
膜の製造方法であつて、液状ボロン化合物を該透明酸化
亜鉛膜上に塗布乾燥せしめることを特徴とする該製造方
法。 - （３）特許請求の範囲第一項記載の透明導電性酸化亜鉛
膜の製造方法であつて、ガス状ボロン化合物を該透明酸
化亜鉛膜に供給することを特徴とする該製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111588A JPH01242417A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 透明導電性酸化亜鉛膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111588A JPH01242417A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 透明導電性酸化亜鉛膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242417A true JPH01242417A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13451241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7111588A Pending JPH01242417A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 透明導電性酸化亜鉛膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01249634A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電性ガラスおよびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104919A (en) * | 1979-02-01 | 1980-08-11 | Toko Inc | Manufacture of zinc oxide thin film |
| JPS61205619A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Osaka Tokushu Gokin Kk | 耐熱性酸化亜鉛透明導電膜 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP7111588A patent/JPH01242417A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104919A (en) * | 1979-02-01 | 1980-08-11 | Toko Inc | Manufacture of zinc oxide thin film |
| JPS61205619A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Osaka Tokushu Gokin Kk | 耐熱性酸化亜鉛透明導電膜 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01249634A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電性ガラスおよびその製造方法 |
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