JPH01283369A - Ｉｔｏ透明導電膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
Ｉｔｏ透明導電膜形成用スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH01283369A JPH01283369A JP11237588A JP11237588A JPH01283369A JP H01283369 A JPH01283369 A JP H01283369A JP 11237588 A JP11237588 A JP 11237588A JP 11237588 A JP11237588 A JP 11237588A JP H01283369 A JPH01283369 A JP H01283369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- target
- ito
- sputtering
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 229910018162 SeO2 Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L stannous fluoride Chemical compound F[Sn]F ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-indiganyloxyindium Chemical class [In]O[In] BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
本発明は、ＩＴＯ薄膜中にＦ又はＳｅを添加することに
より低抵抗化を計ったＩＴＯ透明導電膜形成用スパッタ
リングターゲットに関する。
より低抵抗化を計ったＩＴＯ透明導電膜形成用スパッタ
リングターゲットに関する。
楽土の１ 野
Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）膜や
ネサ膜と呼ばれているＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜等の酸
化物透明導電膜は、通常化学量論的組成からの「ずれ」
によりｎ型の導電性を示す半導体を利用し、これにドー
パントを添加して１０−１〜１０′Ω・ｌの低い抵抗膜
としたものである。特にＩＴＯ膜は高い導電性と可視光
透過性を有するので、最も広く用いられている。
ネサ膜と呼ばれているＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜等の酸
化物透明導電膜は、通常化学量論的組成からの「ずれ」
によりｎ型の導電性を示す半導体を利用し、これにドー
パントを添加して１０−１〜１０′Ω・ｌの低い抵抗膜
としたものである。特にＩＴＯ膜は高い導電性と可視光
透過性を有するので、最も広く用いられている。
ＩＴＯ等の透明導電膜は電卓やデジタル時計に使用する
液晶表示装置、薄膜エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表
示装置、放射線検出素子、端末機器の透明タブレット、
窓ガラスの結露防止用発熱膜、帯電防止膜あるいは太陽
光集熱器用選択透過膜など巾広い用途がある。
液晶表示装置、薄膜エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表
示装置、放射線検出素子、端末機器の透明タブレット、
窓ガラスの結露防止用発熱膜、帯電防止膜あるいは太陽
光集熱器用選択透過膜など巾広い用途がある。
従来技術及び問題点
酸化物透明導電膜を形成する方法としては、化合物の熱
分解を利用して加熱基板に酸化物を形成するスプレィ法
やＣＶＤ法などの化学的製膜法あるいは物理的製膜法と
して真空蒸着法やスパッタリング法などがあるが、大面
積化を可能とし低抵抗膜を再現性よく得る手段としてス
パッタリングによる方法が広く採用されてきている。
分解を利用して加熱基板に酸化物を形成するスプレィ法
やＣＶＤ法などの化学的製膜法あるいは物理的製膜法と
して真空蒸着法やスパッタリング法などがあるが、大面
積化を可能とし低抵抗膜を再現性よく得る手段としてス
パッタリングによる方法が広く採用されてきている。
光学的特性及び電気的性質を改善するために上記のスパ
ッタリングによる成膜工程において酸素分圧、基板温度
、焼鈍条件などのコン１−ロールも重要であるが、ドー
パントの添加によって膜の組成を改善し、低抵抗化膜を
作製することが基本的かつ重要な課題である。そして、
」−記酸化物系透明導電膜のうち優れた低抵抗透明膜と
云われているＩＴＯ薄膜でもまだ十分ではなく、さらに
その導電性を高めることが要求されるようになってきた
。
ッタリングによる成膜工程において酸素分圧、基板温度
、焼鈍条件などのコン１−ロールも重要であるが、ドー
パントの添加によって膜の組成を改善し、低抵抗化膜を
作製することが基本的かつ重要な課題である。そして、
」−記酸化物系透明導電膜のうち優れた低抵抗透明膜と
云われているＩＴＯ薄膜でもまだ十分ではなく、さらに
その導電性を高めることが要求されるようになってきた
。
一発−叫や一鷹１胃
本願発明は上記のような情況に鑑み、ＦとＳｅの添加材
の選択によって、ＩＴ○透明導電膜のキャリヤ濃度Ｎ（
ａｎ−３）を大巾に増加させ、電気抵抗率ρ（Ω・印）
を著しく改善したものである。
の選択によって、ＩＴ○透明導電膜のキャリヤ濃度Ｎ（
ａｎ−３）を大巾に増加させ、電気抵抗率ρ（Ω・印）
を著しく改善したものである。
すなわち本願発明は、Ｓｎ○２５〜３０％（本願明細書
においては全て重量％であり、以下これを省略する）と
ＳｅＯ２又はＳｎＦ２０．１．−３％と残部１１”１２
０３及び不可避的不純物からなる粉末成形体を焼結して
、ターゲットにＳｅ又はＦを添加したＩＴ○透明導電膜
形成用スパンタリングターゲットを提供する。
においては全て重量％であり、以下これを省略する）と
ＳｅＯ２又はＳｎＦ２０．１．−３％と残部１１”１２
０３及び不可避的不純物からなる粉末成形体を焼結して
、ターゲットにＳｅ又はＦを添加したＩＴ○透明導電膜
形成用スパンタリングターゲットを提供する。
】１児＠共孫１彫
ＩＴＯ透明導電膜の主要成分はＩｒ＋２０３であり、約
７０〜９５％を占める。このＩｎ２Ｏ，は通常化学量論
組成からの「ずれ」によりｎ型の電導性を示す半導体で
、これに同効果をもつＳｎＯ２を添加し、その自由電子
濃度Ｎ（キャリヤ濃度）をｒＩＸ Ｉ Ｏ”ａｎ−３オ
一ダー程度に高め、抵抗率ρが１０−３〜１０″Ω・鄭
程度となる膜をつくることができる。これがＩＴＯ膜で
ある。
７０〜９５％を占める。このＩｎ２Ｏ，は通常化学量論
組成からの「ずれ」によりｎ型の電導性を示す半導体で
、これに同効果をもつＳｎＯ２を添加し、その自由電子
濃度Ｎ（キャリヤ濃度）をｒＩＸ Ｉ Ｏ”ａｎ−３オ
一ダー程度に高め、抵抗率ρが１０−３〜１０″Ω・鄭
程度となる膜をつくることができる。これがＩＴＯ膜で
ある。
」１記のようにＩＴＯ膜は工ｎ２０３にＳｎＯ７を添加
することによって著しい低抵抗化膜の改善を達成するこ
とができるが、現在要求されている種々の用途に使用さ
れる導電性としてはまだ十分とは言い難い。
することによって著しい低抵抗化膜の改善を達成するこ
とができるが、現在要求されている種々の用途に使用さ
れる導電性としてはまだ十分とは言い難い。
本願発明は、これらＩＴＯにさらにＦ又はＳｅを添加し
て導電性をさらに改善させたＩＴＯ透明導電膜形成用ス
パッタリングターゲットを提供するものである。
て導電性をさらに改善させたＩＴＯ透明導電膜形成用ス
パッタリングターゲットを提供するものである。
次にＩＴＯターゲットの製造方法について述べる。
基本成分となるＩｎ、０３粉末及びＳｎＯ２粉末は高純
度の粉末を使用する。
度の粉末を使用する。
上記ＳｎＯ，は５〜３０％添加するが、５％未満及び３
０％を超えると添加する低抵抗化の効果がなくなるので
」―記の混合割合とする。特に好ましい添加割合は５〜
１０％である。ＳｅＯ２又はＳｎＦ２の添加量は０．１
−〜３％である。後述するようし３０．１％未満又は３
％を超える添加では実質上ＩＴＯ単独の薄膜に比へ電気
特性すなわち低抵抗化の効果が認められないので、上記
の成分配合割合とする。特に好ましい範囲は、０．５〜
２％である。
０％を超えると添加する低抵抗化の効果がなくなるので
」―記の混合割合とする。特に好ましい添加割合は５〜
１０％である。ＳｅＯ２又はＳｎＦ２の添加量は０．１
−〜３％である。後述するようし３０．１％未満又は３
％を超える添加では実質上ＩＴＯ単独の薄膜に比へ電気
特性すなわち低抵抗化の効果が認められないので、上記
の成分配合割合とする。特に好ましい範囲は、０．５〜
２％である。
このようにして準備された４種類の原料粉をそれぞれ所
定の比率で混合し、これを板状に成形する。
定の比率で混合し、これを板状に成形する。
成形されたものをさらに焼結を行うが、焼結条件は大気
中、酸素を調整した酸化性雰囲気中、真空中又はＡｒ等
の不活性雰囲気中のいずれの雰囲気で行うこともできる
。この条件は焼結体の目的に応して適宜選択される。
中、酸素を調整した酸化性雰囲気中、真空中又はＡｒ等
の不活性雰囲気中のいずれの雰囲気で行うこともできる
。この条件は焼結体の目的に応して適宜選択される。
焼結温度は一般に１３００〜］６００°Ｃで実施するが
、これより低温でも可能である。上記においては、成形
と焼結を分けて行っているが、これを同時に行うホット
プレス法によっても製造できる。
、これより低温でも可能である。上記においては、成形
と焼結を分けて行っているが、これを同時に行うホット
プレス法によっても製造できる。
また溶製法によっても可能であるが、成分調整の問題及
び経済性の而からは必すしも得策とはｊえない。
び経済性の而からは必すしも得策とはｊえない。
上記添加される５ｅａ２及びＳ ｎ Ｆ ２は比較的低
温で分解するので、上記焼結の際にはＳｅ又はＦがＩＴ
Ｏターゲットに添加される。
温で分解するので、上記焼結の際にはＳｅ又はＦがＩＴ
Ｏターゲットに添加される。
上記の製造工程によって得られた焼結体は機械加工によ
りターゲットとして必要な形状、例えば矩形、円盤等の
板状体に仕上げられる。
りターゲットとして必要な形状、例えば矩形、円盤等の
板状体に仕上げられる。
吹に上記のようにして作製した本願発明の１１′Ｏスパ
ツタリング用ターゲツト（Ｓｎ０７１０％及びＳ ｎ
Ｆ２添加濃度を変化させたＩ Ｔ○ターゲット）を用い
て、陰極の該ＩＴＯターゲツ１−と基板側の陽極との間
に約５００■の直流電圧を印加し、ｌ〜ｌ ＯＸ １０
−’ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中でスパッタリング（Ｄ
Ｃ）することにより導電膜を形成した場合の電気的特性
について比較した結果を第１図に示す。なお、比較のた
めにＩＴＯ膜単独膜も同様にスパッタリングした。
ツタリング用ターゲツト（Ｓｎ０７１０％及びＳ ｎ
Ｆ２添加濃度を変化させたＩ Ｔ○ターゲット）を用い
て、陰極の該ＩＴＯターゲツ１−と基板側の陽極との間
に約５００■の直流電圧を印加し、ｌ〜ｌ ＯＸ １０
−’ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中でスパッタリング（Ｄ
Ｃ）することにより導電膜を形成した場合の電気的特性
について比較した結果を第１図に示す。なお、比較のた
めにＩＴＯ膜単独膜も同様にスパッタリングした。
一般にＩＴＯ膜の電気特性すなわち抵抗率ρ（０ｃｍ）
は次式で表すことができる。
は次式で表すことができる。
Ｎｅμ
Ｎ（ｃｍ”３） キャリヤ濃度μ（０ｍ２／
ｖ−８ｅｃ）易動度 ｅ （１，６０２Ｘ１０−２ｃ）電気素量これから明ら
かなように抵抗率ρを下げるためにはμあるいはＮを大
きくすることが必要である。
ｖ−８ｅｃ）易動度 ｅ （１，６０２Ｘ１０−２ｃ）電気素量これから明ら
かなように抵抗率ρを下げるためにはμあるいはＮを大
きくすることが必要である。
上記第１図から明らかなようにＩＴＯ膜単独に比べＳ
ｎ Ｆ２（０，１〜３．０％）を添加したターゲットを
用いて形成した薄膜はＩＴＯ単独膜（第１図で添加量Ｏ
％）に比ベキャリャ濃度Ｎが増大し、抵抗率ρ （Ω・
■）がさらに改善されている。
ｎ Ｆ２（０，１〜３．０％）を添加したターゲットを
用いて形成した薄膜はＩＴＯ単独膜（第１図で添加量Ｏ
％）に比ベキャリャ濃度Ｎが増大し、抵抗率ρ （Ω・
■）がさらに改善されている。
またＳｅＯ２を添加した場合は図示していないが同様の
結果が得られている。第１図からも分るが、添加量が３
％を超えると抵抗率ρが急速に悪化し、ＩＴＯ単独膜よ
りも抵抗率で劣る。
結果が得られている。第１図からも分るが、添加量が３
％を超えると抵抗率ρが急速に悪化し、ＩＴＯ単独膜よ
りも抵抗率で劣る。
なお、第１図に示す抵抗率ρ（Ω・ａｎ）の値はＩＴＯ
単独膜との対比において上記による同一条件で電気特性
を比較したものであって、基板条件や熱処理などの適切
な調整によってさらにそれぞれの抵抗率ρの改善を計る
ことができる。
単独膜との対比において上記による同一条件で電気特性
を比較したものであって、基板条件や熱処理などの適切
な調整によってさらにそれぞれの抵抗率ρの改善を計る
ことができる。
換言すれば第１図は同一条件下でＦの添加の効果を示す
ためのＩＴＯ膜との相対比較のために作成したものであ
る。
ためのＩＴＯ膜との相対比較のために作成したものであ
る。
ＩＴＯ膜の一般的光学特性としては基礎吸収端が紫外域
にあり、さらに適度の自由電子による吸執を近赤外域か
ら生じるためその面域に挟まれた；１．− 線を反射する。そして可視透過率・は８０％を超え、通
常９０％以上である。本願発明のスパッタリングターゲ
ットを用いて形成した透明導電膜は、いずれも可視透過
率が９０％を超えた。
にあり、さらに適度の自由電子による吸執を近赤外域か
ら生じるためその面域に挟まれた；１．− 線を反射する。そして可視透過率・は８０％を超え、通
常９０％以上である。本願発明のスパッタリングターゲ
ットを用いて形成した透明導電膜は、いずれも可視透過
率が９０％を超えた。
上記Ｆ、Ｓｅを添加したＩＴＯ膜を形成するスフ−
バッタリング法は高周波スパッタ、プラズマスパッタ、
ＤＣスパッタ、イオンビームスパッタなどを用いること
ができる。
ＤＣスパッタ、イオンビームスパッタなどを用いること
ができる。
ＩＴＯ膜の導電性は化学量論的組成の「ずれ」によって
支配される要因が大きいので、スパッタリング中のガス
の組成、主として酸素分圧に大きく依存している。
支配される要因が大きいので、スパッタリング中のガス
の組成、主として酸素分圧に大きく依存している。
酸化物ターゲットの場合はガスの放出とターゲットの組
成変化も要因の１つとなる。
成変化も要因の１つとなる。
その他基板温度、加熱処理などが低抵抗膜の形成のため
に最適条件にコントロールすることが必要となる。
に最適条件にコントロールすることが必要となる。
次に実施例に沿って本願発明を説明する。
実施例及び比較例
基本成分となる高純度のＩｎ２Ｏ３、粉末、ＳｎＯ２粉
、 ＳｎＦ２粉末及びＳｅＯ２を準備し、第１表に示す
成分配合割合にて予め板状の成形体を作成した。そして
これを焼結して４′φＸ４ｔの寸法と５ｇ／ｃｎの密度
を有する各種ＩＴＯターゲット二 （試料番号１〜７）を作製した。焼結温度は１５００℃
である。
、 ＳｎＦ２粉末及びＳｅＯ２を準備し、第１表に示す
成分配合割合にて予め板状の成形体を作成した。そして
これを焼結して４′φＸ４ｔの寸法と５ｇ／ｃｎの密度
を有する各種ＩＴＯターゲット二 （試料番号１〜７）を作製した。焼結温度は１５００℃
である。
次にこれらのターゲットを用いてスパッタリングにより
薄膜を形成し、抵抗率ρ （Ω・印）を測定した。
薄膜を形成し、抵抗率ρ （Ω・印）を測定した。
以下余白
第 １ 表
スパッタリング条件は次の通りである。（装置、日型ア
ネルバ製５ｐＦ−２１０１１） 投入パワー ０．５ Ｗ／ｄ スパッタリングガス 純アルゴン ガ ス 圧 ０．５ Ｐ ａ
基 板 温 度 ３５０ ’Ｃ膜
厚 １５００人上記の結果は、第１表
に示す通りである。
ネルバ製５ｐＦ−２１０１１） 投入パワー ０．５ Ｗ／ｄ スパッタリングガス 純アルゴン ガ ス 圧 ０．５ Ｐ ａ
基 板 温 度 ３５０ ’Ｃ膜
厚 １５００人上記の結果は、第１表
に示す通りである。
比較例Ｎα１はターゲツト材にＳ ｎ Ｏ２、ＳｎＦ２
を添加しなかったＩＴＯ膜そのものである。抵抗率は２
．５Ｘ１０剋Ω・（７）である。
を添加しなかったＩＴＯ膜そのものである。抵抗率は２
．５Ｘ１０剋Ω・（７）である。
本願発明の例である試料番号Ｎα２〜Ｎｎ ５はいずれ
も資料Ｎｎ ］、よりも抵抗率が改善されており、本願
発明の有効性が確認できる。
も資料Ｎｎ ］、よりも抵抗率が改善されており、本願
発明の有効性が確認できる。
比較例試料番号Ｎα６．７は添加量が多い（３，０％を
超える）場合で、急速に抵抗率は悪化した。
超える）場合で、急速に抵抗率は悪化した。
したがって３．０％を超える添加は実際上意味がない。
本発明の勿ｙ孤
上記から明らかなように本願発明は、透明導電膜として
優れた特性をもつＩＴ○膜をさらに改善するものである
。
優れた特性をもつＩＴ○膜をさらに改善するものである
。
上記に述べたように本願明細書に記載するデータに留ま
らず、基板条件や熱処理さらには成膜時の酸素分圧など
をコントロールすることなどにより、上記の抵抗率をさ
らに改善することが可能である。換言すれば本願発明の
ように微量成分の添加によってターゲットさらには透明
導電膜の基本成分組成において根本的に電気的特性が改
善されることにより、さらに向上した透明導電膜を得る
ことが可能となる。
らず、基板条件や熱処理さらには成膜時の酸素分圧など
をコントロールすることなどにより、上記の抵抗率をさ
らに改善することが可能である。換言すれば本願発明の
ように微量成分の添加によってターゲットさらには透明
導電膜の基本成分組成において根本的に電気的特性が改
善されることにより、さらに向上した透明導電膜を得る
ことが可能となる。
液晶表示装置や、選択透過膜など多くの電子機器に採用
されている本発明による透明導電膜の一層の進歩は、今
後の技術及び機器の開発に著しい貢献をもたらすことが
できる。
されている本発明による透明導電膜の一層の進歩は、今
後の技術及び機器の開発に著しい貢献をもたらすことが
できる。
第１図はＩＴＯターゲットの添加成分量と抵抗率の関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
Claims (1)
- （１）重量％で、ＳｎＯ＿２５〜３０％とＳｅＯ＿２又
はＳｎＦ＿２０．１〜３％と残部Ｉｎ＿２Ｏ＿３、及び
不可避的不純物からなる粉末成形体を焼結して、ターゲ
ットにＳｅ又はＦを添加したＩＴＯ透明導電膜用スパッ
タリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11237588A JPH01283369A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | Ｉｔｏ透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11237588A JPH01283369A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | Ｉｔｏ透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283369A true JPH01283369A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14585109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11237588A Pending JPH01283369A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | Ｉｔｏ透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283369A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678591A1 (de) * | 1994-04-18 | 1995-10-25 | LEYBOLD MATERIALS GmbH | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-Zinnoxid Targets |
| KR101135732B1 (ko) * | 2004-03-26 | 2012-04-16 | 지오마텍 가부시키가이샤 | 불소 함유 인듐-주석 산화물 소결체 및 그의 제조 방법 |
| CN102839348A (zh) * | 2012-09-27 | 2012-12-26 | 攀枝花学院 | 掺氟氧化锡薄膜的制备方法 |
| CN103243298A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 卤素掺杂ito导电膜及其制备方法 |
| US20130206590A1 (en) * | 2010-08-06 | 2013-08-15 | Sinito (Shenzhen)Optoelectrical Advanced Materials Company Limited | Manufacture of High Density Indium Tin Oxide (ITO) Sputtering Target |
| CN110739221A (zh) * | 2019-10-23 | 2020-01-31 | 昆明物理研究所 | 带隙可调的锡氧化物薄膜制备方法 |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11237588A patent/JPH01283369A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678591A1 (de) * | 1994-04-18 | 1995-10-25 | LEYBOLD MATERIALS GmbH | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-Zinnoxid Targets |
| KR101135732B1 (ko) * | 2004-03-26 | 2012-04-16 | 지오마텍 가부시키가이샤 | 불소 함유 인듐-주석 산화물 소결체 및 그의 제조 방법 |
| TWI384523B (zh) * | 2004-03-26 | 2013-02-01 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Fluorine-containing indium-tin oxide sintered body and manufacturing method thereof |
| US20130206590A1 (en) * | 2010-08-06 | 2013-08-15 | Sinito (Shenzhen)Optoelectrical Advanced Materials Company Limited | Manufacture of High Density Indium Tin Oxide (ITO) Sputtering Target |
| JP2013533391A (ja) * | 2010-08-06 | 2013-08-22 | シニト（シェンジェン） オプトエレクトリカル アドヴァンスト マテリアルズ カンパニー リミテッド | 高密度インジウムスズ酸化物（ｉｔｏ）スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN103243298A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 卤素掺杂ito导电膜及其制备方法 |
| CN102839348A (zh) * | 2012-09-27 | 2012-12-26 | 攀枝花学院 | 掺氟氧化锡薄膜的制备方法 |
| CN110739221A (zh) * | 2019-10-23 | 2020-01-31 | 昆明物理研究所 | 带隙可调的锡氧化物薄膜制备方法 |
| CN110739221B (zh) * | 2019-10-23 | 2022-07-05 | 昆明物理研究所 | 带隙可调的锡氧化物薄膜制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Phillips et al. | Transparent conducting thin films of GaInO3 | |
| JP3358893B2 (ja) | ガリウム−インジウム酸化物を含む透明導電体 | |
| US4423403A (en) | Transparent conductive films and methods of producing same | |
| WO2010021106A1 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、トランジスタ基板、発光装置、および、表示装置 | |
| JPS62122011A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| Sato et al. | Structural, electrical, and optical properties of transparent conductive In2O3–SnO2 films | |
| JPH0372011B2 (ja) | ||
| JPS62154411A (ja) | 透明導電膜 | |
| JPH0784654B2 (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| KR101251134B1 (ko) | 투명 도전 산화막, 이의 제조방법, 인듐-주석 복합 산화물,및 소결체 | |
| EP1460692B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| JPH01283369A (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜形成用スパッタリングターゲット | |
| Kim et al. | Effect of trivalent element doping on structural and optical properties of SnO2 thin films grown by pulsed laser deposition technique | |
| JPH0987833A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH0121109B2 (ja) | ||
| JPH1088332A (ja) | スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法 | |
| JPH054768B2 (ja) | ||
| KR20080072136A (ko) | 투명 전도성 박막 및 이의 제조방법 | |
| JPH0765167B2 (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲット | |
| JPH03199373A (ja) | Ｉｔｏ透明導電膜形成用スパッタリングターゲツト | |
| JPH0315107A (ja) | 導電性金属酸化物焼結体及びその用途 | |
| JP3355610B2 (ja) | スズドープ酸化インジウム膜の高抵抗化方法 | |
| JP4079457B2 (ja) | インジウム−スズ酸化物膜の高抵抗化方法 | |
| JPH0315106A (ja) | 酸化物焼結体及びその用途 | |
| JPH04341707A (ja) | 透明導電膜 |