JPH0344464A - Ito透明導電膜用スパッタリングターゲット - Google Patents
Ito透明導電膜用スパッタリングターゲットInfo
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- JPH0344464A JPH0344464A JP17912389A JP17912389A JPH0344464A JP H0344464 A JPH0344464 A JP H0344464A JP 17912389 A JP17912389 A JP 17912389A JP 17912389 A JP17912389 A JP 17912389A JP H0344464 A JPH0344464 A JP H0344464A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
且里ム亘並
本発明は、スパッタリングによるITO薄膜又はターゲ
ットの抵抗率の経時変化が少ないITO透明導電膜形成
用スパッタリングターゲットに関する。
ットの抵抗率の経時変化が少ないITO透明導電膜形成
用スパッタリングターゲットに関する。
上のり
I T O(Indium−Tin 0xide)膜や
ネサ膜と呼ばれているSnO,i、In2O3膜等の酸
化物透明導電膜は、通常化学量論的組成からのrずれ」
によりn型の導電性を示す半導体特性を利用し、これに
必要に応じてドーパントを添加して10 =〜10”Ω
・cmの低い抵抗膜としたものである。特にITO膜は
高い導電性と可視光透過性を有するので、透明導電膜と
して最も広く用いられている。
ネサ膜と呼ばれているSnO,i、In2O3膜等の酸
化物透明導電膜は、通常化学量論的組成からのrずれ」
によりn型の導電性を示す半導体特性を利用し、これに
必要に応じてドーパントを添加して10 =〜10”Ω
・cmの低い抵抗膜としたものである。特にITO膜は
高い導電性と可視光透過性を有するので、透明導電膜と
して最も広く用いられている。
一般にITO等の透明導電膜は電卓やデジタル時計に使
用する液晶表示装置、薄膜エレクトロルミネセンス(E
L)表示装置、放射線検出素子、端末機器の透明タブレ
ット、窓ガラスの結露防止用発熱膜、帯電防止膜あるい
は太陽光集熱器用選択透過膜など巾広い用途がある。
用する液晶表示装置、薄膜エレクトロルミネセンス(E
L)表示装置、放射線検出素子、端末機器の透明タブレ
ット、窓ガラスの結露防止用発熱膜、帯電防止膜あるい
は太陽光集熱器用選択透過膜など巾広い用途がある。
び。 1、
酸化物透明導電膜を形成する方法としては、従来化合物
の熱分解を利用して加熱基板に酸化物を形成するスプレ
ィ法やCVD法などの化学的製膜法あるいは物理的製膜
法として真空蒸着法やスパッタリング法などがあるが、
大面積化を可能とし低抵抗膜を再現性よく得る手段とし
てスパッタリングによる方法が広く採用されてきている
。
の熱分解を利用して加熱基板に酸化物を形成するスプレ
ィ法やCVD法などの化学的製膜法あるいは物理的製膜
法として真空蒸着法やスパッタリング法などがあるが、
大面積化を可能とし低抵抗膜を再現性よく得る手段とし
てスパッタリングによる方法が広く採用されてきている
。
スパッタリング法による薄膜形成の技術は周知であるが
、それを簡単に説明するならば真空吸引された容器内に
少量のアルゴン等の不活性ガスを導入し、ターゲットと
基板を対向させて載置し、該ターゲットと基板間で放電
させる。この結果、ターゲット材料が電離したアルゴン
イオン衝撃によりはじき出されて飛しょうし、対向する
前記基板に堆積する、このような原理を利用したもので
ある。
、それを簡単に説明するならば真空吸引された容器内に
少量のアルゴン等の不活性ガスを導入し、ターゲットと
基板を対向させて載置し、該ターゲットと基板間で放電
させる。この結果、ターゲット材料が電離したアルゴン
イオン衝撃によりはじき出されて飛しょうし、対向する
前記基板に堆積する、このような原理を利用したもので
ある。
一般にターゲツト材が単一物質では特に問題がないが、
化合物の場合には同じ化学組成の材料が基板上に析出す
るとは限らないという問題がある。
化合物の場合には同じ化学組成の材料が基板上に析出す
るとは限らないという問題がある。
酸化インジウムと酸化錫からなるITO膜のターゲット
はこれが著しく、スパッタリングされた基板上のITO
膜の抵抗率が一定にならないという問題を生じた。
はこれが著しく、スパッタリングされた基板上のITO
膜の抵抗率が一定にならないという問題を生じた。
この原因を究明していくと、ターゲットそのものが、イ
オン衝撃(ボンバード)及び熱影響により酸化物が解離
し、ITO膜形成のために調整した適合するターゲット
の組成に比べ酸素含有量がスパッタリング中に減少して
いくということが分った。
オン衝撃(ボンバード)及び熱影響により酸化物が解離
し、ITO膜形成のために調整した適合するターゲット
の組成に比べ酸素含有量がスパッタリング中に減少して
いくということが分った。
このターゲット組成の酸素減少に応じてスパッタリング
条件を制御するという手法も考えられるが事実上非常に
難しく、実男できていない。
条件を制御するという手法も考えられるが事実上非常に
難しく、実男できていない。
ITO膜は、酸化物組成の化学量論的なずれが導電性を
著しく増大させるものであり、酸素含有量の微少な増減
がITO膜特性に著しい影響を与えるものであるから上
記のようなターゲット中の酸素減少化傾向はITO膜の
性能向上に大きな障害となるものである。
著しく増大させるものであり、酸素含有量の微少な増減
がITO膜特性に著しい影響を与えるものであるから上
記のようなターゲット中の酸素減少化傾向はITO膜の
性能向上に大きな障害となるものである。
且里立且亙
本願発明は上記のような情況に鑑み、ITOターゲット
の酸素減少化による抵抗率の経時変化を効果的に抑制す
ることができるITO透明導電膜形成用ターゲットを提
供するものである。
の酸素減少化による抵抗率の経時変化を効果的に抑制す
ることができるITO透明導電膜形成用ターゲットを提
供するものである。
すなわち本発明は、
(1)In2O3とSn○、を主成分とする粉末混合体
の酸素含有量の理論計算値を重量比で100とした場合
、上記粉末混合体の焼結体ターゲットに含有される酸素
含有量が重量比で100未満であることを特徴とするス
パッタリング中の抵抗率の経時変化が少ないITO透明
導電膜用スパッタリングターゲット。
の酸素含有量の理論計算値を重量比で100とした場合
、上記粉末混合体の焼結体ターゲットに含有される酸素
含有量が重量比で100未満であることを特徴とするス
パッタリング中の抵抗率の経時変化が少ないITO透明
導電膜用スパッタリングターゲット。
(2)上記焼結体ターゲットに含有される酸素含有量が
重量比で98.5以下であることを特徴とする前記(1
)記載のITO透明導電膜用スパッタリングターゲット
。
重量比で98.5以下であることを特徴とする前記(1
)記載のITO透明導電膜用スパッタリングターゲット
。
(3)上記焼結体ターゲットに含有される酸素含有量が
重量比で98.5以下、89.9以上であることを特徴
とする前記(1)記載のITO透明導電膜用スパッタリ
ングターゲット。
重量比で98.5以下、89.9以上であることを特徴
とする前記(1)記載のITO透明導電膜用スパッタリ
ングターゲット。
(4)焼結体ターゲットの密度が4.0〜5.8g/c
m2であることを特徴とする前記(1)乃至(3)記載
のITO透明導電膜用スパッタリングターゲット。
m2であることを特徴とする前記(1)乃至(3)記載
のITO透明導電膜用スパッタリングターゲット。
に関する。
m化民盗」b4丑
ITO透明導電膜の主要成分はIn2O3であり、約7
0〜95%を占める。このIn、Q、は通常化学量論組
成からの「ずれ」によりn型の電導性を示す半導体で、
これに同効果をもっSnO,を添加し、その自由電子濃
度N(キャリヤ濃度)をnXl0”am−”オーダー程
度に高め、抵抗率ρが10−s〜104Ω・印程度とな
る膜をつくることができる。これがITO膜である。
0〜95%を占める。このIn、Q、は通常化学量論組
成からの「ずれ」によりn型の電導性を示す半導体で、
これに同効果をもっSnO,を添加し、その自由電子濃
度N(キャリヤ濃度)をnXl0”am−”オーダー程
度に高め、抵抗率ρが10−s〜104Ω・印程度とな
る膜をつくることができる。これがITO膜である。
上記のようにITO膜はIn、01にSnO,を添加す
ることによって著しい低抵抗化膜を得ることができるが
、さらにこれにFやSe等の微量元素を添加してさらに
導電性を改善する提案もなされている。
ることによって著しい低抵抗化膜を得ることができるが
、さらにこれにFやSe等の微量元素を添加してさらに
導電性を改善する提案もなされている。
上記のようにITO膜形成用のターゲットはスパッタリ
ング中に適正に配合した酸化インジウムと酸化錫中の酸
素含有量が減少するという問題を解決するために、本発
明においては予め、使用するターゲットそのものから酸
素を事前に減少させておくという手法を見出したもので
ある。
ング中に適正に配合した酸化インジウムと酸化錫中の酸
素含有量が減少するという問題を解決するために、本発
明においては予め、使用するターゲットそのものから酸
素を事前に減少させておくという手法を見出したもので
ある。
ITOターゲットの原材料として基本成分となるIn5
O,粉末及びSnO,粉末は高純度の粉末を使用する。
O,粉末及びSnO,粉末は高純度の粉末を使用する。
上記SnO,は5〜30%添加するが、5%未満及び3
0%を超えると添加する低抵抗化の効果がなくなるので
上記の混合割合とする。特に好ましい添加割合は5〜1
0%である。この他導電性を向上させる添加材料として
Sea、、SnF、等を0.1〜3%加えることができ
る。
0%を超えると添加する低抵抗化の効果がなくなるので
上記の混合割合とする。特に好ましい添加割合は5〜1
0%である。この他導電性を向上させる添加材料として
Sea、、SnF、等を0.1〜3%加えることができ
る。
このようにして準備された原料粉をそれぞれ所定の比率
で混合し、これを板状に成形する。この段階で上記粉末
混合体の酸素含有量は理論計算値とほぼ等しく例えばI
n、○、 (90wt%)+ S n O。
で混合し、これを板状に成形する。この段階で上記粉末
混合体の酸素含有量は理論計算値とほぼ等しく例えばI
n、○、 (90wt%)+ S n O。
(10wt%)中の酸素含有量は17.683wt%と
なる。
なる。
成形されたものをさらに焼結を行うが、焼結条件は大気
中、酸素を調整した酸化性雰囲気中、真空中又はAr等
の不活性雰囲気中のいずれの雰囲気で行うこともできる
。この条件は焼結体の目的に応じて適宜選択される。
中、酸素を調整した酸化性雰囲気中、真空中又はAr等
の不活性雰囲気中のいずれの雰囲気で行うこともできる
。この条件は焼結体の目的に応じて適宜選択される。
焼結温度は一般に1000〜1700℃で1〜5時間実
施する(−次焼結)が、これより低温でも可能である。
施する(−次焼結)が、これより低温でも可能である。
上記においては、成形を分けて行っているが、これを同
時に行うホットプレス法によっても製造できる。
時に行うホットプレス法によっても製造できる。
このような状態での焼結ターゲットはスパッタリング中
に酸素含有量の低減化傾向があり、基板に被着するIT
O膜の酸素含有量が経時的に変化する欠点がある。しか
し、この酸素低減化傾向も一定値に飽和してくるので、
スパッタリング操作で低減化する量だけ予めITOター
ゲットから除いておけば、原理的にはスパッタリング中
での酸素含有量の変化(低減化)はないわけである。
に酸素含有量の低減化傾向があり、基板に被着するIT
O膜の酸素含有量が経時的に変化する欠点がある。しか
し、この酸素低減化傾向も一定値に飽和してくるので、
スパッタリング操作で低減化する量だけ予めITOター
ゲットから除いておけば、原理的にはスパッタリング中
での酸素含有量の変化(低減化)はないわけである。
このため上記−次焼結の後、300〜1700℃で1〜
10時間(真空中、不活性ガス(例えばアルゴンガス)
雰囲気中、還元ガス(例えば水素ガス)雰囲気中又は熱
分解を起す高温加熱雰囲気中で)二次焼結を行う。
10時間(真空中、不活性ガス(例えばアルゴンガス)
雰囲気中、還元ガス(例えば水素ガス)雰囲気中又は熱
分解を起す高温加熱雰囲気中で)二次焼結を行う。
これによってITO焼結体ターゲットに含有される酸素
は、前記粉末混合体の酸素含有量(重量%)の理論計算
値を100とした場合に、それ未満(100未満)とな
る。最下限値は69.0である。
は、前記粉末混合体の酸素含有量(重量%)の理論計算
値を100とした場合に、それ未満(100未満)とな
る。最下限値は69.0である。
この最下限値はIn2O3とQnO,が還元され、それ
ぞれInOとSnOになったときの値である。
ぞれInOとSnOになったときの値である。
好ましくは89.9以上98.5以下とするが、それは
二次焼結の条件の選択によって遠戚できる。
二次焼結の条件の選択によって遠戚できる。
上記数値89.9はスパッタリング中の酸素低減化によ
る飽和値と認められる値であり、数値98.5は抵抗率
の経時変化が顕著に緩和してくる値である。
る飽和値と認められる値であり、数値98.5は抵抗率
の経時変化が顕著に緩和してくる値である。
上記の一連の工程における焼結は比較的低温の焼結であ
り、ITO焼結体ターゲットの密度は4.0〜5.8g
/c−ffl、好ましくは4.8〜5.8g/crd(
一般には中密度といわれる)である。
り、ITO焼結体ターゲットの密度は4.0〜5.8g
/c−ffl、好ましくは4.8〜5.8g/crd(
一般には中密度といわれる)である。
焼結ターゲットの外観は上記−次焼結ターゲットは淡い
薄縁色を呈しているが、二次焼結ターゲットは黒色化し
た。これはスパッタリング中に酸素が欠乏化した従来タ
ーゲットの外観に近似しており、二次焼結後の焼結体タ
ーゲットが理論計算値の酸素含有量よりも低減化してい
ることが分る。
薄縁色を呈しているが、二次焼結ターゲットは黒色化し
た。これはスパッタリング中に酸素が欠乏化した従来タ
ーゲットの外観に近似しており、二次焼結後の焼結体タ
ーゲットが理論計算値の酸素含有量よりも低減化してい
ることが分る。
上記のような低真空中での二次焼結ではIn。
○、とSnO,の熱解離を生じ、理論化合物組成から酸
素解離し、減少するという現象が生ずるためである。ス
パッタリング操作中でもアルゴン雰囲気の低真空中で行
われるから、ITOターゲットの熱解離とイオン衝撃エ
ネルギーによるI n2O3、SnO,の解離が必然的
に行われていると推測される。
素解離し、減少するという現象が生ずるためである。ス
パッタリング操作中でもアルゴン雰囲気の低真空中で行
われるから、ITOターゲットの熱解離とイオン衝撃エ
ネルギーによるI n2O3、SnO,の解離が必然的
に行われていると推測される。
本発明の如く、予め減少化する量だけITOり−ゲット
から酸素を除いておくと、スパッタリング中での解離現
象が著しく減少し、基板に析出するITO膜の抵抗値に
ほとんど経時変化がなく、スパッタリングを行うことが
できる。
から酸素を除いておくと、スパッタリング中での解離現
象が著しく減少し、基板に析出するITO膜の抵抗値に
ほとんど経時変化がなく、スパッタリングを行うことが
できる。
上記の製造工程によって得られた焼結体は機械加工によ
りターゲットとして必要な形状、例えば矩形、円盤等の
板状体に仕上げられる。
りターゲットとして必要な形状、例えば矩形、円盤等の
板状体に仕上げられる。
次に実施例に沿って本願発明を説明する。
1鳳盟及斐里笠盟
基本成分となる高純度のIn、○、粒粉末SnO3粉を
準備し、In、0.90 w t%、Sn0,10wt
%の成分配合割合にて予め板状の成形体を作成した。そ
してこれを大気中で焼結して4Iφ×4tの寸法の5.
Ig/cm2の密度を有するITOターゲットを作製し
た。焼結温度は1500℃、焼結時間は3時間である。
準備し、In、0.90 w t%、Sn0,10wt
%の成分配合割合にて予め板状の成形体を作成した。そ
してこれを大気中で焼結して4Iφ×4tの寸法の5.
Ig/cm2の密度を有するITOターゲットを作製し
た。焼結温度は1500℃、焼結時間は3時間である。
これは−次焼結に相当し、この−次焼結したものを比較
例として呈示する。
例として呈示する。
次に本発明の実施例として一次焼結までは全く同様にし
て作製したITOターゲット材をさらにアルゴン雰囲気
100Pa (パスカル)、1200℃で5時間二次焼
結を行った。この時のターゲット密度は5.Og/−で
あった、酸素含有量はITOの成分組成の理論計算値を
100とすると98.5であった。
て作製したITOターゲット材をさらにアルゴン雰囲気
100Pa (パスカル)、1200℃で5時間二次焼
結を行った。この時のターゲット密度は5.Og/−で
あった、酸素含有量はITOの成分組成の理論計算値を
100とすると98.5であった。
以上の本発明例及び比較例のターゲットについてスパッ
タリングし基板に形成された薄膜の抵抗の経時変化を調
べた。
タリングし基板に形成された薄膜の抵抗の経時変化を調
べた。
スパッタリング条件は次の通りである。(装置、日電ア
ネルバ製5pF−2108) 投入パワー 0.5W/ail スパッタリングガス 純アルゴン ガ ス 圧 0.5Pa基
板 温 度 室温 (25℃)一般にITO
膜の電気特性すなわち抵抗率ρ(ΩcITI)は次式で
表すことができる。
ネルバ製5pF−2108) 投入パワー 0.5W/ail スパッタリングガス 純アルゴン ガ ス 圧 0.5Pa基
板 温 度 室温 (25℃)一般にITO
膜の電気特性すなわち抵抗率ρ(ΩcITI)は次式で
表すことができる。
N (cm−″) キャリヤ濃度μ(−/V・5
ec) 易動度 e (1,602xlO−’c)電気素量この結果を第
1図及び第2図に示すが、図で成膜1回ごと(約150
0人)に膜の抵抗を計った(図では黒点で示される)、
全てアニール(大気中300℃×30分)後の抵抗率(
ρ)の経時変化を示す。
ec) 易動度 e (1,602xlO−’c)電気素量この結果を第
1図及び第2図に示すが、図で成膜1回ごと(約150
0人)に膜の抵抗を計った(図では黒点で示される)、
全てアニール(大気中300℃×30分)後の抵抗率(
ρ)の経時変化を示す。
第1図は本発明の実施例であるが、連続してスパッタリ
ングしてもITO膜の抵抗率ρは殆ど時間的に変化が認
められず、はぼ一定である。これに対して第2図で示さ
れる比較例の一次焼結のみのITOターゲットでは、次
第に抵抗率が上昇していくのが分る。
ングしてもITO膜の抵抗率ρは殆ど時間的に変化が認
められず、はぼ一定である。これに対して第2図で示さ
れる比較例の一次焼結のみのITOターゲットでは、次
第に抵抗率が上昇していくのが分る。
この結果、比較例のITOターゲットは膜の抵抗率が不
安定で品質に問題を芦しているが、本発明例ではこれが
なく、良好な品質のものが得られる。
安定で品質に問題を芦しているが、本発明例ではこれが
なく、良好な品質のものが得られる。
ITO膜の一般的光学特性としては基礎吸収端が紫外域
にあり、さらに適度の自由電子による吸収を近赤外域か
ら生じるためその画成に挟まれた可視域において透明と
なり、赤外域においては熱線を反射する。そして可視透
過率は80%を超え、通常90%以上である。本願発明
のスパッタリングターゲットを用いて形成した透明導電
膜は、いずれも可視透過率が90%を超えた。
にあり、さらに適度の自由電子による吸収を近赤外域か
ら生じるためその画成に挟まれた可視域において透明と
なり、赤外域においては熱線を反射する。そして可視透
過率は80%を超え、通常90%以上である。本願発明
のスパッタリングターゲットを用いて形成した透明導電
膜は、いずれも可視透過率が90%を超えた。
互且豆立羞来
上記から明らかなように本願発明は透明導電膜としてス
パッタリングによってITO膜を形成する際、経時変化
のない優れた特性をもつITO膜を提供するものである
。
パッタリングによってITO膜を形成する際、経時変化
のない優れた特性をもつITO膜を提供するものである
。
上記に述べたように本願明細書に記載するデータに留ま
らず、基板条件や熱処理さらには成膜時の酸素分圧など
をコントロールすることなどにより、上記の抵抗率をさ
らに改善することが可能である。本願発明のようにスパ
ッタリングによるITO膜の形成において、安定した品
質を得ることができれば、歩留りが向上し、膜特性を良
好に維持することができる。液晶表示装置や、選択透過
膜など多くの電子機器に採用されている本発明による透
明導電膜の一層の進歩は、今後の技術及び機器の開発に
著しい貢献をもたらすことができる。
らず、基板条件や熱処理さらには成膜時の酸素分圧など
をコントロールすることなどにより、上記の抵抗率をさ
らに改善することが可能である。本願発明のようにスパ
ッタリングによるITO膜の形成において、安定した品
質を得ることができれば、歩留りが向上し、膜特性を良
好に維持することができる。液晶表示装置や、選択透過
膜など多くの電子機器に採用されている本発明による透
明導電膜の一層の進歩は、今後の技術及び機器の開発に
著しい貢献をもたらすことができる。
第1図は本発明のITOターゲットによって形成された
薄膜の抵抗率の関係を経時的に示すグラフであり、第2
図は比較例を示す同グラフである。
薄膜の抵抗率の関係を経時的に示すグラフであり、第2
図は比較例を示す同グラフである。
Claims (4)
- (1)In_2O_3とSnO_2を主成分とする粉末
混合体の酸素含有量の理論計算値を重量比で100とし
た場合、上記粉末混合体の焼結体ターゲットに含有され
る酸素含有量が重量比で100未満であることを特徴と
するスパッタリング中の抵抗率の経時変化が少ないIT
O透明導電膜用スパッタリングターゲット。 - (2)上記焼結体ターゲットに含有される酸素含有量が
重量比で98.5以下であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のITO透明導電膜用スパッタリング
ターゲット。 - (3)上記焼結体ターゲットに含有される酸素含有量が
重量比で98.5以下、89.9以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のITO透明導電膜用
スパッタリングターゲット。 - (4)焼結体ターゲットの密度が4.0〜5.8g/c
m^2であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃
至第3項のそれぞれに記載するITO透明導電膜用スパ
ッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1179123A JPH0765167B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | Ito透明導電膜用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1179123A JPH0765167B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | Ito透明導電膜用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0344464A true JPH0344464A (ja) | 1991-02-26 |
JPH0765167B2 JPH0765167B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=16060402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1179123A Expired - Lifetime JPH0765167B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | Ito透明導電膜用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0765167B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04285163A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-09 | Nikko Kyodo Co Ltd | Itoスパッタリングタ−ゲット |
NL9500634A (nl) * | 1994-04-19 | 1995-12-01 | Leybold Ag | Inrichting voor het bekleden van een substraat. |
JP2007145712A (ja) * | 1994-05-25 | 2007-06-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 紫外線、近赤外線遮へい用インジウム−錫酸化物粉末とこれを用いた紫外線、近赤外線遮へいガラスおよびその製造方法 |
KR100891952B1 (ko) * | 2008-07-24 | 2009-04-08 | 주식회사 나노신소재 | 투명 도전막용 산화물계 타겟 및 그 제조방법, 그리고산화물계 투명 도전막 |
WO2011118334A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物蒸着材と透明導電膜 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59136480A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-08-06 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 陰極スパツタリング用タ−ゲツト |
JPS6340756A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | 旭硝子株式会社 | 錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体 |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP1179123A patent/JPH0765167B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59136480A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-08-06 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 陰極スパツタリング用タ−ゲツト |
JPS6340756A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | 旭硝子株式会社 | 錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04285163A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-09 | Nikko Kyodo Co Ltd | Itoスパッタリングタ−ゲット |
NL9500634A (nl) * | 1994-04-19 | 1995-12-01 | Leybold Ag | Inrichting voor het bekleden van een substraat. |
KR100269403B1 (ko) * | 1994-04-19 | 2000-12-01 | 페터 좀머캄프 | 기판 성막 방법 |
JP2007145712A (ja) * | 1994-05-25 | 2007-06-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 紫外線、近赤外線遮へい用インジウム−錫酸化物粉末とこれを用いた紫外線、近赤外線遮へいガラスおよびその製造方法 |
JP4600685B2 (ja) * | 1994-05-25 | 2010-12-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 紫外線、近赤外線遮へいガラス |
KR100891952B1 (ko) * | 2008-07-24 | 2009-04-08 | 주식회사 나노신소재 | 투명 도전막용 산화물계 타겟 및 그 제조방법, 그리고산화물계 투명 도전막 |
WO2011118334A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物蒸着材と透明導電膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0765167B2 (ja) | 1995-07-12 |
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