KR100269403B1

KR100269403B1 - 기판 성막 방법

Info

Publication number: KR100269403B1
Application number: KR1019950004984A
Authority: KR
Inventors: 루돌프 라츠
Original assignee: 페터 좀머캄프; 라이볼트 아게; 에릭 투테
Priority date: 1994-04-19
Filing date: 1995-03-10
Publication date: 2000-12-01
Also published as: NL9500634A; JPH07310178A; DE4413378A1; KR950034500A

Abstract

본 발명은 진공 챔버내에서 교류 전압에 직류 전압을 중첩시켜 인듐-틴-옥사이드(ITO : Indium-Tin-Oxide) 물질로 구성된 타케트를 스퍼터링하여 기판에 성막을 하는 설비 및 방법에 관한 것으로, 사용되는 타게트는 5% 내지 10%의 산소 결핍을 가지며 90%이상의 압축도를 가진 ITO물질로 구성되며 100℃ 이상의 대략 200℃ 정도에서 우수한 전기적 저항 특성을 갖는 층을 형성할 수 있다.

Description

기판 성막 방법

제1도는 본 발명에 따른 전압 변동율을 갖는 음극 스퍼터링(Sputtering)을 이용한 기판 성막(Coating) 설비의 구성도.

제2도는 본 발명에 따른 스퍼터링 챔버(Sputtering Chamber)내에서 음극에 인가된 교류(AC) 전력 함수인 직류(DC) 전압과 압력과의 그래프.

제3도는 본 발명에 따른 스퍼터링 공정으로 형성된 두개의 산소(O₂)와 아르곤(Ar)의 함수인 ITO 층의 광학적 투과도와 저항 특성을 도시한 그래프.

제4도는 본 발명에 따라 타게트(Target) 표면상의 수직 자계와 수평 자계의 자취 도면이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 3 : 타게트

4 : 마그네트론 음극 5 : 음극

6 ; 이음쇠(Yoke) 7,8,9 : 영구 자석

10 : 직류 전압원 16,17 : 가스 탱크

18,19 : 스톱 밸브 24 : 제2콘테이너

25 : 제1콘테이너 30 : 고 주파수 전압원

40 : 개폐 장치(Switching Device) 45 : 계량 밸브

46 : 제어 밸브 47 : 가스 분배기

51 : 조정기

본 발명은 기판 성막(Coating) 설비 및 그 방법에 관한 것으고서, 더욱 상세하게 말하자면 직류 전압 상에 교류 전압을 중첩하여 타게트(Target)를 스퍼터링하여 획득된 물질로서 기판에 성막(Coating)을 하는 설비 및 그 방법에 관한 것이다.

일반적으로 소위 스퍼터링 기술의 도움으로 기판에 성막(Coating)을 할 때, 특정 물질로 구성된 타게트를 음극에 배치하고 고속으로 대전된 입자(예를 들면, 이온)를 기판에 충돌하게 스퍼터링시킨다.

이와 같은 스퍼터링을 통해 타게트 입자는 기판에 직접적으로 증착되거나 또는 투입된 이후에 성분 형성을 위한 화학 반응을 거쳐 증착된다.

가판상에 증착되는 물질의 양은 고려할 타게트 물질 그 자체 뿐만 아니라 사용되는 스퍼터링 기법에 의해 좌우된다.

기판상에 산화-인듐(In-O) 또는 산화-주석(Sn-O) 또는 산화-카드늄-주석(CD-Sn-O) 또는 산화-카드늄-인듐(Cd-In-O)로 구성된 투명하고 전기적으로 도전되는 층을 증착시키는 것은 특히 어렵다.

상기 재료들의 낮은 전기적 저항에 기인하여, 특히 인듐-틴-옥사이드(ITO:In-Tin-Oxide) 재료 즉, 산화-인듐(In-O)을 기초로 주석(Sn)을 첨가하여 구성된 물질을 사용하는 것이 바람직하다.

여기서 아이-티-오(이하, ITO)는 인듐(Indium)-주석(Tin;Sn)-옥사이드(Oxide)의 생략형이다.(참고: DE-A-4 037 733 = US-A-5 094 787 관련하여, 스퍼터링 동작에서 인듐-틴-옥사이드 타게트를 스퍼터링하는 제조공정의 효과(Influence of manufacturing process of indium tin oxide sputtering targets on sputtering behavior), Gehman B.L 외 ; 고형 박막(Thin Solid Films) (220, 1992)의 페이지 333-336, 타게트 표면 스퍼터링 공정에 의하여 투명 전도성 인듐-틴-옥사이드 막의 저 압력 및 저 온도 증착(Low pressure and temperature depositions of transparent conductive indium tin oxide(ITO) films by the face target sputtering(FTS) process), Lee W.-K. 외 ; 고형 박막(Thin Solid Films)(224, 1993)의 페이지 105-111, 인듐-틴-옥사이드가 증착된 룸(Room) 열 스퍼터의 전자 및 광학적 특성(Electronic and optical properties of room temperature sputter deposited indium tin oxide), Lee S. B. 외 ; J. Vac. Sci. Technol. A 11 (5) (Sept/oct 1993)의 페이지 2742-2746.)

그러나, 엄밀하게 이들 재료는 특정 조건하에서만 기판에 고속으로 증착될 수 있다. 유전체로 기판에 성막하기 위한 배열은 이미 알려진 바와 같이 직류 전압 성분과 교류 전압 성분으로 조성된 전압에서 타게트를 스퍼터링하는 것이다.(DE-A 3 821 207) 교류 전압의 전력 성분은 대략 직류 전압의 전력 성분의 5% 내지 25% 이다.

또한 기존의 투명한 전기적 전도층의 제작을 위한 방법은 600 Oe 이상의 자계 강도에서 타게트를 스퍼터링하는데 있어서,

13.56 MHz 의 고주파수 전압에 중첩된 직류 전압을 타게트 음극에 인가한다.(EP-A2-O 447 850) 고주파수 전압과 직류 전압의 중첩에 의하여 플라즈마의 방전전압이 낮아진다.

그러나, 양호한 전기전 전도성을 갖는 ITO 층을 획득하기 위하여 기판의 온도는 성막 공정 동안에 대략 350℃가 되어야 한다.

또한 기존의 음극 스퍼터링을 위한 산화 세라믹(Ceramic) 타게트는 부분적으로 감소된 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물로 구성되고 이론상 75% 이상의 밀도를 가지며 100×10^-3Ohm cm 내지 1×10^-3Ohm cm 사이의 전기 저항 특성을 갖는다.

이 타게트가 갖는 0.02 내지 0.03의 일정하게 규정된 감소도를 가지며, 타게트 표면에 어떠한 위치에서도 5% 이상으로 타게트 감소도의 의미를 이탈하지 않는다.

타게트를 스퍼터링하여 투명한 전기적으로 도전되는 ITO 막을 획득하기 위하여 산화 인듐(In₂O₃)과 산화 주석(SnO₂)로 구성된 분말 형태의 혼합물을 소결(燒結)하고 이론치 이하로 소결된 본체의 산소 성분을 조정하는 것이 알려져 있다.(일본 특허 출원 3-44464, 일본 특허 초록, C-830, 1991, 5, 9, Vol.15, No. 181) 또한, 기존의 ITO 타게트의 제작 공정은 산화 인듐(In₂O₃)과 산화 주석(SnO₂)로 구성된 분말 형태의 혼합물을 1시간 내지 5시간 동안의 공기속에서 소결 공정과 그후에 1 시간 내지 10 시간 동안의 진공(VACUO)에서 1300℃ 내지 1700℃에서 제2소결 공정에 의한다.(일본 특허 출원 3-44465, 일본 특허 초록, C-830, 1991, 5,9,Vol. 15, No. 181)

본 발명은 피복 공정 동안 기판의 온도를 저하시키는 작업에서도 매우 낮은 전기 저항 특성을 갖는 ITO 층을 얻는 것을 기초로 한다.

상기와 같은 과제는 교류 전압에 중첩된 직류 전압을 이용하여 타게트를 스퍼터링하여 파생된 물질로 기판에 성막을 하는데 있어서, 5% 이상의 산소 결핍을 갖는 ITO 물질로 구성된 타게트 재료의 특징에 따라 해결된다.

타게트로 사용되는 ITO 물질은 바람직하게 압축되거나 또는 고정적으로 열압축된 물질이다.

출발 분말의 낱개(Grain) 크기는 전형적으로 5㎛ 내지 20㎛ 이다.

본 발명에서 특히 얻어지는 이득은 낮은 기판 온도(예를 들면 200℃)에서도 매우 낮은 특정 저항치(예를 들면 p < 130μOhms)의 형성층을 얻는다는 것에 있다.

단 100℃의 기판 온도에서도 좋은 ITO 층이 산출된다. 또한, 본 발명은 모든 스퍼터링 설비에서 사용될 수 있다.

즉, 고 주파수(HF) 동작을 하는 어떠한 기하학적인 구조의 음극 설비와 정상 설비 뿐만 아니라 내선 설비에서도 사용될 수 있다.

그리고 본 발명은 넓은 면적을 성막할 수 있는 설비를 조립 가능하게 한다.

고 주파수와 직류 전력에서 2nm/s의 요구하는 크기의 고속 증착 속도로 수행하며 공정이 계속 안정되기 위하여, 방전 전압에서의 소 장애와 설정 한계 이상의 장애를 검출하여 신속히 직류 전력을 대체 소비자로 전환시키는 조정이 이용된다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.

제1도는 본 발명에 따른 전압 변동율을 갖는 음극 스퍼터링 설비의 구성도로서, 본 발명과 관련하여 박막 ITO 층(2)을 제공받게 되는 기판(1)을 도시하였다.

기판(1)은 스퍼터링되는 타게트(3)와 대치되어 있다.

타게트(3)는 90% 이상의 압축도와 5% 내지 10%의 산소 결핍을 갖는 ITO 물질로 구성되어 전극(4),(5)에 접속되어 있다.

상기 압축도에 의해서 물질의 밀도를 이해할 수 있다.

예를 들어 90%의 압축도가 의미하는 것은 그 물질이 90%의 이론학상으로 가능한 90%에 해당하는 밀도를 갖는다는 것이다.

그 밀도는 측정된 무게와 부피에 의하여 결정될 수 있다.

타게트(3)은‘ U’ 형태의 단면을 가지는 소위 음극인 전극(4),(5)상에 고정된다.

이음쇠(yoke:6)는 상기 음극(4),(5)의‘ U’자형 부위 사이에 설치된다.

이음쇠(6)와 ‘ U’자형 음극의 하단간에 영구 자석들이 배치된다.

3개의 영구 자석(7),(8),(9)의 극성은 교대로 타게트(3)을 향하고 있어서, 두개의 양쪽의 영구 자석(7),(8)의 S극은 중심의 영구 자석(8)의 N극과 타게트(3)을 통하여 대강 호(arc) 형태의 자계를 생성한다.

자계는 타게트(3)의 앞면에 플라즈마를 밀집시켜서 자계가 최대가 되는 부분에서 타게트(3)가 최대한의 밀도를 가지도록 한다.

플라즈마내의 이온은 직류원(DC source:10)에 의한 직류 출력 전압에 기인하여 증진되는 전계를 통하여 가속된다.

상기 직류원(10)의 음극(negative pole)은 선(28)과, 호형 자계 검출 및 자제를 시키는 개폐 장치(Switching Device, 40) 뿐만 아니라 고 주파수 필터를 농하여 전극(5)에 접속된다.

상기 고 주파수 필터는 두개의 인덕터(11),(12)와 두개의 캐패시터(29),(32)로 구성된다.

고 주파수 필터는 수 MHz 범위의 장애를 여파하도록 설계된다.

그러나 자계 불안정에 의한 장애는 저 주파수에서 발생하므로 주파수 필터를 통과할 수 있다.

직류 전압에 의해 생성된 전계는 타게트(3)의 표면에 직교하고 타게트(3)을 향한 방향으로 플라즈마의 양이온(Positive Ions)을 가속시킨다.

다소간의 원자 또는 입자는 특정하게 최대자계를 갖는 영역(13),(14)에서 타게트(3)으로 부터 녹 아웃(knock out)된다.

그것의 운동 에너지로 인하여 스퍼터링된 원자 또는 입자는 박막층(2)으로 증착되는 기판(1)을 향하여 이동한다.

타게트 입자를 자유롭게 녹크하기 위하여 타게트(3)상에 충돌하는 이온으로 부터 방출된 플라즈마는 그와 같은 방식으로 불활성 기체에 의해 형성된다.

상기 가스는 탱크(16)로부터 스톱 밸브(18)와 선(22), 및 후보(Futher) 조절 밸브(42)와 콘테이너(25)의 피드 스로우(Feed-through:21), 그리고 제2콘테이너(24)의 개구(43)을 통하여 플라즈마 용적(44)에 도달한다.

상술한 바와 같이, 타게트는 산소결핍을 갖는다.

산소 결핍이란 그 물질이 화학식에 따라 기대되는 만큼 완전히 산화되지 않았다는 것을 의미한다.

산화 인듐(Indium Oxide)의 화학식은 In₂O₃이다. 반면 산화 주석(Tin Oxied)은 SnO₂이다.

산소 부족은 화학적이고 물리적인 분석 방법으로 결정될 수 있다.

(예를 들면, 무기 화학 분석 및 제작 교습서(Lehrbuch der analytischen und praparativen anorganishen Chemie, 12th Edition, 1985), Jander/Blasius, 페이지 334-347)

기판(1) 상에 산화층(2)을 증착하기 위해서 후보 탱크(further tank:17)로부터 산소 또는 산소/아르곤(Ar/O₂) 혼합물이 정지(Stop) 밸브(19)와 보다 낮은 음극 부위를 감싸고 있는 가스 분배기(gas dispenser: 47)상의 제어 밸브(46)를 통하여 공급된다.

선 부위(50)의 계량 밸브(45)는 두개의 각각의 가스 시스템을 분리하거나 양 가스 시스템에 대하여 광 범위하게 가스 혼합을 허용한다.

추가적으로, 가스 분배기(47)와 구조적 요소인 타게트(3)와, 이음쇠(6) 및 영구 자석(7),(8),(9), 사이에 암실(Dark Space) 보호용으로 보호기(48)가 제공된다. 즉, 음극의 측면 영역에서의 연소로부터 플라즈마를 저지하는 역할을 한다.

산소는 타게트 원자와 플라즈마 용적(44)에서 화학적으로 결합하여 분자 형성하여 기판(1) 상에 분자 형태로 증착된다.

스톱 밸브(18),(19)는 정지되고 계량 밸브(45)는 개별적으로 가스 탱크(16) 또는 가스 탱크(17)과 연결된다.

계량 밸브(45)로서 생성된 혼합 가스를 제공한다.

후보 조절 밸브(Further Control Valve:42)는 스퍼터링 챔버의 하부 영역으로 투입되는 가스를 계측한다.

만일 기판(1)상에 산화막이 증착되지 않는다면, 가스 탱크(17)은 가스 탱크(16)과 동일하게 불활성 기체(예를 들면, 아르곤(Ar))로 채워질 수 있다.

가스 탱크(16), 및 (17)로부터 유인되는 선들은 선(50)와 계량 밸브(45)에 의하여 개별적인 스톱 밸브(18), 및 (19)를 따라 계량 밸브(45)와 연결된다.

제어 밸브(46)은 전극(5)에 연결된 조정기(Regulator:51)에 의하여 조절된다.

방전 전압이 상수치 또는 설정치로 유지되는 것과 같이, 밸브(46)과 조정기(51)로 산소 또는 산소-아르곤의 혼합량의 흐름이 조정된다.

그리고 양 콘테이너(24)와 (25), 및 콘테이너(25)의 하단에 위치한 기판(1)은 접지 전위에 있다.

또한, 직류원(10)의 제2단자(27) 뿐만 아니라 고 주파수 원(30)의 단자(36)도 접지 전위이다.

고 주파수 원(30)의 다른 단자는 고 주파수 동조(tunning) 회로를 통하여 전극(5)에 연결된다.

상기 고 주파수 동조 회로는 캐패시터(33),(34)와 인덕터(35)로 구성되어 음극(5)에 고 주파수를 급송하는 정합 망(matching network)으로서, 및 직류원(10)의 직류 전류가 교류원(30)에 도달할 수 없도록 직류 전류 차단(DC current block)으로서 제공된다.

호형 자계 검출 뿐만 아니라 가스 반응 조정기(51)을 위한 입력 파라미터는 음극 전압이다.

호형 자계 검출기 및 가스 반응 조정기(51)는 각자가 분리해서 반응 특성이 설정되므로 서로 독립적으로 동작할 수 있다.

제1도에서는 장치(40)가 상세하게 묘사되지 않았다. 그 이유는 그와 같은 장치는 논문상에서 이미 알려져 있기 때문이다.(DE-A 41 27 504, DE-A 41 27 595)

이 장치(40)의 경우에 있어서, 타게트로부터 치환 소비자(도시되어 있지 않음)로 직류 전압을 재송하는 개폐 장치(switching device)로 구성된다.

상기 치환 소비자는 저항과 캐패시터로 구성된 전기 회로이다.

제1도에 도시된 설비로 우수한 특성을 가지는 층(2)이 제작될 수 있다.

전기 저항에 관하여 볼 때, 소위 열 공정 즉, 기판에 성막을 하는 동안 기판이 증가된 열로 유지되는 공정이 수행된다면 가장 양호한 결과를 얻어진다.

대략 200℃의 기판 온도로서 이미 종래 공정으로 350℃에서만 얻을 수 있는 것과 같은 전기적 전도성을 갖는 ITO 층을 얻는다.

대개 기판(1)은 이면(back-side)부터 가열된다.

대향 수직 스퍼터링 설비에서 조차도, 특히 중심 스워드 히터(Sword Heater)를 통하여 기판의 이면부터 가열을 시작한다.

기판의 온도는 적외선 온도계 장치에 의하여 접촉시키지 않고 측정된다.

음극(5)과의 직류 폐회로내에서 고 주파수와 직류 전력, 및 예를 들어 2nm/s의 고증착 속도에서 안정된 공정을 수행하기 위하여 상기 서술된 장치(40)는 신속하게 방전 전압에서의 소 장애를 검출하고, 예를 들어 수마이크로 초의 설정 한계 이상의 장애에 있어서 신속하게 치환 소비자로 직류 전력을 개폐한다.

이로써 고 주파수 전력의 가장 큰 부분이 음극(5)에 더이상 도달하지 못하게 되며, 그이유는 플라즈마의 임피던스 변화에 기인하여 고 주파수 회로(31),(33),(35)가 불충분하게 정합되기 때문이다.

그래서 플라즈마의 전력이 저하되어 장애가 사라진다.

상기와 같은 인터럽션(Interruption) 후에는 정상적으로 공정이 계속된다.

고 주파수 공급원(30)과 직류 공급원(10)은 조정된 전력에서 재동작된다.

제2도는 본 발명에 따라 교류 전압 전력의 함수로서 음극에 인가된 직류 전압과 스퍼터링 챔버내의 압력내의 그래프로서, 본 발명과 관련하여 음극(5)에 인가된 직류 전압이 고 주파수의 함수로서 도시되어 있다.

여기서 직류 전압원(10)에 의한 직류 출력 전력은 270 W로 일정하다.

제2도에 도시되어 있는 바와같이 측정 곡선 I는 플라즈마 챔버(44)내의 4. .9 ubars 의 압력에서 측정된 곡선이며, 측정 곡선Ⅱ는 플라즈마 챔버(44)내의 1.6 ubars 의 압력에서 측정된 곡선이다.

여기서 상기 양 압력에 대하여 증가되는 고 주파수 전력 성분을 인가하여 비록 직류 전력 성분이 저하되지 않더라도 직류 전압이 감소될 수 있음을 알 수 있다.

왜냐하면 직류 전압은 방전 전압이며, 따라서 이 방전 전압은 대략 타게트(3)요인에 의하여 감소 될 수 있다.

제3도는 본 발명에 따른 스퍼터링 공정 동안 산소/아르곤 흐름의 기능으로서 ITO 층의 저항 특성과 광학적 투과도와의 두가지 기술 차이상에서의 비교 그래프로서, 본 발명과 관련하여 생성된 ITO 층(2)의 전기적 저항 특성과 광학적 투과도를 도시한 것이다.

좌측 종 좌표는 저항을 나타내며 우측 종 좌표는 투과도를 가리킨다.

횡 좌표는 선(22)를 통하여 챔버(44)내로 유입되는 혼합 가스량을 나타낸다.

혼합 가스는 15%가 산소이며 85%가 아르곤으로 구성되어 있다.

곡선 Ⅲ은 두께 107nm인 ITO 층의 광학적 투과도이며, 반면 곡선 Ⅳ은 상기 107nm인 ITO 층의 저항 특성을 도시한 것이다.

곡선 Ⅴ은 두께 105nm인 ITO 층의 저항 특성에 해당하며, 곡선Ⅵ은 상기 105nm인 ITO 층의 광학적 투과도를 가르킨다.

상기의 곡선들은 대략 200℃의 기판 온도에 적용되는 곡선이다.

제3도에 도시된 바와 같이 곡선 Ⅲ과 곡선 Ⅵ에 의하여 광학적 투과도는 가스량이 증가함에 따라 증가함을 알 수 있다.

반면에 곡선 Ⅳ과 곡선 Ⅴ에 의하여 저항 특성은 가스량이 증가함에 따라 감소함을 알 수 있다.

제4도는 본 발명에 따라 타게트 표면상의 수직 및 수평 자계 자취도로서, 본 발명과 관련하여 음극의 중심 영역에서 음극을 횡단하는 선을 따라 타게트 표면에서의 자계 자취의 가로 성분과 세로 성분을 도시하였다.

자계의 강도는 매우 중요하다, 왜냐하면 대략 제4도에 도시된 강도를 갖는 자계로 매우 낮은 방전 전압을 얻을 수 있다.

더욱 약한 자계의 경우에 있어서 방전 전압은 증가한다.

그와 같은 높은 자계 강도를 얻기 위하여 바코딤(Vacodym) 자석이 사용되는 것이 바람직하다.

Claims

a) AC 전압이 중첩되는 DC 전압을 발생하는 전압원 수단을 가진 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 단계 ; b) 5% 내지 10%의 산소 결핍과 85% 이상의 압축도르 가진 ITO 타겟을 제공하는 단계 ; c) 상기 ITO 타겟을 상기 전압원 수단에 연결하는 단계 ; d) 호형 자계에서 주어진 시간 동안 타겟으로부터 직류 전압을 제거하는 제어 가능한 개폐 장치를 제공하는 단계 ; e) 상기 타겟이 처리되고 가스 또는 가스 혼합물이 도입되는 진공 챔버를 제공하는 단계 ; f) 상기 가스 도입을 제어한는 제어 수단을 제공하는 단계 ; g) 성막될 기판을 제공하고 성막되는 동안 100℃와 250℃ 사이의 일정한 온도에서 상기 기판을 유지하는 단계 ; h) 상기 타겟을 넘어서 자계-여기서 자계는 수평 성분과 수직 성분을 가지며 각각은 750 가우스(Gauss) 이상의 자계 강도를 가짐-를 유지하는 단계 ; 및 i) 상기 타겟을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 ITO 를 가진 기판 성막 방법.
제1항에 있어서, 상기 압축도가 95%인 것을 특징으로 하는 ITO 를 가진 기판 성막 방법.
제1항에 있어서, 상기 ITO 재료는 5% 내지 10% 사이의 산화 주석(Sn-O)이 부가된 산화 인듐(In-O) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 ITO 를 가진 기판 성막 방법.
제1항에 있어서, 상기 제어 가능한 개폐 장치가 상기 타겟으로부터 치환 소비자로 직류 전압을 환송하는 전환(Switch-Over) 장치인 것을 특징으로 하는 ITO 를 가진 기판 성막 방법.
제4항에 있어서, 상기 개폐 장치가 방전 전압에서 장애를 검출하는 장치에 의하여 제어되며 수 마이크로초 동안 직류 전압을 상기 타겟으로부터 상기 치환 소비자로 전환시키는 것을 특징으로 하는 ITO 를 가진 기판 성막 방법.
제1항에 있어서, 상기 직류 전압이고 주파수 필터를 거쳐 상기 타겟에 공급되는 것을 특징으로 하는 ITO 를 가진 기판 성막 방법.
제1항에 있어서, 상기 자계가 1400 가우스의 최대 수직 성분과 1200 가우스의 최대 수평 성분을 갖는 것을 특징으로 하는 ITO 를 가진 기판 성막 방법.
제1항에 있어서, 상기 직류 전압 원의 전력 출력이 스퍼터링 동안 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 ITO 를 가진 기판 성막 방법.
제1항에 있어서, 상기 교류 전압의 전력 출력이 스퍼터링 동안 감소되는 것을 특징으로 하는 ITO 를 가진 기판 성막 방법.