JPH10237632A - Ｉｔｏ焼結体およびその製造方法ならびに前記ｉｔｏ焼結体を用いたｉｔｏ膜の成膜方法 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体およびその製造方法ならびに前記ｉｔｏ焼結体を用いたｉｔｏ膜の成膜方法Info
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- JPH10237632A JPH10237632A JP9058475A JP5847597A JPH10237632A JP H10237632 A JPH10237632 A JP H10237632A JP 9058475 A JP9058475 A JP 9058475A JP 5847597 A JP5847597 A JP 5847597A JP H10237632 A JPH10237632 A JP H10237632A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定した透明性と導電性を有し、しかもピン
ホール等の欠陥のないＩＴＯ膜を得る。 【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする
ＩＴＯ焼結体の原材料に、ＳｉＯ2 とＭｇＯ、あるいは
ＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3 をそれぞれ所定の割合で
添加し、０．２〜２０ＭＰａの比較的低いプレス圧力で
ペレット状等に圧縮成形して、加熱、焼結させる。この
ようなＩＴＯ焼結体を蒸発源あるいはターゲットとし
て、真空蒸着やスパッタリングによってＩＴＯ膜を成膜
すると、錫の含有量がＩＴＯ焼結体と同じであってしか
もピンホール等のないＩＴＯ膜を成膜できる。
ホール等の欠陥のないＩＴＯ膜を得る。 【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする
ＩＴＯ焼結体の原材料に、ＳｉＯ2 とＭｇＯ、あるいは
ＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3 をそれぞれ所定の割合で
添加し、０．２〜２０ＭＰａの比較的低いプレス圧力で
ペレット状等に圧縮成形して、加熱、焼結させる。この
ようなＩＴＯ焼結体を蒸発源あるいはターゲットとし
て、真空蒸着やスパッタリングによってＩＴＯ膜を成膜
すると、錫の含有量がＩＴＯ焼結体と同じであってしか
もピンホール等のないＩＴＯ膜を成膜できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子等の
透明電極、航空機の窓ガラスやＴＶカメラの防護ガラス
等の防曇あるいは氷結防止のための透明発熱抵抗体、Ｏ
Ａ機器のディスプレー用透明帯電防止膜、太陽光集熱器
用選択透過膜等の成膜に広く用いられるＩＴＯ焼結体お
よびその製造方法ならびに前記ＩＴＯ焼結体を用いたＩ
ＴＯ膜の成膜方法に関するものである。
透明電極、航空機の窓ガラスやＴＶカメラの防護ガラス
等の防曇あるいは氷結防止のための透明発熱抵抗体、Ｏ
Ａ機器のディスプレー用透明帯電防止膜、太陽光集熱器
用選択透過膜等の成膜に広く用いられるＩＴＯ焼結体お
よびその製造方法ならびに前記ＩＴＯ焼結体を用いたＩ
ＴＯ膜の成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子等の透明電極、航空機の窓
ガラスやＴＶカメラの防護ガラス等の防曇あるいは氷結
防止のための透明発熱抵抗体、ＯＡ機器のディスプレー
用透明帯電防止膜、太陽光集熱器用選択透過膜等に広く
用いられるＩＴＯ膜は、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）
と酸化錫（ＳｎＯ2 ）からなるＩＴＯ焼結体を蒸発源あ
るいはターゲットとする真空蒸着やスパッタリングによ
って成膜される。このようなＩＴＯ膜の透明性、電気伝
導性（導電性）および安定性を向上させるために、従
来、様々な技術が開発されている。
ガラスやＴＶカメラの防護ガラス等の防曇あるいは氷結
防止のための透明発熱抵抗体、ＯＡ機器のディスプレー
用透明帯電防止膜、太陽光集熱器用選択透過膜等に広く
用いられるＩＴＯ膜は、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）
と酸化錫（ＳｎＯ2 ）からなるＩＴＯ焼結体を蒸発源あ
るいはターゲットとする真空蒸着やスパッタリングによ
って成膜される。このようなＩＴＯ膜の透明性、電気伝
導性（導電性）および安定性を向上させるために、従
来、様々な技術が開発されている。
【０００３】例えば、公知の方法で製作されたＩＴＯ焼
結体を二次焼結させたものを、スパッタリングのターゲ
ットとして用いることで、スパッタリング中の抵抗率の
変化を低減し、透明導電膜の品質を向上させる（特開平
３−４４４６５号公報参照）。
結体を二次焼結させたものを、スパッタリングのターゲ
ットとして用いることで、スパッタリング中の抵抗率の
変化を低減し、透明導電膜の品質を向上させる（特開平
３−４４４６５号公報参照）。
【０００４】あるいは、酸化インジウムと酸化錫からな
るＩＴＯ原材料にインジウムと錫以外の３価および４価
の酸化物を混合して焼結させたものをスパッタリングの
ターゲットとして用いることで、高密度で均質な透明導
電膜を得る（特開平２−３０４８１５号公報参照）。３
価および４価の酸化物としては、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ 2
が例示されており、これらの、酸化インジウムと酸化錫
の合計重量（ＩＴＯ原材料の重量）に対する混合比は、
０．５〜１％である。
るＩＴＯ原材料にインジウムと錫以外の３価および４価
の酸化物を混合して焼結させたものをスパッタリングの
ターゲットとして用いることで、高密度で均質な透明導
電膜を得る（特開平２−３０４８１５号公報参照）。３
価および４価の酸化物としては、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ 2
が例示されており、これらの、酸化インジウムと酸化錫
の合計重量（ＩＴＯ原材料の重量）に対する混合比は、
０．５〜１％である。
【０００５】あるいは、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓ
ｎ）とケイ素（Ｓｉ）または／およびアルミニウム（Ａ
ｌ）との合金ターゲットあるいはこれらの酸化物ターゲ
ットにおける各原子あるいは各酸化物の配合比を、透明
導電膜中の原子比ａ，ｂが ａ＝（（Ｓｉ＋Ａｌ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｉ＋Ａｌ））
×１００％ で表わされるＳｉまたは／およびＡｌの原子含量が２％
以上であり、かつ ｂ＝（（Ｓｎ＋Ｓｉ＋Ａｌ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｉ＋Ａ
ｌ））×１００％ で表わされるＳｎとＳｉまたは／およびＡｌとの合計原
子含量が２０％以下の範囲に入るように適宜設定するこ
とで透明で高抵抗の透明導電膜を得る（特開平４−２０
６４０３号公報参照）。この場合は、透明導電膜の膜中
に酸化シリコンと酸化アルミニウムが含有されておりそ
の含有量は酸化インジウムと酸化錫の合計重量に対して
０．７７％以上という計算値になる。
ｎ）とケイ素（Ｓｉ）または／およびアルミニウム（Ａ
ｌ）との合金ターゲットあるいはこれらの酸化物ターゲ
ットにおける各原子あるいは各酸化物の配合比を、透明
導電膜中の原子比ａ，ｂが ａ＝（（Ｓｉ＋Ａｌ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｉ＋Ａｌ））
×１００％ で表わされるＳｉまたは／およびＡｌの原子含量が２％
以上であり、かつ ｂ＝（（Ｓｎ＋Ｓｉ＋Ａｌ）／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｉ＋Ａ
ｌ））×１００％ で表わされるＳｎとＳｉまたは／およびＡｌとの合計原
子含量が２０％以下の範囲に入るように適宜設定するこ
とで透明で高抵抗の透明導電膜を得る（特開平４−２０
６４０３号公報参照）。この場合は、透明導電膜の膜中
に酸化シリコンと酸化アルミニウムが含有されておりそ
の含有量は酸化インジウムと酸化錫の合計重量に対して
０．７７％以上という計算値になる。
【０００６】あるいは、スピネル構造のＭｇＡｌ2 Ｏ4
のＭｇ（マグネシウム）をＺｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓ
ｎ、ＰＢ、ＳｂおよびＢｉから選ばれる金属元素（Ｍ）
で部分置換し、一般式、ＭｘＭｇ1-x Ａｌ2 Ｏ
4-(1-m/2)xで表わされる膜（ｘは０．０１≦ｘ≦０．２
なる値でｍはＭの酸化数とする）を得ることで、紫外域
で透明かつ高い導電性を有する酸化物膜を実現する（特
開平６−１９１４４号公報参照）。部分置換元素の例と
してはＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 があり、これらの配合比が
ｘ＝０．０５の時の特性が記載されている。すなわちＭ
ｇの割合が０．９５の場合でこれはＭｇに少量のＩｎ2
Ｏ3 またはＳｎＯ2 を添加した格好になっている。
のＭｇ（マグネシウム）をＺｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓ
ｎ、ＰＢ、ＳｂおよびＢｉから選ばれる金属元素（Ｍ）
で部分置換し、一般式、ＭｘＭｇ1-x Ａｌ2 Ｏ
4-(1-m/2)xで表わされる膜（ｘは０．０１≦ｘ≦０．２
なる値でｍはＭの酸化数とする）を得ることで、紫外域
で透明かつ高い導電性を有する酸化物膜を実現する（特
開平６−１９１４４号公報参照）。部分置換元素の例と
してはＩｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 があり、これらの配合比が
ｘ＝０．０５の時の特性が記載されている。すなわちＭ
ｇの割合が０．９５の場合でこれはＭｇに少量のＩｎ2
Ｏ3 またはＳｎＯ2 を添加した格好になっている。
【０００７】あるいは、酸化インジウムおよび酸化錫か
らなるＩＴＯ焼結体に亜鉛、銅、アンチモン、チタン、
ツリウム、マグネシウムを１種以上含有させることで密
度が高い焼結体からなるスパッタリングターゲットを用
いて、ターゲットの割れ、ターゲットからの破損微粒物
の飛び散りを改善する（特開平７−５４１３２号公報参
照）。この場合は、亜鉛、銅、アンチモン、チタン、ツ
リウム、マグネシウム元素の総含有量は焼結体全量に対
して５〜５０００ｐｐｍと記載されているので、酸化マ
グネシウムのみ含有した場合でもその総含有量はＩＴＯ
原材料１００％に対し最大０．９５％という計算にな
る。
らなるＩＴＯ焼結体に亜鉛、銅、アンチモン、チタン、
ツリウム、マグネシウムを１種以上含有させることで密
度が高い焼結体からなるスパッタリングターゲットを用
いて、ターゲットの割れ、ターゲットからの破損微粒物
の飛び散りを改善する（特開平７−５４１３２号公報参
照）。この場合は、亜鉛、銅、アンチモン、チタン、ツ
リウム、マグネシウム元素の総含有量は焼結体全量に対
して５〜５０００ｐｐｍと記載されているので、酸化マ
グネシウムのみ含有した場合でもその総含有量はＩＴＯ
原材料１００％に対し最大０．９５％という計算にな
る。
【０００８】あるいは、主成分の酸化インジウムと酸化
錫にマグネシウムおよびニッケルよりなる群から選択さ
れる少なくとも一種の金属の酸化物を含む透明導電膜と
することで、膜質を緻密にし、電子移動度を大きくして
湿度と紫外線による抵抗の変化を改善する（特開平７−
１６１２３５号公報参照）。インジウムに対する錫の配
合割合が重量に換算して Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ）＝０．０５〜０．２０ｗｔ％ で、インジウムに対するマグネシウム化合物またはニッ
ケル化合物の配合割合がインジウム（Ｉｎ）とマグネシ
ウムおよびニッケル（Ｍ）の比で表わしたときに、 Ｍ／（Ｍ＋Ｉｎ）≦０．０５ｗｔ％ とされており、例として０．００５、０．０２５、０．
０５ｗｔ％の場合が記載されている。これからＩＴＯ膜
中の酸化マグネシウムの配合割合を求めると、酸化イン
ジウムと酸化錫の合計重量すなわち、ＩＴＯ原材料の重
量１００％に対して０．３０〜３．５％の範囲となる。
錫にマグネシウムおよびニッケルよりなる群から選択さ
れる少なくとも一種の金属の酸化物を含む透明導電膜と
することで、膜質を緻密にし、電子移動度を大きくして
湿度と紫外線による抵抗の変化を改善する（特開平７−
１６１２３５号公報参照）。インジウムに対する錫の配
合割合が重量に換算して Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ）＝０．０５〜０．２０ｗｔ％ で、インジウムに対するマグネシウム化合物またはニッ
ケル化合物の配合割合がインジウム（Ｉｎ）とマグネシ
ウムおよびニッケル（Ｍ）の比で表わしたときに、 Ｍ／（Ｍ＋Ｉｎ）≦０．０５ｗｔ％ とされており、例として０．００５、０．０２５、０．
０５ｗｔ％の場合が記載されている。これからＩＴＯ膜
中の酸化マグネシウムの配合割合を求めると、酸化イン
ジウムと酸化錫の合計重量すなわち、ＩＴＯ原材料の重
量１００％に対して０．３０〜３．５％の範囲となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、真空蒸着の蒸発源あるいはスパッタリ
ングのターゲットとするＩＴＯ焼結体に様々な添加物を
添加することで、ＩＴＯ焼結体から破損微粒子が飛散す
るいわゆるスプラッシュ等を防ぎ、膜厚方向に均一な組
成を有し、かつ、異物の混入やピンホール等の欠陥のな
い良質なＩＴＯ膜を得るように工夫したものであるが、
いずれも、成膜されたＩＴＯ膜のＳｎＯ2含有量と、蒸
発源あるいはターゲットとして用いたＩＴＯ焼結体のＳ
ｎＯ2 含有量が不一致となり、特に、ＩＴＯ膜のＳｎＯ
2 含有量の方がＩＴＯ焼結体のＳｎＯ2 含有量より少な
くなる傾向を有するため、目標とする透明性や導電性を
有するＩＴＯ膜を安定して製作することが難しいという
未解決の課題がある。
の技術によれば、真空蒸着の蒸発源あるいはスパッタリ
ングのターゲットとするＩＴＯ焼結体に様々な添加物を
添加することで、ＩＴＯ焼結体から破損微粒子が飛散す
るいわゆるスプラッシュ等を防ぎ、膜厚方向に均一な組
成を有し、かつ、異物の混入やピンホール等の欠陥のな
い良質なＩＴＯ膜を得るように工夫したものであるが、
いずれも、成膜されたＩＴＯ膜のＳｎＯ2含有量と、蒸
発源あるいはターゲットとして用いたＩＴＯ焼結体のＳ
ｎＯ2 含有量が不一致となり、特に、ＩＴＯ膜のＳｎＯ
2 含有量の方がＩＴＯ焼結体のＳｎＯ2 含有量より少な
くなる傾向を有するため、目標とする透明性や導電性を
有するＩＴＯ膜を安定して製作することが難しいという
未解決の課題がある。
【００１０】また、１００ＭＰａ以上の高いプレス圧力
でＩＴＯ焼結体を焼結させることによって、ＩＴＯ焼結
体を高密度化させれば、スプラッシュの発生やＩＴＯ膜
の組成の変動を防ぐのに有効であることが知られている
が、このような高いプレス圧力で焼結させると、ＩＴＯ
焼結体ごとに密度のバラつきを生じやすく、製品として
のＩＴＯ焼結体に再現性が乏しいために、生産性の低下
を避けることができない。
でＩＴＯ焼結体を焼結させることによって、ＩＴＯ焼結
体を高密度化させれば、スプラッシュの発生やＩＴＯ膜
の組成の変動を防ぐのに有効であることが知られている
が、このような高いプレス圧力で焼結させると、ＩＴＯ
焼結体ごとに密度のバラつきを生じやすく、製品として
のＩＴＯ焼結体に再現性が乏しいために、生産性の低下
を避けることができない。
【００１１】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、目標とする透明性や
導電性を有し、しかも、スプラッシュ等によるピンホー
ル等の欠陥の無い高品質のＩＴＯ膜を安定して製造でき
る安価なＩＴＯ焼結体およびその製造方法ならびに前記
ＩＴＯ焼結体を用いたＩＴＯ膜の成膜方法を提供するこ
とを目的とするためである。
課題に鑑みてなされたものであり、目標とする透明性や
導電性を有し、しかも、スプラッシュ等によるピンホー
ル等の欠陥の無い高品質のＩＴＯ膜を安定して製造でき
る安価なＩＴＯ焼結体およびその製造方法ならびに前記
ＩＴＯ焼結体を用いたＩＴＯ膜の成膜方法を提供するこ
とを目的とするためである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のＩＴＯ焼結体は、酸化インジウムと酸化
錫を主成分とするＩＴＯ膜成膜用のＩＴＯ焼結体の原材
料に、前記ＩＴＯ膜の錫の含有量を調節するための添加
物としてＳｉＯ2 とＭｇＯをそれぞれ所定の割合で添加
したことを特徴とする。
めに、本発明のＩＴＯ焼結体は、酸化インジウムと酸化
錫を主成分とするＩＴＯ膜成膜用のＩＴＯ焼結体の原材
料に、前記ＩＴＯ膜の錫の含有量を調節するための添加
物としてＳｉＯ2 とＭｇＯをそれぞれ所定の割合で添加
したことを特徴とする。
【００１３】ＳｉＯ2 とＭｇＯの添加量が、原材料１０
０重量部に対してそれぞれ１．０〜２．０重量部である
とよい。
０重量部に対してそれぞれ１．０〜２．０重量部である
とよい。
【００１４】また、酸化インジウムと酸化錫を主成分と
するＩＴＯ膜成膜用のＩＴＯ焼結体の原材料に、前記Ｉ
ＴＯ膜の錫の含有量を調節するための添加物としてＳｉ
Ｏ2とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3 をそれぞれ所定の割合で添加
したことを特徴とするＩＴＯ焼結体であってもよい。
するＩＴＯ膜成膜用のＩＴＯ焼結体の原材料に、前記Ｉ
ＴＯ膜の錫の含有量を調節するための添加物としてＳｉ
Ｏ2とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3 をそれぞれ所定の割合で添加
したことを特徴とするＩＴＯ焼結体であってもよい。
【００１５】ＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3 の添加量
が、原材料１００重量部に対してそれぞれ０．０５〜
０．５重量部、０．００５〜２．０重量部、１．００〜
２．５重量部であるとよい。
が、原材料１００重量部に対してそれぞれ０．０５〜
０．５重量部、０．００５〜２．０重量部、１．００〜
２．５重量部であるとよい。
【００１６】本発明のＩＴＯ焼結体の製造方法は、酸化
インジウムと酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体の原材
料に、ＳｉＯ2 とＭｇＯをそれぞれ所定の割合で添加し
たものを、０．２〜２０ＭＰａのプレス圧力で所定の形
状に圧縮成形する工程を有することを特徴とする。
インジウムと酸化錫を主成分とするＩＴＯ焼結体の原材
料に、ＳｉＯ2 とＭｇＯをそれぞれ所定の割合で添加し
たものを、０．２〜２０ＭＰａのプレス圧力で所定の形
状に圧縮成形する工程を有することを特徴とする。
【００１７】酸化インジウムと酸化錫を主成分とするＩ
ＴＯ焼結体の原材料に、ＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3
をそれぞれ所定の割合で添加したものを、０．２〜２０
ＭＰａのプレス圧力で所定の形状に圧縮成形する工程を
有するものでもよい。
ＴＯ焼結体の原材料に、ＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3
をそれぞれ所定の割合で添加したものを、０．２〜２０
ＭＰａのプレス圧力で所定の形状に圧縮成形する工程を
有するものでもよい。
【００１８】
【作用】酸化インジウムと酸化錫を主成分とする原材料
に、ＳｉＯ2 とＭｇＯ、またはＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ
2 Ｏ3 をそれぞれ所定の割合で添加すると、成膜中の蒸
発源やターゲットのスプラッシュ等が抑制され、しか
も、ＩＴＯ焼結体と同じ含有量の錫を含有するＩＴＯ膜
を得ることができる。ＩＴＯ膜の錫の含有量は、ＩＴＯ
膜の導電性と透明性を大きく左右するものであるから、
ＩＴＯ焼結体と錫の含有量が同じであるＩＴＯ膜を成膜
できれば、目標とする透明性や導電性を有するＩＴＯ膜
を安定して製造できる。
に、ＳｉＯ2 とＭｇＯ、またはＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ
2 Ｏ3 をそれぞれ所定の割合で添加すると、成膜中の蒸
発源やターゲットのスプラッシュ等が抑制され、しか
も、ＩＴＯ焼結体と同じ含有量の錫を含有するＩＴＯ膜
を得ることができる。ＩＴＯ膜の錫の含有量は、ＩＴＯ
膜の導電性と透明性を大きく左右するものであるから、
ＩＴＯ焼結体と錫の含有量が同じであるＩＴＯ膜を成膜
できれば、目標とする透明性や導電性を有するＩＴＯ膜
を安定して製造できる。
【００１９】すなわち、目標通りの透明性や導電性を有
し、しかもスプラッシュ等によるピンホール等の欠陥の
ない高品質なＩＴＯ膜を高い生産性で、従って安価に製
造できる。
し、しかもスプラッシュ等によるピンホール等の欠陥の
ない高品質なＩＴＯ膜を高い生産性で、従って安価に製
造できる。
【００２０】さらに、ＩＴＯ焼結体を圧縮成形する工程
で高いプレス圧力を必要とせず、ＩＴＯ焼結体ごとに密
度がバラつくのを回避できる。これによってＩＴＯ焼結
体の生産性を大きく向上させ、ＩＴＯ膜の製造コストを
より一層低減できる。
で高いプレス圧力を必要とせず、ＩＴＯ焼結体ごとに密
度がバラつくのを回避できる。これによってＩＴＯ焼結
体の生産性を大きく向上させ、ＩＴＯ膜の製造コストを
より一層低減できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を説明する。
【００２２】本発明の第１の実施の形態によれば、ＩＴ
Ｏ焼結体の主成分である酸化インジウムと酸化錫の重量
比を９５：５とする原材料（ＩＴＯ原材料）１００重量
部にＳｉＯ2 を１．０〜２．０重量部、ＭｇＯを１．０
〜２．０重量部添加し、ボール・ミル等を使って充分に
細かい粒状混合物を得る。得られた粒状混合物を、プレ
ス圧力０．２〜２０ＭＰａでペレット状に圧縮成形し、
大気中で所定の温度で加熱、焼結させ、ＩＴＯ焼結体を
製作する。
Ｏ焼結体の主成分である酸化インジウムと酸化錫の重量
比を９５：５とする原材料（ＩＴＯ原材料）１００重量
部にＳｉＯ2 を１．０〜２．０重量部、ＭｇＯを１．０
〜２．０重量部添加し、ボール・ミル等を使って充分に
細かい粒状混合物を得る。得られた粒状混合物を、プレ
ス圧力０．２〜２０ＭＰａでペレット状に圧縮成形し、
大気中で所定の温度で加熱、焼結させ、ＩＴＯ焼結体を
製作する。
【００２３】このようにして製作したＩＴＯ焼結体を電
子ビーム蒸発源とする真空蒸着によって、ガラス基板等
にＩＴＯ膜を成膜すると、透明性、導電性ともに良好
で、ピンホール等の欠陥のない良質のＩＴＯ膜を得るこ
とができる。成膜中のＩＴＯ焼結体の針立ちはほとんど
観察されず、スプラッシュが抑制されていると推測され
る。また、成膜後のＩＴＯ膜の酸化錫の含有量を調べた
ところ、ＩＴＯ焼結体の酸化錫の含有量と同じであり、
ＩＴＯ膜中へのＳｉＯ2 、ＭｇＯの混入量も極く微量で
あった。
子ビーム蒸発源とする真空蒸着によって、ガラス基板等
にＩＴＯ膜を成膜すると、透明性、導電性ともに良好
で、ピンホール等の欠陥のない良質のＩＴＯ膜を得るこ
とができる。成膜中のＩＴＯ焼結体の針立ちはほとんど
観察されず、スプラッシュが抑制されていると推測され
る。また、成膜後のＩＴＯ膜の酸化錫の含有量を調べた
ところ、ＩＴＯ焼結体の酸化錫の含有量と同じであり、
ＩＴＯ膜中へのＳｉＯ2 、ＭｇＯの混入量も極く微量で
あった。
【００２４】すなわち、上記のＩＴＯ焼結体を真空蒸着
の蒸発源として用いることで、透明性、導電性ともに良
好でピンホール等の欠陥のない良質のＩＴＯ膜を製作で
きる。
の蒸発源として用いることで、透明性、導電性ともに良
好でピンホール等の欠陥のない良質のＩＴＯ膜を製作で
きる。
【００２５】また、ＩＴＯ焼結体を成形するときのプレ
ス圧力も２０ＭＰａ以下であるから、ＩＴＯ焼結体ごと
に密度のバラつきを生じるおそれもなく、製品としてＩ
ＴＯ焼結体の再現性にすぐれており、高い生産性を期待
できる。
ス圧力も２０ＭＰａ以下であるから、ＩＴＯ焼結体ごと
に密度のバラつきを生じるおそれもなく、製品としてＩ
ＴＯ焼結体の再現性にすぐれており、高い生産性を期待
できる。
【００２６】（実施例１）ＩＴＯ焼結体の主成分である
酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９５：５である
ＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩＴＯ原材料１
００重量部に対してＳｉＯ2 を１．０重量部、ＭｇＯを
１．０重量部それぞれ加える。この混合物をボール・ミ
ルを使って充分に細かい粒状形状にしながら混ぜ合わせ
る。
酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９５：５である
ＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩＴＯ原材料１
００重量部に対してＳｉＯ2 を１．０重量部、ＭｇＯを
１．０重量部それぞれ加える。この混合物をボール・ミ
ルを使って充分に細かい粒状形状にしながら混ぜ合わせ
る。
【００２７】その後プレス圧力１３ＭＰａで大きさが１
０×１０×７（ｍｍ）のペレット形状に成形する。プレ
ス後大気中にて温度１６００℃で加熱しＩＴＯ焼結体を
得る。
０×１０×７（ｍｍ）のペレット形状に成形する。プレ
ス後大気中にて温度１６００℃で加熱しＩＴＯ焼結体を
得る。
【００２８】このようにして作製したＩＴＯ焼結体の密
度は、理論密度７．１５ｇ／ｃｍ3の８４％である６．
０４ｇ／ｃｍ3 であった。通常の真空蒸着装置の電子ビ
ーム蒸発源にこのＩＴＯ焼結体を設置し、酸素ガス圧４
×１０-2Ｐａ、基板温度３００℃の雰囲気において成膜
速度０．３ｎｍ／ｓｅｃでガラス基板上にＩＴＯ膜を成
膜した。
度は、理論密度７．１５ｇ／ｃｍ3の８４％である６．
０４ｇ／ｃｍ3 であった。通常の真空蒸着装置の電子ビ
ーム蒸発源にこのＩＴＯ焼結体を設置し、酸素ガス圧４
×１０-2Ｐａ、基板温度３００℃の雰囲気において成膜
速度０．３ｎｍ／ｓｅｃでガラス基板上にＩＴＯ膜を成
膜した。
【００２９】得られたＩＴＯ膜の透過率は波長５５０ｎ
ｍにて８７％、抵抗値は２０Ω／ｃｍであった。
ｍにて８７％、抵抗値は２０Ω／ｃｍであった。
【００３０】誘導結合プラズマ分析（以下Ｉ．Ｃ．Ｐ発
光分析と略す）にてＩＴＯ焼結体中の酸化錫の含有量と
ＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定したところどちらか
らも４．８％のＳｎＯ2 濃度値を得た。また、ＩＴＯ膜
中へのＳｉＯ2 、ＭｇＯの混入量は検出限界値に近い極
くわずかなものであり、ＩＴＯ膜が酸化インジウムと酸
化錫から構成されていることが確かめられた。
光分析と略す）にてＩＴＯ焼結体中の酸化錫の含有量と
ＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定したところどちらか
らも４．８％のＳｎＯ2 濃度値を得た。また、ＩＴＯ膜
中へのＳｉＯ2 、ＭｇＯの混入量は検出限界値に近い極
くわずかなものであり、ＩＴＯ膜が酸化インジウムと酸
化錫から構成されていることが確かめられた。
【００３１】本実施例にて得られたＩＴＯ焼結体とＩＴ
Ｏ膜をサンプルＡとして物性値を表１に示す。
Ｏ膜をサンプルＡとして物性値を表１に示す。
【００３２】本実施例のＩＴＯ焼結体には電子ビーム加
熱方式を用いる真空蒸着法で従来見られたＩＴＯ焼結体
の針立ちが無くなった。また、それによる影響のものと
思われる破損微粒物の飛散（スプラッシュ）が抑制され
た。その結果、可視域において良好な透明性と高導電性
を有するピンホールの無い無欠陥膜が作製されたものと
推測される。
熱方式を用いる真空蒸着法で従来見られたＩＴＯ焼結体
の針立ちが無くなった。また、それによる影響のものと
思われる破損微粒物の飛散（スプラッシュ）が抑制され
た。その結果、可視域において良好な透明性と高導電性
を有するピンホールの無い無欠陥膜が作製されたものと
推測される。
【００３３】なお、ＳｉＯ2 とＭｇＯの添加量をそれぞ
れ１．０〜２．０重量部の範囲で変化させ、かつ、プレ
ス圧力も０．２〜２０ＭＰａの範囲で変化させて、上記
と同様の実験を行なったところ、本実施例と同様の効果
があることを確認した。
れ１．０〜２．０重量部の範囲で変化させ、かつ、プレ
ス圧力も０．２〜２０ＭＰａの範囲で変化させて、上記
と同様の実験を行なったところ、本実施例と同様の効果
があることを確認した。
【００３４】次に本実施例の比較例を説明する。
【００３５】（実施例１の比較例１）ＩＴＯ焼結体の主
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対してＭｇＯのみを１．０重
量部加える。
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対してＭｇＯのみを１．０重
量部加える。
【００３６】それ以外は実施例１と同様にＩＴＯ焼結体
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
【００３７】ＩＴＯ焼結体の密度は、理論密度７．１５
ｇ／ｃｍ3 の５２％である３．７ｇ／ｃｍ3 であった。
ｇ／ｃｍ3 の５２％である３．７ｇ／ｃｍ3 であった。
【００３８】また、得られたＩＴＯ膜の透過率は波長５
５０ｎｍにて８５％、抵抗値は２２Ω／ｃｍであった。
５０ｎｍにて８５％、抵抗値は２２Ω／ｃｍであった。
【００３９】Ｉ．Ｃ．Ｐ発光分析にてＩＴＯ焼結体中の
酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定し
たところ、ＩＴＯ焼結体からは４．９％のＳｎＯ2 濃度
値を得たのに対しＩＴＯ膜からは４．４％のＳｎＯ2 濃
度値を得た。
酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定し
たところ、ＩＴＯ焼結体からは４．９％のＳｎＯ2 濃度
値を得たのに対しＩＴＯ膜からは４．４％のＳｎＯ2 濃
度値を得た。
【００４０】本比較例にて得られたＩＴＯ焼結体とＩＴ
Ｏ膜をサンプルＢとして物性値を表１に示す。
Ｏ膜をサンプルＢとして物性値を表１に示す。
【００４１】本比較例のＩＴＯ焼結体には電子ビーム加
熱方式を用いる真空蒸着法で従来見られたＩＴＯ焼結体
の針立ちが無くなった。しかし針立ちによる影響のもの
と思われる破損微粒物の飛散（スプラッシュ）は真空蒸
着中にわずかだがあった。このため可視域における透明
性と導電性は充分であるがピンホール等の欠陥を有する
膜が作製されていた。
熱方式を用いる真空蒸着法で従来見られたＩＴＯ焼結体
の針立ちが無くなった。しかし針立ちによる影響のもの
と思われる破損微粒物の飛散（スプラッシュ）は真空蒸
着中にわずかだがあった。このため可視域における透明
性と導電性は充分であるがピンホール等の欠陥を有する
膜が作製されていた。
【００４２】添加物がＭｇＯのみであるために、スプラ
ッシュの発生を回避できなかったものと推測される。
ッシュの発生を回避できなかったものと推測される。
【００４３】（実施例１の比較例２）ＩＴＯ焼結体の主
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対しＳｉＯ2 とＭｇＯをそれ
ぞれ０．５重量部加える。
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対しＳｉＯ2 とＭｇＯをそれ
ぞれ０．５重量部加える。
【００４４】それ以外は実施例１と同様にＩＴＯ焼結体
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
【００４５】得られたＩＴＯ焼結体とＩＴＯ膜をサンプ
ルＣとして物性値を表１に示す。
ルＣとして物性値を表１に示す。
【００４６】ＳｉＯ2 とＭｇＯとがそれぞれ１重量部未
満であるから、添加効果が現われず、ＩＴＯ膜中のＳｎ
Ｏ2 濃度値はＩＴＯ焼結体中のＳｎＯ2 濃度値である５
％より少なく、また、スプラッシュによるものと思われ
る膜欠陥が多数見られた。
満であるから、添加効果が現われず、ＩＴＯ膜中のＳｎ
Ｏ2 濃度値はＩＴＯ焼結体中のＳｎＯ2 濃度値である５
％より少なく、また、スプラッシュによるものと思われ
る膜欠陥が多数見られた。
【００４７】（実施例１の比較例３）ＩＴＯ焼結体の主
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対してＳｉＯ2 とＭｇＯをそ
れぞれ３．０重量部加える。
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対してＳｉＯ2 とＭｇＯをそ
れぞれ３．０重量部加える。
【００４８】それ以外は実施例１と同様にＩＴＯ焼結体
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
【００４９】得られたＩＴＯ焼結体とＩＴＯ膜をサンプ
ルＤとして物性値を表１に示す。
ルＤとして物性値を表１に示す。
【００５０】ＳｉＯ2 とＭｇＯとがそれぞれ２重量部を
超えているため、ＩＴＯ膜中の添加物であるＳｉＯ2 ま
たはＭｇＯの混入が膜厚方向で不均一になり良好なる導
電性を示さないＩＴＯ膜が成膜された。
超えているため、ＩＴＯ膜中の添加物であるＳｉＯ2 ま
たはＭｇＯの混入が膜厚方向で不均一になり良好なる導
電性を示さないＩＴＯ膜が成膜された。
【００５１】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。これは、ＩＴＯ焼結体の主成分である酸化インジウ
ムと酸化錫の重量比を９５：５とする原材料（ＩＴＯ原
材料）１００重量部に、ＳｉＯ2 を０．０５〜０．５重
量部、ＭｇＯを０．００５〜２．０重量部、Ａｌ2 Ｏ3
を１．００〜２．５重量部添加し、ボール・ミル等を使
って充分に細かい粒状混合物を得るものである。なお、
各添加物の添加量は、ＳｉＯ2 が０．１０〜０．１５重
量部、ＭｇＯが０．００５〜０．０５重量部、Ａｌ2 Ｏ
3 が１．００〜２．５重量部であるのがより一層望まし
い。得られた粒状混合物を、プレス圧力０．２〜２０Ｍ
Ｐａでペレット状に圧縮成形し、大気中で所定の温度で
加熱、焼結させ、ＩＴＯ焼結体を製作する。
る。これは、ＩＴＯ焼結体の主成分である酸化インジウ
ムと酸化錫の重量比を９５：５とする原材料（ＩＴＯ原
材料）１００重量部に、ＳｉＯ2 を０．０５〜０．５重
量部、ＭｇＯを０．００５〜２．０重量部、Ａｌ2 Ｏ3
を１．００〜２．５重量部添加し、ボール・ミル等を使
って充分に細かい粒状混合物を得るものである。なお、
各添加物の添加量は、ＳｉＯ2 が０．１０〜０．１５重
量部、ＭｇＯが０．００５〜０．０５重量部、Ａｌ2 Ｏ
3 が１．００〜２．５重量部であるのがより一層望まし
い。得られた粒状混合物を、プレス圧力０．２〜２０Ｍ
Ｐａでペレット状に圧縮成形し、大気中で所定の温度で
加熱、焼結させ、ＩＴＯ焼結体を製作する。
【００５２】このようにして製作したＩＴＯ焼結体を電
子ビーム蒸発源とする真空蒸着によってガラス基板等に
ＩＴＯ膜を成膜すると、透明性、導電性ともに良好で、
ピンホール等の欠陥のない良質のＩＴＯ膜を得ることが
できる。成膜中のＩＴＯ焼結体の針立ちはほとんど観察
されず、スプラッシュが抑制されていると推測される。
また、成膜後のＩＴＯ膜の酸化錫の含有量を調べたとこ
ろ、ＩＴＯ焼結体の酸化錫の含有量と同じであり、ＩＴ
Ｏ膜中へのＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの混入量も極
く微量であった。
子ビーム蒸発源とする真空蒸着によってガラス基板等に
ＩＴＯ膜を成膜すると、透明性、導電性ともに良好で、
ピンホール等の欠陥のない良質のＩＴＯ膜を得ることが
できる。成膜中のＩＴＯ焼結体の針立ちはほとんど観察
されず、スプラッシュが抑制されていると推測される。
また、成膜後のＩＴＯ膜の酸化錫の含有量を調べたとこ
ろ、ＩＴＯ焼結体の酸化錫の含有量と同じであり、ＩＴ
Ｏ膜中へのＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯの混入量も極
く微量であった。
【００５３】すなわち、上記のＩＴＯ焼結体を真空蒸着
の蒸発源として用いることで、透明性、導電性ともに良
好でピンホール等の欠陥のない良質のＩＴＯ膜を製作で
きる。
の蒸発源として用いることで、透明性、導電性ともに良
好でピンホール等の欠陥のない良質のＩＴＯ膜を製作で
きる。
【００５４】また、ＩＴＯ焼結体を成形するときのプレ
ス圧力も２０ＭＰａ以下であるから、ＩＴＯ焼結体ごと
に密度のバラつきを生じるおそれもなく、製品としてＩ
ＴＯ焼結体の再現性にすぐれており、高い生産性を期待
できる。
ス圧力も２０ＭＰａ以下であるから、ＩＴＯ焼結体ごと
に密度のバラつきを生じるおそれもなく、製品としてＩ
ＴＯ焼結体の再現性にすぐれており、高い生産性を期待
できる。
【００５５】（実施例２）ＩＴＯ焼結体の主成分である
酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９５：５である
ＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩＴＯ原材料１
００重量部に対してＳｉＯ2 を０．１１重量部、ＭｇＯ
を０．０２重量部、Ａｌ2 Ｏ3 を１．６１重量部それぞ
れ加える。この混合物をボール・ミルを使って充分に細
かい粒状形状にしながら混ぜ合わせる。
酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９５：５である
ＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩＴＯ原材料１
００重量部に対してＳｉＯ2 を０．１１重量部、ＭｇＯ
を０．０２重量部、Ａｌ2 Ｏ3 を１．６１重量部それぞ
れ加える。この混合物をボール・ミルを使って充分に細
かい粒状形状にしながら混ぜ合わせる。
【００５６】その後プレス圧力１３ＭＰａで大きさが１
０×１０×７（ｍｍ）のペレット形状に成形する。プレ
ス後大気中にて温度１６００℃で加熱しＩＴＯ焼結体を
得る。
０×１０×７（ｍｍ）のペレット形状に成形する。プレ
ス後大気中にて温度１６００℃で加熱しＩＴＯ焼結体を
得る。
【００５７】このようにして作製したＩＴＯ焼結体の密
度は、理論密度７．１５ｇ／ｃｍ3の９６％である６．
８６ｇ／ｃｍ3 であった。通常の真空蒸着装置の電子ビ
ーム蒸発源にこのＩＴＯ焼結体を設置し、実施例１と同
様の成膜方法でガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜した。
度は、理論密度７．１５ｇ／ｃｍ3の９６％である６．
８６ｇ／ｃｍ3 であった。通常の真空蒸着装置の電子ビ
ーム蒸発源にこのＩＴＯ焼結体を設置し、実施例１と同
様の成膜方法でガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜した。
【００５８】得られたＩＴＯ膜の透過率は波長５５０ｎ
ｍにて８８％、抵抗値は２１Ω／ｃｍであった。
ｍにて８８％、抵抗値は２１Ω／ｃｍであった。
【００５９】Ｉ．Ｃ．Ｐ発光分析にてＩＴＯ焼結体中の
酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定し
たところ、どちらからも４．８％のＳｎＯ2 濃度値を得
た。また、ＩＴＯ膜中へのＳｉＯ2 、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ
3 の混入量は検出限界値に近い極わずかなものでありＩ
ＴＯ膜が酸化インジウムと酸化錫から構成されているこ
とが確かめられた。
酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定し
たところ、どちらからも４．８％のＳｎＯ2 濃度値を得
た。また、ＩＴＯ膜中へのＳｉＯ2 、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ
3 の混入量は検出限界値に近い極わずかなものでありＩ
ＴＯ膜が酸化インジウムと酸化錫から構成されているこ
とが確かめられた。
【００６０】本実施例にて得られたＩＴＯ焼結体とＩＴ
Ｏ膜をサンプルＥとして物性値を表１に示す。
Ｏ膜をサンプルＥとして物性値を表１に示す。
【００６１】本実施例のＩＴＯ焼結体には電子ビーム加
熱方式を用いる真空蒸着法で従来見られたＩＴＯ焼結体
の針立ちが無くなった。また、それによる影響のものと
思われる破損微粒物の飛散（スプラッシュ）が抑制され
た。その結果、可視域において良好な透明性と高導電性
を有するピンホールの無い無欠陥膜が作製されたものと
推測される。
熱方式を用いる真空蒸着法で従来見られたＩＴＯ焼結体
の針立ちが無くなった。また、それによる影響のものと
思われる破損微粒物の飛散（スプラッシュ）が抑制され
た。その結果、可視域において良好な透明性と高導電性
を有するピンホールの無い無欠陥膜が作製されたものと
推測される。
【００６２】なお、ＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3 の添
加量をそれぞれ０．０５〜０．５重量部、０．０５〜
２．０重量部、１．００〜２．５重量部の範囲で変化さ
せ、かつ、プレス圧力も０．２〜２０ＭＰａの範囲で変
化させて、上記と同様の実験を行なったところ、本実施
例と同様の効果があることを確認した。
加量をそれぞれ０．０５〜０．５重量部、０．０５〜
２．０重量部、１．００〜２．５重量部の範囲で変化さ
せ、かつ、プレス圧力も０．２〜２０ＭＰａの範囲で変
化させて、上記と同様の実験を行なったところ、本実施
例と同様の効果があることを確認した。
【００６３】次に本実施例の比較例を説明する。
【００６４】（実施例２の比較例１）ＩＴＯ焼結体の主
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対してＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3
をそれぞれ１．０重量部加える。
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対してＳｉＯ2 とＡｌ2 Ｏ3
をそれぞれ１．０重量部加える。
【００６５】それ以外は実施例２と同様にＩＴＯ焼結体
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
【００６６】ＩＴＯ焼結体の密度は、理論密度７．１５
ｇ／ｃｍ3 の８７％である６．２５ｇ／ｃｍ3 であっ
た。
ｇ／ｃｍ3 の８７％である６．２５ｇ／ｃｍ3 であっ
た。
【００６７】また、得られたＩＴＯ膜の透過率は波長５
５０ｎｍにて８０％、抵抗値は７２Ω／ｃｍであった。
５０ｎｍにて８０％、抵抗値は７２Ω／ｃｍであった。
【００６８】Ｉ．Ｃ．Ｐ発光分析にてＩＴＯ焼結体中の
酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定し
たところ、ＩＴＯ焼結体からは４．９％のＳｎＯ2 濃度
値を得たのに対しＩＴＯ膜からは４．１％のＳｎＯ2 濃
度値であった。
酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定し
たところ、ＩＴＯ焼結体からは４．９％のＳｎＯ2 濃度
値を得たのに対しＩＴＯ膜からは４．１％のＳｎＯ2 濃
度値であった。
【００６９】本比較例にて得られたＩＴＯ焼結体とＩＴ
Ｏ膜をサンプルＦとして物性値を表１に示す。
Ｏ膜をサンプルＦとして物性値を表１に示す。
【００７０】本比較例のＩＴＯ焼結体には電子ビーム加
熱方式を用いる真空蒸着法で従来見られたＩＴＯ焼結体
の針立ちが無くなった。しかし針立ちによる影響のもの
と思われる破損微粒物の飛散（スプラッシュ）は真空蒸
着中にわずかだがあった。その結果、可視域における透
明性と導電性は充分であるがピンホール等の欠陥を有す
る膜が作製されていた。
熱方式を用いる真空蒸着法で従来見られたＩＴＯ焼結体
の針立ちが無くなった。しかし針立ちによる影響のもの
と思われる破損微粒物の飛散（スプラッシュ）は真空蒸
着中にわずかだがあった。その結果、可視域における透
明性と導電性は充分であるがピンホール等の欠陥を有す
る膜が作製されていた。
【００７１】これは、各添加物の添加量が適切でないた
めと推測される。
めと推測される。
【００７２】（実施例２の比較例２）ＩＴＯ焼結体の主
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対しＳｉＯ2 とＭｇＯをそれ
ぞれ０．０５重量部未満の０．０２重量部、Ａｌ2 Ｏ3
を１．００重量部未満の０．５重量部加える。
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対しＳｉＯ2 とＭｇＯをそれ
ぞれ０．０５重量部未満の０．０２重量部、Ａｌ2 Ｏ3
を１．００重量部未満の０．５重量部加える。
【００７３】それ以外は実施例２と同様にＩＴＯ焼結体
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
【００７４】得られたＩＴＯ焼結体とＩＴＯ膜をサンプ
ルＧとして物性値を表１に示す。
ルＧとして物性値を表１に示す。
【００７５】ＳｉＯ2 とＭｇＯとがそれぞれ０．０５重
量部未満で、Ａｌ2 Ｏ3 も０．１重量部未満であるか
ら、添加効果が現われず、ＩＴＯ膜中のＳｎＯ2 濃度値
はＩＴＯ焼結体中のＳｎＯ2 濃度値である５％より少な
く、また、スプラッシュによるものと思われる膜欠陥が
多数見られた。
量部未満で、Ａｌ2 Ｏ3 も０．１重量部未満であるか
ら、添加効果が現われず、ＩＴＯ膜中のＳｎＯ2 濃度値
はＩＴＯ焼結体中のＳｎＯ2 濃度値である５％より少な
く、また、スプラッシュによるものと思われる膜欠陥が
多数見られた。
【００７６】（実施例２の比較例３）ＩＴＯ焼結体の主
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対してＳｉＯ2 を０．５重量
部以上の０．７重量部、ＭｇＯを０．０５重量部、Ａｌ
2 Ｏ3 を１．５０重量部加える。
成分である酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９
５：５であるＩＴＯ原材料に、添加物として重量比でＩ
ＴＯ原材料１００重量部に対してＳｉＯ2 を０．５重量
部以上の０．７重量部、ＭｇＯを０．０５重量部、Ａｌ
2 Ｏ3 を１．５０重量部加える。
【００７７】それ以外は実施例２と同様にＩＴＯ焼結体
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
を製作し、ＩＴＯ膜を成膜した。
【００７８】得られたＩＴＯ焼結体とＩＴＯ膜をサンプ
ルＨとして物性値を表１に示す。
ルＨとして物性値を表１に示す。
【００７９】ＳｉＯ2 が０．５重量部を超えているた
め、ＩＴＯ膜中の添加物の混入が膜厚方向で不均一にな
り良好なる導電性を示さないＩＴＯ膜が成膜された。特
に、ＩＴＯ膜の抵抗値は８３Ω／ｃｍと高く、これは、
ＳｉＯ2 が０．５重量部を超えているためと推測され
る。
め、ＩＴＯ膜中の添加物の混入が膜厚方向で不均一にな
り良好なる導電性を示さないＩＴＯ膜が成膜された。特
に、ＩＴＯ膜の抵抗値は８３Ω／ｃｍと高く、これは、
ＳｉＯ2 が０．５重量部を超えているためと推測され
る。
【００８０】次に、本発明の第３の実施の形態を説明す
る。これは、ＩＴＯ焼結体の主成分である酸化インジウ
ムと酸化錫の重量比を９５：５とする原材料（ＩＴＯ原
材料）１００重量部にＳｉＯ2 を１．０〜２．０重量
部、ＭｇＯを１．０〜２．０重量部添加し、ボール・ミ
ル等を使って充分に細かい粒状混合物を得る。得られた
粒状混合物を、プレス圧力０．２〜２０ＭＰａでターゲ
ット状に圧縮成形し、大気中で所定の温度で加熱、焼結
させ、ＩＴＯ焼結体を製作する。
る。これは、ＩＴＯ焼結体の主成分である酸化インジウ
ムと酸化錫の重量比を９５：５とする原材料（ＩＴＯ原
材料）１００重量部にＳｉＯ2 を１．０〜２．０重量
部、ＭｇＯを１．０〜２．０重量部添加し、ボール・ミ
ル等を使って充分に細かい粒状混合物を得る。得られた
粒状混合物を、プレス圧力０．２〜２０ＭＰａでターゲ
ット状に圧縮成形し、大気中で所定の温度で加熱、焼結
させ、ＩＴＯ焼結体を製作する。
【００８１】このようにして製作したＩＴＯ焼結体をタ
ーゲットとする真空マグネトロンスパッタリングによっ
てガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜すると、透明性、導電
性ともに良好で、ピンホール等の欠陥のない良質のＩＴ
Ｏ膜を得ることができる。成膜中のＩＴＯ焼結体のスプ
ラッシュはほとんど観察されず、また、成膜後のＩＴＯ
膜の酸化錫の含有量を調べたところ、ＩＴＯ焼結体の酸
化錫の含有量と同じであり、ＩＴＯ膜中へのＳｉＯ2 、
ＭｇＯの混入量も極く微量であった。
ーゲットとする真空マグネトロンスパッタリングによっ
てガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜すると、透明性、導電
性ともに良好で、ピンホール等の欠陥のない良質のＩＴ
Ｏ膜を得ることができる。成膜中のＩＴＯ焼結体のスプ
ラッシュはほとんど観察されず、また、成膜後のＩＴＯ
膜の酸化錫の含有量を調べたところ、ＩＴＯ焼結体の酸
化錫の含有量と同じであり、ＩＴＯ膜中へのＳｉＯ2 、
ＭｇＯの混入量も極く微量であった。
【００８２】すなわち、上記のＩＴＯ焼結体を真空マグ
ネトロンスパッタリングのターゲットとして用いること
で、透明性、導電性ともに良好でピンホール等の欠陥の
ない良質のＩＴＯ膜を製作できる。
ネトロンスパッタリングのターゲットとして用いること
で、透明性、導電性ともに良好でピンホール等の欠陥の
ない良質のＩＴＯ膜を製作できる。
【００８３】また、ＩＴＯ焼結体を成形するときのプレ
ス圧力も２０ＭＰａ以下であるから、ＩＴＯ焼結体ごと
に密度のバラつきを生じるおそれもなく、製品としてＩ
ＴＯ焼結体の再現性にすぐれており、高い生産性を期待
できる。
ス圧力も２０ＭＰａ以下であるから、ＩＴＯ焼結体ごと
に密度のバラつきを生じるおそれもなく、製品としてＩ
ＴＯ焼結体の再現性にすぐれており、高い生産性を期待
できる。
【００８４】（実施例３）ＩＴＯ焼結体の主成分である
酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９５：５である
ＩＴＯ原材料に添加物として重量比でＩＴＯ原材料１０
０重量部％に対してＳｉＯ2 を１．０重量部、ＭｇＯを
１．０重量部それぞれ加える。この混合物をボール・ミ
ルを使って充分に細かい粒状形状にしながら混ぜ合わせ
る。
酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９５：５である
ＩＴＯ原材料に添加物として重量比でＩＴＯ原材料１０
０重量部％に対してＳｉＯ2 を１．０重量部、ＭｇＯを
１．０重量部それぞれ加える。この混合物をボール・ミ
ルを使って充分に細かい粒状形状にしながら混ぜ合わせ
る。
【００８５】その後プレス圧力６ＭＰａで大きさが直径
１２７×５（ｍｍ）のターゲット形状に成形する。プレ
ス後大気中にて温度１４５０℃で加熱しＩＴＯ焼結体を
得る。
１２７×５（ｍｍ）のターゲット形状に成形する。プレ
ス後大気中にて温度１４５０℃で加熱しＩＴＯ焼結体を
得る。
【００８６】このようにして作製したＩＴＯ焼結体の密
度は、理論密度７．１５ｇ／ｃｍ3の９０％である６．
４ｇ／ｃｍ3 であった。通常の真空マグネトロンスパッ
タリング装置のターゲットとして、銅のバッキングプレ
ートにこのＩＴＯ焼結体を貼り付けたものを用いて、酸
素ガスとアルゴンガスを導入し、圧力を０．４Ｐａに制
御して、基板温度３００℃の雰囲気において成膜速度
１．６ｎｍ／ｓｅｃでガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜し
た。
度は、理論密度７．１５ｇ／ｃｍ3の９０％である６．
４ｇ／ｃｍ3 であった。通常の真空マグネトロンスパッ
タリング装置のターゲットとして、銅のバッキングプレ
ートにこのＩＴＯ焼結体を貼り付けたものを用いて、酸
素ガスとアルゴンガスを導入し、圧力を０．４Ｐａに制
御して、基板温度３００℃の雰囲気において成膜速度
１．６ｎｍ／ｓｅｃでガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜し
た。
【００８７】得られたＩＴＯ膜の透過率は波長５５０ｎ
ｍにて８６％、抵抗値は１９Ω／ｃｍであった。
ｍにて８６％、抵抗値は１９Ω／ｃｍであった。
【００８８】Ｉ．Ｃ．Ｐ発光分析にてＩＴＯ焼結体中の
酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定し
たところ、どちらからも４．９％のＳｎＯ2 濃度値を得
た。また、ＩＴＯ膜中へのＳｎＯ2 、ＭｇＯの混入量は
検出限界値に近い極わずかなものでありＩＴＯ膜が酸化
インジウムと酸化錫から構成されていることが確かめら
れた。
酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を測定し
たところ、どちらからも４．９％のＳｎＯ2 濃度値を得
た。また、ＩＴＯ膜中へのＳｎＯ2 、ＭｇＯの混入量は
検出限界値に近い極わずかなものでありＩＴＯ膜が酸化
インジウムと酸化錫から構成されていることが確かめら
れた。
【００８９】本実施例にて得られたＩＴＯ焼結体とＩＴ
Ｏ膜をサンプルＩとして物性値を表１に示す。
Ｏ膜をサンプルＩとして物性値を表１に示す。
【００９０】また、成膜中ＩＴＯ焼結体からの破損微粒
物の飛散（スプラッシュ）が抑制され、その結果、可視
域において良好な透明性と高導電性を有するピンホール
の無い無欠陥膜が作製されたものと推測される。
物の飛散（スプラッシュ）が抑制され、その結果、可視
域において良好な透明性と高導電性を有するピンホール
の無い無欠陥膜が作製されたものと推測される。
【００９１】なお、ＳｉＯ2 とＭｇＯの添加量をそれぞ
れ１．０〜２．０重量部の範囲で変化させ、かつ、プレ
ス圧力も０．２〜２０ＭＰａの範囲で変化させて、上記
と同様の実験を行なったところ、本実施例と同様の効果
があることを確認した。
れ１．０〜２．０重量部の範囲で変化させ、かつ、プレ
ス圧力も０．２〜２０ＭＰａの範囲で変化させて、上記
と同様の実験を行なったところ、本実施例と同様の効果
があることを確認した。
【００９２】次に、本発明の第４の実施の形態を説明す
る。これは、ＩＴＯ焼結体の主成分である酸化インジウ
ムと酸化錫の重量比を９５：５とする原材料（ＩＴＯ原
材料）１００重量部にＳｉＯ2 を０．０５〜０．５重量
部、ＭｇＯを０．００５〜２．０重量部、Ａｌ2 Ｏ3 を
１．００〜２．５重量部それぞれ添加し、ボール・ミル
等を使って充分に細かい粒状混合物を得る。なお、各添
加物の添加量は、ＳｉＯ2 が０．１０〜０．１５重量
部、ＭｇＯが０．００５〜０．０５重量部、Ａｌ2 Ｏ3
が１．００〜２．５重量部であるのがより一層望まし
い。得られた粒状混合物を、プレス圧力０．２〜２０Ｍ
Ｐａでペレット状に圧縮成形し、大気中で所定の温度で
加熱、焼結させ、ＩＴＯ焼結体を製作する。
る。これは、ＩＴＯ焼結体の主成分である酸化インジウ
ムと酸化錫の重量比を９５：５とする原材料（ＩＴＯ原
材料）１００重量部にＳｉＯ2 を０．０５〜０．５重量
部、ＭｇＯを０．００５〜２．０重量部、Ａｌ2 Ｏ3 を
１．００〜２．５重量部それぞれ添加し、ボール・ミル
等を使って充分に細かい粒状混合物を得る。なお、各添
加物の添加量は、ＳｉＯ2 が０．１０〜０．１５重量
部、ＭｇＯが０．００５〜０．０５重量部、Ａｌ2 Ｏ3
が１．００〜２．５重量部であるのがより一層望まし
い。得られた粒状混合物を、プレス圧力０．２〜２０Ｍ
Ｐａでペレット状に圧縮成形し、大気中で所定の温度で
加熱、焼結させ、ＩＴＯ焼結体を製作する。
【００９３】このようにして製作したＩＴＯ焼結体をタ
ーゲットとする真空マグネトロンスパッタリングによっ
てガラス基板等にＩＴＯ膜を成膜すると、透明性、導電
性ともに良好で、ピンホール等の欠陥のない良質のＩＴ
Ｏ膜を得ることができる。成膜中のＩＴＯ焼結体のスプ
ラッシュは抑制されていると推測される。また、成膜後
のＩＴＯ膜の酸化錫の含有量を調べたところ、ＩＴＯ焼
結体の酸化錫の含有量と同じであり、ＩＴＯ膜中へのＡ
ｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 、ＭｇＯの混入量も極く微量であっ
た。
ーゲットとする真空マグネトロンスパッタリングによっ
てガラス基板等にＩＴＯ膜を成膜すると、透明性、導電
性ともに良好で、ピンホール等の欠陥のない良質のＩＴ
Ｏ膜を得ることができる。成膜中のＩＴＯ焼結体のスプ
ラッシュは抑制されていると推測される。また、成膜後
のＩＴＯ膜の酸化錫の含有量を調べたところ、ＩＴＯ焼
結体の酸化錫の含有量と同じであり、ＩＴＯ膜中へのＡ
ｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 、ＭｇＯの混入量も極く微量であっ
た。
【００９４】すなわち、上記のＩＴＯ焼結体を真空マグ
ネトロンスパッタリングのターゲットとして用いること
で、透明性、導電性ともに良好でピンホール等の欠陥の
ない良質のＩＴＯ膜を製作できる。
ネトロンスパッタリングのターゲットとして用いること
で、透明性、導電性ともに良好でピンホール等の欠陥の
ない良質のＩＴＯ膜を製作できる。
【００９５】また、ＩＴＯ焼結体を成形するときのプレ
ス圧力も２０ＭＰａ以下であるから、ＩＴＯ焼結体ごと
に密度のバラつきを生じるおそれもなく、製品としてＩ
ＴＯ焼結体の再現性にすぐれており、高い生産性を期待
できる。
ス圧力も２０ＭＰａ以下であるから、ＩＴＯ焼結体ごと
に密度のバラつきを生じるおそれもなく、製品としてＩ
ＴＯ焼結体の再現性にすぐれており、高い生産性を期待
できる。
【００９６】（実施例４）ＩＴＯ焼結体の主成分である
酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９５：５である
ＩＴＯ原材料に添加物として重量比でＩＴＯ原材料１０
０重量部に対してＳｉＯ2 を０．１１重量部、ＭｇＯを
０．０２重量部、Ａｌ2 Ｏ3 を１．６１重量部加える。
この混合物をボール・ミルを使って充分に細かい粒状形
状にしながら混ぜ合わせる。
酸化インジウムと酸化錫の割合が重量比９５：５である
ＩＴＯ原材料に添加物として重量比でＩＴＯ原材料１０
０重量部に対してＳｉＯ2 を０．１１重量部、ＭｇＯを
０．０２重量部、Ａｌ2 Ｏ3 を１．６１重量部加える。
この混合物をボール・ミルを使って充分に細かい粒状形
状にしながら混ぜ合わせる。
【００９７】実施例３と同様の方法でＩＴＯ焼結体を得
て、ＩＴＯ膜を成膜する。
て、ＩＴＯ膜を成膜する。
【００９８】ＩＴＯ焼結体の密度は、理論密度７．１５
ｇ／ｃｍ3 の９７％である６．９４ｇ／ｃｍ3 であっ
た。
ｇ／ｃｍ3 の９７％である６．９４ｇ／ｃｍ3 であっ
た。
【００９９】得られたＩＴＯ膜の透過率は波長５５０ｎ
ｍにて８７％、抵抗値は２１Ω／ｃｍであった。
ｍにて８７％、抵抗値は２１Ω／ｃｍであった。
【０１００】また、Ｉ．Ｃ．Ｐ発光分析にてＩＴＯ焼結
体中の酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を
測定したところ、どちらからも４．９％のＳｎＯ2 濃度
値を得た。また、ＩＴＯ膜中へのＳｉＯ2 、ＭｇＯ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 の混入量は検出限界値に近い極わずかなもので
ありＩＴＯ膜が酸化インジウムと酸化錫から構成されて
いることが確かめられた。
体中の酸化錫の含有量とＩＴＯ膜中の酸化錫の含有量を
測定したところ、どちらからも４．９％のＳｎＯ2 濃度
値を得た。また、ＩＴＯ膜中へのＳｉＯ2 、ＭｇＯ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 の混入量は検出限界値に近い極わずかなもので
ありＩＴＯ膜が酸化インジウムと酸化錫から構成されて
いることが確かめられた。
【０１０１】本実施例にて得られたＩＴＯ焼結体とＩＴ
Ｏ膜をサンプルＪとして物性値を表１に示す。
Ｏ膜をサンプルＪとして物性値を表１に示す。
【０１０２】また成膜中ＩＴＯ焼結体からの破損微粒物
の飛散（スプラッシュ）は抑制された。その結果、可視
域において良好な透明性と高導電性を有するピンホール
の無い無欠陥膜が作製されたものと推測される。
の飛散（スプラッシュ）は抑制された。その結果、可視
域において良好な透明性と高導電性を有するピンホール
の無い無欠陥膜が作製されたものと推測される。
【０１０３】なお、ＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3 の添
加量をそれぞれ０．０５〜０．５重量部、０．０５〜
２．０重量部、１．００〜２．５重量部の範囲で変化さ
せ、かつ、プレス圧力も０．２〜２０ＭＰａの範囲で変
化させて、上記と同様の実験を行なったところ、本実施
例と同様の効果があることを確認した。
加量をそれぞれ０．０５〜０．５重量部、０．０５〜
２．０重量部、１．００〜２．５重量部の範囲で変化さ
せ、かつ、プレス圧力も０．２〜２０ＭＰａの範囲で変
化させて、上記と同様の実験を行なったところ、本実施
例と同様の効果があることを確認した。
【０１０４】
【表１】
【０１０５】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【０１０６】目標通りの透明性や導電性を有し、しかも
ピンホール等の欠陥のない高品質なＩＴＯ膜を安定して
製造できる。また、ＩＴＯ焼結体を圧縮成形する工程で
高いプレス加工を必要とせず、ＩＴＯ焼結体の生産性を
向上させてＩＴＯ膜の低価格化を促進できる。
ピンホール等の欠陥のない高品質なＩＴＯ膜を安定して
製造できる。また、ＩＴＯ焼結体を圧縮成形する工程で
高いプレス加工を必要とせず、ＩＴＯ焼結体の生産性を
向上させてＩＴＯ膜の低価格化を促進できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 茂 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする
ＩＴＯ膜成膜用のＩＴＯ焼結体の原材料に、前記ＩＴＯ
膜の錫の含有量を調節するための添加物としてＳｉＯ2
とＭｇＯをそれぞれ所定の割合で添加したことを特徴と
するＩＴＯ焼結体。 - 【請求項２】 ＳｉＯ2 とＭｇＯの添加量が、原材料１
００重量部に対してそれぞれ１．０〜２．０重量部であ
ることを特徴とする請求項１記載のＩＴＯ焼結体。 - 【請求項３】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする
ＩＴＯ膜成膜用のＩＴＯ焼結体の原材料に、前記ＩＴＯ
膜の錫の含有量を調節するための添加物としてＳｉＯ2
とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3 をそれぞれ所定の割合で添加した
ことを特徴とするＩＴＯ焼結体。 - 【請求項４】 ＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ3 の添加量
が、原材料１００重量部に対してそれぞれ０．０５〜
０．５重量部、０．００５〜２．０重量部、１．００〜
２．５重量部であることを特徴とする請求項３記載のＩ
ＴＯ焼結体。 - 【請求項５】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする
ＩＴＯ焼結体の原材料に、ＳｉＯ2 とＭｇＯをそれぞれ
所定の割合で添加したものを、０．２〜２０ＭＰａのプ
レス圧力で所定の形状に圧縮成形する工程を有するＩＴ
Ｏ焼結体の製造方法。 - 【請求項６】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする
ＩＴＯ焼結体の原材料に、ＳｉＯ2 とＭｇＯとＡｌ2 Ｏ
3 をそれぞれ所定の割合で添加したものを、０．２〜２
０ＭＰａのプレス圧力で所定の形状に圧縮成形する工程
を有するＩＴＯ焼結体の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし３いずれか１項記載のＩ
ＴＯ焼結体を蒸発源として真空蒸着によってＩＴＯ膜を
成膜する工程を有するＩＴＯ膜の成膜方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし３いずれか１項記載のＩ
ＴＯ焼結体をターゲットとしてスパッタリングによって
ＩＴＯ膜を成膜する工程を有するＩＴＯ膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05847597A JP3501614B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Ｉｔｏ焼結体およびその製造方法ならびに前記ｉｔｏ焼結体を用いたｉｔｏ膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05847597A JP3501614B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Ｉｔｏ焼結体およびその製造方法ならびに前記ｉｔｏ焼結体を用いたｉｔｏ膜の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10237632A true JPH10237632A (ja) | 1998-09-08 |
| JP3501614B2 JP3501614B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=13085470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05847597A Expired - Lifetime JP3501614B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Ｉｔｏ焼結体およびその製造方法ならびに前記ｉｔｏ焼結体を用いたｉｔｏ膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3501614B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1320155C (zh) * | 2001-06-26 | 2007-06-06 | 三井金属矿业株式会社 | 高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法 |
| KR100814321B1 (ko) | 2005-12-26 | 2008-03-18 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 산화물 소결체와 그 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 투명도전막 |
| JP2009537426A (ja) * | 2006-05-18 | 2009-10-29 | イドロ−ケベック | セラミック調製方法、かくして得られるセラミックならびに特にスパッタリング標的としてのその使用 |
| JPWO2012173108A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2015-02-23 | 住友電気工業株式会社 | 導電性酸化物およびその製造方法ならびに酸化物半導体膜 |
| JP5726752B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2015-06-03 | 株式会社アルバック | 透明導電膜の製造方法、透明導電膜の製造装置、スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| WO2018211792A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
| JP7214063B1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-01-27 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット材 |
| WO2023127195A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット材 |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP05847597A patent/JP3501614B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1320155C (zh) * | 2001-06-26 | 2007-06-06 | 三井金属矿业株式会社 | 高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法 |
| KR100814321B1 (ko) | 2005-12-26 | 2008-03-18 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 산화물 소결체와 그 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 투명도전막 |
| JP2009537426A (ja) * | 2006-05-18 | 2009-10-29 | イドロ−ケベック | セラミック調製方法、かくして得られるセラミックならびに特にスパッタリング標的としてのその使用 |
| US10144674B2 (en) | 2006-05-18 | 2018-12-04 | Hydro-Quebec | Process for preparing ceramics, ceramics thus obtained and uses thereof, especially as a sputtering target |
| JP2016020298A (ja) * | 2006-05-18 | 2016-02-04 | イドロ−ケベックＨｙｄｒｏ−Ｑｕｅｂｅｃ | セラミック調製方法、かくして得られるセラミックならびに特にスパッタリング標的としてのその使用 |
| US9120708B2 (en) | 2006-05-18 | 2015-09-01 | Hydro-Quebec | Process for preparing ceramics, ceramics thus obtained and uses thereof, especially as a sputtering target |
| JP2015158014A (ja) * | 2009-11-19 | 2015-09-03 | 株式会社アルバック | 透明導電膜の製造方法、透明導電膜の製造装置、スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| JP5726752B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2015-06-03 | 株式会社アルバック | 透明導電膜の製造方法、透明導電膜の製造装置、スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| JPWO2012173108A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2015-02-23 | 住友電気工業株式会社 | 導電性酸化物およびその製造方法ならびに酸化物半導体膜 |
| WO2018211792A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
| JP6453528B1 (ja) * | 2017-05-15 | 2019-01-16 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
| JP7214063B1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-01-27 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット材 |
| WO2023127195A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット材 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3501614B2 (ja) | 2004-03-02 |
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