JP3445891B2 - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銀系薄膜上にスパ
ッタリング法にて耐湿性に優れた透明薄膜を成膜する際
に適用されるスパッタリングターゲットに係わり、特
に、上記透明薄膜を効率的に成膜でき、しかも透明薄膜
の成膜時に上記銀系薄膜が損傷を受け難いスパッタリン
グターゲットの改良に関するものである。
ッタリング法にて耐湿性に優れた透明薄膜を成膜する際
に適用されるスパッタリングターゲットに係わり、特
に、上記透明薄膜を効率的に成膜でき、しかも透明薄膜
の成膜時に上記銀系薄膜が損傷を受け難いスパッタリン
グターゲットの改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】銀系薄膜の表面にＩＴＯ薄膜等の透明薄
膜を設けて構成される多層薄膜は極めて高い導電性を有
するため、この高い導電性を利用して銀系の多層薄膜を
様々な分野に応用する技術が提案されている。
膜を設けて構成される多層薄膜は極めて高い導電性を有
するため、この高い導電性を利用して銀系の多層薄膜を
様々な分野に応用する技術が提案されている。
【０００３】例えば、特公平1- 12663号公報または特開
昭61-25125号公報は、銀被膜を薄膜化させて透明性を確
保し、その表面にＩＴＯ薄膜を積層して多層構造とした
透明導電膜を提案している。この透明導電膜はＩＴＯ単
体の薄膜に較べてその導電率が極めて高いため、例え
ば、ＩＴＯ薄膜はその膜厚が 250nmの場合 8Ω／□程度
の面積抵抗率を有するのに対し、上記多層構造の透明導
電膜はその合計膜厚が高々90nmであっても 5Ω／□程度
の低い面積抵抗率を実現することができる。
昭61-25125号公報は、銀被膜を薄膜化させて透明性を確
保し、その表面にＩＴＯ薄膜を積層して多層構造とした
透明導電膜を提案している。この透明導電膜はＩＴＯ単
体の薄膜に較べてその導電率が極めて高いため、例え
ば、ＩＴＯ薄膜はその膜厚が 250nmの場合 8Ω／□程度
の面積抵抗率を有するのに対し、上記多層構造の透明導
電膜はその合計膜厚が高々90nmであっても 5Ω／□程度
の低い面積抵抗率を実現することができる。
【０００４】また、このような銀系多層薄膜の高い導電
率と透明性とに着目して、特開昭63- 173395号公報は、
同様の層構成を有する多層薄膜を透明な電磁波シールド
膜として利用する技術を提案している。
率と透明性とに着目して、特開昭63- 173395号公報は、
同様の層構成を有する多層薄膜を透明な電磁波シールド
膜として利用する技術を提案している。
【０００５】また、1982年日本で開催された第７回ＩＣ
ＶＭにおいては、同様の層構成を有する銀系多層薄膜が
長波長側の光を遮断する性能に優れていることに着目し
て、上記銀系多層薄膜を熱線反射膜に適用する技術を提
案している。
ＶＭにおいては、同様の層構成を有する銀系多層薄膜が
長波長側の光を遮断する性能に優れていることに着目し
て、上記銀系多層薄膜を熱線反射膜に適用する技術を提
案している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記銀系多層
薄膜においては、ＩＴＯ薄膜の酸化インジウムの存在下
で積層界面等から侵入した空気中の水分が銀およびＩＴ
Ｏの薄膜と化合し易く、その表面に反応物が生成されて
シミ状の欠陥を生じ、例えば、ディスプレイの透明電極
に適用した場合、その表示画面に欠陥等が生じ易い問題
点があった。
薄膜においては、ＩＴＯ薄膜の酸化インジウムの存在下
で積層界面等から侵入した空気中の水分が銀およびＩＴ
Ｏの薄膜と化合し易く、その表面に反応物が生成されて
シミ状の欠陥を生じ、例えば、ディスプレイの透明電極
に適用した場合、その表示画面に欠陥等が生じ易い問題
点があった。
【０００７】これに対し、上記ＩＴＯ薄膜に代えて、あ
るいはＩＴＯ薄膜の上に更に積層して、ＳｉＯ2 から成
る薄膜を適用した場合、この薄膜が空気中の水分を遮断
するため、水分による銀薄膜の損傷を防止することが可
能である。
るいはＩＴＯ薄膜の上に更に積層して、ＳｉＯ2 から成
る薄膜を適用した場合、この薄膜が空気中の水分を遮断
するため、水分による銀薄膜の損傷を防止することが可
能である。
【０００８】但し、このＳｉＯ2 薄膜は電気絶縁性であ
るため、直流（ＤＣ）スパッタリングによる成膜が不可
能で高周波（ＲＦ）スパッタリングに頼らざるを得な
い。しかし、ＲＦスパッタリングによる成膜において
は、その成膜速度がＤＣスパッタリングに較べて著しく
遅く、かつ、銀薄膜がスパッタリング中に発生したプラ
ズマのダメージを受けて凝集し、ＳｉＯ2 薄膜の成膜時
に銀薄膜が損傷を受け易いという問題があった。
るため、直流（ＤＣ）スパッタリングによる成膜が不可
能で高周波（ＲＦ）スパッタリングに頼らざるを得な
い。しかし、ＲＦスパッタリングによる成膜において
は、その成膜速度がＤＣスパッタリングに較べて著しく
遅く、かつ、銀薄膜がスパッタリング中に発生したプラ
ズマのダメージを受けて凝集し、ＳｉＯ2 薄膜の成膜時
に銀薄膜が損傷を受け易いという問題があった。
【０００９】本発明は、このような問題点に着目してな
されたもので、その課題とするところは、耐湿性に優れ
た透明薄膜を効率的に成膜でき、しかもこの成膜時に上
記銀系薄膜が損傷を受け難いスパッタリングターゲット
を提供することにある。
されたもので、その課題とするところは、耐湿性に優れ
た透明薄膜を効率的に成膜でき、しかもこの成膜時に上
記銀系薄膜が損傷を受け難いスパッタリングターゲット
を提供することにある。
【００１０】このような技術的課題に鑑みて、本発明者
らは、上記銀系多層薄膜の一部を構成するＩＴＯ薄膜に
代えて種々の透明薄膜の成膜を試みその特性を検討した
ところ、酸化インジウムに酸化セリウムを添加した混合
酸化物の薄膜が、銀系薄膜挟持構成の導電性透明薄膜の
耐湿性向上に大きく効果のあることを見い出した。
らは、上記銀系多層薄膜の一部を構成するＩＴＯ薄膜に
代えて種々の透明薄膜の成膜を試みその特性を検討した
ところ、酸化インジウムに酸化セリウムを添加した混合
酸化物の薄膜が、銀系薄膜挟持構成の導電性透明薄膜の
耐湿性向上に大きく効果のあることを見い出した。
【００１１】同時に、酸化セリウムが高屈折率であるこ
とから、酸化インジウムと酸化セリウムの混合酸化物の
屈折率も、酸化セリウムの添加割合に従って高屈折率と
なり、このため、銀系薄膜挟持構成の透明薄膜の透過率
を従来構成より大きく向上せしめることも見い出した。
とから、酸化インジウムと酸化セリウムの混合酸化物の
屈折率も、酸化セリウムの添加割合に従って高屈折率と
なり、このため、銀系薄膜挟持構成の透明薄膜の透過率
を従来構成より大きく向上せしめることも見い出した。
【００１２】酸化インジウムに酸化セリウムを添加した
混合酸化物のターゲットは導電性があるため、酸化セリ
ウムのセリウム元素の量が、混合酸化物中の総金属元素
量のおよそ30at％（原子パーセント）位まではＤＣスパ
ッタリングやＲＦ−ＤＣ重畳スパッタリング等の直流ス
パッタリングの適用が可能である。
混合酸化物のターゲットは導電性があるため、酸化セリ
ウムのセリウム元素の量が、混合酸化物中の総金属元素
量のおよそ30at％（原子パーセント）位まではＤＣスパ
ッタリングやＲＦ−ＤＣ重畳スパッタリング等の直流ス
パッタリングの適用が可能である。
【００１３】酸化セリウム添加量が高くなるに従い、急
激にターゲットの導電率が悪化し、ＤＣスパッタリング
に向かなくなる。特に、60at％（原子パーセント）を超
えると、熱衝撃によりターゲットにクラックが入るとい
う問題があった。
激にターゲットの導電率が悪化し、ＤＣスパッタリング
に向かなくなる。特に、60at％（原子パーセント）を超
えると、熱衝撃によりターゲットにクラックが入るとい
う問題があった。
【００１４】すなわち、酸化インジウムと酸化セリウム
の混合酸化物は、酸化セリウムが十分な導電性をもたな
いことから、酸化セリウムの混合比率を高めるに従い、
その混合酸化物のターゲットの導電性が急激に低下し、
直流スパッタリングが困難な導電性の低いターゲットと
なる。
の混合酸化物は、酸化セリウムが十分な導電性をもたな
いことから、酸化セリウムの混合比率を高めるに従い、
その混合酸化物のターゲットの導電性が急激に低下し、
直流スパッタリングが困難な導電性の低いターゲットと
なる。
【００１５】加えて、酸化インジウムと酸化セリウムの
混合酸化物のターゲットは、ＩＴＯ（酸化インジウムと
酸化スズ）と比較すると、ＩＴＯのターゲットほど充填
密度があがりにくく、充填密度に伴うスパッタリングレ
ートの点で不十分なものがあった。
混合酸化物のターゲットは、ＩＴＯ（酸化インジウムと
酸化スズ）と比較すると、ＩＴＯのターゲットほど充填
密度があがりにくく、充填密度に伴うスパッタリングレ
ートの点で不十分なものがあった。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、高密度
で、かつ、微粒組織であるために靱性に優れ、スパッタ
リング成膜時に割れ難いターゲットとするため、酸化チ
タンの少量添加が有効であることを見いだした。
で、かつ、微粒組織であるために靱性に優れ、スパッタ
リング成膜時に割れ難いターゲットとするため、酸化チ
タンの少量添加が有効であることを見いだした。
【００２２】
【００２３】酸化チタンの添加量は、耐アルカリ性を要
求しない用途であれば、酸化インジウムや酸化セリウム
の基材と同程度の量を加えても良い。しかし、表示装置
用の電極を含め、耐アルカリ性を必要とする用途が多い
ものである。酸化チタンは、強アルカリに溶解し易く、
これを 5at％（原子パーセント）を超えるレベルで混合
酸化物中に添加することは、例えば、アルカリ洗浄等で
その導電膜に著しいダメージを与えてしまう。
求しない用途であれば、酸化インジウムや酸化セリウム
の基材と同程度の量を加えても良い。しかし、表示装置
用の電極を含め、耐アルカリ性を必要とする用途が多い
ものである。酸化チタンは、強アルカリに溶解し易く、
これを 5at％（原子パーセント）を超えるレベルで混合
酸化物中に添加することは、例えば、アルカリ洗浄等で
その導電膜に著しいダメージを与えてしまう。
【００２４】また、混合酸化物のターゲットを微粒組織
として靭性に優れ、成膜時に割れにくくするためには、
酸化チタンのチタン元素量にて混合酸化物の総金属元素
に対し、０．１at％（原子パーセント）の若干量添加か
ら効果がある。更に、ターゲットの密度を向上させるに
は、０．５at％（原子パーセント）の添加で効果があ
る。更には、導電性を向上させるためには、２ａｔ％
（原子パーセント）以上の添加で効果がある。 また、酸
化セリウムの酸化インジウムに対する添加は、該導電膜
の耐湿性を大幅に向上せしめる。酸化セリウムのセリウ
ム元素の量が 5at％（原子パーセント）を超えるに従
い、該導電膜の耐湿性は徐々に向上していく。 酸化チタ
ンや酸化スズをこの混合酸化物に添加することにより、
割れにくいターゲットに成形することができるが、酸化
セリウムのセリウム元素の量が、60at％（原子パーセン
ト）を超えると、導電性が低下し直流スパッタにて成膜
しにくいターゲットとなる。
として靭性に優れ、成膜時に割れにくくするためには、
酸化チタンのチタン元素量にて混合酸化物の総金属元素
に対し、０．１at％（原子パーセント）の若干量添加か
ら効果がある。更に、ターゲットの密度を向上させるに
は、０．５at％（原子パーセント）の添加で効果があ
る。更には、導電性を向上させるためには、２ａｔ％
（原子パーセント）以上の添加で効果がある。 また、酸
化セリウムの酸化インジウムに対する添加は、該導電膜
の耐湿性を大幅に向上せしめる。酸化セリウムのセリウ
ム元素の量が 5at％（原子パーセント）を超えるに従
い、該導電膜の耐湿性は徐々に向上していく。 酸化チタ
ンや酸化スズをこの混合酸化物に添加することにより、
割れにくいターゲットに成形することができるが、酸化
セリウムのセリウム元素の量が、60at％（原子パーセン
ト）を超えると、導電性が低下し直流スパッタにて成膜
しにくいターゲットとなる。
【００２５】すなわち、請求項１に係わる発明は、銀系
薄膜を挟持する構成の導電膜の透明薄膜を成膜する際に
使用されるスパッタリングターゲットであって、順次、
酸化物の混合微粉末を粉砕・混合する工程と、乾燥・整
粒する工程と、成形圧力を加え成形を行う工程と、焼結
を行う工程とを少なくとも行って製造された混合酸化物
の焼結体であり、酸化インジウムと酸化セリウムを基材
とする混合酸化物に、酸化セリウムのセリウム元素の量
が、混合酸化物の総金属元素に対し５〜６０ａｔ％（原
子パーセント）含有され、酸化チタンのチタン元素の量
が、混合酸化物の総金属元素に対し２〜５ａｔ％（原子
パーセント）含有され、前記酸化物の混合粉末の粉砕・
混合工程の際に混合粉末に分散剤が混合され、かつ、前
記成形時の成形圧力を５００Ｋｇｆ／ｃｍ 2 以上とした
ことを特徴とするスパッタリングターゲットとしたもの
である。
薄膜を挟持する構成の導電膜の透明薄膜を成膜する際に
使用されるスパッタリングターゲットであって、順次、
酸化物の混合微粉末を粉砕・混合する工程と、乾燥・整
粒する工程と、成形圧力を加え成形を行う工程と、焼結
を行う工程とを少なくとも行って製造された混合酸化物
の焼結体であり、酸化インジウムと酸化セリウムを基材
とする混合酸化物に、酸化セリウムのセリウム元素の量
が、混合酸化物の総金属元素に対し５〜６０ａｔ％（原
子パーセント）含有され、酸化チタンのチタン元素の量
が、混合酸化物の総金属元素に対し２〜５ａｔ％（原子
パーセント）含有され、前記酸化物の混合粉末の粉砕・
混合工程の際に混合粉末に分散剤が混合され、かつ、前
記成形時の成形圧力を５００Ｋｇｆ／ｃｍ 2 以上とした
ことを特徴とするスパッタリングターゲットとしたもの
である。
【００２６】本発明者らは、さらに、酸化インジウムと
酸化セリウムを基材とする混合酸化物に、酸化スズと酸
化チタンの両方を少量ずつ添加することにより導電性の
向上とターゲット密度の向上の効果がともに得られるこ
とを発見した。
酸化セリウムを基材とする混合酸化物に、酸化スズと酸
化チタンの両方を少量ずつ添加することにより導電性の
向上とターゲット密度の向上の効果がともに得られるこ
とを発見した。
【００２７】すなわち、請求項２に係わる発明は、銀系
薄膜を挟持する構成の導電膜の透明薄膜を成膜する際に
使用されるスパッタリングターゲットであって、酸化物
の混合微粉末を粉砕・混合する工程と、乾燥・整粒する
工程と、成形圧力を加え成形を行う工程と、焼結を行う
工程とを少なくとも行って製造された混合酸化物の焼結
体であり、酸化インジウムと酸化セリウムを基材とする
混合酸化物に、各々基材の混合割合より少ない量にて酸
化スズと酸化チタンが含有され、酸化セリウムのセリウ
ム元素の量が、混合酸化物の総金属元素に対し５〜６０
ａｔ％（原子パーセント）含有され、酸化チタンのチタ
ン元素の量が、混合酸化物の総金属元素に対し０．１〜
５ａｔ％（原子パーセント）含有され、前記酸化物の混
合粉末の粉砕・混合工程の際に混合粉末に分散剤が混合
され、かつ、前記成形時の成形圧力を５００Ｋｇｆ／ｃ
ｍ 2 以上としたことを特徴とするスパッタリングターゲ
ット。
薄膜を挟持する構成の導電膜の透明薄膜を成膜する際に
使用されるスパッタリングターゲットであって、酸化物
の混合微粉末を粉砕・混合する工程と、乾燥・整粒する
工程と、成形圧力を加え成形を行う工程と、焼結を行う
工程とを少なくとも行って製造された混合酸化物の焼結
体であり、酸化インジウムと酸化セリウムを基材とする
混合酸化物に、各々基材の混合割合より少ない量にて酸
化スズと酸化チタンが含有され、酸化セリウムのセリウ
ム元素の量が、混合酸化物の総金属元素に対し５〜６０
ａｔ％（原子パーセント）含有され、酸化チタンのチタ
ン元素の量が、混合酸化物の総金属元素に対し０．１〜
５ａｔ％（原子パーセント）含有され、前記酸化物の混
合粉末の粉砕・混合工程の際に混合粉末に分散剤が混合
され、かつ、前記成形時の成形圧力を５００Ｋｇｆ／ｃ
ｍ 2 以上としたことを特徴とするスパッタリングターゲ
ット。
【００２８】透明薄膜にて銀系薄膜を挟持する構成の導
電膜において、屈折率の高い透明薄膜を用いることによ
り、該導電膜の透過率を向上せしめる。特に、屈折率が
空気（屈折率ｎ＝１）より高い液晶材料（屈折率ｎ＝
1.5〜 1.6程度）と導電膜が実質的に接触する構成の液
晶表示素子では、屈折率の高い透明薄膜を用いること
が、透過率の高い液晶表示素子とする上で極めて有効で
あることを本発明者らは見い出した。
電膜において、屈折率の高い透明薄膜を用いることによ
り、該導電膜の透過率を向上せしめる。特に、屈折率が
空気（屈折率ｎ＝１）より高い液晶材料（屈折率ｎ＝
1.5〜 1.6程度）と導電膜が実質的に接触する構成の液
晶表示素子では、屈折率の高い透明薄膜を用いること
が、透過率の高い液晶表示素子とする上で極めて有効で
あることを本発明者らは見い出した。
【００２９】高屈折率の無機酸化物である酸化セリウム
（ＣｅＯ2）と、酸化インジウムの混合酸化物による透
明薄膜にて、銀系薄膜を狭持する有用な構成を本発明者
らは提案している。酸化スズの添加量は、そのスズ元素
量にて、混合酸化物の総金属元素に対して０．１％（原
子パーセント）の若干量添加から効果があり、また、５
ａｔ％の（原子パーセント）を超える量では逆に導電率
の低下が見られる。なお、５ａｔ％の（原子パーセン
ト）を超える量ではターゲットの密度低下も見られる。
すなわち、請求項３に係わる発明は、酸化スズのスズ元
素の量が、酸化インジウムと酸化セリウムを基材とする
混合酸化物の総金属原素に対し０．１〜５ａｔ％（原子
パーセント）であることを特徴とする請求項２に記載の
スパッタリングターゲットとしたものである。
（ＣｅＯ2）と、酸化インジウムの混合酸化物による透
明薄膜にて、銀系薄膜を狭持する有用な構成を本発明者
らは提案している。酸化スズの添加量は、そのスズ元素
量にて、混合酸化物の総金属元素に対して０．１％（原
子パーセント）の若干量添加から効果があり、また、５
ａｔ％の（原子パーセント）を超える量では逆に導電率
の低下が見られる。なお、５ａｔ％の（原子パーセン
ト）を超える量ではターゲットの密度低下も見られる。
すなわち、請求項３に係わる発明は、酸化スズのスズ元
素の量が、酸化インジウムと酸化セリウムを基材とする
混合酸化物の総金属原素に対し０．１〜５ａｔ％（原子
パーセント）であることを特徴とする請求項２に記載の
スパッタリングターゲットとしたものである。
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】液晶表示装置用導電膜を前提とする場合
は、上記透明薄膜の屈折率が、およそ2.1〜 2.4の範囲
内にあることが望ましく、また、強酸などのエッチャン
トでエッチングしてパターン形成できることが望まし
い。これらの仕様をほぼ満たす範囲の酸化セリウムのセ
リウム元素のさらに望ましい添加量は、総金属元素に対
し10〜40at％（原子パーセント）である。
は、上記透明薄膜の屈折率が、およそ2.1〜 2.4の範囲
内にあることが望ましく、また、強酸などのエッチャン
トでエッチングしてパターン形成できることが望まし
い。これらの仕様をほぼ満たす範囲の酸化セリウムのセ
リウム元素のさらに望ましい添加量は、総金属元素に対
し10〜40at％（原子パーセント）である。
【００３４】すなわち、請求項４に係わる発明は、前記
酸化セリウムのセリウム元素の量が、酸化インジウムと
酸化セリウムを基材とする混合酸化物の総金属元素に対
し１０〜４０ａｔ％（原子パーセント）であることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のスパッ
タリングターゲットとしたものである。
酸化セリウムのセリウム元素の量が、酸化インジウムと
酸化セリウムを基材とする混合酸化物の総金属元素に対
し１０〜４０ａｔ％（原子パーセント）であることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のスパッ
タリングターゲットとしたものである。
【００３５】本発明によるスパッタリングターゲットの
評価結果および、本発明のスパッタリングターゲットを
用いて成膜した銀系薄膜を挟持する構成の導電膜の評価
結果を以下に記す（表１）に示す。
評価結果および、本発明のスパッタリングターゲットを
用いて成膜した銀系薄膜を挟持する構成の導電膜の評価
結果を以下に記す（表１）に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】なお、導電膜のパタニングが不必要な用
途、例えば反射防止膜、電磁波シールド膜、液晶表示素
子でもＴＦＴと対向する共通側の電極等の場合は、（表
１）の評価項目から導電膜のエッチング加工性を除くこ
とになる。
途、例えば反射防止膜、電磁波シールド膜、液晶表示素
子でもＴＦＴと対向する共通側の電極等の場合は、（表
１）の評価項目から導電膜のエッチング加工性を除くこ
とになる。
【００３８】また、（表１）において、導電膜の耐湿性
は、温度23℃、湿度50％の条件で１ケ月間放置し、肉眼
および顕微鏡のいずれかの観察によっても外観上の変化
が見られないものを○とし、また、肉眼観察では変化が
観察されなかったが、顕微鏡観察ではシミが観察された
ものを△とし、肉眼観察でシミが観察されたものを×と
評価した。
は、温度23℃、湿度50％の条件で１ケ月間放置し、肉眼
および顕微鏡のいずれかの観察によっても外観上の変化
が見られないものを○とし、また、肉眼観察では変化が
観察されなかったが、顕微鏡観察ではシミが観察された
ものを△とし、肉眼観察でシミが観察されたものを×と
評価した。
【００３９】本発明に係わるスパッタリングターゲット
には、前記した酸化物以外の酸化物を含ませることも可
能である。例えば、ＳｉＯ2 、ＧｅＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ5 、
Ｂｉ 2 Ｏ3 等の半金属の酸化物、あるいは、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ 3 、ＨｆＯ2 、ＺｒＯ2 、
Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物があげられる。
には、前記した酸化物以外の酸化物を含ませることも可
能である。例えば、ＳｉＯ2 、ＧｅＯ2 、Ｓｂ2 Ｏ5 、
Ｂｉ 2 Ｏ3 等の半金属の酸化物、あるいは、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｇａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ 3 、ＨｆＯ2 、ＺｒＯ2 、
Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物があげられる。
【００４０】なお、上記導電膜としては、銀単体から構
成される薄膜の他、銀を主成分としこれに他の金属元素
等を添加して構成される銀系合金の薄膜等が利用でき
る。このような添加元素としては、例えばＣｕ、Ｐｄ、
Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ
ｅまたはＳｉ等が適用できる。
成される薄膜の他、銀を主成分としこれに他の金属元素
等を添加して構成される銀系合金の薄膜等が利用でき
る。このような添加元素としては、例えばＣｕ、Ｐｄ、
Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ
ｅまたはＳｉ等が適用できる。
【００４１】そして、これら銀系薄膜が厚さ20nm以下の
場合、この銀系薄膜と上記透明薄膜とで構成される銀系
多層薄膜は光透過率と導電率に優れたものになるため、
例えば、透明電磁波シールド膜、液晶ディスプレイ等の
透明電極、あるいは太陽電池の光入射側に設けられる透
明電極等に適用することができる。
場合、この銀系薄膜と上記透明薄膜とで構成される銀系
多層薄膜は光透過率と導電率に優れたものになるため、
例えば、透明電磁波シールド膜、液晶ディスプレイ等の
透明電極、あるいは太陽電池の光入射側に設けられる透
明電極等に適用することができる。
【００４２】また、銀系薄膜が厚さ20nmを超えた場合に
は、この銀系薄膜の高い光反射率を利用して、例えば、
反射型液晶ディスプレイの光反射膜や光反射性電極、あ
るいは太陽電池の光入射側とは反対側の面に設けられる
光反射電極として利用することが可能である。
は、この銀系薄膜の高い光反射率を利用して、例えば、
反射型液晶ディスプレイの光反射膜や光反射性電極、あ
るいは太陽電池の光入射側とは反対側の面に設けられる
光反射電極として利用することが可能である。
【００４３】次に、本発明に係わるスパッタリングター
ゲットの製造方法について説明する。まず、酸化インジ
ウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化チタン等の酸化物
粉末の適量に対し有機バインダー、分散剤および溶剤
（水または有機溶剤）を加え、ボールミル等の粉砕装置
を使用して粉砕し微細化すると共にこれら粉末を均一に
混合する。粉砕および混合は、上記各酸化物の平均粒径
が 2μｍ以下となるまで行うことが望ましい。通常、10
〜50時間である。
ゲットの製造方法について説明する。まず、酸化インジ
ウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化チタン等の酸化物
粉末の適量に対し有機バインダー、分散剤および溶剤
（水または有機溶剤）を加え、ボールミル等の粉砕装置
を使用して粉砕し微細化すると共にこれら粉末を均一に
混合する。粉砕および混合は、上記各酸化物の平均粒径
が 2μｍ以下となるまで行うことが望ましい。通常、10
〜50時間である。
【００４４】なお、上記分散剤は、各酸化物の粒子の凝
集を防止して平均粒径 2μｍ以下の微粒子状態で安定に
分散させるものである。
集を防止して平均粒径 2μｍ以下の微粒子状態で安定に
分散させるものである。
【００４５】十分に粉砕、混合した後、乾燥し整粒を行
う。整粒の粒径は 10 〜 100μｍとするのが、より良い
流動性、成形性を得るため好ましい。整粒粉末を用いて
ターゲット形状に成形を行う。成形圧力は、 500Ｋｇｆ
／cm2 以上の圧力で行い、成形体密度が 3.5ｇ／cm3 を
超える圧力を選ぶことが好ましい。なお、ターゲット形
状および厚みは任意である。
う。整粒の粒径は 10 〜 100μｍとするのが、より良い
流動性、成形性を得るため好ましい。整粒粉末を用いて
ターゲット形状に成形を行う。成形圧力は、 500Ｋｇｆ
／cm2 以上の圧力で行い、成形体密度が 3.5ｇ／cm3 を
超える圧力を選ぶことが好ましい。なお、ターゲット形
状および厚みは任意である。
【００４６】こうして成形された混合物を焼成し、有機
バインダーや分散剤等不要成分を除去すると共に、上記
酸化物を焼結して本発明に係わるスパッタリングターゲ
ットを得ることができる。焼成は電気炉等で行うことが
でき、その温度は1000〜1600℃でよく、好ましくは1200
〜1500℃である。1000℃より低いとターゲットが緻密な
焼結体とならず、導電性と光透過性に優れた透明薄膜を
成膜することが困難となり、また、ターゲットの強度や
寿命が低下する。他方、1600℃を超えると酸化チタンや
酸化セリウムが解離し、またはこれら酸化チタンや酸化
セリウムと導電性透明金属酸化物とが反応して、成膜さ
れる透明薄膜の導電性と光透過性とを損なうことがあ
る。なお、焼成時間は10〜40時間程度でよい。また、得
られたスパッタリング用ターゲットの形状が不適当な場
合には、研削盤で研削したりダイヤモンドカッターで切
断して必要な形状に成形すればよい。
バインダーや分散剤等不要成分を除去すると共に、上記
酸化物を焼結して本発明に係わるスパッタリングターゲ
ットを得ることができる。焼成は電気炉等で行うことが
でき、その温度は1000〜1600℃でよく、好ましくは1200
〜1500℃である。1000℃より低いとターゲットが緻密な
焼結体とならず、導電性と光透過性に優れた透明薄膜を
成膜することが困難となり、また、ターゲットの強度や
寿命が低下する。他方、1600℃を超えると酸化チタンや
酸化セリウムが解離し、またはこれら酸化チタンや酸化
セリウムと導電性透明金属酸化物とが反応して、成膜さ
れる透明薄膜の導電性と光透過性とを損なうことがあ
る。なお、焼成時間は10〜40時間程度でよい。また、得
られたスパッタリング用ターゲットの形状が不適当な場
合には、研削盤で研削したりダイヤモンドカッターで切
断して必要な形状に成形すればよい。
【００４７】次に、本発明に係わるスパッタリングター
ゲットの使用方法について以下説明する。すなわち、本
発明に係わるスパッタリングターゲットは、ＤＣスパッ
タリングやＲＦ−ＤＣスパッタリング等の直流スパッタ
リング法、ＲＦ（高周波）スパッタリング法等のターゲ
ットとして使用し、銀系薄膜を水分から保護する透明薄
膜を成膜するために適用される。
ゲットの使用方法について以下説明する。すなわち、本
発明に係わるスパッタリングターゲットは、ＤＣスパッ
タリングやＲＦ−ＤＣスパッタリング等の直流スパッタ
リング法、ＲＦ（高周波）スパッタリング法等のターゲ
ットとして使用し、銀系薄膜を水分から保護する透明薄
膜を成膜するために適用される。
【００４８】この際、上記スパッタリングターゲットの
導電性を生かして、成膜速度が大きく、しかも銀系薄膜
を損傷させることのない、ＤＣスパッタリングやＲＦ−
ＤＣスパッタリング等直流スパッタリング法を適用する
ことが好ましい。また、銀系薄膜の劣化を防止するため
成膜装置内部の水分は少ない方が好ましく、また、透明
薄膜のエッチング適性を確保するため、 180℃以下また
は室温の基板温度で成膜することが望ましい。
導電性を生かして、成膜速度が大きく、しかも銀系薄膜
を損傷させることのない、ＤＣスパッタリングやＲＦ−
ＤＣスパッタリング等直流スパッタリング法を適用する
ことが好ましい。また、銀系薄膜の劣化を防止するため
成膜装置内部の水分は少ない方が好ましく、また、透明
薄膜のエッチング適性を確保するため、 180℃以下また
は室温の基板温度で成膜することが望ましい。
【００４９】また、本発明に係わるスパッタリングター
ゲットは、スパッタリング法を利用して、銀系薄膜とそ
の基板（例えば、ガラス板、プラスチック材料等）との
密着力を増大させる透明薄膜（接着層として機能する）
を設けるために利用することもできる。この場合、上記
透明薄膜は銀系薄膜と基板との間に設けられる。
ゲットは、スパッタリング法を利用して、銀系薄膜とそ
の基板（例えば、ガラス板、プラスチック材料等）との
密着力を増大させる透明薄膜（接着層として機能する）
を設けるために利用することもできる。この場合、上記
透明薄膜は銀系薄膜と基板との間に設けられる。
【００５０】請求項１〜４に記載の発明に係わるスパッ
タリングターゲットによれば、酸化インジウムと酸化セ
リウムを基材とする混合酸化物に、ターゲットの導電性
を向上せしめる酸化スズを少量、および、ターゲットの
密度を向上せしめる酸化チタンを少量添加するため、導
電性のある、かつ、高密度で靭性に優れたターゲットを
提供し得る。
タリングターゲットによれば、酸化インジウムと酸化セ
リウムを基材とする混合酸化物に、ターゲットの導電性
を向上せしめる酸化スズを少量、および、ターゲットの
密度を向上せしめる酸化チタンを少量添加するため、導
電性のある、かつ、高密度で靭性に優れたターゲットを
提供し得る。
【００５１】このため、ＤＣスパッタリングやＲＦ−Ｄ
Ｃスパッタリング等の直流スパッタリング法の適用が可
能となり、安定した放電が高いスパッタレートにて確保
できる。本発明により、高屈折率の透明薄膜を熱的ダメ
ージの少ない直流スパッタリングにて成膜することが可
能となり、このことにより、高性能（高透過率、低反射
率、低抵抗）の導電膜が提供できる。
Ｃスパッタリング等の直流スパッタリング法の適用が可
能となり、安定した放電が高いスパッタレートにて確保
できる。本発明により、高屈折率の透明薄膜を熱的ダメ
ージの少ない直流スパッタリングにて成膜することが可
能となり、このことにより、高性能（高透過率、低反射
率、低抵抗）の導電膜が提供できる。
【００５２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態につき、以下
に記す実施例により説明する。
に記す実施例により説明する。
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【実施例】以下に、本発明の実施例について詳細に説明
する。 ＜実施例１＞ 実施例１に係わるスパッタリングターゲットは、酸化イ
ンジウムに酸化セリウムをセリウム元素換算で約３０ａ
ｔ％（原子パーセント）となる混合酸化物に、酸化チタ
ンをチタン元素換算で０．１〜５ａｔ％（原子パーセン
ト）添加して、ターゲットの比抵抗（電気伝導度の逆
数）、ターゲット密度、およびターゲットの粒径を測定
し、以下に記す（表２）を得た。
する。 ＜実施例１＞ 実施例１に係わるスパッタリングターゲットは、酸化イ
ンジウムに酸化セリウムをセリウム元素換算で約３０ａ
ｔ％（原子パーセント）となる混合酸化物に、酸化チタ
ンをチタン元素換算で０．１〜５ａｔ％（原子パーセン
ト）添加して、ターゲットの比抵抗（電気伝導度の逆
数）、ターゲット密度、およびターゲットの粒径を測定
し、以下に記す（表２）を得た。
【００５７】
【表２】
【００５８】上記の（表２）に示すように、酸化チタン
を少量添加することで、ターゲットの粒径が微細となっ
た。
を少量添加することで、ターゲットの粒径が微細となっ
た。
【００５９】＜実施例２＞
実施例２に係わるスパッタリングターゲットは、酸化イ
ンジウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化チタンの混合
酸化物からなり、各々組成は混合酸化物中の総金属元素
に対して、インジウム元素を６８．５ａｔ％（原子パー
セント）、セリウム元素を３０．０ａｔ％（原子パーセ
ント）、スズ元素を１．０ａｔ％（原子パーセント）、
チタン元素を０．５ａｔ％（原子パーセント）とした。
ンジウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化チタンの混合
酸化物からなり、各々組成は混合酸化物中の総金属元素
に対して、インジウム元素を６８．５ａｔ％（原子パー
セント）、セリウム元素を３０．０ａｔ％（原子パーセ
ント）、スズ元素を１．０ａｔ％（原子パーセント）、
チタン元素を０．５ａｔ％（原子パーセント）とした。
【００６０】そして、このスパッタリングターゲット
は、以下の方法で製造されている。すなわち、平均粒径
が各々約 2μｍの酸化インジウム粉末と、酸化セリウム
と、酸化スズと、酸化チタンとを所定量計量し、かつ、
少量のパラフィンを添加して湿式ボールミルにより24時
間粉砕すると共に混合した。
は、以下の方法で製造されている。すなわち、平均粒径
が各々約 2μｍの酸化インジウム粉末と、酸化セリウム
と、酸化スズと、酸化チタンとを所定量計量し、かつ、
少量のパラフィンを添加して湿式ボールミルにより24時
間粉砕すると共に混合した。
【００６１】次に、これを乾燥し、50〜70μｍに整粒
後、金型に充填しプレス成形した。次いで、これを電気
炉に入れ、酸素雰囲気下で1400℃、10時間の条件で焼成
し上記パラフィンを除去すると共に、混合酸化物を焼結
させた。そして、平面研削盤で研削し、次にダイヤモン
ドカッターで成形して上記スパッタリングターゲットを
製造した。このターゲットの比抵抗は２０ｍΩｃｍ、密
度は６．９であった。
後、金型に充填しプレス成形した。次いで、これを電気
炉に入れ、酸素雰囲気下で1400℃、10時間の条件で焼成
し上記パラフィンを除去すると共に、混合酸化物を焼結
させた。そして、平面研削盤で研削し、次にダイヤモン
ドカッターで成形して上記スパッタリングターゲットを
製造した。このターゲットの比抵抗は２０ｍΩｃｍ、密
度は６．９であった。
【００６２】このスパッタリングターゲットを銅のバッ
キングプレートにボンディングし、ＤＣマグネトロンス
パッタリング装置の内部に収容し、真空排気した。厚さ
0.7mmのガラス板上に、厚さ34nmの透明薄膜、厚さ15nm
の銀薄膜、厚さ35nmの透明薄膜の３層の導電膜を連続し
て成膜した。
キングプレートにボンディングし、ＤＣマグネトロンス
パッタリング装置の内部に収容し、真空排気した。厚さ
0.7mmのガラス板上に、厚さ34nmの透明薄膜、厚さ15nm
の銀薄膜、厚さ35nmの透明薄膜の３層の導電膜を連続し
て成膜した。
【００６３】こうして得られた導電膜付きガラス基板の
断面を図１に記す。図１中、10はガラス基板、11は透明
薄膜、12は銀薄膜、13は透明薄膜をそれぞれ示してい
る。
断面を図１に記す。図１中、10はガラス基板、11は透明
薄膜、12は銀薄膜、13は透明薄膜をそれぞれ示してい
る。
【００６４】次に、導電膜付きガラス基板を、 200℃、
1時間の条件で熱処理し、導電膜の面積抵抗値と、波長
545nmでの透過率を測定したところ、面積抵抗値は 2.7
Ω／□、透過率は約97％であった。なお、透明薄膜の屈
折率は、およそ 2.3であった。
1時間の条件で熱処理し、導電膜の面積抵抗値と、波長
545nmでの透過率を測定したところ、面積抵抗値は 2.7
Ω／□、透過率は約97％であった。なお、透明薄膜の屈
折率は、およそ 2.3であった。
【００６５】また、この導電膜付きガラス基板を、25℃
の室内に１ケ月間放置した後、導電膜を肉眼で観察した
ところ、その表面に外観の変化は全く観察されなかっ
た。
の室内に１ケ月間放置した後、導電膜を肉眼で観察した
ところ、その表面に外観の変化は全く観察されなかっ
た。
【００６６】
【発明の効果】請求項１〜４に係わる本発明によれば、
高密度で靭性に優れ、かつ、導電性のあるターゲットで
あるため、高い成膜レートで安定したＤＣスパッタリン
グが可能となり、同時に高屈折率の透明薄膜が成膜可能
であるため、銀系薄膜を狭持する構成の導電膜を、従来
にない高い性能で提供できる。例えば、透明薄膜が２．
３前後の高屈折率であるため、３Ω／□弱の低抵抗の導
電膜を８０ｎｍ強の極めて薄い膜厚にて、導電膜が形成
できることとなった。
高密度で靭性に優れ、かつ、導電性のあるターゲットで
あるため、高い成膜レートで安定したＤＣスパッタリン
グが可能となり、同時に高屈折率の透明薄膜が成膜可能
であるため、銀系薄膜を狭持する構成の導電膜を、従来
にない高い性能で提供できる。例えば、透明薄膜が２．
３前後の高屈折率であるため、３Ω／□弱の低抵抗の導
電膜を８０ｎｍ強の極めて薄い膜厚にて、導電膜が形成
できることとなった。
【００６７】加えて、本発明の導電性のあるターゲット
により、耐熱性の低いプラスチック等の基板上や、有機
のカラーフィルター上にも高速度で効率よく導電膜が形
成できる。
により、耐熱性の低いプラスチック等の基板上や、有機
のカラーフィルター上にも高速度で効率よく導電膜が形
成できる。
【００６８】本発明は、酸化セリウムの高含有率にもか
かわらず、スパッタリングターゲットにＤＣスパッタリ
ングに十分な導電性および強度が確保できるため、結果
として高価な酸化インジウムの使用量を大きく減らすこ
とができる。
かわらず、スパッタリングターゲットにＤＣスパッタリ
ングに十分な導電性および強度が確保できるため、結果
として高価な酸化インジウムの使用量を大きく減らすこ
とができる。
【００６９】従って、このスパッタリングターゲットを
適用することにより、従来にない高い性能の導電膜を、
従来にない低コストで提供できる。
適用することにより、従来にない高い性能の導電膜を、
従来にない低コストで提供できる。
【００７０】
【図１】実施例に係わる導電膜付きガラス基板の断面説
明図。
明図。
10 ガラス基板
11 透明薄膜
12 銀系薄膜
13 透明薄膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 高梨 昌二
東京都港区新橋５丁目11番３号 住友金
属鉱山株式会社内
(56)参考文献 特開 平９−123337（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−349338（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−43911（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−54133（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 14/00 - 14/58
C04B 35/495
Claims (4)
- 【請求項１】銀系薄膜を挟持する構成の導電膜の透明薄
膜を成膜する際に使用されるスパッタリングターゲット
であって、順次、酸化物の混合微粉末を粉砕・混合する
工程と、乾燥・整粒する工程と、成形圧力を加え成形を
行う工程と、焼結を行う工程とを少なくとも行って製造
された混合酸化物の焼結体であり、酸化インジウムと酸
化セリウムを基材とする混合酸化物に、酸化セリウムの
セリウム元素の量が、混合酸化物の総金属元素に対し５
〜６０ａｔ％（原子パーセント）含有され、酸化チタン
のチタン元素の量が、混合酸化物の総金属元素に対し２
〜５ａｔ％（原子パーセント）含有され、前記酸化物の
混合粉末の粉砕・混合工程の際に混合粉末に分散剤が混
合され、かつ、前記成形時の成形圧力を５００Ｋｇｆ／
ｃｍ2以上としたことを特徴とするスパッタリングター
ゲット。 - 【請求項２】銀系薄膜を挟持する構成の導電膜の透明薄
膜を成膜する際に使用されるスパッタリングターゲット
であって、酸化物の混合微粉末を粉砕・混合する工程
と、乾燥・整粒する工程と、成形圧力を加え成形を行う
工程と、焼結を行う工程とを少なくとも行って製造され
た混合酸化物の焼結体であり、酸化インジウムと酸化セ
リウムを基材とする混合酸化物に、各々基材の混合割合
より少ない量にて酸化スズと酸化チタンが含有され、酸
化セリウムのセリウム元素の量が、混合酸化物の総金属
元素に対し５〜６０ａｔ％（原子パーセント）含有さ
れ、酸化チタンのチタン元素の量が、混合酸化物の総金
属元素に対し０．１〜５ａｔ％（原子パーセント）含有
され、前記酸化物の混合粉末の粉砕・混合工程の際に混
合粉末に分散剤が混合され、かつ、前記成形時の成形圧
力を５００Ｋｇｆ／ｃｍ2以上としたことを特徴とする
スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】前記酸化スズのスズ元素の量が、酸化イン
ジウムと酸化セリウムを基材とする混合酸化物の総金属
元素に対し０．１〜５ａｔ％（原子パーセント）である
ことを特徴とする請求項２に記載のスパッタリングター
ゲット。 - 【請求項４】前記酸化セリウムのセリウム元素の量が、
酸化インジウムと酸化セリウムを基材とする混合酸化物
の総金属元素に対し１０〜４０ａｔ％（原子パーセン
ト）であることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一
項に記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33320895A JP3445891B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33320895A JP3445891B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09176841A JPH09176841A (ja) | 1997-07-08 |
| JP3445891B2 true JP3445891B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=18263533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33320895A Expired - Fee Related JP3445891B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3445891B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2336386A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-06-22 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide evaporation material, transparent conducting film, and solar cell |
| DE112011100332T5 (de) | 2010-01-25 | 2012-11-22 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Oxidverdampfungsmaterial, dampfabgeschiedene dünnschicht und solarzelle |
| US8343387B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-01-01 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide evaporation material and high-refractive-index transparent film |
| EP3012346A4 (en) * | 2013-06-17 | 2016-08-10 | Sumitomo Metal Mining Co | IN-CE-O-SPUTTERTARGET AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19948839A1 (de) | 1999-10-11 | 2001-04-12 | Bps Alzenau Gmbh | Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP4617583B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2011-01-26 | 凸版印刷株式会社 | ガスバリア性フィルム |
| JP4428698B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-03-10 | 出光興産株式会社 | 酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法 |
| JP4802655B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-10-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体及びそれを用いて得られる酸化物膜、並びにその酸化物膜を含む積層体 |
| JP5519959B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-06-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層シート |
| US9028721B2 (en) * | 2009-08-05 | 2015-05-12 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body, production method therefor, target, and transparent conductive film |
| DE112011100972T5 (de) | 2010-03-19 | 2013-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co. Ltd. | Transparenter leitender Film |
| JP5063742B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2012-10-31 | 出光興産株式会社 | 半透過半反射型電極基板の製造方法 |
| CN102723373A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-10 | 苏州嘉言能源设备有限公司 | 薄膜太阳能电池光吸收透明薄膜 |
| WO2016017546A1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化インジウム系酸化物焼結体とその製造方法 |
| JP7257562B2 (ja) * | 2021-04-27 | 2023-04-13 | Ｊｘ金属株式会社 | 透明導電膜としての機能を有する積層体及びその製造方法並びに当該積層体製造用の酸化物スパッタリングターゲット |
| KR20240001183A (ko) * | 2021-04-27 | 2024-01-03 | 제이엑스금속주식회사 | 투명 도전막으로서의 기능을 갖는 적층체 및 그 제조 방법 그리고 당해 적층체 제조용의 산화물 스퍼터링 타깃 |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP33320895A patent/JP3445891B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2336386A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-06-22 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide evaporation material, transparent conducting film, and solar cell |
| US8574464B2 (en) | 2009-11-30 | 2013-11-05 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide evaporation material, transparent conducting film, and solar cell |
| US9099219B2 (en) | 2009-11-30 | 2015-08-04 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide evaporation material, transparent conducting film, and solar cell |
| US8343387B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-01-01 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide evaporation material and high-refractive-index transparent film |
| DE112011100332T5 (de) | 2010-01-25 | 2012-11-22 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Oxidverdampfungsmaterial, dampfabgeschiedene dünnschicht und solarzelle |
| EP3012346A4 (en) * | 2013-06-17 | 2016-08-10 | Sumitomo Metal Mining Co | IN-CE-O-SPUTTERTARGET AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US10090137B2 (en) | 2013-06-17 | 2018-10-02 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | In—Ce—O-based sputtering target and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09176841A (ja) | 1997-07-08 |
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