JPH06158308A - インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents

インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

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JPH06158308A
JPH06158308A JP33670092A JP33670092A JPH06158308A JP H06158308 A JPH06158308 A JP H06158308A JP 33670092 A JP33670092 A JP 33670092A JP 33670092 A JP33670092 A JP 33670092A JP H06158308 A JPH06158308 A JP H06158308A
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tin oxide
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Hiromi Kikuchi
Masahiko Sakakibara
正彦 榊原
広実 菊池
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Hitachi Metals Ltd
日立金属株式会社
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    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スパッタリング期間にターゲットが黒化しに
くく、安定して低い薄膜抵抗値のITO膜を得る。 【構成】 実質的にインジウム、スズおよび酸素からな
る焼結体であり、相対密度が90%以上で単相構造を有
し、比抵抗値が1×10-3Ω・cm以下であるインジウ
ム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲット。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、薄膜エ
レクトロルミネッセンス表示装置等に使用され、透明電
極となるインジウム・スズ酸化物膜を形成するのに用い
られるインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用タ
ーゲットおよびその製造方法に関する。

【0002】

【従来の技術】酸化インジウムIn23の中に酸化スズ
SnO2をドープした膜であるインジウム・スズ酸化物
膜(以下ITO膜と称する)は高い透光性と高い導電性
を備えており、液晶表示素子やエレクトロルミネッセン
スなどの表示装置、あるいは航空機などの窓ガラスの氷
結防止用ヒータなどへの導電経路として広く使用されて
いる。このようなITO膜は通常スパッタリング法、電
子ビーム蒸着、CVD法等により形成されるものであ
る。このなかで、インジウム酸化物とスズ酸化物の焼結
体をターゲットとして不活性ガスイオンによりスパッタ
リングすることによりITO膜を形成するスパッタリン
グ法は、他の方法よりも装置の構成が単純であり、今後
主流になっていくものと考えられている。

【0003】しかし、インジウム酸化物とスズ酸化物の
焼結体のように複合焼結体をターゲットとして用いた場
合は、スパッタリング中の酸素の解離、インジウム酸化
物とスズ酸化物のスパッタリング速度の違いなどの原因
によりターゲット組成そのものの組成比では薄膜が形成
されないという問題があった。特にITO膜を形成する
場合、膜の導電性は形成される膜中の酸素量に極めて敏
感に影響される。そのためスパッタリング中の酸素量の
変動を抑制することは、スパッタリング法を用いて均質
なITO膜を生産する上で重要な課題であった。

【0004】最近このような酸素量の変動を抑制する手
段として、特開平3−44465号公報に、使用するタ
ーゲットそのものから酸素を事前に減少させておくこと
により、スパッタリング進行中の酸素量の変動を抑制す
る方法が開示された。すなわちこの方法は、焼結後のタ
ーゲットに対して、酸化インジウムおよび酸化スズから
酸素が熱解離する条件で2次焼結を行なって、ターゲッ
ト中の酸素を減らすことにより、スパッタリング進行中
では酸素量の変動が少ないものとする方法である。

【0005】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の特開平
3−44465号に記載される方法では、スパッタリン
グ進行中の酸素量の変動は抑えることができるが、もと
もと金属酸化物でなければならない焼結体中の酸素を減
少させることは、化学量論組成からずれることになり、
薄膜中の酸素欠乏によって欠陥が増加することになる。
この酸素欠乏による欠陥の増加は、生成するITO膜の
抵抗値を増加させることになり、本来のITO膜が有す
る導電性が得られないという問題があった。さらに本発
明者が、スパッタリング進行中のターゲットのスパッタ
リング面の組織と得られる薄膜の特性の関係を検討した
ところ、スパッタリングによるエロージョンが進行する
と、スパッタリング面に黒化物が発生し、これに伴って
形成する膜の薄膜抵抗が増大していくという結果になる
ことがわかった。

【0006】また、ITO膜の抵抗値の増大はターゲッ
トの密度が低い場合にも発生する。これはターゲットの
密度が低いと、ターゲット自体の熱伝導率が低いものと
なるため、ターゲットと接合したバッキングプレートで
冷却しても十分に冷却できない部分が生じる。このよう
な状態になるとターゲットが部分的に高温のままになる
ので、その部分の酸素が一部解離してしまうためであ
る。このような酸素の解離の発生も、ターゲット中の酸
素欠乏の増加となり、生成するITO膜の抵抗値の増大
の原因となる。本発明の目的はスパッタリング期間にタ
ーゲットが黒化しにくく、安定して低い薄膜抵抗値のI
TO膜が得られるターゲットおよびその製造方法を提供
することである。

【0007】

【課題を解決するための手段】本発明者は、ターゲット
表面の黒化とターゲットのミクロ組織を検討したとこ
ろ、ターゲットの黒化はターゲット表面に突起が発生す
ることが原因であること、その突起にはスズが他の部分
より濃縮されていること、突起部は酸素濃度が低く、タ
ーゲット表面に突起が生成したままでスパッタリングを
つづけるとスパッタリングが進行するにつれてITO膜
の抵抗値が増大することを知見した。本発明者は、この
ような突起の発生を抑えるために、ターゲットの組織と
ターゲット密度に着目し検討を行なったところ、90%
以上の相対密度を有し、しかも焼結体を単相構造とする
ことにより、突起の発生しにくいターゲットが得られ、
安定して薄膜抵抗の低いITO膜が形成できることを見
出した。

【0008】すなわち本発明は、実質的にインジウム、
スズおよび酸素からなる焼結体であり、相対密度が90
%以上で単相構造を有し、比抵抗値が1×10-3Ω・c
m以下であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物
膜用スパッタリング用ターゲットである。本発明ターゲ
ットにおいて、その組織を単相構造としたのは、スパッ
タリング時の投入電力1W/cm2、スパッタリングガ
ス圧1Pa、基板温度25℃の条件でスパッタリングを
実施したとき、30時間スパッタリングしても抵抗値の
変動を2%以下とすることが可能となったからである。
本発明において組織が単相構造であるとは、スズが酸化
インジウム格子間に存在するドーパント状態にあり、I
nO3相以外にSn02相、In4Sn312相等の中間化
合物相を形成していないことをいう。単相構造であるこ
との確認は、X線回折およびミクロ組織観察により行う
ことができる。図1に単相構造のミクロ組織写真を、ま
た図2に異相を含む複相構造のミクロ組織写真を示す。
図2の異相は、EPMA(電子線マイクロアナライザ)
の分析結果より、In4Sn312であることが同定され
た。また、本発明において相対密度を90%以上とした
のは、90%未満であると低密度に起因して、スパッタ
リング進行中の薄膜抵抗の増加が避けられず、単相構造
とすることによる薄膜抵抗の安定化の効果が明瞭に現れ
ないためである。本発明ターゲットにおいて比抵抗値を
1×10-3Ω・cm以下とするのは、ITO膜の比抵抗
値を10-4Ω・cm台にするために必要だからである。

【0009】また、本発明者は、ターゲット材を単相構
造とする方法として、平均粒径0.1μm以下の酸化イ
ンジウム−酸化スズ複合粉末を利用すれば良いことを見
いだした。すなわち、本発明のターゲットの製造方法
は、平均粒径0.1μm以下の酸化インジウム−酸化ス
ズ複合粉末をプレス成形した後、1〜10気圧の加圧酸
素雰囲気中、1500〜1700℃で焼結しすることを
特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング
用ターゲットの製造方法である。平均粒径0.1μm以
下の酸化インジウム−酸化スズ複合粉末は、例えばイン
ジウム−スズ合金を加熱溶融したものを1300℃程度
に加熱されたチャンバー内に噴霧することにより製造す
ることができる。

【0010】本発明の製造方法の特徴は、ターゲットの
組織を単相構造とするために酸化インジウム−酸化スズ
複合粉末を用いる点にある。すなわち、酸化インジウム
と酸化スズの混合粉末の場合、組織的に均一な焼結体を
得ることができずSn02、In4Sn312などの異相
の発生を抑制することができないのに対し、均一性の優
れた酸化インジウム−酸化スズ複合粉末では焼結体の組
織も均一になりSn02、In4Sn312などの異相の
発生を抑制することができる。

【0011】本発明において、原料粉末として均一性に
優れる複合粉末を全量用いることが最も望ましい。しか
し、この複合粉末を主成分とし、平均粒径0.1μm以
下の酸化インジウムおよび平均粒径0.1μm以下の酸
化スズの一種または二種を混合した混合粉末を用いるこ
ともできる。本発明において、用いる粉末の平均粒径を
0.1μm以下とするのは、相対密度が90%以上の焼
結体を得るのが困難だからである。また本発明におい
て、焼結雰囲気を1気圧以上の加圧酸素雰囲気中とする
のは高密度化のために必要だからであるが、10気圧程
度で密度向上の効果は飽和する。したがって、経済面を
も考慮し焼結雰囲気を1気圧〜10気圧の加圧酸素雰囲
気とする。焼結温度は、1500℃未満では相対密度9
0%以上の焼結体が獲られず、一方1700℃を越える
と酸化スズ、酸化インジウムの分解による密度低下が生
ずるので1500〜1700℃とする。

【0012】

【実施例】

(実施例1)インジウム−スズ合金を加熱溶融後、13
00℃に加熱されたチャンバー内へ噴霧する乾式法によ
り酸化インジウム−酸化スズ複合粉末を製造し、この粉
末を分級し、図1に示す平均粒径を有する粉末を準備し
た。さらに、酸化インジウム粉末、酸化スズ粉末は各々
インジウム、スズを同様に乾式法により図1に示す平均
粒径のものを得た。これらの粉末を混合する場合は、所
定の比率になるようにボールミルによって24時間混合
した。複合粉末単独の場合は、この粉末にポリビニルア
ルコール(PVA)を1%添加して造粒し、これを冷間
プレスで成形圧力3000Kg/cm2で成形した。こ
の成形体を1600℃で5気圧の加圧酸素雰囲気中で6
時間保持し焼結を行なった。得られた焼結体を研削によ
り直径100mm、厚さ5mmのターゲットに加工し
た。図1のターゲットのスパッタ面中央のミクロ組織を
鏡面加工後光学顕微鏡で観察した。図4にNo.1の、
また図5にNo.8のミクロ組織写真を示すが、No.
1は単相構造、またNo.8はIn4Sn312からなる
異相を含む複相構造であることがわかった。他のターゲ
ットの相構造は図1に記載する。

【0013】図1に示すように、原料の複合粉末の平均
粒径が0.1μmを越える試料No.6は焼結密度が9
0%未満となった。また、スズ含有量が10%のNo.
8は複相構造の組織となり、また混合粉末で製造したN
o.7も複相構造の組織を示した。さらに、スズ量が1
%のNo.9はターゲット自体の比抵抗値が大きいこと
がわかる。これらの試料のターゲットを用いて、次の条
件でスパッタリングを行なった。 スパッタ電力 1.0W/cm2 スパッタガス組成 99%アルゴン+1%酸素の混合ガ
ス スパッタガス圧 1Pa 基板温度 25℃ 初めの2時間スパッタリングすることにより得られた膜
の初期抵抗値(a)と30時間スパッタリングを行なっ
た後、新しい基板に交換しさらにスパッタリングを行な
い得られた膜の抵抗値(b)を図2に示す。

【0014】図2に示すように、本発明のターゲットの
試料No.1ないし5および試料No.10は30時間
スパッタリング後の抵抗値が初期値に対して2%以下し
か変化せず極めて安定して低抵抗のITO薄膜が得られ
た。これに対して、比較例のターゲットである試料N
o.9では初期値の抵抗が高く、および試料No.6な
いし8は抵抗値が初期値に対して15%以上も変化して
おり、長期のスパッタリングには耐えられないものであ
った。また、30時間のスパッタリング終了後のスパッ
タリング面を見ると、比較例のターゲットである試料N
o.6および試料No.8は、本発明のターゲットの試
料No.1ないし5、および試料No.10に比べて極
めて黒く変色していた。

【0015】本発明のターゲットの試料No.1および
比較例のターゲットの試料No.7について、スパッタ
リング処理後のスパッタリング面の表面を走査型電子顕
微鏡でスパッタリング面に対して45度方向から観察し
た結果を、図6および図7にそれぞれ示す。図6と図7
を比較すると明らかなように、比較例を示す図7には、
スパッタリング表面に略円錐状の巨大な突起1が多量に
発生している。この突起部をEPMAで分析したところ
突起先端部にスズ原子が濃化していることが確認され、
さらに酸素濃度も他の部分より低下していた。この結果
から、ターゲットの複相化にともなう異相により突起が
発生し、この突起部分の酸素濃度が低下して、成膜する
ITO膜の抵抗値の増大の原因になっていることがわか
った。

【0016】(実施例2)実施例1と同様に製造したス
ズ含有量が4重量%の酸化インジウム−酸化スズ混合粉
末を用いて、最終の焼結温度を図3に示すように145
0℃から1650℃とし、5気圧加圧酸素雰囲気および
大気中とした以外は実施例1と同じ条件でターゲットを
製造した。これらのターゲットを用いて実施例1と同様
にスパッタリングを行ない、ITO膜の抵抗値を測定し
た。

【0017】結果を図3に示す。図3に示すように、焼
結温度の低い比較例の試料No.14は相対密度が87
%と低いため抵抗値の変化率が大きい。一方試料No.
15焼結温度は1600℃と高いにもかかわらず大気中
焼結であるため相対密度が80%と低く、結果として抵
抗値の変化率がきわめて大きいものになった。この結果
から、90%以上の相対密度で安定して抵抗値の低いI
TO膜が得られることがわかる。

【0018】

【発明の効果】本発明の90%以上の相対密度を有し、
単相構造のターゲットによればスパッタリング期間にタ
ーゲットのスパッタリング面に突起の発生が少なく黒化
しにくいため、安定して低い抵抗値のITO膜が得られ
る。これによりターゲットの寿命が長くなり、ターゲッ
トをとりだしてターゲットのスパッタリング表面を再研
磨して変質部分を除くといった作業を大幅に削減でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明ターゲットと比較例の粒径、相対密度、
結晶相、比抵抗値を表わす図である。

【図2】本発明ターゲットと比較例の抵抗値、抵抗値変
化率を表わす図である。

【図3】本発明ターゲットと比較例の焼結条件による相
対密度、膜抵抗、抵抗値、抵抗値変化率を示す図であ
る。

【図4】光学顕微鏡による本発明ターゲットのミクロ金
属組織写真である。

【図5】光学顕微鏡による比較例ターゲットのミクロ金
属組織写真である。

【図6】スパッタリング後の本発明のターゲットのスパ
ッタリング面を走査型電子顕微鏡により観察した時のス
ケッチ図である。

【図7】スパッタリング後の比較例のターゲットのスパ
ッタリング面を走査型電子顕微鏡により観察した時のス
ケッチ図である。

【符号の説明】

1 突起

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
    らなる焼結体であり、相対密度が90%以上で単相構造
    を有し、比抵抗値が1×10-3Ω・cm以下であること
    を特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリン
    グ用ターゲット。
  2. 【請求項2】 平均粒径0.1μm以下の酸化インジウ
    ム−酸化スズ複合粉末をプレス成形した後、1〜10気
    圧の加圧酸素雰囲気中、1500〜1700℃で焼結し
    することを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパ
    ッタリング用ターゲットの製造方法。
  3. 【請求項3】 平均粒径0.1μm以下の酸化インジウ
    ム−酸化スズ複合粉末と平均粒径0.1μm以下の酸化
    インジウムおよび平均粒径0.1μm以下の酸化スズの
    一種または二種の混合粉末をプレス成形した後、1〜1
    0気圧の加圧酸素雰囲気中、1500〜1700℃で焼
    結しすることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用
    スパッタリング用ターゲットの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002030429A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Tosoh Corp Itoスパッタリングターゲットおよびその製造方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4427060C1 (de) * 1994-07-29 1995-11-30 Heraeus Gmbh W C Bauteil aus Indium-Zinn-Oxid und Verfahren für seine Herstellung
US6033620A (en) * 1995-04-18 2000-03-07 Tosoh Corporation Process of preparing high-density sintered ITO compact and sputtering target
AT204029T (de) * 1995-08-18 2001-08-15 Heraeus Gmbh W C Target für die kathodenzerstäubung und verfahren zur herstellung eines solchen targets
JP3862385B2 (ja) * 1996-11-08 2006-12-27 Dowaホールディングス株式会社 酸化スズ含有酸化インジウム粉及び焼結体の製造方法
JP3576364B2 (ja) * 1997-10-13 2004-10-13 株式会社日鉱マテリアルズ Itoスパッタリングターゲットのクリーニング方法
DE19822570C1 (de) * 1998-05-20 1999-07-15 Heraeus Gmbh W C Verfahren zum Herstellen eines Indium-Zinn-Oxid-Formkörpers
US6113761A (en) 1999-06-02 2000-09-05 Johnson Matthey Electronics, Inc. Copper sputtering target assembly and method of making same
CN1425196A (zh) 1999-11-24 2003-06-18 霍尼韦尔国际公司 导电互连
US6451222B1 (en) 1999-12-16 2002-09-17 Honeywell International Inc. Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target
US6858102B1 (en) 2000-11-15 2005-02-22 Honeywell International Inc. Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets
US7404877B2 (en) 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US20050199861A1 (en) * 2001-12-12 2005-09-15 Wu L. W. Manufacturing method for transparent and conductive coatings
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US6884327B2 (en) * 2002-03-16 2005-04-26 Tao Pan Mode size converter for a planar waveguide
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US9793523B2 (en) 2002-08-09 2017-10-17 Sapurast Research Llc Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
AU2003261463A1 (en) 2002-08-27 2004-03-19 Symmorphix, Inc. Optically coupling into highly uniform waveguides
EP1597408B1 (en) * 2003-02-27 2012-12-05 Symmorphix, Inc. Method for forming dielectric barrier layers
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US7238628B2 (en) 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
EP1656467A2 (en) * 2003-08-21 2006-05-17 Honeywell International Inc. Copper-containing pvd targets and methods for their manufacture
CN1918320A (zh) * 2004-03-15 2007-02-21 贝卡尔特先进涂层公司 减小溅射靶中热应力的方法
US8636876B2 (en) 2004-12-08 2014-01-28 R. Ernest Demaray Deposition of LiCoO2
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US7838133B2 (en) 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
JP2010505044A (ja) 2006-09-29 2010-02-18 インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド フレキシブル基板のマスキングおよびフレキシブル基板上にバッテリ層を堆積させるための材料拘束
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
CN101903560B (zh) 2007-12-21 2014-08-06 无穷动力解决方案股份有限公司 用于电解质膜的溅射靶的方法
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
WO2009089417A1 (en) 2008-01-11 2009-07-16 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices
JP5595377B2 (ja) 2008-04-02 2014-09-24 インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド エネルギー取入れに関連したエネルギー貯蔵デバイスに対する受動的過不足電圧の制御および保護
CN102119454B (zh) 2008-08-11 2014-07-30 无穷动力解决方案股份有限公司 具有用于电磁能量收集的一体收集器表面的能量设备及其方法
EP2332127A4 (en) 2008-09-12 2011-11-09 Infinite Power Solutions Inc Energy device with integral conductive surface for data communication via electromagnetic energy and method thereof
WO2010042594A1 (en) * 2008-10-08 2010-04-15 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
JP5492998B2 (ja) 2009-09-01 2014-05-14 インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド 薄膜バッテリを組み込んだプリント回路基板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071800A (en) * 1989-02-28 1991-12-10 Tosoh Corporation Oxide powder, sintered body, process for preparation thereof and targe composed thereof
US4962071A (en) * 1989-05-01 1990-10-09 Tektronix, Inc. Method of fabricating a sintered body of indium tin oxide
JPH0530905B2 (ja) * 1990-01-08 1993-05-11 Nitsuko Kyoseki Kk
JP2904358B2 (ja) * 1990-10-19 1999-06-14 住友金属鉱山株式会社 Ito焼結体の製造方法
JPH04293769A (en) * 1991-03-20 1992-10-19 Tosoh Corp Ito sputtering target for forming film at low temperature

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002030429A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Tosoh Corp Itoスパッタリングターゲットおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5435826A (en) 1995-07-25

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