JPS61190808A - 透明電極 - Google Patents
透明電極Info
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- JPS61190808A JPS61190808A JP60029444A JP2944485A JPS61190808A JP S61190808 A JPS61190808 A JP S61190808A JP 60029444 A JP60029444 A JP 60029444A JP 2944485 A JP2944485 A JP 2944485A JP S61190808 A JPS61190808 A JP S61190808A
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- transparent electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラスチックフィルム又はシートを基板とし
た透明性を有する電極に関する。
た透明性を有する電極に関する。
更に詳しくは、透明導電性を利用した用途、たとえば液
晶表示用電極、電場発光体用電極、タッチパネル用電極
、光導電性感光体用電極、積層素子（たとえば、液晶カ
ラーディスプレイ等）用電極等のエレクトロニクス・電
気の分野に広く利用され得るプラスチックフィルム又は
シートを基板とした透明−゛極に関する。
晶表示用電極、電場発光体用電極、タッチパネル用電極
、光導電性感光体用電極、積層素子（たとえば、液晶カ
ラーディスプレイ等）用電極等のエレクトロニクス・電
気の分野に広く利用され得るプラスチックフィルム又は
シートを基板とした透明−゛極に関する。
現在汎用されている透明電極は、ガラス上に酸化スン膜
′＋Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
）膜等を形成してなるものである。しかしながら、基
材がガラスであるために、可とう性、加工性などの性質
が劣り、用途によっては好ましいものとしては用いられ
ない。そこで、近年、プラスチックフィルム又はシート
を基材とした透明電極が、可と５性、加工性、耐衝撃性
、軽量性などの面で注目されてきた。
′＋Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
）膜等を形成してなるものである。しかしながら、基
材がガラスであるために、可とう性、加工性などの性質
が劣り、用途によっては好ましいものとしては用いられ
ない。そこで、近年、プラスチックフィルム又はシート
を基材とした透明電極が、可と５性、加工性、耐衝撃性
、軽量性などの面で注目されてきた。
一方、透明導電層をプラスチックフィルム又はシート基
板に直接設けて透明電極とした場合、耐透湿性、耐通気
性、及び該層と該基板との密着性において問題がある。
板に直接設けて透明電極とした場合、耐透湿性、耐通気
性、及び該層と該基板との密着性において問題がある。
耐透湿性、耐通気性の点においては、プラスチックフィ
ルム又はシート基板の厚みを大きくするか、あるいはガ
スバリヤ−性、水蒸気バリヤー性の高いプラスチックフ
ィルムを該基板に積層すれば、ある程度満足したものが
得られるが、該基板と透明導電層との密着性において、
未だ満足なものは得られていない。
ルム又はシート基板の厚みを大きくするか、あるいはガ
スバリヤ−性、水蒸気バリヤー性の高いプラスチックフ
ィルムを該基板に積層すれば、ある程度満足したものが
得られるが、該基板と透明導電層との密着性において、
未だ満足なものは得られていない。
一方、例えばプラスチックフィルムのような有機高分子
成形物よりなる基板の表面に設けられた金属酸化物、金
属窒化物、金属炭化物および金属のうちのいずれかの物
質よりなる１層又は複数層の中間薄膜の上に透明導電膜
を設ける方法が開示されている（特開昭５２−１１６８
９６）。しかし乍ら、この方法は導電率の向上には寄与
するものの、プラスチックフィルム又はシートを基板と
した透明電極に対する種々の要求性能、たとえば耐屈曲
性、耐擦傷性、耐アルカリ性等を必ずしも満足するもの
ではない。
成形物よりなる基板の表面に設けられた金属酸化物、金
属窒化物、金属炭化物および金属のうちのいずれかの物
質よりなる１層又は複数層の中間薄膜の上に透明導電膜
を設ける方法が開示されている（特開昭５２−１１６８
９６）。しかし乍ら、この方法は導電率の向上には寄与
するものの、プラスチックフィルム又はシートを基板と
した透明電極に対する種々の要求性能、たとえば耐屈曲
性、耐擦傷性、耐アルカリ性等を必ずしも満足するもの
ではない。
本発明者らは、先に、プラスチックフィルム又はシート
よりなる基板の表面に、 ５ｉ０２−ｘ（０≦Ｘ≦１
）層を介して透明導電層を形成してなる透明゛電極にお
いて、基板、 ８ｉ０２ ｘ層、透明導電層の各層の厚
みに特別な関係を有するものが、要求性能をある程度満
足しており、透明電極として使用できることを開示した
。
よりなる基板の表面に、 ５ｉ０２−ｘ（０≦Ｘ≦１
）層を介して透明導電層を形成してなる透明゛電極にお
いて、基板、 ８ｉ０２ ｘ層、透明導電層の各層の厚
みに特別な関係を有するものが、要求性能をある程度満
足しており、透明電極として使用できることを開示した
。
しかしながら、電極パターンを乾式法で形成する場合に
は問題とならないが、湿式法で形成する場合、耐アルカ
リ性においてやや不充分であった。
は問題とならないが、湿式法で形成する場合、耐アルカ
リ性においてやや不充分であった。
ここで湿式法とは、電極パターン形成方法において酸、
アルカリを利用する方法であり、たとえば電極パターン
をレジストインキで描いたのち塩酸等の酸によりレジス
トインキでマスクされていない部分の透明導電層をエツ
チングし水洗後、水酸化カリウム等のアルカリによりレ
ジストインキをエツチングして電極パターンを形成する
方法であり、また乾式法とはドライエツチング法を示す
。
アルカリを利用する方法であり、たとえば電極パターン
をレジストインキで描いたのち塩酸等の酸によりレジス
トインキでマスクされていない部分の透明導電層をエツ
チングし水洗後、水酸化カリウム等のアルカリによりレ
ジストインキをエツチングして電極パターンを形成する
方法であり、また乾式法とはドライエツチング法を示す
。
本発明は１本発明者らの上記した発明ではやや不充分で
あった耐アルカリ性を改良し、可とう性加工性に優れ、
かつ、電極パターン形成方法に制限されない透明電極を
提供することを目的とするものである。
あった耐アルカリ性を改良し、可とう性加工性に優れ、
かつ、電極パターン形成方法に制限されない透明電極を
提供することを目的とするものである。
本発明者らは、プラスチックフィルム又はシートを基板
とした透明電極の製造方法を鋭意検討した結果、以下の
構成を有する透明電極が種々の要求特性、たとえば、耐
屈曲性、耐擦傷性、耐アルカリ性等を溝足し得ることを
見い出して本発明に到達した。
とした透明電極の製造方法を鋭意検討した結果、以下の
構成を有する透明電極が種々の要求特性、たとえば、耐
屈曲性、耐擦傷性、耐アルカリ性等を溝足し得ることを
見い出して本発明に到達した。
即ち、本発明は、プラスチックフィルム又はシー ）
（Ａ）の少な（とも片面に、低融点金属の透明な酸化物
層（Ｂ）、塩酸により腐食されない透明な金属酸化物層
（Ｃ）、透明導電層（Ｄ）を、順次積層してなる透明電
極である。
（Ａ）の少な（とも片面に、低融点金属の透明な酸化物
層（Ｂ）、塩酸により腐食されない透明な金属酸化物層
（Ｃ）、透明導電層（Ｄ）を、順次積層してなる透明電
極である。
以下１本発明を図面を参照しながら、詳述する。
第１図は、本発明による透明電極の構造を示す断面図の
１例であり、プラスチックフィルム又はシートからなる
基板１の片面に、低融点金属の透明な酸化物層２．塩酸
により腐食されない透明な金属酸化物層３．透明導電層
４が順次、積層されている。
１例であり、プラスチックフィルム又はシートからなる
基板１の片面に、低融点金属の透明な酸化物層２．塩酸
により腐食されない透明な金属酸化物層３．透明導電層
４が順次、積層されている。
本発明で用いるプラスチックフィルム又はシートとして
は、６００ｎｍの波長の光線透過率が少なくとも８層チ
以上のものが望ましいが、それ自体が偏光フィルムであ
る場合にはこの限りでない。
は、６００ｎｍの波長の光線透過率が少なくとも８層チ
以上のものが望ましいが、それ自体が偏光フィルムであ
る場合にはこの限りでない。
また素材としては疎水性樹脂が望ましく、好ましい樹脂
を例示するならば、ポリオレフィン、ボリエステル、ポ
リアミド、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリビニル、
ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート等のホモポリ
マー又はコポリマーがあげられる。
を例示するならば、ポリオレフィン、ボリエステル、ポ
リアミド、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリビニル、
ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート等のホモポリ
マー又はコポリマーがあげられる。
本発明に用いるプラスチックフィルム又はシートの厚み
としては１通常５〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜
５００μｍが適当である。
としては１通常５〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜
５００μｍが適当である。
本発明で用いる低融点金属の透明な酸化物としては、融
点が少なくとも１０００℃以下、好ましくは５００℃以
下の金属またはこれらの合金の酸化物が好ましく用いら
れ、中でもＺｎ、ＡＩ、 Ｓｂ、Ｉｎ。
点が少なくとも１０００℃以下、好ましくは５００℃以
下の金属またはこれらの合金の酸化物が好ましく用いら
れ、中でもＺｎ、ＡＩ、 Ｓｂ、Ｉｎ。
Ｓｎ及びこれらの混合物もしくは合金の酸化物が適当で
ある。なお、これらの酸化物に微量の不純物が含まれて
いてもかまわない。また、これらの酸化物層は複層であ
っても良い。而して本発明の低融点金属の透明な酸化物
層（Ｂ）の厚みは、通常層の６００ｎｍにおける光線透
過率は、少なくとも９０％以上であることが望ましい。
ある。なお、これらの酸化物に微量の不純物が含まれて
いてもかまわない。また、これらの酸化物層は複層であ
っても良い。而して本発明の低融点金属の透明な酸化物
層（Ｂ）の厚みは、通常層の６００ｎｍにおける光線透
過率は、少なくとも９０％以上であることが望ましい。
また、塩酸により腐食されない透明な金属酸化物として
は、塩酸に対して難溶性である酸化物が好ましく用いら
れ、中でも酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコ
ニウム、酸化チタン及びこれらの混合物が適当である。
は、塩酸に対して難溶性である酸化物が好ましく用いら
れ、中でも酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコ
ニウム、酸化チタン及びこれらの混合物が適当である。
なおこれらの酸化物に微量の不純物が含まれていても差
支えな（、またこれらの酸化物層は複層であっても良い
。而して塩酸により腐食されない透明な金属酸化物層（
Ｃ）の厚みは１通常５０〜５０，０００又、好ましくは
。
支えな（、またこれらの酸化物層は複層であっても良い
。而して塩酸により腐食されない透明な金属酸化物層（
Ｃ）の厚みは１通常５０〜５０，０００又、好ましくは
。
１００〜２０，０ＯＯＡであり、該層の６００ｎｍにお
ける光線透過率は少なくとも９０チ以上であることが望
ましい。
ける光線透過率は少なくとも９０チ以上であることが望
ましい。
更に、透明導電層（Ｄ）としては、該層のシート抵抗率
が少なくともＩＯＫΩ／口以下、口重下くは５００Ω／
口以下で、該層の６００ｎｍにおける光線透過率が少な
くとも９０チ以上である薄膜が好ましく用いられ、中で
も、 Ｓｂ、 Ｉｎ、 Ｓｎ及びこれらの混合物もしく
は合金の酸化物が適当である。
が少なくともＩＯＫΩ／口以下、口重下くは５００Ω／
口以下で、該層の６００ｎｍにおける光線透過率が少な
くとも９０チ以上である薄膜が好ましく用いられ、中で
も、 Ｓｂ、 Ｉｎ、 Ｓｎ及びこれらの混合物もしく
は合金の酸化物が適当である。
なお、これらの酸化物に微量の不純物が含まれていても
かまわない。また、これらの酸化物層は複層であっても
良い。一方、該層の厚みは１通常５０〜１０．０００Ａ
、好ましくは１００〜５，０ＯＯＡである。
かまわない。また、これらの酸化物層は複層であっても
良い。一方、該層の厚みは１通常５０〜１０．０００Ａ
、好ましくは１００〜５，０ＯＯＡである。
プラスチックフィルム又はシートの少な（とも片面に低
融点金属の透明な酸化物層、塩酸により腐食されない透
明な金属酸化物層、及び透明導電層を順次形成する方法
としては、ズプレー法、塗布法、真空処理法１等の公知
の方法が利用できるが、各層の積層を大気中に暴露する
ことなく行なうことがより好ましく、この点で真空処理
法がより好ましく利用される。ここで真空処理法とは。
融点金属の透明な酸化物層、塩酸により腐食されない透
明な金属酸化物層、及び透明導電層を順次形成する方法
としては、ズプレー法、塗布法、真空処理法１等の公知
の方法が利用できるが、各層の積層を大気中に暴露する
ことなく行なうことがより好ましく、この点で真空処理
法がより好ましく利用される。ここで真空処理法とは。
おおむねの真空下で薄膜を形成する方法であり。
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、プラダ−ｒ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ ｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法１等がある。さら
に、これらの中で特に好ましいのは、高周波イオンプレ
ーティング法である。高周波イオンプレーティング法と
は、高周波グロー放電下で、真空蒸着法と類似した方法
で材料を加熱蒸発させ、基板上に付着させる方法である
。
法、プラダ−ｒ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ ｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法１等がある。さら
に、これらの中で特に好ましいのは、高周波イオンプレ
ーティング法である。高周波イオンプレーティング法と
は、高周波グロー放電下で、真空蒸着法と類似した方法
で材料を加熱蒸発させ、基板上に付着させる方法である
。
本発明の透明電極においては、プラスチックフィルム又
はシート（Ａ）と塩酸により腐食されない透明な金属酸
化物層（Ｃ）との間に低融点金属の透明な酸化物層（Ｂ
）を設けであるのも耐屈曲性、耐アルカリ性、耐擦傷性
に優れており、透明電極製造過程及び透明電極を利用し
た素子、たとえば液晶表示パネル等の製造過程における
。断線等のトラブル防止を電極パターン形成方法にかか
わらず可能としたものである。
はシート（Ａ）と塩酸により腐食されない透明な金属酸
化物層（Ｃ）との間に低融点金属の透明な酸化物層（Ｂ
）を設けであるのも耐屈曲性、耐アルカリ性、耐擦傷性
に優れており、透明電極製造過程及び透明電極を利用し
た素子、たとえば液晶表示パネル等の製造過程における
。断線等のトラブル防止を電極パターン形成方法にかか
わらず可能としたものである。
以下、実施例によって本発明を詳述する。なお。
実施例中の測定値は１次の方法によった。
可視分光光度計を用いて、６００ｎｍにおける光線透過
率を測定した。
率を測定した。
四探針法で、シート抵抗率を求めた。
直径５ｆｉの円柱にそって、透明導電層形成面を外側と
し１８０度屈白させ、１分間保持後の電気抵抗率（Ｒ）
を測定し、処理前の電気抵抗率（ＲＯ）との比（Ｒ／Ｒ
ｏ） を求めた。また、透明導電層形成面を内側として
屈曲させた場合についても求めた。
し１８０度屈白させ、１分間保持後の電気抵抗率（Ｒ）
を測定し、処理前の電気抵抗率（ＲＯ）との比（Ｒ／Ｒ
ｏ） を求めた。また、透明導電層形成面を内側として
屈曲させた場合についても求めた。
透明導電層形成面を、１００ｇ〆一の荷重下にガーゼを
用いて１００ 回摩擦したのち、電気抵抗率（Ｒ）を測
定し、処理前の電気抵抗率（Ｒｏ）との比（Ｒ／Ｒｏ）
を求めた。
用いて１００ 回摩擦したのち、電気抵抗率（Ｒ）を測
定し、処理前の電気抵抗率（Ｒｏ）との比（Ｒ／Ｒｏ）
を求めた。
５ ｗｔ％濃度のＫＯＨ水溶液に１０分間浸漬したのち
充分水洗乾燥し電気抵抗率（Ｒ）を測定して処理前の電
気抵抗率（ＲＯ）との比（Ｒ／Ｒｏ） を求めた。
充分水洗乾燥し電気抵抗率（Ｒ）を測定して処理前の電
気抵抗率（ＲＯ）との比（Ｒ／Ｒｏ） を求めた。
水晶発振式膜厚モニターの値を読み取った。
実施例１〜３および比較例１〜２
厚みが１００μｍで６００ｎｍにおける光線透過率が８
９チのポリエーテルスルホン製未延伸フィルムを基板と
して、該基板上に高周波イオンプレーティング法で、第
１表に示した各種厚みのＺｎＯ層、８１０２−ｘ層（Ｘ
−＝Ｏ）、及び透明導電層を順次、連続して形成した。
９チのポリエーテルスルホン製未延伸フィルムを基板と
して、該基板上に高周波イオンプレーティング法で、第
１表に示した各種厚みのＺｎＯ層、８１０２−ｘ層（Ｘ
−＝Ｏ）、及び透明導電層を順次、連続して形成した。
その手順を示すと、亜鉛金属を蒸発源−１、純度９９．
９９１の５ｉ０２を蒸発源−２，ＩＴＯαｎｄｉｕｍＴ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ） （５ｎ０２；５重量％を含む）を
蒸発源−３として、蒸発源上３５０１ｍの位置にセット
された水冷基板ホルダーに該フィルムを装着し、真空槽
内を５Ｘ１０ ’ ｔｏｒｒ以下まで排気した後、
９９％の酸素ガスを導入し、槽内を７Ｘ１０ ’ｔｏ
ｒｒに設定したのち、この状態でＲ，Ｆ電力を４００Ｗ
投入して、磁気偏向型Ｂ／Ｂガンにより蒸発源−１を所
定時間蒸発させた。その後 Ｅ／Ｂガンの電源を切って
から蒸発源を１から２に切り換え。
９９１の５ｉ０２を蒸発源−２，ＩＴＯαｎｄｉｕｍＴ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ） （５ｎ０２；５重量％を含む）を
蒸発源−３として、蒸発源上３５０１ｍの位置にセット
された水冷基板ホルダーに該フィルムを装着し、真空槽
内を５Ｘ１０ ’ ｔｏｒｒ以下まで排気した後、
９９％の酸素ガスを導入し、槽内を７Ｘ１０ ’ｔｏ
ｒｒに設定したのち、この状態でＲ，Ｆ電力を４００Ｗ
投入して、磁気偏向型Ｂ／Ｂガンにより蒸発源−１を所
定時間蒸発させた。その後 Ｅ／Ｂガンの電源を切って
から蒸発源を１から２に切り換え。
再びＥ／Ｂガンの電源を入れ、蒸発源−２を所定時間蒸
発させた。再びＥ／Ｂガンの電源を切ってから蒸発源を
２から３に切り換えＥ／Ｂガンの電源を入さ れ、蒸発源−３を所定時間蒸発スせた。
発させた。再びＥ／Ｂガンの電源を切ってから蒸発源を
２から３に切り換えＥ／Ｂガンの電源を入さ れ、蒸発源−３を所定時間蒸発スせた。
このようにして得たポリエーテルスルホン製・未延伸フ
ィルム／ＺｎＯ層／５ｉ０２−ｘ層／透明導電層の積層
物の特性を第１表に示す。
ィルム／ＺｎＯ層／５ｉ０２−ｘ層／透明導電層の積層
物の特性を第１表に示す。
比較のために、ＺｎＯ層を形成しなかった場合の積層物
の特性を第１表に併記する。
の特性を第１表に併記する。
実施例４〜５および比較例３
厚みが１００μｍで６００ｎｍにおける光線透過率が９
２チのポリエチレンテレフタレート製１軸延伸フイルム
を基板とし、実施例１と同様の方法で該基板上に各種厚
みのＺｎＯ層、５ｉ０２−Ｘ層、ＩＴＯ層を形成した。
２チのポリエチレンテレフタレート製１軸延伸フイルム
を基板とし、実施例１と同様の方法で該基板上に各種厚
みのＺｎＯ層、５ｉ０２−Ｘ層、ＩＴＯ層を形成した。
また、比較のために、ＺｎＯ層を形成してない積層物も
作製した。
作製した。
該積層物の特性を第１表に併記する。
実施例６
実施例２と同様の方法でＺｎＯ層／Ｓ＋Ｃ）２．Ｘ層形
成後、該積層物を大気中にとりだし、その後Ｉｎ−８ｎ
合金（Ｓｎ；５％）からなるターゲットを用いてマ
グネトロンスパッタ法で該膜上にＩＴＯ膜を形成した。
成後、該積層物を大気中にとりだし、その後Ｉｎ−８ｎ
合金（Ｓｎ；５％）からなるターゲットを用いてマ
グネトロンスパッタ法で該膜上にＩＴＯ膜を形成した。
その手順を示すと基板とターゲット間の距離を４０ｍと
し真空槽内を５ Ｘ 、１０ ’ｔｏｒｒ以下に排気
後、酸素を５チ含む酸素−アルゴン混合ガスを導入して
５ Ｘ １０ ”ｔｏｒｒとしたのち、ＲＦ電力を５
００Ｗ投入し、１５分間、ターゲットのプレスパツタリ
ングを行ない、しかるのちに該膜上にＩＴＯ層を形成し
た。
し真空槽内を５ Ｘ 、１０ ’ｔｏｒｒ以下に排気
後、酸素を５チ含む酸素−アルゴン混合ガスを導入して
５ Ｘ １０ ”ｔｏｒｒとしたのち、ＲＦ電力を５
００Ｗ投入し、１５分間、ターゲットのプレスパツタリ
ングを行ない、しかるのちに該膜上にＩＴＯ層を形成し
た。
該積層物の特性を第１表に併記する。
実施例７
厚みが１００μｍで６００ｎｍにおける光線透過率が８
９チのポリエーテルスルホン製未延伸フィルムを基板と
して、該基板上に高周波イオンプレーテ４７グ法で５ｉ
０２層／ Ｔ ｉ ０２層／５ｎ０２５ｂ２０ｓ層（Ｓ
ｂ、０３； １０ ％を含む）を形成した。
９チのポリエーテルスルホン製未延伸フィルムを基板と
して、該基板上に高周波イオンプレーテ４７グ法で５ｉ
０２層／ Ｔ ｉ ０２層／５ｎ０２５ｂ２０ｓ層（Ｓ
ｂ、０３； １０ ％を含む）を形成した。
その手順を示すとＳｎを蒸発源−１、純度９９，９９チ
のＴｉＯ２を蒸発源−２，８ｎ０２５ｂ２０３（Ｓｂ２
０３；１０チを含む）を蒸発源−３として、蒸発源上３
５０ｍの位置にセットされた水冷基板ホルダーに該フィ
ルムを装着し、真空槽内を５ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ
以下まで排気後、９９チの酸素ガスを導入し、槽内を７
Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに設定したのち、この状態で
ＲＦ電力を４００Ｗ投入して、 Ｅ／Ｂガンにより蒸発
源−１を所定時間蒸発させた。その後Ｅ／Ｂガンの電源
を切ってから蒸発源を１から２に切り換え、槽内を３
Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに設定したのち、再びＥ／Ｂガ
ンの電源を入れ蒸発源−２を所定時間蒸発させた。再び
Ｅ／Ｂガンの電源を切って蒸発源を２から３に切り換え
、 Ｂ／Ｂガンの電源を入れ、蒸発源−３を所定時間蒸
発させた。
のＴｉＯ２を蒸発源−２，８ｎ０２５ｂ２０３（Ｓｂ２
０３；１０チを含む）を蒸発源−３として、蒸発源上３
５０ｍの位置にセットされた水冷基板ホルダーに該フィ
ルムを装着し、真空槽内を５ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ
以下まで排気後、９９チの酸素ガスを導入し、槽内を７
Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに設定したのち、この状態で
ＲＦ電力を４００Ｗ投入して、 Ｅ／Ｂガンにより蒸発
源−１を所定時間蒸発させた。その後Ｅ／Ｂガンの電源
を切ってから蒸発源を１から２に切り換え、槽内を３
Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに設定したのち、再びＥ／Ｂガ
ンの電源を入れ蒸発源−２を所定時間蒸発させた。再び
Ｅ／Ｂガンの電源を切って蒸発源を２から３に切り換え
、 Ｂ／Ｂガンの電源を入れ、蒸発源−３を所定時間蒸
発させた。
該積層物の特性を第１表に併記する。
実施例８
実施例７と同様の基板上に高周波イオンプレーティング
法でＩｎ２Ｏ３層／Ａｔ、０．層／ Ｉｎ２Ｏ３層を形
成した。
法でＩｎ２Ｏ３層／Ａｔ、０．層／ Ｉｎ２Ｏ３層を形
成した。
その手順を示すとＩｎを蒸発源−１、純度９９．９９チ
のＡｌ２Ｏ３を蒸発源−２とし、真空槽内を５Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒ以下まで排気後９９％の酸素ガスを導入し。
のＡｌ２Ｏ３を蒸発源−２とし、真空槽内を５Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒ以下まで排気後９９％の酸素ガスを導入し。
槽内を７ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに設定し、この状態
でＲ，Ｆ電力を４００Ｗ投入し、 Ｅ／Ｂガンにより蒸
発源−１を所定時間蒸発させた。その後ル＄ガンの電源
を切ってから蒸発源を１から２に切り換え。
でＲ，Ｆ電力を４００Ｗ投入し、 Ｅ／Ｂガンにより蒸
発源−１を所定時間蒸発させた。その後ル＄ガンの電源
を切ってから蒸発源を１から２に切り換え。
再びＥ／Ｂガンの電源を入れ蒸発源−２を所定時間蒸発
させた。再びＢ／Ｂガンの電源を切って蒸発源を２から
１に切り換え、Ｂ／Ｂガンの電源を入れ、蒸発源−１を
所定時間蒸発させた。
させた。再びＢ／Ｂガンの電源を切って蒸発源を２から
１に切り換え、Ｂ／Ｂガンの電源を入れ、蒸発源−１を
所定時間蒸発させた。
該積層物の特性を第１表に併記する。
実施例９
Ａｌ２Ｏ，層を５ｉ０２ ｘ層とした以外は、実施例
８と同様の方法で積層物を得た。なお、５ｉ０２−ｘ層
は、実施例１と同様の方法で形成した。
８と同様の方法で積層物を得た。なお、５ｉ０２−ｘ層
は、実施例１と同様の方法で形成した。
該積層物の特性を第１表に併記する。
実施例１０
ＺｎＯ層をＡｌ２Ｏ３層とした以外は、実施例２と同様
の方法で積層物を得た。なお１人１２０３層は、真空槽
内を５ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ以下まで排気後９９チ
の酸素を導入し、槽内を７ ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに
設定し、この状態でＲ，Ｆ電力を４００Ｗ投入し、Ｅ／
Ｂガンにより金属ＡＩを所定時間蒸発させて形成した。
の方法で積層物を得た。なお１人１２０３層は、真空槽
内を５ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ以下まで排気後９９チ
の酸素を導入し、槽内を７ ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに
設定し、この状態でＲ，Ｆ電力を４００Ｗ投入し、Ｅ／
Ｂガンにより金属ＡＩを所定時間蒸発させて形成した。
該積層物の特性を第１表に併記する。
実施例１１
ＺｎＯ層をｓｂ、ｏ３層とした以外は実施例１と同様の
方法で積層物を得た。なお５ｂ２ｏ３層は、真空槽内を
５Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒ以下まで排気後９９チの酸素を
導入し、槽内を７ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに設定しこ
の状態でＲ，Ｆ電力を４００Ｗ投入し、Ｅ／Ｂガンによ
り金属ｓｂを所定時間蒸発させて形成した。
方法で積層物を得た。なお５ｂ２ｏ３層は、真空槽内を
５Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒ以下まで排気後９９チの酸素を
導入し、槽内を７ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒに設定しこ
の状態でＲ，Ｆ電力を４００Ｗ投入し、Ｅ／Ｂガンによ
り金属ｓｂを所定時間蒸発させて形成した。
該積層物の特性を第１表に併記する。
実施例１２
Ｓｉ０２ ｘ層をＺｒＯ２層とした以外は、実施例２と
同様の方法で積層物を得た。その手順を示すと亜鉛金属
を蒸発源−１，純度９９．９’Ｊ％のＺｒＯ２を蒸発源
−２，ＩＴＯを蒸発源−３として実施例２と同様の方法
でＺｎＯ層を形成後蒸発源を１から′２に切り換え、Ｒ
Ｆ電力を４００Ｗ投入し、蒸発源−２を所定時間蒸発さ
せた。
同様の方法で積層物を得た。その手順を示すと亜鉛金属
を蒸発源−１，純度９９．９’Ｊ％のＺｒＯ２を蒸発源
−２，ＩＴＯを蒸発源−３として実施例２と同様の方法
でＺｎＯ層を形成後蒸発源を１から′２に切り換え、Ｒ
Ｆ電力を４００Ｗ投入し、蒸発源−２を所定時間蒸発さ
せた。
その後、実施例２と同様の方法でＩＴＯを蒸発させ、該
積層物を形成した。
積層物を形成した。
該積層物の特性を第１表に併記する。
実施例１３
ＺｎＯ層をＩＴＯ層とした以外は、実施例２と同様の方
法で積層物を得た。なお、ＩＴＯ層は実施例２のＩＴＯ
層と同様の方法で形成した。
法で積層物を得た。なお、ＩＴＯ層は実施例２のＩＴＯ
層と同様の方法で形成した。
該積層物の特性を第１表に併記する。
実施例１４
実施例１３０Ｂ層を、 ＴｉＯ２と５ｉ０２ Ｘ層の複
層とし、ポリエーテルスルホン製未延伸フィルム／ＩＴ
Ｏ層／ Ｔ ｒ ’０２層／５ｉＯｚｘ層／ＩＴＯ層か
らなる積層物を得た。なお、ＩＴＯ層、５ｉ０２ ｘ層
は実施例１３に、またＴ ｉ ０２層は実施例７にそれ
ぞれ準拠して形成した。
層とし、ポリエーテルスルホン製未延伸フィルム／ＩＴ
Ｏ層／ Ｔ ｒ ’０２層／５ｉＯｚｘ層／ＩＴＯ層か
らなる積層物を得た。なお、ＩＴＯ層、５ｉ０２ ｘ層
は実施例１３に、またＴ ｉ ０２層は実施例７にそれ
ぞれ準拠して形成した。
該積層物の特性を第１表に併記する。
比較例１〜３と比べ、本発明の透明電極は、耐アルカリ
性が著しく優れている一方、耐アルカリ性以外の特性に
関しては、はぼ同レベルと考えられる。これらのことか
ら１本発明の透明電極は、−電極パターン形成方法にか
かわりなく、加工性。
性が著しく優れている一方、耐アルカリ性以外の特性に
関しては、はぼ同レベルと考えられる。これらのことか
ら１本発明の透明電極は、−電極パターン形成方法にか
かわりなく、加工性。
可とう性に優れていることがわかる。
第１図は、本発明による透明電極の構造を示す断面図の
１例であり１図中、１は基板、２は低融点金属の酸化物
層、３は、酸化絶縁物層、４は透明導電層である。 特許出願人 三井東圧化学株式会社 第１図 −トへ 手 碗 補 旧 書（自発） 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年特許ｌｌ［第２９４４４ 号２、発明の名
称 透明電極 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１）明細書の第３頁第１４行目の「において問題があ
る。耐透湿性、耐通気性の点に」を「において問題があ
った。更に詳述すれば、耐透湿性。 耐通気性の点に」に訂正する。 （２）同第３頁第１９行目より第２０行目の「該基板と
透明導電層との密着性において、未だ満足なものは得ら
れていない。」を「充分な耐透湿性、耐通気性をもった
基板とするためには、プラスチックフィルム又はシート
の厚み、および／または、ガスバリヤ−性、水蒸気バリ
ヤー性の高いプラスチックフィルムの厚みを、かなり大
きくせざるを得ないため、可と５性の点で問題となった
。」に訂正する。 （３）同第４頁第１行目の「一方」を「他方」に訂正す
る。 （４）同４頁第１θ行目の「耐屈曲性、耐擦傷性。 耐アルカリ性等」を「透明性、耐屈曲性、耐擦傷性、耐
酸、耐アルカリ性等」に訂正する。 （５）同第５頁第９行目より第１Ｏ行目の間に次の文を
挿入する。 する。 （１４） 同第１０頁第１０行目の「能としたもので
ある。」を［能とし、さらに、透明電極を利用した素子
、たとえば液晶表示素子１等の耐久性向上を可能とした
ものである。」に訂正する。 （１５） 同第１０頁第１８行目の「四探針法で、シ
ート抵抗率を求めた。」を「四探針法で測定し。 換算してシート抵抗率を求めた。」に訂正する。 （１６） 同第１１頁第１７行目と第１８行目の間に
次の文を挿入する。 〔ガス透過量〕 ２５℃における酸素ガス透過１を、ガス透過率測定装置
を用いて測定した。 〔透湿量〕 ＪＩＳ Ｚ ０２０８（防湿包装材料の透湿度試験方法
）の条件Ｂに準拠して測定した。 （１７） 同第２０頁と第２１頁との間に次の文及び
第２表を挿入する。 実施例１５ 厚みが１００μｍのポリエーテルスルホン製未延伸フィ
ルみに、実施例９と同様の方法でＩｎ、０３層／ＳｉＯ
層（ｘ＝ｏ）を形成した。 該積層物のガス透過量、透湿量を第２表に示す。 比較例４ 厚みが１００μｍのポリエーテルスルホン製未延伸フィ
ルムに、実施例１と同様の方法で５ｔｙｘ ｘ層（ｘ−
ｏ）を形成した。該積層物。 及び、厚みが１００μｍのポリエーテルスルホン製、未
延伸フィルムのガス透過量、透湿量を第２表に併記する
。 （１８） 同２１頁第２行目の「比較例１〜３と比べ
５本発明」を［実施例１〜１４と比較例１〜３との比較
から１本発明」に訂正する。 （１９） 同２１頁第２目の「れる。これらのことか
ら、」を「れる。また、実施例１５と比較例４の比較か
ら、本発明の透明電極は、耐透湿性、耐通気性。 共に優れていることがわかる。これらのことから、」に
訂正する。 （２０） 同２１頁第２目の「可と５性に優れている
ことがわかる。」を「可と５性に優れ、かつ、透明電極
を利用した素子の劣化防止に役立つことがわかる。」に
訂正する。 （！ｌ） ’Ｉ’ｌ 昨鳩木り 事ヒ朋 をＳツｈ
の通フ １２ 訂ｌ↓。 別紙 ２、特許請求の範囲 （１）プラスチックフィルム又はシート（Ａ）の少なく
とも片面に、低融点金属の透明な酸化物層（Ｂ）、塩酸
により腐食されない透明な金属化酸物層（Ｃ）、透明導
電層（Ｄ）を、順次積層してなることを特徴とする透明
電極。 （２）塩酸により腐食されない透明な金属酸化物層（Ｃ
）が酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム
、酸化チタンからなる群から選ばれた１種または２種以
上の金属酸化物を含有する層である特許請求の範囲第１
項記載の透明電極。 （３）低融点金属の透明な酸化物層（Ｂ）が、酸化亜鉛
、酸化アルミニウム、酸化アンチモン。 酸化インジウム、酸化スズからなる群から選ばれた１種
または２種以上の金属酸化物を含有する層である特許請
求の範囲第１項番＆第２項記載の透明電極。 （４）透明導電層（Ｄ）が、酸化アンチモン、酸化イン
ジウム、酸化スズからなる群から選ばれた。１種または
２種以上の金属酸化物を含有（５）低融点金属の透明な
酸化物層（Ｂ）、塩酸により腐食されない透明な金属酸
化物層（Ｃ）。 透明導電層（Ｄ）が高周波イオンプレーティ／電極。
１例であり１図中、１は基板、２は低融点金属の酸化物
層、３は、酸化絶縁物層、４は透明導電層である。 特許出願人 三井東圧化学株式会社 第１図 −トへ 手 碗 補 旧 書（自発） 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年特許ｌｌ［第２９４４４ 号２、発明の名
称 透明電極 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１）明細書の第３頁第１４行目の「において問題があ
る。耐透湿性、耐通気性の点に」を「において問題があ
った。更に詳述すれば、耐透湿性。 耐通気性の点に」に訂正する。 （２）同第３頁第１９行目より第２０行目の「該基板と
透明導電層との密着性において、未だ満足なものは得ら
れていない。」を「充分な耐透湿性、耐通気性をもった
基板とするためには、プラスチックフィルム又はシート
の厚み、および／または、ガスバリヤ−性、水蒸気バリ
ヤー性の高いプラスチックフィルムの厚みを、かなり大
きくせざるを得ないため、可と５性の点で問題となった
。」に訂正する。 （３）同第４頁第１行目の「一方」を「他方」に訂正す
る。 （４）同４頁第１θ行目の「耐屈曲性、耐擦傷性。 耐アルカリ性等」を「透明性、耐屈曲性、耐擦傷性、耐
酸、耐アルカリ性等」に訂正する。 （５）同第５頁第９行目より第１Ｏ行目の間に次の文を
挿入する。 する。 （１４） 同第１０頁第１０行目の「能としたもので
ある。」を［能とし、さらに、透明電極を利用した素子
、たとえば液晶表示素子１等の耐久性向上を可能とした
ものである。」に訂正する。 （１５） 同第１０頁第１８行目の「四探針法で、シ
ート抵抗率を求めた。」を「四探針法で測定し。 換算してシート抵抗率を求めた。」に訂正する。 （１６） 同第１１頁第１７行目と第１８行目の間に
次の文を挿入する。 〔ガス透過量〕 ２５℃における酸素ガス透過１を、ガス透過率測定装置
を用いて測定した。 〔透湿量〕 ＪＩＳ Ｚ ０２０８（防湿包装材料の透湿度試験方法
）の条件Ｂに準拠して測定した。 （１７） 同第２０頁と第２１頁との間に次の文及び
第２表を挿入する。 実施例１５ 厚みが１００μｍのポリエーテルスルホン製未延伸フィ
ルみに、実施例９と同様の方法でＩｎ、０３層／ＳｉＯ
層（ｘ＝ｏ）を形成した。 該積層物のガス透過量、透湿量を第２表に示す。 比較例４ 厚みが１００μｍのポリエーテルスルホン製未延伸フィ
ルムに、実施例１と同様の方法で５ｔｙｘ ｘ層（ｘ−
ｏ）を形成した。該積層物。 及び、厚みが１００μｍのポリエーテルスルホン製、未
延伸フィルムのガス透過量、透湿量を第２表に併記する
。 （１８） 同２１頁第２行目の「比較例１〜３と比べ
５本発明」を［実施例１〜１４と比較例１〜３との比較
から１本発明」に訂正する。 （１９） 同２１頁第２目の「れる。これらのことか
ら、」を「れる。また、実施例１５と比較例４の比較か
ら、本発明の透明電極は、耐透湿性、耐通気性。 共に優れていることがわかる。これらのことから、」に
訂正する。 （２０） 同２１頁第２目の「可と５性に優れている
ことがわかる。」を「可と５性に優れ、かつ、透明電極
を利用した素子の劣化防止に役立つことがわかる。」に
訂正する。 （！ｌ） ’Ｉ’ｌ 昨鳩木り 事ヒ朋 をＳツｈ
の通フ １２ 訂ｌ↓。 別紙 ２、特許請求の範囲 （１）プラスチックフィルム又はシート（Ａ）の少なく
とも片面に、低融点金属の透明な酸化物層（Ｂ）、塩酸
により腐食されない透明な金属化酸物層（Ｃ）、透明導
電層（Ｄ）を、順次積層してなることを特徴とする透明
電極。 （２）塩酸により腐食されない透明な金属酸化物層（Ｃ
）が酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム
、酸化チタンからなる群から選ばれた１種または２種以
上の金属酸化物を含有する層である特許請求の範囲第１
項記載の透明電極。 （３）低融点金属の透明な酸化物層（Ｂ）が、酸化亜鉛
、酸化アルミニウム、酸化アンチモン。 酸化インジウム、酸化スズからなる群から選ばれた１種
または２種以上の金属酸化物を含有する層である特許請
求の範囲第１項番＆第２項記載の透明電極。 （４）透明導電層（Ｄ）が、酸化アンチモン、酸化イン
ジウム、酸化スズからなる群から選ばれた。１種または
２種以上の金属酸化物を含有（５）低融点金属の透明な
酸化物層（Ｂ）、塩酸により腐食されない透明な金属酸
化物層（Ｃ）。 透明導電層（Ｄ）が高周波イオンプレーティ／電極。
Claims (5)
- （１）プラスチツクフイルム又はシート（Ａ）の少なく
とも片面に、低融点金属の透明な酸化物層（Ｂ）、塩酸
により腐食されない透明な金属化物層（Ｃ）、透明導電
層（Ｄ）を、順次積層してなることを特徴とする透明電
極。 - （２）塩酸により腐食されない透明な金属酸化物層（Ｃ
）が酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム
、酸化チタンからなる群から選ばれた１種または２種以
上の金属酸化物を含有する層である特許請求の範囲第１
項記載の透明電極。 - （３）低融点金属の透明な酸化物層（Ｂ）が、酸化亜鉛
、酸化アルミニウム、酸化アンチモン，酸化インジウム
、酸化スズからなる群から選ばれた１種または２種以上
の金属酸化物を含有する層である特許請求の範囲第１項
及び第２項記載の透明電極。 - （４）透明導電層（Ｄ）が、酸化アンチモン、酸化イ
ンジウム、酸化スズか
らなる群から選ばれた、１種
または２種以上の金属酸化物を含有する層で
ある特許請求の範囲第１〜３項記載の透明電極。 - （５）低融点金属の透明な酸化物層（Ｂ）、塩酸により
腐食されない透明な金属酸化物層（Ｃ）、透明導電層（
Ｄ）が高周波イオンプレーティング法により順次連続し
て形成されたものである特許請求の範囲第１〜４項記載
の透明電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029444A JPS61190808A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 透明電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029444A JPS61190808A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 透明電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190808A true JPS61190808A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12276289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029444A Pending JPS61190808A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 透明電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190808A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265625A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hoya Corp | 反射防止能を有する透明導電性フイルム |
| JP2006004633A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Bridgestone Corp | 防湿性透明導電性フィルム |
| US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52116896A (en) * | 1976-03-29 | 1977-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode plate and its preparation |
| JPS55133703A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-17 | Nippon Electric Co | Method of producing transparent conductive film |
| JPS5929924A (ja) * | 1982-07-17 | 1984-02-17 | マイクロウエイブ・オ−ブンズ・リミテツド | マイクロ波オ−ブンおよび食品調理方法 |
| JPS59204545A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-19 | 住友ベークライト株式会社 | 積層導電フイルム |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP60029444A patent/JPS61190808A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52116896A (en) * | 1976-03-29 | 1977-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode plate and its preparation |
| JPS55133703A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-17 | Nippon Electric Co | Method of producing transparent conductive film |
| JPS5929924A (ja) * | 1982-07-17 | 1984-02-17 | マイクロウエイブ・オ−ブンズ・リミテツド | マイクロ波オ−ブンおよび食品調理方法 |
| JPS59204545A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-19 | 住友ベークライト株式会社 | 積層導電フイルム |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265625A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hoya Corp | 反射防止能を有する透明導電性フイルム |
| US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| JP2006004633A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Bridgestone Corp | 防湿性透明導電性フィルム |
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