JP2016169420A - 透明導電部材の製造装置、及び、透明導電部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高い光透過性と低い抵抗とを両立した透明導電部材を作製するための製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に設けられた透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電体材料及び酸化物半導体材料からなる第１高屈折率層上に、銀薄膜を形成する面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下に冷却した状態で銀薄膜を形成する工程を有する。そして、銀薄膜上に、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い、誘電体材料及び酸化物半導体材料から選ばれる１種以上の材料を用いて第２高屈折率層を形成する工程を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、銀薄膜を備える透明導電部材の製造装置、及び、透明導電部材の製造方法に係わる。

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電部材が使用されている。
タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電部材を含む配線が配置される。従って、透明導電部材には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯを用いた透明導電部材が多用されている。

近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電部材の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられないという問題があった。
そこで、銀の蒸着層を用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照）。また、透明導電部材の光透過性を高めるため、銀層を屈折率の高い膜、例えばＩＴＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５（酸化ニオブ）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等からなる膜で挟み込むことも提案されている（例えば、特許文献２、非特許文献１参照）。さらに、銀層を、硫化亜鉛を含有する層（以下、ＺｎＳ層又は硫化亜鉛含有層ともいう）で挟み込むことも提案されている（例えば、非特許文献２参照）。

特開２００７−２５０４３０号公報 特開２００３−７３８６０号公報

Transparent Conductive Film Nb2O5/Ag/IZO with an Anti-Reflection Design,Ywh-Tarng Leu, et al., SID 2012 DIGEST p.352-353 Xuanjie Liu,et al, (2003). Thin Solid Films 441, 200-206

上述のように、表示装置、タッチパネル、太陽電池等に透明導電部材を用いる場合、表示装置やタッチパネルの視認性、太陽電池のエネルギー効率の観点から、光の透過性がより高いことが求められている。一方、特許文献１、２、非特許文献１、２に示されるような構成においても、透明導電部材の高透明化を狙い、銀層を薄膜化すると、透明導電部材の吸収率が増大し、ねらい通りの光の透過性が得られないといった問題があった。

上述した問題の解決のため、本発明においては、高い光透過性と低い抵抗とを両立した透明導電部材を作製するための製造装置、及び、透明導電部材の製造方法を提供するものである。

本発明の透明導電部材の製造装置は、透明基板上に、第１高屈折率層、銀薄膜層、及び、第２高屈折率層をこの順に備える透明導電部材を製造する装置である。この製造装置は、透明基板上に形成された透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電体材料及び酸化物半導体材料から選ばれる１種以上の材料からなる第１高屈折率層上に、銀薄膜を形成する銀薄膜形成部を有する。また、銀薄膜上に、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電体材料及び酸化物半導体材料から選ばれる１種以上の材料からなる第２高屈折率層を形成する第２高屈折率層形成部を有する。そして、銀薄膜形成部に銀薄膜を形成する面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下に冷却する透明基板の冷却部を有する。

また、本発明の透明導電部材の製造方法は、透明基板上に設けられた透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電体材料及び酸化物半導体材料からなる第１高屈折率層上に、銀薄膜を形成する面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下に冷却した状態で銀薄膜を形成する工程を有する。そして、銀薄膜上に、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い、誘電体材料及び酸化物半導体材料から選ばれる１種以上の材料を用いて第２高屈折率層を形成する工程を有する。

本発明によれば、高い光透過性と低い抵抗とを両立した透明導電部材を作製するための製造装置、及び、透明導電部材の製造方法を提供することができる。

透明導電部材の製造装置の概略構成を示す図である。 透明導電部材の製造装置の概略構成を示す図である。 枚葉式の銀薄膜形成部の概略構成を示す図である。 透明導電部材の概略構成を示す図である。 透明導電部材の概略構成を示す図である。

以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．透明導電部材の製造装置
２．透明導電部材の製造方法

〈１．透明導電部材の製造装置〉
以下本発明の透明導電部材の製造装置の具体的な実施の形態について説明する。
本実施形態の透明導電部材の製造装置により作製される透明導電部材は、透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層、銀薄膜層、及び、第２高屈折率層をこの順に備える。このため、透明導電部材の製造装置は、少なくとも、第１高屈折率層が形成された透明基板上に銀薄膜を形成する銀薄膜形成部、及び、銀薄膜上に第２高屈折率層を形成する第２高屈折率層形成部を備える。

また、透明導電部材の製造装置は、銀薄膜形成部において、銀薄膜を形成する面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下に冷却する透明基板の冷却部を有する。銀薄膜を形成する面（銀薄膜形成面）とは、銀薄膜が形成される層の表面であり、銀薄膜の下層側で銀薄膜と直に接する層の表面を示す。例えば、本例では、第１高屈折率層の表面を示す。なお、第１高屈折率層と銀薄膜との間に他の層が介在する場合には、銀薄膜が形成される面は、第１高屈折率層との間介在する他の層の銀薄膜側の表面が、銀薄膜を形成する面（形成面）である。
なお、ここでの銀薄膜を形成する面の表面温度は、銀薄膜の形成部、例えばスパッタ装置のチャンバを閉める前に、接触式温度計等、例えば、ＴＮＡ−１１０（タスコジャパン社製）を用いて、銀薄膜形成面の表面温度を測定する値である。

なお、透明導電部材としては、第１高屈折率層、銀薄膜層、及び、第２高屈折率層をこの順に備えていればよく、これらの層の間に他の層が設けられていてもよい。また、透明導電部材において、第１高屈折率層、及び、第２高屈折率層は、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い、誘電体材料及び酸化物半導体材料から選ばれる１種以上の材料から構成される。銀薄膜は、銀又は銀を主成分とする合金から構成される。

また、透明導電部材の製造装置は、銀薄膜層形成部、及び、第２高屈折率層形成部の各形成部の間や前後に、透明導電部材を構成する他の構成を設けるための形成部が配置されていてもよい。例えば、透明導電部材の製造装置は、透明基板上に第１高屈折率層を形成するための第１高屈折率層形成部を備えていてもよい。

［透明導電部材の製造装置］
図１に透明導電部材の製造装置の概略構成を示す。図１に示す透明導電部材の製造装置は、ロールツーロール方式で透明導電部材を作製する製造装置である。透明導電部材の製造装置は、第１高屈折率層形成部２０、銀薄膜形成部２２、第２高屈折率層形成部２４を備える。また、透明基板１０を搬送する搬送ローラ１１，１２，１３，１４，１５，１６を備える。

第１高屈折率層形成部２０は、透明基板１０上に第１高屈折率層を形成するための成膜ローラ２１を備える。銀薄膜形成部２２は、第１高屈折率層上に銀薄膜を形成するための成膜ローラ２３を備える。第２高屈折率層形成部２４は、銀薄膜上に第２高屈折率層を形成するための成膜ローラ２５を備える。

なお、図１に示す透明導電部材の製造装置では、透明基板１０上に形成される高屈折率層、銀薄膜については記載を省略している。また、各形成部が蒸着装置の場合には、チャンバ内に、ロータリーポンプ等の排気装置、原料となる蒸着源、抵抗加熱や電子ビーム等を用いた加熱装置等が設けられる。また、各形成部がスパッタ装置の場合には、チャンバ内に、ロータリーポンプ等の排気装置、原料となるターゲット材、試料とターゲットとの間に電圧を印加するための電源等が設けられる。各形成部がＣＶＤ（chemical vapor deposition）装置の場合には、ロータリーポンプ等の排気装置、原料ガス等の供給部、加熱部やプラズマ発生用の電極等が設けられる。これらの構成は、必要に応じて透明導電部材の製造装置に適用され、図１ではこれら各構成の図示を省略している。

銀薄膜形成部２２において、成膜ローラ２３は、透明基板１０の冷却部を有する。銀薄膜形成部２２の成膜ローラ２３に冷却部を設けることにより、透明基板１０を冷却し、銀薄膜層を形成際の銀薄膜形成面の表面温度、例えば第１高屈折率層の表面温度を、−４０℃以上１０℃以下の範囲に冷却できる製造装置を構成できる。冷却部は、例えば、成膜ローラ２３内に冷却水、ショーワ社製のショウブラインＰＥスーパー等の不凍液等の冷却液を冷媒として供給する構成を適用できる。
銀薄膜を形成する際の銀薄膜形成面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下とすることにより、銀薄膜の吸収率の増大を抑制でき、高透明な透明導電部材を得ることができる。

銀薄膜を形成する際の銀薄膜形成面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下とすることによる効果の発現機構、作用機構については明確になっていないが、以下のように推察される。
透明導電部材は、銀薄膜層を第１高屈折率層と第２高屈折率層とで挟み込む構成により、表面反射を抑えることができ、高い光透過性を得ることができると推察される。さらに少なくとも銀薄膜層形成の際の銀薄膜形成面の表面温度を−４０℃から１０℃とすることで、銀薄膜層の吸収の増大を抑制できると推察される。原理的には銀等の金属は固有の吸収を持つため、銀薄膜層が薄ければ薄いほど、銀薄膜層の吸収率は小さくなり、透明導電部材の透明性は高くなる。しかし、実際、スパッタ装置や蒸着装置等の成膜装置を用いて１０ｎｍ以下の非常に薄い銀層を形成すると、銀が連続で平滑な膜にならず、微小な粒塊や凝集物ができる。これが銀粒子特有のプラズモン吸収を引き起こし、吸収が増大する原因と考えている。そこで、銀薄膜形成面の表面温度を−４０℃から１０℃とした状態で、スパッタ装置や蒸着装置等の成膜装置を用いて銀薄膜層を形成すると、スパッタや蒸着で飛ばされる銀粒子が基板に付着した際に冷却され、銀粒子の動きが小さくなると推察される。この結果、銀の粒塊、凝集物の成長を抑制でき、銀薄膜層の吸収の増大を抑制できると考えている。

［透明導電部材の製造装置（変形例）］
透明導電部材の製造装置において、第１高屈折率層形成部と銀薄膜層形成部、及び、第２高屈折率層形成部の各形成部は、連続して配置されていなくてもよい。例えば、第１高屈折率層が形成された透明基板を巻き取るための巻き取り部を備えていてもよい。また、第１高屈折率層が形成され、ロール状に巻き取られた透明基板を準備し、この透明基板のロールを、銀薄膜層形成部に供給する構成としてもよい。

図２に、透明導電部材の製造装置の変形例の概略構成を示す。図２に示す製造装置では、ロール状に巻き取られた透明基板を準備し、この透明基板のロールを銀薄膜層形成部に供給する構成である。図２に示す製造装置は、ロール状の第１高屈折率層が形成された透明基板１０を保持する送り出しローラ２６と、銀薄膜形成部２２とを備える。銀薄膜形成部２２は、上述の図１に示す構成と同様であり、成膜ローラ２３に透明基板１０の冷却部を有する。図２に示す製造装置においても、銀薄膜形成部２２の成膜ローラ２３に冷却部を設けることにより、銀薄膜層を形成する際の銀薄膜形成面の表面温度を、−４０℃以上１０℃以下の範囲に冷却できる製造装置とする。
銀薄膜形成部２２の後工程は、図１に示すように第２高屈折率層形成部に搬送してもよく、また、巻き取りローラにより巻き取ってもよい。

また、透明導電部材の製造装置は、上述のロールツーロール方式以外にも、枚葉式の製造装置とすることもできる。枚葉式の透明導電部材の製造装置の構成を図３に示す。図３では、銀薄膜形成部のみを示し、第２高屈折率層形成部やその他の形成部については銀薄膜形成部と同様の装置を適用することができるため、これらの構成の記載は省略する。

図３に示す銀薄膜形成部は、第１高屈折率層が形成された透明基板１０が載置される試料台２７と、この試料台２７に接続された冷却ホース２８とを備える。なお、チャンバやチャンバ内に設けられる成膜用のその他の構成は記載を省略する。

試料台２７は、透明基板１０の冷却部を有し、この冷却部に冷却ホース２８を通じて冷媒を供給する構成である。銀薄膜形成部の試料台２７に冷却部を設け、銀薄膜層を形成する際の銀薄膜形成面の表面温度を、−４０℃以上１０℃以下の範囲に冷却できる構成とすることにより、上述の図１に示す製造装置と同様に、銀薄膜の吸収率の増大を抑制でき、高透明な透明導電部材を得ることができる。

透明導電部材の製造装置は、銀薄膜層形成部、及び、第２高屈折率層形成部の各形成部の間や前後に、透明導電部材を構成する他の構成を設けるための形成部が配置されていてもよい。例えば、透明導電部材の製造装置は、第２高屈折率層上に第３高屈折率層を形成するための第３高屈折率層形成部を備えていてもよい。さらに、銀薄膜と第１高屈折率層の間や、銀薄膜と第２高屈折率層との間に、硫化防止層を設けるための硫化防止層形成部を備えていてもよい。

第１高屈折率層を、硫黄を含む材料で形成する場合には、硫黄を含む第１高屈折率層と、銀薄膜との間に、硫化防止層を形成することが好ましい。同様に、第２高屈折率層を、硫黄を含む材料で形成する場合には、硫黄を含む第２高屈折率層と、銀薄膜との間に、硫化防止層を形成することが好ましい。このような硫化防止層を形成する場合には、透明導電部材の製造装置においても、第１高屈折率層形成部と銀薄膜形成部との間、銀薄膜形成部と第２高屈折率層形成部との間に、硫化防止層形成部を配置する。

第３高屈折率層形成部や硫化防止層形成部の構成は、図１に示す高屈折率層形成部の構成を適用することができる。第３高屈折率層形成部や硫化防止層形成部を備える場合にも透明導電部材の製造装置は、各形成部が連続して配置されていなくてもよく、各形成部の後に透明基板の巻き取り部を備える構成としてもよい。

〈２．透明導電部材の製造方法〉
次に、透明導電部材の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法で作製される透明導電部材は、透明基板上に、少なくとも、第１高屈折率層、銀薄膜、及び、第２高屈折率層を備える。このため、透明導電部材の製造方法は、第１高屈折率層上に銀薄膜を形成する工程と、銀薄膜上に第２高屈折率層を形成する工程とを有する。

ここで、本実施形態の製造方法で作製される透明導電部材は、図４に示すように、透明基板１０、透明基板１０上に設けられた第１高屈折率層３１、第１高屈折率層３１上に設けられた銀薄膜３２、銀薄膜３２上に設けられた第２高屈折率層３３を備える。そして、銀薄膜３２等がパターニングされ、透明基板１０、第１高屈折率層３１、銀薄膜３２、及び、第２高屈折率層３３が少なくとも含まれる導通領域３７と、透明基板１０のみが含まれる非導通領域３８とを有する。

導通領域３７のパターン及び非導通領域３８のパターンは、透明導電部材の用途等に応じて適宜選択される。例えば透明導電部材が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、複数の導通領域３７と、これを区切るライン状の非導通領域３８とを含むパターンとすることができる。非導通領域３８のラインの幅は５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以下である。

また、透明導電部材の製造方法では、透明基板上に、第１高屈折率層を形成する工程を有していてもよい。第１高屈折率層が硫黄を含む場合には、第１高屈折率層と銀薄膜との間に硫化防止層を形成する工程を有していてもよい。同様に、第２高屈折率層が硫黄を含む場合には、銀薄膜と第２高屈折率層との間に硫化防止層を形成する工程を有していてもよい。さらに、第２高屈折率層上に、第３高屈折率層を形成する工程を有していてもよい。
例えば図５に示すように、本実施形態の製造方法で作製される透明導電部材は、銀薄膜３２と第１高屈折率層３１の間に第１硫化防止層３４、銀薄膜３２と第２高屈折率層３３との間に第２硫化防止層３５、及び、第２高屈折率層３３上に第３高屈折率層３６を備えていてもよい。この場合にも、銀薄膜３２等がパターニングされ、透明基板１０上に第１高屈折率層３１から第３高屈折率層３６までが含まれる導通領域３７と、透明基板１０のみが含まれる非導通領域３８とを有する。

図５に示す構成の透明導電部材では、銀薄膜を形成する面は、第１硫化防止層３４の表面である。なお、第１硫化防止層３４は後述するように、非常に薄い層で形成されるため、第１硫化防止層３４の間から第１高屈折率層３１の表面が露出する場合がある。この場合には、第１硫化防止層３４と、この第１硫化防止層３４の間から露出する第１高屈折率層３１の表面とが銀薄膜を形成する面である。

なお、透明導電部材は、透明基板１０の一方の面を全て第１高屈折率層３１、銀薄膜３２、及び、第２高屈折率層３３が覆うように形成されていてもよい。同様に、透明基板１０の一方の面を全て第１高屈折率層３１、第１硫化防止層３４、銀薄膜３２、第２硫化防止層３５、第２高屈折率層３３、及び、に第３高屈折率層３６が覆うように形成されていてもよい。

以下、透明導電部材の製造方法と、透明導電部材の各構成の詳細について説明する。透明導電部材の製造方法では、少なくとも、第１高屈折率層上に銀薄膜を形成する工程と、銀薄膜上に第２高屈折率層を形成する工程が必要である。その他の構成の形成工程については、必要に応じて適用することができる。また、各構成の間には以下で説明する以外の他の構成が設けられていてもよく、これら他の構成が各層間に介在していてもよい。

［透明基板］
透明導電部材の製造方法に適用可能な透明基板１０は、各種表示デバイスの透明基板に適用されている基板が挙げられる。透明基板１０は、例えば、ガラス基板等の無機系の基板であってもよく、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムであってもよい。透明基板１０が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。

高い光透過性を達成することができる観点から、透明基板１０は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。

また、透明基板１０は、表面に公知のクリアハードコート層等を有していてもよい。透明基板１０にハードコート層等が含まれると、後述の第１高屈折率層３１の表面平滑性が高まりやすい。その結果、銀薄膜３２が平滑な連続膜となり、光の吸収が抑えられ、透明導電部材の光透過性が高まる。

透明基板１０は、可視光に対する光透過性が高いことが好ましい。具体的には、波長４００〜８００ｎｍの光の平均光透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１０の光の平均光透過率が７０％以上であると、透明導電部材の光透過性が高まりやすい。

上記平均光透過率は、透明基板１０の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。平均光透過率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定される。

透明基板１０の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板１０の屈折率は、通常、透明基板１０の材質によって定まる。透明基板１０の屈折率は、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求められる。

透明基板１０のヘイズ値は、０．０１〜２．５％の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．０％の範囲内である。透明基板１０のヘイズ値が２．５％以下であると、透明導電部材のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーター（例えば、ＮＤＨ−５０００；日本電色工業社製）を用いて測定される。

透明基板１０の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板１０の厚さが１μｍ以上であれば、透明基板１０の強度が高まり、第１高屈折率層３１の成膜時に割れたり、裂けたりし難い。一方、透明基板１０の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電部材のフレキシブル性が十分に高まる。さらに、透明導電部材を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電部材を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。

なお、透明基板１０上に第１高屈折率層３１を形成する際、透明基板１０に含まれる水分や残留溶媒を、十分に除去しておくことが好ましい。溶媒等の除去は、クライオポンプ等による真空乾燥、オーブン等による加熱乾燥で行うことができる。

［第１高屈折率層］
第１高屈折率層３１は、透明導電部材の導通領域３７、つまり銀薄膜３２が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層である。第１高屈折率層３１と後述の第２高屈折率層３３の膜厚を適宜調整することにより、高い透過率をもった透明導電部材を作製することが可能となる。

（形成方法）
第１高屈折率層３１は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、又は、塗布法により形成することができる。第１高屈折率層３１の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層３１は、電子ビーム蒸着法、又は、スパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。

第１高屈折率層３１は、少なくとも透明導電部材の導通領域３７に形成する。第１高屈折率層３１は、透明導電部材の非導通領域３８に形成してもよいが、導通領域３７及び非導通領域３８からなるパターンを視認され難くするため、図４に示すように導通領域３７のみに形成することが好ましい。

第１高屈折率層３１を導通領域３７にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して第１高屈折率層３１をパターン状に成膜する方法等でよい。また、透明基板１０の全面に層を形成し、これを公知のエッチング法によりパターニングする方法でもよい。第１高屈折率層３１をエッチングするタイミングは特に制限されず、透明基板１０上に第１高屈折率層３１、銀薄膜３２、第２高屈折率層３３等を積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

公知のエッチング法としては、フォトリソグラフィー法、レーザー照射法等が挙げられる。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸又は有機酸のいずれを含んでいてもよいが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、若しくは、リン酸、又は、これらの混合物であることがより好ましい。

一方、レーザー照射によりエッチングする場合、レーザーの種類は特に制限されず、例えば、Ａｒレーザー、半導体レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等のいずれを用いてもよい。これにより、精度よく第１高屈折率層３１等を透明基板１０上から除去することができ、非導通領域３８を精度よく形成することができる。

（組成）
第１高屈折率層３１は、透明導電部材の光の透過性を調整する観点から、上述の透明基板１０の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が少なくとも含まれる。透明基板１０が複数層からなる場合、第１高屈折率層３１に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、透明基板１０を構成するいずれの層より高い屈折率を有する材料とする。

第１高屈折率層３１に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１０の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第１高屈折率層３１に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層３１によって、銀薄膜３２を含む領域（導通領域３７）の光透過性が十分に調整される。

ここで、第１高屈折率層３１には、銀薄膜３２成膜時の金属の凝集を抑制し、薄くとも均一な厚みの銀薄膜３２を得るとの観点から、硫黄が含まれることが好ましい。硫黄は第１高屈折率層３１に、単体の状態で含まれてもよいが、金属硫化物の状態で含まれることが、安定性の観点から好ましく、中でも硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ_２Ｓ_３）等がターゲットの作りやすさの観点から好ましい。

第１高屈折率層３１に含まれる硫黄原子の量は、第１高屈折率層３１を構成する全原子の数に対して０．１〜５０ａｔ％であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０ａｔ％である。硫黄原子は銀薄膜３２に含まれる銀との親和性が高い。そのため、銀薄膜３２の成膜時に、銀が第１高屈折率層３１上に凝集しにくくなり、厚みが薄く均一な銀薄膜３２を得ることができる。つまり、吸収の少ない、光透過性の高い銀薄膜３２が作製される。また上述のとおり、硫黄原子は銀薄膜３２に含まれる銀との親和性が高いため、高湿度環境下での水分による銀の凝集や、銀の腐食を抑制できる。その結果、透明導電部材の耐湿性が高まる。一方、硫黄原子の量が過剰であると、第１高屈折率層３１の均一な成膜が難しくなり、透明性が低下する場合がある。

上記誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としての屈折率を満たし、かつ硫黄を含む材料としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）が挙げられる。このため、第１高屈折率層３１には、少なくともＺｎＳが含まれることが好ましい。第１高屈折率層３１には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳとＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料との混合物が含まれてもよい。

ＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としては、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＺＴＯ（亜鉛酸化物・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。第１高屈折率層３１には、これらの誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。ＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＧＺＯ、ＩＴＯであることが特に好ましい。

また、第１高屈折率層３１には、ＺｎＳや、ＺｎＳ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料の他に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２等が挙げられる。例えば、ＺｎＳと共に、ＳｉＯ_２が含まれると、第１高屈折率層３１が非晶質になりやすく、透明導電部材のフレキシブル性が高まりやすい。ただし、ＺｎＳや、ＺｎＳ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料由来の金属元素の量１００部（原子の数）に対して、屈折率が１．５未満の材料由来の金属元素の量（原子の数）が３０部以下となるように、屈折率が１．５未満の材料が添加されることが好ましく、より好ましくは２０部以下である。屈折率が１．５未満の材料の添加量が上記範囲であれば、第１高屈折率層３１自体の屈折率が十分に高く維持でき、光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層としての十分な役割を果たすことができる。

第１高屈折率層３１の屈折率は、第１高屈折率層３１に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層３１に含まれる材料の密度で調整される。第１高屈折率層の屈折率は、透明基板１０と同様に、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。

第１高屈折率層３１の厚みは、銀薄膜３２、第２高屈折率層３３、第３高屈折率層３６を含む領域における所望の反射率、及び所望の色度によって適宜選択されるが、通常３〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８０ｎｍである。第１高屈折率層３１の厚みが３ｎｍ以上であると、第１高屈折率層３１によって、銀薄膜３２を含む領域の反射率が十分に調整されやすい。一方、第１高屈折率層３１の厚みが、１５０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層３１が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第１高屈折率層３１の厚みは、エリプソメータ等で測定される。

［銀薄膜］
（形成方法）
銀薄膜３２は、透明導電部材において電気を導通させるための層である。銀薄膜３２の形成には、上述の方法で作製した、第１高屈折率層を有する透明基板、又は、上述の方法に限らず別に準備した第１高屈折率層を有する透明基板を用いてもよい。

銀薄膜３２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を用いて形成することができる。特に、真空蒸着法、又は、スパッタ法で形成することが好ましい。スパッタ法や真空蒸着法であれば、平面性の高い銀薄膜３２を形成することができる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等を用いることができる。これらの中でも、銀薄膜３２の平滑性が高まり、透明性と導電性が良好になるため、対向スパッタ法が好ましい。

また、銀薄膜３２を形成する際の銀薄膜形成面の表面温度は、−４０℃以上１０℃以下の範囲内とする。銀薄膜形成面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下の範囲内とするためには、上述の透明導電部材の製造装置で説明するように、成膜ローラや試料台に基板の冷却部を設けることが好ましい。銀薄膜３２を形成する際の形成面の表面温度は、銀薄膜の形成部、例えばスパッタ装置のチャンバを閉める前に接触式温度計等、例えばＴＮＡ−１１０（タスコジャパン社製）を用いて測定することができる。

銀薄膜３２は、透明導電部材の全面に形成されていてもよいが、透明導電部材に導通領域３７及び非導通領域３８を形成する場合には、銀薄膜３２を導通領域３７にのみ形成する。銀薄膜３２を導通領域３７にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で銀薄膜３２を形成する方法等を用いることができる。また、第１高屈折率層３１を覆うように透明基板１０上に全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法を用いることができる。エッチングの方法は、第１高屈折率層３１のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、透明基板１０上に第１高屈折率層３１、銀薄膜３２、第２高屈折率層３３等を積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

（組成）
銀薄膜３２は、銀又は銀を主成分とする層であることが導電性、透明性の観点から好ましい。具体的には、銀薄膜３２を構成する全原子に対して、銀が６０ａｔ％（原子％）以上含まれることが好ましい。また導電性の観点から銀が９０ａｔ％以上含まれることが寄り好ましく、さらに好ましくは９７ａｔ％以上である。

銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン、白金、チタン、クロム等でよい。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、銀薄膜の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。銀薄膜３２に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばＸＰＳ法等で特定される。

銀薄膜３２の厚みは好ましくは１５ｎｍ以下であり、より好ましくは３〜１２ｎｍであり、さらに好ましくは５〜１０ｎｍである。透明導電部材は、銀薄膜３２の厚みが１５ｎｍ以下であると、銀薄膜３２に金属本来の反射が生じ難い。さらに、銀薄膜３２の厚みが１５ｎｍ以下であると、第１高屈折率層３１、第２高屈折率層３３によって、透明導電部材の導通領域３７の光の透過性が良好になり、導通領域３７及び非導通領域３８の形状が視認される現象が抑制される。銀薄膜３２の厚みは、エリプソメータ等で測定される。

［第２高屈折率層］
第２高屈折率層３３は、透明導電部材において、銀薄膜３２を含む領域の表面の反射率を調整するための層であり、銀薄膜３２を外部の酸素、硫黄成分、水分等から保護するための層でもある。透明導電部材が第１高屈折率層３１、及び、第２高屈折率層３３を備えることにより、銀薄膜３２が形成されている領域の光の透過性が高まる。また、第２高屈折率層３３は、第２高屈折率層３３表面と銀薄膜３２との導通を取るための層でもある。

（形成方法）
第２高屈折率層３３は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、又は、塗布法で形成することができる。第２高屈折率層３３の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第２高屈折率層３３は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。

また、第２高屈折率層３３は、透明導電部材の全面に形成してもよく、透明導電部材に導通領域３７、及び、非導通領域３８を形成する場合、第２高屈折率層３３は、透明導電部材の導通領域３７に少なくとも形成する。第２高屈折率層３３を導通領域３７にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で第２高屈折率層３３を形成する方法等を用いることができる。また、銀薄膜３２を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法を用いることができる。エッチングの方法は、第１高屈折率層３１のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、透明基板１０上に第１高屈折率層３１、銀薄膜３２、第２高屈折率層３３等を積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

（組成）
第２高屈折率層３３には、上述の透明基板１０の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が少なくとも含まれる。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１０の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第２高屈折率層３３に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層３３によって、銀薄膜３２を有する領域の光の表面反射が十分に調整される。

一方で、第２高屈折率層３３には、透明導電部材の外部から第２高屈折率層３３の微小な隙間を通り侵入してくる酸素、水分が引き起こす銀薄膜３２中の金属の凝集、腐食を抑えるため硫黄が含まれることが好ましい。特に第１高屈折率層３１及び第２高屈折率層３３の両層に硫黄が含まれることで、銀薄膜３２が安定化し、耐凝集性や耐腐食の効果を発現し、透明導電部材の耐湿性が高くなる。硫黄は第２高屈折率層３３に、単体の状態で含まれてもよいが、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等、硫化物の状態で含まれることが、安定性等の観点からより好ましい。

第２高屈折率層３３に含まれる硫黄原子の量は、第２高屈折率を構成する全原子の数に対して０．１〜１０ａｔ％であり、好ましくは０．１〜５ａｔ％である。硫黄原子の量が０．１ａｔ％以上であると、透明導電部材の耐湿性が高まりやすい。一方で、硫黄原子の量が１０ａｔ％以下であると、第２高屈折率層３３表面と銀薄膜３２との導通、後述の第３高屈折率層３６表面と銀薄膜３２との導通が安定しやすくなる。

上記誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としての屈折率を満たし、かつ硫黄を含む材料としては硫化亜鉛（ＺｎＳ）が挙げられ、第２高屈折率層３３には、硫化亜鉛（ＺｎＳ）以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料と、硫化亜鉛（ＺｎＳ）とが含まれることが好ましい。ＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としては、第１高屈折率層３１に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料と同様でよい。特に、第２高屈折率層３３表面と銀薄膜３２との導通、第３高屈折率層３６表面と銀薄膜３２との導通の安定性の観点から、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、ＧＺＯ、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ等の導電性の高い酸化物半導体材料が好ましい。第２高屈折率層３３には、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

なお、第２高屈折率層３３には、ＺｎＳ及びＺｎＳ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料の他に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２等が挙げられる。ただし、屈折率が１．５未満の材料は、ＺｎＳや、ＺｎＳ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料由来の金属元素の量１００部（原子の数）に対して、屈折率が１．５未満の材料由来の金属元素の量が３０部以下となるように添加されることが好ましく、より好ましくは２０部以下である。屈折率が１．５未満の材料の添加量が上記範囲であれば、第２高屈折率層３３自体の屈折率を十分に維持できる。

第２高屈折率層３３の屈折率は、第２高屈折率層３３に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層３３に含まれる材料の密度で調整される。第２高屈折率層３３の屈折率も透明基板１０と同様に、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。

第３高屈折率層を形成する場合、第２高屈折率層３３の厚みは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、好ましくは３〜１５ｎｍであり、より好ましくは５〜１５ｎｍである。第２高屈折率層３３の厚みが２０ｎｍ以下であると、第２高屈折率層３３が含まれる領域の光透過性が低下し難い。一方で、第２高屈折率層の厚みが３ｎｍ以上であると、透明導電部材の耐湿性が高まりやすい。第２高屈折率層３３の厚みは、エリプソメータで測定される。
一方、第３高屈折率層を形成しない場合、第２高屈折率層３３の厚みは、３ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、好ましくは３〜８０ｎｍであり、より好ましくは５〜８０ｎｍである。

［第３高屈折率層］
第３高屈折率層３６は、透明導電部材において、第１高屈折率層３１や第２高屈折率層３３と共に、銀薄膜３２を含む領域の表面の反射率を調整するための層である。また、銀薄膜３２を外部の酸素、硫黄成分、水分等から保護するための層でもある。さらに、第３高屈折率層３６は、銀薄膜３２との導通を取るための層でもある。

（形成方法）
透明導電部材の製造方法においては、図５に示すように、第２高屈折率層３３上に第３高屈折率層３６を形成してもよい。

第３高屈折率層３６は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、又は、塗布法で形成することができる。第３高屈折率層３６の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第３高屈折率層３６は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。

第３高屈折率層３６は、透明導電部材の全面に形成された層でもよいが、透明導電部材に導通領域３７、及び、非導通領域３８を形成する場合、第３高屈折率層３６は、透明導電部材の導通領域３７に少なくとも形成する。透明導電部材が、第１高屈折率層３１、第２高屈折率層３３、及び、第３高屈折率層３６を備えることにより、銀薄膜３２が形成されている領域の光の透過性が高まる。

ここで、第３高屈折率層３６を導通領域３７にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で第３高屈折率層３６を形成する方法等でよい。また、第２高屈折率層３３を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法でもよい。エッチングの方法は、第１高屈折率層３１のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、透明基板１０上に第１高屈折率層３１、銀薄膜３２、第２高屈折率層３３、第３高屈折率層３６等を全て積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

（組成）
第３高屈折率層３６には、透明導電部材の光の透過性を調整する観点から、透明基板１０の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が少なくとも含まれる。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１０の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第３高屈折率層３６に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第３高屈折率層３６によって、銀薄膜３２を有する領域の光の表面反射が十分に調整される。

一方、第３高屈折率層３６には、銀薄膜３２との導通を取る観点から、導電性を有する金属酸化物も含まれる。導電性を有する金属酸化物とは、体積抵抗率が１×１０^−４Ω・ｃｍ以上１×１０²Ω・ｃｍ以下である金属酸化物であり、当該金属酸化物の導電性は好ましくは１×１０^−４Ω・ｃｍ以上１×１０^-1Ω・ｃｍ以下である。また、第３高屈折率層３６の体積抵抗率は、１×１０^−４Ω・ｃｍ以上１×１０²Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１×１０^−４Ω・ｃｍ以上１×１０^-1Ω・ｃｍ以下である。

第３高屈折率層３６の体積抵抗率は、第３高屈折率層３６をガラス上に単膜で作製し、膜厚をエリプソメータで測定し、表面電気抵抗値を、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定することで計算できる。第３高屈折率層３６の導電性は、第３高屈折率層３６に含まれる、導電性を有する金属酸化物の種類や量に応じて適宜調整される。

第３高屈折率層３６には、上記誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としての屈折率を満たし、かつ金属酸化物としての導電性も満たす化合物が含まれることが好ましく、このような化合物（金属酸化物）としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、ＺＴＯ（亜鉛酸化物・スズ酸化物）、ＺｎＯ、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＳｎＯ_２等が挙げられる。第３高屈折率層３６は、これらの化合物が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。また、第３高屈折率層３６には、上記化合物と共に、第３高屈折率層３６の導電性を損なわない範囲で、上記以外の誘電性材料や酸化物半導体材料がさらに含まれてもよい。

第３高屈折率層３６に含まれる、上記以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、第１高屈折率層３１に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料と同様である。第３高屈折率層３６には、これらの誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

また、第３高屈折率層３６には、上述の導電性を維持できる範囲で、上記導電性化合物や、それ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料の他に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２等が挙げられる。

第３高屈折率層３６の屈折率は、第３高屈折率層３６に含まれる材料の屈折率や、第３高屈折率層３６に含まれる材料の密度で調整される。第３高屈折率層３６の屈折率も透明基板と同様に、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求められる。

第３高屈折率層３６の厚みは、５〜１３０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８０ｎｍである。第３高屈折率層３６の厚みが５ｎｍ以上であると、透明導電部材の光の透過性が高く、耐湿性も高くなる。一方、第３高屈折率層３６の厚みが１３０ｎｍ以下であれば、相対的に第２高屈折率層３３の厚みを厚くすることができ、透明導電部材の耐湿性が高まりやすい。第３高屈折率層３６の厚みは、エリプソメータ等で測定される。

［硫化防止層］
透明導電部材において、第１高屈折率層３１、又は、第２高屈折率層３３が硫黄を含む材料により形成されている場合、含まれる硫黄によって銀薄膜３２が硫化されて変色する場合がある。この場合、透明導電部材の製造方法においては、図５に示すように、透明導電部材の第１高屈折率層３１と銀薄膜３２との間に第１硫化防止層３４を形成してもよい。また、銀薄膜３２と第２高屈折率層３３との間に第２硫化防止層３５を形成してもよい。第１硫化防止層３４及び第２硫化防止層３５は、いずれか一方のみを形成してもよく、両方を形成してもよい。透明導電部材に硫化防止層を形成することにより、銀薄膜３２の変色を抑制することができ、銀薄膜３２を含む領域が視認され難くなる。

（形成方法）
第１硫化防止層３４、及び、第２硫化防止層３５は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成することができる。
第１硫化防止層３４、及び、第２硫化防止層３５を導通領域３７にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で硫化防止層を形成する方法等が挙げられる。また、第１高屈折率層３１や銀薄膜３２等を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法も適用できる。エッチングの方法は、第１高屈折率層３１のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、第１高屈折率層３１、銀薄膜３２、第２高屈折率層３３等と共にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

（組成）
第１硫化防止層３４、及び、第２硫化防止層３５は、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、又は、亜鉛（Ｚｎ）を含む層でよい。第１硫化防止層３４、及び、第２硫化防止層３５にはこれらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。金属酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＷＯ_３、等が含まれる。金属フッ化物の例には、ＬａＦ_３、ＢａＦ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３等が含まれる。金属窒化物の例には、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等が含まれる。また、硫化防止層は、Ｚｎのみからなる層でもよい。

ここで、第１硫化防止層３４、及び、第２硫化防止層３５は、導通領域３７の表面の反射率に影響なく、また、上述の第１屈折率層に含まれる硫黄と銀薄膜の相互作用を妨げない厚みであることが好ましく０．１ｎｍ以上５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。

［透明導電部材の物性］
上述の各実施形態の透明導電部材、及び、上述の製造方法で作製される透明導電部材は、以下を満たすことが好ましい。
透明導電部材の全光線透過率は、８０％以上であることが好ましく、例えば透明導電部材が導通領域（透明基板、第１高屈折率層、銀薄膜、及び、第２高屈折率層を少なくとも含む領域）と、非導通領域（透明基板のみを含む領域）とを含む場合には、いずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上である。全光線透過率が８０％以上であると、透明導電部材を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。上記全光線透過率はヘイズメーター等で測定される。

一方、透明導電部材の波長４００ｎｍ〜７４０ｎｍの平均吸収率が６．０％以下であることが好ましい。また、透明導電部材が、導通領域及び非導通領域を含む場合には、いずれの領域においても６．０％以下であることが好ましい。

一方、透明導電部材の波長４００〜７４０ｎｍの光の平均反射率は、導通領域および非導通領域のいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。導通領域および非導通領域を含む場合には、これらのいずれの領域においても、平均吸収率や平均反射率を満たすことが好ましい。

透明導電部材の平均吸収率および平均反射率が低いほど、上述の平均透過率が高まる。透明導電部材の平均透過率および平均反射率は、透明導電部材の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光測色計で測定することができる。平均吸収率は、１００−（平均透過率＋平均反射率）の計算式によって算出することができる。

透明導電部材の導電層を含む領域、つまり導通領域の表面電気抵抗は、５０Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／ｓｑ．以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／ｓｑ．以下である透明導電部材は、静電容量方式のタッチパネル等に適用できる。導通領域の表面電気抵抗値は、導電層の厚み等によって調整される。導通領域の表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。

［透明導電部材の用途］
上述の透明導電部材の製造方法で作製される透明導電部材は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッション等各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子等様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。特に、上述の製造方法で作製される透明導電部材は、透明導電部材表面（第３高屈折率層表面）と銀薄膜との間で導通が取りやすく安定している。従って、タッチパネルに好適である。
なお、透明導電部材の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。

また、実施例で使用する材料の組成比を以下に示す。
・ＧＺＯ； ＺｎＯ：Ｇａ_２Ｏ_３＝９４．３：５．７（質量％比）
・ＩＴＯ； Ｉｎ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２＝９０：１０（質量％比）
・ＳＧＺＯ； Ｏ：Ｓ：Ｚｎ：Ｇａ＝４８．４：０．８：４５．２：５．６（ａｔ％比）
・ＺＳＳＯ； Ｏ：Ｚｎ：Ｉｎ：Ｇａ：Ｓ：Ｓｉ＝３５：３３：５：９：１７：１（ａｔ％比）（三菱マテリアル社製ＺＳＳＯ）
・ＡＰＣ−ＴＲ； Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９８．０７：０．８７：１．０６（ａｔ％比）（フルヤ金属社製ＡＰＣ−ＴＲ）

また、各層の厚さは成膜時間を調整することで調節した。以下の実施例に用いた第１高屈折率層、第２高屈折率層、第３高屈折率層の各層の屈折率を測定したところ、屈折率はすべて１．８以上であり、透明基板（ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム）の屈折率１．５９より高い屈折率を有する材料であった。
各層の厚さ及び屈折率は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメータで測定した。

〈試料１０１の透明導電部材の作製〉
透明基板として、株式会社きもと製のクリアハードコート付きポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ／ＣＨＣ）フィルム（Ｇ１ＳＢＦ、厚さ１２５μｍ、屈折率１．５９、以下ＣＨＣ-ＰＥＴフィルムと称する）を準備した。そして、この透明基板上に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／銀薄膜（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。

［第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）］
透明基板（ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層の厚さが４０ｎｍとなるようにＺｎＳＳｉＯ_２をＲＦ（交流）スパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ターゲットであるＺｎＳＳｉＯ_２は、ＺｎＳにＳｉＯ_２を混合し、焼結させることで作製した。

［第１硫化防止層（ＧＺＯ）］
第１高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層の厚さが１．０ｎｍとなるようにＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

［銀薄膜（Ａｇ）］
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓで銀（以下、Ａｇと表記する。）を層の厚さが４．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。また、銀薄膜（Ａｇ）を形成する際の形成面の表面温度は、室温とした。

［第２高屈折率層（ＧＺＯ）］
銀薄膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層の厚さが４０ｎｍとなるようにＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

〈試料１０２〜１０６の透明導電部材の作製〉
上述の試料１０１の透明導電部材の作製において、銀薄膜（Ａｇ）を形成する際の形成面の表面温度を下記表１に示すように、１０℃、０℃、−１０℃、−２０℃、及び、−４０℃とした以外は、試料１０１と同様の方法で試料１０２〜１０６の透明導電部材を作製した。なお、基板冷却はアネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置に基板冷却機構を取り付け行った。また、銀薄膜を形成する面の表面温度は、スパッタ前に接触式温度計ＴＮＡ−１１０（タスコジャパン社製）を用いて測定した。

〈試料１０７〜１１２の透明導電部材の作製〉
上述の試料１０１の透明導電部材の作製において、銀薄膜（Ａｇ）を形成する際の形成面の表面温度を下記表１に示すように、室温、１０℃、０℃、−１０℃、−２０℃、及び、−４０℃とし、銀薄膜（Ａｇ）の厚さを７．０ｎｍで作製した以外は、試料１０１と同様の方法で試料１０７〜１１２の透明導電部材を作製した。

〈試料１１３〜１１８の透明導電部材の作製〉
上述の試料１０１の透明導電部材の作製において、銀薄膜（Ａｇ）を形成する際の形成面の表面温度を下記表１に示すように、室温、１０℃、０℃、−１０℃、−２０℃、及び、−４０℃とし、銀薄膜（Ａｇ）の厚さを９．０ｎｍで作製した以外は、試料１０１と同様の方法で試料１１３〜１１８の透明導電部材を作製した。

〈試料１１９の透明導電部材の作製〉
透明基板として、株式会社きもと製のクリアハードコート付きポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ／ＣＨＣ）フィルムを準備した。そして、この透明基板上に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。

［第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）、第１硫化防止層（ＧＺＯ）］
第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）及び第１硫化防止層（ＧＺＯ）の作製は、上述の試料１０１の透明導電部材と同様の方法で行なった。

［銀薄膜（ＡＰＣ）］
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでフルヤ金属社製のＡＰＣ−ＴＲを層の厚さが５．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。また、銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）を形成する際の形成面の表面温度は、室温とした。

［第２高屈折率層（ＩＴＯ）］
銀薄膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層の厚さが４０ｎｍとなるようにＩＴＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

〈試料１２０、試料１２１の透明導電部材の作製〉
上述の試料１１９の透明導電部材の作製において、銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）を形成する際の形成面の表面温度を下記表１に示すように、０℃、及び、−３０℃とした以外は、試料１１９と同様の方法で試料１２０、試料１２１の透明導電部材を作製した。

〈試料１２２〜１２４の透明導電部材の作製〉
上述の試料１１９の透明導電部材の作製において、銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）を形成する際の形成面の表面温度を下記表１に示すように、室温、０℃、及び、−３０℃とし、銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）の厚さを８．０ｎｍで作製した以外は、試料１１９と同様の方法で試料１２２〜１２４の透明導電部材を作製した。

〈試料１２５の透明導電部材の作製〉
透明基板として、株式会社きもと製のクリアハードコート付きポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ／ＣＨＣ）フィルムを準備した。そして、この透明基板上に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。

［第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）］
第２硫化防止層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層の厚さが１０ｎｍとなるようにＺＳＳＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

［第１硫化防止層（ＧＺＯ）］
硫化防止層（ＧＺＯ）の作製は、上述の試料１０１の透明導電部材と同様の方法で行なった。

［銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）］
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでフルヤ金属社製のＡＰＣ−ＴＲを層の厚さが６．５ｎｍとなるようにＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。また、銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）を形成する際の形成面の表面温度は、室温とした。

［第２硫化防止層（ＧＺＯ）］
銀薄膜上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層の厚さが３．０ｎｍとなるようにＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

［第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）］
第２硫化防止層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層の厚さが１０ｎｍとなるようにＳＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

［第３高屈折率層（ＩＴＯ）］
第２高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０３ｎｍ／秒で、層の厚さが３０ｎｍとなるようにＩＴＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

〈試料１２６、試料１２７の透明導電部材の作製〉
上述の試料１２５の透明導電部材の作製において、銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）を形成する際の形成面の表面温度を下記表１に示すように、０℃、及び、−２０℃とした以外は、試料１２５と同様の方法で試料１２６、試料１２７の透明導電部材を作製した。

〈試料１２８〜１３０の透明導電部材の作製〉
上述の試料１２５の透明導電部材の作製において、銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）を形成する際の形成面の表面温度を下記表１に示すように、室温、０℃、及び、−２０℃とし、銀薄膜（ＡＰＣ−ＴＲ）の厚さを８．５ｎｍで作製した以外は、試料１２５と同様の方法で試料１２８〜１３０の透明導電部材を作製した。

〈評価〉
［吸収率］
透明導電部材の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光（例えば、波長４００ｎｍ〜７４０ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００にて、平均光透過率と平均反射率とを測定した。そして、［１００−（平均透過率＋平均反射率）］の計算式によって波長４００ｎｍ〜７４０ｎｍの平均吸収率を求め、これを各試料の透明導電部材の吸収率（％）とした。

［抵抗］
各透明導電部材の第２高屈折率層側表面、又は、第３高屈折率層側表面に、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計「ロレスタＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０」を接触させてシート抵抗値（Ω／ｓｑ．）を測定し、これを各試料の透明導電部材の抵抗値（Ω／ｓｑ．）とした。

下記表１に、試料１０１〜１３０の透明導電部材の各構成、及び、評価結果を示す。

表１に示すように、銀薄膜の形成の際の形成面の表面温度を１０℃以下とした試料は、銀薄膜の形成の際の形成面の表面温度を室温とした試料に比べ、吸収率が小さく、抵抗値も小さい結果が得られた。この結果から、銀薄膜の形成の際の形成面の表面温度を１０℃以下とすることにより、透明導電部材の光透過性の向上、及び、抵抗値の低下という効果が得られ、透明導電部材の特性が向上した。
また、銀薄膜の形成の際の形成面の表面温度が低いほど、上記の透明導電部材の特性が向上している。従って、銀薄膜形成面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下とした状態で銀薄膜層を形成することにより、銀の粒塊、凝集物の成長を抑制でき、銀薄膜層の吸収の増大を抑制できる。

なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。

１０ 透明基板、１１，１２，１３，１４，１５，１６ 搬送ローラ、２０ 第１高屈折率層形成部、２１，２３，２５ 成膜ローラ、２２ 銀薄膜形成部、２４ 第２高屈折率層形成部、２６ 送り出しローラ、２７ 試料台、２８ 冷却ホース、３１ 第１高屈折率層、３２ 銀薄膜、３３ 第２高屈折率層、３４ 第１硫化防止層、３５ 第２硫化防止層、３６ 第３高屈折率層、３７ 導通領域、３８ 非導通領域

Claims (10)

1. 透明基板上に、第１高屈折率層、銀薄膜層、及び、第２高屈折率層をこの順に備える透明導電部材を製造する装置であって、
   透明基板上に形成された前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電体材料及び酸化物半導体材料から選ばれる１種以上の材料からなる第１高屈折率層上に、銀薄膜を形成する、銀薄膜形成部と、
   前記銀薄膜上に、前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電体材料及び酸化物半導体材料から選ばれる１種以上の材料からなる第２高屈折率層を形成する、第２高屈折率層形成部と、を有し、
   前記銀薄膜形成部に前記銀薄膜を形成する面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下に冷却する透明基板の冷却部を有する
   透明導電部材の製造装置。
2. 前記第２高屈折率層上に第３高屈折率層を形成する第３高屈折率層形成部を有する請求項１に記載の透明導電部材の製造装置。
3. 前記銀薄膜形成部の前工程、及び、後工程の少なくともいずれか一方に、硫化防止層を形成する硫化防止層形成部を有する請求項１に記載の透明導電部材の製造装置。
4. 前記透明基板上に前記第１高屈折率層を形成する第１高屈折率層形成部を有する請求項１に記載の透明導電部材の製造装置。
5. 透明基板上に設けられた前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電体材料及び酸化物半導体材料からなる第１高屈折率層上に、銀薄膜を形成する面の表面温度を−４０℃以上１０℃以下に冷却した状態で銀薄膜を形成する工程と、
   前記銀薄膜上に、前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い、誘電体材料及び酸化物半導体材料から選ばれる１種以上の材料を用いて第２高屈折率層を形成する工程と、を有する
   透明導電部材の製造方法。
6. 前記透明基板上に、前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電体材料及び酸化物半導体材料から選ばれる１種以上の材料を用いて前記第１高屈折率層を形成する工程を有する請求項５に記載の透明導電部材の製造方法。
7. 前記第２高屈折率層上に第３高屈折率層を形成する工程を有する請求項５に記載の透明導電部材の製造方法。
8. 前記銀薄膜を４ｎｍ以上９ｎｍ以下の厚さに形成する請求項５に記載の透明導電部材の製造方法。
9. 前記第１高屈折率層、及び、前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方を、硫黄（Ｓ）を含む材料で形成する請求項６に記載の透明導電部材の製造方法。
10. 前記第１高屈折率層と前記銀薄膜との間、及び、前記銀薄膜と前記第２高屈折率層との間の少なくともいずれか一方に、硫化防止層を形成する請求項９に記載の透明導電部材の製造方法。

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