WO2016052158A1 - 透明導電体及びこれを含むタッチパネル - Google Patents

Abstract

　本発明は、導通領域及び非導通領域のパターンを形成したときに、これらが視認され難い透明導電体を提供することを課題とする。　当該課題を解決するため、透明基板と、第一高屈折率層と、銀または銀を含む合金からなる透明金属層と、第二高屈折率層と、をこの順に含む透明導電体とする。またこのとき、透明基板の特定波長の光の平均反射率と、前記透明導電体の前記第二高屈折率層側表面の特定波長の光の平均反射率と、の差を１．５％以下とし、さらに透明基板のＬ^＊値、ａ^＊値、及びｂ^＊値をそれぞれＬ１^＊、ａ１^＊、及びｂ１^＊とする。また、透明導電体の前記第二高屈折率層側表面のＬ^＊値、ａ^＊値、及びｂ^＊値をそれぞれＬ２^＊、ａ２^＊、及びｂ２^＊とした場合に、下記ΔＥ^＊ａｂを２．５以下とする。 ΔＥ^＊ａｂ＝（（Ｌ１^＊－Ｌ２^＊）^２＋（ａ１^＊－ａ２^＊）^２＋（ｂ１^＊－ｂ２^＊）^２）^１／２

Description

透明導電体及びこれを含むタッチパネル

　本発明は、透明金属層を含む透明導電体、及びこれを含むタッチパネルに関する。

　近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置の電極材料、無機及び有機ＥＬ素子の電極材料、タッチパネル材料、太陽電池材料等の各種装置に透明導電体が使用されている。

　このような透明導電体の透明金属層を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ_２Ｏ_３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ_２Ｏ_４、Ｃｄ_２ＳｎＯ_４、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物半導体が知られている。

　一方、透明な金属層と、比較的高い屈折率を有する透明薄膜とを交互に積層した高反射率のディスプレイ用フィルターが提案されている（例えば特許文献１）。近年、このような積層体を、タッチパネル用の配線に適用することが検討されている。

特開２０００－１５８５７８号公報

　特許文献１に記載されているような、透明金属層を含む積層体を、タッチパネルに適用するためには、透明金属層の一部をパターニングする必要がある。しかし、従来の透明導電体では、透明金属層をパターニングすると、透明金属層を含む領域と、透明金属層を含まない領域との光学特性の差が大きい。そのため、透明導電膜の光の反射率が小さくても、透明金属層のパターンが見えてしまうとの現象が問題になっていた。

　本発明はこのような状況に鑑みてなされたものである。本発明は、透明金属層をパターニングした場合に、骨見えが生じ難い透明導電体を提供することを目的とする。

　本発明者は鋭意研究を行った結果、透明金属層を含まない非導通領域と、透明金属層を含む導通領域との反射率差、及び色差を制御することで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

　すなわち、本発明の第一は、以下の透明導電体に関する。
　［１］透明基板と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、銀または銀を含む合金からなる透明金属層と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む透明導電体であって、前記透明基板の波長５２０～５５０ｎｍの光の平均反射率と、前記透明導電体の前記第二高屈折率層側表面の波長５２０～５５０ｎｍの光の平均反射率と、の差が１．５％以下であり、かつ前記透明基板のＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるＬ^＊値、ａ^＊値、及びｂ^＊値をそれぞれＬ１^＊、ａ１^＊、及びｂ１^＊とし、前記透明導電体の前記第二高屈折率層側表面のＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるＬ^＊値、ａ^＊値、及びｂ^＊値をそれぞれＬ２^＊、ａ２^＊、及びｂ２^＊とした場合に、下記一般式で求められるΔＥ^＊ａｂが２．５以下である、透明導電体。
　ΔＥ^＊ａｂ＝（（Ｌ１^＊－Ｌ２^＊）^２＋（ａ１^＊－ａ２^＊）^２＋（ｂ１^＊－ｂ２^＊）^２）^１／２

　［２］前記透明基板、前記第一高屈折率層、透明金属層、及び前記第二高屈折率層を少なくとも含む領域の全光線透過率が８５％以上である、［１］に記載の透明導電体。
　［３］前記第一高屈折率層と前記透明金属層との間、及び前記透明金属層と前記第二高屈折率層との間のうち、少なくとも一方に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、またはＺｎを含み、かつ厚みが３ｎｍ未満である、中間層を有する［１］または［２］に記載の透明導電体。

　［４］前記第一高屈折率層、透明金属層、及び前記第二高屈折率層がパターニングされており、前記透明導電体が、前記透明基板のみを含む非導通領域と、前記第一高屈折率層、透明金属層、及び前記第二高屈折率層を少なくとも含む導通領域と、を有する、［１］～［３］のいずれかに記載の透明導電体。

　本発明の第二は、以下のタッチパネルに関する。
　［５］前記［１］～［４］のいずれかに記載の透明導電体を含む、タッチパネル。

　本発明によれば、導通領域及び非導通領域を形成した際に、パターンが視認され難く、種々のタッチパネルに適用可能な透明導電体が得られる。

本発明の透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図である。 本発明の透明導電体の層構成の他の例を示す概略断面図である。 本発明の透明導電体の導通領域及び非導通領域からなるパターンの一例を示す模式図である。

　本発明の透明導電体の層構成の例を図１に示す。本発明の透明導電体１００には、透明基板１／第一高屈折率層２／透明金属層３／第二高屈折率層４が少なくとも含まれる。本発明の透明導電体１００には、透明基板１、第一高屈折率層２、透明金属層３、及び第二高屈折率層４以外の層が含まれてもよい。例えば第一高屈折率層２や第二高屈折率層４に硫黄が含まれる場合には、このような第一高屈折率層２や第二高屈折率層４と透明金属層３とが接触すると、透明金属層３中の銀が硫化されて透明金属層３が変色し、透明金属層３の透明性が低下することがある。そこで、第一高屈折率層２と透明金属層３との間、または透明金属層３と第二高屈折率層４との間に中間層等が含まれてもよい。ここで、透明導電体１００は、例えば図１に示されるように、透明基板１の一方の面を全て覆うように形成されていてもよいが、例えば図２に示されるように、第一高屈折率層２、透明金属層３、及び第二高屈折率層４がパターン状に形成（パターニング）されていてもよい。

　本発明の透明導電体を、タッチパネル等に適用する場合には、通常、透明金属層等がパターニングされた状態で用いられる。具体的には、透明基板１、第一高屈折率層２、透明金属層３、及び第二高屈折率層４が少なくとも含まれる導通領域ａと、透明基板１のみが含まれる非導通領域ｂとを有する透明導電体１００がタッチパネル等に用いられる。

　前述のように、従来公知の透明導電体では、透明金属層が含まれる導通領域と、透明金属層が含まれない非導通領域とを形成すると、これらの領域の光学特性が大きく異なるため、透明金属層のパターンが、骨のように視認されるとの課題があった。

　これに対し、本発明の透明導電体１００では、透明導電体１００の第二高屈折率層４側表面の波長５２０～５５０ｎｍの光の平均反射率と、透明基板１の表面の波長５２０～５５０ｎｍの光の平均反射率との差が１．５％以下に抑制されている。そのため、透明導電体１００を観察した際に導通領域ａと非導通領域ｂとの反射率に差が少なく、骨見えし難い。上記反射率差は、より好ましくは１．０％以下である。なお、上記平均反射率の差は、透明導電体１００の第二高屈折率層４側表面の平均反射率と、透明基板１の表面の平均反射率との差の絶対値である。ここで、透明基板１の表面の光の反射率とは、透明基板１のみとしたときの、透明基板１の表面の反射率とする。当該反射率は、透明導電体１００から第一高屈折率層２や、透明金属層３、第二高屈折率層４等を除去した透明基板１について測定される値であってもよく、透明基板１と同一の基板を準備し、当該基板について測定される値であってもよい。一方、透明導電体１００の第二高屈折率層４側表面の反射率とは、透明基板１、第一高屈折率層２、透明金属層３、及び第二高屈折率層４を少なくとも含む領域の表面の反射率とする。例えば、透明導電体１００の表面に第二高屈折率層４が露出している場合には、第二高屈折率層４表面の反射率であり、第二高屈折率層４上に他の層が積層されている場合には、当該層表面の反射率である。上記平均反射率は、分光測色計にて測定される値であり、分光測色計の例には、コニカミノルタ株式会社製ＣＭ－５等が挙げられる。

　上記透明基板１の光の反射率は、その種類や厚み等によって調整される。一方、透明導電体１００の第二高屈折率層４側表面の光の反射率は、第一高屈折率層２や第二高屈折率層４に含まれる材料の選択や、第一高屈折率層２、透明金属層３、第二高屈折率層４の厚み比等により調整される。具体的には、薄膜計算ソフト（Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ　Ｍａｃｌｅｏｄ）を用いたシミュレーションで、前述の反射率差が小さくなるよう、第一高屈折率層２や透明金属層３、第二高屈折率層４等の材料や厚みを決定する。

　また本発明では、透明基板１のＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるＬ^＊値、ａ^＊値、及びｂ^＊値をそれぞれＬ１^＊、ａ１^＊、及びｂ１^＊とし、透明導電体１００の第二高屈折率層４側表面のＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるＬ^＊値、ａ^＊値、及びｂ^＊値をそれぞれＬ２^＊、ａ２^＊、及びｂ２^＊とした場合に、後述の式で求められる色差ΔＥ^＊ａｂが２．５以下であり、好ましくは２．０以下である。一般的な透明導電体をタッチパネルに用いた場合、表示装置のバックライトを点灯すると、導通領域ａと非導通領域ｂとの色の差が目立ちやすい。これに対し、本発明のように、上記色差ΔＥ^＊ａｂが２．５以下であると、バックライトを点灯しても、導通領域ａ及び非導通領域ｂにおける色味の差が少ないため、骨見えし難い。

　ここで「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が策定したＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系の値であり、「Ｌ^＊値」は「明度指数」と呼ばれ、明度を示すものである。一方、「ａ^＊値」および「ｂ^＊値」は、「クロマティクネス指数」と呼ばれ、色相と彩度に相当する位置を示すものである。前記色相と彩度については、「ａ^＊値」が負であれば緑色系の色となり、「ａ^＊値」が正であれば赤色系の色となる。また、「ｂ^＊値」が負であれば青色系の色となり、「ｂ^＊値」が正であれば黄色系の色となる。

　透明基板１の「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」は、透明導電体１００から第一高屈折率層２、透明金属層３、及び第二高屈折率層４を除去した透明基板１について測定される値であってもよく、透明基板１と同一の基板を準備し、当該基板について測定される値であってもよい。一方、透明導電体１００の第二高屈折率層４側表面の「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」とは、透明基板１、第一高屈折率層２、透明金属層３、及び第二高屈折率層４を少なくとも含む領域の透明導電体１００表面の「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」とする。例えば、透明導電体１００の表面に第二高屈折率層４が露出している場合には、第二高屈折率層４表面の「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」であり、第二高屈折率層４上に他の層が積層されている場合には、当該層表面の「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」である。

　上記「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」は、具体的には分光測色計で測定され、ΔＥ^＊ａｂは、以下の式で算出される。
　ΔＥ^＊ａｂ＝（（Ｌ１^＊－Ｌ２^＊）^２＋（ａ１^＊－ａ２^＊）^２＋（ｂ１^＊－ｂ２^＊）^２）^１／２

　透明基板１表面の「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」は、透明基板１の種類等により調整される。一方、透明導電体１００の表面の「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」は、第一高屈折率層２や第二高屈折率層４に含まれる材料の選択や、第一高屈折率層２、透明金属層３、第二高屈折率層４の厚み比等により調整される。具体的には、薄膜計算ソフト（Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ　Ｍａｃｌｅｏｄ）を用いたシミュレーションにより、それぞれ「Ｌ^＊値」、「ａ^＊値」、及び「ｂ^＊値」を算出し、ΔＥ^＊ａｂが小さくなるよう、第一高屈折率層２や第二高屈折率層４の材料や厚み等を決定する。

　上記反射率差及びΔＥ^＊ａｂが達成される透明導電体の一例として、第一高屈折率層（ＺｎＳ－ＳｉＯ_２）の厚みを３ｎｍ～１２ｎｍ、透明金属層（ＡｇまたはＡｇ合金層）の厚みを４～７ｎｍ、かつ第二高屈折率層（ＧＺＯ層）の厚みを８ｎｍ～１８ｎｍとした態様が挙げられる。ただし、本発明の透明導電体は当該態様に限定されるものではない。

　ここで、透明導電体１００に導通領域ａ及び非導通領域ｂを形成する場合、そのパターンは、透明導電体１００の用途に応じて、適宜選択される。例えば透明導電体１００が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図３に示されるような、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の非導通領域ｂとを含むパターン等でありうる。非導通領域ｂのラインの幅は５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以下である。

　（１）透明基板
　透明導電体１００に含まれる透明基板１は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。透明基板１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト（三菱レイヨン社製）」、「スミペックス（住友化学社製）」）、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。

　透明性の観点から、透明基板１はガラス基板、もしくはセルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、またはスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。

　また、透明基板１は、１層のみからなるものであってもよいが、ベースとなる基材上に、ハードコート層や平滑層が積層されたものであってもよい。透明基板１にハードコート層や平滑層が含まれると、透明基板１上に成膜される各層の平滑性が高まりやすく、特に透明金属層３が平滑になりやすい。さらに、透明基板１から、第一高屈折率層２側に不純物が析出し難くなり、さらに透明導電体１００の擦り傷耐性が高まる。ハードコート層や平滑層は、公知の樹脂からなる層でありうる。

　透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく；全光線透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１の全光線透過率が７０％以上であると、透明導電体１００の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１の波長３６０～７４０ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。

　上記全光線透過率は、ヘイズメーターを用いて測定される値である。一方、光の吸収率の値は、分光測色計にて測定される３６０ｎｍ～７４０ｎｍの光の透過率、反射率をそれぞれ平均して平均透過率、平均反射率を算出する。そして、平均吸収率＝１００－平均透過率－平均反射率から導かれる。

　また、透明基板１の波長５２０～５５０ｎｍの光の平均反射率は、１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１２％以下である。

　また、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０～１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５～１．７５であり、さらに好ましくは１．４５～１．７０である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板１の屈折率は、エリプソメーターで測定される。

　透明基板１のヘイズ値は０．０１～２．５であることが好ましく、より好ましくは０．１～１．２である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体１００のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。

　透明基板１の厚みは、１μｍ～２ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０μｍ～２ｍｍである。透明基板の厚みが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第一高屈折率層２の作製時に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明基板１の厚みが２ｍｍ以下であれば、透明導電体１００のフレキシブル性が十分となる。さらに透明導電体１００を用いた機器の厚みを薄くできる。また、透明導電体１００を用いた機器を軽量化することもできる。

　（２）第一高屈折率層
　第一高屈折率層２は、透明導電体１００において、透明金属層３を含む領域の表面の反射率を調整するための層である。第一高屈折率層２は、透明基板１の全面に形成された層でもありうる。ただし、透明導電体１００に導通領域ａ及び非導通領域ｂを形成する場合、第一高屈折率層２は、透明導電体１００の導通領域ａに少なくとも形成される。一般的に透明金属層３の反射率は、透明基板１の反射率より高いが、透明金属層３が第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４に挟み込まれると、表面反射が抑制される。つまり、導通領域ａ及び非導通領域ｂを形成した場合に、これらの領域の反射率が近くなる。

　第一高屈折率層２には、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。透明基板１が複数層からなる場合、誘電性材料または酸化物半導体材料は、透明基板１を構成するいずれの層より高い屈折率を有する材料とする。ここで、第一高屈折率層２は、当該誘電性材料または酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層であってもよく、樹脂バインダを含まない層であってもよい。

　第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１～１．１大きいことが好ましく、０．４～１．０大きいことがより好ましい。一方、第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７～２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８～２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第一高屈折率層２によって、透明金属層３を含む領域（導通領域ａ）の表面の反射率が十分に調整される。

　第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料の例にはＴｉＯ_２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、Ｇａ_２Ｏ_３等が含まれる。第一高屈折率層２には、誘電性材料または酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、特に好ましくは、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＧＺＯ、ＩＴＯである。

　なお、第一高屈折率層２には、上記の屈折率が高い誘電性材料や酸化物半導体材料以外に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２等が挙げられる。例えば、ＺｎＳと共に、ＳｉＯ_２が含まれると、第一高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電体１００のフレキシブル性が高まりやすい。ただし、屈折率が１．５未満の材料は、屈折率が高い誘電性材料や酸化物半導体材料１００部（原子の数）に対して３０部（原子の数）以下であることが好ましく、より好ましくは２０部（原子の数）以下である。

　ここで、第一高屈折率層２が、樹脂バインダを含まない層である場合、第一高屈折率層２の屈折率は、第一高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第一高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。

　第一高屈折率層２が樹脂バインダを含まない層である場合、当該第一高屈折率層２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、または塗布で成膜された層でありうる。第一高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第一高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。

　一方、第一高屈折率層２が、誘電性材料または酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層である場合、第一高屈折率層２の屈折率は、第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率や、第一高屈折率層２中の誘電性材料または酸化物半導体材料の密度で調整される。このとき、第一高屈折率層２の総量に対して、誘電性材料または酸化物半導体材料は１０～５０質量％含まれることが好ましく、より好ましくは３０～５０質量％である。誘電性材料または酸化物半導体材料の量が上記範囲であると、第一高屈折率層２の屈折率が高まりやすく、第一高屈折率層によって、導通領域ａの表面の反射率が所望の範囲に調整されやすくなる。

　第一高屈折率層に含まれる樹脂バインダとしては、光透過性が高い樹脂であれば特に制限されず、熱可塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂のいずれでもありうる。これらの樹脂は、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等でありうる。

　第一高屈折率層２が、誘電性材料または酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層である場合、当該第一高屈折率層２は、樹脂成分（前述の樹脂またはその前駆体）と、誘電性材料または酸化物半導体材料と、必要に応じて重合開始剤や溶媒等を含む樹脂組成物を透明基板上に塗布し；当該樹脂組成物を固化、または硬化させることにより、得られる。

　当該樹脂組成物に含まれる重合開始剤は、樹脂の種類に応じて適宜選択され、一般的な光重合開始剤、熱重合開始剤等でありうる。光重合性の樹脂成分と共に用いられる光重合開始剤としては、一般的な重合開始剤としては、例えばアセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、チオキサントン系、アルキルフェノン系等が挙げられる。また、熱重合性の樹脂成分と共に用いられる熱重合開始剤としては、有機過酸化物やカチオン重合開始剤等が挙げられる。また、当該樹脂組成物に含まれる溶媒は、樹脂バインダ等の種類に応じて適宜選択され、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、アミド系溶媒、炭化水素系溶媒等、各種有機溶媒でありうる。

　また、樹脂組成物の塗布方法は特に制限されず、例えばバーコーター法、ロールコーター法、カーテンフロー法、スプレー法、グラビアコート法、ダイコート法、コンマコート法、ディップコート法、スピンコート法等、公知の方法でありうる。また、樹脂組成物を固化、もしくは硬化させる方法は、樹脂バインダの種類等に応じて適宜選択される。例えば樹脂バインダが熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂である場合、加熱により溶媒を除去し、樹脂組成物を固化または硬化させる方法でありうる。一方、樹脂バインダが紫外線硬化型樹脂である場合、樹脂組成物に紫外線を照射することで、樹脂組成物を硬化させる方法でありうる。紫外線硬化時の光源としては、例えば超高圧、高圧、低圧水銀灯、ケミカルランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプ、マーキュリーハロゲンランプ、カーボンアーク灯、白熱灯、レーザー光等でありうる。照射時間は、ランプの種類、光源の強さによって適宜選択されるが、数秒～数分程度である。また紫外線照射と併せて、溶媒の除去や硬化促進のために、紫外線照射前に加熱してもよい。

　ここで、第一高屈折率層２を導通領域ａにのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法や塗布法で第一高屈折率層２をパターン状に成膜する方法等でありうる。また透明基板１の全面に層を形成し、これを公知のエッチング法によりパターニングする方法でもありうる。このとき、第一高屈折率層２をエッチングするタイミングは特に制限されず、透明基板１上に第一高屈折率層２、透明金属層３、第二高屈折率層４等を積層してから、これらの層を一時にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

　公知のエッチング法としては、フォトリソグラフィー法、レーザー照射法等が挙げられる。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸または有機酸のいずれでもありうるが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、またはリン酸、またはこれらの混合物であることがより好ましい。

　一方、レーザー照射によりエッチングする場合、レーザーの種類は特に制限されず、例えば、Ａｒレーザー、半導体レーザー、Ｈｅ－Ｎｅレーザー、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等のいずれでもありうる。これにより、精度よく第一高屈折率層等を透明基板１上から除去することができ、非導通領域ｂを精度よく形成することができる。

　第一高屈折率層２の厚みは、透明金属層３を含む領域における所望の反射率、及び所望の色度によって適宜選択されるが、通常３～１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５～８０ｎｍである。第一高屈折率層２の厚みが３ｎｍ以上であると、第一高屈折率層によって、透明金属層３を含む領域の反射率が十分に調整されやすい。一方、第一高屈折率層２の厚みが、１５０ｎｍ以下であると、第一高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第一高屈折率層２の厚みは、エリプソメーター等で測定される。

　（３）透明金属層
　透明金属層３は、透明導電体１００において電気を導通させるための層である。透明金属層３は、透明導電体１００の全面に形成されていてもよいが、透明導電体１００に導通領域ａ及び非導通領域ｂを形成する場合、透明金属層３は、導通領域ａにのみ形成される。

　透明金属層３は、銀のみ、もしくは銀と銀以外の金属との合金（銀合金）からなる層である。銀合金に含まれる金属は、銅、金、白金、チタン、クロム、亜鉛、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等でありうる。銀合金中には、これらの金属が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。銀合金には、導電性の観点から、銀が９０ａｔ％以上含まれることが好ましく、より好ましくは９７ａｔ％以上含まれることが好ましい。銀合金に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばＸＰＳ法等で特定される。

　透明金属層３のプラズモン吸収率は、波長４００ｎｍ～８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００ｎｍ～８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１００の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。

　透明金属層３の波長４００ｎｍ～８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
　（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ成膜する。

　（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率＝１００－（透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光測色計で測定する。

　（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に成膜する。そして、当該透明金属層について、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。

　透明金属層３の厚みは好ましくは１５ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３～１３ｎｍであり、さらに好ましくは５～１２ｎｍである。本発明の透明導電体１００では、透明金属層３の厚みが１５ｎｍ以下であると、透明金属層３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層３の厚みが１５ｎｍ以下であると、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの表面反射が十分に抑制されやすくなり、骨見えが抑制される。透明金属層３の厚みは、エリプソメーターで測定される。

　透明金属層３は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された膜でありうるが、透明金属層の平均透過率を高めるためには、スパッタ法で成膜された膜であることが好ましい。透明金属層３がスパッタ法で形成されると、透明金属層３が緻密かつ平滑な膜になりやすい。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等でありうる。

　ここで、透明金属層３を導通領域ａにのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、前述のように気相成膜法で透明金属層３を形成する方法等でありうる。また、第一高屈折率層２を覆うように透明基板１上に全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法でもありうる。エッチングの方法は、第一高屈折率層のエッチング方法と同様でありうる。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、前述のように、透明基板１上に第一高屈折率層２、透明金属層３、第二高屈折率層４等を積層してから、これらの層を一時にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

　（４）第二高屈折率層
　第二高屈折率層４は、透明導電体１００において、透明金属層３を含む領域の表面の反射率を調整するための層である。第二高屈折率層４は、透明導電体１００の全面に形成された層でもありうるが、透明導電体１００に導通領域ａ及び非導通領域ｂを形成する場合、第二高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａに少なくとも形成される。前述のように、透明導電体１００に第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４が含まれると、透明金属層３が形成されている領域の光の表面反射が抑制される。その結果、例えば導通領域ａの反射率と、非導通領域ｂの反射率（透明基板１の反射率）とが近くなる。

　第二高屈折率層４には前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１～１．１大きいことが好ましく、０．４～１．０大きいことがより好ましい。一方、第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７～２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８～２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第二高屈折率層４によって、透明金属層３を有する領域の光の表面反射が十分に調整される。

　第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、第一高屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物材料と同様でありうる。第二高屈折率層４には、誘電性材料または酸化物材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。また、第二高屈折率層４には、必要に応じて、屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。当該材料は、第一高屈折率層に含まれる屈折率が１．５未満である材料と同様でありうる。第二高屈折率層４に含まれる屈折率が１．５未満である材料は、屈折率が高い誘電性材料や酸化物半導体材料１００部（原子の数）に対して３０部（原子の数）以下であることが好ましく、より好ましくは２０部（原子の数）以下である。

　また、第二高屈折率層４は、誘電性材料または酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層であってもよく、樹脂バインダを含まない層であってもよい。第二高屈折率層４に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料または酸化物半導体材料の濃度は、第一高屈折率層に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料または酸化物半導体材料の濃度と同様でありうる。また、第二高屈折率層４の成膜方法は特に制限されず、第一高屈折率層２と同様の方法で成膜される。

　第二高屈折率層４の厚みは、好ましくは３～１５０ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～８０ｎｍである。第二高屈折率層４の厚みが３ｎｍ以上であると、第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の透明金属層３を含む領域の表面の反射率が十分に調整される。一方、第二高屈折率層４の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第二高屈折率層４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第二高屈折率層４の厚みは、エリプソメーターで測定される。

　ここで、第二高屈折率層４を導通領域ａにのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、前述のように気相成膜法で第二高屈折率層４を形成する方法等でありうる。また、透明金属層３を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法でもありうる。エッチングの方法は、第一高屈折率層２のエッチング方法と同様でありうる。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、前述のように、透明基板１上に第一高屈折率層２、透明金属層３、第二高屈折率層４等を積層してから、これらの層を一時にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

　（５）中間層
　前述のように、透明導電体１００の第一高屈折率層２と透明金属層３との間、もしくは透明金属層３と第二高屈折率層４との間に、中間層（図示せず）が形成されていてもよい。例えば、第一高屈折率層２もしくは第二高屈折率層４に硫黄成分が含まれる場合、透明金属層３が硫化されて変色することがある。これに対し、透明導電体１００に当該中間層が含まれると、第一高屈折率層２や第二高屈折率層４に硫黄成分が含まれたとしても、透明金属層３が変色し難くなり、透明金属層３を含む領域が視認され難くなる。

　中間層は、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、またはＺｎを含む層でありうる。中間層にはこれらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。金属酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ａ－ＧＩＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＷＯ_３、等が含まれる。金属フッ化物の例には、ＬａＦ_３、ＢａＦ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３等が含まれる。金属窒化物の例には、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等が含まれる。また、中間層Ｚｎを含む場合、中間層は、Ｚｎからなる層等でありうる。

　ここで、中間層は、導通領域ａの表面の反射率に影響しない厚みであることが好ましく０．１ｎｍ以上３ｎｍ未満であることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ未満であり、さらに好ましくは１ｎｍ以上３ｎｍ未満である。

　中間層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。

　ここで、中間層を導通領域ａにのみ形成する場合、その方法は特に制限されない、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、前述のように気相成膜法で中間層を形成する方法等が挙げられる。また、第一高屈折率層２や透明金属層３等を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法でもありうる。エッチングの方法は、第一高屈折率層のエッチング方法と同様でありうる。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、前述のように、第一高屈折率層２、透明金属層３、第二高屈折率層４等と共に、エッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

　（６）保護層
　透明導電体１００には、表面に保護層が含まれてもよい。透明導電体１００に保護層が含まれると、透明導電体１００の各層が外部の衝撃から保護され、さらに各層の化学的変性が抑制される。保護層は、透明導電体１００の全面に形成されていてもよいが、透明導電体１００に導通領域ａ及び非導通領域ｂを形成する場合、導通領域ａにのみ形成されることが好ましい。

　保護層は、透明導電体１００を外部から保護可能な層であれば、その材料は特に制限されず、例えば金属からなる層、無機化合物からなる層、または有機化合物からなる層のいずれでもありうる。保護層にはこれらが一種のみ含まれていてもよく、二種以上含まれてもよい。

　保護層は、透明導電体１００の表面の反射率に影響を与えない厚みであることが好ましい。具体的には、保護層は厚みが１ｎｍ～１０μｍであることが好ましく、より好ましくは５ｎｍ～１０μｍ、さらに好ましくは１０ｎｍ～１０μｍである。

　保護層の成膜方法は、保護層の種類に応じて適宜選択され、例えば保護層が金属からなる層や、無機化合物からなる層である場合には、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等で形成されたものでありうる。一方、保護層が有機化合物からなる層である場合、有機化合物を必要に応じて、溶媒等に分散または溶解させて、グラビアコート法、リバースコート法、ダイコート法等、公知のコーティング方法で塗布した後、これを乾燥、または硬化させる方法でありうる。

　ここで、保護層を導通領域ａにのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、前述のような方法で保護層を形成する方法等が挙げられる。また、各層を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法でもありうる。エッチングの方法は、第一高屈折率層のエッチング方法と同様でありうる。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、前述のように、第一高屈折率層２、透明金属層３、第二高屈折率層４等と共に、エッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

　（７）透明導電体の物性について
　本発明の透明導電体１００の全光線透過率は、８５％以上であることが好ましく、例えば透明導電体１００が導通領域ａ（透明基板１、第一高屈折率層２、透明金属層３、及び第二高屈折率層４を少なくとも含む領域）及び非導通領域ｂ（透明基板１のみを含む領域）を含む場合には、いずれにおいても８５％以上であることが好ましく、より好ましくは８８％以上である。全光線透過率が８５％以上であると、透明導電体１００を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。上記全光線透過率はヘイズメーターで測定される。

　一方、透明導電体１００の波長４００ｎｍ～８００ｎｍの光の平均吸収率は、１０％以下であることが好ましい。また、透明導電体１００が、導通領域ａ及び非導通領域ｂを含む場合には、いずれの領域においても１０％以下であることが好ましい。また平均吸収率は、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体１００の波長４５０ｎｍ～８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体１００の波長５００ｎｍ～７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び非導通領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。導通領域ａ及び非導通領域ｂを含む場合には、これらのいずれの領域においても、上記平均吸収率や平均反射率を満たすことが好ましい。透明導電体１００の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。上記透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光測色計で測定する。吸収率は、１００－（透過率＋反射率）の計算式より算出される。

　透明導電体１００の透明金属層３を含む領域、つまり導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域ａの表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体１００は、静電容量方式のタッチパネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層３の厚み等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ　Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ　Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。

　（８）透明導電体の用途
　前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。特に、本発明の透明導電体は、骨見えが少ないため、タッチパネルに好適である。

　このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。

　以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれによって何ら制限を受けない。

　［実施例１］
　・第一高屈折率層の形成
　透明基板として、白板ガラスを用いた。当該白板ガラスの片面に、第一高屈折率層として、ＺｎＳ－ＳｉＯ_２層を成膜した。ＺｎＳ－ＳｉＯ_２層は、アネルバ社のL－４３０Ｓ－ＦＨＳにて、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１５０Ｗ、ターゲット－基板距離：８６ｍｍ、成膜レート：１.５Å／ｓ、ＲＦスパッタにて成膜した。
　ここで、ＺｎＳ－ＳｉＯ_２は、ＺｎＳ１００部（原子の数）に対し、２０部（原子の数）でＳｉＯ_２が含有されているものとした。得られた第一高屈折率層は４３ｎｍであった。

　・第一中間層の形成
　次いで、前記第一高屈折率層上に、第一中間層として、ＧＺＯ層を成膜した。ＧＺＯ層は、アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：７５Ｗ、ターゲット－基板距離：８６ｍｍでＤＣスパッタにて成膜した。得られた第一中間層の厚みは１ｎｍであった。

　・透明金属層の形成
　さらに、第一中間層上に透明金属層として、銀層を成膜した。銀層は、アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１５０Ｗ、ターゲット－基板距離：８６ｍｍ、ＲＦスパッタで成膜した。得られた銀層の厚みは７．９ｎｍであった。

　・第二中間層の形成
　続いて、銀上に第二中間層として、ＧＺＯ層を成膜した。ＧＺＯ層は、アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、ターゲット－基板距離：８６ｍｍ、ＤＣスパッタで成膜した。得られた第二中間層の厚みは１ｎｍであった。

　・第二高屈折率層の形成
　さらに、第二中間層上に第二高屈折率層として、ＺｎＳ－ＳｉＯ_２層を成膜した。ＺｎＳ－ＳｉＯ_２層は、アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１５０Ｗ、ターゲット－基板距離：８６ｍｍ、ターゲット－基板距離：８６ｍｍ、ＲＦスパッタで成膜した。ここで、ＺｎＳ－ＳｉＯ_２は、ＺｎＳ１００部（原子の数）に対し、２０部（原子の数）でＳｉＯ_２が含有されているものとした。得られた第二高屈折率層の厚みは４４ｎｍであった。

　・非導通領域の形成
　得られた積層体上にレジスト層をパターン状に製膜した。そして、第一高屈折率層、第一中間層、透明金属層、第二中間層、第二高屈折率層を図３に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の非導通領域ｂとを含むパターン）状にＩＴＯエッチング液（林純薬製）でパターニングした。非導通領域ｂには、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の非導通領域ｂの幅は１６μｍとした。

　・評価
　得られた透明導電体の全光線透過率、色相、及び反射率を、それぞれ以下の方法で測定した。さらに、以下の方法で、骨見え評価も行った。結果を表２に示す。

　（全光透過率測定）
　得られた透明導電体の導通領域の全光線透過率を、日本電色工業株式会社製のヘイズメーター　ＮＤＨ５０００にて測定した。なお、空気の透過率を１００％とした。

　（色相及び反射率の測定）
　得られた透明導電体の色相及び反射率を、コニカミノルタ株式会社製の分光測色計ＣＭ－５にて測定した。色相測定では、非導通領域（透明基板である白板ガラス）の透過光の色相（Ｌ１^＊、ａ１^＊、及びｂ１^＊）、及び導通領域の透過光の色相（Ｌ２^＊、ａ２^＊、及びｂ２^＊）を測定し、下記式にてΔＥ^＊ａｂを測定した。
　ΔＥ^＊ａｂ＝（（Ｌ１^＊－Ｌ２^＊）^２＋（ａ１^＊－ａ２^＊）^２＋（ｂ１^＊－ｂ^２＊）^２）^１／２
　一方、反射率測定は、透明基板である白板ガラスの５２０ｎｍ～５５０ｎｍの平均反射率を基準とし、実施例１により得られたサンプルの導通領域の５２０ｎｍ～５５０ｎｍの平均反射率との差（絶対値）を算出した。

　（骨見え評価）
　透明導電体に対し、以下の基準で骨見え評価を行った。
　５：目視で骨見えがほとんど確認できず、実用上良好である
　４：目視で骨見えが若干確認できるが、非常に弱い骨見えであり、実用上ほぼ良好である
　３：目視で骨見えが確認できるが、弱い骨見えであり、実用には耐えるレベルである
　２：目視で骨見えが目立ち、実用上懸念されるレベルである
　１：目視で骨見えがよく目立ち、実用に耐えないレベルである

　［実施例２］
　透明基板としてＰＥＴフィルム（株式会社きもと製　１２５Ｇ１ＳＢＦ）を使用し、さらに以下の方法で非導通領域を形成した以外は実施例１と同様にして透明導電体を作成した。第一高屈折率層の厚みは４３ｎｍ、第一中間層の厚みは１ｎｍ、透明金属層の厚みは７．９ｎｍ、第二中間層の厚みは１ｎｍ、第二高屈折率層の厚みは４４ｎｍであった。

　・非導通領域の形成及び評価
　透明基板／第一高屈折率層／第一中間層／透明金属層／第二中間層／第二高屈折率層からなる積層体にレーザー光を照射し、図３に示されるパターン状にパターニングした。レーザー光は、レーザー光波長：１０６４ｎｍ、レーザー出力：５Ｗ、レーザー径：６０μｍ、周波数：３０ｋＨｚの設定で照射した。また、積層体の搬送速度は５００ｍｍ／秒とした。得られた透明導電体に対して、全光線透過率、色相、及び反射率を測定した。結果を表２に示す。

　［実施例３］
　各層を実施例１と同様に透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは４４ｎｍ、第一中間層の厚みは１ｎｍ、透明金属層の厚みは６．５ｎｍ、第二中間層の厚みは１ｎｍ、第二高屈折率層の厚みは４５ｎｍであった。得られた透明導電体に対し、実施例１と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　［実施例４］
　透明基板としてＰＥＴ（株式会社きもと製　１２５Ｇ１ＳＢＦ）を使用し、実施例２と同様に非導通領域を形成した以外は実施例１と同様に透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは４３ｎｍ、第一中間層の厚みは１ｎｍ、透明金属層の厚みは７．４ｎｍ、第二中間層の厚みは１ｎｍ、第二高屈折率層の厚みは４４ｎｍであった。得られた透明導電体に対し、実施例１と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　［実施例５］
　透明基板としてＰＥＴ（株式会社きもと製　１２５Ｇ１ＳＢＦ）を使用し、実施例２と同様に非導通領域を形成した以外は実施例１と同様にして透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは４３ｎｍ、第一中間層の厚みは１ｎｍ、透明金属層の厚みは７．３ｎｍ、第二中間層の厚みは１ｎｍ、第二高屈折率層の厚みは４４ｎｍであった。得られた透明導電体に対し、実施例１と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　［実施例６］
　・第一高屈折率層の形成
　透明基板として白板ガラスを用いた。当該白板ガラスの片面に第一高屈折率層として、ＺｎＯ層を成膜した。ＺｎＯ層は、アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：７５Ｗ、ＤＣスパッタにて成膜した。得られた第一高屈折率層は４２ｎｍであった。

　・透明金属層の形成
　次に、実施例１と同様にして、第一高屈折率層上に透明金属層として銀層を成膜した。得られた透明金属層は７．５ｎｍであった。

　・第二高屈折率層の形成
　続いて、透明金属層上に第二高屈折率層として、ＺｎＯ層を成膜した。ＺｎＯ層は、アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：７５Ｗ、ＤＣスパッタにて成膜した。得られた第二高屈折率層は３０ｎｍであった。

　・非導通領域の形成及び評価
　得られた積層体に対し、実施例２と同様にレーザー光によってパターニングした。また、実施例１と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　［実施例７］
　透明基板としてＰＥＴ（株式会社きもと製　１２５Ｇ１ＳＢＦ）を使用し；透明金属層のＡｇをＡＰＣ－ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）に変更し；第二中間層を形成せず；第二高屈折率層としてＧＺＯ層を、実施例１の第一高屈折率層の成膜方法と同様に成膜した以外は、実施例１と同様に透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは７ｎｍ、第一中間層の厚みは１ｎｍ、透明金属層の厚みは６．０ｎｍ、第二高屈折率層の厚みは１０ｎｍであった。得られた透明導電膜に対し、実施例１と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　［実施例８］
　・第一高屈折率層の形成
　荒川化学工業株式会社製のアクリル樹脂ビームセット５７７の樹脂固形分１００質量部に対して、テイカ株式会社製の酸化チタン分散液ＮＤ１７６を３０質量部、ＢＡＳＦジャパン株式会社製のＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４を３質量部添加した。そして、全固形分が０．６５質量％となるようにＭＥＫで希釈し、高屈折率層を塗布製膜するための分散液を得た。
　透明基板であるＰＥＴ（株式会社きもと製１２５Ｇ１ＳＢＦ）に当該分散液を塗布し、１００℃で３０秒間乾燥させた。次いで、紫外線ランプ（ヘレウス株式会社製のＬｉｇｈｔ　Ｈａｍｍｅｒ　１０）にて、照度３００ｍＷ／ｃｍ^２、照射量１．０Ｊ／ｃｍ^２として、分散液を硬化させて、第一高屈折率層を得た。得られた第一高屈折率層は６５ｎｍであった。

　・透明金属層の形成
　次に、実施例１と同様にして、第一高屈折率層上に透明金属層として銀層を成膜した。得られた透明金属層は６．０ｎｍであった。

　・中間層の形成
　透明金属層上に、中間層としてＧＺＯを成膜した。ＧＺＯ層は、実施例１の第二中間層と同様に成膜した。得られた中間層は１ｎｍであった。

　・第二高屈折率層の形成
　中間層状に、さらに実施例１の第二高屈折率層と同様に、ＺｎＳ－ＳｉＯ_２層を形成した。得られた第二高屈折率層の厚みは２６ｎｍであった。

　・非導通領域の形成及び評価
　得られた積層体を、実施例１と同様にパターニングし、全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　［比較例１］
　・第一高屈折率層の形成
　透明基板としてＰＥＴ（株式会社きもと製　１２５Ｇ１ＳＢＦ）を使用した。当該ＰＥＴの片面に第一高屈折率層として、ＩＴＯ層を成膜した。ＩＴＯ層は、アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：２ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１０００Ｗ、ＤＣスパッタにて成膜した。得られた第一高屈折率層の厚みは４０ｎｍであった。

　・透明金属層の形成
　第一高屈折率層上に、実施例１と同様に透明金属層である銀層を成膜した。得られた透明金属層の厚みは９．０ｎｍであった。

　・第二高屈折率層の形成
　透明金属層上に、上記第一高屈折率層と同じ条件で、ＩＴＯ層を成膜した。得られた第二高屈折率層の厚みは４０ｎｍであった。

　・非導通領域の形成及び評価
　得られた積層体を、実施例１と同様にパターニングし、全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　［比較例２］
　透明基板として白板ガラスを用いた以外は比較例１と同様にして透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは４０ｎｍ、透明金属層の厚みは１０ｎｍ、第二高屈折率層の厚みは４５ｎｍであった。得られた透明導電体に対し、実施例１と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　［比較例３］
　・第一高屈折率層の形成
　透明基板としてＰＥＴ（帝人株式会社製、ＨＳＬ）を使用し、上記ＰＥＴの片面に第一高屈折率層として、ＴｉＯ_２層を成膜した。ＴｉＯ_２層は、アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：２ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：７５Ｗ、ＲＦスパッタにて成膜した。得られた第一高屈折率層は４０ｎｍであった。

　・透明金属層の形成
　第一高屈折率層上に、実施例１と同様に透明金属層である銀層を成膜した。得られた透明金属層の厚みは９．０ｎｍであった。

　・第二高屈折率層の形成
　透明金属層上に、上記第一高屈折率層と同じ条件で、ＴｉＯ_２層を成膜した。得られた第二高屈折率層の厚みは４０ｎｍであった。

　・非導通領域の形成及び評価
　得られた積層体を、実施例２と同様にパターニングし、全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　［比較例４］
　・第一高屈折率層の形成
　透明基板として白板ガラスを使用した。当該白板ガラスの片面に第一高屈折率層として、酸化セリウムと酸化インジウムの混合物からなる層を成膜した。当該層は、アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：２ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：７５Ｗで、セリウムを３０ａｔ％含む、酸化セリウムと酸化インジウムの混合物ターゲッとし、ＲＦスパッタにて成膜した。得られた第一高屈折率層の厚みは４０ｎｍであった。

　・透明金属層の形成
　第一高屈折率層上に、実施例１と同様に透明金属層である銀層を成膜した。得られた透明金属層の厚みは１５ｎｍであった。

　・第二高屈折率層の形成
　透明金属層上に、上記第一高屈折率層と同じ条件で、セリウムを３０ａｔ％含む、酸化セリウムと酸化インジウムの混合物からなる層を成膜した。得られた第二高屈折率層の厚みは４０ｎｍであった。

　・保護層の形成
　第二高屈折率層上に、さらに、保護層として第一高屈折率層と同じ条件で、酸化セリウムをスパッタした。得られた保護層の厚みは２ｎｍであった。

　・非導通領域の形成及び評価
　得られた積層体を、実施例２と同様にパターニングし、全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表２に示す。

　表２に示されるように、ΔＥ^＊ａｂが２．５以下であり、かつ反射率差（絶対値）が１．５％以下であると、骨見え評価が良好であった。

　本出願は、２０１４年９月２９日出願の特願２０１４－１９８２９２号に基づく優先権を主張する。この出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。

　本発明で得られる透明導電体は、透明金属層をパターニングしても骨見えが少ない。したがって、各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスに好ましく用いられる。

　１　透明基板
　２　第一高屈折率層
　３　透明金属層
　４　第二高屈折率層
　１００　透明導電体

Claims (5)

1. 　透明基板と、
   　前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、
   　銀または銀を含む合金からなる透明金属層と、
   　前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、
   　をこの順に含む透明導電体であって、
   　前記透明基板の波長５２０～５５０ｎｍの光の平均反射率と、前記透明導電体の前記第二高屈折率層側表面の波長５２０～５５０ｎｍの光の平均反射率と、の差が１．５％以下であり、かつ
   　前記透明基板のＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるＬ^＊値、ａ^＊値、及びｂ^＊値をそれぞれＬ１^＊、ａ１^＊、及びｂ１^＊とし、前記透明導電体の前記第二高屈折率層側表面のＬ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるＬ^＊値、ａ^＊値、及びｂ^＊値をそれぞれＬ２^＊、ａ２^＊、及びｂ２^＊とした場合に、下記一般式で求められるΔＥ^＊ａｂが２．５以下である、透明導電体。
   ΔＥ^＊ａｂ＝（（Ｌ１^＊－Ｌ２^＊）^２＋（ａ１^＊－ａ２^＊）^２＋（ｂ１^＊－ｂ２^＊）^２）^１／２
2. 　前記透明基板、前記第一高屈折率層、前記透明金属層、及び前記第二高屈折率層を少なくとも含む領域の全光線透過率が８５％以上である、請求項１に記載の透明導電体。
3. 　前記第一高屈折率層と前記透明金属層との間、及び前記透明金属層と前記第二高屈折率層との間のうち、少なくとも一方に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、またはＺｎを含み、かつ厚みが３ｎｍ未満である、中間層を有する、請求項１に記載の透明導電体。
4. 　前記第一高屈折率層、前記透明金属層、及び前記第二高屈折率層がパターニングされており、
   　前記透明導電体が、前記透明基板のみを含む非導通領域と、前記第一高屈折率層、前記透明金属層、及び前記第二高屈折率層を少なくとも含む導通領域と、を有する、請求項１に記載の透明導電体。
5. 　請求項１に記載の透明導電体を含む、タッチパネル。
    

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