JPWO2016052158A1 - 透明導電体及びこれを含むタッチパネル - Google Patents
透明導電体及びこれを含むタッチパネル Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016052158A1 JPWO2016052158A1 JP2016551893A JP2016551893A JPWO2016052158A1 JP WO2016052158 A1 JPWO2016052158 A1 JP WO2016052158A1 JP 2016551893 A JP2016551893 A JP 2016551893A JP 2016551893 A JP2016551893 A JP 2016551893A JP WO2016052158 A1 JPWO2016052158 A1 JP WO2016052158A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- layer
- high refractive
- transparent
- index layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
[1]透明基板と、前記透明基板の波長570nmの光の屈折率より、波長570nmの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、銀または銀を含む合金からなる透明金属層と、前記透明基板の波長570nmの光の屈折率より、波長570nmの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、をこの順に含む透明導電体であって、前記透明基板の波長520〜550nmの光の平均反射率と、前記透明導電体の前記第二高屈折率層側表面の波長520〜550nmの光の平均反射率と、の差が1.5%以下であり、かつ前記透明基板のL*a*b*表色系におけるL*値、a*値、及びb*値をそれぞれL1*、a1*、及びb1*とし、前記透明導電体の前記第二高屈折率層側表面のL*a*b*表色系におけるL*値、a*値、及びb*値をそれぞれL2*、a2*、及びb2*とした場合に、下記一般式で求められるΔE*abが2.5以下である、透明導電体。
ΔE*ab=((L1*−L2*)2+(a1*−a2*)2+(b1*−b2*)2)1/2
[3]前記第一高屈折率層と前記透明金属層との間、及び前記透明金属層と前記第二高屈折率層との間のうち、少なくとも一方に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、またはZnを含み、かつ厚みが3nm未満である、中間層を有する[1]または[2]に記載の透明導電体。
[5]前記[1]〜[4]のいずれかに記載の透明導電体を含む、タッチパネル。
ΔE*ab=((L1*−L2*)2+(a1*−a2*)2+(b1*−b2*)2)1/2
透明導電体100に含まれる透明基板1は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。透明基板1は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂(例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等)、ポリカーボネート樹脂(例えばパンライト、マルチロン(いずれも帝人社製))、シクロオレフィン樹脂(例えばゼオノア(日本ゼオン社製)、アートン(JSR社製)、アペル(三井化学社製))、アクリル樹脂(例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト(三菱レイヨン社製)」、「スミペックス(住友化学社製)」)、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂、ポリエステル樹脂(例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート)、ポリエーテルスルホン、ABS/AS樹脂、MBS樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール/EVOH(エチレンビニルアルコール樹脂)、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板1が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには2種以上の樹脂が含まれてもよい。
第一高屈折率層2は、透明導電体100において、透明金属層3を含む領域の表面の反射率を調整するための層である。第一高屈折率層2は、透明基板1の全面に形成された層でもありうる。ただし、透明導電体100に導通領域a及び非導通領域bを形成する場合、第一高屈折率層2は、透明導電体100の導通領域aに少なくとも形成される。一般的に透明金属層3の反射率は、透明基板1の反射率より高いが、透明金属層3が第一高屈折率層2及び第二高屈折率層4に挟み込まれると、表面反射が抑制される。つまり、導通領域a及び非導通領域bを形成した場合に、これらの領域の反射率が近くなる。
透明金属層3は、透明導電体100において電気を導通させるための層である。透明金属層3は、透明導電体100の全面に形成されていてもよいが、透明導電体100に導通領域a及び非導通領域bを形成する場合、透明金属層3は、導通領域aにのみ形成される。
(i)ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて0.1nm成膜する。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を20nm成膜する。
第二高屈折率層4は、透明導電体100において、透明金属層3を含む領域の表面の反射率を調整するための層である。第二高屈折率層4は、透明導電体100の全面に形成された層でもありうるが、透明導電体100に導通領域a及び非導通領域bを形成する場合、第二高屈折率層4は、透明導電体100の導通領域aに少なくとも形成される。前述のように、透明導電体100に第一高屈折率層2及び第二高屈折率層4が含まれると、透明金属層3が形成されている領域の光の表面反射が抑制される。その結果、例えば導通領域aの反射率と、非導通領域bの反射率(透明基板1の反射率)とが近くなる。
前述のように、透明導電体100の第一高屈折率層2と透明金属層3との間、もしくは透明金属層3と第二高屈折率層4との間に、中間層(図示せず)が形成されていてもよい。例えば、第一高屈折率層2もしくは第二高屈折率層4に硫黄成分が含まれる場合、透明金属層3が硫化されて変色することがある。これに対し、透明導電体100に当該中間層が含まれると、第一高屈折率層2や第二高屈折率層4に硫黄成分が含まれたとしても、透明金属層3が変色し難くなり、透明金属層3を含む領域が視認され難くなる。
透明導電体100には、表面に保護層が含まれてもよい。透明導電体100に保護層が含まれると、透明導電体100の各層が外部の衝撃から保護され、さらに各層の化学的変性が抑制される。保護層は、透明導電体100の全面に形成されていてもよいが、透明導電体100に導通領域a及び非導通領域bを形成する場合、導通領域aにのみ形成されることが好ましい。
本発明の透明導電体100の全光線透過率は、85%以上であることが好ましく、例えば透明導電体100が導通領域a(透明基板1、第一高屈折率層2、透明金属層3、及び第二高屈折率層4を少なくとも含む領域)及び非導通領域b(透明基板1のみを含む領域)を含む場合には、いずれにおいても85%以上であることが好ましく、より好ましくは88%以上である。全光線透過率が85%以上であると、透明導電体100を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。上記全光線透過率はヘイズメーターで測定される。
前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。特に、本発明の透明導電体は、骨見えが少ないため、タッチパネルに好適である。
・第一高屈折率層の形成
透明基板として、白板ガラスを用いた。当該白板ガラスの片面に、第一高屈折率層として、ZnS−SiO2層を成膜した。ZnS−SiO2層は、アネルバ社のL−430S−FHSにて、Ar:20sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力:150W、ターゲット−基板距離:86mm、成膜レート:1.5Å/s、RFスパッタにて成膜した。
ここで、ZnS−SiO2は、ZnS100部(原子の数)に対し、20部(原子の数)でSiO2が含有されているものとした。得られた第一高屈折率層は43nmであった。
次いで、前記第一高屈折率層上に、第一中間層として、GZO層を成膜した。GZO層は、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar:20sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力:75W、ターゲット−基板距離:86mmでDCスパッタにて成膜した。得られた第一中間層の厚みは1nmであった。
さらに、第一中間層上に透明金属層として、銀層を成膜した。銀層は、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar:20sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力:150W、ターゲット−基板距離:86mm、RFスパッタで成膜した。得られた銀層の厚みは7.9nmであった。
続いて、銀上に第二中間層として、GZO層を成膜した。GZO層は、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar:20sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力75W、ターゲット−基板距離:86mm、DCスパッタで成膜した。得られた第二中間層の厚みは1nmであった。
さらに、第二中間層上に第二高屈折率層として、ZnS−SiO2層を成膜した。ZnS−SiO2層は、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar:20sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力:150W、ターゲット−基板距離:86mm、ターゲット−基板距離:86mm、RFスパッタで成膜した。ここで、ZnS−SiO2は、ZnS100部(原子の数)に対し、20部(原子の数)でSiO2が含有されているものとした。得られた第二高屈折率層の厚みは44nmであった。
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に製膜した。そして、第一高屈折率層、第一中間層、透明金属層、第二中間層、第二高屈折率層を図3に示されるパターン(複数の導通領域aと、これを区切るライン状の非導通領域bとを含むパターン)状にITOエッチング液(林純薬製)でパターニングした。非導通領域bには、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の非導通領域bの幅は16μmとした。
得られた透明導電体の全光線透過率、色相、及び反射率を、それぞれ以下の方法で測定した。さらに、以下の方法で、骨見え評価も行った。結果を表2に示す。
得られた透明導電体の導通領域の全光線透過率を、日本電色工業株式会社製のヘイズメーター NDH5000にて測定した。なお、空気の透過率を100%とした。
得られた透明導電体の色相及び反射率を、コニカミノルタ株式会社製の分光測色計CM−5にて測定した。色相測定では、非導通領域(透明基板である白板ガラス)の透過光の色相(L1*、a1*、及びb1*)、及び導通領域の透過光の色相(L2*、a2*、及びb2*)を測定し、下記式にてΔE*abを測定した。
ΔE*ab=((L1*−L2*)2+(a1*−a2*)2+(b1*−b2*)2)1/2
一方、反射率測定は、透明基板である白板ガラスの520nm〜550nmの平均反射率を基準とし、実施例1により得られたサンプルの導通領域の520nm〜550nmの平均反射率との差(絶対値)を算出した。
透明導電体に対し、以下の基準で骨見え評価を行った。
5:目視で骨見えがほとんど確認できず、実用上良好である
4:目視で骨見えが若干確認できるが、非常に弱い骨見えであり、実用上ほぼ良好である
3:目視で骨見えが確認できるが、弱い骨見えであり、実用には耐えるレベルである
2:目視で骨見えが目立ち、実用上懸念されるレベルである
1:目視で骨見えがよく目立ち、実用に耐えないレベルである
透明基板としてPETフィルム(株式会社きもと製 125G1SBF)を使用し、さらに以下の方法で非導通領域を形成した以外は実施例1と同様にして透明導電体を作成した。第一高屈折率層の厚みは43nm、第一中間層の厚みは1nm、透明金属層の厚みは7.9nm、第二中間層の厚みは1nm、第二高屈折率層の厚みは44nmであった。
透明基板/第一高屈折率層/第一中間層/透明金属層/第二中間層/第二高屈折率層からなる積層体にレーザー光を照射し、図3に示されるパターン状にパターニングした。レーザー光は、レーザー光波長:1064nm、レーザー出力:5W、レーザー径:60μm、周波数:30kHzの設定で照射した。また、積層体の搬送速度は500mm/秒とした。得られた透明導電体に対して、全光線透過率、色相、及び反射率を測定した。結果を表2に示す。
各層を実施例1と同様に透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは44nm、第一中間層の厚みは1nm、透明金属層の厚みは6.5nm、第二中間層の厚みは1nm、第二高屈折率層の厚みは45nmであった。得られた透明導電体に対し、実施例1と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
透明基板としてPET(株式会社きもと製 125G1SBF)を使用し、実施例2と同様に非導通領域を形成した以外は実施例1と同様に透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは43nm、第一中間層の厚みは1nm、透明金属層の厚みは7.4nm、第二中間層の厚みは1nm、第二高屈折率層の厚みは44nmであった。得られた透明導電体に対し、実施例1と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
透明基板としてPET(株式会社きもと製 125G1SBF)を使用し、実施例2と同様に非導通領域を形成した以外は実施例1と同様にして透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは43nm、第一中間層の厚みは1nm、透明金属層の厚みは7.3nm、第二中間層の厚みは1nm、第二高屈折率層の厚みは44nmであった。得られた透明導電体に対し、実施例1と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
・第一高屈折率層の形成
透明基板として白板ガラスを用いた。当該白板ガラスの片面に第一高屈折率層として、ZnO層を成膜した。ZnO層は、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar:20sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力:75W、DCスパッタにて成膜した。得られた第一高屈折率層は42nmであった。
次に、実施例1と同様にして、第一高屈折率層上に透明金属層として銀層を成膜した。得られた透明金属層は7.5nmであった。
続いて、透明金属層上に第二高屈折率層として、ZnO層を成膜した。ZnO層は、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar:20sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力:75W、DCスパッタにて成膜した。得られた第二高屈折率層は30nmであった。
得られた積層体に対し、実施例2と同様にレーザー光によってパターニングした。また、実施例1と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
透明基板としてPET(株式会社きもと製 125G1SBF)を使用し;透明金属層のAgをAPC−TR(株式会社フルヤ金属製)に変更し;第二中間層を形成せず;第二高屈折率層としてGZO層を、実施例1の第一高屈折率層の成膜方法と同様に成膜した以外は、実施例1と同様に透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは7nm、第一中間層の厚みは1nm、透明金属層の厚みは6.0nm、第二高屈折率層の厚みは10nmであった。得られた透明導電膜に対し、実施例1と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
・第一高屈折率層の形成
荒川化学工業株式会社製のアクリル樹脂ビームセット577の樹脂固形分100質量部に対して、テイカ株式会社製の酸化チタン分散液ND176を30質量部、BASFジャパン株式会社製のIRGACURE184を3質量部添加した。そして、全固形分が0.65質量%となるようにMEKで希釈し、高屈折率層を塗布製膜するための分散液を得た。
透明基板であるPET(株式会社きもと製125G1SBF)に当該分散液を塗布し、100℃で30秒間乾燥させた。次いで、紫外線ランプ(ヘレウス株式会社製のLight Hammer 10)にて、照度300mW/cm2、照射量1.0J/cm2として、分散液を硬化させて、第一高屈折率層を得た。得られた第一高屈折率層は65nmであった。
次に、実施例1と同様にして、第一高屈折率層上に透明金属層として銀層を成膜した。得られた透明金属層は6.0nmであった。
透明金属層上に、中間層としてGZOを成膜した。GZO層は、実施例1の第二中間層と同様に成膜した。得られた中間層は1nmであった。
中間層状に、さらに実施例1の第二高屈折率層と同様に、ZnS−SiO2層を形成した。得られた第二高屈折率層の厚みは26nmであった。
得られた積層体を、実施例1と同様にパターニングし、全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
・第一高屈折率層の形成
透明基板としてPET(株式会社きもと製 125G1SBF)を使用した。当該PETの片面に第一高屈折率層として、ITO層を成膜した。ITO層は、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar:20sccm、O2:2sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力:1000W、DCスパッタにて成膜した。得られた第一高屈折率層の厚みは40nmであった。
第一高屈折率層上に、実施例1と同様に透明金属層である銀層を成膜した。得られた透明金属層の厚みは9.0nmであった。
透明金属層上に、上記第一高屈折率層と同じ条件で、ITO層を成膜した。得られた第二高屈折率層の厚みは40nmであった。
得られた積層体を、実施例1と同様にパターニングし、全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
透明基板として白板ガラスを用いた以外は比較例1と同様にして透明導電体を作製した。第一高屈折率層の厚みは40nm、透明金属層の厚みは10nm、第二高屈折率層の厚みは45nmであった。得られた透明導電体に対し、実施例1と同様に全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
・第一高屈折率層の形成
透明基板としてPET(帝人株式会社製、HSL)を使用し、上記PETの片面に第一高屈折率層として、TiO2層を成膜した。TiO2層は、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar:20sccm、O2:2sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力:75W、RFスパッタにて成膜した。得られた第一高屈折率層は40nmであった。
第一高屈折率層上に、実施例1と同様に透明金属層である銀層を成膜した。得られた透明金属層の厚みは9.0nmであった。
透明金属層上に、上記第一高屈折率層と同じ条件で、TiO2層を成膜した。得られた第二高屈折率層の厚みは40nmであった。
得られた積層体を、実施例2と同様にパターニングし、全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
・第一高屈折率層の形成
透明基板として白板ガラスを使用した。当該白板ガラスの片面に第一高屈折率層として、酸化セリウムと酸化インジウムの混合物からなる層を成膜した。当該層は、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar:20sccm、O2:2sccm、スパッタ圧:0.25Pa、室温下、ターゲット側電力:75Wで、セリウムを30at%含む、酸化セリウムと酸化インジウムの混合物ターゲッとし、RFスパッタにて成膜した。得られた第一高屈折率層の厚みは40nmであった。
第一高屈折率層上に、実施例1と同様に透明金属層である銀層を成膜した。得られた透明金属層の厚みは15nmであった。
透明金属層上に、上記第一高屈折率層と同じ条件で、セリウムを30at%含む、酸化セリウムと酸化インジウムの混合物からなる層を成膜した。得られた第二高屈折率層の厚みは40nmであった。
第二高屈折率層上に、さらに、保護層として第一高屈折率層と同じ条件で、酸化セリウムをスパッタした。得られた保護層の厚みは2nmであった。
得られた積層体を、実施例2と同様にパターニングし、全光線透過率測定、色相測定、反射率測定、骨見え評価を行った。結果を表2に示す。
2 第一高屈折率層
3 透明金属層
4 第二高屈折率層
100 透明導電体
Claims (5)
- 透明基板と、
前記透明基板の波長570nmの光の屈折率より、波長570nmの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、
銀または銀を含む合金からなる透明金属層と、
前記透明基板の波長570nmの光の屈折率より、波長570nmの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、
をこの順に含む透明導電体であって、
前記透明基板の波長520〜550nmの光の平均反射率と、前記透明導電体の前記第二高屈折率層側表面の波長520〜550nmの光の平均反射率と、の差が1.5%以下であり、かつ
前記透明基板のL*a*b*表色系におけるL*値、a*値、及びb*値をそれぞれL1*、a1*、及びb1*とし、前記透明導電体の前記第二高屈折率層側表面のL*a*b*表色系におけるL*値、a*値、及びb*値をそれぞれL2*、a2*、及びb2*とした場合に、下記一般式で求められるΔE*abが2.5以下である、透明導電体。
ΔE*ab=((L1*−L2*)2+(a1*−a2*)2+(b1*−b2*)2)1/2 - 前記透明基板、前記第一高屈折率層、前記透明金属層、及び前記第二高屈折率層を少なくとも含む領域の全光線透過率が85%以上である、請求項1に記載の透明導電体。
- 前記第一高屈折率層と前記透明金属層との間、及び前記透明金属層と前記第二高屈折率層との間のうち、少なくとも一方に、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、またはZnを含み、かつ厚みが3nm未満である、中間層を有する、請求項1に記載の透明導電体。
- 前記第一高屈折率層、前記透明金属層、及び前記第二高屈折率層がパターニングされており、
前記透明導電体が、前記透明基板のみを含む非導通領域と、前記第一高屈折率層、前記透明金属層、及び前記第二高屈折率層を少なくとも含む導通領域と、を有する、請求項1に記載の透明導電体。 - 請求項1に記載の透明導電体を含む、タッチパネル。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014198292 | 2014-09-29 | ||
JP2014198292 | 2014-09-29 | ||
PCT/JP2015/076017 WO2016052158A1 (ja) | 2014-09-29 | 2015-09-14 | 透明導電体及びこれを含むタッチパネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016052158A1 true JPWO2016052158A1 (ja) | 2017-07-06 |
JP6627769B2 JP6627769B2 (ja) | 2020-01-08 |
Family
ID=55630200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016551893A Expired - Fee Related JP6627769B2 (ja) | 2014-09-29 | 2015-09-14 | 透明導電体及びこれを含むタッチパネル |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6627769B2 (ja) |
WO (1) | WO2016052158A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI746603B (zh) * | 2016-08-09 | 2021-11-21 | 南韓商東友精細化工有限公司 | 透明電極、包括其的觸控感測器及影像顯示裝置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2007007622A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2009-01-29 | 旭硝子株式会社 | プラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルムおよび保護板 |
JP2007299534A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Sony Corp | 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネル |
JP2013097877A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Polymatech Co Ltd | 透明導電基板並びに透明導電基板を有する静電センサーおよび電子デバイス |
-
2015
- 2015-09-14 WO PCT/JP2015/076017 patent/WO2016052158A1/ja active Application Filing
- 2015-09-14 JP JP2016551893A patent/JP6627769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016052158A1 (ja) | 2016-04-07 |
JP6627769B2 (ja) | 2020-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6314463B2 (ja) | 透明導電体 | |
CN104290407A (zh) | 双面透明导电性膜及触控面板 | |
WO2001057833A1 (fr) | Filtre pour affichage, afficheur et procede de production a cet effet | |
JP2011134464A (ja) | 透明導電性積層体およびその製造方法ならびにタッチパネル | |
JP2011194679A (ja) | 透明導電性積層体およびその製造方法ならびにタッチパネル | |
KR20070114890A (ko) | 다층박막 구조를 갖는 피디피 필터 및 그 제조방법 | |
JP6292225B2 (ja) | 透明導電体 | |
JP2011175900A (ja) | 透明導電性積層体及びその製造方法 | |
WO2014064939A1 (ja) | 透明導電体 | |
JP6319302B2 (ja) | 透明導電体及びその製造方法 | |
WO2015068738A1 (ja) | 透明導電体 | |
JP6627769B2 (ja) | 透明導電体及びこれを含むタッチパネル | |
JP6206262B2 (ja) | 透明導電体、その製造方法及び導電性ペースト | |
JP6344095B2 (ja) | 透明導電体及びタッチパネル | |
WO2015087895A1 (ja) | 透明導電体 | |
JP6586738B2 (ja) | 透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法 | |
WO2015151677A1 (ja) | 透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法 | |
JP2016146052A (ja) | 透明導電体及びこれを含むタッチパネル | |
WO2015190227A1 (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
JP2016177940A (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
WO2015125677A1 (ja) | 透明導電体 | |
WO2015025525A1 (ja) | 透明導電体 | |
WO2015053371A1 (ja) | 透明導電体 | |
WO2015011928A1 (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
WO2015122392A1 (ja) | 透明導電体とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180810 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20190708 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20191011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6627769 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |