JP6586738B2 - 透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、銀を含む導電層を備える透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法に係わる。

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電部材が使用されている。
タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電部材を含む配線が配置される。従って、透明導電部材には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯを用いた透明導電部材が多用されている。

近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電部材の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられないという問題があった。
そこで、銀の蒸着層を用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−２５０４３０号公報

しかしながら、銀又は銀合金を導電層として用いた透明導電部材では、電子機器等に組み込んでからの時間経過とともに、光の透過率が変化するという問題がある。

上述した問題の解決のため、本発明においては、時間経過による光の透過率の変化を抑制可能な透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法を提供するものである。

本発明の透明導電部材は、透明基板、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第１高屈折率層、銀又は銀合金層からなる導電層、及び、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第２高屈折率層をこの順に備える。そして、この透明導電部材は、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が、この環境に保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、この環境に保管した後の吸収率の変化が、この環境に保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である。

また、本発明の透明導電部材の製造方法は、透明基板上に設けられた透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第１高屈折率層上に、銀又は銀合金層からなる導電層を形成する工程と、導電層上に、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第２高屈折率層を形成する工程と、７０℃以上１４５℃以下の温度で熱アニール処理を行なう工程とを有する。そして、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が、この環境に保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内、且つ、この環境に保管した後の吸収率の変化が、この環境に保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である透明導電部材を作製する。

本発明によれば、時間経過による光透過率の変化を抑制可能な透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法を提供することができる。

透明導電部材の概略構成を示す図である。 透明導電部材の概略構成を示す図である。

以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．透明導電部材（第１実施形態）
２．透明導電部材（第２実施形態）
３．透明導電部材の製造方法

〈１．透明導電部材（第１実施形態）〉
以下本発明の透明導電部材の具体的な実施の形態について説明する。
本実施形態における透明導電部材は、透明基板、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層をこの順に備える。導電層は、銀又は銀合金層から形成される。また、第１高屈折率層、及び、第２高屈折率層は、透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い材料から形成される。

透明導電部材は、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が、この環境に保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、吸収率の変化が、この環境に保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である。なお、以下の説明では、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後を保管後と称し、この環境に保管する前を保管前と称する。

また、透明導電部材は、熱アニール処理が行なわれていることが好ましい。アニール処理としては、例えば、７０℃以上１４５℃以下で行なう。また、アニール処理の時間は、例えば、２分以上とする。また、アニール処理の時間は、１０分以下とすることが好ましい。

透明導電部材は熱アニール処理が行なわれることにより、透明導電部材に、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が、この環境に保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、吸収率の変化が、この環境に保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内となる特性を付与することができる。なお、保管後の光透過率及び吸収率の変化が上記範囲内の透明導電部材であれば熱アニール処理が行なわれていなくてもよい。

［光透過率及び吸収率］
本開示にあたっては、透明導電部材において、上記環境での保管前後の光透過率及び吸収率の変化と、電子機器等に組み込んでからの時間経過による光透過率の変化に、密接な関連が見いだされた。具体的には、上記環境での光透過率及び吸収率の変化が小さい透明導電部材では、電子機器等のデバイスに組み込んだ際の時間経過による光透過率の変化が小さく、特に、保管後の光透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内であると、この範囲外に有る場合に比べて、透明導電部材の時間経過による光透過率の変化に顕著な差が見られる。

つまり、上記特性を有する透明導電部材では、時間経過による光透過率の変化を、上記特性を満たさない透明導電部材に比べて、非常に小さく抑えることが可能となる。このような考察から、上記特性を有する透明導電部材を用いることにより、電子機器等に組み込んでからの時間経過による光透過率の変化を抑制することができる。

透明導電部材の光透過率及び吸収率の測定は、以下のように行なう。
まず、透明導電部材を作製し、透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定する。次に、この透明導電部材を温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管する。そして、上記環境に保管後、透明導電部材の光透過率及び吸収率を測定する。
上記環境に保管前の透明導電部材の光透過率及び吸収率と、上記環境に保管後の透明導電部材の光透過率及び吸収率とを比較し、透明導電部材の光透過率及び吸収率の変化量を求める。

透明導電部材の光透過率、及び、吸収率は、波長４００ｎｍ〜７４０ｎｍの平均光透過率、及び、平均光吸収率である。平均光透過率は、透明導電部材の透明基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。平均光透過率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定される。一方、平均光吸収率の値は、分光光度計にて測定される４００ｎｍ〜７４０ｎｍの光の透過率、反射率をそれぞれ平均して平均光透過率、平均反射率を算出する。そして、［平均吸収率＝１００−平均光透過率−平均反射率］から導かれる。

なお、透明導電部材の構成は、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層をこの順に備えていれば特に限定されない。保管後の光透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、保管後の吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内となる特性を有する透明導電部材であれば、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層以外のその他の構成を、各層の上下や各層間に備えていてもよい。

また、透明導電部材の保管後の光透過率及び吸収率は、上記環境への保管前後の計測により確認されるが、透明導電部材は、その特性（物性）として保管後の透明導電部材の光透過率及び吸収率の変化が上記特性を満たせばよいため、上記環境に保管された後の透明導電部材には限定されない。即ち、作製後の透明導電部材の評価として上記特性を満たすものであれば、上記環境への保管の有無は問わない。

［透明導電部材の構成］
図１に透明導電部材の概略構成を示す。図１に示す透明導電部材１０は、透明基板１１、第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４をこの順に備える。

透明導電部材１０は、透明基板１１の一方の面を全て覆うように形成されていてもよいが、図１に示すように、導通領域１５と非導通領域１６とを有する構成とすることができる。透明導電部材１０を、タッチパネル等に適用する場合には、通常、導電層等がパターニングされ、導通領域１５と非導通領域１６とを有する状態で用いられる。

透明導電部材１０において、導通領域１５は少なくとも導電層１３を含んで構成され、非導通領域１６は導電層１３が除去された構成である。図１に示す透明導電部材１０では、第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４がパターニングされることにより、透明基板１１、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４を含む導通領域１５と、透明基板１１のみを含む非導通領域１６と形成されている。

導通領域１５のパターン及び非導通領域１６のパターンは、透明導電部材１０の用途等に応じて適宜選択される。例えば、透明導電部材１０が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、複数の導通領域１５と、これを区切るライン状の非導通領域１６とを含むパターンとすることができる。非導通領域１６のラインの幅は５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以下である。

透明導電部材１０においても、熱アニール処理が行われることにより、透明導電部材１０に、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内となる特性を付与されている。

［透明基板］
透明導電部材１０を構成する透明基板１１は、各種表示デバイスの透明基板に適用されている基板が挙げられる。透明基板１１は、例えば、ガラス基板等の無機系の基板であってもよく、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（略称：ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（略称：ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（略称：ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（略称：ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（略称：ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムであってもよい。透明基板１１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。

高い光透過性を達成することができる観点から、透明基板１１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。

また、透明基板１１は、１層のみからなるものであってもよいが、ベースとなる基材表面に公知のクリアハードコート層や平滑層が積層されたものであってもよい。透明基板１１にハードコート層や平滑層等が含まれると、透明基板１１上に成膜される各層の平滑性が高まりやすく、特に導電層１３が平滑になりやすい。さらに、透明基板１１から、第１高屈折率層１２側に不純物が析出し難くなる。また、透明導電部材１０の擦り傷耐性が高まる。ハードコート層や平滑層は、公知の樹脂からなる層でありうる。

透明基板１１は、可視光に対する光透過性が高いことが好ましい。具体的には、波長４００〜８００ｎｍの光の平均光透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１１の光の平均光透過率が７０％以上であると、透明導電部材１０の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１１の波長４００〜７４０ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。

透明基板１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板１１の屈折率は、通常、透明基板１１の材質によって定まる。透明基板１１の屈折率は、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求められる。

透明基板１１のヘイズ値は、０．０１〜２．５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２の範囲内である。透明基板１１のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電部材１０のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーター（例えば、ＮＤＨ−５０００；日本電色工業社製）を用いて測定される。

透明基板１１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板１１の厚さが１μｍ以上であれば、透明基板１１の強度が高まり、導電層１３の成膜時に割れたり、裂けたりし難い。一方、透明基板１１の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電部材１０のフレキシブル性が十分に高まる。さらに、透明導電部材１０を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電部材１０を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。

［第１高屈折率層］
第１高屈折率層１２は、透明導電部材１０の導通領域１５、つまり導電層１３が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層である。第１高屈折率層１２と後述の第２高屈折率層１４の膜厚を適宜調整することにより、高い光透過率をもった透明導電部材１０を作製することが可能となる。

第１高屈折率層１２は、透明基板１１の全面に形成された層であってもよい。ただし、透明導電部材１０に導通領域１５及び非導通領域１６を形成する場合、第１高屈折率層１２は、透明導電部材１０の導通領域１５に少なくとも形成される。一般的に導電層１３の反射率は、透明基板１１の反射率より高いが、導電層１３が第１高屈折率層１２及び第２高屈折率層１４に挟み込まれると、表面反射が抑制される。つまり、導通領域１５及び非導通領域１６を形成した場合に、これらの領域の反射率が近くなる。

第１高屈折率層１２は、透明導電部材１０の光の透過性を調整する観点から、上述の透明基板１１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が少なくとも含まれる。透明基板１１が複数層からなる場合、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、透明基板１１を構成するいずれの層より高い屈折率を有する材料とする。第１高屈折率層１２は、当該誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層であってもよく、樹脂バインダを含まない層であってもよい。

第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層１２によって、導電層１３を含む領域（導通領域１５）の光透過性が十分に調整される。

第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料の例にはＴｉＯ_２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、Ｇａ_２Ｏ_３等が含まれる。第１高屈折率層１２には、誘電性材料又は酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、特に好ましくは、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＧＺＯ、ＩＴＯである。

なお、第１高屈折率層１２には、上記の屈折率が高い誘電性材料や酸化物半導体材料以外に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２等が挙げられる。例えば、ＺｎＳと共に、ＳｉＯ_２が含まれると、第１高屈折率層１２が非晶質になりやすく、透明導電部材１０のフレキシブル性が高まりやすい。ただし、屈折率が１．５未満の材料は、屈折率が高い誘電性材料や酸化物半導体材料１００部（原子の数）に対して３０部（原子の数）以下であることが好ましく、より好ましくは２０部（原子の数）以下である。屈折率が１．５未満の材料の添加量が上記範囲であれば、第１高屈折率層１２自体の屈折率が十分に高く維持でき、光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層としての十分な役割を果たすことができる。

ここで、第１高屈折率層１２が、樹脂バインダを含まない層である場合、第１高屈折率層１２の屈折率は、第１高屈折率層１２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層１２に含まれる材料の密度で調整される。

一方、第１高屈折率層１２が、誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層である場合、第１高屈折率層１２の屈折率は、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率や、第１高屈折率層１２中の誘電性材料又は酸化物半導体材料の密度で調整される。このとき、第１高屈折率層１２の総量に対して、誘電性材料又は酸化物半導体材料は１０〜５０質量％含まれることが好ましく、より好ましくは３０〜５０質量％である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の量が上記範囲であると、第１高屈折率層１２の屈折率が高まりやすく、第１高屈折率層１２によって、導通領域１５の表面の反射率が所望の範囲に調整されやすくなる。

第１高屈折率層１２に含まれる樹脂バインダとしては、光透過性が高い樹脂であれば特に制限されず、熱可塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、又は熱硬化型樹脂のいずれでもありうる。これらの樹脂は、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等でありうる。

また、第１高屈折率層１２には、導電層１３成膜時の金属の凝集を抑制し、薄くとも均一な厚みの導電層１３を得るとの観点から、硫黄が含まれることが好ましい。硫黄は第１高屈折率層１２に、単体の状態で含まれてもよいが、金属硫化物の状態で含まれることが、安定性の観点から好ましく、中でも硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ_２Ｓ_３）等が成膜用のターゲットの作りやすさの観点から好ましい。

第１高屈折率層１２に含まれる硫黄原子の量は、第１高屈折率層１２を構成する全原子の数に対して０．１〜５０ａｔ％であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０ａｔ％である。硫黄原子は導電層１３に含まれる銀との親和性が高い。そのため、導電層１３の成膜時に、銀が第１高屈折率層１２上に凝集しにくくなり、厚みが薄く均一な導電層１３を得ることができる。つまり、吸収の少ない、光透過性の高い導電層１３が作製される。また上述のとおり、硫黄原子は導電層１３に含まれる銀との親和性が高いため、高湿度環境下での水分による銀の凝集や、銀の腐食を抑制できる。その結果、透明導電部材１０の耐湿性が高まる。一方、硫黄原子の量が過剰であると、第１高屈折率層１２の均一な成膜が難しくなり、透明性が低下する場合がある。導電層１３に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばＸＰＳ法等で特定される。

上記誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としての屈折率を満たし、かつ硫黄を含む材料としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）が挙げられる。このため、第１高屈折率層１２には、少なくともＺｎＳが含まれることが好ましい。第１高屈折率層１２には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳとＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料との混合物が含まれてもよい。

ＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としては、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＺＴＯ（亜鉛酸化物・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。第１高屈折率層１２には、これらの誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。ＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＧＺＯ、ＩＴＯであることが特に好ましい。

第１高屈折率層１２の屈折率は、第１高屈折率層１２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層１２に含まれる材料の密度で調整される。第１高屈折率層１２の屈折率は、透明基板１１と同様に、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。

第１高屈折率層１２の厚みは、導電層１３、第２高屈折率層１４、第３高屈折率層２３を含む領域における所望の反射率、及び所望の色度によって適宜選択されるが、通常３〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８０ｎｍである。第１高屈折率層１２の厚みが３ｎｍ以上であると、第１高屈折率層１２によって、導電層１３を含む領域の反射率が十分に調整されやすい。一方、第１高屈折率層１２の厚みが、１５０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層１２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第１高屈折率層１２の厚みは、エリプソメータ等で測定される。

［導電層］
導電層１３は、透明導電部材１０において電気を導通させるための層である。導電層１３は、透明導電部材１０の全面に形成されていてもよいが、透明導電部材１０に導通領域１５及び非導通領域１６を形成する場合、導電層１３は、導通領域１５にのみ形成される。

導電層１３は、銀又は銀を主成分とする層であることが導電性、透明性の観点から好ましい。具体的には、導電層１３を構成する全原子に対して、銀が６０ａｔ％（原子％）以上含まれることが好ましい。また導電性の観点から銀が９０ａｔ％以上含まれることが寄り好ましく、さらに好ましくは９７ａｔ％以上である。

銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン、白金、チタン、クロム等でよい。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、導電層１３の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。導電層１３に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばＸＰＳ法等で特定される。

導電層１３のプラズモン吸収率は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電部材１０の導通領域１５の透過光が着色しやすくなる。

導電層１３の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ成膜する。
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の光透過率及び反射率を測定する。そして各波長における光透過率及び反射率から、吸収率＝１００−（光透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。光透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
（iii）続いて、測定対象の導電層１３を同様のガラス基板上に成膜する。そして、当該導電層について、同様に光透過率及び反射率を測定し、吸収率＝１００−（光透過率＋反射率）を算出する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。

導電層１３の厚みは好ましくは１５ｎｍ以下であり、より好ましくは３〜１２ｎｍであり、さらに好ましくは５〜１０ｎｍである。透明導電部材１０は、導電層１３の厚みが１５ｎｍ以下であると、導電層１３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、導電層１３の厚みが１５ｎｍ以下であると、第１高屈折率層１２、第２高屈折率層１４によって、透明導電部材１０の導通領域１５の光の透過性が良好になり、導通領域１５及び非導通領域１６の形状が視認される現象が抑制される。導電層１３の厚みは、エリプソメータ等で測定される。

［第２高屈折率層］
第２高屈折率層１４は、透明導電部材１０において、導電層１３を含む領域の表面の反射率を調整するための層である。第２高屈折率層１４は、透明導電部材１０の全面に形成された層でもよいが、透明導電部材１０に導通領域１５及び非導通領域１６を形成する場合、第２高屈折率層１４は、透明導電部材１０の導通領域１５に少なくとも形成される。上述のように、透明導電部材１０に第１高屈折率層１２及び第２高屈折率層１４が含まれると、導電層１３が形成されている領域の光の表面反射が抑制される。その結果、例えば導通領域１５の反射率と、非導通領域１６の反射率（透明基板１１の反射率）とが近くなる。

第２高屈折率層１４には、上述の透明基板１１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が少なくとも含まれる。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第２高屈折率層１４に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層１４によって、導電層１３を有する領域の光の表面反射が十分に調整される。

第２高屈折率層１４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、第１高屈折率層１２と同様の誘電性材料又は酸化物材料を用いることができる。第２高屈折率層１４には、誘電性材料又は酸化物材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。また、第２高屈折率層１４には、必要に応じて、屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。当該材料は、第１高屈折率層１２に含まれる屈折率が１．５未満である材料と同様である。第２高屈折率層１４に含まれる屈折率が１．５未満である材料は、屈折率が高い誘電性材料や酸化物半導体材料１００部（原子の数）に対して３０部（原子の数）以下であることが好ましく、より好ましくは２０部（原子の数）以下である。

また、第２高屈折率層１４は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層であってもよく、樹脂バインダを含まない層であってもよい。第２高屈折率層１４に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料又は酸化物半導体材料の濃度は、第１高屈折率層に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料又は酸化物半導体材料の濃度と同様である。また、第２高屈折率層１４の成膜方法は特に制限されず、第１高屈折率層１２と同様の方法で成膜される。

一方で、第２高屈折率層１４には、透明導電部材１０の外部から第２高屈折率層１４の微小な隙間を通り侵入してくる酸素、水分が引き起こす導電層１３中の金属の凝集、腐食を抑えるため硫黄が含まれることが好ましい。特に第１高屈折率層１２及び第２高屈折率層１４の両層に硫黄が含まれることで、導電層１３が安定化し、耐凝集性や耐腐食の効果を発現し、透明導電部材１０の耐湿性が高くなる。硫黄は第２高屈折率層１４に、単体の状態で含まれてもよいが、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等、硫化物の状態で含まれることが、安定性等の観点からより好ましい。

第２高屈折率層１４に含まれる硫黄原子の量は、第２高屈折率層１４を構成する全原子の数に対して０．１〜１０ａｔ％であり、好ましくは０．１〜５ａｔ％である。硫黄原子の量が０．１ａｔ％以上であると、透明導電部材１０の耐湿性が高まりやすい。一方で、硫黄原子の量が１０ａｔ％以下であると、後述の第３高屈折率層２３表面と導電層１３との導通が安定しやすくなる。

上記誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としての屈折率を満たし、かつ硫黄を含む材料としては硫化亜鉛（ＺｎＳ）が挙げられ、第２高屈折率層１４には、硫化亜鉛（ＺｎＳ）以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料と、硫化亜鉛（ＺｎＳ）とが含まれることが好ましい。ＺｎＳ以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としては、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料と同様でよい。導電層１３との導通の安定性の観点から、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、ＧＺＯ、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ等の導電性の高い酸化物半導体材料が好ましい。第２高屈折率層１４には、誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

なお、第２高屈折率層１４には、ＺｎＳ及びＺｎＳ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料の他に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２等が挙げられる。ただし、屈折率が１．５未満の材料は、ＺｎＳや、ＺｎＳ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料由来の金属元素の量１００部（原子の数）に対して、屈折率が１．５未満の材料由来の金属元素の量が３０部以下となるように添加されることが好ましく、より好ましくは２０部以下である。屈折率が１．５未満の材料の添加量が上記範囲であれば、第２高屈折率層１４自体の屈折率を十分に維持できる。

第２高屈折率層１４の屈折率は、第２高屈折率層１４に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層１４に含まれる材料の密度で調整される。第２高屈折率層１４の屈折率も透明基板１１と同様に、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。

第２高屈折率層１４の厚みは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、好ましくは３〜１５ｎｍであり、より好ましくは５〜１５ｎｍである。硫黄が含まれる第２高屈折率層１４の厚みが２０ｎｍ以下であると、第２高屈折率層１４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。一方で、第２高屈折率層１４の厚みが３ｎｍ以上であると、透明導電部材１０の耐湿性が高まりやすい。第２高屈折率層１４の厚みは、エリプソメータで測定される。

〈２．透明導電部材（第２実施形態）〉
次に、透明導電部材の第２実施形態について説明する。透明導電部材は、上述の第１実施形態に示す第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層の構成以外にも、他の層を備えていてもよい。本実施形態では、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層に加えて、硫化防止層、及び、第３高屈折率層を備える透明導電部材の構成について説明する。

図２に透明導電部材の概略構成を示す。図２に示す透明導電部材２０は、透明基板１１、第１高屈折率層１２、第１硫化防止層２１、導電層１３、第２硫化防止層２２、第２高屈折率層１４、及び、第３高屈折率層２３をこの順に備える。透明導電部材２０において、透明基板１１、第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４は、上述の図１に示す第１実施形態の透明導電部材１０と同様の構成である。

図２に示す透明導電部材２０においも、導電層１３等がパターニングされ、透明基板１１上に第１高屈折率層１２から第３高屈折率層２３までが含まれる導通領域１５と、透明基板１１のみが含まれる非導通領域１６とを有する。
なお、透明導電部材２０は、透明基板１１の一方の面を全て第１高屈折率層１２、導電層１３、及び、第２高屈折率層１４が覆うように形成されていてもよい。同様に、透明基板１１の一方の面を全て第１高屈折率層１２、第１硫化防止層２１、導電層１３、第２硫化防止層２２、第２高屈折率層１４、及び、に第３高屈折率層２３が覆うように形成されていてもよい。

透明導電部材２０は、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内である特性を有する。透明導電部材２０の構成においても、熱アニール処理が行われることにより、透明導電部材２０に、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内となる特性を付与されている。

［第３高屈折率層］
第３高屈折率層２３は、透明導電部材２０において、第１高屈折率層１２や第２高屈折率層１４と共に、導電層１３を含む領域の表面の反射率を調整するための層である。
第３高屈折率層２３は、透明導電部材１０の全面に形成された層でもよいが、透明導電部材１０に導通領域１５及び非導通領域１６を形成する場合、第３高屈折率層２３は、透明導電部材１０の導通領域１５に少なくとも形成される。透明導電部材１０に第１高屈折率層１２、第２高屈折率層１４、及び、第３高屈折率層２３が含まれると、導電層１３が形成されている領域の光の表面反射が抑制される。その結果、例えば導通領域１５の反射率と、非導通領域１６の反射率（透明基板１１の反射率）とが近くなる。

第３高屈折率層２３には、透明導電部材２０の光の透過性を調整する観点から、透明基板１１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が少なくとも含まれる。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第３高屈折率層２３に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料、又は、酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第３高屈折率層２３によって、導電層１３を有する領域の光の表面反射が十分に調整される。

一方、第３高屈折率層２３には、導電層１３との導通を取る観点から、導電性を有する金属酸化物も含まれる。導電性を有する金属酸化物とは、体積抵抗率が１×１０^−４Ω・ｃｍ以上１×１０²Ω・ｃｍ以下である金属酸化物であり、当該金属酸化物の導電性は好ましくは１×１０^−４Ω・ｃｍ以上１×１０^-1Ω・ｃｍ以下である。また、第３高屈折率層２３の体積抵抗率は、１×１０^−４Ω・ｃｍ以上１×１０²Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１×１０^−４Ω・ｃｍ以上１×１０^-1Ω・ｃｍ以下である。

第３高屈折率層２３の体積抵抗率は、第３高屈折率層２３をガラス上に単膜で作製し、膜厚をエリプソメータで測定し、表面電気抵抗値を、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定することで計算できる。第３高屈折率層２３の導電性は、第３高屈折率層２３に含まれる、導電性を有する金属酸化物の種類や量に応じて適宜調整される。

第３高屈折率層２３には、上記誘電性材料、又は、酸化物半導体材料としての屈折率を満たし、かつ金属酸化物としての導電性も満たす化合物が含まれることが好ましく、このような化合物（金属酸化物）としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、ＺＴＯ（亜鉛酸化物・スズ酸化物）、ＺｎＯ、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＳｎＯ_２等が挙げられる。第３高屈折率層２３は、これらの化合物が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。また、第３高屈折率層２３には、上記化合物と共に、第３高屈折率層２３の導電性を損なわない範囲で、上記以外の誘電性材料や酸化物半導体材料がさらに含まれてもよい。

第３高屈折率層２３に含まれる、上記以外の誘電性材料、又は、酸化物半導体材料は、第１高屈折率層１２に含まれる誘電性材料、又は、酸化物半導体材料と同様である。第３高屈折率層２３には、これらの誘電性材料、又は、酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

また、第３高屈折率層２３には、上述の導電性を維持できる範囲で、上記導電性化合物や、それ以外の誘電性材料や酸化物半導体材料の他に、波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料が一部含まれてもよい。波長５７０ｎｍの光の屈折率が１．５未満である材料としては、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２等が挙げられる。

第３高屈折率層２３の屈折率は、第３高屈折率層２３に含まれる材料の屈折率や、第３高屈折率層２３に含まれる材料の密度で調整される。第３高屈折率層２３の屈折率も透明基板１１と同様に、エリプソメータを用い、２５℃の環境下で測定することにより求められる。

第３高屈折率層２３の厚みは、５〜１３０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜８０ｎｍである。第３高屈折率層２３の厚みが５ｎｍ以上であると、透明導電部材２０の光の透過性が高く、耐湿性も高くなる。一方、第３高屈折率層２３の厚みが１３０ｎｍ以下であれば、相対的に第２高屈折率層１４の厚みを厚くすることができ、透明導電部材２０の耐湿性が高まりやすい。第３高屈折率層２３の厚みは、エリプソメータ等で測定される。

［硫化防止層］
透明導電部材２０において、第１高屈折率層１２、又は、第２高屈折率層１４が硫黄を含む材料により形成されている場合、含まれる硫黄によって導電層１３が硫化されて変色する場合がある。この場合、図２に示すように、透明導電部材２０の第１高屈折率層１２と導電層１３との間に第１硫化防止層２１を形成してもよい。また、導電層１３と第２高屈折率層１４との間に第２硫化防止層２２を形成してもよい。第１硫化防止層２１及び第２硫化防止層２２は、いずれか一方のみを形成してもよく、両方を形成してもよい。透明導電部材２０に硫化防止層を形成することにより、導電層１３の変色を抑制することができ、導電層１３を含む領域が視認され難くなる。

第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２は、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、又は、亜鉛（Ｚｎ）を含む層でよい。第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２にはこれらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。金属酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＷＯ_３、等が含まれる。金属フッ化物の例には、ＬａＦ_３、ＢａＦ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３等が含まれる。金属窒化物の例には、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等が含まれる。また、第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２は、Ｚｎのみからなる層でもよい。

ここで、第１硫化防止層２１、及び、第２硫化防止層２２は、導通領域１５の表面の反射率に影響なく、また、上述の第１屈折率層に含まれる硫黄と導電層の相互作用を妨げない厚みであることが好ましく０．１ｎｍ以上５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。

〈３．透明導電部材の製造方法〉
次に、透明導電部材の製造方法について説明する。
透明導電部材の製造方法は、第１高屈折率層上に導電層を形成する工程と、導電層上に第２高屈折率層を形成する工程とを有する。さらに、透明導電部材を熱アニール処理する工程を有する。これにより、透明導電部材を、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内に作製する。

透明導電部材の製造方法は、透明基板上に、透明導電部材を構成する層として、少なくとも、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層の形成工程を有する。さらに、この透明導電部材を、７０℃以上１４５℃以下の温度で熱アニール処理を行なう工程を有する。

７０℃以上１４５℃以下の温度で熱アニール処理を行なうことにより、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内の変化である特性を、透明導電部材に付与することができる。

以下の透明導電部材の製造方法の説明では、上述の第２実施形態で説明する図２に示す構成の透明導電部材２０の製造方法について説明する。
第１高屈折率層１２を形成する工程、第１硫化防止層２１を形成する工程、導電層１３を形成する工程、第２硫化防止層２２を形成する工程、第２高屈折率層１４を形成する工程、第３高屈折率層を形成する工程、及び、アニール処理工程を有する。
なお、透明導電部材２０の製造方法としては、少なくとも、第１高屈折率層１２を形成する工程、導電層１３を形成する工程、第２高屈折率層１４を形成する工程、及び、アニール処理工程を有していればよく、その他の層を形成する工程については必要に応じて適用することができる。さらに、透明導電部材２０に、導通領域１５と非導通領域１６とを形成するパターニングを行なう工程も、必要に応じて適用することができる。

［第１高屈折率層の形成］
まず、透明基板１１上に第１高屈折率層１２を形成する。
第１高屈折率層１２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、又は、塗布法により形成することができる。第１高屈折率層１２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層１２は、電子ビーム蒸着法、又は、スパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。

また、第１高屈折率層１２が、誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層である場合、当該第１高屈折率層１２は、樹脂成分（上述の樹脂又はその前駆体）と、誘電性材料又は酸化物半導体材料と、必要に応じて重合開始剤や溶媒等を含む樹脂組成物を透明基板上に塗布し；当該樹脂組成物を固化、又は硬化させることにより、得られる。

当該樹脂組成物に含まれる重合開始剤は、樹脂の種類に応じて適宜選択され、一般的な光重合開始剤、熱重合開始剤等でありうる。光重合性の樹脂成分と共に用いられる光重合開始剤としては、一般的な重合開始剤としては、例えばアセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、チオキサントン系、アルキルフェノン系等が挙げられる。また、熱重合性の樹脂成分と共に用いられる熱重合開始剤としては、有機過酸化物やカチオン重合開始剤等が挙げられる。また、当該樹脂組成物に含まれる溶媒は、樹脂バインダ等の種類に応じて適宜選択され、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、アミド系溶媒、炭化水素系溶媒等、各種有機溶媒でありうる。

また、樹脂組成物の塗布方法は特に制限されず、例えばバーコーター法、ロールコーター法、カーテンフロー法、スプレー法、グラビアコート法、ダイコート法、コンマコート法、ディップコート法、スピンコート法等、公知の方法でありうる。また、樹脂組成物を固化、もしくは硬化させる方法は、樹脂バインダの種類等に応じて適宜選択される。例えば樹脂バインダが熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂である場合、加熱により溶媒を除去し、樹脂組成物を固化又は硬化させる方法でありうる。一方、樹脂バインダが紫外線硬化型樹脂である場合、樹脂組成物に紫外線を照射することで、樹脂組成物を硬化させる方法でありうる。紫外線硬化時の光源としては、例えば超高圧、高圧、低圧水銀灯、ケミカルランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプ、マーキュリーハロゲンランプ、カーボンアーク灯、白熱灯、レーザー光等でありうる。照射時間は、ランプの種類、光源の強さによって適宜選択されるが、数秒〜数分程度である。また紫外線照射と併せて、溶媒の除去や硬化促進のために、紫外線照射前に加熱してもよい。

第１高屈折率層１２は、少なくとも透明導電部材２０の導通領域１５に形成する。第１高屈折率層１２は、透明導電部材２０の非導通領域１６に形成してもよいが、導通領域１５及び非導通領域１６からなるパターンを視認され難くするため、図２に示すように導通領域１５のみに形成することが好ましい。

第１高屈折率層１２を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して第１高屈折率層１２をパターン状に成膜する方法等でよい。また、透明基板１１の全面に層を形成し、これを公知のエッチング法によりパターニングする方法でもよい。第１高屈折率層１２をエッチングするタイミングは特に制限されず、透明基板１１上に第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４等を積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

公知のエッチング法としては、フォトリソグラフィー法、レーザー照射法等が挙げられる。フォトリソグラフィー法等でエッチングする場合、エッチング液は、無機酸又は有機酸のいずれを含んでいてもよいが、シュウ酸、塩酸、塩化鉄、酢酸、若しくは、リン酸、又は、これらの混合物であることがより好ましい。

一方、レーザー照射によりエッチングする場合、レーザーの種類は特に制限されず、例えば、Ａｒレーザー、半導体レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等のいずれを用いてもよい。これにより、精度よく第１高屈折率層１２等を透明基板１１上から除去することができ、非導通領域１６を精度よく形成することができる。

［第１硫化防止層の形成］
次に、第１高屈折率層１２上に、第１硫化防止層２１を形成する。なお、第１高屈折率層１２が硫黄を含まない場合には、この第１硫化防止層２１を形成する工程を行わなくてもよい。

第１硫化防止層２１は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成することができる。
第１硫化防止層２１を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で硫化防止層を形成する方法等が挙げられる。また、第１高屈折率層１２や導電層１３等を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法も適用できる。エッチングの方法は、第１高屈折率層１２のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４等と共にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

［導電層の形成］
次に、第１硫化防止層２１上に導電層１３を形成する。導電層１３は、上述の銀又は銀を主成分とする材料を用いて形成する。

導電層１３は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を用いて形成することができる。特に、真空蒸着法、又は、スパッタ法で形成することが好ましい。スパッタ法や真空蒸着法であれば、平面性の高い導電層１３を形成することができる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等を用いることができる。これらの中でも、導電層１３の平滑性が高まり、透明性と導電性が良好になるため、対向スパッタ法が好ましい。

導電層１３は、透明導電部材２０の全面に形成されていてもよいが、透明導電部材２０に導通領域１５及び非導通領域１６を形成する場合には、導電層１３を導通領域１５にのみ形成する。導電層１３を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で導電層１３を形成する方法等を用いることができる。また、第１高屈折率層１２を覆うように透明基板１１上に全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法を用いることができる。エッチングの方法は、第１高屈折率層１２のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、透明基板１１上に第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４等を積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

［第２硫化防止層の形成］
次に、導電層１３上に第２硫化防止層２２を形成する。なお、第２高屈折率層１４が硫黄を含まない場合には、この第２硫化防止層２２を形成する工程を行わなくてもよい。

第２硫化防止層２２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成することができる。
第２硫化防止層２２を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で硫化防止層を形成する方法等が挙げられる。また、第１高屈折率層１２や導電層１３等を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法も適用できる。エッチングの方法は、第１高屈折率層１２のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４等と共にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

［第２高屈折率層の形成］
次に、第２硫化防止層２２上に、第２高屈折率層１４を形成する。
第２高屈折率層１４は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、又は、塗布法で形成することができる。第２高屈折率層１４の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第２高屈折率層１４は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。

また、第２高屈折率層１４は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が樹脂バインダで結着された層であってもよい。第２高屈折率層１４に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料又は酸化物半導体材料の濃度は、第１高屈折率層１２に含まれる樹脂バインダや、誘電性材料又は酸化物半導体材料の濃度と同様である。また、第２高屈折率層１４の成膜方法は特に制限されず、第１高屈折率層１２と同様の方法で成膜される。

また、第２高屈折率層１４は、透明導電部材２０の全面に形成してもよく、透明導電部材２０に導通領域１５、及び、非導通領域１６を形成する場合、第２高屈折率層１４は、透明導電部材２０の導通領域１５に少なくとも形成する。第２高屈折率層１４を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で第２高屈折率層１４を形成する方法等を用いることができる。また、導電層１３を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法を用いることができる。エッチングの方法は、第１高屈折率層１２のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、透明基板１１上に第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４等を積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

［第３高屈折率層の形成］
次に、第２高屈折率層１４上に、第３高屈折率層２３を形成する。
第３高屈折率層２３は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法、又は、塗布法で形成することができる。第３高屈折率層２３の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第３高屈折率層２３は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成することが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）等のアシストを用いることが好ましい。

第３高屈折率層２３は、透明導電部材２０の全面に形成してもよいが、透明導電部材２０に導通領域１５、及び、非導通領域１６を形成する場合、第３高屈折率層２３は、透明導電部材２０の導通領域１５に少なくとも形成する。透明導電部材２０が、第１高屈折率層１２、第２高屈折率層１４、及び、第３高屈折率層２３を備えることにより、導電層１３が形成されている領域の光の透過性が高まる。

ここで、第３高屈折率層２３を導通領域１５にのみ形成する場合、その方法は特に制限されない。例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して、気相成膜法で第３高屈折率層２３を形成する方法等でよい。また、第２高屈折率層１４を覆うように全面に層を形成した後、これをエッチングにより部分的に除去する方法でもよい。エッチングの方法は、第１高屈折率層１２のエッチング方法と同様でよい。また、エッチングのタイミングは特に制限されず、透明基板１１上に第１高屈折率層１２、導電層１３、第２高屈折率層１４、第３高屈折率層２３等を全て積層してから、これらの層を一度にエッチングすることが、製造効率等の観点から好ましい。

［アニール処理］
次に、透明導電部材２０に、熱アニール処理を行なう。熱アニール処理は、透明基材１１上に第１高屈折率層１２から第３高屈折率層２３まで形成した透明導電部材２０に対して行なう。熱アニール処理は、７０℃以上１４５℃以下で行なうことが好ましい。また、処理時間は、２分以上１０分以下とすることが好ましい。

熱アニール処理を行なうことにより、透明導電部材２０に、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内となる特性が発現しやすい。これは、熱アニール処理により、導電層１３を構成する銀の状態が変化することにより発現されると考えられる。具体的には、熱アニール処理により、導電層１３を構成する銀が安定性の高い状態に変化し、上記環境への保管前後での透明導電部材の光透過率及び吸収率の変化が抑制される、と推測される。さらに、熱アニール処理により、導電層１３を構成する銀と、第１高屈折率層１２及び第２高屈折率層との相互作用で、導電層１３がより安定性の高い状態に変化するためと推測される。

［透明導電部材の物性］
上述の各実施形態の透明導電部材、及び、上述の製造方法で作製される透明導電部材は、以下を満たすことが好ましい。

透明導電部材の全光線透過率は、８０％以上であることが好ましく、例えば透明導電部材が導通領域（透明基板、第１高屈折率層、導電層、及び、第２高屈折率層を少なくとも含む領域）と、非導通領域（透明基板のみを含む領域）とを含む場合には、いずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上である。全光線透過率が８０％以上であると、透明導電部材を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。上記全光線透過率はヘイズメーター等で測定される。

一方、透明導電部材の波長４００ｎｍ〜７４０ｎｍの平均吸収率が６．０％以下であることが好ましい。また、透明導電部材が、導通領域及び非導通領域を含む場合には、いずれの領域においても６．０％以下であることが好ましい。

一方、透明導電部材の波長４００〜８００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域および非導通領域のいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。導通領域および非導通領域を含む場合には、これらのいずれの領域においても、平均吸収率や平均反射率を満たすことが好ましい。

透明導電部材の平均吸収率および平均反射率が低いほど、上述の平均光透過率が高まる。透明導電部材の平均光透過率および平均反射率は、透明導電部材の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定することができる。平均吸収率は、１００−（平均光透過率＋平均反射率）の計算式によって算出することができる。

透明導電部材の導電層を含む領域、つまり導通領域の表面電気抵抗は、５０Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／ｓｑ．以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／ｓｑ．以下である透明導電部材は、静電容量方式のタッチパネル等に適用できる。導通領域の表面電気抵抗値は、導電層の厚み等によって調整される。導通領域の表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。

［透明導電部材の用途］
上述の透明導電部材の製造方法で作製される透明導電部材は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッション等各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子等様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。特に、上述の製造方法で作製される透明導電部材は、透明導電部材表面（第３高屈折率層表面）と導電層との間で導通が取りやすく安定している。従って、タッチパネルに好適である。
なお、透明導電部材の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。

また、実施例で使用する材料の組成比を以下に示す。
・ＺｎＳＳｉＯ_２； ＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝１００：２０（ａｔ比）
・ＳＧＺＯ； Ｇａ：Ｚｎ：Ｓ＝６：９３．３：０．７（ａｔ％比）（ＧＺＯにＺｎＳを焼結したもの）
・ＩＴＯ； Ｉｎ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２＝９０：１０（質量％比）
・ＺＳＳＯ； Ｏ：Ｚｎ：Ｉｎ：Ｇａ：Ｓ：Ｓｉ＝３５：３３：５：９：１７：１（ａｔ％比）（三菱マテリアル社製ＺＳＳＯタイプＢ）
・ＧＺＯ； ＺｎＯ：Ｇａ_２Ｏ_３＝９４．３：５．７（質量％比）
・ＡＰＣ−ＴＲ； Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９８．０７：０．８７：１．０６（ａｔ％比）（フルヤ金属社製ＡＰＣ−ＴＲ）
・ＩＧＺＯ； Ｉｎ_２Ｏ_３・Ｇａ_２Ｏ_３・ＺｎＯ、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：４（ａｔ比）

また、各層の厚さは成膜時間を調整することで調節した。以下の実施例に用いた第１高屈折率層、第２高屈折率層、第３高屈折率層の各層の屈折率を測定したところ、屈折率はすべて１．８以上であり、透明基板（ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム）の屈折率１．５９より高い屈折率を有する材料であった。
各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメータで測定した。

〈試料１０１の透明導電部材の作製〉
透明基板として、株式会社きもと製のクリアハードコート付きポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ／ＣＨＣ）フィルム（Ｇ１ＳＢＦ、厚さ１２５μｍ、屈折率１．５９、以下ＣＨＣ-ＰＥＴフィルムと称する）を準備した。そして、この透明基板上に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）／導電層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）をこの順に積層した。そして、この透明導電部材をアニール処理した。

［第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）］
透明基板（ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１５０Ｗ、ターゲット−基板距離：８６ｍｍで、ＺｎＳＳｉＯ_２をＲＦ（交流）スパッタにて成膜した。形成した第１高屈折率層の厚さは３８ｎｍであった。

［導電層（Ａｇ）］
第１高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１５０Ｗ、ターゲット−基板距離：８６ｍｍで、銀（以下、Ａｇと表記）をＤＣスパッタにて成膜した。形成した導電層の厚さは７．５ｎｍであった。

［第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）］
導電層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１５０Ｗ、ターゲット−基板距離：８６ｍで、ＺｎＳＳｉＯ_２をＲＦスパッタにて成膜した。形成した第２高屈折率層の厚さは３６ｎｍであった。

［アニール処理］
得られた透明導電部材に、７０℃の恒温槽内で５分間の熱アニール処理を行なった。

〈試料１０２の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）／導電層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。そして、この透明導電部材をアニール処理した。

［第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）］
透明基板（ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム）上に、上述の試料１０１と同様の方法で、ＺｎＳＳｉＯ_２を成膜した。形成した第１高屈折率層の厚さは４０ｎｍであった。

［導電層（Ａｇ）］
第１高屈折率層上に、上述の試料１０１の第１高屈折率層と同様の方法で、Ａｇを成膜した。形成した導電層の厚さは７．８ｎｍであった。

［第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）］
導電層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１５０Ｗ、ターゲット−基板距離：８６ｍで、ＳＧＺＯをＲＦスパッタにて成膜した。形成した第２高屈折率層の厚さは１０ｎｍであった。

［第３高屈折率層（ＩＴＯ）］
第２高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：２ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１０００Ｗ、ターゲット−基板距離：８６ｍｍで、ＩＴＯをＲＦスパッタにて成膜した。形成した第３高屈折率層の厚さは２８ｎｍであった。

［アニール処理］
得られた透明導電部材に、１００℃の恒温槽内で５分間の熱アニール処理を行なった。

〈試料１０３の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／導電層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。そして、この透明導電部材をアニール処理した。

［第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）］
透明基板（ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム）上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１５０Ｗ、ターゲット−基板距離：８６ｍｍで、ＺＳＳＯをＲＦ（交流）スパッタにて成膜した。形成した第１高屈折率層の厚さは３８ｎｍであった。

［第１硫化防止層（ＧＺＯ）］
第１高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：７５Ｗ、ターゲット−基板距離：８６ｍｍで、ＧＺＯをＤＣスパッタにて成膜した。形成した第１硫化防止層の厚さは１ｎｍであった。

［導電層（ＡＰＣ−ＴＲ）］
第１硫化防止層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：１５０Ｗ、ターゲット−基板距離：８６ｍｍで、ＡＰＣ-ＴＲ（フルヤ金属社製）をＤＣスパッタにて成膜した。形成した導電層の厚さは９．３ｎｍであった。

［第２硫化防止層（ＧＺＯ）］
導電層上に、上述の第１硫化防止層と同様の方法でＧＺＯを成膜した。形成した第２硫化防止層の厚さは３ｎｍであった。

［第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）］
第２硫化防止層上に、上述の試料１０２の第２高屈折率層と同様の方法でＳＧＺＯを成膜した。形成した第２高屈折率層の厚さは１０ｎｍであった。

［第３高屈折率層（ＩＴＯ）］
第２高屈折率層上に、上述の試料１０１の第３高屈折率層と同様の方法でＩＴＯを成膜した。形成した第３高屈折率層の厚さは２５ｎｍであった。

［アニール処理］
得られた透明導電部材に、１２０℃の恒温槽内で５分間の熱アニール処理を行なった。

〈試料１０４の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／導電層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）をこの順に積層した。そして、この透明導電部材をアニール処理した。

［第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）］
透明基板（ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム）上に、上述の試料１０１の第１高屈折率層と同様の方法で、ＺｎＳＳｉＯ_２を成膜した。形成した第１高屈折率層の厚さは４０ｎｍであった。

［第１硫化防止層（ＧＺＯ）］
第１高屈折率層上に、上述の試料１０３の第１硫化防止層と同様の方法で、ＧＺＯを成膜した。形成した第１硫化防止層の厚さは１ｎｍであった。

［導電層（ＡＰＣ−ＴＲ）］
第１硫化防止層上に、上述の試料１０３の導電層と同様の方法で、ＡＰＣ-ＴＲ（フルヤ金属社製）を成膜した。形成した導電層の厚さは７．１ｎｍであった。

［第２硫化防止層（ＧＺＯ）］
導電層上に、上述の第１硫化防止層と同様の方法でＧＺＯを成膜した。形成した第２硫化防止層の厚さは３ｎｍであった。

［第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）］
第２硫化防止層上に、上述の試料１０１の第２高屈折率層と同様の方法で、ＺｎＳＳｉＯ_２を成膜した。形成した第２高屈折率層の厚さは４５ｎｍであった。

［アニール処理］
得られた透明導電部材に、１４０℃の恒温槽内で５分間の熱アニール処理を行なった。

〈試料１０５の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、下記の方法で、第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／導電層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＧＺＯ）をこの順に積層した。そして、この透明導電部材をアニール処理した。

［第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）］
透明基板（ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム）上に、上述の試料１０３の第１高屈折率層と同様の方法で、ＺＳＳＯを成膜した。形成した第１高屈折率層の厚さは３６ｎｍであった。

［第１硫化防止層（ＧＺＯ）］
第１高屈折率層上に、上述の試料１０３の第１硫化防止層と同様の方法でＧＺＯを成膜した。形成した第２硫化防止層の厚さは１ｎｍであった。

［導電層（ＡＰＣ−ＴＲ）］
第１硫化防止層上に、上述の試料１０３の導電層と同様の方法でＡＰＣ-ＴＲ（フルヤ金属社製）をＤＣスパッタにて成膜した。形成した導電層の厚さは８．４ｎｍであった。

［第２硫化防止層（ＧＺＯ）］
導電層上に、上述の第１硫化防止層と同様の方法でＧＺＯを成膜した。形成した第２硫化防止層の厚さは３ｎｍであった。

［第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）］
第２硫化防止層上に、上述の試料１０２の第２高屈折率層と同様の方法でＳＧＺＯを成膜した。形成した第２高屈折率層の厚さは９ｎｍであった。

［第３高屈折率層（ＩＧＺＯ）］
第２高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力：７５Ｗ、ターゲット−基板距離：８６ｍｍで、ＩＧＺＯをＤＣパルススパッタにて成膜した。形成した第３高屈折率層の厚さは２７ｎｍであった。

［アニール処理］
得られた透明導電部材に、１４０℃の恒温槽内で５分間の熱アニール処理を行なった。

〈試料１０６の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、試料１０１と同様の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）／導電層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）をこの順に積層した。形成した第１高屈折率層の厚さは３９ｎｍ、導電層の厚さは７．６ｎｍ、第２高屈折率層の厚さは３７ｎｍであった。
そして、この透明導電部材に、６０℃の恒温槽内で５分間の熱アニール処理を行なった。

〈試料１０７の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、試料１０１と同様の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）／導電層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）をこの順に積層した。形成した第１高屈折率層の厚さは３６ｎｍ、導電層の厚さは８．３ｎｍ、第２高屈折率層の厚さは３８ｎｍであった。

〈試料１０８の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、試料１０２と同様の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）／導電層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。形成した第１高屈折率層の厚さは３９ｎｍ、導電層の厚さは８．０ｎｍ、第２高屈折率層の厚さは1１ｎｍ、第３高屈折率層の厚さは２８ｎｍであった。

〈試料１０９の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、試料１０３と同様の方法で、第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／導電層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。形成した第１高屈折率層の厚さは４０ｎｍ、第１硫化防止層の厚さは１ｎｍ、導電層の厚さは８．８ｎｍ、第２硫化防止層の厚さは３ｎｍ、第２高屈折率層の厚さは１０ｎｍ、第３高屈折率層の厚さは２６ｎｍであった。

〈試料１１０の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、試料１０４と同様の方法で、第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／導電層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ_２）をこの順に積層した。形成した第１高屈折率層の厚さは３９ｎｍ、第１硫化防止層の厚さは１ｎｍ、導電層の厚さは７．５ｎｍ、第２硫化防止層の厚さは３ｎｍ、第２高屈折率層の厚さは４４ｎｍであった。

〈試料１１１の透明導電部材の作製〉
ＣＨＣ-ＰＥＴフィルム上に、試料１０５と同様の方法で第１高屈折率層（ＺＳＳＯ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／導電層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＳＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＧＺＯ）をこの順に積層した。形成した第１高屈折率層の厚さは３７ｎｍ、第１硫化防止層の厚さは１ｎｍ、導電層の厚さは８．５ｎｍ、第２硫化防止層の厚さは３ｎｍ、第２高屈折率層の厚さは１０ｎｍ、第３高屈折率層の厚さは２８ｎｍであった。

〈評価〉
作製した試料１０１〜１１１の透明導電部材について、透明導電部材の検品合格率を以下の方法で求めた。
（検品合格率）
・デバイスへの組み込みと検品
得られた透明導電部材をデバイスへ組み込むことを想定して、株式会社寺岡製作所製の光学用高透明ベースレス両面テープ ７０２０ ０．０２５を用いて、透明導電部材を白板ガラスへ張り付けて、全光線透過率を測定した。
続いて、温度８５℃、湿度８５％の恒温槽で２５０時間保管した。さらに、恒温槽から取り出した後、全光線透過率を測定して保管前の全光線透過率と比較した。
各試料の全光線透過率は、透明導電部材の導通領域の全光線透過率を、日本電色工業株式会社製のヘイズメーター ＮＤＨ５０００にて測定した。なお、空気の光透過率を１００％とした。
検品合格率は、試料１０１〜１１１の透明導電部材についてサンプルを１００個作製し、保管前後での全光線透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内のサンプルを合格とし、検品合格率を算出した。
また、同様の方法を用いて、保管前の透明導電部材の光透過率、及び、吸収率と、温度８５℃、湿度８５％の恒温槽で２４時間保管後の透明導電部材の光透過率、及び、吸収率を測定した。そして、２４時間保管前後での光透過率、及び、吸収率の変化量を求めた。

下記表１に、試料１０１〜１１１の透明導電部材の各構成、２４時間保管前後の光透過率と吸収率及び変化量、検品合格率、並びに、アニール温度を示す。

表１に示すように、７０℃以上の熱アニール処理が行なわれた試料１０１〜１０５は、アニール温度が６０℃の試料１０６、熱アニール処理が行なわれなかった試料１０７〜１１１に比べ、検品合格率が向上している。これは、熱アニール処理により、透明導電部材の導電層を構成する銀が安定性の高い状態に変化し、不良品の発生率が低下したと考えられる。
また、７０℃以上の熱アニール処理が行なわれた試料１０１〜１０５は、温度８５℃、湿度８５％の環境に保管した後の透過率の変化が保管前に比べて０〜０．５％の範囲内、且つ、吸収率の変化が保管前に比べて−１．０〜０％の範囲内となっている。この結果から、透明導電部材において熱アニール処理が行なわれることにより、時間経過による透明導電部材の光透過率の変化を抑制することができる。

なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。

１０，２０ 透明導電部材、１１ 透明基板、１２ 第１高屈折率層、１３ 導電層、１４ 第２高屈折率層、１５ 導通領域、１６ 非導通領域、２１ 第１硫化防止層、２２ 第２硫化防止層、２３ 第３高屈折率層

Claims (11)

1. 透明基板、前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第１高屈折率層、銀又は銀合金層からなる導電層、及び、前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第２高屈折率層をこの順に備える透明導電部材であって、
   前記透明基板が、ガラス基板、及び、透明樹脂フィルムの少なくともいずれかを含み、
   前記第１高屈折率層、及び、前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方が硫黄を含み、
   前記第１高屈折率層、及び、前記第２高屈折率層が、ＴｉＯ _２ 、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｎｂ _２ Ｏ _５ 、ＺｒＯ _２ 、ＣｅＯ _２ 、Ｔａ _２ Ｏ _５ 、Ｔｉ _３ Ｏ _５ 、Ｔｉ _４ Ｏ _７ 、Ｔｉ _２ Ｏ _３ 、ＴｉＯ、ＳｎＯ _２ 、Ｌａ _２ Ｔｉ _２ Ｏ _７ 、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）から選ばれる少なくとも１種以上を含み、
   前記第１高屈折率層、及び、前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の硫黄を含む層と、前記導電層との間に、硫化防止層を備え、
   前記透明導電部材は、温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が、前記環境に保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内であり、且つ、
   前記環境に保管した後の吸収率の変化が、前記環境に保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である
   透明導電部材。
2. 前記第２高屈折率層上に、第３高屈折率層を備える請求項１に記載の透明導電部材。
3. 前記第１高屈折率層に含まれる硫黄原子の量が０．１原子％以上５０原子％以下である請求項１又は２に記載の透明導電部材。
4. 前記第２高屈折率層に含まれる硫黄原子の量が０．１原子％以上１０原子％以下である請求項１から３のいずれかに記載の透明導電部材。
5. 前記硫化防止層が、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、又は、亜鉛（Ｚｎ）を含む請求項１から４のいずれかに記載の透明導電部材。
6. 透明基板と、第１高屈折率層と、導電層と、第２高屈折率層と、硫化防止層とを有する透明導電部材の製造方法であって、
   透明基板上に設けられた前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第１高屈折率層上に、銀又は銀合金層からなる導電層を形成する工程と、
   前記導電層上に、前記透明基板よりも波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い第２高屈折率層を形成する工程と、
   前記第１高屈折率層、及び、前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方の硫黄を含む層と、前記導電層との間に前記硫化防止層を形成する工程と、
   ７０℃以上１４５℃以下の温度で熱アニール処理を行なう工程と、を有し、
   前記透明基板が、ガラス基板、及び、透明樹脂フィルムの少なくともいずれかを含み、
   前記第１高屈折率層、及び、前記第２高屈折率層の少なくともいずれか一方が硫黄を含み、
   前記第１高屈折率層、及び、前記第２高屈折率層が、ＴｉＯ _２ 、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｎｂ _２ Ｏ _５ 、ＺｒＯ _２ 、ＣｅＯ _２ 、Ｔａ _２ Ｏ _５ 、Ｔｉ _３ Ｏ _５ 、Ｔｉ _４ Ｏ _７ 、Ｔｉ _２ Ｏ _３ 、ＴｉＯ、ＳｎＯ _２ 、Ｌａ _２ Ｔｉ _２ Ｏ _７ 、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）から選ばれる少なくとも１種以上を含み、
   温度８５℃、湿度８５％の環境に２４時間保管した後の光透過率の変化が、前記環境に保管する前に比べて０〜０．５％の範囲内、且つ、前記環境に保管した後の吸収率の変化が、前記環境に保管する前に比べて−１．０〜０％の範囲内である透明導電部材を作製する
   透明導電部材の製造方法。
7. 前記第２高屈折率層上に、第３高屈折率層を形成する工程を有する請求項６に記載の透明導電部材の製造方法。
8. 前記基板上に前記第１高屈折率層を形成する工程を有する請求項６又は７に記載の透明導電部材の製造方法。
9. 前記第１高屈折率層に含まれる硫黄原子の量が０．１原子％以上５０原子％以下である請求項６から８のいずれかに記載の透明導電部材の製造方法。
10. 前記第２高屈折率層に含まれる硫黄原子の量が０．１原子％以上1０原子％以下である請求項６から９のいずれかに記載の透明導電部材の製造方法。
11. 前記硫化防止層が、金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物、又は、亜鉛（Ｚｎ）を含む請求項６から１０のいずれかに記載の透明導電部材の製造方法。
    

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