JP2002371350A

JP2002371350A - 透明積層体の製造方法

Info

Publication number: JP2002371350A
Application number: JP2001180786A
Authority: JP
Inventors: Toshitaka Nakamura; 年孝中村; Kazuaki Sasa; 和明佐々; Zenichi Ueda; 善一上田; Yoshihiro Hieda; 嘉弘稗田; Kazuhiko Miyauchi; 和彦宮内; Yukiko Azumi; 由起子安積
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2001-06-14
Filing date: 2001-06-14
Publication date: 2002-12-26

Abstract

(57)【要約】【課題】透明基体の表面に高屈折率透明薄膜と銀系透
明導電体薄膜を繰り返し積層した透明積層体の製造にお
いて、上記の高屈折率透明薄膜をスパッタリング法によ
り形成するにあたり、短波長域での可視光線透過率の高
い高屈折率透明薄膜を形成して、短波長域での可視光線
透過率の低下の少ない、ＰＤＰ用フィルタなどに好適に
使用できる上記透明積層体を製造する。【解決手段】透明基体の表面に、高屈折率透明薄膜と
銀系透明導電体薄膜を１単位としてｎ単位（ｎ＝１〜
４）が順次繰り返し積層され、その面上に高屈折率透明
薄膜が形成された透明積層体の製造において、上記の高
屈折率透明薄膜をスパッタリング法により形成するにあ
たり、薄膜中に含有されるスパッタリングガスの構成原
子が０．０５原子％以下となるようにスパッタリングを
行うことを特徴とする透明積層体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明電極、透明熱
線反射膜、ディスプレイ用透明電磁波シールド膜などに
有用な透明積層体、とくにプラズマディスプレイパネル
（以下、ＰＤＰという）用フィルタに好適に用いられる
透明積層体に関し、さらには波長４００〜４５０ｎｍの
可視光線透過率の高い透明積層体に関する。

【０００２】

【従来の技術】社会の情報化が著しく進む今日、端末と
して画像を表示するディスプレイに要求される性能もま
すます多様化してきている。その中でも、ＰＤＰは、大
型化、薄型化が容易であり、ＣＲＴ、液晶に続く新規な
ディスプレイとして、最も注目されており、すでに市場
に出回っている。

【０００３】ＰＤＰは、パネル内に封入された希ガス、
とくにネオンを主体としたガス中で放電を発生させ、そ
の際に発生する真空紫外線により、パネルのセルに塗ら
れたＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体を発光させる。この発光過程に
おいて、ＰＤＰの表示には不必要な電磁波と近赤外線が
同時に放出される。電磁波は、周辺機器への誤動作を引
き起こしたり、人体へ悪影響を及ぼすため、カットする
必要がある。近赤外線は、波長が８５０〜１，２００ｎ
ｍで、家電製品、カラオケ、音響映像機器などのリモー
トコントローラの受光感度が７００〜１，３００ｎｍの
ため、このコントローラを誤動作させる問題があり、や
はりカットする必要がある。

【０００４】従来、電磁波シールド性と近赤外線遮蔽性
とを同時に満足できるものとして、銀系透明導電体薄膜
を高屈折率透明薄膜で挟んだ構成の透明積層体が知られ
ている。これは、銀系透明導電体薄膜の有する導電性と
赤外線反射特性を利用でき、また高屈折率透明薄膜にて
銀系透明導電体薄膜表面での可視光の反射を防止する機
能を付与でき、十分な可視光線透過性を得ることができ
る。

【０００５】ＰＤＰ用フィルタは、色目をブルー系やニ
ュートラルグレーの色調に調整する必要があり、通常は
上記構成の透明積層体に特定の波長範囲の光を吸収する
色素や染料を複合化している。しかし、色素や染料は目
的の波長以外でもわずかに吸収を示すため、フィルタの
透過率は全体的に低下する。このため、色調整の自由度
を増すためにも、透明積層体の透過率は高い方が好まし
い。また、ＰＤＰは、青色（波長４５０ｎｍ付近）の発
光強度が弱いため、他の緑色や赤色よりもフィルタの青
色領域の透過率をわずかに高く設計するのが好ましい。

【０００６】このような考えから、高屈折率透明薄膜と
銀系透明導電体薄膜の双方の透明性を向上させること
が、透過率のより高いＰＤＰ用フィルタを得る上で望ま
しい。しかし、銀系透明導電体薄膜は目標とされる電磁
波シールド性や近赤外線カット性などによりその厚みが
決定され、要求される耐久性から添加する他の貴金属の
割合も決まるため、透明性の大きな改善は望めない。

【０００７】そのぶん、高屈折率透明薄膜として、銀系
透明導電体薄膜との導通を確保するための電気伝導性を
ある程度有するうえに、透明性のできるだけ高い材料を
選択使用することが望まれる。このような要求特性を満
たす透明導電材料としては、酸化インジウムを主成分す
る金属酸化物があり、とくに酸化錫を添加したものはＩ
ＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）と呼ばれ、
高い透明性と電気伝導性から、透明導電膜材料として幅
広く応用されている。

【０００８】このようなＩＴＯをはじめとした高屈折率
透明薄膜は、主に、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法などの真空プロセスにより、成膜
されている。その中でも、スパッタリング法は、膜厚の
制御性にすぐれ、良質な薄膜を大面積に均一に形成でき
ることから、幅広く応用されている。

【０００９】しかるに、通常の方法でスパッタリングし
たＩＴＯ薄膜は、可視光の短波長側（３８０〜４５０ｎ
ｍ）で僅かに光吸収があり、微妙に褐色または黄ばんだ
色目を呈する。透明電極やタッチパネルなどに応用する
場合は、そのＩＴＯ薄膜の厚みが薄く、しかも単層膜で
あるため、大きな問題となりにくい。しかし、ＰＤＰ用
フィルタに用いられる透明積層体の場合は、トータルの
膜厚が厚く、しかも銀系透明導電体薄膜との積層構成と
なっているため、上記僅かな光吸収が短波長側での透過
率の大きな低下を引き起こしやすい。このため、短波長
側での光吸収を極力抑制した高屈折率透明薄膜が切望さ
れている。

【００１０】短波長側での光吸収は、ＩＴＯ薄膜の成膜
方法、膜質、電気伝導性などと密接に関係する。たとえ
ば、特許第１６８５１２０号には、成膜後に熱処理を施
し、結晶化させることで、光吸収率を低減、つまり透過
率を向上させる方法が開示されている。また、Ｈａｍｂ
ｅｒｇらのＩＴＯ薄膜に関する総論（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，Ｖｏｌ．６０，Ｎｏ．11，１Ｄｅｃｅｍｂ
ｅｒ１９８６）には、キャリア密度を向上させる、つ
まり比抵抗を低下させると、見かけ上のエネルギーバン
ドギャップが広がり、光吸収端がより短波長側にシフト
する、Ｂｕｒｓｔｅｉｎ−Ｍｏｓｓ効果が記されてい
る。

【００１１】しかしながら、ＩＴＯ薄膜の成膜後に熱処
理を施して、結晶化させる方法は、１２０℃、好ましく
は１５０℃を超える長時間の熱処理が必要であり、製造
工程が複雑になるばかりか、基体であるプラスチックフ
ィルムの熱変形によりフィルムが大きくカールしたり、
それに伴ってＩＴＯ薄膜自体にマイクロクラックが発生
するなどの不具合があり、さらにプラスチックフィルム
の低分子成分が表面へ析出し、基体自体の透明性が損な
われる問題がある。

【００１２】また、キャリア密度を向上させて短波長側
の透過率を上昇させる方法は、いわば、ＩＴＯ薄膜の化
学量論的組成を常に最適に保つ必要があるが、スパッタ
リング時の酸素導入量の変動によるキャリア密度の変化
により、微妙に透過率が変化するという問題点がある。
また根本的に、通常の反応性スパッタリングで最もキャ
リア密度が高くなるＩＴＯ薄膜を作製したとしても、短
波長側の透過率は必ずしも、満足できるほど高いものは
得られないのが現状である。

【００１３】そもそも、酸化インジウムのエネルギーバ
ンドギャップは、Ｂｕｒｓｔｅｉｎ−Ｍｏｓｓ効果を無
視したとしても、３．５ｅＶかそれ以上であると報告さ
れている。これは、光の波長でおおよそ３５５ｎｍに相
当する。したがって、酸化インジウムが完全に結晶化し
ている状態であれば、可視光領域に光吸収などは発現し
ないはずである。しかし、実際のＩＴＯ薄膜は、Ｓｉ単
結晶のように完全に結晶状態にあるわけではないため、
バンドティルの広がりが発生して、バンドギャップ以下
のエネルギー領域で光吸収が発現すると考えられる。

【００１４】また、ドーバントである酸化錫の添加によ
り、格子欠陥が発生したり、もともと酸化インジウム自
体が酸素空孔などの格子欠陥ができやすい格子構造をと
ることに起因して、バンドギャップ内にエネルギー準位
ができる。よって、実際のＩＴＯ薄膜を考えると、結晶
性、不純物準位、化学量論的組成比、キャリアの密度な
どの影響が互いに複雑に影響し合い、結局、透過率とく
に短波長側での透過率を向上させるための有効な施策は
見い出されていないのが現状である。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に照らし、透明基体の表面に高屈折率透明薄膜と銀
系透明導電体薄膜を繰り返し積層して、銀系透明導電体
薄膜を高屈折率透明薄膜で挟んだ構成の透明積層体を製
造する方法において、上記の高屈折率透明薄膜をスパッ
タリング法により形成するにあたり、短波長域での可視
光線透過率の高い高屈折率透明薄膜を形成することによ
り、短波長域での可視光線透過率の低下の少ない、ＰＤ
Ｐ用フィルタなどに好適に使用できる上記透明積層体を
製造すること、また上記高屈折率透明薄膜を速い成膜速
度で形成することにより、上記透明積層体を生産性よく
製造することを目的としている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】スパッタリング法では、
一般に、スパッタリング時の放電電圧にてスパッタリン
グガスであるアルゴンイオンが加速され、ターゲットの
表面に衝突する際に、ターゲット構成原子をたたき出す
ことで、基体上に薄膜が形成される。高エネルギーでタ
ーゲットに衝突したアルゴンイオンは電子を受け取り、
中性アルゴン原子となると同時に、反跳アルゴン原子と
して、基体上に高エネルギーでもって衝突する。この現
象は、とくにアルゴン原子よりも原子量の大きいターゲ
ット材料を用いた場合に顕著であり、インジウムはまさ
にそれに相当する。

【００１７】このように膜中に打ち込まれたアルゴンは
格子欠陥となり、格子ひずみなどの原因となることはよ
く知られている。たとえば、特開平７−２５８８２７号
公報には、金属薄膜をスパッタリング法で成膜するにあ
たり、スパッタリングガスとして、アルゴンに代えて、
原子量、原子半径の大きいクリプトンを使用して、膜中
に打ち込まれる反跳原子を低減して、金属薄膜の格子ひ
ずみを低減し、これにより低比抵抗の金属薄膜を形成す
る製造方法が開示されている。

【００１８】本発明者らは、膜中に取り込まれる反跳原
子量に注目し、これと高屈折率透明薄膜の透明性との関
係を調べたところ、膜中に含有されるアルゴン量が少な
いほど、短波長域の透過率が向上し、アルゴン量が膜中
で０．０５原子％以下となると、短波長域での透過率が
高く、黄ばみなどの発生しない高屈折率透明薄膜が得ら
れることがわかった。これは、膜中に打ち込まれた反跳
原子が格子欠陥としてエネルギーバンドギャップやバン
ドティルの特性、不純物準位などに大きな影響を及ぼす
ためではないかと思われる。クリプトンを用いて低比抵
抗の金属薄膜を形成する前記公報には、上記反跳原子と
透過率との関係は示されていない。

【００１９】高屈折率透明薄膜に打ち込まれる反跳原子
を低減する方法として、スパッタリング時の圧力を高く
して反跳原子の平均自由行程を小さくし、粒子問の衝突
回数を増やしてそのエネルギーを小さくする方法が考え
られる。しかし、この方法はは、実際に堆積される被ス
パッタ粒子の衝突回数までもが増加してしまうため、成
膜された膜の密度が低下し、いわゆるポーラスな膜とな
って、屈折率が低下したり、防湿膜であればその防湿性
が低下することになる。また、スパッタリング電力を低
下して、遅い成膜速度で薄膜を形成すると、反跳原子の
エネルギーも低下するため、膜中に打ち込まれる反跳原
子量を低減できるはずである。しかし、この方法では、
成膜速度が著しく低下することになる。

【００２０】これらのことから、スパッタリング時の圧
力は０．５Ｐａ以下であるのが望ましく、この場合、被
スパッタ粒子の平均自由行程は十分ターゲットと基体間
の距離を超えるため、膜の密度が低下せず、緻密な膜を
形成できる。また、スパッタリング電力は、通常ではタ
ーゲット面積あたり３Ｗ／cm²程度であるが、これより
低くするのは良くなく、むしろ４Ｗ／cm²以上の大きな
電力とするのが望ましく、この場合、この電力にほぼ比
例して成膜速度を向上できる。

【００２１】一方、このように低いスパッタリング圧力
で、４Ｗ／cm²以上の大きなスパッタリング電力で成膜
すると、通常相当量の反跳原子が打ち込まれ、短波長側
の透過率の低い薄膜となってしまう。本発明者らは、こ
の問題の克服のため、さらに検討した結果、上記条件で
成膜する際に、その放電電圧を４００Ｖ以下の低い値に
設定すると、膜中に打ち込まれる反跳原子の量を抑制で
きることがわかった。つまり、上記の放電電圧は、アル
ゴンイオンがターゲットに衝突する加速電圧に相当し、
この放電電圧を低くすると、反跳原子の運動エネルギー
も低下し、膜中に打ち込まれるアルゴン量が低減される
のである。

【００２２】このように、本発明者らは、スパッタリン
グガスとして使用するアルゴンガスが薄膜中に不純物と
して取り込まれる量と短波長側での透過率との間に大き
な関係があり、上記ガスの構成原子であるアルゴンの含
有量が膜中で０．０５原子％以下となるようにすると、
短波長側での透過率が高く、黄ばみなどの発生しない高
屈折率透明薄膜が得られ、この方法を、銀系透明導電体
薄膜を高屈折率透明薄膜で挟んだ構成の透明積層体の製
造に応用することにより、短波長域での可視光線透過率
の低下の少ない上記透明積層体を製造できることがわか
った。

【００２３】また、上記した高屈折率透明薄膜の形成に
あたり、スパッタリング時の圧力を０．５Ｐａ以下、ス
パッタリング電力をターゲット面積あたり４Ｗ／cm²以
上として、その際の放電電圧を４００Ｖ以下に保って、
スパッタリング操作すると、アルゴン含有量が膜中で
０．０５原子％以下の高屈折率透明薄膜を速い成膜速度
で形成でき、この方法を、銀系透明導電体薄膜を高屈折
率透明薄膜で挟んだ構成の透明積層体の製造に応用する
ことにより、短波長域での可視光線透過率の低下の少な
い上記透明積層体を生産性よく製造できることがわかっ
た。

【００２４】さらに、本発明者らは、上記の製造方法に
よると、波長４５０ｎｍにおける可視光線透過率が６０
％以上である透明積層体を製造することができ、このた
め、色素や染料による色調整の自由度が増すばかりか、
ＰＤＰの青色発光領域の透過率を十分高く設計したＰＤ
Ｐ用フィルタが得られることがわかった。また、本発明
者らは、上記の製造方法により透明積層体を得るにあた
り、高屈折率透明薄膜と銀系透明導電体薄膜との繰り返
し単位をとくに３回として、その最外層の高屈折率透明
薄膜上に透明接着材料を介して反射防止ないし映り込み
防止フィルムを貼り合わせる構成とすると、可視光線透
過率、可視光線反射率、電磁波シールド性、近赤外線カ
ット性、耐久性などの面で、ＰＤＰ用フィルタとして最
も好適に使用できる透明積層体が得られるものであるこ
ともわかった。

【００２５】本発明は、以上の知見をもとにして、完成
されたものである。すなわち、本発明は、透明基体の表
面に、高屈折率透明薄膜と銀系透明導電体薄膜を１単位
としてｎ単位（ｎ＝１〜４）が順次繰り返し積層され、
その面上に高屈折率透明薄膜が形成された透明積層体の
製造において、上記の高屈折率透明薄膜をスパッタリン
グ法により形成するにあたり、薄膜中に含有されるスパ
ッタリングガスの構成原子が０．０５原子％以下となる
ようにスパッタリングを行うことを特徴とする透明積層
体の製造方法に係るものであり、とくに、上記のスパッ
タリングガスがアルゴンガスであり、その構成原子がア
ルゴンである上記構成の透明積層体の製造方法に係るも
のである。

【００２６】また、本発明は、高屈折率透明薄膜が酸化
インジウムを主成分とする金属酸化物からなる上記構成
の透明積層体の製造方法と、銀系透明導電体薄膜の各厚
さが５〜２０ｎｍの範囲内であり、透明基体の表面上の
高屈折率透明薄膜と最外層の高屈折率透明薄膜の各厚さ
が２０〜５０ｎｍの範囲内であり、それ以外の中間に位
置する高屈折率透明薄膜の各厚さが４０〜１００ｎｍの
範囲内である上記構成の透明積層体の製造方法とに係る
ものである。

【００２７】さらに、本発明は、スパッタリングターゲ
ットに、０．５Ｐａ以下の圧力下、ターゲット面積あた
り４Ｗ／cm²以上のスパッタリング電力を印加し、その
際の放電電圧を４００Ｖ以下に保って、スパッタリング
を行うことにより、スパッタリングガスの構成原子の含
有量が０．０５原子％以下である高屈折率透明薄膜を形
成する上記構成の透明積層体の製造方法に係るものであ
る。

【００２８】また、本発明は、上記の方法で製造された
高屈折率透明薄膜中のスパッタリングガスの構成原子の
含有量が０．０５原子％以下であることを特徴とする透
明積層体を提供することができる。さらに、本発明は、
高屈折率透明薄膜と銀系透明導電体薄膜との繰り返し単
位数ｎが３で、最外層の高屈折率透明薄膜上に透明接着
材料を介して反射防止ないし映り込み防止フィルムが貼
り合わされてなる上記構成の透明積層体、波長４５０ｎ
ｍにおける可視光線透過率が６０％以上である上記構成
の透明積層体を提供することができる。また、本発明
は、これらの透明積層体を用いたＰＤＰ用フィルタを提
供することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明において、高屈折率透明薄
膜を形成するためのスパッタリング法には、ＲＦ（高周
波）マグネトロンスパッタリング法、ＤＣ（直流）マグ
ネトロンスパッタリング法、パルスＤＣマグネトロンス
パッタリング法、デュアルマグネトロンスパッタリング
法などがある。スパッタリングターゲットが酸化インジ
ウムを主成分とする金属酸化物などの導電性材料からな
るときは、ＤＣスパッタリング法が可能であり、簡潔か
つ安価な電源でもって速い成膜速度で高屈折率透明薄膜
を形成できるので、とくに好ましく用いることができ
る。

【００３０】高屈折率透明薄膜を形成する際のスパッタ
リングガスには、アルゴン、キセノン、クリプトンなど
の通常用いられる不活性ガスを使用できるが、とくに好
ましいスパッタリングガスはアルゴンガスである。スパ
ッタリング雰囲気としては、このようなスパッタリング
ガスとともに、膜の化学量論的組成を補正するため、た
とえば、少量の反応性ガスとして酸素を導入したり、ス
パッタリング時の放電電圧を低減するためのガス成分や
水分などを導入することができる。

【００３１】高屈折率透明薄膜を形成するためのスパッ
タリングターゲットには、成膜後の薄膜が光学的な透明
性を有し、かつ光学設計において所望の光学特性を達成
しうる高い屈折率、通常は１．８〜２．３の屈折率を示
す材料が用いられる。これは単一の材料でも複数材料を
焼結した材料でもよい。銀系透明導電体膜のマイグレー
ション防止効果や水、酸素のバリア効果がある材料は、
とくに好ましく用いられる。また、通常、上記特性を示
す金属酸化物などの材料がそのまま用いられるが、場合
により、金属材料を使用して、これを反応性スパッタリ
ングにより金属酸化物などからなる高屈折率透明薄膜と
することもできる。

【００３２】高屈折率透明薄膜の構成材料には、酸化イ
ンジウム、酸化錫、二酸化チタン、酸化セリウム、酸化
ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化タンタル、五酸化ニオ
ブ、二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム
などの金属酸化物のほか、窒化珪素などの金属窒化物、
フッ化マグネシウムなどの金属ハロゲン化物、硫化亜鉛
などの金属硫化物などから選ばれる１または２以上の化
合物が挙げられる。これらの中でも、酸化インジウムを
主成分とし、これに二酸化チタン、酸化錫、酸化セリウ
ムなどを少量含有させた金属酸化物は、銀系透明導電体
膜の劣化防止効果があるばかりか、電気導電性を有する
ため、銀系透明導電体膜との間の電気的導通が取りやす
いという観点から、とくに好ましく用いられる。

【００３３】本発明では、スパッタリング装置内に、上
記のスパッタリングガスと必要により反応性ガスとして
酸素ガスなどを導入し、０．５Ｐａ以下、好ましくは
０．３Ｐａ以下（通常、０．０５Ｐａまで）の圧力に調
整し、上記のスパッタリングターゲットに対し、ターゲ
ット面積あたり４Ｗ／cm²以上、好ましくは５Ｗ／cm²
以上（通常、１０Ｗ／cm²まで）のスパッタリング電力
を印加し、その際の放電電圧を４００Ｖ以下、好ましく
は３８０Ｖ以下（通常、２５０Ｖ以上）に保って、スパ
ッタリングを行うことにより、高屈折率透明薄膜を形成
する。

【００３４】ここで、放電電圧を４００Ｖ以下に低減す
る方法としては、アルゴンガスを代表例とするスパッタ
リングガス中に放電開始電圧を低減させるようなガスを
導入する方法がある。また、水分をスパッタリング装置
内に導入すると、その水分がスパッタリングターゲット
表面に吸着して、ターゲット材料の仕事関数を低下させ
るため、放電電圧を低下する効果が得られる。これらの
導入成分は、通常の雰囲気下で気体である必要はなく、
水分に代表される液体を気化させたり、アルゴンガスな
どに含ませて導入しもよく、とくに限定されない。

【００３５】その他の方法として、Ｓｕｇｉｓａｔｏら
〔Ｙ．Ｓｕｇｉｓａｔｏａｔａｌ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．７１（７），１１９９２〕がマグネトロン
強度とスパッタリング電圧の関係や各条件で作製したＩ
ＴＯ薄膜の電気伝導性について報告しているように、マ
グネトロンの磁力を強める方法も有効である。また、特
開平８−３２５７２７号公報に開示されているように、
マイクロ波プラズマを補助的に利用した、低電圧スパッ
タリング方法も有効である。

【００３６】このようにして形成される高屈折率透明薄
膜、とくに好ましくは酸化インジウムを主成分とする金
属酸化物からなる高屈折率透明薄膜は、上記低い放電電
圧下で成膜されたものであるため、薄膜中に打ち込まれ
る反跳原子が少なくなって、スパッタリングガスの構成
原子の含有量、代表的にはアルゴンガスの構成原子であ
るアルゴンの含有量が、薄膜中０．０５原子％以下、好
ましくは０．０１原子％以下、さらに好ましくはほとん
ど含有しない状態となる。

【００３７】なお、特開平１０−４６３３０号公報に開
示される対向ターゲット式スパッタ装置によると、反跳
原子の成膜面への衝突が低減され、膜中に打ち込まれる
アルゴン量を低減しうる効果があるものと期待される。
そこで、この方法を、上記の放電電圧を低減する方法に
代えて用いるか、あるいは両法を併用して、アルゴン含
有量が薄膜中０．０５原子％以下となるようにすること
もできる。

【００３８】なおまた、本発明において、高屈折率透明
薄膜中のスパッタリングガスの構成原子（代表的にはア
ルゴン）の含有量を知るためには、たとえば、金原氏の
著書「スパッタリング現象」（東京大学出版会、１，９
８４年）に記されているように、加熱によるガスの放出
を利用して、その放出ガス量を質量分析計で測定した
り、蛍光Ｘ線やＥＰＭＡ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｒｏｂ
ｅＭｉｃｒｏａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて組成分析を
行うことにより、知ることができる。分析する薄膜が１
００ｎｍ以下、５０ｎｍ以下であっても、全反射法を用
いた蛍光Ｘ線分析なども開発されており、これらの含有
量を知ることは可能で、後述する銀系透明導電体薄膜と
の多層膜となっていても、とくに問題はない。

【００３９】このように、上記方法で形成される高屈折
率透明薄膜は、スパッタリングガスの構成原子の含有量
が０．０５原子％以下であることにより、可視光線透過
率、とくに波長４００〜４５０ｎｍの短波長域での可視
光線透過率が高く、黄ばみなどの少ない、クリアーな色
目を呈するものとなる。しかも、０．５Ｐａ以下の低い
圧力下で成膜したことにより、薄膜の密度が高く、材料
本来の高い屈折率を有しており、さらに４Ｗ／cm²以上
の大きなスパッタリング電力で成膜したことにより、そ
の成膜速度が速いという利点をも有している。

【００４０】本発明においては、上記した高屈折率透明
薄膜の形成方法を、銀系透明導電体薄膜を高屈折率透明
薄膜で挟んだ構成の透明積層体の製造に応用したことを
特徴とする。すなわち、透明基体の表面に、高屈折率透
明薄膜と銀系透明導電体薄膜を１単位としてｎ単位（ｎ
＝１〜４）を順次繰り返し積層し、その面上に高屈折率
透明薄膜を形成して、透明積層体を製造するにあたり、
高屈折率透明薄膜を上記した特定のスパッタリング法で
形成することを特徴としており、これによれば高屈折率
透明薄膜の前記特性に基づいて、短波長域での可視光線
透過率の低下の少ない透明積層体を製造でき、また高屈
折率透明薄膜の速い成膜速度に基づき、上記透明積層体
を生産性よく製造できるという効果が奏される。

【００４１】このような透明積層体の製造において、通
常は、透明基体上に形成される高屈折率透明薄膜のすべ
ての層が上記した特定のスパッタリング法で形成され
て、上記薄膜のすべての層が前記特性、つまり短波長域
での可視光線透過率が高いなどの特性を有していること
が望ましい。しかし、本発明の上記効果が大きく損なわ
れない限り、場合により、高屈折率透明薄膜の一部の層
を従来公知のスパッタリング法などで形成しても差し支
えない。また、透明基体上に形成される高屈折率透明薄
膜は、本発明の上記効果を維持する限り、そのすべての
層の材料や屈折率が同一である必要はとくになく、それ
ぞれが異なっていてもよい。

【００４２】本発明において、透明基体としては、可視
光領域における透明性を有し、ある程度表面が平滑であ
れば、各種の材料を広く使用できる。ガラス板、ポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）板、ポリカーボネート
板などのフィルム以外のものであってもよいが、透明基
体を走行させながらこの上に高屈折率透明薄膜および銀
系透明導電体薄膜を連続的に成膜してその生産性をより
高めるためには、プラスチックフィルムを使用するのが
望ましい。

【００４３】このようなプラスチックフィルムとして
は、ポリエチレンテレフタレート、トリアセチルセルロ
ース、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホ
ン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエ−テ
ルエーテルケトン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポ
リイミドなどからなる高分子フィルムが用いられるが、
これらに限定されない。厚さは、ドライプロセスで熱ジ
ワなどの問題が生じなければ、とくに制限はないが、通
常１０〜２５０μｍであるのがよい。

【００４４】また、このような透明基体の片面または両
面にハードコート層を設けたり、光学特性を調整するた
め、他の層を設けてもよく、透明基体の表面状態や構成
などについて、とくに制限はない。透明基体は、あらか
じめその表面にスパッタリング処理、コロナ処理などの
エッチング処理を施したり、高屈折率透明薄膜と透明基
体との密着性を向上させる易接着層を形成していてもよ
い。なお、このような透明基体上に高屈折率透明薄膜と
銀系透明導電体薄膜を成膜するにあたり、透明基体は加
熱しても、冷却してもよく、成膜条件や透明基体の耐熱
性などを考慮して、最適な温度に設定することができ
る。

【００４５】本発明において、銀系透明導電体薄膜の成
膜方法については、特別な限定はなく、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法を含めた任意の真空プロセスによ
って成膜することが可能である。しかし、高屈折率透明
薄膜と銀系透明導電体薄膜との成膜をひとつの真空装置
内で連続して行う観点から、スパッタリング法を採用し
て行うのが望ましい。この場合、アルゴンガスなどのス
パッタリングのみを用いた通常のスパッタリング法を採
用して行えばよく、スパッタリング法の種類について
も、高屈折率透明薄膜の場合と同様に種々の方法を採用
できるが、ＤＣスパッタリング法がとくに好ましく用い
られる。

【００４６】銀系透明導電体薄膜の材料は、８０重量％
以上の銀と、金、銅、パラジウム、白金、マンガン、カ
ドニウムから選択された１つまたは２つ以上の他の金属
とより、構成される。銀は、金属材料の中で最も電気導
電率が高く、光吸収が小さく光学的な透明性にもすぐれ
ているが、空気中の湿気、硫黄、塩素などに劣化しやす
い。電気伝導性、光学的透明性、耐劣化性の点より、９
０〜９９重量％の銀と上記他の金属１０〜１重量％を固
溶させた材料がとくに好ましい。銀中に１０〜１重量％
の金を固溶させたものは、銀の劣化防止の点より、最も
好ましい。１０重量％を超えて金を混入すると、着色の
ため透明性が損なわれやすく、電気伝導率の低下も大き
く、１重量％未満では銀の劣化が起こりやすい。

【００４７】このように製造される本発明の透明積層体
は、既述のとおり、透明基体の表面に高屈折率透明薄膜
と銀系透明導電体薄膜を１単位としてｎ単位（ｎ＝１〜
４）が順次繰り返し積層され、その面上に高屈折率透明
薄膜が形成されてなり、かつ高屈折率透明薄膜中のスパ
ッタリングガスの構成原子の含有量が０．０５原子％以
下であることを特徴としたものである。ここで、上記の
繰り返し単位ｎが４を超えると、可視光線透過率などの
面で好結果が得られない。

【００４８】このような透明積層体において、各薄膜の
厚み構成に関しては、良好な光学特性が得られるよう
に、光学設計すればよく、とくに限定されない。一般に
は、銀系透明導電体薄膜の各厚さが５〜２０ｎｍの範囲
内であり、透明基体の表面上の高屈折率透明薄膜と最外
層の高屈折率透明薄膜の各厚さが２０〜５０ｎｍの範囲
内であり、それ以外の中間に位置する高屈折率透明薄膜
の各厚さが４０〜１００ｎｍの範囲内であるのが望まし
い。

【００４９】このように構成される本発明の透明積層体
は、波長４５０ｎｍでの可視光線透過率が６０％以上と
高く、このため、色素や染料による色調整の自由度が増
し、ＰＤＰの青色発光領域の透過率を十分に高く設計し
たＰＤＰ用フィルタとして、利用できる。たとえば、透
明基体中に各種の色素や染料を分散させるなどして、透
明積層体の色目をＰＤＰ用フィルタに好適に使用できる
ように色調整を行うことができるし、これらの色素や染
料を任意の薄膜中に添加したり、これらを分散させたフ
ィルムなどを新たに積層することもできる。

【００５０】また、上記の透明積層体において、光学特
性や耐久性をより改善するために、その最外層の高屈折
率透明薄膜上に、透明接着材料を介して、反射防止ない
し映り込み防止フィルムを貼り合わせることにより、Ｐ
ＤＰ用フィルタとしてさらに適したものとすることがで
きる。とくに、高屈折率透明薄膜と銀系透明導電体薄膜
との繰り返し単位数ｎを３として、上記貼り合わせ後
も、波長４５０ｎｍでの可視光線透過率が６０％以上と
なるように保持したものでは、可視光線透過率、可視光
線反射率、電磁波シールド性、近赤外線カット性、耐久
性などの点より、ＰＤＰ用フィルタとして最も好適に使
用することができる。

【００５１】ここで使用する反射防止ないし映り込み防
止フィルムは、基材フィルム表面に適宜の反射防止処理
や映り込み防止処理を施してなる公知のフィルムを使用
することができ、またこれを貼り合わせるための透明接
着材料は、粘着剤であっても接着剤であってもよく、ア
クリル系、天然または合成ゴム系などの硬化型ないし非
硬化型の公知の接着材料が広く使用できるものである。

【００５２】本発明の透明積層体は、上述のとおり、Ｐ
ＤＰ用フィルタとして、最も好適に用いられるが、その
他、透明電極、透明熱線反射膜、一般のディスプレイ用
透明電磁波シールド膜など、公知の用途に幅広く使用で
きる。これらの使用に際し、可視光線透過率、とくに波
長４００〜４５０ｎｍの短波長域での可視光線透過率の
高い透明積層体として、その利点を生かせるものであ
る。

【００５３】

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例にのみ
限定されない。以下、ガス流量に用いた単位（ＳＣＣ
Ｍ）は、標準状態に換算した気体流量（Ｓｔａｎｄａｒ
ｄＣｕｂｉｃＣｅｎｔｉｍｅｔｅｒｐｅｒＭｉ
ｎｕｔｅ）を示すものである。

【００５４】実施例１透明基体として、幅が３００mm、厚さが１２５μｍのポ
リエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという）フィ
ルムのロール原反を、スパッタリングターゲットが２つ
配置できるロール・トウ・ロール式スパッタリング装置
に取り付けた。高屈折率透明薄膜を形成するスパッタリ
ングターゲット材料には、Ｉｎ₂Ｏ₃：ＳｎＯ₂＝９５
重量％：５重量％（以下、単にＩＴＯと略記する）を用
い、銀系透明導電体膜を形成するスパッタリングターゲ
ット材料には、Ａｇ：Ａｕ＝９７重量％：３重量％（以
下、単にＡｇと略記する）を用いた。スパッタリングタ
ーゲットサイズは、すべて、長さ６００mm×幅１５０mm
×厚さ６mmである。また、ＩＴＯターゲット表面の磁界
強度は２８０Ｔであった。

【００５５】製造する透明積層体の構成は、ＰＥＴフィ
ルム／ＩＴＯ薄膜（３８ｎｍ）／Ａｇ薄膜（９ｎｍ）／
ＩＴＯ薄膜（７５ｎｍ）／Ａｇ薄膜（１３ｎｍ）／ＩＴ
Ｏ薄膜（７５ｎｍ）／Ａｇ薄膜（１５ｎｍ）／ＩＴＯ薄
膜（３８ｎｍ）である。ただし、上記の（）内は各薄
膜の膜厚を示したものであり、上記積層体の構成は、透
明積層体の透明性の比較が行いやすくなるように、可視
光線反射率が極力小さくなるように光学設計したもので
ある。

【００５６】最初に、真空チャンバ内を２×１０^-4Ｐａ
まで排気したのち、装置外部に設置してあるタンク内の
水（２５℃）を通過させたアルゴンガスを２０ＳＣＣ
Ｍ、水を通過させない通常のアルゴンガスを４０ＳＣＣ
Ｍ、酸素ガスを１．５ＳＣＣＭ、それぞれ導入し、真空
ポンプのバルブを調整することにより、圧力を０．２Ｐ
ａに設定した．このとき、真空チャンバ内の酸素および
水の分圧を４重極型質量分析計（アネルバ社製の「Ｍ−
０６６」）を用いて測定したところ、酸素分圧は２．１
×１０^-3Ｐａ、水分圧は１．１×１０^-2Ｐａであった。
これらの値は、計算から得られる分圧より低くなってい
るが、これは質量分析計の検出器がチャンバの外部に位
置しているためであり、実際の酸素および水の分圧比は
上記値に近いものと考えられる。

【００５７】その後、ＩＴＯターゲットに対して、ター
ゲット面積あたり５Ｗ／cm²の直流スパッタリング電力
を印加して、ＰＥＴフィルム上に第１層目のＩＴＯ薄膜
（膜厚３８ｎｍ）を形成した。このときの放電電圧は３
５９Ｖ、ロール速度は１．４ｍ／分であった。つぎに、
水を通過させたアルゴンガスと酸素ガスを遮断し、６０
ＳＣＣＭのアルゴンガスを導入したのち、Ａｇターゲッ
トに対して、ターゲット面積あたり１Ｗ／cm²の直流ス
パッタリング電力を印加して、上記第１層目のＩＴＯ薄
膜上に第２層目のＡｇ薄膜（膜厚９ｎｍ）を形成した。
このときのロール速度は３．３ｍ／分であった。

【００５８】さらにその後、目標とする膜厚を得るた
め、ロール速度を変化させた以外は、上記と同様にし
て、ＩＴＯ薄膜およびＡｇ薄膜を繰り返し積層して形成
し、前記構成の透明積層体（ＩＴＯ薄膜およびＡｇ薄膜
の繰り返し単位数ｎ＝３）を製造した。また、これとは
別に、上記と同様の条件で、別のＰＥＴフィルム上に厚
さが１００ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成した。

【００５９】実施例２ＩＴＯ薄膜の形成に際し、ＩＴＯターゲット陰極のマグ
ネットをより強磁力なものに取り変えて、ターゲット表
面の磁界強度を４９０Ｔとし、かつアルゴンガスを装置
外部に設置したタンク内の水を通過させずに、６０ＳＣ
ＣＭ導入した以外は、実施例１と同様の方法により、透
明積層体を製造した。ＩＴＯ薄膜形成時の放電電圧は３
１９Ｖであった。ガスを導入したときの真空チャンバ内
の酸素分圧は１．９×１０^-3Ｐａ、水分圧は３．４×１
０^-4Ｐａであった。また、これとは別に、上記と同様の
条件で、別のＰＥＴフィルム上に厚さが１００ｎｍのＩ
ＴＯ薄膜を形成した。

【００６０】比較例１ＩＴＯ薄膜の形成に際し、アルゴンガスを装置外部に設
置したタンク内の水を通過させずに、６０ＳＣＣＭ導入
した以外は、実施例１と同様の方法により、透明積層体
を製造した。ＩＴＯ薄膜形成時の放電電圧は４３１Ｖで
あった。ガスを導入したときの真空チャンバ内の酸素分
圧は１．９×１０^-3Ｐａ、水分圧は３．４×１０^-4Ｐａ
であった。また、これとは別に、上記と同様の条件で、
別のＰＥＴフィルム上に厚さが１００ｎｍのＩＴＯ薄膜
を形成した。

【００６１】比較例２ＩＴＯ薄膜の形成に際し、装置外部に設置したタンク内
の水を通過させたアルゴンガスを５ＳＣＣＭ導入し、同
時に、水を通過させない通常のアルゴンガスを５５ＳＣ
ＣＭ導入した以外は、実施例１と同様の方法により、透
明積層体を製造した。ＩＴＯ薄膜形成時の放電電圧は４
１２Ｖであった。また、これとは別に、上記と同様の条
件で、別のＰＥＴフィルム上に厚さが１００ｎｍのＩＴ
Ｏ薄膜を形成した。

【００６２】比較例３マグネットを取り変え、ターゲット表面の磁界強度を３
００Ｔとし、かつアルゴンガスを装置外部に設置したタ
ンク内の水を通過させずに、６０ＳＣＣＭ導入した以外
は、実施例１と同様の方法により、透明積層体を製造し
た。ＩＴＯ薄膜形成時の放電電圧は４０９Ｖであった。
また、これとは別に、上記と同様の条件で、別のＰＥＴ
フィルム上に厚さが１００ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成し
た。

【００６３】上記の実施例１，２および比較例１〜３の
各透明積層体について、下記の方法により、ＩＴＯ薄膜
中のアルゴン含有量、ＩＴＯ薄膜のポテンシャル透過
率、透明積層体の可視光線透過率を測定した。これらの
結果は、表１に示されるとおりであった。また、代表デ
ータとして、実施例１および比較例１の透明積層体につ
いて、図１にＩＴＯ薄膜のポテンシャル透過率スペクト
ルを、図２に透明積層体の透過率スペクトルを、それぞ
れ示した。両図中、曲線−１ａ，２ａは実施例１の結
果、曲線−１ｂ，２ｂは比較例１の結果、である。

【００６４】＜アルゴン含有量＞測定サンプルとして、
ＰＥＴフィルム上に形成した厚さが１００ｎｍのＩＴＯ
薄膜を使用した。このサンプルについて、ＩＴＯ薄膜中
に打ち込まれたアルゴン含有量を、Ｒｉｇａｋｕ社製の
蛍光Ｘ線分析装置「ＲＩＸ３０００」を使用し、Ｘ線
源をＲｈ、出力を５０ｋＶ、５０ｍＡ、測定径を２０mm
（直径）として、測定した。これは、ＩＴＯ薄膜中のＩ
ｎ、Ｓｎ、Ａｒの元素比から、ＩＴＯ薄膜中に含有され
るアルゴン含有量を算出したものである。なお、蛍光Ｘ
線の検出限界は１０ｐｐｍであるため、検出できなかっ
たものは「検出限界」とした。

【００６５】＜ＩＴＯ薄膜のポテンシャル透過率＞測定
サンプルとして、ＰＥＴフィルム上に形成した厚さが１
００ｎｍのＩＴＯ薄膜を使用した。このサンプルについ
て、大塚電子製の瞬間マルチ測光器「ＭＣＰＤ−３００
０」により、波長３８０〜１，０００ｎｍの可視光領域
における０°入射の透過スペクトルＴ（λ）（％）を測
定した。また、必要に応じ、ＪＩＳＲ−３１０６に準
じて、可視光線透過率を測定した。また、ＰＥＴフィル
ムの裏面を黒塗りし、裏面反射を打ち消した状態で、同
様の可視光域における０°入射の反射スペクトルＲ
（λ）（％）を測定した。また、必要に応じ、ＪＩＳ
Ｒ−３１０６に準じて、可視光線反射率を測定した。こ
れらの測定値を用いて、干渉による反射率の波長依存性
の影響を取り除いたポテンシャル透過率Ｔｐ（λ）
（％）を、つぎの式；Ｔｐ（λ）（％）＝｛Ｔ（λ）／〔１００−Ｒ
（λ）〕｝×１００（％）にしたがって、算出した。

【００６６】＜透明積層体の可視光線透過率＞測定サン
プルとして、透明積層体を使用した。このサンプルにつ
いて、大塚電子製の瞬間マルチ測光器「ＭＣＰＤ−３０
００」により、波長３８０〜１，０００ｎｍの可視光領
域における０°入射の透過スペクトルＴ（λ）（％）を
測定した。また、必要に応じ、ＪＩＳＲ−３１０６に
準じて、可視光線透過率を算出した。

【００６７】

【００６８】上記の表１および図１，２から明らかなよ
うに、ＩＴＯ薄膜中に打ち込まれたアルゴン含有量が
０．０５原子％以下と少ない実施例１，２の透明積層体
は、可視光の短波長域におけるＩＴＯ薄膜の透過率が高
く、透明性にすぐれており、このため、ＩＴＯ薄膜とＡ
ｇ薄膜との合計７層構造の積層体としても、可視光の短
波長域で高い透過率を維持している。これに対して、上
記のアルゴン含有量が非常に多い比較例１の透明積層体
では、可視光の短波長域におけるＩＴＯ薄膜の透過率が
低下し、やや黄色を帯びた色目を呈しており、このた
め、上記した７層構造の積層体とすると、可視光の短波
長域で透過率が著しく低下した。

【００６９】上記の結果を、実施例１と比較例１との対
比により、さらに詳しく説明する。ＩＴＯ薄膜単独の場
合、波長４５０ｎｍでは、実施例１と比較例１との透過
率の差は２．３％であるが、上記７層構造とした透明積
層体の場合、両者の透過率の差は５．２％と大きくなっ
ている。このことから、本発明の方法にしたがって、Ｉ
ＴＯ薄膜を形成することにより、透明積層体としたとき
の可視光の短波長域での透過率の低下を最小限に抑えれ
るものであることがわかる。

【００７０】また、比較例２，３の透明積層体は、比較
例１に比べて、ＩＴＯ薄膜中のアルゴン含有量は少なく
なっているが、０．０５原子％以下にまで低減されてい
ないため、可視光の短波長域でのＩＴＯ薄膜の透過率が
やや低くなり、透明積層体としたときの上記短波長域で
の透過率の低下を十分に抑えられない。

【００７１】実施例３実施例１と同様の方法で、Ａｇ薄膜の膜厚が異なる、下
記の構成の透明積層体（ＩＴＯ薄膜およびＡｇ薄膜の繰
り返し単位数ｎ＝３）を製造した。ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ薄膜（３８ｎｍ）／Ａｇ薄膜
（１２ｎｍ）／ＩＴＯ薄膜（７５ｎｍ）／Ａｇ薄膜（１
２ｎｍ）／ＩＴＯ薄膜（７５ｎｍ）／Ａｇ薄膜（１０ｎ
ｍ）／ＩＴＯ薄膜（３８ｎｍ）つぎに、このように製造した透明積層体における最外層
のＩＴＯ薄膜の上に、市販の反射防止フィルム（日本油
脂社製の商品名「リアルツク２２００」）を、アクリル
系粘着剤を介して貼り合わせ、これをＰＤＰ用フィルタ
とした。

【００７２】比較例４比較例１と同様の方法で、Ａｇ薄膜の膜厚が異なる、下
記の構成の透明積層体（ＩＴＯ薄膜およびＡｇ薄膜の繰
り返し単位数ｎ＝３）を製造した。ＰＥＴフィルム／ＩＴＯ薄膜（３８ｎｍ）／Ａｇ薄膜
（１２ｎｍ）／ＩＴＯ薄膜（７５ｎｍ）／Ａｇ薄膜（１
２ｎｍ）／ＩＴＯ薄膜（７５ｎｍ）／Ａｇ薄膜（１０ｎ
ｍ）／ＩＴＯ薄膜（３８ｎｍ）つぎに、このように製造した透明積層体における最外層
のＩＴＯ薄膜の上に、市販の反射防止フィルム（日本油
脂社製の商品名「リアルツク２２００」）を、アクリル
系粘着剤を介して貼り合わせ、これをＰＤＰ用フィルタ
とした。

【００７３】上記の実施例３および比較例４のＰＤＰ用
フィルタについて、表面抵抗値、可視光線透過率、可視
光線反射率、近赤外線カット率および耐湿熱性を調べ
た。これらの結果は、表２に示されるとおりであった。

【００７４】なお、可視光線透過率および可視光線反射
率については、前記と同様にして、測定した。また、表
面抵抗値は、三菱油化製の「ＬｏｒｅｓｔｅｒＳＰ」
を用いて、四端針法（ＪＩＳＫ７１９４）により、測
定した。さらに、近赤外線カット率は、波長８５０ｎｍ
における値である。また、耐湿熱性は、６０℃，９０％
ＲＨの恒温高湿環境下に１，０００時間放置したのちの
特性変化（表面抵抗の変化、透過・反射スペクトルの変
化、外観の劣化・変化）を調べて、これらの特性変化が
認められないものを「異常なし」、認められるものを
「異常あり」、と判定した。

【００７５】

【００７６】上記表２の結果から明らかなように、実施
例３のＰＤＰ用フィルタは、この種のフィルタに要求さ
れる基本的な特性をすべて満足しており、とくに波長４
５０ｎｍ付近の青色域の透過率の低下が、比較例４のも
のに比べて、非常に小さく、色目を調整する色素や染料
を複合化する場合に、十分に設計の自由度があり、ＰＤ
Ｐの色再現性、色温度、コントラストなどを改善し、視
認性にすぐれるＰＤＰ用フィルタとして好適に使用でき
るものであることがわかる。

【００７７】

【発明の効果】以上のように、本発明においては、透明
基体の表面に高屈折率透明薄膜と銀系透明導電体薄膜と
が繰り返し積層され、その面上に高屈折率透明薄膜が形
成された透明積層体の製造方法において、上記の高屈折
率透明薄膜をスパッタリング法により形成するにあた
り、薄膜中に含有されるスパッタリングガスの構成原子
が０．０５原子％以下となるようにスパッタリングを行
うことにより、可視光線透過率、とくに短波長域での可
視光線透過率の高い高屈折率透明薄膜を形成でき、これ
により短波長域での可視光線透過率の低下の少ない、Ｐ
ＤＰ用フィルタなどに好適に使用できる透明積層体を製
造することができる。

【００７８】また、上記した高屈折率透明薄膜の形成に
あたり、スパッタリング時の圧力を０．５Ｐａ以下、ス
パッタリング電力をターゲット面積あたり４Ｗ／cm²以
上として、その際の放電電圧を４００Ｖ以下に保って、
スパッタリング操作することにより、スパッタリングガ
スの構成原子の含有量が０．０５原子％以下の高屈折率
透明薄膜を速い成膜速度で形成でき、これにより短波長
域での可視光線透過率の低下の少ない上記透明積層体を
生産性よく製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１および比較例１の透明積層体における
高屈折率透明薄膜（ＩＴＯ薄膜）のポテンシャル透過率
スペクトルを示す特性図である。

【図２】実施例１および比較例１の透明積層体における
可視光線透過率スペクトルを示す特性図である。

【符号の説明】

１ａ，２ａ実施例１の結果１ｂ，２ｂ比較例１の結果

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１３Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１３５Ｃ０５８Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ５Ｇ３０７ 13/00 ５０３ 13/00 ５０３Ｂ５Ｇ３２３Ｈ０１Ｊ 9/20 Ｈ０１Ｊ 9/20 Ａ５Ｇ４３５ 11/02 11/02 ＥＨ０４Ｎ 5/66 １０１Ｈ０４Ｎ 5/66 １０１Ａ (72)発明者上田善一大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者稗田嘉弘大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者宮内和彦大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者安積由起子大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内Ｆターム(参考） 2H092 HA04 MA05 NA01 PA01 4F100 AA33B AB24C AB24E AK42 AT00A BA03 BA05 BA07 BA08 BA10A BA10C BA10E EH66 EH662 GB41 GB43 JD06 JG01C JG01E JN01A JN01C JN01E JN06 JN18B JN18D 4K029 AA11 AA25 BA04 BA22 BA45 BA50 BB02 BC08 BC09 BD00 CA05 5C028 AA10 5C040 GH10 JA07 MA03 MA05 5C058 AA11 AB05 BA35 DA01 5G307 FA01 FA02 FB02 FC08 FC09 5G323 BA01 BB05 5G435 AA04 BB06 CC12 GG12 GG33 KK05 KK07 KK10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基体の表面に、高屈折率透明薄膜と
銀系透明導電体薄膜を１単位としてｎ単位（ｎ＝１〜
４）が順次繰り返し積層され、その面上に高屈折率透明
薄膜が形成された透明積層体の製造において、上記の高
屈折率透明薄膜をスパッタリング法により形成するにあ
たり、薄膜中に含有されるスパッタリングガスの構成原
子が０．０５原子％以下となるようにスパッタリングを
行うことを特徴とする透明積層体の製造方法。
【請求項２】スパッタリングガスがアルゴンガスであ
り、その構成原子がアルゴンである請求項１に記載の透
明積層体の製造方法。
【請求項３】高屈折率透明薄膜が酸化インジウムを主
成分とする金属酸化物からなる請求項１または２に記載
の透明積層体の製造方法。
【請求項４】銀系透明導電体薄膜の各厚さが５〜２０
ｎｍの範囲内であり、透明基体の表面上の高屈折率透明
薄膜と最外層の高屈折率透明薄膜の各厚さが２０〜５０
ｎｍの範囲内であり、それ以外の中間に位置する高屈折
率透明薄膜の各厚さが４０〜１００ｎｍの範囲内である
請求項１〜３のいずれかに記載の透明積層体の製造方
法。
【請求項５】スパッタリングターゲットに、０．５Ｐ
ａ以下の圧力下、ターゲット面積あたり４Ｗ／cm²以上
のスパッタリング電力を印加し、その際の放電電圧を４
００Ｖ以下に保って、スパッタリングを行うことによ
り、スパッタリングガスの構成原子の含有量が０．０５
原子％以下である高屈折率透明薄膜を形成する請求項１
〜４のいずれかに記載の透明積層体の製造方法。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の方法で
製造された高屈折率透明薄膜中のスパッタリングガスの
構成原子の含有量が０．０５原子％以下であることを特
徴とする透明積層体。
【請求項７】高屈折率透明薄膜と銀系透明導電体薄膜
との繰り返し単位数ｎが３で、最外層の高屈折率透明薄
膜上に透明接着材料を介して反射防止ないし映り込み防
止フィルムが貼り合わされてなる請求項６に記載の透明
積層体。
【請求項８】波長４５０ｎｍにおける可視光線透過率
が６０％以上である請求項６または７に記載の透明積層
体。
【請求項９】請求項６〜８のいずれかに記載の透明積
層体を用いたプラズマディスプレイパネル用フィルタ。