JP2003139909A - 導電性反射防止膜および陰極線管用ガラスパネル - Google Patents
導電性反射防止膜および陰極線管用ガラスパネルInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】充分なコントラストを確保でき、基体（裏面）
側および膜面側の低反射性能および電磁波遮蔽性能を併
せ持ち、ＣＲＴの製造工程における熱処理後もこれらの
性能が維持され、低コストで製造可能な導電性反射防止
膜および該導電性反射防止膜が形成されたＣＲＴ用ガラ
スパネルの提供。 【解決手段】基体側から、幾何学的膜厚が１〜４０ｎｍ
であって、Ｓｎ、ＩｎおよびＺｎのうち少なくとも１種
の金属の酸化物を主成分とする透明導電膜、幾何学的膜
厚が１〜１０ｎｍの光吸収膜、屈折率が１．２〜１．８
の低屈折率膜が順次積層された導電性反射防止膜および
該導電性反射防止膜が形成されたＣＲＴ用ガラスパネ
ル。
側および膜面側の低反射性能および電磁波遮蔽性能を併
せ持ち、ＣＲＴの製造工程における熱処理後もこれらの
性能が維持され、低コストで製造可能な導電性反射防止
膜および該導電性反射防止膜が形成されたＣＲＴ用ガラ
スパネルの提供。 【解決手段】基体側から、幾何学的膜厚が１〜４０ｎｍ
であって、Ｓｎ、ＩｎおよびＺｎのうち少なくとも１種
の金属の酸化物を主成分とする透明導電膜、幾何学的膜
厚が１〜１０ｎｍの光吸収膜、屈折率が１．２〜１．８
の低屈折率膜が順次積層された導電性反射防止膜および
該導電性反射防止膜が形成されたＣＲＴ用ガラスパネ
ル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は導電性反射防止膜に
関し、また、導電性反射防止膜を形成した陰極線管用ガ
ラスパネルに関する。
関し、また、導電性反射防止膜を形成した陰極線管用ガ
ラスパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの急速な広がりとと
もに端末オペレータの作業環境を改善するために、ディ
スプレイ表面の反射低減や陰極線管（以下、ＣＲＴとも
いう）表面の帯電防止が要求されつつあり、さらに最近
ではコントラスト向上のためにＣＲＴ用ガラスパネル
（以下、単に「ガラスパネル」ともいう）の透過率を低
下させたり、また人体に影響を及ぼす極低周波の電磁波
を遮蔽することが求められている。
もに端末オペレータの作業環境を改善するために、ディ
スプレイ表面の反射低減や陰極線管（以下、ＣＲＴとも
いう）表面の帯電防止が要求されつつあり、さらに最近
ではコントラスト向上のためにＣＲＴ用ガラスパネル
（以下、単に「ガラスパネル」ともいう）の透過率を低
下させたり、また人体に影響を及ぼす極低周波の電磁波
を遮蔽することが求められている。
【０００３】これらの要求の答えるために、ＣＲＴ表示
面には様々な表面処理が施され、外光反射の低減、コン
トラスト向上や帯電防止、電磁波遮蔽などの機能を付与
することが行われている。具体的な事例としては例えば
特開昭６０−１６８１０２号公報には、低屈折率誘電体
膜、高屈折率誘電体膜、高屈折率導電膜を組み合わせて
反射防止膜を構成することが記載されている。この反射
防止膜により表面視感反射率を０．３％以下、表面シー
ト抵抗を１ｋΩ／□以下とし、電磁波遮蔽効果を付与さ
せている。
面には様々な表面処理が施され、外光反射の低減、コン
トラスト向上や帯電防止、電磁波遮蔽などの機能を付与
することが行われている。具体的な事例としては例えば
特開昭６０−１６８１０２号公報には、低屈折率誘電体
膜、高屈折率誘電体膜、高屈折率導電膜を組み合わせて
反射防止膜を構成することが記載されている。この反射
防止膜により表面視感反射率を０．３％以下、表面シー
ト抵抗を１ｋΩ／□以下とし、電磁波遮蔽効果を付与さ
せている。
【０００４】また、吸収膜を用いてコントラストを改善
させた例として、特開昭６４−７０７０１号公報にはガ
ラス基体上に膜厚４ｎｍのステンレス膜、２９ｎｍの酸
化チタン膜、９５ｎｍのシリカ膜を、真空蒸着法により
積層した反射防止膜が記載されており、この構成により
視感反射率を０．３％以下、表面シート抵抗を１ｋΩ／
□以下とし、また可視光透過率を数十％低下させてコン
トラストの改善を図っている。
させた例として、特開昭６４−７０７０１号公報にはガ
ラス基体上に膜厚４ｎｍのステンレス膜、２９ｎｍの酸
化チタン膜、９５ｎｍのシリカ膜を、真空蒸着法により
積層した反射防止膜が記載されており、この構成により
視感反射率を０．３％以下、表面シート抵抗を１ｋΩ／
□以下とし、また可視光透過率を数十％低下させてコン
トラストの改善を図っている。
【０００５】また、特表平６−５１０３８２号公報には
ガラス基体上に順に、窒化ニオブ膜、酸化チタン膜、さ
らにシリカ膜を積層した反射防止膜が提案されている。
また、ドイツ公開特許ＤＥ３９４２９９０号公報には、
基体側から順に、誘電体を形成する金属酸化物膜、窒化
物膜、誘電体を形成する金属酸化物膜という構成の反射
防止膜が提案されている。
ガラス基体上に順に、窒化ニオブ膜、酸化チタン膜、さ
らにシリカ膜を積層した反射防止膜が提案されている。
また、ドイツ公開特許ＤＥ３９４２９９０号公報には、
基体側から順に、誘電体を形成する金属酸化物膜、窒化
物膜、誘電体を形成する金属酸化物膜という構成の反射
防止膜が提案されている。
【０００６】しかし、上述した従来の反射防止膜をＣＲ
Ｔ用ガラスパネルに適用した場合、ＣＲＴ製造工程にお
ける約４５０℃での熱処理により、反射防止性能や電磁
波遮蔽性能などの特性が劣化する。
Ｔ用ガラスパネルに適用した場合、ＣＲＴ製造工程にお
ける約４５０℃での熱処理により、反射防止性能や電磁
波遮蔽性能などの特性が劣化する。
【０００７】これに対し、特開平９−１５６９６４号公
報には、基体側から順に、チタン、ジルコニウムおよび
ハフニウムから選ばれた金属の窒化物層とシリカ層とが
形成された光吸収性反射防止膜が提案されており、金属
窒化物層を保護するための酸化防止層を導入することで
熱処理工程での特性の変化を防止することが記載されて
いる。
報には、基体側から順に、チタン、ジルコニウムおよび
ハフニウムから選ばれた金属の窒化物層とシリカ層とが
形成された光吸収性反射防止膜が提案されており、金属
窒化物層を保護するための酸化防止層を導入することで
熱処理工程での特性の変化を防止することが記載されて
いる。
【０００８】一方、ＣＲＴ内面から発せられた光がガラ
スパネルの外表面に形成された膜との界面で反射され、
この裏面反射により映し出された映像が二重に見えると
いう二重像の問題が顕在化しているが、特開平９−１５
６９６４公報には二重像の問題に対する対策について記
載されていない。
スパネルの外表面に形成された膜との界面で反射され、
この裏面反射により映し出された映像が二重に見えると
いう二重像の問題が顕在化しているが、特開平９−１５
６９６４公報には二重像の問題に対する対策について記
載されていない。
【０００９】二重像の問題を解決するため、特開平１１
−３３４０９公報には、ガラス基体側から、金属を添加
した窒化チタン膜、高屈折率膜、金属を添加した窒化チ
タン膜、さらに低屈折率膜からなる膜構成が提案されて
いるが、４層もの多層構成が必要となり、製造コストの
点で実用上問題があった。
−３３４０９公報には、ガラス基体側から、金属を添加
した窒化チタン膜、高屈折率膜、金属を添加した窒化チ
タン膜、さらに低屈折率膜からなる膜構成が提案されて
いるが、４層もの多層構成が必要となり、製造コストの
点で実用上問題があった。
【００１０】また、特開２０００−３５６７０３公報に
は、ガラス基体側から、４０〜１００ｎｍの膜厚を有す
る透明導電膜、６０〜１２０ｎｍの膜厚を有する着色
膜、低屈折率膜の３層からなる反射防止膜が、また、特
開２００１−１４３６４３公報には、ガラス基体側か
ら、透明導電膜、５０〜１５０ｎｍの膜厚を有する着色
膜、低屈折率膜の３層からなる反射防止膜が、二重像対
策を講じた膜構成としてそれぞれ提案されているが、着
色層の膜厚が大きく、やはり製造コストの点で実用上問
題があった。
は、ガラス基体側から、４０〜１００ｎｍの膜厚を有す
る透明導電膜、６０〜１２０ｎｍの膜厚を有する着色
膜、低屈折率膜の３層からなる反射防止膜が、また、特
開２００１−１４３６４３公報には、ガラス基体側か
ら、透明導電膜、５０〜１５０ｎｍの膜厚を有する着色
膜、低屈折率膜の３層からなる反射防止膜が、二重像対
策を講じた膜構成としてそれぞれ提案されているが、着
色層の膜厚が大きく、やはり製造コストの点で実用上問
題があった。
【００１１】以上のように、充分なコントラストを確保
でき、基体（裏面）側からの入射光に対する低反射性能
を有し二重像の現象を抑制でき、膜面側（基体側とは反
対側）からの入射光に対する低反射性能および電磁波遮
蔽性能を併せ持つとともに、ＣＲＴの製造工程における
熱処理後もこれらの性能が維持され、低コストで製造可
能な導電性反射防止膜膜構成は知られていなかった。
でき、基体（裏面）側からの入射光に対する低反射性能
を有し二重像の現象を抑制でき、膜面側（基体側とは反
対側）からの入射光に対する低反射性能および電磁波遮
蔽性能を併せ持つとともに、ＣＲＴの製造工程における
熱処理後もこれらの性能が維持され、低コストで製造可
能な導電性反射防止膜膜構成は知られていなかった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、充分なコン
トラストを確保でき、基体（裏面）側からの入射光に対
する低反射性能を有し二重像の現象を抑制でき、膜面側
（基体側とは反対側）からの入射光に対する低反射性能
および電磁波遮蔽性能を併せ持つとともに、ＣＲＴの製
造工程における熱処理後もこれらの性能が維持され、低
コストで製造可能な導電性反射防止膜および該導電性反
射防止膜が形成されたＣＲＴ用ガラスパネルの提供を目
的とする。
トラストを確保でき、基体（裏面）側からの入射光に対
する低反射性能を有し二重像の現象を抑制でき、膜面側
（基体側とは反対側）からの入射光に対する低反射性能
および電磁波遮蔽性能を併せ持つとともに、ＣＲＴの製
造工程における熱処理後もこれらの性能が維持され、低
コストで製造可能な導電性反射防止膜および該導電性反
射防止膜が形成されたＣＲＴ用ガラスパネルの提供を目
的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体上に基体
側から、透明導電膜、光吸収膜、および低屈折率膜がこ
の順に形成された導電性反射防止膜であって、透明導電
膜は幾何学的膜厚が１〜４０ｎｍであって、Ｓｎ、Ｉｎ
およびＺｎのうち少なくとも１種の金属の酸化物を主成
分とする膜であり、光吸収膜は幾何学的膜厚が１〜１０
ｎｍであり、低屈折率膜は屈折率が１．２〜１．８であ
ることを特徴とする導電性反射防止膜を提供する。
側から、透明導電膜、光吸収膜、および低屈折率膜がこ
の順に形成された導電性反射防止膜であって、透明導電
膜は幾何学的膜厚が１〜４０ｎｍであって、Ｓｎ、Ｉｎ
およびＺｎのうち少なくとも１種の金属の酸化物を主成
分とする膜であり、光吸収膜は幾何学的膜厚が１〜１０
ｎｍであり、低屈折率膜は屈折率が１．２〜１．８であ
ることを特徴とする導電性反射防止膜を提供する。
【００１４】本発明の導電性反射防止膜は、低屈折率膜
側からの入射光に対する膜の視感反射率（基体の反射は
含まない）が１．５％以下、基体側からの入射光の波長
５５０ｎｍにおける反射率が１０％以下、波長５５０ｎ
ｍにおける膜透過率（基体は含まない）が７０〜９８％
であり、さらに表面抵抗値が１０００Ω／□以下である
ことが好ましい。
側からの入射光に対する膜の視感反射率（基体の反射は
含まない）が１．５％以下、基体側からの入射光の波長
５５０ｎｍにおける反射率が１０％以下、波長５５０ｎ
ｍにおける膜透過率（基体は含まない）が７０〜９８％
であり、さらに表面抵抗値が１０００Ω／□以下である
ことが好ましい。
【００１５】本発明における透明導電膜は、Ｓｎ、Ｉｎ
およびＺｎのうち少なくとも１種の金属の酸化物を主成
分とする膜であり、Ｆ、Ｓｂ、Ｇａ、Ａｌなどが含有さ
れていてもよい。Ｓｎ、ＩｎおよびＺｎのうち少なくと
も１種の金属の酸化物の透明導電膜中の含有割合は７０
〜１００質量％であることが好ましい。透明導電膜の好
適な例としては、ＳｎＯ２膜、Ｓｂを含むＳｎＯ２膜、
Ｆを含むＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜、ＺｎＯ膜、Ｇａや
Ａｌを含むＺｎＯ膜、およびＩＴＯ（Ｓｎを含むＩｎ２
Ｏ３）膜等が挙げられる。特に、生産性およびコストの
点から、ＩＴＯ膜もしくはＳｎＯ２膜が好ましい。
およびＺｎのうち少なくとも１種の金属の酸化物を主成
分とする膜であり、Ｆ、Ｓｂ、Ｇａ、Ａｌなどが含有さ
れていてもよい。Ｓｎ、ＩｎおよびＺｎのうち少なくと
も１種の金属の酸化物の透明導電膜中の含有割合は７０
〜１００質量％であることが好ましい。透明導電膜の好
適な例としては、ＳｎＯ２膜、Ｓｂを含むＳｎＯ２膜、
Ｆを含むＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜、ＺｎＯ膜、Ｇａや
Ａｌを含むＺｎＯ膜、およびＩＴＯ（Ｓｎを含むＩｎ２
Ｏ３）膜等が挙げられる。特に、生産性およびコストの
点から、ＩＴＯ膜もしくはＳｎＯ２膜が好ましい。
【００１６】透明導電膜の屈折率は、膜面および裏面の
低反射の観点から、１．９〜２．１であることが好まし
い。透明導電膜の抵抗値は、電磁波遮蔽の観点から、１
０００Ω／□以下、特に５００Ω／□以下であることが
好ましい。また、透明導電膜の膜厚（幾何学的膜厚の意
であり、他も同様。）は、１〜４０ｎｍである。１ｎｍ
未満では充分な電磁波遮蔽性能が得られにくく、４０ｎ
ｍ超では低反射性能が充分に発現されにくく、また、成
膜時間が長くなり、製造コストの点で不利となる。
低反射の観点から、１．９〜２．１であることが好まし
い。透明導電膜の抵抗値は、電磁波遮蔽の観点から、１
０００Ω／□以下、特に５００Ω／□以下であることが
好ましい。また、透明導電膜の膜厚（幾何学的膜厚の意
であり、他も同様。）は、１〜４０ｎｍである。１ｎｍ
未満では充分な電磁波遮蔽性能が得られにくく、４０ｎ
ｍ超では低反射性能が充分に発現されにくく、また、成
膜時間が長くなり、製造コストの点で不利となる。
【００１７】本発明における光吸収膜は膜厚が１〜１０
ｎｍである。１ｎｍ未満では画像のコントラストを改善
させる効果が得られにくく、１０ｎｍ超では低反射性能
および二重像抑制能力が不充分であり、また、成膜時間
が長くなり、製造コストの点で不利となる。
ｎｍである。１ｎｍ未満では画像のコントラストを改善
させる効果が得られにくく、１０ｎｍ超では低反射性能
および二重像抑制能力が不充分であり、また、成膜時間
が長くなり、製造コストの点で不利となる。
【００１８】光吸収膜としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｕ、Ｃｕや、これ
らの金属の窒化物が主成分である膜が挙げられる。本発
明における光吸収膜には酸素および／または炭素が含有
されていてもよい。ＣＲＴの製造工程における熱処理
（大気雰囲気中、４５０℃で１時間程度の熱処理。以下
同じ）に対する耐熱性や成膜容易性の観点から、Ｔｉお
よびＺｒのうち少なくとも１種の金属の窒化物を主成分
とする膜が好ましい。
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｕ、Ｃｕや、これ
らの金属の窒化物が主成分である膜が挙げられる。本発
明における光吸収膜には酸素および／または炭素が含有
されていてもよい。ＣＲＴの製造工程における熱処理
（大気雰囲気中、４５０℃で１時間程度の熱処理。以下
同じ）に対する耐熱性や成膜容易性の観点から、Ｔｉお
よびＺｒのうち少なくとも１種の金属の窒化物を主成分
とする膜が好ましい。
【００１９】光吸収膜にＴｉＮを用いた場合、コントラ
ストの改善および低反射性能の発現のため、膜中のＴｉ
ＮにおいてはＴｉに対する窒素の原子割合が０．５〜
１．５（特に０．７５〜１．３０）であること、また、
Ｔｉに対する酸素の原子割合が０．５以下（特に０．４
以下）であることが好ましい。光吸収膜にＺｒＮを用い
た場合も同様である。通常のスパッタリング法によりＴ
ｉＮ膜またはＺｒＮ膜を成膜する場合、真空槽の残留ガ
ス分などにより膜中に酸素が混入し得るが、酸素の含有
量が上記範囲内であればよい。
ストの改善および低反射性能の発現のため、膜中のＴｉ
ＮにおいてはＴｉに対する窒素の原子割合が０．５〜
１．５（特に０．７５〜１．３０）であること、また、
Ｔｉに対する酸素の原子割合が０．５以下（特に０．４
以下）であることが好ましい。光吸収膜にＺｒＮを用い
た場合も同様である。通常のスパッタリング法によりＴ
ｉＮ膜またはＺｒＮ膜を成膜する場合、真空槽の残留ガ
ス分などにより膜中に酸素が混入し得るが、酸素の含有
量が上記範囲内であればよい。
【００２０】ＴｉＮまたはＺｒＮを主成分とする光吸収
膜は、この膜を成膜後、酸化バリア膜（光吸収膜の酸化
を抑制する膜）を形成せず、直接酸化雰囲気中で低屈折
率膜を成膜してもほとんど劣化せず、さらにＣＲＴの製
造工程における熱処理後も光学性能の劣化はわずかで、
充分なコントラストの改善および低反射性能を発現す
る。
膜は、この膜を成膜後、酸化バリア膜（光吸収膜の酸化
を抑制する膜）を形成せず、直接酸化雰囲気中で低屈折
率膜を成膜してもほとんど劣化せず、さらにＣＲＴの製
造工程における熱処理後も光学性能の劣化はわずかで、
充分なコントラストの改善および低反射性能を発現す
る。
【００２１】また、本発明における光吸収膜には、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｎｉ、
Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＡｇおよびＰｔからなる群か
ら選ばれる１種以上の金属を光吸収膜中の全金属成分に
対して１０原子％以下の割合で含んでいると、ＣＲＴの
製造工程における熱処理時の酸化による透過率変化、抵
抗値劣化が抑制される。特に、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ
およびＮｉからなる群から選ばれる１種以上の金属を含
有していると耐熱性向上効果が大きいため好ましい。
ｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｎｉ、
Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＡｇおよびＰｔからなる群か
ら選ばれる１種以上の金属を光吸収膜中の全金属成分に
対して１０原子％以下の割合で含んでいると、ＣＲＴの
製造工程における熱処理時の酸化による透過率変化、抵
抗値劣化が抑制される。特に、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ
およびＮｉからなる群から選ばれる１種以上の金属を含
有していると耐熱性向上効果が大きいため好ましい。
【００２２】本発明における低屈折率膜は、膜面側およ
び基体（裏面）側から入射する光に対して低反射性能を
発現する上で屈折率が１．２〜１．８である必要があ
り、その材料の例としてはＳｉＯ２、Ｓｉ酸窒化物、Ａ
ｌ２Ｏ３、ＭｇＦ２などが挙げられる。導電性反射防止
膜がＣＲＴ用ガラスパネルの表面部に形成された場合に
は、充分な硬度、耐擦傷性を有する低屈折率膜を用いる
ことが好ましく、その観点から低屈折率膜としてはＳｉ
Ｏ２膜またはＳｉ酸窒化物膜が好ましく、特に生産性お
よび製造コストの点からＳｉＯ２膜が好ましい。
び基体（裏面）側から入射する光に対して低反射性能を
発現する上で屈折率が１．２〜１．８である必要があ
り、その材料の例としてはＳｉＯ２、Ｓｉ酸窒化物、Ａ
ｌ２Ｏ３、ＭｇＦ２などが挙げられる。導電性反射防止
膜がＣＲＴ用ガラスパネルの表面部に形成された場合に
は、充分な硬度、耐擦傷性を有する低屈折率膜を用いる
ことが好ましく、その観点から低屈折率膜としてはＳｉ
Ｏ２膜またはＳｉ酸窒化物膜が好ましく、特に生産性お
よび製造コストの点からＳｉＯ２膜が好ましい。
【００２３】ＳｉＯ２膜やＳｉ酸窒化物膜は、Ｂ（ホウ
素）、Ｐ（リン）など（導電性を向上させ放電をしやす
くするための成分）を含んたシリコンのターゲットを用
いてＤＣスパッタリング法により形成されることが好ま
しく、得られる膜中には、微量のＢ、Ｐ等が含有されて
いてもよい。
素）、Ｐ（リン）など（導電性を向上させ放電をしやす
くするための成分）を含んたシリコンのターゲットを用
いてＤＣスパッタリング法により形成されることが好ま
しく、得られる膜中には、微量のＢ、Ｐ等が含有されて
いてもよい。
【００２４】Ｓｉ酸窒化物膜は、屈折率が１．２〜１．
８で、優れた耐擦傷性が発現されるように、膜中のＳｉ
に対する酸素の原子比は１．５〜２．０、Ｓｉに対する
窒素の原子比は０．１〜０．５であることが好ましい。
８で、優れた耐擦傷性が発現されるように、膜中のＳｉ
に対する酸素の原子比は１．５〜２．０、Ｓｉに対する
窒素の原子比は０．１〜０．５であることが好ましい。
【００２５】低屈折率膜の膜厚は、膜面側および基体
（裏面）側からのいずれにおいても低反射性能を発現さ
せる観点から、６０〜１５０ｎｍであることが好まし
い。
（裏面）側からのいずれにおいても低反射性能を発現さ
せる観点から、６０〜１５０ｎｍであることが好まし
い。
【００２６】本発明の導電性反射防止膜を形成する基体
としては、ガラスまたはプラスチックを使用できる。例
えば、ディスプレイの表示面の前面を構成する、ガラス
基体、プラスチック基体、またはプラスチックフィルム
などが挙げられるが、特に、ＣＲＴを構成するガラスパ
ネルが好適である。特に、本発明の導電性反射防止膜
を、中央部の肉厚を１０ｍｍに換算した場合の波長５５
０ｎｍにおける透過率が５０〜８５％であるＣＲＴ用ガ
ラスパネルの表面に形成すると本発明の効果が顕著であ
る。
としては、ガラスまたはプラスチックを使用できる。例
えば、ディスプレイの表示面の前面を構成する、ガラス
基体、プラスチック基体、またはプラスチックフィルム
などが挙げられるが、特に、ＣＲＴを構成するガラスパ
ネルが好適である。特に、本発明の導電性反射防止膜
を、中央部の肉厚を１０ｍｍに換算した場合の波長５５
０ｎｍにおける透過率が５０〜８５％であるＣＲＴ用ガ
ラスパネルの表面に形成すると本発明の効果が顕著であ
る。
【００２７】本発明の導電性反射防止膜を構成する各膜
の成膜方法としては、ゾル・ゲル技術を用いたスピンコ
ート法、スプレーコート法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ス
パッタリング法などを用い得る。膜厚制御が比較的容易
で安定した生産ができ、量産性およびコスト優位性に優
れることから、特にＤＣスパッタリング法で成膜するこ
とが好ましい。
の成膜方法としては、ゾル・ゲル技術を用いたスピンコ
ート法、スプレーコート法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ス
パッタリング法などを用い得る。膜厚制御が比較的容易
で安定した生産ができ、量産性およびコスト優位性に優
れることから、特にＤＣスパッタリング法で成膜するこ
とが好ましい。
【００２８】
【作用】本発明の導電性反射防止膜は、入射光の一部を
吸収し、透過率を減少させるため、デイスプレイの前面
ガラス（例えばＣＲＴ用ガラスパネル）に適用した場
合、画像のコントラストを改善する。本発明において
は、基体、透明導電膜、光吸収膜、低屈折率膜は各界面
での反射フレネル係数と、各界面の間の位相変化量およ
び各層内の振幅減衰量によって決定される総合反射率が
可視光領域で充分に低くなるように設定されている。こ
の総合反射率は膜面側からの光のみならず基体側即ち裏
面側からの光に対しても充分にその反射光が低くなるよ
うに設定されている。
吸収し、透過率を減少させるため、デイスプレイの前面
ガラス（例えばＣＲＴ用ガラスパネル）に適用した場
合、画像のコントラストを改善する。本発明において
は、基体、透明導電膜、光吸収膜、低屈折率膜は各界面
での反射フレネル係数と、各界面の間の位相変化量およ
び各層内の振幅減衰量によって決定される総合反射率が
可視光領域で充分に低くなるように設定されている。こ
の総合反射率は膜面側からの光のみならず基体側即ち裏
面側からの光に対しても充分にその反射光が低くなるよ
うに設定されている。
【００２９】本発明における透明導電膜は低抵抗膜とし
て機能し、例えば、ＣＲＴ内部から漏洩してくる電磁波
を遮蔽する役割を果たす。透明導電膜の抵抗値は、ＣＲ
Ｔの製造工程における熱処理後もほとんど変化しないた
め、反射防止膜全体の電磁遮蔽性能は熱処理後も維持さ
れる。
て機能し、例えば、ＣＲＴ内部から漏洩してくる電磁波
を遮蔽する役割を果たす。透明導電膜の抵抗値は、ＣＲ
Ｔの製造工程における熱処理後もほとんど変化しないた
め、反射防止膜全体の電磁遮蔽性能は熱処理後も維持さ
れる。
【００３０】本発明における光吸収膜は透過率を減少さ
せ、ＣＲＴ等の画像のコントラストを改善する。光吸収
膜の光学定数はＣＲＴの製造工程における熱処理によっ
てわずかに変化する場合もあるが、コントラスト改善効
果や低反射性能には実用上影響がない。
せ、ＣＲＴ等の画像のコントラストを改善する。光吸収
膜の光学定数はＣＲＴの製造工程における熱処理によっ
てわずかに変化する場合もあるが、コントラスト改善効
果や低反射性能には実用上影響がない。
【００３１】透明導電膜および低屈折率膜の光学特性は
ＣＲＴの製造工程における熱処理後もほとんど変化せ
ず、また、光吸収膜の光学特性もＣＲＴの製造工程にお
ける熱処理後もほぼ維持されることから、本発明の導電
性反射防止膜の光学特性はＣＲＴの製造工程における熱
処理後も維持される。
ＣＲＴの製造工程における熱処理後もほとんど変化せ
ず、また、光吸収膜の光学特性もＣＲＴの製造工程にお
ける熱処理後もほぼ維持されることから、本発明の導電
性反射防止膜の光学特性はＣＲＴの製造工程における熱
処理後も維持される。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の光吸収性導電性反射防止膜に
ついて実施例に基づいて詳細に説明する。
ついて実施例に基づいて詳細に説明する。
【００３３】［例１］真空槽内に、ＩＴＯ（Ｓｎを含有
するＩｎ２Ｏ３であって、Ｉｎとの総量に対してＳｎを
１０原子％含有する）ターゲット、金属Ｔｉターゲッ
ト、Ｂドープ多結晶Ｓｉターゲット、をそれぞれカソー
ド上に設置し、真空槽内を２×１０−３Ｐａまで排気し
た。真空槽内に設置した３ｍｍ厚のフロートガラス基板
上に以下の工程により成膜を行った。
するＩｎ２Ｏ３であって、Ｉｎとの総量に対してＳｎを
１０原子％含有する）ターゲット、金属Ｔｉターゲッ
ト、Ｂドープ多結晶Ｓｉターゲット、をそれぞれカソー
ド上に設置し、真空槽内を２×１０−３Ｐａまで排気し
た。真空槽内に設置した３ｍｍ厚のフロートガラス基板
上に以下の工程により成膜を行った。
【００３４】放電ガスとしてアルゴンと酸素の混合ガス
（酸素が１０体積％）を導入し、圧力が３×１０−１Ｐ
ａとなるようコンダクタンスを調整した。次いで、ＩＴ
Ｏターゲットへ負の直流電圧（投入電力密度は約４．５
Ｗ／ｃｍ２）を印加し、３５ｎｍのＩＴＯからなる透明
導電膜（屈折率２．００、組成はターゲットとほぼ同
じ）を成膜した（工程１）。
（酸素が１０体積％）を導入し、圧力が３×１０−１Ｐ
ａとなるようコンダクタンスを調整した。次いで、ＩＴ
Ｏターゲットへ負の直流電圧（投入電力密度は約４．５
Ｗ／ｃｍ２）を印加し、３５ｎｍのＩＴＯからなる透明
導電膜（屈折率２．００、組成はターゲットとほぼ同
じ）を成膜した（工程１）。
【００３５】次にガス導入を停止し、真空槽内を高真空
とした後、放電ガスとしてアルゴンと窒素（窒素が２０
体積％）を導入し、圧力が２×１０−１Ｐａとなるよう
コンダクタンスを調整した。次いで金属Ｔｉターゲット
に負の直流電圧（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃｍ２）
を印加し、１ｎｍの窒化チタン膜を成膜した（工程
２）。
とした後、放電ガスとしてアルゴンと窒素（窒素が２０
体積％）を導入し、圧力が２×１０−１Ｐａとなるよう
コンダクタンスを調整した。次いで金属Ｔｉターゲット
に負の直流電圧（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃｍ２）
を印加し、１ｎｍの窒化チタン膜を成膜した（工程
２）。
【００３６】さらにガス導入を停止し、真空槽内を高真
空とした後、アルゴンと酸素の混合ガス（酸素４０体積
％）を導入し、圧力が３×１０−１Ｐａとなるようコン
ダクタンスを調整した。次いでＢドープ多結晶Ｓｉター
ゲットにパルス波形の電圧（投入電力密度は約６．５ｗ
／ｃｍ２）を印加し、１０５ｎｍのＳｉＯ２膜（屈折率
１．４７）を成膜した（工程３）。
空とした後、アルゴンと酸素の混合ガス（酸素４０体積
％）を導入し、圧力が３×１０−１Ｐａとなるようコン
ダクタンスを調整した。次いでＢドープ多結晶Ｓｉター
ゲットにパルス波形の電圧（投入電力密度は約６．５ｗ
／ｃｍ２）を印加し、１０５ｎｍのＳｉＯ２膜（屈折率
１．４７）を成膜した（工程３）。
【００３７】以上により本発明の導電性反射防止膜を得
た。また、別途、工程２と同様の方法で窒化チタン膜の
みを成膜し、ＥＳＣＡで分析し膜組成を確認したとこ
ろ、原子比は、Ｔｉ：Ｎ：Ｏ＝１：０．９５：０．０７
であった。
た。また、別途、工程２と同様の方法で窒化チタン膜の
みを成膜し、ＥＳＣＡで分析し膜組成を確認したとこ
ろ、原子比は、Ｔｉ：Ｎ：Ｏ＝１：０．９５：０．０７
であった。
【００３８】［例２〜６］例２〜６においては、例１に
おける窒化チタン膜の膜厚を表１に示すように変化さ
せ、それに応じて光学性能が最良となるように透明導電
膜および低屈折率膜の膜厚を最適化した構成とした以外
は例１と同様に行った。なお、例４〜６は比較例であ
る。
おける窒化チタン膜の膜厚を表１に示すように変化さ
せ、それに応じて光学性能が最良となるように透明導電
膜および低屈折率膜の膜厚を最適化した構成とした以外
は例１と同様に行った。なお、例４〜６は比較例であ
る。
【００３９】［例７］例１における膜構成を表１に示す
膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電性
反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１０
−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後にガ
ス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と同
様である。
膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電性
反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１０
−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後にガ
ス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と同
様である。
【００４０】例７におけるＳｎＯ２膜（屈折率２．０
０）の成膜は、金属Ｓｎターゲットと、アルゴンと酸素
の混合ガス（酸素が１０体積％）を用い、圧力が３×１
０−１Ｐａで、直流電圧印加（投入電力密度は約４．５
Ｗ／ｃｍ２）の条件で行った。例７における窒化チタン
膜の成膜は、金属Ｔｉターゲットと、アルゴンと窒素
（窒素が２０体積％）を用い、圧力が２×１０−１Ｐａ
で、直流電圧印加（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃ
ｍ２）の条件で行った。
０）の成膜は、金属Ｓｎターゲットと、アルゴンと酸素
の混合ガス（酸素が１０体積％）を用い、圧力が３×１
０−１Ｐａで、直流電圧印加（投入電力密度は約４．５
Ｗ／ｃｍ２）の条件で行った。例７における窒化チタン
膜の成膜は、金属Ｔｉターゲットと、アルゴンと窒素
（窒素が２０体積％）を用い、圧力が２×１０−１Ｐａ
で、直流電圧印加（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃ
ｍ２）の条件で行った。
【００４１】例７におけるＳｉ酸窒化物膜（屈折率１．
５０）の成膜は、Ｂドープ多結晶Ｓｉターゲットと、ア
ルゴンと酸素の混合ガス（酸素４０体積％）を用い、圧
力が３×１０−１Ｐａ、パルス波形の電圧印加（投入電
力密度は約７Ｗ／ｃｍ２）の条件で行った。
５０）の成膜は、Ｂドープ多結晶Ｓｉターゲットと、ア
ルゴンと酸素の混合ガス（酸素４０体積％）を用い、圧
力が３×１０−１Ｐａ、パルス波形の電圧印加（投入電
力密度は約７Ｗ／ｃｍ２）の条件で行った。
【００４２】また、例１と同様にして窒化チタン膜の組
成をＥＳＣＡで分析したところ、原子比は、Ｔｉ：Ｎ：
Ｏ＝１：０．９５：０．０９であった。また、上記と同
様の方法でＳｉ酸窒化物膜の組成をＥＳＣＡで分析した
ところ、原子比は、Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝１：１．６５：０．
３５であった。
成をＥＳＣＡで分析したところ、原子比は、Ｔｉ：Ｎ：
Ｏ＝１：０．９５：０．０９であった。また、上記と同
様の方法でＳｉ酸窒化物膜の組成をＥＳＣＡで分析した
ところ、原子比は、Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝１：１．６５：０．
３５であった。
【００４３】［例８］例１における膜構成を表１に示す
膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電性
反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１０
−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後にガ
ス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と同
様である。
膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電性
反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１０
−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後にガ
ス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と同
様である。
【００４４】例８におけるＳｂ含有ＳｎＯ２膜（屈折率
２．０５）の成膜は、金属Ｓｎ（ＳｂをＳｎとの総量に
対し３原子％含有）ターゲットと、アルゴンと酸素の混
合ガス（酸素が１０体積％）を用い、圧力が３×１０
−１Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約４．５Ｗ／
ｃｍ２）の条件で行った。Ｓｂ含有ＳｎＯ２膜の組成は
ターゲット組成と同じであった。
２．０５）の成膜は、金属Ｓｎ（ＳｂをＳｎとの総量に
対し３原子％含有）ターゲットと、アルゴンと酸素の混
合ガス（酸素が１０体積％）を用い、圧力が３×１０
−１Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約４．５Ｗ／
ｃｍ２）の条件で行った。Ｓｂ含有ＳｎＯ２膜の組成は
ターゲット組成と同じであった。
【００４５】例８における窒化ジルコニウム膜の成膜
は、金属Ｚｒターゲットと、アルゴンと窒素（窒素が２
０体積％）を用い、圧力が２×１０−１Ｐａ直流電圧印
加（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃｍ２）の条件で行っ
た。
は、金属Ｚｒターゲットと、アルゴンと窒素（窒素が２
０体積％）を用い、圧力が２×１０−１Ｐａ直流電圧印
加（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃｍ２）の条件で行っ
た。
【００４６】例８におけるＭｇＦ２膜（屈折率１．３
８）の成膜は、ＭｇＦ２化合物を蒸着用のルツボに設置
し、圧力を２×１０−３Ｐａとし、電子ビーム（ＥＢ）
蒸着により行った。また、例１と同様にして窒化ジルコ
ニウム膜の組成をＥＳＣＡで分析したところ、原子比
は、Ｚｒ：Ｎ：Ｏ＝１：０．９５：０．０５であった。
８）の成膜は、ＭｇＦ２化合物を蒸着用のルツボに設置
し、圧力を２×１０−３Ｐａとし、電子ビーム（ＥＢ）
蒸着により行った。また、例１と同様にして窒化ジルコ
ニウム膜の組成をＥＳＣＡで分析したところ、原子比
は、Ｚｒ：Ｎ：Ｏ＝１：０．９５：０．０５であった。
【００４７】［例９］例１における膜構成を表１に示す
膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電性
反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１０
−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後にガ
ス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と同
様である。
膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電性
反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１０
−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後にガ
ス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と同
様である。
【００４８】例９におけるＧａ含有ＺｎＯ膜（屈折率
２．０６）の成膜は、金属Ｚｎ（ＧａをＺｎとの総量に
対して６原子％含有）ターゲットと、アルゴンと酸素の
混合ガス（酸素が１０体積％）を用い、圧力が３×１０
−１Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約４．５Ｗ／
ｃｍ２）の条件で行った。Ｇａ含有ＺｎＯ膜の組成はタ
ーゲット組成と同じであった。例９における窒化ジルコ
ニウム膜の成膜は例８と同様である。例９におけるＳｉ
Ｏ２膜（屈折率１．４７）の成膜は例１と同様である。
２．０６）の成膜は、金属Ｚｎ（ＧａをＺｎとの総量に
対して６原子％含有）ターゲットと、アルゴンと酸素の
混合ガス（酸素が１０体積％）を用い、圧力が３×１０
−１Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約４．５Ｗ／
ｃｍ２）の条件で行った。Ｇａ含有ＺｎＯ膜の組成はタ
ーゲット組成と同じであった。例９における窒化ジルコ
ニウム膜の成膜は例８と同様である。例９におけるＳｉ
Ｏ２膜（屈折率１．４７）の成膜は例１と同様である。
【００４９】［例１０］例１における膜構成を表１に示
す膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電
性反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１
０−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後に
ガス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と
同様である。例１０におけるＩＴＯ膜（屈折率２．０
０）の成膜は例１と同様である。
す膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電
性反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１
０−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後に
ガス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と
同様である。例１０におけるＩＴＯ膜（屈折率２．０
０）の成膜は例１と同様である。
【００５０】例１０におけるＰｄ含有窒化チタン膜の成
膜は、金属Ｔｉ（ＰｄをＴｉとの総量に対して３原子％
含有）ターゲットと、アルゴンと窒素（窒素が２０体積
％）を用い、圧力が２×１０−１Ｐａ、直流電圧印加
（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃｍ２）の条件で行っ
た。Ｐｄ含有窒化チタン膜の組成はターゲットとほぼ同
じであった。例１０におけるＳｉＯ２膜（屈折率１．４
７）の成膜は例１と同様である。また、例１と同様にし
てＰｄ含有窒化チタン膜の組成をＥＳＣＡで分析したと
ころ、原子比は、Ｔｉ：Ｎ：Ｏ：Ｐｄ＝１：０．９５：
０．０５：０．０１７５であった。
膜は、金属Ｔｉ（ＰｄをＴｉとの総量に対して３原子％
含有）ターゲットと、アルゴンと窒素（窒素が２０体積
％）を用い、圧力が２×１０−１Ｐａ、直流電圧印加
（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃｍ２）の条件で行っ
た。Ｐｄ含有窒化チタン膜の組成はターゲットとほぼ同
じであった。例１０におけるＳｉＯ２膜（屈折率１．４
７）の成膜は例１と同様である。また、例１と同様にし
てＰｄ含有窒化チタン膜の組成をＥＳＣＡで分析したと
ころ、原子比は、Ｔｉ：Ｎ：Ｏ：Ｐｄ＝１：０．９５：
０．０５：０．０１７５であった。
【００５１】［例１１］例１における膜構成を表１に示
す膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電
性反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１
０−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後に
ガス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と
同様である。
す膜構成とした以外は例１と同様に行い、本発明の導電
性反射防止膜を得た。なお、成膜前に真空槽内を２×１
０−３Ｐａまで排気し、工程１と工程２のそれぞれ後に
ガス導入を停止し、真空槽内を高真空とした点も例１と
同様である。
【００５２】例１１におけるＡｌ含有ＺｎＯ膜（屈折率
２．０５）の成膜は、金属Ｚｎ（ＡｌをＺｎとの総量に
対し９原子％含有）ターゲットと、アルゴンと酸素の混
合ガス（酸素が１０体積％）を用い、圧力が３×１０
−１Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約４．５Ｗ／
ｃｍ２）の条件で行った。Ａｌ含有ＺｎＯ膜の組成はタ
ーゲット組成とほぼ同じであった。例１１における窒化
ニオブ膜の成膜は、金属Ｎｂターゲットと、アルゴンと
窒素（窒素が２０体積％）を用い、圧力が２×１０−１
Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃｍ
２）の条件で行った。
２．０５）の成膜は、金属Ｚｎ（ＡｌをＺｎとの総量に
対し９原子％含有）ターゲットと、アルゴンと酸素の混
合ガス（酸素が１０体積％）を用い、圧力が３×１０
−１Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約４．５Ｗ／
ｃｍ２）の条件で行った。Ａｌ含有ＺｎＯ膜の組成はタ
ーゲット組成とほぼ同じであった。例１１における窒化
ニオブ膜の成膜は、金属Ｎｂターゲットと、アルゴンと
窒素（窒素が２０体積％）を用い、圧力が２×１０−１
Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約２．５Ｗ／ｃｍ
２）の条件で行った。
【００５３】例１１におけるＡｌ２Ｏ３膜（屈折率１．
６０）の成膜は、金属Ａｌターゲットと、アルゴンと酸
素の混合ガス（酸素４０体積％）を用い、圧力が３．５
×１０−１Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約４．
５Ｗ／ｃｍ２）の条件で行った。また、例１と同様にし
て窒化ニオブ膜の組成をＥＳＣＡで分析したところ、原
子比は、Ｎｂ：Ｎ：Ｏ＝１：０．９５：０．１５であっ
た。
６０）の成膜は、金属Ａｌターゲットと、アルゴンと酸
素の混合ガス（酸素４０体積％）を用い、圧力が３．５
×１０−１Ｐａ、直流電圧印加（投入電力密度は約４．
５Ｗ／ｃｍ２）の条件で行った。また、例１と同様にし
て窒化ニオブ膜の組成をＥＳＣＡで分析したところ、原
子比は、Ｎｂ：Ｎ：Ｏ＝１：０．９５：０．１５であっ
た。
【００５４】［例１２］（比較例）
例２におけるＩＴＯ膜を形成しなかったこと以外は例２
と同様にして２層からなる導電性反射防止膜を得た。
と同様にして２層からなる導電性反射防止膜を得た。
【００５５】例１〜１２で得られた導電性反射防止膜の
光学特性および電気特性を測定した。表２に結果を示
す。膜面側（低屈折率膜側）からの入射光に対する膜の
視感反射率（ＪＩＳ Ｚ−８１０５による、以下、膜面
視感反射率ともいう）は、裏側に黒色ラッカーを塗布
し、ガラス面側からの反射を消した状態で測定を行っ
た。裏面反射率は、ガラス基板側からの入射光の波長５
５０ｎｍにおける反射率である。透過率は、成膜する前
のガラス基板のみについて波長５５０ｎｍにおける透過
率Ｔｓｕｂを予め測定しておき、例１〜１２で得られた
導電性反射防止膜付きのガラス基板について波長５５０
ｎｍにおける透過率Ｔｔｏｔａｌを測定した。そして、
ＴｔｏｔａｌをＴｓｕｂで割って膜のみの透過率を求め
た。
光学特性および電気特性を測定した。表２に結果を示
す。膜面側（低屈折率膜側）からの入射光に対する膜の
視感反射率（ＪＩＳ Ｚ−８１０５による、以下、膜面
視感反射率ともいう）は、裏側に黒色ラッカーを塗布
し、ガラス面側からの反射を消した状態で測定を行っ
た。裏面反射率は、ガラス基板側からの入射光の波長５
５０ｎｍにおける反射率である。透過率は、成膜する前
のガラス基板のみについて波長５５０ｎｍにおける透過
率Ｔｓｕｂを予め測定しておき、例１〜１２で得られた
導電性反射防止膜付きのガラス基板について波長５５０
ｎｍにおける透過率Ｔｔｏｔａｌを測定した。そして、
ＴｔｏｔａｌをＴｓｕｂで割って膜のみの透過率を求め
た。
【００５６】電気特性については、非接触導抵抗測定器
により表面抵抗値を求めた。また、同じ積層膜付きガラ
スに大気雰囲気中、４５０℃、１時間の熱処理を施した
後の、同様にして測定した膜面視感反射率、裏面反射
率、透過率、表面抵抗値を表２に示す。なお、表２中の
「熱処理前／後」は、それぞれ「熱処理前／熱処理後」
の意である。
により表面抵抗値を求めた。また、同じ積層膜付きガラ
スに大気雰囲気中、４５０℃、１時間の熱処理を施した
後の、同様にして測定した膜面視感反射率、裏面反射
率、透過率、表面抵抗値を表２に示す。なお、表２中の
「熱処理前／後」は、それぞれ「熱処理前／熱処理後」
の意である。
【００５７】例１〜３、７〜１１（実施例）で得られた
導電性反射防止膜は、膜面視感反射率が１．５％以下と
低いため表面の映りこみがなく、裏面反射率が１０％以
下と低いため映像が二重にみえることがなく、透過率が
７０〜９８％であるため適度なコントラスト向上効果が
あり、さらに表面抵抗値が１０００Ω／□以下であるた
め帯電防止および電磁波遮蔽性能も有している。例４お
よび５（比較例）より、光吸収膜（ＴｉＮ膜）の膜厚が
１０ｎｍを超えると、膜面側および裏面側からの反射率
が高くなることがわかる。このような膜面視感反射率の
増大は表面の映りこみによる画像視認性の悪化を引き起
こし、また裏面反射率の増大により二重像が顕著にな
る。
導電性反射防止膜は、膜面視感反射率が１．５％以下と
低いため表面の映りこみがなく、裏面反射率が１０％以
下と低いため映像が二重にみえることがなく、透過率が
７０〜９８％であるため適度なコントラスト向上効果が
あり、さらに表面抵抗値が１０００Ω／□以下であるた
め帯電防止および電磁波遮蔽性能も有している。例４お
よび５（比較例）より、光吸収膜（ＴｉＮ膜）の膜厚が
１０ｎｍを超えると、膜面側および裏面側からの反射率
が高くなることがわかる。このような膜面視感反射率の
増大は表面の映りこみによる画像視認性の悪化を引き起
こし、また裏面反射率の増大により二重像が顕著にな
る。
【００５８】また、例６（比較例）より、光吸収膜（Ｔ
ｉＮ膜）の膜厚が１ｎｍより小さいと、膜面視感反射率
および透過率が高くなることがわかる。このような膜面
視感反射率の上昇により表面の映りこみが生じ、透過率
の上昇により画像のコントラスト改善効果が低下する。
また、例１２（比較例）より、透明導電膜を形成しない
と、導電層としての役割も担っていた光吸収膜が熱処理
によって酸化され、抵抗値が大幅に増大していることが
わかる。抵抗値の増大により電磁波遮蔽機能が低下す
る。
ｉＮ膜）の膜厚が１ｎｍより小さいと、膜面視感反射率
および透過率が高くなることがわかる。このような膜面
視感反射率の上昇により表面の映りこみが生じ、透過率
の上昇により画像のコントラスト改善効果が低下する。
また、例１２（比較例）より、透明導電膜を形成しない
と、導電層としての役割も担っていた光吸収膜が熱処理
によって酸化され、抵抗値が大幅に増大していることが
わかる。抵抗値の増大により電磁波遮蔽機能が低下す
る。
【００５９】［例１３］中央部の肉厚が１０．８ｍｍ、
波長５５０ｎｍにおける透過率が４４％（肉厚１０ｍｍ
に換算すると透過率５６％）の１９インチサイズのＣＲ
Ｔ用のガラスパネルに、例２と同様にして導電性反射防
止膜を形成し、導電性反射防止膜付きのＣＲＴ用ガラス
パネルを得た。このガラスパネルを用いてＣＲＴを製造
したところ、輝度、コントラストとも良好な画像、画質
を達成できた。また、表面の映りこみ、および二重像は
確認できなかった。さらに、表面抵抗値が１００Ω／□
以下で、帯電防止性能および電磁波遮蔽性能も有してい
た。
波長５５０ｎｍにおける透過率が４４％（肉厚１０ｍｍ
に換算すると透過率５６％）の１９インチサイズのＣＲ
Ｔ用のガラスパネルに、例２と同様にして導電性反射防
止膜を形成し、導電性反射防止膜付きのＣＲＴ用ガラス
パネルを得た。このガラスパネルを用いてＣＲＴを製造
したところ、輝度、コントラストとも良好な画像、画質
を達成できた。また、表面の映りこみ、および二重像は
確認できなかった。さらに、表面抵抗値が１００Ω／□
以下で、帯電防止性能および電磁波遮蔽性能も有してい
た。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【００６２】
【発明の効果】本発明の導電性反射防止膜は、充分なコ
ントラストを確保でき、基体側からの入射光に対する低
反射性能および二重像抑制能力を備え、膜面側からの入
射光に対する低反射性能を有するとともに、帯電防止お
よび電磁波遮蔽性能をも併せ持ち、ＣＲＴの製造工程に
おける熱処理後もこれらの性能を維持できる耐熱性をも
有する。本発明の導電性反射防止膜は、膜総数が３層で
あり、しかも各層の膜厚が小さいため生産性に優れ、低
コストで提供できる。
ントラストを確保でき、基体側からの入射光に対する低
反射性能および二重像抑制能力を備え、膜面側からの入
射光に対する低反射性能を有するとともに、帯電防止お
よび電磁波遮蔽性能をも併せ持ち、ＣＲＴの製造工程に
おける熱処理後もこれらの性能を維持できる耐熱性をも
有する。本発明の導電性反射防止膜は、膜総数が３層で
あり、しかも各層の膜厚が小さいため生産性に優れ、低
コストで提供できる。
【００６３】また、本発明の導電性反射防止膜をＣＲＴ
用ガラスパネルのフェース部表面に形成することによ
り、輝度やコントラストが改善され、表面および裏面の
反射光の低減、二重像の抑制、帯電防止および電磁波遮
蔽が可能なＣＲＴ用ガラスパネルが得られる。また、本
発明の導電性反射防止膜は、耐熱性に優れ、陰極線管の
パネルガラスに要求される程度の熱処理には充分耐えら
れるため、耐熱性の要求される各種用途への適用も期待
できる。
用ガラスパネルのフェース部表面に形成することによ
り、輝度やコントラストが改善され、表面および裏面の
反射光の低減、二重像の抑制、帯電防止および電磁波遮
蔽が可能なＣＲＴ用ガラスパネルが得られる。また、本
発明の導電性反射防止膜は、耐熱性に優れ、陰極線管の
パネルガラスに要求される程度の熱処理には充分耐えら
れるため、耐熱性の要求される各種用途への適用も期待
できる。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｊ 29/86 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ
29/88 Ｚ
Ｆターム(参考） 2K009 AA05 AA12 BB02 CC02 CC03
CC06 CC14 DD04 EE03
4F100 AA12C AA17B AA20 AA25B
AA28B AA33B AB11 AB12
AB18B AB21B AG00E AT00A
BA04 BA05 BA07 BA10A
BA10D BA10E EH66 EH662
EJ59 EJ591 GB41 JD08
JD14C JG01B JM02 JN01B
JN06 JN18B JN18D JN30C
YY00B YY00C
4G059 AA07 AC04 AC12 EA01 EA02
EA03 EA05 EA09 EA12 GA02
GA04 GA12
5C032 AA02 BB04 DD02 DE01 DE03
DG01 DG02
5G435 AA02 AA09 AA17 BB02 DD12
FF02 FF14 GG33 HH03 HH12
Claims (6)
- 【請求項１】基体上に基体側から、透明導電膜、光吸収
膜および低屈折率膜がこの順に形成された導電性反射防
止膜であって、透明導電膜は幾何学的膜厚が１〜４０ｎ
ｍであって、Ｓｎ、ＩｎおよびＺｎのうち少なくとも１
種の金属の酸化物を主成分とする膜であり、光吸収膜は
幾何学的膜厚が１〜１０ｎｍであり、低屈折率膜は屈折
率が１．２〜１．８であることを特徴とする導電性反射
防止膜。 - 【請求項２】導電性反射防止膜を構成する低屈折率膜側
からの入射光に対する膜の視感反射率が１．５％以下、
基体側からの入射光の波長５５０ｎｍにおける反射率が
１０％以下、波長５５０ｎｍにおける膜透過率が７０〜
９８％であり、さらに表面抵抗値が１０００Ω／□以下
である請求項１に記載の導電性反射防止膜。 - 【請求項３】光吸収膜が、ＴｉおよびＺｒのうち少なく
とも１種の金属の窒化物を主成分とする膜である請求項
１または２に記載の導電性反射防止膜。 - 【請求項４】透明導電膜の屈折率が１．９〜２．１であ
る請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性反射防止
膜。 - 【請求項５】低屈折率膜の幾何学的膜厚が６０〜１５０
ｎｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性
反射防止膜。 - 【請求項６】中央部の肉厚を１０ｍｍに換算した場合の
波長５５０ｎｍにおける透過率が５０〜８５％である陰
極線管用ガラスパネルの表面に請求項１〜５のいずれか
１項に記載の導電性反射防止膜が形成された導電性反射
防止膜付き陰極線管用ガラスパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001342719A JP2003139909A (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 導電性反射防止膜および陰極線管用ガラスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001342719A JP2003139909A (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 導電性反射防止膜および陰極線管用ガラスパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003139909A true JP2003139909A (ja) | 2003-05-14 |
Family
ID=19156526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001342719A Pending JP2003139909A (ja) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 導電性反射防止膜および陰極線管用ガラスパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003139909A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005059602A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Asahi Glass Company, Limited | 光吸収性反射防止体 |
| JP2010107543A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Hitachi Maxell Ltd | 反射防止フィルム |
| JPWO2013132963A1 (ja) * | 2012-03-09 | 2015-07-30 | 日本電気硝子株式会社 | 展示物又は表示物用カバー部材 |
| JP2019081694A (ja) * | 2018-12-20 | 2019-05-30 | Ａｇｃ株式会社 | 積層膜付き透明基板および窓ガラス |
-
2001
- 2001-11-08 JP JP2001342719A patent/JP2003139909A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005059602A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Asahi Glass Company, Limited | 光吸収性反射防止体 |
| JP2010107543A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Hitachi Maxell Ltd | 反射防止フィルム |
| JPWO2013132963A1 (ja) * | 2012-03-09 | 2015-07-30 | 日本電気硝子株式会社 | 展示物又は表示物用カバー部材 |
| US9995852B2 (en) | 2012-03-09 | 2018-06-12 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Cover member for exhibit item or display |
| JP2019081694A (ja) * | 2018-12-20 | 2019-05-30 | Ａｇｃ株式会社 | 積層膜付き透明基板および窓ガラス |
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