JP2002008566A - 光吸収性反射防止ガラス基体とその製造方法 - Google Patents
光吸収性反射防止ガラス基体とその製造方法Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3435—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】陰極線管作製工程中の熱処理を施しても、熱処
理前後で表面抵抗値の変化が少ない光吸収性反射防止ガ
ラス基体とその製造方法の提供。 【解決手段】陰極線管の表示面を構成するガラス基体上
に、１〜１５ｎｍの、シリコン酸化物膜、シリコン酸窒
化物膜またはシリコン窒化物膜と、５〜７０ｎｍの光吸
収膜と、５０〜３００ｎｍの低屈折率膜とがこの順に設
けられてなる光吸収性反射防止ガラス基体。
理前後で表面抵抗値の変化が少ない光吸収性反射防止ガ
ラス基体とその製造方法の提供。 【解決手段】陰極線管の表示面を構成するガラス基体上
に、１〜１５ｎｍの、シリコン酸化物膜、シリコン酸窒
化物膜またはシリコン窒化物膜と、５〜７０ｎｍの光吸
収膜と、５０〜３００ｎｍの低屈折率膜とがこの順に設
けられてなる光吸収性反射防止ガラス基体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光吸収性反射防止ガ
ラス基体とその製造方法に関する。
ラス基体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、陰極線管（ＣＲＴ）からの電磁波
の漏洩やＣＲＴ表面での外光の映り込みなど作業環境の
改善が求められている。これらの要求に応えるための手
段として、ＣＲＴのパネルガラス表面に導電性の反射防
止膜を設けることが提案されている（特表平５−５０２
３１１、特表平６−５１０３８２）。
の漏洩やＣＲＴ表面での外光の映り込みなど作業環境の
改善が求められている。これらの要求に応えるための手
段として、ＣＲＴのパネルガラス表面に導電性の反射防
止膜を設けることが提案されている（特表平５−５０２
３１１、特表平６−５１０３８２）。
【０００３】しかし、パネルガラスはＣＲＴ作製工程で
パネルとファンネルを接合するために４５０℃程度の熱
処理工程を経ることから、前記の導電性の反射防止膜は
熱による酸化を受け、所望の電気特性を発現し得ない。
熱による酸化に対しての対策として、例えば導電膜を酸
化から保護する膜を導電膜上に設ける方法が提案されて
いる（特開平９−１５６９６４）。しかし、ＣＲＴ作製
工程中の熱処理後に表面抵抗値が変化することが多かっ
た。
パネルとファンネルを接合するために４５０℃程度の熱
処理工程を経ることから、前記の導電性の反射防止膜は
熱による酸化を受け、所望の電気特性を発現し得ない。
熱による酸化に対しての対策として、例えば導電膜を酸
化から保護する膜を導電膜上に設ける方法が提案されて
いる（特開平９−１５６９６４）。しかし、ＣＲＴ作製
工程中の熱処理後に表面抵抗値が変化することが多かっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＣＲＴ作製
工程中の熱処理を施しても、表面抵抗値の変化が少ない
光吸収性反射防止ガラス基体とその製造方法の提供を目
的とする。
工程中の熱処理を施しても、表面抵抗値の変化が少ない
光吸収性反射防止ガラス基体とその製造方法の提供を目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、陰極線管の表
示面を構成するガラス基体の観察者側表面に、該ガラス
基体からのアルカリ成分の拡散を防止する膜（以下、拡
散防止膜という）として膜厚（幾何学的膜厚をいう、以
下同じ。）が１〜１５ｎｍである、シリコン酸化物膜、
シリコン酸窒化物膜またはシリコン窒化物膜が設けら
れ、その上に膜厚が５〜７０ｎｍである光吸収膜が１層
以上設けられ、最外層に膜厚が５０〜３００ｎｍである
低屈折率膜が設けられてなる光吸収性反射防止ガラス基
体とその製造方法を提供する。
示面を構成するガラス基体の観察者側表面に、該ガラス
基体からのアルカリ成分の拡散を防止する膜（以下、拡
散防止膜という）として膜厚（幾何学的膜厚をいう、以
下同じ。）が１〜１５ｎｍである、シリコン酸化物膜、
シリコン酸窒化物膜またはシリコン窒化物膜が設けら
れ、その上に膜厚が５〜７０ｎｍである光吸収膜が１層
以上設けられ、最外層に膜厚が５０〜３００ｎｍである
低屈折率膜が設けられてなる光吸収性反射防止ガラス基
体とその製造方法を提供する。
【０００６】本発明は、ＣＲＴ作製工程中のさまざまな
熱処理によって表面抵抗値が変化するのは、熱処理工程
において、パネルガラスからＮａなどのアルカリ成分や
酸素が拡散することが原因であるという知見に基づきな
されたものである。本発明における拡散防止膜が、熱処
理工程におけるアルカリ成分や酸素の拡散を低減し、熱
処理による表面抵抗値の変化を抑える。すなわち、本発
明における拡散防止層を有する膜構成とすれば、拡散防
止膜を有さない膜構成に比べて、ＣＲＴ作製工程中熱処
理後の表面抵抗値の変化が抑えられる。
熱処理によって表面抵抗値が変化するのは、熱処理工程
において、パネルガラスからＮａなどのアルカリ成分や
酸素が拡散することが原因であるという知見に基づきな
されたものである。本発明における拡散防止膜が、熱処
理工程におけるアルカリ成分や酸素の拡散を低減し、熱
処理による表面抵抗値の変化を抑える。すなわち、本発
明における拡散防止層を有する膜構成とすれば、拡散防
止膜を有さない膜構成に比べて、ＣＲＴ作製工程中熱処
理後の表面抵抗値の変化が抑えられる。
【０００７】本発明の光吸収性反射防止ガラスは、観察
者側からの可視光に対する反射率４５０〜６５０ｎｍの
波長域における平均反射率が０．１〜１．５％であるこ
とが好ましい。本発明の光吸収性反射防止ガラス基体
は、大気雰囲気で、４５０℃、１時間の熱処理後の透過
率の変化（熱処理後の透過率−熱処理前の透過率）が５
％以下、特に４％以下であることが好ましい。
者側からの可視光に対する反射率４５０〜６５０ｎｍの
波長域における平均反射率が０．１〜１．５％であるこ
とが好ましい。本発明の光吸収性反射防止ガラス基体
は、大気雰囲気で、４５０℃、１時間の熱処理後の透過
率の変化（熱処理後の透過率−熱処理前の透過率）が５
％以下、特に４％以下であることが好ましい。
【０００８】本発明の光吸収性反射防止ガラス基体とし
ては、特に、１）ガラス基体側から、拡散防止膜と、光
吸収膜と、光吸収膜の酸化を防止する膜（以下、酸化防
止膜という）として膜厚が１〜２０ｎｍである、金属膜
または金属窒化物膜と、低屈折率膜とがこの順に設けら
れてなる光吸収性反射防止ガラス基体、または、２）ガ
ラス基体側から、拡散防止膜として膜厚が１〜１５ｎｍ
である、シリコン酸化物膜、シリコン酸窒化物膜または
シリコン窒化物膜と、光吸収膜と、酸化防止膜と、光吸
収膜と、低屈折率膜とがこの順に設けられてなる光吸収
性反射防止ガラス基体、であることが好ましい。
ては、特に、１）ガラス基体側から、拡散防止膜と、光
吸収膜と、光吸収膜の酸化を防止する膜（以下、酸化防
止膜という）として膜厚が１〜２０ｎｍである、金属膜
または金属窒化物膜と、低屈折率膜とがこの順に設けら
れてなる光吸収性反射防止ガラス基体、または、２）ガ
ラス基体側から、拡散防止膜として膜厚が１〜１５ｎｍ
である、シリコン酸化物膜、シリコン酸窒化物膜または
シリコン窒化物膜と、光吸収膜と、酸化防止膜と、光吸
収膜と、低屈折率膜とがこの順に設けられてなる光吸収
性反射防止ガラス基体、であることが好ましい。
【０００９】本発明における低屈折率膜としては、屈折
率が１．３５〜１．７（特に１．４６〜１．５２）であ
る膜であることが好ましく、機械的耐久性、化学的耐久
性の観点からは、シリコン酸化物膜（屈折率は１．４６
〜１．４７）であることが好ましい。低屈折率膜の膜厚
は、特に７０〜１３０ｎｍ、さらには、８０〜１２０ｎ
ｍであることが好ましい。
率が１．３５〜１．７（特に１．４６〜１．５２）であ
る膜であることが好ましく、機械的耐久性、化学的耐久
性の観点からは、シリコン酸化物膜（屈折率は１．４６
〜１．４７）であることが好ましい。低屈折率膜の膜厚
は、特に７０〜１３０ｎｍ、さらには、８０〜１２０ｎ
ｍであることが好ましい。
【００１０】本発明における光吸収膜としては３８０〜
７８０ｎｍにおいて消衰係数が０．８〜４．０である膜
であることが好ましい（本発明における光吸収膜とは可
視光域において当該膜による透過率減衰が認められる膜
をいう。）。特に可視光領域での低反射領域が広がるこ
とから、チタン、ジルコニウム、ニオブおよびハフニウ
ムからなる群から選ばれる１種以上の金属の窒化物を主
成分とする膜であることが好ましい。チタン、ジルコニ
ウム、ニオブおよびハフニウムからなる群から選ばれる
１種以上の金属の窒化物を主成分とする光吸収膜は導電
性を有し、帯電防止能や電磁波遮蔽能を発現できる。
７８０ｎｍにおいて消衰係数が０．８〜４．０である膜
であることが好ましい（本発明における光吸収膜とは可
視光域において当該膜による透過率減衰が認められる膜
をいう。）。特に可視光領域での低反射領域が広がるこ
とから、チタン、ジルコニウム、ニオブおよびハフニウ
ムからなる群から選ばれる１種以上の金属の窒化物を主
成分とする膜であることが好ましい。チタン、ジルコニ
ウム、ニオブおよびハフニウムからなる群から選ばれる
１種以上の金属の窒化物を主成分とする光吸収膜は導電
性を有し、帯電防止能や電磁波遮蔽能を発現できる。
【００１１】本発明の光吸収性反射防止ガラス基体は、
帯電防止能や電磁波遮蔽能の観点から、表面抵抗値が５
０〜２０００Ω／□であることが好ましい。本発明の光
吸収性反射防止ガラス基体は、大気雰囲気で、４５０
℃、１時間の熱処理後の表面抵抗値の変化率（（熱処理
後の表面抵抗値−熱処理前表面抵抗値）／熱処理前の表
面抵抗値）が３０％以下、特に１０％以下であることが
好ましい。
帯電防止能や電磁波遮蔽能の観点から、表面抵抗値が５
０〜２０００Ω／□であることが好ましい。本発明の光
吸収性反射防止ガラス基体は、大気雰囲気で、４５０
℃、１時間の熱処理後の表面抵抗値の変化率（（熱処理
後の表面抵抗値−熱処理前表面抵抗値）／熱処理前の表
面抵抗値）が３０％以下、特に１０％以下であることが
好ましい。
【００１２】また、チタン、ジルコニウム、ニオブおよ
びハフニウムからなる群から選ばれる１種以上の金属の
窒化物を主成分とする光吸収膜は、熱に対する安定性の
観点から、パラジウム、金、銀およびニッケルからなる
群から選ばれる１種以上の金属を含有する光吸収膜であ
ることが好ましい。光吸収膜は単膜で、または複数の膜
が積層されて構成される。複数の膜が積層されて構成さ
れる場合でも全膜厚は５〜７０ｎｍとする。また、光吸
収膜／酸化防止膜／光吸収膜／低屈折率膜のように光吸
収膜を複数用いる場合は、各光吸収膜の膜厚をそれぞれ
５〜７０ｎｍとする。光吸収膜の膜厚は、特に７〜３０
ｎｍであることが好ましい。
びハフニウムからなる群から選ばれる１種以上の金属の
窒化物を主成分とする光吸収膜は、熱に対する安定性の
観点から、パラジウム、金、銀およびニッケルからなる
群から選ばれる１種以上の金属を含有する光吸収膜であ
ることが好ましい。光吸収膜は単膜で、または複数の膜
が積層されて構成される。複数の膜が積層されて構成さ
れる場合でも全膜厚は５〜７０ｎｍとする。また、光吸
収膜／酸化防止膜／光吸収膜／低屈折率膜のように光吸
収膜を複数用いる場合は、各光吸収膜の膜厚をそれぞれ
５〜７０ｎｍとする。光吸収膜の膜厚は、特に７〜３０
ｎｍであることが好ましい。
【００１３】酸化防止膜としては、光吸収膜を構成する
材料とは異なる材料で構成され、特にシリコン膜または
シリコン窒化物膜であることが好ましい。本発明におけ
る陰極線管の表示面を構成するガラス基体としては、Ｃ
ＲＴのパネルガラスなどが挙げられる。本発明における
拡散防止膜、光吸収膜、酸化防止膜、低屈折率膜は、各
種方法で成膜できる。良好な膜質の膜が得られることか
ら、各膜ともスパッタリング法、特に直流反応性スパッ
タリング法で成膜されることが好ましい。
材料とは異なる材料で構成され、特にシリコン膜または
シリコン窒化物膜であることが好ましい。本発明におけ
る陰極線管の表示面を構成するガラス基体としては、Ｃ
ＲＴのパネルガラスなどが挙げられる。本発明における
拡散防止膜、光吸収膜、酸化防止膜、低屈折率膜は、各
種方法で成膜できる。良好な膜質の膜が得られることか
ら、各膜ともスパッタリング法、特に直流反応性スパッ
タリング法で成膜されることが好ましい。
【００１４】
【実施例】（例１）ＣＲＴ用パネルガラスを真空チャン
バ内に設置後、約２．６×１０-3Ｐａまで排気した。そ
の後、Ａｒ／Ｎ2体積比が７０／３０の混合ガスを導入
し、放電圧力を４×１０-1Ｐａに設定し、シリコンター
ゲットを用いて直流反応性スパッタリング法によりＣＲ
Ｔ用パネルガラスの観察者側表面に膜厚５ｎｍのシリコ
ン窒化物膜（拡散防止膜）を成膜した。次に、同様のガ
ス雰囲気でチタン金属ターゲットにより、膜厚１２ｎｍ
のチタン窒化物膜（光吸収膜）を成膜し、続けてシリコ
ンターゲットを用いて前記同様のガス雰囲気で膜厚５ｎ
ｍのシリコン窒化物膜（酸化防止膜）を成膜した。
バ内に設置後、約２．６×１０-3Ｐａまで排気した。そ
の後、Ａｒ／Ｎ2体積比が７０／３０の混合ガスを導入
し、放電圧力を４×１０-1Ｐａに設定し、シリコンター
ゲットを用いて直流反応性スパッタリング法によりＣＲ
Ｔ用パネルガラスの観察者側表面に膜厚５ｎｍのシリコ
ン窒化物膜（拡散防止膜）を成膜した。次に、同様のガ
ス雰囲気でチタン金属ターゲットにより、膜厚１２ｎｍ
のチタン窒化物膜（光吸収膜）を成膜し、続けてシリコ
ンターゲットを用いて前記同様のガス雰囲気で膜厚５ｎ
ｍのシリコン窒化物膜（酸化防止膜）を成膜した。
【００１５】続いて、３×１０-3Ｐａまで排気した後、
Ａｒ／Ｏ2体積比が６５／３５の混合ガスを導入し、最
外層として屈折率が１．４６、膜厚１００ｎｍのシリコ
ン酸化物膜（低屈折率膜）を成膜し、本発明の光吸収性
反射防止ガラス基体（例１Ａ）を得た。得られた光吸収
性反射防止ガラス基体について、４５０℃、１時間、大
気雰囲気中での熱処理を行い、熱処理前後での膜のみの
透過率（「膜透過率」）、観察者側からの可視光に対す
る４５０〜６５０ｎｍでの平均反射率（「膜面平均反射
率」）、観察者側とは逆側からの可視光に対する４５０
〜６５０ｎｍでの平均反射率（「裏面平均反射率」）、
視感反射率、表面抵抗値をそれぞれ測定した。結果を表
１に示す。なお、表中の「前」、「後」はそれぞれ熱処
理前、熱処理後を意味する。また、比較として、拡散防
止膜を設けない以外は前記と同様にして成膜し、光吸収
性反射防止ガラス基体（例１Ｂ）を作製し、前記と同様
に測定した。
Ａｒ／Ｏ2体積比が６５／３５の混合ガスを導入し、最
外層として屈折率が１．４６、膜厚１００ｎｍのシリコ
ン酸化物膜（低屈折率膜）を成膜し、本発明の光吸収性
反射防止ガラス基体（例１Ａ）を得た。得られた光吸収
性反射防止ガラス基体について、４５０℃、１時間、大
気雰囲気中での熱処理を行い、熱処理前後での膜のみの
透過率（「膜透過率」）、観察者側からの可視光に対す
る４５０〜６５０ｎｍでの平均反射率（「膜面平均反射
率」）、観察者側とは逆側からの可視光に対する４５０
〜６５０ｎｍでの平均反射率（「裏面平均反射率」）、
視感反射率、表面抵抗値をそれぞれ測定した。結果を表
１に示す。なお、表中の「前」、「後」はそれぞれ熱処
理前、熱処理後を意味する。また、比較として、拡散防
止膜を設けない以外は前記と同様にして成膜し、光吸収
性反射防止ガラス基体（例１Ｂ）を作製し、前記と同様
に測定した。
【００１６】なお、前記の各種特性の測定方法は、以下
のとおりである。膜面平均反射率については光入射角１
０°で測定し、４５０〜６５０ｎｍでの平均反射率を算
出した。また裏面平均反射率については板厚が２ｍｍの
フロートガラスに例１と同じ膜を成膜した後、ガラス面
（膜が成膜されていない面）側からの反射率を測定し、
４５０〜６５０ｎｍでの平均反射率を算出する、という
擬似的な方法で行った。視感反射率はＪＩＳ Ｚ８１０
５で規定されている３８０〜７８０ｎｍでの反射率を示
す。表面抵抗値については約５０ｍｍ角のサンプルの両
端辺に超音波を用いたハンダ付け方法により電極を設置
し、これらの両電極間での抵抗値を測定した。
のとおりである。膜面平均反射率については光入射角１
０°で測定し、４５０〜６５０ｎｍでの平均反射率を算
出した。また裏面平均反射率については板厚が２ｍｍの
フロートガラスに例１と同じ膜を成膜した後、ガラス面
（膜が成膜されていない面）側からの反射率を測定し、
４５０〜６５０ｎｍでの平均反射率を算出する、という
擬似的な方法で行った。視感反射率はＪＩＳ Ｚ８１０
５で規定されている３８０〜７８０ｎｍでの反射率を示
す。表面抵抗値については約５０ｍｍ角のサンプルの両
端辺に超音波を用いたハンダ付け方法により電極を設置
し、これらの両電極間での抵抗値を測定した。
【００１７】（例２〜９）膜構成を表１のように変更し
た以外は例１と同様に成膜し、得られた光吸収性反射防
止ガラス基体（例２Ａ〜例９Ａ）について例１と同様に
測定した。また、比較としてそれぞれについて拡散防止
膜を設けない以外は同様にして成膜して得た光吸収性反
射防止ガラス基体（例２Ｂ〜例９Ｂ）についても同様に
測定した。これらの測定結果を表１に示す。なお、表中
のＳｉＮxはシリコン窒化物膜、ＴｉＮxはチタン窒化物
膜、ＳｉＯ xはシリコン酸化物膜、ＺｒＮxはジルコニウ
ム窒化物膜、Ｐｄ：ＴｉＮxは、ＰｄをＴｉに対して３
ａｔ％含有するチタン窒化物膜、Ｎｉ：ＴｉＮxはＮｉ
をＴｉに対して７ａｔ％含有するチタン窒化物膜の意で
ある。
た以外は例１と同様に成膜し、得られた光吸収性反射防
止ガラス基体（例２Ａ〜例９Ａ）について例１と同様に
測定した。また、比較としてそれぞれについて拡散防止
膜を設けない以外は同様にして成膜して得た光吸収性反
射防止ガラス基体（例２Ｂ〜例９Ｂ）についても同様に
測定した。これらの測定結果を表１に示す。なお、表中
のＳｉＮxはシリコン窒化物膜、ＴｉＮxはチタン窒化物
膜、ＳｉＯ xはシリコン酸化物膜、ＺｒＮxはジルコニウ
ム窒化物膜、Ｐｄ：ＴｉＮxは、ＰｄをＴｉに対して３
ａｔ％含有するチタン窒化物膜、Ｎｉ：ＴｉＮxはＮｉ
をＴｉに対して７ａｔ％含有するチタン窒化物膜の意で
ある。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＲＴ作製工程中の熱
処理を施しても、熱処理前後で表面抵抗値の変化が少な
い光吸収性反射防止ガラス基体が得られる。
処理を施しても、熱処理前後で表面抵抗値の変化が少な
い光吸収性反射防止ガラス基体が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 1/11 Ｈ０１Ｊ 9/20 Ａ Ｈ０１Ｊ 9/20 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ Ｆターム(参考） 2K009 AA05 AA06 AA07 AA08 AA12 BB02 CC02 CC03 DD04 4G059 AA07 AC04 AC11 DA09 EA05 EA12 EA13 EB04 GA02 GA04 GA12 GA14 4K029 AA09 BA46 BA58 BA60 BC07 BD00 CA04 GA01 5C028 AA01 AA07 5C032 AA02 DD02 DE01 DE02 DE03 DF05 DG01 DG02
Claims (7)
- 【請求項１】陰極線管の表示面を構成するガラス基体の
観察者側表面に、該ガラス基体からのアルカリ成分の拡
散を防止する膜として膜厚が１〜１５ｎｍである、シリ
コン酸化物膜、シリコン酸窒化物膜またはシリコン窒化
物膜が設けられ、その上に膜厚が５〜７０ｎｍである光
吸収膜が１層以上設けられ、最外層に膜厚が５０〜３０
０ｎｍである低屈折率膜が設けられてなる光吸収性反射
防止ガラス基体。 - 【請求項２】ガラス基体側から、ガラス基体からのアル
カリ成分の拡散を防止する膜と、光吸収膜と、光吸収膜
の酸化を防止する膜として膜厚が１〜２０ｎｍの金属膜
または金属窒化物膜と、低屈折率膜とがこの順に設けら
れてなる請求項１に記載の光吸収性反射防止ガラス基
体。 - 【請求項３】ガラス基体側から、ガラス基体からのアル
カリ成分の拡散を防止する膜と、光吸収膜と、光吸収膜
の酸化を防止する膜として膜厚が１〜２０ｎｍの金属膜
または金属窒化物膜と、光吸収膜と、低屈折率膜とがこ
の順に設けられてなる請求項１に記載の光吸収性反射防
止ガラス基体。 - 【請求項４】光吸収膜の酸化を防止する膜が、シリコン
膜またはシリコン窒化物膜である請求項２または３に記
載の光吸収性反射防止ガラス基体。 - 【請求項５】低屈折率膜がシリコン酸化物膜である請求
項１、２、３または４に記載の光吸収性反射防止ガラス
基体。 - 【請求項６】光吸収膜がチタン、ジルコニウム、ニオブ
およびハフニウムからなる群から選ばれる１種以上の金
属の窒化物を主成分とする膜である請求項１、２、３、
４または５に記載の光吸収性反射防止ガラス基体。 - 【請求項７】陰極線管の表示面を構成するガラス基体の
観察者側表面に、該ガラス基体からのアルカリ成分の拡
散を防止する膜として、シリコン酸化物膜、シリコン酸
窒化物膜またはシリコン窒化物膜を１〜１５ｎｍの膜厚
で形成し、その上に１層以上の光吸収膜を５〜７０ｎｍ
の膜厚で形成し、最外層に低屈折率膜を５０〜３００ｎ
ｍの膜厚で形成する光吸収性反射防止ガラス基体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000183043A JP2002008566A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 光吸収性反射防止ガラス基体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000183043A JP2002008566A (ja) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 光吸収性反射防止ガラス基体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002008566A true JP2002008566A (ja) | 2002-01-11 |
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ID=18683687
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|---|---|---|---|---|
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-
2000
- 2000-06-19 JP JP2000183043A patent/JP2002008566A/ja active Pending
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