JP2002071902A

JP2002071902A - 光吸収性反射防止体

Info

Publication number: JP2002071902A
Application number: JP2000256060A
Authority: JP
Inventors: Tomohiro Yamada; 朋広山田; Satoru Takagi; 悟高木
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2000-08-25
Filing date: 2000-08-25
Publication date: 2002-03-12

Abstract

(57)【要約】【課題】低い表面抵抗値、低反射性能、耐熱性を有し、
可視域において透過率がほぼ一定な光吸収性反射防止体
の提供。【解決手段】基体１０側から順に、第１の光吸収膜１
１、屈折率が１．９〜２．７の高屈折率膜１２、第２の
光吸収膜１３、屈折率が１．３５〜１．６の低屈折率膜
１４が形成されてなり、第１の光吸収膜１１が、Ｔｉ、
ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる１種以上の金属
とＳｉおよびＡｌからなる群から選ばれる１種以上の元
素との合金からなる金属膜であり、第２の光吸収膜１３
が、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる１種
以上の金属を含む金属膜または窒化物膜である光吸収性
反射防止体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光吸収性反射防止
体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの急速な普及ととも
に、端末オペレータの作業環境を改善するために、ディ
スプレイ表面の反射低減や帯電防止が要求されつつあ
る。特にＣＲＴ（陰極線管）では、コントラスト向上の
ためにＣＲＴパネルガラスの透過率を低下させたり、電
磁波を遮蔽することが求められるようになってきてい
る。

【０００３】一方、近年、ＣＲＴディスプレイの平面化
が進み、ＣＲＴパネルガラスの中央部と周辺部に、従来
の曲面管に比べて大きな肉厚差が強度上必須となるた
め、従来のように、透過率の低いガラス素地を用いてコ
ントラストを向上させる手段では、画面中央部と画面周
辺部の明るさが異なる欠点が生ずるようになってきた。

【０００４】そこで、ＣＲＴパネルガラスに、より透過
率の高いガラス素地を用いることが提案されている。そ
の一方で、高透過率のガラス素地を用いた場合にはコン
トラストの低下をまねく。そこで、ＣＲＴ表面に形成す
る反射防止膜として、透過率を低くしたものが要求され
ている。

【０００５】従来技術として、基体側から順に、遷移金
属窒化物膜／透明膜／遷移金属窒化物膜／透明膜の４層
の多層膜からなる低透過率の反射防止膜が提案されてい
る（米国特許第５，０９１，２４４号）。しかし、この
反射防止膜では、波長６５０ｎｍ付近の透過率が波長５
５０ｎｍ付近の透過率に比べてかなり低下する。結果、
ＣＲＴの赤色の輝度を上げるためにカソード電流の増加
が必要になるが、その場合、電子ビームのスポット精度
が悪化する（スポット精度の悪化は、特に赤色に用いら
れる電子ビームで顕著）ため、高解像度化が難しいとい
う問題があった。

【０００６】また別の従来技術として、基体側から順
に、Ｃｒ膜／Ｓｉの窒化物膜／Ｔｉの窒化物膜／Ｓｉの
酸化物膜の４層の多層膜からなる低透過率の反射防止膜
が提案されている（特開２０００−１９３８０１）。一
方、反射防止膜は、熱処理に耐えられることが望まれて
いる。例えば、ＣＲＴパネルガラスの表面に反射防止膜
を成膜した後、該ＣＲＴパネルガラスにはＣＲＴとして
製品化される工程において、大気雰囲気で約４５０℃の
熱処理が施される。前記の特開２０００−１９３８０１
記載の反射防止膜では、前記熱処理前後で可視光反射率
が変化し、実用上、耐熱性は必ずしも充分ではない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、電磁波遮蔽
性能を発現しうる低い表面抵抗値を有するとともに、膜
面側からの入射光に対して低反射性能を有し、かつ４０
０〜７００ｎｍの波長域の全域において透過率がほぼ一
定であって、耐熱性に優れた光吸収性反射防止体の提供
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、基体側から順
に、膜厚（幾何学的膜厚の意であり、以下も同様。）が
１〜３０ｎｍの第１の光吸収膜、膜厚が２０〜１００ｎ
ｍの高屈折率膜、膜厚が１〜３０ｎｍの第２の光吸収
膜、膜厚が５０〜１５０ｎｍの低屈折率膜が形成されて
なる光吸収性反射防止体であって、第１の光吸収膜が、
Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる１種以上
の金属とＳｉおよびＡｌからなる群から選ばれる１種以
上の元素との合金からなる合金膜であり、高屈折率膜が
波長４００〜７００ｎｍにおいて１．９〜２．７の屈折
率を有する膜であり、第２の光吸収膜が、前記高屈折率
膜とは異なる組成からなり、かつ該第２の光吸収膜が、
Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる１種以上
の金属からなる金属膜、該金属の窒化物膜、Ｔｉ、Ｚｒ
およびＨｆからなる群から選ばれる１種以上の金属とＳ
ｉおよびＡｌからなる群から選ばれる１種以上の元素と
の合金からなる合金膜、または、該合金の窒化物膜であ
り、低屈折率膜が波長４００〜７００ｎｍにおいて１．
３５〜１．６の屈折率を有する膜である光吸収性反射防
止体である。

【０００９】本発明における第１の光吸収膜は、Ｔｉ、
ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる１種以上の金属
（Ａ群）とＳｉおよびＡｌからなる群から選ばれる１種
以上の元素（Ｂ群）との合金からなる金属膜である。特
に、光学特性および生産性の観点から、Ａ群の金属とし
てはＴｉであることが好ましい。第１の光吸収膜として
具体的には、ＴｉＳｉ合金膜、ＴｉＡｌ合金膜が挙げら
れる。

【００１０】なお、ＴｉＳｉ合金膜の場合には、反射防
止能の観点から、Ｓｉ／（Ｔｉ＋Ｓｉ）の原子比が０超
０．７未満であることが好ましい。本発明における第１
の光吸収膜の好ましい膜厚は１〜２５ｎｍである。

【００１１】本発明における第２の光吸収膜は、Ａ）Ｔ
ｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる１種以上の
金属からなる金属膜、Ｂ）該金属の窒化物膜、Ｃ）Ｔ
ｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる１種以上の
金属とＳｉおよびＡｌからなる群から選ばれる１種以上
の元素との合金からなる合金膜、または、Ｄ）該合金の
窒化物膜、である。耐久性や生産性の観点から、第２の
光吸収膜は、Ｂ）の膜、特にＴｉの窒化物膜であること
が好ましい。Ｔｉの窒化物を含む膜の代表例であるＴｉ
の窒化物膜は、後述する低屈折率膜として好適なＳｉの
酸化物膜と組合わせて用いられることにより、低屈折率
膜側からの入射光に対する低反射性能発現に有利な光学
定数をとる。本発明における第２の光吸収膜の好ましい
膜厚は１〜２５ｎｍである。

【００１２】本発明における高屈折率膜は、Ｓｉおよび
Ａｌからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物
膜、該元素の酸窒化物膜、または、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、
Ｉｎ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、ＢｉおよびＣｒからなる群か
ら選ばれる１種以上の金属の酸化物膜であることが好ま
しい。特に、４００〜７００ｎｍ（以下、可視域とい
う）の全域における消衰係数が０．０３以下である透明
高屈折率膜であることが好ましい。

【００１３】前記の透明高屈折率膜としては、Ｓｉおよ
びＡｌからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物
膜や、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｔａ、ＮｂおよびＴｉ
からなる群から選ばれる１種以上の金属の酸化物膜が挙
げられる。特に、屈折率、耐久性の観点から、Ｓｉの窒
化物膜であることが好ましい。

【００１４】高屈折率膜としては、微吸収性高屈折率膜
も用い得る。より低い透過率を発現させるうえでは微吸
収性高屈折率膜を用いることが好ましい。微吸収性高屈
折率膜は、可視域における消衰係数が０．０５〜０．６
（特に０．０５〜０．４）の範囲にあり、かつその消衰
係数が短波長側ほど大きい材料からなることが好まし
い。

【００１５】前記の微吸収性高屈折率膜としては、Ｓｉ
の窒化物膜、Ｓｉの酸窒化物膜、Ｂｉの酸化物膜または
Ｃｒの酸化物膜が挙げられる。特に、屈折率、耐久性の
観点から、Ｓｉの窒化物膜（例えば酸素をわずかに含有
するＳｉの窒化物膜）であることが好ましい。本発明に
おける高屈折率膜の好ましい膜厚は３０〜１００ｎｍで
ある。

【００１６】本発明における低屈折率膜は、可視域全域
における消衰係数が０．０３以下である透明低屈折率膜
であることが好ましい。前記透明低屈折率膜としては、
Ｓｉの酸化物膜またはＭｇのフッ化物膜が挙げられる。
特に、屈折率、耐久性の観点から、Ｓｉの酸化物膜であ
ることが好ましい。本発明における低屈折率膜の好まし
い膜厚は６０〜１３０ｎｍである。

【００１７】本発明における各種の膜の成膜方法は特に
限定されず、スパッタリング法、ＣＶＤ法、スピンコー
ト法、ディップコート法などが挙げられる。生産性の観
点からは、いずれの膜もスパッタリング法で成膜される
ことが好ましい。

【００１８】第１の光吸収膜については、例えば、Ｔ
ｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選ばれる１種以上の
金属とＳｉおよびＡｌからなる群から選ばれる１種以上
の元素との合金からなるターゲットを不活性ガス雰囲気
中でスパッタリングする。成膜された第１の光吸収膜に
は少量の不純物が含まれてもよい。高屈折率膜であるＳ
ｉの窒化物膜については、例えば、導電性のＳｉターゲ
ットを窒素ガスの存在下でスパッタリングする。ターゲ
ットに導電性を持たせるために少量の不純物が添加され
得るが、成膜されたＳｉの窒化物膜中に該不純物が含ま
れてもよい。また、Ｓｉの窒化物膜には微量の酸素が含
まれてもよい。

【００１９】第２の光吸収膜である前記Ａ）の膜につい
ては、例えば、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選
ばれる１種以上の金属からなるターゲットを不活性ガス
雰囲気中でスパッタリングする。第２の光吸収膜である
前記Ｂ）の膜については、例えば、Ｔｉ、ＺｒおよびＨ
ｆからなる群から選ばれる１種以上の金属からなるター
ゲットを窒素ガスの存在下でスパッタリングする。

【００２０】第２の光吸収膜である前記Ｃ）の膜につい
ては、例えば、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群から選
ばれる１種以上の金属とＳｉおよびＡｌからなる群から
選ばれる１種以上の元素との合金からなるターゲットを
不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする。第２の光吸
収膜である前記Ｄ）の膜については、例えば、Ｔｉ、Ｚ
ｒおよびＨｆからなる群から選ばれる１種以上の金属と
ＳｉおよびＡｌからなる群から選ばれる１種以上の元素
との合金からなるターゲットを窒素ガスの存在下でＤＣ
スパッタリングする。成膜された第２の光吸収膜には少
量の不純物が含まれてもよい。

【００２１】低屈折率膜であるＳｉの酸化物膜について
は、例えば、導電性のＳｉターゲットを酸素ガスの存在
下でスパッタリングする。ターゲットに導電性を持たせ
るために少量の不純物が添加され得るが、成膜されたＳ
ｉの酸化物膜中に該不純物が含まれてもよい。

【００２２】本発明の光吸収性反射防止体は、視認性向
上の観点から、低屈折率膜側からの入射光に対する膜面
のみの可視光反射率（以下、膜面可視光反射率という）
が０．６％以下であることが好ましい。膜面可視光反射
率は、基体の裏面（膜が形成された面とは反対側の面）
に黒色ラッカーを塗布して裏面反射を消して、膜面のみ
の可視光反射率として測定される。

【００２３】本発明において用いられる基体は特に限定
されず、ガラス基体、プラスチック基体などの透明基体
が挙げられる。ガラス基体としては、ＣＲＴを構成する
パネルガラス、熱封着後のＣＲＴ（パネル表面に成膜さ
れる）、ディスプレイ（例えばＣＲＴやＰＤＰ等）と操
作者との間に設置されるフィルタを構成するガラス基板
などが挙げられる。

【００２４】プラスチック基体としては、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）からなるプラスチック基板や
プラスチックフィルムなどが挙げられる。プラスチック
フィルムはディスプレイ等の表面に貼付して用いられ
る。基体としてプラスチック基体を用いた場合は、本発
明の耐熱性改善の効果を利用できないが、基体としてガ
ラス基体（特にＣＲＴ用パネルガラス）を用いた場合
は、本発明の耐熱性改善の効果が顕著にあらわれる。

【００２５】光吸収性反射防止体は、コントラスト向上
およびディスプレイの輝度の観点から、可視光透過率が
３５〜９０％（特に３５〜７０％）であることが好まし
い。光吸収性反射防止体は、二重像（ディスプレイに映
る像が二重に見えること）を軽減する観点から、本発明
における４層の膜が形成された側とは反対側からの入射
光に対する可視光反射率が１０％以下であることが好ま
しい。

【００２６】熱処理（大気雰囲気、４５０℃）前後での
透過率変化を効果的に抑えられることから、基体と第１
の光吸収膜との間に、Ｓｉの窒化物膜および／またはＳ
ｉの炭化物膜が形成されることが好ましい。膜厚は１〜
１０ｎｍ、特に２〜７ｎｍであることが好ましい。低反
射性の観点からは、Ｓｉの炭化物膜であることが好まし
い。

【００２７】

【実施例】［例１（実施例）］真空槽内に、Ｔｉ−１５
ａｔ％Ｓｉ合金と、多結晶Ｓｉ（Ｂドープ）と、金属Ｔ
ｉとをそれぞれターゲットとしてカソード上に設置し、
真空槽を５×１０^- ⁴Ｐａまで排気した。真空槽内に設置
したソーダライムガラス基板１０上に、次のようにして
図１に示す４層膜を形成した。なお、Ｔｉ−１５ａｔ％
Ｓｉ合金とは、ＴｉとＳｉの総量に対してＳｉが１５原
子％含有された合金の意であり、以下も同様とする。

【００２８】（１）まず放電ガスとしてアルゴンを導入
し、圧力が３×１０^- ¹Ｐａになるようコンダクタンスを
調整した。次いでＴｉ−１５ａｔ％Ｓｉのカソードに
１．４Ｗ／ｃｍ²の電力密度で直流を投入し、直流（Ｄ
Ｃ）スパッタリングにより５ｎｍのＴｉＳｉ_x膜１１を
成膜した。（２）ガス導入を停止し、真空槽内を高真空とした後、
放電ガスとしてアルゴンと窒素の混合ガス（Ａｒ／Ｎ₂
＝１／１）を導入し、圧力が３×１０^- ¹Ｐａになるよう
コンダクタンスを調整した。次いでＳｉのカソードに
２．８Ｗ／ｃｍ²の電力密度で直流を投入し、ＤＣスパ
ッタリングにより６０ｎｍの透明なＳｉＮ _x膜１２を形
成した。

【００２９】（３）ガス導入を停止し、真空槽内を高真
空とした後、放電ガスとしてアルゴンと窒素の混合ガス
（Ａｒ／Ｎ₂＝４／１）を導入し、圧力が３×１０^- ¹Ｐ
ａになるようコンダクタンスを調整した。次いでＴｉの
カソードに１．９Ｗ／ｃｍ²の電力密度で直流を投入
し、ＤＣスパッタリングにより１０ｎｍのＴｉＮ_x膜１
３を成膜した。（４）ガス導入を停止し、真空槽内を高真空とした後、
放電ガスとしてアルゴンと酸素の混合ガス（Ａｒ／Ｏ₂
＝１／２）を導入し、圧力が３×１０^- ¹Ｐａになるよう
コンダクタンスを調整した。次いでＳｉのカソードに
５．６Ｗ／ｃｍ²の電力密度で直流を投入し、ＤＣスパ
ッタリングにより１００ｎｍの透明なＳｉＯ₂膜１４を
形成した。

【００３０】得られた光吸収性反射防止体について、分
光透過率を測定した。また、このサンプルの膜面可視光
反射率を求めるために膜が形成された側の分光反射率
（以下膜面分光反射率という）を測定した。膜面分光反
射率はガラス基板の裏面（膜が形成された面とは反対側
の面）に黒色ラッカーを塗布して裏面反射を消した状態
で測定した。また、ガラス基板の裏面側の分光反射率
（以下ガラス面側分光反射率という）も測定した。得ら
れた分光透過率の曲線１５、ガラス面側分光反射率の曲
線１６および膜面分光反射率の曲線１７を図２に示し
た。

【００３１】［例２〜５（実施例）、例６〜７（比較
例）］例１における一部の条件を表１、２に示すように
変更した以外は例１と同様にして、各種の光吸収性反射
防止体を作製した。ただし、表１には示していないが、
例５では基板１０と膜１１との間にＳｉＮ_x膜を５ｎｍ
形成した。例１〜７の膜構成を表３に示す。例２〜７で
得られた光吸収性反射防止体の分光透過率曲線、ガラス
面側分光反射率曲線および膜面分光反射率曲線を、それ
ぞれ図４、図６、図８、図１０、図１２、図１４に示し
た。

【００３２】例１〜７の光吸収性反射防止膜付きガラス
を約５ｃｍ角に切り出し、シート抵抗値を非接触式の導
電率計で測定した。シート抵抗値は電磁波遮蔽の観点か
ら、１ｋΩ／□以下、特に５００Ω／□以下であること
が好ましい。シート抵抗値、分光曲線から求めた膜面可
視光反射率（膜面のみ）、可視光透過率（ガラス基板込
み）およびガラス面側可視光反射率（ガラス基板込み）
を表４に示す。なお、可視光透過率およびガラス面側可
視光反射率はＪＩＳＲ３１０６に基づいて測定した。

【００３３】また、例１〜６の光吸収性反射防止膜付き
ガラスにそれぞれ大気雰囲気中、４５０℃、３０分の熱
処理を２回施した。例１〜６の熱処理後の光吸収性反射
防止体の分光透過率曲線、ガラス面側分光反射率曲線お
よび膜面分光反射率曲線を、それぞれ図３、図５、図
７、図９、図１１、図１３に示した。該熱処理後の、シ
ート抵抗値、分光曲線から求めた膜面可視光反射率（膜
面のみ）、可視光透過率（ガラス基板込み）およびガラ
ス面側可視光反射率（ガラス基板込み）も表４に示す。

【００３４】本発明の光吸収性反射防止体（例１〜５）
は、６５０ｎｍ付近の透過率が５５０ｎｍ付近の透過率
に比べて大きく低下することがなく、熱処理後も膜面可
視光反射率の絶対値の増加は０．２％以下に抑えられて
いる。

【００３５】

【表１】

【００３６】

【表２】

【００３７】

【表３】

【００３８】

【表４】

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、簡単な膜構成で総膜厚
をあまり大きくすることなく、適度な光吸収率を有し、
膜面側からの入射光に対して低反射性能を有する光吸収
性反射防止体を得ることができる。また、本発明の光吸
収性反射防止体は、特定の光吸収膜を２層有するのでシ
ート抵抗値が低く、実用上充分な電磁波遮蔽性能を発現
する。

【００４０】本発明の光吸収性反射防止体を、ディスプ
レイの表示面を構成するガラス（例えばＣＲＴ用パネル
ガラスやＰＤＰ用の前面ガラス）、フェイスプレートガ
ラス、フィルタガラス等として用いれば、表示画面のコ
ントラストを改善でき、その効果は透明反射防止体を用
いた場合より顕著となる。また、本発明の光吸収性反射
防止体は、裏面からの入射光に対しても反射率が低く、
いわゆる二重像の程度が軽減される。したがって、フラ
ットな表面形状を有するＣＲＴに本発明の光吸収性反射
防止体を用いれば、中央部と周辺部での輝度差がなく、
また二重像による視認性の低下もないＣＲＴが得られ
る。

【００４１】また、本発明の光吸収性反射防止体は、可
視域にわたってほぼ一定な透過特性を有するため、電子
ビームのスポット精度が悪化するほどにはカソード電流
を増す必要がなく、高解像度化に有利である。また、耐
熱性に優れるため、ＣＲＴ製造における真空熱封着工程
に要求される程度の熱処理には充分耐えられる。したが
って、ＣＲＴ用パネルガラスに本発明の光吸収性反射防
止体を用いれば、成膜した後に熱処理し、ＣＲＴを組み
立てることができる。また、ＣＲＴに限らず、耐熱性の
要求される用途への適用が期待できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一例を示す模式的断面図。

【図２】例１の分光透過率、ガラス面側分光反射率およ
び膜面分光反射率を示す図。

【図３】例１の熱処理後の分光透過率、ガラス面側分光
反射率および膜面分光反射率を示す図。

【図４】例２の分光透過率、ガラス面側分光反射率およ
び膜面分光反射率を示す図。

【図５】例２の熱処理後の分光透過率、ガラス面側分光
反射率および膜面分光反射率を示す図。

【図６】例３の分光透過率、ガラス面側分光反射率およ
び膜面分光反射率を示す図。

【図７】例３の熱処理後の分光透過率、ガラス面側分光
反射率および膜面分光反射率を示す図。

【図８】例４の分光透過率、ガラス面側分光反射率およ
び膜面分光反射率を示す図。

【図９】例４の熱処理後の分光透過率、ガラス面側分光
反射率および膜面分光反射率を示す図。

【図１０】例５の分光透過率、ガラス面側分光反射率お
よび膜面分光反射率を示す図。

【図１１】例５の熱処理後の分光透過率、ガラス面側分
光反射率および膜面分光反射率を示す図。

【図１２】例６の分光透過率、ガラス面側分光反射率お
よび膜面分光反射率を示す図。

【図１３】例６の熱処理後の分光透過率、ガラス面側分
光反射率および膜面分光反射率を示す図。

【図１４】例７の分光透過率、ガラス面側分光反射率お
よび膜面分光反射率を示す図。

【符号の説明】

１０：基板１１：第１の光吸収膜１２：高屈折率膜１３：第２の光吸収膜１４：低屈折率膜１５、１８、２１、２４、２７、３０、３３、３６、３
９、４２、４５、４８、５１：分光透過率１６、１９、２２、２５、２８、３１、３４、３７、４
０、４３、４６、４９、５２：ガラス面側分光反射率１７、２０、２３、２６、２９、３２、３５、３８、４
１、４４、４７、５０、５３：膜面分光反射率

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に、基体側から順に、膜厚が１〜３
０ｎｍの第１の光吸収膜、膜厚が２０〜１００ｎｍの高
屈折率膜、膜厚が１〜３０ｎｍの第２の光吸収膜、膜厚
が５０〜１５０ｎｍの低屈折率膜が形成されてなる光吸
収性反射防止体であって、第１の光吸収膜が、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆからなる群か
ら選ばれる１種以上の金属とＳｉおよびＡｌからなる群
から選ばれる１種以上の元素との合金からなる合金膜で
あり、高屈折率膜が波長４００〜７００ｎｍにおいて１．９〜
２．７の屈折率を有する膜であり、第２の光吸収膜が、前記高屈折率膜とは異なる組成から
なり、かつ該第２の光吸収膜が、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆ
からなる群から選ばれる１種以上の金属からなる金属
膜、該金属の窒化物膜、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆからなる
群から選ばれる１種以上の金属とＳｉおよびＡｌからな
る群から選ばれる１種以上の元素との合金からなる合金
膜、または、該合金の窒化物膜であり、低屈折率膜が波長４００〜７００ｎｍにおいて１．３５
〜１．６の屈折率を有する膜である光吸収性反射防止
体。
【請求項２】高屈折率膜が、ＳｉおよびＡｌからなる群
から選ばれる１種以上の元素の窒化物膜、該元素の酸窒
化物膜、または、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｔｉ、ＢｉおよびＣｒからなる群から選ばれる１種
以上の金属の酸化物膜である請求項１に記載の光吸収性
反射防止体。
【請求項３】低屈折率膜が、Ｓｉの酸化物膜またはＭｇ
のフッ化物膜である請求項１または２に記載の光吸収性
反射防止体。
【請求項４】低屈折率膜側からの入射光に対する膜面の
みの可視光反射率が０．６％以下である請求項１、２ま
たは３に記載の光吸収性反射防止体。
【請求項５】基体がガラス基体である請求項１〜４のい
ずれかに記載の光吸収性反射防止体。
【請求項６】可視光透過率が３５〜９０％である請求項
１〜５のいずれかに記載の光吸収性反射防止体。
【請求項７】前記４層の膜が形成された側とは反対側か
らの入射光に対する可視光反射率が１０％以下である請
求項１〜６のいずれかに記載の光吸収性反射防止体。
【請求項８】基体と第１の光吸収膜との間に、Ｓｉの窒
化物膜および／またはＳｉの炭化物膜が形成されてなる
請求項１〜７のいずれかに記載の光吸収性反射防止体。