JP2000147206A - 反射防止体 - Google Patents
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表裏入射光の反射率を低減して良好な画像表
示を行う。 【解決手段】 反射防止体１は、透光性基板２と、多層
反射防止膜３とによって構成される。多層反射防止膜３
は、透光性材料よりなる第１の透光膜４、導電性を有す
る光吸収性材料よりなる第１の光吸収膜５、透光性材料
よりなる第２の透光膜６、導電性を有する光吸収性材料
よりなる第２の光吸収膜７、透光性材料よりなる第３の
透光膜８、とから構成される。
示を行う。 【解決手段】 反射防止体１は、透光性基板２と、多層
反射防止膜３とによって構成される。多層反射防止膜３
は、透光性材料よりなる第１の透光膜４、導電性を有す
る光吸収性材料よりなる第１の光吸収膜５、透光性材料
よりなる第２の透光膜６、導電性を有する光吸収性材料
よりなる第２の光吸収膜７、透光性材料よりなる第３の
透光膜８、とから構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ装置
のパネルガラス等に用いて好適な反射防止体に関する。
のパネルガラス等に用いて好適な反射防止体に関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管を用いたディスプレイ装置のパ
ネルガラス等に使用される反射防止体においては、近年
のコンピュータの急速な普及とともに、表示画像等のコ
ントラストの向上、使用者のエルゴノミクス向上を目的
として、導電・光吸収特性を有するものに対するニーズ
が高まっている。その一方、最近では、ディスプレイ装
置のパネルガラスは、例えば陰極線管のフラット化の対
応により、コーナ部の肉厚がセンター部に比べて厚くな
り、センター部とコーナ部との輝度比が大きくなるとい
った不具合をかかえている。
ネルガラス等に使用される反射防止体においては、近年
のコンピュータの急速な普及とともに、表示画像等のコ
ントラストの向上、使用者のエルゴノミクス向上を目的
として、導電・光吸収特性を有するものに対するニーズ
が高まっている。その一方、最近では、ディスプレイ装
置のパネルガラスは、例えば陰極線管のフラット化の対
応により、コーナ部の肉厚がセンター部に比べて厚くな
り、センター部とコーナ部との輝度比が大きくなるとい
った不具合をかかえている。
【０００３】導電・光吸収性反射防止体としては、遷移
金属を用いて反射防止膜を構成したものがあり、例えば
特開平９−１５６９６４号公報に記載されたガラス／遷
移金属窒化膜／透明膜構成を備えたものや、特表平６−
５１０３８２号公報に記載されたガラス／遷移金属窒化
膜／透明膜／遷移金属窒化膜／透明膜構成を備えたもの
等が提案されている。これらの導電・光吸収性反射防止
体は、いずれも反射防止膜の表面側からの入射光に対す
る反射防止機能を目的としたものである。これら導電・
光吸収性反射防止体は、反射防止膜の表面側からの入射
光に対する反射率を実用上、十分なレベルにまで低くす
ることが可能である。
金属を用いて反射防止膜を構成したものがあり、例えば
特開平９−１５６９６４号公報に記載されたガラス／遷
移金属窒化膜／透明膜構成を備えたものや、特表平６−
５１０３８２号公報に記載されたガラス／遷移金属窒化
膜／透明膜／遷移金属窒化膜／透明膜構成を備えたもの
等が提案されている。これらの導電・光吸収性反射防止
体は、いずれも反射防止膜の表面側からの入射光に対す
る反射防止機能を目的としたものである。これら導電・
光吸収性反射防止体は、反射防止膜の表面側からの入射
光に対する反射率を実用上、十分なレベルにまで低くす
ることが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般に、吸収
膜を含む多層膜構成の反射防止体においては、多層膜の
表裏面の反射率が全く異なっている。このため、導電・
光吸収性反射防止体は、多層膜の表側からの入射光に対
する反射率は非常に低くすることが可能であっても、多
層膜の裏側からの入射光に対する反射率は高くなる。そ
のため、これら導電・光吸収性反射防止体は、陰極線管
のパネルガラスとして用いた場合に、蛍光面側からの発
光が、陰極線管のパネルガラスと皮膜の界面で反射し、
再び蛍光面を照らすことになる。その結果、陰極線管
は、表示画像等のコントラスト性能が著しく劣化し、画
像が２重になって表示されるといった問題が生じる。
膜を含む多層膜構成の反射防止体においては、多層膜の
表裏面の反射率が全く異なっている。このため、導電・
光吸収性反射防止体は、多層膜の表側からの入射光に対
する反射率は非常に低くすることが可能であっても、多
層膜の裏側からの入射光に対する反射率は高くなる。そ
のため、これら導電・光吸収性反射防止体は、陰極線管
のパネルガラスとして用いた場合に、蛍光面側からの発
光が、陰極線管のパネルガラスと皮膜の界面で反射し、
再び蛍光面を照らすことになる。その結果、陰極線管
は、表示画像等のコントラスト性能が著しく劣化し、画
像が２重になって表示されるといった問題が生じる。
【０００５】また、多層膜の反対側からの入射光に対す
る反射率の低下方法は、「Thin-Fiｌｍ Optical Filt
ers」Ｈ．Ａ．Ｍacleod、ＭcGRAW−ＨILL，２ndＥd.,pp
６５−６６（１９８９）に記載されている通りである。
しかし、かかる光学フィルタは、多層膜の表側からの入
射光に対する反射率が、可視光域において約１０％にと
どまり、実用に耐えうる反射防止特性が得られていな
い。
る反射率の低下方法は、「Thin-Fiｌｍ Optical Filt
ers」Ｈ．Ａ．Ｍacleod、ＭcGRAW−ＨILL，２ndＥd.,pp
６５−６６（１９８９）に記載されている通りである。
しかし、かかる光学フィルタは、多層膜の表側からの入
射光に対する反射率が、可視光域において約１０％にと
どまり、実用に耐えうる反射防止特性が得られていな
い。
【０００６】ところで一般的な陰極線管等に使用される
前面板は、センター部で約５０％のガラス透過率を有
し、その主面に約７５％の光吸収膜が被膜され、総合透
過率が約３８％前後に設計され良好なコントラストを得
ている。また、パネルガラスは、自体に光吸収性を有す
ることから、肉厚がセンター部に対して約１４％厚くな
るコーナ部の透過率が、センター部の約９２％になって
いた。
前面板は、センター部で約５０％のガラス透過率を有
し、その主面に約７５％の光吸収膜が被膜され、総合透
過率が約３８％前後に設計され良好なコントラストを得
ている。また、パネルガラスは、自体に光吸収性を有す
ることから、肉厚がセンター部に対して約１４％厚くな
るコーナ部の透過率が、センター部の約９２％になって
いた。
【０００７】一方、フラット化された陰極線管等のパネ
ルガラスにおいては、コーナ部の肉厚がセンター部に対
して約３３％厚くなる。そのため、パネルガラスは、透
過率がセンター部の約８２％と大きく低下してしまうと
いう問題をかかえている。
ルガラスにおいては、コーナ部の肉厚がセンター部に対
して約３３％厚くなる。そのため、パネルガラスは、透
過率がセンター部の約８２％と大きく低下してしまうと
いう問題をかかえている。
【０００８】フラット化された陰極線管等のパネルガラ
スにおいては、上述した問題を解決するために、パネル
ガラスの光吸収率を低下させるとともに、パネル表面の
反射防止膜の透過率を低下させることが必要となる。パ
ネルガラスは、これにより、センター部とコーナ部との
透過率比が、総合透過率でのコントラスト性能を維持し
つつ、約９５％まで改善される。つまり、フラット化さ
れた陰極線管等のパネルガラスにおいては、パネルガラ
スの透過率を約７５％として反射防止膜の透過率を約５
０％近くに構成する必要性がある。
スにおいては、上述した問題を解決するために、パネル
ガラスの光吸収率を低下させるとともに、パネル表面の
反射防止膜の透過率を低下させることが必要となる。パ
ネルガラスは、これにより、センター部とコーナ部との
透過率比が、総合透過率でのコントラスト性能を維持し
つつ、約９５％まで改善される。つまり、フラット化さ
れた陰極線管等のパネルガラスにおいては、パネルガラ
スの透過率を約７５％として反射防止膜の透過率を約５
０％近くに構成する必要性がある。
【０００９】しかしながら、フラット化された陰極線管
等のパネルガラスにおいては、コントラスト性能を得る
ために、約５０％近い透過率と導電性を有し、さらに多
層膜の表側からの反射防止特性を有しつつも、多層膜の
反対側からの反射率を約４％程度に抑制するようにした
ものはこれまで知られていなかった。
等のパネルガラスにおいては、コントラスト性能を得る
ために、約５０％近い透過率と導電性を有し、さらに多
層膜の表側からの反射防止特性を有しつつも、多層膜の
反対側からの反射率を約４％程度に抑制するようにした
ものはこれまで知られていなかった。
【００１０】したがって、本発明は、導電性と光吸収性
とを有し、多層反射防止膜の表側からの反射率を低減す
るのみならず、この多層反射防止膜の反対側からの入射
光に対しても反射率を抑制して良好な画像表示等を行い
得るようにした反射防止体を提供することを目的に提案
されたものである。
とを有し、多層反射防止膜の表側からの反射率を低減す
るのみならず、この多層反射防止膜の反対側からの入射
光に対しても反射率を抑制して良好な画像表示等を行い
得るようにした反射防止体を提供することを目的に提案
されたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
本発明にかかる反射防止体は、透光性基板と、第１の透
光膜と、第１の光吸収膜と、第２の透光膜と、第２の光
吸収膜と、第３の透光膜からなる５層構造の反射多層防
止膜とによって構成される。第１の透光膜は、透光性材
料により透光性基板の主面上に形成されるとともに５０
ｎｍ以下の膜厚を有する。第１の光吸収膜は、導電性を
有する光吸収性材料により第１の透光膜上に形成される
とともに所定の透過率に応じて膜厚が３０ｎｍ以下で調
整されてなる。第２の透光膜は、透光性材料により第１
の光吸収膜上に形成される。第２の光吸収膜は、導電性
を有する光吸収性材料により第２の透光膜上に形成され
るとともに、所定の透過率に応じて膜厚が３０ｎｍ以下
で調整されてなる。第３の透光膜は、透光性材料により
第２の光吸収膜上に形成されるとともに入射光の周波数
が５５０ｎｍ付近のとき約４分の１波長の光学的な膜厚
とされ、屈折率が１．５２未満でかつ第１の透光膜と第
２の透光膜の屈折率よりも小さな屈折率を有する。
本発明にかかる反射防止体は、透光性基板と、第１の透
光膜と、第１の光吸収膜と、第２の透光膜と、第２の光
吸収膜と、第３の透光膜からなる５層構造の反射多層防
止膜とによって構成される。第１の透光膜は、透光性材
料により透光性基板の主面上に形成されるとともに５０
ｎｍ以下の膜厚を有する。第１の光吸収膜は、導電性を
有する光吸収性材料により第１の透光膜上に形成される
とともに所定の透過率に応じて膜厚が３０ｎｍ以下で調
整されてなる。第２の透光膜は、透光性材料により第１
の光吸収膜上に形成される。第２の光吸収膜は、導電性
を有する光吸収性材料により第２の透光膜上に形成され
るとともに、所定の透過率に応じて膜厚が３０ｎｍ以下
で調整されてなる。第３の透光膜は、透光性材料により
第２の光吸収膜上に形成されるとともに入射光の周波数
が５５０ｎｍ付近のとき約４分の１波長の光学的な膜厚
とされ、屈折率が１．５２未満でかつ第１の透光膜と第
２の透光膜の屈折率よりも小さな屈折率を有する。
【００１２】以上のように構成された本発明にかかる反
射防止体によれば、第１の光吸収膜と第２の光吸収膜と
に、それぞれ導電性を有する光吸収性材料が用いられる
ことから、多層反射防止膜の全体に導電性が付与され
る。また、反射防止体は、第１の光吸収膜と第２の光吸
収膜とを、それぞれの膜厚が相関されて適宜調整される
ことにより、反射防止体の透過率を所定の透過率に規定
する。したがって、反射防止体は、表裏両面からの入射
光の反射率が低下され、コントラスト性能が維持され
る。
射防止体によれば、第１の光吸収膜と第２の光吸収膜と
に、それぞれ導電性を有する光吸収性材料が用いられる
ことから、多層反射防止膜の全体に導電性が付与され
る。また、反射防止体は、第１の光吸収膜と第２の光吸
収膜とを、それぞれの膜厚が相関されて適宜調整される
ことにより、反射防止体の透過率を所定の透過率に規定
する。したがって、反射防止体は、表裏両面からの入射
光の反射率が低下され、コントラスト性能が維持され
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。本発明の実施の形
態として示す反射防止体１は、図１に示すように、透光
性基板２と、この透光性基板２の主面上に形成される反
射防止膜３によって構成される。反射防止膜３は、第１
の透光膜４と、第１の光吸収膜５と、第２の透光膜６
と、第２の光吸収膜と７、第３の透光膜８との５層構成
によって構成される。
て、図面を参照して詳細に説明する。本発明の実施の形
態として示す反射防止体１は、図１に示すように、透光
性基板２と、この透光性基板２の主面上に形成される反
射防止膜３によって構成される。反射防止膜３は、第１
の透光膜４と、第１の光吸収膜５と、第２の透光膜６
と、第２の光吸収膜と７、第３の透光膜８との５層構成
によって構成される。
【００１４】反射防止体１は、例えばディスプレイ装置
のパネルガラスに用いられ、透光性基板２が、ガラス基
板、ＣＲＴのフェースパネル、プラスティック基板、又
はフィルム体等によって構成される。
のパネルガラスに用いられ、透光性基板２が、ガラス基
板、ＣＲＴのフェースパネル、プラスティック基板、又
はフィルム体等によって構成される。
【００１５】また、反射防止体１は、例えばスパッタリ
ング法、真空蒸着法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、ゾ
ルゲル法などによって透光性基板２上に反射防止膜３が
成膜される。特にＤＣスパッタリング法は、膜厚の制御
が比較的容易であること、大面積基板に対して有利であ
ること、さらにインライン型の装置を用いれば多層膜の
積層が容易になるといった利点を有する。勿論本発明
は、これらの成膜プロセスには限定されることはない。
ング法、真空蒸着法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、ゾ
ルゲル法などによって透光性基板２上に反射防止膜３が
成膜される。特にＤＣスパッタリング法は、膜厚の制御
が比較的容易であること、大面積基板に対して有利であ
ること、さらにインライン型の装置を用いれば多層膜の
積層が容易になるといった利点を有する。勿論本発明
は、これらの成膜プロセスには限定されることはない。
【００１６】第１の透光膜４は、可視光域において透明
であるとともに後述する第３の透光膜８よりも大きい屈
折率を有する透光性材料により、透光性基板２の主面上
に形成される。第１の透光膜４は、具体的には窒化シリ
コン（Ｓｉ3Ｎ4）等が使用される。また、第１の透光膜
４は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）と同等の屈折率を有す
るインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）や酸化鉛（ＳｎＯ2）を用いることも可
能である。第１の透光膜４は、その膜厚が、透光性基板
２の主面上に、５０ｎｍ以下に調整される。
であるとともに後述する第３の透光膜８よりも大きい屈
折率を有する透光性材料により、透光性基板２の主面上
に形成される。第１の透光膜４は、具体的には窒化シリ
コン（Ｓｉ3Ｎ4）等が使用される。また、第１の透光膜
４は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）と同等の屈折率を有す
るインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）や酸化鉛（ＳｎＯ2）を用いることも可
能である。第１の透光膜４は、その膜厚が、透光性基板
２の主面上に、５０ｎｍ以下に調整される。
【００１７】第１の光吸収膜５は、導電性を有する光吸
収性材料として金属窒化物が選択され、具体的には窒化
チタン（ＴｉＮ）等により上記第１の透光膜４上に形成
される。反射防止体１は、第１の光吸収膜５及び後述す
る第２の光吸収膜７が有する導電特性により反射防止膜
３に導電性が付与され、これにより帯電防止や漏電電界
防止特性が得られる。反射防止体１は、反射防止膜３の
表面におけるシート抵抗値が１ＫΩ／□以下である。な
お、１ＫΩ／□とは、表面全体におけるシート抵抗値が
１ＫΩであることを示す。これにより、反射防止体１
は、より確実に漏電電界防止特性を発揮することができ
る。なお、第１の光吸収膜５及び後述する第２の光吸収
膜７は、上述した窒化チタンの代わりに遷移金属窒化物
を用いることも可能である。さらに第１の光吸収膜５及
び後述する第２の光吸収膜７は、互いに異なった材料を
選択することにより、透過率分布の調整をすることが可
能となる。例えば、後述する第２の光吸収膜７は、５５
０ｎｍを越える波長域の入射光の透過率が高くなるよう
な透過率分布を有する赤色透過膜を用いることができ
る。反射防止体１は、これにより、例えば、陰極線管の
パネルガラスに用いた場合に表示画像等の赤色輝度が向
上される。具体的には、第２の光吸収膜７は、酸化ニッ
ケルバナジウム（ＮｉＶＯｘ）を用いることができる。
酸化ニッケルバナジウム（ＮｉＶＯｘ）膜は、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）膜とは異なる光学定数の分散を有する。そ
のため、反射防止膜３は、反射防止条件を満たすために
は、各層の膜厚が、それぞれ窒化チタンのみを光吸収膜
として使用した場合とは異なった値に設定される。
収性材料として金属窒化物が選択され、具体的には窒化
チタン（ＴｉＮ）等により上記第１の透光膜４上に形成
される。反射防止体１は、第１の光吸収膜５及び後述す
る第２の光吸収膜７が有する導電特性により反射防止膜
３に導電性が付与され、これにより帯電防止や漏電電界
防止特性が得られる。反射防止体１は、反射防止膜３の
表面におけるシート抵抗値が１ＫΩ／□以下である。な
お、１ＫΩ／□とは、表面全体におけるシート抵抗値が
１ＫΩであることを示す。これにより、反射防止体１
は、より確実に漏電電界防止特性を発揮することができ
る。なお、第１の光吸収膜５及び後述する第２の光吸収
膜７は、上述した窒化チタンの代わりに遷移金属窒化物
を用いることも可能である。さらに第１の光吸収膜５及
び後述する第２の光吸収膜７は、互いに異なった材料を
選択することにより、透過率分布の調整をすることが可
能となる。例えば、後述する第２の光吸収膜７は、５５
０ｎｍを越える波長域の入射光の透過率が高くなるよう
な透過率分布を有する赤色透過膜を用いることができ
る。反射防止体１は、これにより、例えば、陰極線管の
パネルガラスに用いた場合に表示画像等の赤色輝度が向
上される。具体的には、第２の光吸収膜７は、酸化ニッ
ケルバナジウム（ＮｉＶＯｘ）を用いることができる。
酸化ニッケルバナジウム（ＮｉＶＯｘ）膜は、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）膜とは異なる光学定数の分散を有する。そ
のため、反射防止膜３は、反射防止条件を満たすために
は、各層の膜厚が、それぞれ窒化チタンのみを光吸収膜
として使用した場合とは異なった値に設定される。
【００１８】窒化チタン（ＴｉＮ）膜は、青みを帯びた
透過率分布を有する。一方、酸化ニッケルバナジウム
（ＮｉＶＯｘ）膜は、赤みを帯びた透過率分布を有す
る。図２は、酸化ニッケルバナジウム（ＮｉＶＯｘ）と
窒化チタン（ＴｉＮ）の光学定数のうち、吸収成分に関
わる消衰係数（ｋ）の分布を比較している。同図から明
らかなように、窒化チタン（ＴｉＮ）のｋ値は長波長域
側で高くなっているのに対し、酸化ニッケルバナジウム
（ＮｉＶＯｘ）のｋ値は、一定である。したがって、窒
化チタン（ＴｉＮ）は、酸化ニッケルバナジウム（Ｎｉ
ＶＯｘ）に対して、長波長域側における成分の吸収率が
高い。これにより、酸化ニッケルバナジウム（ＮｉＶＯ
ｘ）は、赤色透過性の膜として用いることにより、画像
表示等の赤色輝度を向上させる特性を有することが説明
される。
透過率分布を有する。一方、酸化ニッケルバナジウム
（ＮｉＶＯｘ）膜は、赤みを帯びた透過率分布を有す
る。図２は、酸化ニッケルバナジウム（ＮｉＶＯｘ）と
窒化チタン（ＴｉＮ）の光学定数のうち、吸収成分に関
わる消衰係数（ｋ）の分布を比較している。同図から明
らかなように、窒化チタン（ＴｉＮ）のｋ値は長波長域
側で高くなっているのに対し、酸化ニッケルバナジウム
（ＮｉＶＯｘ）のｋ値は、一定である。したがって、窒
化チタン（ＴｉＮ）は、酸化ニッケルバナジウム（Ｎｉ
ＶＯｘ）に対して、長波長域側における成分の吸収率が
高い。これにより、酸化ニッケルバナジウム（ＮｉＶＯ
ｘ）は、赤色透過性の膜として用いることにより、画像
表示等の赤色輝度を向上させる特性を有することが説明
される。
【００１９】以上のことより、反射防止体１は、その透
過色が、酸化ニッケルバナジウム（ＮｉＶＯｘ）膜と窒
化チタン（ＴｉＮ）膜との膜厚を調整することにより、
自在に制御されうる。
過色が、酸化ニッケルバナジウム（ＮｉＶＯｘ）膜と窒
化チタン（ＴｉＮ）膜との膜厚を調整することにより、
自在に制御されうる。
【００２０】また、第１の光吸収膜５及び後述する第２
の光吸収膜７は、相関されて適宜調整され、それぞれの
膜厚を３０ｎｍ以下において調整されることにより、反
射防止膜３全体の透過率を２０〜８０％の範囲において
調整することが可能となる。
の光吸収膜７は、相関されて適宜調整され、それぞれの
膜厚を３０ｎｍ以下において調整されることにより、反
射防止膜３全体の透過率を２０〜８０％の範囲において
調整することが可能となる。
【００２１】第２の透光膜６は、可視光域において透明
であるとともに後述する第３の透光膜８よりも大きい屈
折率を有する透光性材料により、第１の光吸収膜５上に
形成される。第２の透光膜６は、具体的には窒化シリコ
ン（Ｓｉ3Ｎ4）等が使用される。また、第２の透光膜６
は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）と同等の屈折率を有する
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）や酸化鉛（ＳｎＯ2）を用いることも可能
である。第２の透光膜６の膜厚は、後述する第３の透光
膜８の光学的な膜厚よりも薄く設定される。
であるとともに後述する第３の透光膜８よりも大きい屈
折率を有する透光性材料により、第１の光吸収膜５上に
形成される。第２の透光膜６は、具体的には窒化シリコ
ン（Ｓｉ3Ｎ4）等が使用される。また、第２の透光膜６
は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）と同等の屈折率を有する
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）や酸化鉛（ＳｎＯ2）を用いることも可能
である。第２の透光膜６の膜厚は、後述する第３の透光
膜８の光学的な膜厚よりも薄く設定される。
【００２２】第２の光吸収膜７は、第１の光吸収膜５と
同様に導電性を有する光吸収性材料として金属窒化物が
選択され、具体的には窒化チタン（ＴｉＮ）等により第
２の透光膜６上に形成される。反射防止体１は、第２の
光吸収膜７及び第１の光吸収膜５が有する導電特性によ
り反射防止膜３全体に導電性が付与され、これにより帯
電防止特性や漏電電界防止特性が得られる。反射防止体
１は、反射防止膜３の表面におけるシート抵抗値が１Ｋ
Ω／□以下である。これにより反射防止体１は、より確
実に漏電電界防止特性を発揮することができる。
同様に導電性を有する光吸収性材料として金属窒化物が
選択され、具体的には窒化チタン（ＴｉＮ）等により第
２の透光膜６上に形成される。反射防止体１は、第２の
光吸収膜７及び第１の光吸収膜５が有する導電特性によ
り反射防止膜３全体に導電性が付与され、これにより帯
電防止特性や漏電電界防止特性が得られる。反射防止体
１は、反射防止膜３の表面におけるシート抵抗値が１Ｋ
Ω／□以下である。これにより反射防止体１は、より確
実に漏電電界防止特性を発揮することができる。
【００２３】第３の透光膜８は、可視光域において透明
であるとともに、約１．５２未満の屈折率を有し、かつ
５５０ｎｍ付近のとき約４分の１波長の光学的な膜厚を
有する透光性材料により、第２の光吸収膜７上に形成さ
れる。このとき、第３の透光膜８側から入射する表面入
射光の反射率は、４５０〜６５０ｎｍの波長域において
１％よりも低く抑えられる。これにより表面入射光は、
第３の透光膜８における反射が確実に防止され、視認性
が向上する。
であるとともに、約１．５２未満の屈折率を有し、かつ
５５０ｎｍ付近のとき約４分の１波長の光学的な膜厚を
有する透光性材料により、第２の光吸収膜７上に形成さ
れる。このとき、第３の透光膜８側から入射する表面入
射光の反射率は、４５０〜６５０ｎｍの波長域において
１％よりも低く抑えられる。これにより表面入射光は、
第３の透光膜８における反射が確実に防止され、視認性
が向上する。
【００２４】反射防止膜３は、第３の透光膜８側から入
射される表面入射光の反射率と、透光性基板２側から入
射される裏面入射光の反射率と、透過率とが所定の値と
なるように、上述した各層４〜８の膜厚が決定されて形
成される。なお、膜厚とは、各層４〜８の幾何学的な厚
みのことである。
射される表面入射光の反射率と、透光性基板２側から入
射される裏面入射光の反射率と、透過率とが所定の値と
なるように、上述した各層４〜８の膜厚が決定されて形
成される。なお、膜厚とは、各層４〜８の幾何学的な厚
みのことである。
【００２５】以上のように構成された反射防止体１は、
空気との光学的境界面となる第３の透光膜８における屈
折率が低く、第２の光吸収膜７及び第１の光吸収膜５に
より光が吸収されることから、第３の透光膜８側から入
射される入射光の反射が防止される。
空気との光学的境界面となる第３の透光膜８における屈
折率が低く、第２の光吸収膜７及び第１の光吸収膜５に
より光が吸収されることから、第３の透光膜８側から入
射される入射光の反射が防止される。
【００２６】また、反射防止体１は、透光性基板２との
光学的境界面となる第１の透光膜４における屈折率が低
く、第１の光吸収膜５及び第２の光吸収膜７により光が
吸収されることから、透光性基板２側から入射される入
射光の反射が防止される。
光学的境界面となる第１の透光膜４における屈折率が低
く、第１の光吸収膜５及び第２の光吸収膜７により光が
吸収されることから、透光性基板２側から入射される入
射光の反射が防止される。
【００２７】反射防止体１においては、各層の材質や膜
厚を選択することにより、上述した性質を満たすことが
でき、帯電防止や、漏電電界防止といった導電特性を有
するとともに、フラット化された陰極線管のパネルガラ
スに用いた場合においてもコーナ部とセンター部での良
好な輝度比を維持しつつ、良好なコントラストを維持す
る。
厚を選択することにより、上述した性質を満たすことが
でき、帯電防止や、漏電電界防止といった導電特性を有
するとともに、フラット化された陰極線管のパネルガラ
スに用いた場合においてもコーナ部とセンター部での良
好な輝度比を維持しつつ、良好なコントラストを維持す
る。
【００２８】
【実施例】［例１］ 本発明の実施の形態に基づいて、
以下で示すような反射防止体１を作製した場合について
説明する。
以下で示すような反射防止体１を作製した場合について
説明する。
【００２９】反射防止体の材料構成 透光性基板 ：ガラス基板 第１の透光膜 ：Ｓｉ3Ｎ4膜 （膜厚２５ｎｍ） 第１の光吸収膜 ：ＴｉＮ膜 （膜厚１８ｎｍ） 第２の透光膜 ：Ｓｉ3Ｎ4膜 （膜厚５０ｎｍ） 第２の光吸収膜 ：ＴｉＮ膜 （膜厚１２ｎｍ） 第３の透光膜 ：ＳｉＯ2膜 （膜厚７８ｎｍ） この反射防止体１は、透過率が約５０％のときに反射率
が最も低くなるように各層の膜厚を最適化している。
が最も低くなるように各層の膜厚を最適化している。
【００３０】この反射防止体１は、第３の透光膜側８か
ら光を入射させたときの反射率特性において、図３のよ
うに可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大反射率が４８
０ｎｍにおいて０．４３％、平均反射率が０．２０％、
視感反射率が０．１３％であり１．０％を超えておら
ず、良好な反射防止特性を有する。また、この反射防止
体１は、透光性基板２側から光を入射させたときの反射
率特性において、図４のように可視光域４５０〜６５０
ｎｍでの最大反射率が４．８％、平均反射率が２．２
％、視感反射率が２．０％であり、ガラス面の反射率約
４％と同程度の反射率に抑えることが可能である。
ら光を入射させたときの反射率特性において、図３のよ
うに可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大反射率が４８
０ｎｍにおいて０．４３％、平均反射率が０．２０％、
視感反射率が０．１３％であり１．０％を超えておら
ず、良好な反射防止特性を有する。また、この反射防止
体１は、透光性基板２側から光を入射させたときの反射
率特性において、図４のように可視光域４５０〜６５０
ｎｍでの最大反射率が４．８％、平均反射率が２．２
％、視感反射率が２．０％であり、ガラス面の反射率約
４％と同程度の反射率に抑えることが可能である。
【００３１】なお、図３及び図４に示す反射率特性は、
下記のような条件でＳｉ3Ｎ4膜、ＴｉＮ膜、ＳｉＯ2膜
を成膜し、これらについて測定した光学定数に基づいて
求めたものである。
下記のような条件でＳｉ3Ｎ4膜、ＴｉＮ膜、ＳｉＯ2膜
を成膜し、これらについて測定した光学定数に基づいて
求めたものである。
【００３２】Ｓｉ3Ｎ4膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素３０
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＴｉＮ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：チタン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素３０
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＳｉＯ2膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン（アルミ１０重量％ドープ） 放電ガス ：酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ 反射防止体１は、透過率特性において、図５のように、
第３の透光膜８側から光を入射させたとき、第３の透光
膜８側において可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大透
過率を４６％とすることが可能である。これにより、反
射防止体１は、フラット化された陰極線管に使用した場
合においても、コーナ部とセンター部とでの輝度比を良
好に維持することが可能となる。また、反射防止体１
は、図６のように第３の透光膜８側での表面反射光の色
度分布において、青みを帯びた表面反射光の色度分布を
有する。なお、図５に示す透過率特性図は、板厚１ｍｍ
の光吸収性のないガラス板上に反射防止膜３を形成し求
めたものである。また、図６に示す表面反射光の色度分
布図は、各層の膜厚が±２％においてばらついたときに
取りうる表面反射色の分布を示している。
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＴｉＮ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：チタン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素３０
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＳｉＯ2膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン（アルミ１０重量％ドープ） 放電ガス ：酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ 反射防止体１は、透過率特性において、図５のように、
第３の透光膜８側から光を入射させたとき、第３の透光
膜８側において可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大透
過率を４６％とすることが可能である。これにより、反
射防止体１は、フラット化された陰極線管に使用した場
合においても、コーナ部とセンター部とでの輝度比を良
好に維持することが可能となる。また、反射防止体１
は、図６のように第３の透光膜８側での表面反射光の色
度分布において、青みを帯びた表面反射光の色度分布を
有する。なお、図５に示す透過率特性図は、板厚１ｍｍ
の光吸収性のないガラス板上に反射防止膜３を形成し求
めたものである。また、図６に示す表面反射光の色度分
布図は、各層の膜厚が±２％においてばらついたときに
取りうる表面反射色の分布を示している。
【００３３】一方、反射防止体１は、導電特性を有する
窒化チタン（ＴｉＮ）膜の膜厚が２層の合計で約３０ｎ
ｍであり、表面抵抗値は約１００Ω／□以下となり、十
分な漏洩電界防止効果が得られる。
窒化チタン（ＴｉＮ）膜の膜厚が２層の合計で約３０ｎ
ｍであり、表面抵抗値は約１００Ω／□以下となり、十
分な漏洩電界防止効果が得られる。
【００３４】［例２］ 次に、本発明の実施の形態に基
づいて、以下で示すような、酸化ニッケルバナジウム
（ＮｉＶＯｘ）を光吸収膜として用いた反射防止体を作
製した場合について説明する。
づいて、以下で示すような、酸化ニッケルバナジウム
（ＮｉＶＯｘ）を光吸収膜として用いた反射防止体を作
製した場合について説明する。
【００３５】なお、この反射防止体においては、上述し
た光吸収膜として窒化チタン（ＴｉＮ）のみを使用した
反射防止体との相違は、第２の光吸収膜７の材質が変更
されている点のみである。
た光吸収膜として窒化チタン（ＴｉＮ）のみを使用した
反射防止体との相違は、第２の光吸収膜７の材質が変更
されている点のみである。
【００３６】以下では、本発明の実施の形態に基づい
て、以下で示すような反射防止体１を作製した場合につ
いて説明する。
て、以下で示すような反射防止体１を作製した場合につ
いて説明する。
【００３７】反射防止体の材料構成 透光性基板 ：ガラス基板 第１の透光膜 ：Ｓｉ3Ｎ4膜 （膜厚２５ｎｍ） 第１の光吸収膜 ：ＴｉＮ膜 （膜厚１６ｎｍ） 第２の透光膜 ：Ｓｉ3Ｎ4膜 （膜厚５２ｎｍ） 第２の光吸収膜 ：ＮｉＶＯｘ膜 （膜厚１２ｎｍ） 第３の透光膜 ：ＳｉＯ2膜 （膜厚９０ｎｍ） この反性射防止体１については、透過率が約５０％のと
きに反射率が最も低くなるように、各層の膜厚を最適化
している。
きに反射率が最も低くなるように、各層の膜厚を最適化
している。
【００３８】この反射防止体１は、第３の透光膜８側か
ら光を入射させたときの反射率特性において、図７のよ
うに可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大反射率が６５
０ｎｍにおいて０．７０％、平均反射率が０．３０％、
視感反射率が０．２０％であり１．０％を超えておら
ず、良好な反射防止特性を有する。また、反射防止体１
は、透光性基板２側から光を入射させたときの反射率特
性において、図８のように可視光域４５０〜６５０ｎｍ
での最大反射率が５．５１％、平均反射率が２．３０
％、視感反射率が１．３％であり、ガラス面の反射率約
４％と同程度の反射率に抑えることが可能である。
ら光を入射させたときの反射率特性において、図７のよ
うに可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大反射率が６５
０ｎｍにおいて０．７０％、平均反射率が０．３０％、
視感反射率が０．２０％であり１．０％を超えておら
ず、良好な反射防止特性を有する。また、反射防止体１
は、透光性基板２側から光を入射させたときの反射率特
性において、図８のように可視光域４５０〜６５０ｎｍ
での最大反射率が５．５１％、平均反射率が２．３０
％、視感反射率が１．３％であり、ガラス面の反射率約
４％と同程度の反射率に抑えることが可能である。
【００３９】なお、図７及び図８に示す反射率特性は、
下記のような条件でＳｉ3Ｎ4膜、ＴｉＮ膜、ＮｉＶＯｘ
膜、ＳｉＯ2膜を成膜し、これらについて測定した光学
定数に基づいて求めたものである。
下記のような条件でＳｉ3Ｎ4膜、ＴｉＮ膜、ＮｉＶＯｘ
膜、ＳｉＯ2膜を成膜し、これらについて測定した光学
定数に基づいて求めたものである。
【００４０】Ｓｉ3Ｎ4膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素３０
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＴｉＮ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：チタン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素３０
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＮｉＶＯｘ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：ニッケル・バナジウム合金 放電ガス ：酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＳｉＯ2膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン（アルミ１０重量％ドープ） 放電ガス ：酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ 反射防止体１は、透過率において図９に示すように、第
３の透光膜８側から光を入射させたとき、第３の透光膜
８側において可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大透過
率を４８．９％とすることが可能である。これにより、
反射防止体１は、フラット化された陰極線管に使用した
場合においても、コーナ部とセンター部とでの輝度比を
良好に維持することが可能となる。また、透過率分布
は、図５、すなわち光吸収膜として窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）のみを使用した場合と比較し、長波長域側の６００
ｎｍ以上の範囲において改善されている。すなわち、反
射防止体１は、透過率分布において赤色輝度が向上して
いることが説明される。
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＴｉＮ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：チタン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素３０
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＮｉＶＯｘ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：ニッケル・バナジウム合金 放電ガス ：酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＳｉＯ2膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン（アルミ１０重量％ドープ） 放電ガス ：酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ 反射防止体１は、透過率において図９に示すように、第
３の透光膜８側から光を入射させたとき、第３の透光膜
８側において可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大透過
率を４８．９％とすることが可能である。これにより、
反射防止体１は、フラット化された陰極線管に使用した
場合においても、コーナ部とセンター部とでの輝度比を
良好に維持することが可能となる。また、透過率分布
は、図５、すなわち光吸収膜として窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）のみを使用した場合と比較し、長波長域側の６００
ｎｍ以上の範囲において改善されている。すなわち、反
射防止体１は、透過率分布において赤色輝度が向上して
いることが説明される。
【００４１】また、反射防止膜１は、図１０より表面反
射光において、図６、すなわち光吸収膜として窒化チタ
ン（ＴｉＮ）のみを使用した場合と比較し、赤みを帯び
た表面反射光の色度分布を有することがわかる。なお、
透過率曲線は板厚１ｍｍの吸収性のないガラス板上に反
射防止膜３を形成し求めたものである。また、表面反射
光の色度分布図は、各層の膜厚が±２％においてばらつ
いたときに取りうる表面反射色の分布を示している。
射光において、図６、すなわち光吸収膜として窒化チタ
ン（ＴｉＮ）のみを使用した場合と比較し、赤みを帯び
た表面反射光の色度分布を有することがわかる。なお、
透過率曲線は板厚１ｍｍの吸収性のないガラス板上に反
射防止膜３を形成し求めたものである。また、表面反射
光の色度分布図は、各層の膜厚が±２％においてばらつ
いたときに取りうる表面反射色の分布を示している。
【００４２】一方、反射防止膜１は、導電特性を有する
窒化チタン（ＴｉＮ）膜と酸化ニッケルバナジウム（Ｎ
ｉＶＯｘ）膜との膜厚が２層の合計で約２８ｎｍであ
り、表面抵抗値は約５００Ω／□以下となり、十分な漏
洩電界防止効果が得られる。
窒化チタン（ＴｉＮ）膜と酸化ニッケルバナジウム（Ｎ
ｉＶＯｘ）膜との膜厚が２層の合計で約２８ｎｍであ
り、表面抵抗値は約５００Ω／□以下となり、十分な漏
洩電界防止効果が得られる。
【００４３】［例３］ 次に、本発明の実施の形態に基
づいて、以下で示すような、窒化シリコン（ＳｉＮ）を
第１の透光膜及び第２の透光膜として用いた反射防止体
を作製した場合について説明する。
づいて、以下で示すような、窒化シリコン（ＳｉＮ）を
第１の透光膜及び第２の透光膜として用いた反射防止体
を作製した場合について説明する。
【００４４】なお、この反射防止体においては、上述し
た例１の反射防止体との相違は、第１の透光膜及び第２
の透光膜の材質が変更されている点のみである。
た例１の反射防止体との相違は、第１の透光膜及び第２
の透光膜の材質が変更されている点のみである。
【００４５】以下では、本発明の実施の形態に基づい
て、以下で示すような反射防止体１を作製した場合につ
いて説明する。
て、以下で示すような反射防止体１を作製した場合につ
いて説明する。
【００４６】反射防止体の材料構成 透光性基板 ：ガラス基板 第１の透光膜 ：ＳｉＮ膜 （膜厚４８ｎｍ） 第１の光吸収膜 ：ＴｉＮ膜 （膜厚１４ｎｍ） 第２の透光膜 ：ＳｉＮ膜 （膜厚５５ｎｍ） 第２の光吸収膜 ：ＴｉＮ膜 （膜厚１６ｎｍ） 第３の透光膜 ：ＳｉＯ2膜 （膜厚７８ｎｍ） この反性射防止体１については、透光性基板２側から入
射した入射光に対する反射率を低く抑えるために、各層
の膜厚を最適化している。
射した入射光に対する反射率を低く抑えるために、各層
の膜厚を最適化している。
【００４７】この反射防止体１は、第３の透光膜８側か
ら光を入射させたときの反射率特性において、図１１の
ように可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大反射率が６
５０ｎｍにおいて０．８０％、平均反射率が０．２２
％、視感反射率が０．１５％であり１．０％を超えてお
らず、良好な反射防止特性を有する。また、反射防止体
１は、透光性基板２側から光を入射させたときの反射率
特性において、図１２のように可視光域４５０〜６５０
ｎｍでの最大反射率が１．６８％、平均反射率が０．９
２％、視感反射率が０．８７％であり、ガラス面の反射
率約４％よりも低い反射率に抑えることが可能である。
ら光を入射させたときの反射率特性において、図１１の
ように可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大反射率が６
５０ｎｍにおいて０．８０％、平均反射率が０．２２
％、視感反射率が０．１５％であり１．０％を超えてお
らず、良好な反射防止特性を有する。また、反射防止体
１は、透光性基板２側から光を入射させたときの反射率
特性において、図１２のように可視光域４５０〜６５０
ｎｍでの最大反射率が１．６８％、平均反射率が０．９
２％、視感反射率が０．８７％であり、ガラス面の反射
率約４％よりも低い反射率に抑えることが可能である。
【００４８】なお、図１１及び図１２に示す反射率特性
は、下記のような条件でＳｉＮ膜、ＴｉＮ膜、ＳｉＯ2
膜を成膜し、これらについて測定した光学定数に基づい
て求めたものである。
は、下記のような条件でＳｉＮ膜、ＴｉＮ膜、ＳｉＯ2
膜を成膜し、これらについて測定した光学定数に基づい
て求めたものである。
【００４９】ＳｉＮ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素３０
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＴｉＮ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：チタン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素３０
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＳｉＯ2膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン（アルミ１０重量％ドープ） 放電ガス ：酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ 反射防止体１は、透過率において図１３に示すように、
第３の透光膜８側から光を入射させたとき、第３の透光
膜８側において可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大透
過率を４６．６％とすることが可能である。これによ
り、反射防止体１は、フラット化された陰極線管に使用
した場合においても、コーナ部とセンター部とでの輝度
比を良好に維持することが可能となる。
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＴｉＮ膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：チタン 放電ガス ：アルゴンと窒素の混合ガス（窒素３０
体積％） スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ ＳｉＯ2膜の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：シリコン（アルミ１０重量％ドープ） 放電ガス ：酸素 スパッタガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒ 反射防止体１は、透過率において図１３に示すように、
第３の透光膜８側から光を入射させたとき、第３の透光
膜８側において可視光域４５０〜６５０ｎｍでの最大透
過率を４６．６％とすることが可能である。これによ
り、反射防止体１は、フラット化された陰極線管に使用
した場合においても、コーナ部とセンター部とでの輝度
比を良好に維持することが可能となる。
【００５０】また、反射防止膜１は、図１４より表面反
射光において、上記図６に示した例１の場合と同様に青
みを帯びた表面反射光の色度分布を有することがわか
る。なお、透過率曲線は板厚１ｍｍの吸収性のないガラ
ス板上に反射防止膜３を形成し求めたものである。ま
た、表面反射光の色度分布図は、各層の膜厚が±２％に
おいてばらついたときに取りうる表面反射色の分布を示
している。
射光において、上記図６に示した例１の場合と同様に青
みを帯びた表面反射光の色度分布を有することがわか
る。なお、透過率曲線は板厚１ｍｍの吸収性のないガラ
ス板上に反射防止膜３を形成し求めたものである。ま
た、表面反射光の色度分布図は、各層の膜厚が±２％に
おいてばらついたときに取りうる表面反射色の分布を示
している。
【００５１】一方、反射防止膜１は、導電特性を有する
窒化チタン（ＴｉＮ）膜の膜厚が２層の合計で約３０ｎ
ｍであり、表面抵抗値は約５００Ω／□以下となり、十
分な漏洩電界防止効果が得られる。
窒化チタン（ＴｉＮ）膜の膜厚が２層の合計で約３０ｎ
ｍであり、表面抵抗値は約５００Ω／□以下となり、十
分な漏洩電界防止効果が得られる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる反
射防止体によれば、それぞれ透光性基板上に透光性材料
又は導電性を有する光吸収性材料よって形成された５層
の反射防止膜によって構成されることから、反射防止体
の光吸収率を高く制御しつつ、所定の範囲の波長の光に
対して反射防止体の両面から入射する光の反射率を低く
制御することが可能となる。したがって、反射防止体
は、反射防止膜の導電性によって帯電防止特性や漏洩電
界防止特性を有するとともにコントラスト特性の向上が
図られ、画像等の良好な表示が行われるようになる。
射防止体によれば、それぞれ透光性基板上に透光性材料
又は導電性を有する光吸収性材料よって形成された５層
の反射防止膜によって構成されることから、反射防止体
の光吸収率を高く制御しつつ、所定の範囲の波長の光に
対して反射防止体の両面から入射する光の反射率を低く
制御することが可能となる。したがって、反射防止体
は、反射防止膜の導電性によって帯電防止特性や漏洩電
界防止特性を有するとともにコントラスト特性の向上が
図られ、画像等の良好な表示が行われるようになる。
【図１】本発明の実施の形態として示す反射防止体の要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】ＴｉＮとＮｉＶＯｘの光学定数のうち吸収成分
に関わる消衰係数と波長の関係を示す特性図である。
に関わる消衰係数と波長の関係を示す特性図である。
【図３】Air/SiO2/TiN/Si3N4/TiN/Si3N4/Glassの５層膜
構成による反射防止体にSiO2側から光を入射させた場合
の反射率と波長の関係を示す特性図である。
構成による反射防止体にSiO2側から光を入射させた場合
の反射率と波長の関係を示す特性図である。
【図４】同反射防止体にSi3N4側から光を入射させた場
合の反射率と波長の関係を示す特性図である。
合の反射率と波長の関係を示す特性図である。
【図５】同反射防止体の透過率と波長の関係を示す特性
図である。
図である。
【図６】同反射防止にSiO2側から光を入射させた場合の
表面反射光の色度分布を示す特性図である。
表面反射光の色度分布を示す特性図である。
【図７】Air/SiO2/NiVOx/Si3N4/TiN/Si3N4/Glassの５層
膜構成による反射防止体にSiO2側から光を入射させた場
合の反射率と波長の関係を示す特性図である。
膜構成による反射防止体にSiO2側から光を入射させた場
合の反射率と波長の関係を示す特性図である。
【図８】同反射防止体にSi3N4側から光を入射させた場
合の反射率と波長の関係を示す特性図である。
合の反射率と波長の関係を示す特性図である。
【図９】同反射防止体の透過率と波長の関係を示す特性
図である。
図である。
【図１０】同反射防止にSiO2側から光を入射させた場合
の表面反射光の色度分布を示す特性図である。
の表面反射光の色度分布を示す特性図である。
【図１１】Air/SiO2/TiN/SiN/TiN/SiN/Glassの５層膜構
成による反射防止体にSiO2側から光を入射させた場合の
反射率と波長の関係を示す特性図である。
成による反射防止体にSiO2側から光を入射させた場合の
反射率と波長の関係を示す特性図である。
【図１２】同反射防止体にSiN側から光を入射させた場
合の反射率と波長の関係を示す特性図である。
合の反射率と波長の関係を示す特性図である。
【図１３】同反射防止体の透過率と波長の関係を示す特
性図である。
性図である。
【図１４】同反射防止にSiO2側から光を入射させた場合
の表面反射光の色度分布を示す特性図である。
の表面反射光の色度分布を示す特性図である。
１ 反射防止体、２ 透光性基板、３ 反射防止膜、４
第１の透光膜、５第１の光吸収膜、 ６ 第２の透光
膜、７ 第２の光吸収膜、８ 第３の透光膜
第１の透光膜、５第１の光吸収膜、 ６ 第２の透光
膜、７ 第２の光吸収膜、８ 第３の透光膜
Claims (7)
- 【請求項１】 透光性基板と、この基板の主面上に形成
された多層反射防止膜とから構成された反射防止体にお
いて、 上記多層反射防止膜は、透光性材料により上記透光性基
板の主面上に形成されて第１層を構成するとともに、１
／８〜１／４波長の光学的な膜厚を有する第１の透光膜
と、 上記第１の透光膜上に導電性を有する光吸収性材料によ
り形成されて第２層を構成するとともに、所定の透過率
に応じて膜厚が３０ｎｍ以下に調整されてなる第１の光
吸収膜と、 上記第１の光吸収膜上に透光性材料により形成されて第
３層を構成するとともに、１／４波長の光学的な膜厚を
有する第２の透光膜と、 上記第２の透光膜上に導電性を有する光吸収性材料によ
り形成されて第４層を構成するとともに、所定の透過率
に応じて膜厚が３０ｎｍ以下に調整されてなる第２の光
吸収膜と、 上記第２の光吸収膜上に透光性材料により形成されて第
５層を構成するとともに、入射光の波長が５５０ｎｍ付
近のとき約４分の１波長の光学的な膜厚とされ、屈折率
が１．５２未満でかつ上記第１の透光膜と第２の透光膜
の屈折率よりも小さな屈折率を有する第３の透光膜とか
ら構成され、 上記第３の透光膜側から入射された表面入射光と上記透
光性基板側から入射された裏面入射光との両入射光に対
する反射防止特性とともに、導電特性を有することを特
徴とする反射防止体。 - 【請求項２】 上記第１の光吸収膜と第２の光吸収膜に
は、それぞれ金属窒化物が用いられ、その皮膜の導電特
性により上記多層反射防止膜全体に導電性が付与される
ことを特徴とする請求項１記載の反射防止体。 - 【請求項３】 上記金属窒化物は、その皮膜の導電特性
がシート抵抗値１ＫΩ／□以下であることを特徴とする
請求項２記載の反射防止体。 - 【請求項４】 上記第１光吸収膜と第２の光吸収膜と
は、それぞれの膜厚が相関されて適宜調整されることに
より、上記多層反射防止膜全体の透過率を所定の透過率
に規定することを特徴とする請求項１記載の反射防止
体。 - 【請求項５】 上記第２の光吸収膜は、５５０ｎｍ以上
の波長域の透過率が高くなるような透過率分布を有する
赤色透過膜であることを特徴とする請求項１記載の反射
防止体。 - 【請求項６】 上記多層反射防止膜は、上記表面入射光
に対して４５０〜６５０ｎｍの波長域において反射率が
１．０％を越えない反射防止特性を有することを特徴と
する請求項１記載の反射防止体。 - 【請求項７】 上記多層反射防止膜は、上記裏面入射光
に対して４５０〜６５０ｎｍの波長域において反射率が
６．０％を越えない反射防止特性を有することを特徴と
する請求項１記載の反射防止体。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP10320879A JP2000147206A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 反射防止体 |
| US09/422,707 US20020098343A1 (en) | 1998-11-11 | 1999-10-21 | Reflection preventive member |
| TW088119589A TW438982B (en) | 1998-11-11 | 1999-11-09 | Reflection preventive member |
| EP99122412A EP1001280B1 (en) | 1998-11-11 | 1999-11-10 | Antistatic multilayer antireflection coating |
| DE69906661T DE69906661T2 (de) | 1998-11-11 | 1999-11-10 | Antistatische Mehrfachschichtentspiegelung |
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| SG9905627A SG92660A1 (en) | 1998-11-11 | 1999-11-11 | Reflection preventive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10320879A JP2000147206A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 反射防止体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| SG (1) | SG92660A1 (ja) |
| TW (1) | TW438982B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO1994019709A1 (en) * | 1993-02-19 | 1994-09-01 | Photran Corporation | A light attenuating anti-reflection coating including electrically conductive layers |
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-
1999
- 1999-10-21 US US09/422,707 patent/US20020098343A1/en not_active Abandoned
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- 1999-11-10 EP EP99122412A patent/EP1001280B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-11 SG SG9905627A patent/SG92660A1/en unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010107543A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Hitachi Maxell Ltd | 反射防止フィルム |
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| EP1001280A1 (en) | 2000-05-17 |
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| DE69906661T2 (de) | 2004-04-08 |
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| TW438982B (en) | 2001-06-07 |
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