438982 A7 B7 五、發明說明（1 ) 〔發明領域〕 本發明關於一種防反射構件，以做爲一顯示單元或類 似物之面板玻璃。 « 讀 背 面 之 注 項 再 填 r 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 〔發明背景〕 做爲顯示單元 於近年來製做快速 因爲顯示影像的對 進。近年來，陰極 比較時，面板玻璃 問題，面板 一種已 金屬製成的 9-156 /透明薄膜 本專利公開 /透明薄膜 成的玻璃/ 構件係構造 薄膜的右側 反射薄膜右 意之程度。 然而， 之形成使得 玻璃的 知的導 防反射 9 6 4 製成之 案第6 製成的 氮化物 成具有 。上述 側的光 具有多 多層薄 C各有一陰極射線管）的防反射構件由 導電性和吸光性， 工學的部分必須改 因此與中央部分相 且廣泛使用而必須有 比必須增加，而人體 射線管已做成平面， 的各角隅厚度已加大 中央部分和各角隅的 電及光吸收性防反射 薄膜之構件，例如， 號中所建議的結構， 。結果，產生一個 亮度比過 構件爲具 曰本專利 其包含由 玻璃/氮化物薄膜。另一種結 —510382號，其包含由 過渡金屬/透明薄膜/氮化物 薄膜。所有上述導電及光吸收 防反射功能，以防止光線入射 導電及光吸收性避免構件各自 線之反射率可鑒於實際使用而 度上升。 有由過渡 公開案第 過渡金屬 構見於曰 過渡金屬 薄膜所製 性防反射 在防反射 相對於防 提升到滿 層結構（包含吸收薄膜）的防反射構件 膜右側和相反側的反射比明顯地不同。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -4- A7 B7 43898 2 五、發明說明（2 ) 因此，導電及光吸收性防反射構件相對於入射在多層薄膜 右側的反射率可顯著降低，然而’相對於入射在多層薄膜 相反側的光線之反射率無法降低。當採用導電及光吸收性 防反射構件做爲陰極射線管的面板玻璃時’由螢光表面發 出的光線是在陰極射線管面板玻璃與薄膜之間的界面被反 射。由是，螢光表面再度被照射’結果產生—個問題’就 是顯示影像的對比性能急遽退化1因而產生不想要的雙重 影像。 入射在多層薄膜相反側發生反射’如H. A. Macleod在 '薄膜濾光器〃中所揭示（McGra+w-Hill出版社，1 9 8 9 年第二版，第65-66頁）。然而，上述濾光器相對於 入射在多層薄膜右側的光線的反射率很差，在可見光區約 爲1 0 %，亦即在實際使用上並未得到防反射特性。 用於一般陰極射線管或類似物之前板的中央區的玻璃 透明率約5 0%，前板的主表面上形成一片透明率約7 5 %之光吸收薄膜。由是，此設計的總透射率約爲3 8 %， 以得到滿意的對比。由於面板玻璃有光吸收性，厚度比中 央區大了約1 4%的各角隅之透射率約爲中央部的9 2% 〇 另一方面，平面陰極射線管的面板玻璃各角隅厚度比 中央部大了約3 3%，因此面板玻璃有一問題，其各角隅 透射率約爲中央部的8 2%，亦即透明率降低過度。 爲了解決上述問題，平面陰極射線管面板玻璃的光折 射率必須降低。此外，形成在面板表面的防反射薄膜的透 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -If n 1 n n ϋ ti I · l> <請先《讀背面之注意事項再4-.041) t· 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 -5- 43898 2 a7 __B7____ 五、發明說明（3 ) 锖先閲讀背面之注意Ϋ項再.、冬買) 明率必須降低。結果，面板中央部與角隅部的透明率比値 可提升到約9 5 %，同時就總透射率來說其對比性能加以 保持。亦即，當面板玻璃透射率約爲7 5%時，平面陰極 射線管或類似物的面板玻璃的防反射薄膜必須約爲5 0 % 〇 然而，已知平面陰極射線管或類似物的面板玻璃透射 率無法到約5 0%且其導電性無法獲得所需對比性能。此 外，在保持相對於由多層薄膜右側透射之光線之防反射特 性之餘，面板玻璃相對於由多層薄膜相反側透明之光線的 受限反射要約爲4 %。 因此，本發明的目的在於提供一種有導電性及光吸收 性之防反射構件，其能使相對於由多層防反射薄膜右側透 射之光線的反射率，而且相對於入射在多層防反射薄膜相 反側的光線呈現受限反射，以讓影像有令人滿意的顯示。 〔發明槪要〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明能達成上述目的之防反射構件有五層結構 ，包括一透明基板，一第一透明膜，一第一光吸收膜，一 第二透明膜，一第二光吸收膜，以及一第三透明膜°第一 透明膜是由透明材料製成，且形成在透明基板的主要表面 ，第一透明膜厚度爲5 0 nm或更小。第一光吸收膜是由 具導電性且形成在第一透明膜的光吸收材料製成’第一光 吸收膜厚度爲3 0 nm，且依據既定透射率調整°第二透 明膜是由透明材料製成，且形成在第—光吸收膜上。第二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公瘦） -6 - 43 89 8 2 at B7 五、發明說明（4 ) (請先Μ讀背面之注意事項再填广VI) 光吸收膜是具導電性之光吸收材料製成，且形成在第二透 明膜上。此外，第二光吸收膜的厚度爲3 0 nm或更小， 且依據既定透射率調整。第三透明膜是由透明材料製成， 且形成在光吸收膜上，第三透明膜的厚度在入射光頻率約 爲5 50nm時約爲波長的1/4。第三透明膜折射率低 於1 . 5 2，其比第一透明膜折射率低，也比第二透明膜 折射率低。 依據本發明且結構如上述的防反射構件包括第一光吸 收膜和第二光吸收膜，其各由具導電性的光吸收材料製成 ，因此導電性遍佈多層防反射膜的整個本體。防反射構件 之結構使其第一光吸收膜和第二光吸收膜的厚度可相對地 且任意地調整。由是，防反射構件的透射率被調節到滿足 既定透射率。因此，入射在右側和相反側的光線反射率可 降低，以維持.對比性能。 在閱讀以下詳細說明和所附申請專利範圍並配合所附 圖式將能了解本發明的其他目的和優點。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 〔圖式簡介〕 圖1爲依據本發明之防反射構件一實施例的主要部分 剖面圖。 圖2爲氮化鈦和鎳釩氧化物光學常數的吸收分量有關 的吸光係數與波長關係圖。 圖3爲光入射在由空氣/二氧化矽/氮化鈦/四氮化 三矽/氮化鈦/四氮化三矽/玻璃組成的五層結構的二氧 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印數 43 89 8 2 A7 _.___B7_ 五、發明說明（5 ) 化矽膜時之反射率與波長關係圖。 圖4爲光入射在防反射構件的四氮化三矽膜時之反射 率與波長關係圖。 圖5爲防反射構件的透射率與波長關係圖。 圖6爲光入射在防反射構件的二氧化矽膜時之右側反 射光的色度分佈圖。 圖7爲光入射在由空氣/二氧化矽/鎳釩氧化物/四 氮化三矽/氮化鈦/四氮化三矽/玻璃組成的五層結構的 二氧化矽層時之反射率與波長關係圖。 圖8爲光入射在防反射構件的氮化矽膜時之反射率與 波長關係圖。 圖9爲防反射構件的反射率與波長關係圖。 圖1 0爲光入射在防反射構件的二氧化矽膜時之右側 反射光的色度分佈圖。 圖11爲光入射在由空氣/二氧化矽/氮化鈦/氮化 矽/氮化鈦/氮化矽/玻璃組成的五層結構的二氧化矽層 時之反射率與波長關係圖。 圖12爲光入射在防反射構件的氮化矽膜時之反射率 與波長關係圖。 圖1 3爲防反射構件的透射率與波長關係圖。 圖14爲光入射在防反射構件的二氧化矽膜時之右側 反射光的色度分佈圖。 主要元件對照表 — — — — — — — — — — — — — * I I HI II ^ 0 I i I— >1 fl 線 (請先《讀背面之注意事項再#?本荑> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - 438982 A7 B7五、發明說明（6 ) 1 防 反 射 構件 2 透 明 基 板 3 防 反射 膜 4 第 —- 透 明膜 5 第 -— 光 吸收膜 6 第 二 透 明膜 7 第 二 光吸收膜 8 第 三 透 明膜 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 請了解圖式不必依尺寸，且實施例有時係以圖解符號 ，虛線，簡圖表示和部分圖表示。有時，對於了解本發明 並非必要的細節或使其他細節難以了解之細節得以省略。 當然，請了解本發明不限於在此所示之特定實施例。 〔目前較佳實施例詳述〕 以下配合圖式介紹本發明一實施例。如圖1所示’依 據本發明實施例的防反射構件1包括一透明基板2和形成 在透明基板2主要表面的一個防反射膜3 °防反射膜3形 成五層結構，包含一第一透明膜4，一第一光吸收膜5， 一第二透明膜6，一第二光吸收膜7，和一第三透明膜8 〇 防反射構件1是做爲例如一顯示單元的面板玻璃。透 明基板2係由一玻璃基板，一陰極射線管的面板，一塑性 基板，一薄膜或類似物所構成。 -I ·1 ^1 ^1 .1 n 1· n 1· *i I > »1 n n n I n^ttJ· I .1 IV I A --VII. (請先《讀背面之注—項再填广‘ iI)
I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 · 438982 A7 B7 五、發明說明 防反射 蒸發法，化 成在透明基 於控制厚度 用直線式設 (7 ) 構件1的防 學氣相生長 扳2上。特 ，在基板要 備很容易達 限於上述形成薄膜之程 第一透明膜4由一 區爲透射，且折射率比 透明膜4是形成在透明 是由四氮化 4可由折射 (I 丁 〇） 明基板2主 一透明膜4 第一透明膜 的銦錫氧化 明膜4從透 反射膜3是 法（C V D 別言之，直 處理的面積 到多層膜之 序。 透明材料製 後述第三透 基板2主要 三矽（S i 率與四氮化 或氧化鉛（ 要表面調整 利用例如濺射法，真空 法）或溶膠一凝膠法形 流濺射法的優點爲能易 很大時有其優點，若採 層化。請注意本發明不 成，透明材料在可見光 明膜8折射率高。第一 表面。進一步言之，第 3 N 4 )或類似物製成， 三矽（S i 3 N 4 )類似 Sn〇2)製成。第一透 厚度到5 0 或更小 閲 讀 背 面 之 注 項 再 Λ V % 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 第一 經選擇以 光吸收膜 膜4上。 防反射構 和避免漏 阻爲1 K 事實，即 件1能更 5和後述 光吸收膜5是由金屬氮化物製成，金屬氧化物係 做爲具導電性之光吸收材料。進一步言之，第一 5是由氮化鈦（ 第一光吸收膜5 件1的防反射膜 電場特性。防反 Ω /□或更低。 整個表面的表面 可靠地呈現電場 第二光吸收膜7 T i N)製成且形成在 和第二光吸收膜7的導 3導電性。結果可得到 射構件1的防反射膜3 請注意'' 1 Κ Ω / □ 〃 電阻爲1ΚΩ。由是， 防漏特性。請注意第一 第一透明 電性分予 抗靜電性 的表面電 指出一項 防反射構 光吸收膜 可由用於取代氮化鈦之過渡金屬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> -10- A7 438982 B7_ 五、發明說明（8 ) 氮化物製成。當第一光吸收膜5和第二光吸收膜7由不同 材料製成時，透射率之分佈得以調整。例如，後述第二光 吸收膜7可爲紅色透明膜，其透射率分佈係使入射光在比 5 5 0 nm長的波長區的透射率上升。結果，在使用防反 射構件1做爲陰極射線管的面板玻璃時，所顯示影像的紅 色光亮度增加。特別言之，第二光吸收膜7可爲鎳釩氧化 物（NiVOx) *鎳釩氧化物（NiVOx)膜的光學 常數散布方式與氮化鈦（T i N)不同。爲了滿足防反射 狀況，防反射膜3之結構使各層的厚度設定成當光吸收膜 僅由氮化鈦構成時所採用的厚度。 氮化鈦膜有泛藍透射分佈，另一方面，鎳釩氧化物膜 有泛紅透射分佈。圖2示出鎳釩氧化物與氮化鈦光學常數 中與吸收成分有關的吸光係數（k )比較結果。由圖2中 可看出氮化鈦的k値在長波長區上升。另一方面，鎳釩氧 化物的k値爲一定。因此’氮化欽在長波長區有商吸收成 分。因此，當使用鎳釩氧化物做爲相對於紅色光爲透射之 膜時，所顯示影像的亮度得以增加° 結果，藉由調整鎳釩氧化物與氮化鈦厚度，防反射構 件1的透明色能任意地控制。 第一光吸收膜5與後述第二光吸收膜7的厚度可相對 地且任意地調整，各膜厚度調整到3 0 n m或更小。由是 ，防反射膜3整個本體透射率可調到2 0%〜8 0%。 第二透明膜6由透明材料製成，其在可見光區爲透明 ，且折射率高於後述第二透明膜8。第二透明膜6是形成 — — — — — — — — — III· ·1111111 ·1111111· 1 - {請先閱讀背面之注意事項再v頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '43 89 8 2 A7 ___._B7_ 五、發明說明（9 ) 在第一光吸收膜5上。進一步言之，第二透明膜6是由四 氮化三矽（S i 3N4)或類似物製成。第二透明膜6可由 銦錫化合物（I 丁 0 )或氧化鉛（S η 0 2 )這種折射率與 四氮化三矽相似的材料製成。第二透明膜6厚度比後述第 三透明膜8的光學厚度小。 第二光吸收膜7是由金屬氮化物製成，其經選擇做爲 導電性與第一光吸收膜5類似之光吸收材料。進一步言之 ，第二光吸收膜7是由氮化鈦（T i Ν)或類似物製成， 而且是形成在第二透明膜6上。第二光吸收膜7和第一光 吸收膜5各自的導電性給予防反射構件3整個本體導電性 ，結果|可得到抗靜電性和電場防漏特性》防反射構件1 的防反射膜3的表面電阻爲1 ΚΩ/□或更低。由是，防 反射構件能更可靠地呈現電場防漏特性。 第三透明.膜8是由透明材料製成，其在可見光區是透 射的，折射率低於1 . 52，且當波長約爲550nm時 ，其光學厚度約爲波長的四分之一。第三透明膜8是形成 在第二光吸收膜7上。由是，入射在第三光吸收膜8的右 側入射光的反射率在波長爲4 5 0 nm〜6 5 0 nm時爲 低於1 %。由是，由第三透明膜8反射右側入射光能可靠 地防止，結果得以改進可見度。 防反射膜3之構造使入射在第三透明膜8的右側入射 光與入射在透明基板2的相反側入射光的反射率相同，且 透射率滿足既定値。爲達成前述要求，得決定各層4，5 ，6，7，8之厚度。請注意各1層4，5，6，7，8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐〉 -12 - II — — — — — —— — —— * * I I — 1 I II · — — — — — — — (請先《讀背面之注意事項再氧y頁) 五、發明說明 的厚度爲其 具上述 的第三透明 收膜5吸收 之反射。 此外， 邊界之第一 和第二光吸 入射光之反 當防反 前述特性。 導特性。此 的面板玻璃 中央區的良 (10) η何厚度。 構造的防反 膜8有低折 光，因此可 防反射構件 透明膜4有 收膜7吸收 射。 射構件1各 結果可得到 外，當採用 時，可得到 好.亮度比。 4389 8 2 A7 B7 射構件1中，做爲空氣的化學邊界 射率。第二光吸收膜7和第一光吸 防止入射在第三透明膜8的入射光 1之構造使做爲透明基板2的光學 低反射率·>因此，第一光吸收膜5 光，因而防止入射在透明基板2的 層的材料和厚度已選定，即可滿足 包括抗靜電性和電場防漏特性之傳 防反射構件1做爲平面陰極射線管 令人滿意的對比，同時保持角隅和 — — — — — — — — II— —I» · 1 I {請先閲讀背面之注意事項再炎丨耸頁) 勻： 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 〔例1〕 以下介紹一製程，以下的防反射構件1即利用依據本 發明實施例之方法製造。 防反射構件的材料和結構： 透明基板 第一透明膜 第一光吸收膜 第二透明膜 :玻璃基板 :四氮化三矽膜（厚度爲2 5 ηιτι) :氮化鈦膜（厚度爲1 8 n m ) :四氮化三矽膜（厚度爲5 0 nm) -勒· -13- 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） 43 89 8 2 A7 __._B7_____ 五、發明說明（11> 第二光吸收膜 ：氮化鈦膜（厚度爲I2nm) 第三透明膜 ：二氧化矽膜（厚度爲78nm) (讀先《讀背面之泫意事項再瑱Γ λ頁) 具上述各層之防反射構件1的各層厚度最佳化*使透 射率約爲5 0 %時其反射率最低。 防反射構件1的反射特性在光線（波長爲4 8 0 nm ，在4 5 0 nm〜6 5 0 nm可見射線區之間）是入射在 第三透明膜8時的最高反射率爲0 · 4 3%，平均反射率 爲0.20%，可見反射率爲0.13%，如圖3所示’ 亦即反射率低於1 . 0 %，因此具有優良防反射特性。如 圖4所示，當在4 5 0 nm〜6 5 0 nm可見射線區之間 ，防反射構件1的反射特性在光線是入射在透明基板2時 的最高反射率爲4 · 8%，平均反射率爲2 · 2%，而可 見反射率爲2 . 0 %，因此反射率限制在與玻璃表面反射 率（約4 % )相同的水平。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 圖3和4中所示的反射特性係依據下列狀況下的一個 四氮化三矽膜，一個氮化鈦膜和一個二氧化矽膜的光學常 數下所得< 四氮化三矽膜形成的狀況： 形成方法 ：直流反應濺射法 標靶 ：矽 放電氣體 ：氬與氮的混合氣體（氮佔30%體積） 濺射氣體壓力 ：3xlO_3T〇rr 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） -14 - A7 B7 438982 五、發明說明（12) 氮化鈦膜的形成狀況= 形成方法 ：直流反應濺射法 標靶 ：矽 放電氣體 ：氬與氮的混合氣體（氮佔30%體積） 濺射氣體壓力 ：3Xl〇_3T〇rr 二氧化矽膜的形成狀況·_ 形成方法 ：直流反應濺射法 標靶 ：矽（摻雜重量佔10%之鋁） 放電氣體 ：氧 濺射氣體壓力 ：3xlO_3T〇rr 如圖.5所示，當在4 5 0 nm〜6 5 0 nm可見射線 區時，防反射構件1的反射特性使得當光線入射在第三透 明膜8時，第三透明膜8最高透射率爲46%。因此，若 平面陰極射線管採用防反射構件1，防反射構件1能維持 角隅與中央部之間令人滿意的亮度比。防反射構件1第三 透明膜8的色度分佈爲右側反射光的色度泛藍分佈，如圖 6所示。圖5所示者者爲形成在一塊厚度爲1 mm且無吸 光性的玻璃板上的防反射膜3之透射率。圖6中所示的右 側反射光色度分佈圖爲各層厚度散布範圍在± 2 %時得到 之右側反射光色度分佈圖。 另一方面，包含氮化鈦（T i N)膜（具導電性）且 -15- 本紙張尺度適用中圉國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 438982 A7 B7 五、發明說明（13) 有二層之防反射膜1總厚度約爲3 0 nm，表面電阻約爲 1 Ο Ο Ω/□或更低，因此具有令人滿意的電場防漏特性 〔例2〕 接著介紹包含一光吸收膜的防反射構件之製程’光吸 收膜由以下的鎳釩氧化物（N i VQx)利用依據本發明 實施例之方法製造。 此例的防反射構件與吸光件僅由第二光吸收膜7材料 中的氮化鈦（T i N)製造的防反射構件不同。 接著介紹利用依據本發明實施例方法的下述防反射構 件1之製程。 防反射構件的材料和構造：
先 讀 背 ib 之 注 意 事 項 再 ¥ V I 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 透明基板 第一透明膜 第一光吸收膜 第二透明膜 第二光吸收膜 第三透明膜 :玻璃基板 :四氮化三矽膜（厚度爲2 5 nm) :氮化鈦膜（厚度爲1 6 nm) :四氮化三砂膜（厚度爲5 2 nm) :錬訊氧化物膜（厚度爲1 2 nm) :二氧化矽膜（厚度爲9 〇 nm) 防反射構件1各層厚度最佳化，使得當透射率約爲 0%時之反射率最低。 + 如圖7所示，當波長爲6 5 0 nm在4 5 0 nm〜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 4 3 898 2 A7 一 B7 五、發明說明（14) 6 5 0 nm可見射線區之間時，且光線入射在第三透明膜 8時，防反射構件1的反射特性爲最高反射率爲0 · 70 %，平均反射率爲0 . 30%，可見反射率爲0 . 20% 。如上所述，反射率低於1 . 0 %，因而得到令人滿意的 防反射構件1反射性質。如圖8所示，在4 5 0 n m〜 6 5 0 nm可見射線區之間時，且光線入射在透明基板2 時，防反射構件1的反射性質爲最高反射率爲5 · 5 1% ，平均反射率爲2 . 30%，可見反射率爲1 . 3%，因 此反射率能限制在約4 % (玻璃表面的反射率）。 圖7和8中所示的反射性質係依下列狀況形成的四氮 化三矽膜，氮化鈦膜，鎳釩氧化物膜和二氧化矽膜的光學 常數量測而得。 四氮化三矽膜的形成狀況： 形成方法 ：直流反應濺射法 標靶 ：矽 放電氣體 ：氬與氮的混合氣’體（氮佔3 0 %體積） 濺射氣體壓力 ：3xl〇 一 3T〇rr 氮化鈦膜的形成狀況： 形成方法 ：直流反應濺射法 標靶 ：鈦 放電氣體 ：氬與氮的混合氣體（氮佔30%體積） 濺射氣體壓力 ：3xl〇^T〇rr 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ----II----- 装·！ - ,), (請先《讀背面之注意事項再填一f 4頁) tl· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -17- 4 389 8 2 A7 B7 五、發明說明（15) 镍釩氣化物膜的形成狀況： <锖先s讀背面之注意事項再填r本頁) 形成方法 ：直流反應濺射法 標祀 ·鎮飢合金 放電氣體 ：氧 濺射氣體壓力：3xlO_3Torr 二氬化矽膜的形成狀況： 形成方法 ：直流反應濺射法 標靶 ：矽（摻雜重量佔10%之鋁） 放電氣體 ：氧 濺射氣體壓力：3xlO_3Torr 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 如圖9所示，當在4 5 0 nm〜6 5 Onm可見射線 區，且當光線入射在第三透明膜8之時’防反射構件1之 透射率使第三透明膜8的透射率爲48.9%。若平面陰 極射線管採用防反射構件1’可保持角隅與中央區令人滿 意的亮度比。與圖5中所示僅採用氮化鈦（T i N)形成 光吸收膜的透射率分布相比較，比6 0 0 nm長的長波長 範圍的透射率分布有改進’亦即紅色光的亮度在亮度分布 上有所改進。 如圖1 0所示，與圖6中僅採用氮化鈦（T i N)形 成光吸收膜的情形相比較’防反射構件1在右側入射光呈 色度泛紅分布"請注意透射率曲線是由防反射膜3形成在 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
438982 五、發明說明（16) —玻瑀板（厚度爲lmm且無吸光性）的結構得到。右側 反射光色度圖指出各層厚度散布範圍爲土 2 %時之右側反 射光分射。 另一方面，防反射搆件1之結構爲氮化鈦膜（具導電 性）和鎳釩氧化物膜的雙層總厚度約爲2 8 n m，表面電 阻約爲5 Ο Ο Ω/□或更低，因而能得到令人滿意的電場 防漏性。 〔例3〕 以下將介紹利用本發明方法實施例製造之防反射構件 1製造例子，防反射構件1包含由以下氮化鈦（s i N ) 製成的第一透明膜和第二透明膜。 請注意本例的防反射構件與例1的防反射構件不同處 爲第一透明膜和第二透明膜之材料。 接著介紹利用本發明方法實施例製造之防反射構件1 防反射構件的材料和構造： 透明基板 ：玻璃基板 第一透明膜 ：氮化矽（S iN)膜（厚度爲48nm) 第一光吸收膜：氮化鈦膜（厚度爲14nm) 第二透明膜 ：氮化砂（siN)膜（厚度爲55nm) 第二光吸收膜：氮化鈦膜（厚度爲1 6 nm) 第三透明膜 ：二氧化矽膜（厚度爲78nm) 閲 讀 背 面 之 注 f 經濟部智慧財產局S工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 438982 A7 B7 五、發明說明（⑺ 具上述各層的防反 透明基板2上的光線之 如圖1 1所示，當 6 5 0 nm之間的6 5 使入射在第三透明膜8 ，平均反射率爲0.2 亦即反射率低於1 . 〇 圖1 2所示，當波長在 反射構件1的反射特性 高反射率爲1.68% 反射率爲0 . 87%。 (玻璃表面的反射率） 圖11和12中的 況下的氮化矽（S i N 學常數。 射構件 反射率 波長爲 0 n m 的光線 2 % > %，因 4 5 0 使得入 ，平均 由是， 1各層厚 很低。 在可見射 ，防反射 的最商反 可見反射 此得到優 m 6 射在透明 反射率爲 反射率限 度最佳化使入射在 線4 5 0 n m〜 構件1的反射特性 射率爲0 . 8 0 % 率爲0 . 1 5 %， 良防反射特性。如 5 0 n m之間，防 基板2的光線的最 0 . 9 2 %，平均 制在約4 %的程度 反射率特性的取得係依據在下述狀 )膜，氮化鈦膜和二氧化矽膜的光 先 閲 讀 背 面 之 注 項 再 填- ί 本· 頁 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 氮化矽（S i Ν )膜的形成狀況： 形成方法 ：直流反應濺射法 標靶 ：矽 放電氣體 ：氬與氮的混合氣體（氮佔30%體積） 濺射氣體壓力 ：3xiO_3Torr 氮化鈦膜的形成狀況： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公Μ ) -20- 438982 五、發明說明（18) 形成方法 ：直流反應濺射法 標靶 ：鈦 放電氣體 ：氬與氮的混合氣體（氮佔 (請先g讀背面之注意事項再填ff·本頁) 濺射氣體壓力 ：3xlO_3Torr 二氧化矽膜的形成狀況： 形成方法 ：直流反應濺射法 標靶 ：矽（摻雜重量佔10%之 放電氣體 ：氧 濺射氣體壓力 ：3xl0 — 3Toi"r i . 如圖1 3所示，當在4 5 Onm〜6 5 〇 nm的可見 射線區，且當光線入射在第三透明膜8，防反射構件丄的 透射特性使.第三透明膜8的最高透射率爲4 6 , 6 %。若 平面陰極射線管採用防反射·構件，可保持角隅與中央區令 人滿意的亮度比。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 如圖1 4所示，防反射構件1的右側入射光色度呈泛 藍分布，與圖6的情形類似。請注意透射率曲線之獲得係 由防反射膜3形成在一玻璃板（厚度爲1mm且無吸光性 )的結構。右側反射光色度圖指出各層厚度散布範圍爲 ± 2%時之右側反射光分布。 另一方面，防反射構件1之結構爲氮化鈦膜（具導電 性）雙層總厚度約爲3 0 nm，表面電阻約爲5 Ο 0Ω/ □或更低，因此能得到令人滿意的電場防漏性。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公爱） 4389 8 2 a? _ B7 五、發明說明（19) 如上所述，依據本發明的防反射構件是由具有五層形 成在透明膜基板上且由透明材料或具導電性光吸收材料製 成的防反射膜所組成。因此，入射在防反射構件二側且波 長在既定範圍內的光線之反射率能控制在很低的程度，同 時將防反射構件的光吸收性控制在高水平。因此，具抗靜 電性和電場防漏性的防反射構件得益於防反射構件的導電 性。此外，對比亦得到改善，因而能顯示令人滿意的影像 等》 雖然本發明的實施例已利用特定詞語介紹，但其僅爲 說明之用，請了解在不偏離本發明的精神或後面申請專利 範圍下仍能有更改及變化。 <請先閲讀背面之注*項再填r-41) .ij· 經濟部智惠財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS)A4規格（210 X 297公藿） -22 -