JP2001154001A - 導電性反射防止膜 - Google Patents
導電性反射防止膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 第１層と第２層の一方、第３層と第４層の一
方を各々光吸収層とし、さらに第５層および第６層を互
いに異なる所定屈折率の誘電体層とすることで、平面状
ブラウン管の表面に形成した場合にも、外光の表面反射
を防止し得るととともに、内面反射をも低い値に抑えて
ゴースト現象の発生を防止し得る導電性反射防止膜を得
る。 【構成】 ガラス基体Ｇ上に、第１層として窒化チタン
（ＴｉＮＸ）からなる層を、第２層として窒化ケイ素
（ＳｉＮＸ）からなる層を、第３層として酸化ケイ素
（ＳｉＯ２）からなる層を、第４層として酸化ニッケル
（ＮｉＯＸ）からなる層を、第５層として酸化チタン
（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化ケイ素
（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなるもので
ある。光吸収層として機能する第１層の厚みは５〜２５
ｎｍに設定され、また、光吸収層として機能する第４層
の厚みは５〜５０ｎｍに設定される。
方を各々光吸収層とし、さらに第５層および第６層を互
いに異なる所定屈折率の誘電体層とすることで、平面状
ブラウン管の表面に形成した場合にも、外光の表面反射
を防止し得るととともに、内面反射をも低い値に抑えて
ゴースト現象の発生を防止し得る導電性反射防止膜を得
る。 【構成】 ガラス基体Ｇ上に、第１層として窒化チタン
（ＴｉＮＸ）からなる層を、第２層として窒化ケイ素
（ＳｉＮＸ）からなる層を、第３層として酸化ケイ素
（ＳｉＯ２）からなる層を、第４層として酸化ニッケル
（ＮｉＯＸ）からなる層を、第５層として酸化チタン
（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化ケイ素
（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなるもので
ある。光吸収層として機能する第１層の厚みは５〜２５
ｎｍに設定され、また、光吸収層として機能する第４層
の厚みは５〜５０ｎｍに設定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ブラウン管等の表
面に形成される電磁遮蔽効果を有する導電性反射防止膜
に関し、詳しくは、光吸収層を用いるタイプの導電性反
射防止膜に関するものである。
面に形成される電磁遮蔽効果を有する導電性反射防止膜
に関し、詳しくは、光吸収層を用いるタイプの導電性反
射防止膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ブラウン管表面の反射防止と
電磁波遮蔽は、透明な多層誘電体膜よりなる反射防止膜
をガラス基体上に形成することにより行われていたが、
この種の反射防止膜においては、低反射となる波長範囲
を広くするためには、反射防止膜を構成する層数を例え
ば数十層とする必要があり、これに伴って製造コストが
大幅に増加するという問題があるため、最近では酸窒化
チタン等からなる光吸収層を用いるタイプの反射防止膜
が使用されるようになってきている（特開平１０-８７
３４８号公報）。
電磁波遮蔽は、透明な多層誘電体膜よりなる反射防止膜
をガラス基体上に形成することにより行われていたが、
この種の反射防止膜においては、低反射となる波長範囲
を広くするためには、反射防止膜を構成する層数を例え
ば数十層とする必要があり、これに伴って製造コストが
大幅に増加するという問題があるため、最近では酸窒化
チタン等からなる光吸収層を用いるタイプの反射防止膜
が使用されるようになってきている（特開平１０-８７
３４８号公報）。
【０００３】ところで、最近、表面を平面に近い形状と
したブラウン管が注目されており、このようなブラウン
管の表面に形成するための導電性反射防止膜の開発が急
務とされている。このような平面状のブラウン管は、機
械的強度を得るために中心部と周辺部の厚みが大きく異
なっており、蛍光面からの光強度を均一とするためにガ
ラス材の光透過率が大幅に高いものとされているが、ブ
ラウン管管面トータルとしての光透過率は従来のものと
略同様の値とする必要があることから上記導電性反射防
止膜の光透過率はガラス材の光透過率の増加に応じて低
減させる必要がある。
したブラウン管が注目されており、このようなブラウン
管の表面に形成するための導電性反射防止膜の開発が急
務とされている。このような平面状のブラウン管は、機
械的強度を得るために中心部と周辺部の厚みが大きく異
なっており、蛍光面からの光強度を均一とするためにガ
ラス材の光透過率が大幅に高いものとされているが、ブ
ラウン管管面トータルとしての光透過率は従来のものと
略同様の値とする必要があることから上記導電性反射防
止膜の光透過率はガラス材の光透過率の増加に応じて低
減させる必要がある。
【０００４】そこで、上記公報記載の従来技術のもので
は、酸窒化チタン膜とシリカを主成分とする膜をそれぞ
れ所定の膜厚としたものを反射防止膜として用い、外光
に対する反射率（以下表面反射率と称する）は低い値を
維持したまま、その光透過率を５０％程度（従来の反射
防止膜では例えば７５％）まで低下させることを可能と
している。
は、酸窒化チタン膜とシリカを主成分とする膜をそれぞ
れ所定の膜厚としたものを反射防止膜として用い、外光
に対する反射率（以下表面反射率と称する）は低い値を
維持したまま、その光透過率を５０％程度（従来の反射
防止膜では例えば７５％）まで低下させることを可能と
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、反射防
止膜として光吸収層を用いた場合には、誘電体層を用い
た場合と異なり、表面反射率と内部蛍光面からの光に対
する反射率（以下内面反射率と称する）とは一致しな
い。
止膜として光吸収層を用いた場合には、誘電体層を用い
た場合と異なり、表面反射率と内部蛍光面からの光に対
する反射率（以下内面反射率と称する）とは一致しな
い。
【０００６】例えば、上記公報記載のものでは、内面反
射率が１６〜２０％程度と大きくなってしまい、その結
果、図１５に示すように、電子線が蛍光層１３に入射す
ることにより発生する光において、ガラス材（ガラス基
体）１２と反射防止膜１１をそのまま透過する光Ｔ１の
他、ガラス材１２と反射防止膜１１の界面において内面
反射し、その後蛍光層１３において内面反射して反射防
止膜１１を透過する光Ｔ２が生じることから、いわゆる
ゴースト現象が生じてしまう。
射率が１６〜２０％程度と大きくなってしまい、その結
果、図１５に示すように、電子線が蛍光層１３に入射す
ることにより発生する光において、ガラス材（ガラス基
体）１２と反射防止膜１１をそのまま透過する光Ｔ１の
他、ガラス材１２と反射防止膜１１の界面において内面
反射し、その後蛍光層１３において内面反射して反射防
止膜１１を透過する光Ｔ２が生じることから、いわゆる
ゴースト現象が生じてしまう。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、平面形状のブラウン管の表面に形成する場合にも、
外光の表面反射を充分防止し得るととともに、内面反射
をも低い値に抑えてゴースト現象の発生を防止し得る導
電性反射防止膜を提供することを目的とするものであ
る。
で、平面形状のブラウン管の表面に形成する場合にも、
外光の表面反射を充分防止し得るととともに、内面反射
をも低い値に抑えてゴースト現象の発生を防止し得る導
電性反射防止膜を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性反射防止
膜は、ガラス基体上に、該ガラス基体側から順に、第１
層から第６層まで積層されてなる光反射防止膜であっ
て、前記第１層と第２層のうち一方が光吸収層として機
能するＴｉＮｘ層、他方がＳｉＮｘ層からなり、前記第
３層と第４層のうち、一方が光吸収層として機能する遷
移金属の酸化物または窒化物からなる層、他方がＳｉの
酸化物または窒化物からなる層からなり、前記第５層は
屈折率ｎが１．９〜２．７の誘電体層からなり、前記第
６層は屈折率ｎが１．３５〜１．７の誘電体層からなる
ことを特徴とするものである。
膜は、ガラス基体上に、該ガラス基体側から順に、第１
層から第６層まで積層されてなる光反射防止膜であっ
て、前記第１層と第２層のうち一方が光吸収層として機
能するＴｉＮｘ層、他方がＳｉＮｘ層からなり、前記第
３層と第４層のうち、一方が光吸収層として機能する遷
移金属の酸化物または窒化物からなる層、他方がＳｉの
酸化物または窒化物からなる層からなり、前記第５層は
屈折率ｎが１．９〜２．７の誘電体層からなり、前記第
６層は屈折率ｎが１．３５〜１．７の誘電体層からなる
ことを特徴とするものである。
【０００９】また、前記第５層はＴｉＯ２層から、前記
第６層はＳｉＯ２層から各々なるように構成することが
好ましい。好ましい具体的態様としては以下の４つの層
構成がある。すなわち、第１の具体的層構成としては、
前記第１層がＴｉＮｘ層、前記第２層がＳｉＮｘ層、前
記第３層がＳｉＯ２層、前記第４層がＮｉＯｘ層であ
る。
第６層はＳｉＯ２層から各々なるように構成することが
好ましい。好ましい具体的態様としては以下の４つの層
構成がある。すなわち、第１の具体的層構成としては、
前記第１層がＴｉＮｘ層、前記第２層がＳｉＮｘ層、前
記第３層がＳｉＯ２層、前記第４層がＮｉＯｘ層であ
る。
【００１０】第２の具体的層構成としては、前記第１層
がＴｉＮｘ層、前記第２層がＳｉＮｘ層、前記第３層が
ＮｉＯｘ層、前記第４層がＳｉＯ２層である。
がＴｉＮｘ層、前記第２層がＳｉＮｘ層、前記第３層が
ＮｉＯｘ層、前記第４層がＳｉＯ２層である。
【００１１】第３の具体的層構成としては、前記第１層
がＳｉＮｘ層、前記第２層がＴｉＮｘ層、前記第３層が
ＳｉＮｘ層、前記第４層がＴｉＮｘ層である。
がＳｉＮｘ層、前記第２層がＴｉＮｘ層、前記第３層が
ＳｉＮｘ層、前記第４層がＴｉＮｘ層である。
【００１２】第４の具体的層構成としては、前記第１層
がＴｉＮｘ層、前記第２層がＳｉＮｘ層、前記第３層が
ＳｉＯ２層、前記第４層がＣｒ２Ｏ３層である。
がＴｉＮｘ層、前記第２層がＳｉＮｘ層、前記第３層が
ＳｉＯ２層、前記第４層がＣｒ２Ｏ３層である。
【００１３】また、前記第１層または前記第２層に位置
する光吸収層の膜厚が５〜２５ｎｍに設定されているこ
とが好ましい。
する光吸収層の膜厚が５〜２５ｎｍに設定されているこ
とが好ましい。
【００１４】また、前記第３層または前記第４層に位置
する光吸収層の膜厚が５〜６０ｎｍに設定されているこ
とが好ましい。
する光吸収層の膜厚が５〜６０ｎｍに設定されているこ
とが好ましい。
【００１５】また、前記光吸収層が、波長が５５０ｎｍ
の光に対し、４５〜６５％の光透過率を有し、膜全体の
内面反射率が１０％以下とされるように設定することが
好ましい。
の光に対し、４５〜６５％の光透過率を有し、膜全体の
内面反射率が１０％以下とされるように設定することが
好ましい。
【００１６】なお、上記各層は、上述した各材料を主材
料として含むことを意味しており、必ずしも他の不純物
を完全に排除することを意味するものではない。
料として含むことを意味しており、必ずしも他の不純物
を完全に排除することを意味するものではない。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る導
電性反射防止膜を図面を用いて説明する。
電性反射防止膜を図面を用いて説明する。
【００１８】本発明の実施形態に係る導電性反射防止膜
は、ブラウン管の表面に形成され、外光のブラウン管表
面における表面反射を低減させるものである。その構成
は、ガラス基体上に、該ガラス基体側から順に、第１層
から第６層まで積層されてなる光反射防止膜であって、
第１層と第２層のうち一方が光吸収層として機能するＴ
ｉＮｘ層、他方がＳｉＮｘ層からなり、第３層と第４層
のうち、一方が光吸収層として機能する遷移金属の酸化
物または窒化物からなる層、他方がＳｉの酸化物または
窒化物からなる層からなり、第５層がＴｉＯ２層からな
り、第６層がＳｉＯ２層からなる。
は、ブラウン管の表面に形成され、外光のブラウン管表
面における表面反射を低減させるものである。その構成
は、ガラス基体上に、該ガラス基体側から順に、第１層
から第６層まで積層されてなる光反射防止膜であって、
第１層と第２層のうち一方が光吸収層として機能するＴ
ｉＮｘ層、他方がＳｉＮｘ層からなり、第３層と第４層
のうち、一方が光吸収層として機能する遷移金属の酸化
物または窒化物からなる層、他方がＳｉの酸化物または
窒化物からなる層からなり、第５層がＴｉＯ２層からな
り、第６層がＳｉＯ２層からなる。
【００１９】すなわち、本実施形態の導電性反射防止膜
においては、第１層と第２層のうち一方を光吸収層とし
て機能するＴｉＮｘ層とし、また、第３層と第４層のう
ち、一方を光吸収層として機能する遷移金属の酸化物ま
たは窒化物からなる層とし、さらに、第５層をＴｉＯ２
層とすることにより、膜全体の光透過率を５０％程度と
し、本来の表面反射防止効果を良好に維持しつつ内部蛍
光面からの光に対する反射率（内面反射率）をも１０％
以下に低減させることを可能としている。なお、上記光
吸収層は、波長が５５０ｎｍの光に対し、４５〜６５％
の光透過率を有するように設定されている。
においては、第１層と第２層のうち一方を光吸収層とし
て機能するＴｉＮｘ層とし、また、第３層と第４層のう
ち、一方を光吸収層として機能する遷移金属の酸化物ま
たは窒化物からなる層とし、さらに、第５層をＴｉＯ２
層とすることにより、膜全体の光透過率を５０％程度と
し、本来の表面反射防止効果を良好に維持しつつ内部蛍
光面からの光に対する反射率（内面反射率）をも１０％
以下に低減させることを可能としている。なお、上記光
吸収層は、波長が５５０ｎｍの光に対し、４５〜６５％
の光透過率を有するように設定されている。
【００２０】また、第１層と第２層のいずれか一方に設
けた、光吸収層として機能するＴｉＮｘ層の厚みは５〜
２５ｎｍに設定するのが望ましく、第３層と第４層のい
ずれか一方に設けた、光吸収層として機能する遷移金属
の酸化物または窒化物からなる層は、その材料によって
も異なるが５〜数十ｎｍに設定するのが望ましい。
けた、光吸収層として機能するＴｉＮｘ層の厚みは５〜
２５ｎｍに設定するのが望ましく、第３層と第４層のい
ずれか一方に設けた、光吸収層として機能する遷移金属
の酸化物または窒化物からなる層は、その材料によって
も異なるが５〜数十ｎｍに設定するのが望ましい。
【００２１】これら光吸収層の膜厚が、上記下限未満の
厚みでは低反射となる波長領域は広がるが、表面反射率
が次第に大きくなり、一方、上記上限を超えると低い表
面反射率となる波長領域が狭くなり、さらに膜厚を大き
くすると表面反射率が次第に大きくなってしまう。
厚みでは低反射となる波長領域は広がるが、表面反射率
が次第に大きくなり、一方、上記上限を超えると低い表
面反射率となる波長領域が狭くなり、さらに膜厚を大き
くすると表面反射率が次第に大きくなってしまう。
【００２２】また、上記範囲を超えると内面反射率も次
第に大きくなってしまう。
第に大きくなってしまう。
【００２３】このため、表面反射率と内面反射率をとも
に極めて低い値に設定し得る上記範囲に光吸収層の膜厚
を設定するのが望ましい。
に極めて低い値に設定し得る上記範囲に光吸収層の膜厚
を設定するのが望ましい。
【００２４】また、上述した遷移金属としては、チタン
（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコ
ニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム
（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）等が用いら
れる。
（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコ
ニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム
（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）等が用いら
れる。
【００２５】また、最上層である上記第６層を構成する
ＳｉＯ２層は、保護層として機能する。
ＳｉＯ２層は、保護層として機能する。
【００２６】なお、上記光吸収層の形成法としては、特
に限定されず、ＣＶＤ法やスパッタ法などを採用でき
る。スパッタ法としては、ＲＦスパッタ法や直流反応性
スパッタ法が挙げられる。特に、直流反応性スパッタ法
を用い、スパッタガスとして、窒素、希ガスおよび酸化
性ガスからなる混合ガスを用いることが望ましい。
に限定されず、ＣＶＤ法やスパッタ法などを採用でき
る。スパッタ法としては、ＲＦスパッタ法や直流反応性
スパッタ法が挙げられる。特に、直流反応性スパッタ法
を用い、スパッタガスとして、窒素、希ガスおよび酸化
性ガスからなる混合ガスを用いることが望ましい。
【００２７】以下、具体的な数値を用いた実施例により
本発明の導電性反射防止膜をより詳しく説明する。
本発明の導電性反射防止膜をより詳しく説明する。
【００２８】
【実施例】＜実施例１＞実施例１に係る導電性反射防止
膜は、図１に示す如く、ガラス基体Ｇ上に、第１層とし
て窒化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第２層として
窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第３層として酸
化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を、第４層として酸化
ニッケル（ＮｉＯＸ）からなる層を、第５層として酸化
チタン（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化ケ
イ素（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなるも
のである。なお、網点を施した領域は光吸収層であるこ
とを意味する（図２〜４において同じ）。
膜は、図１に示す如く、ガラス基体Ｇ上に、第１層とし
て窒化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第２層として
窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第３層として酸
化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を、第４層として酸化
ニッケル（ＮｉＯＸ）からなる層を、第５層として酸化
チタン（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化ケ
イ素（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなるも
のである。なお、網点を施した領域は光吸収層であるこ
とを意味する（図２〜４において同じ）。
【００２９】ここで、実施例１における、各層の光学定
数（複素屈折率をｎ±ｉｋで表した場合の屈折率（ｎ）
および消衰係数（ｋ））ならびに幾何学的膜厚（ｎｍ）
を表１に示す。
数（複素屈折率をｎ±ｉｋで表した場合の屈折率（ｎ）
および消衰係数（ｋ））ならびに幾何学的膜厚（ｎｍ）
を表１に示す。
【００３０】また、この実施例１の導電性反射防止膜の
表面反射率、内面反射率および波長５５０ｎｍの光に対
する膜透過率を表１中の右側に示す。
表面反射率、内面反射率および波長５５０ｎｍの光に対
する膜透過率を表１中の右側に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】さらに、この実施例１の導電性反射防止膜
の可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦
軸は光反射率（％））を図５および６に示す。なお、こ
の場合の測定は、導電性反射防止膜に対し、入射角５゜
で測定光が入射したときの分光反射率を測定することに
より行われる（５゜反射測定；以下の実施例２〜４およ
び比較例において同じ）。
の可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦
軸は光反射率（％））を図５および６に示す。なお、こ
の場合の測定は、導電性反射防止膜に対し、入射角５゜
で測定光が入射したときの分光反射率を測定することに
より行われる（５゜反射測定；以下の実施例２〜４およ
び比較例において同じ）。
【００３３】＜実施例２＞実施例２に係る導電性反射防
止膜は、図２に示す如く、ガラス基体Ｇ上に、第１層と
して窒化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第２層とし
て窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第３層として
酸化ニッケル（ＮｉＯＸ）からなる層を、第４層として
酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を、第５層として酸
化チタン（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなる
ものである。
止膜は、図２に示す如く、ガラス基体Ｇ上に、第１層と
して窒化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第２層とし
て窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第３層として
酸化ニッケル（ＮｉＯＸ）からなる層を、第４層として
酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を、第５層として酸
化チタン（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなる
ものである。
【００３４】ここで、実施例２における、各層の光学定
数（複素屈折率をｎ±ｉｋで表した場合の屈折率（ｎ）
および消衰係数（ｋ））ならびに幾何学的膜厚（ｎｍ）
を表２に示す。
数（複素屈折率をｎ±ｉｋで表した場合の屈折率（ｎ）
および消衰係数（ｋ））ならびに幾何学的膜厚（ｎｍ）
を表２に示す。
【００３５】また、この実施例２の導電性反射防止膜の
表面反射率、内面反射率および波長５５０ｎｍの光に対
する膜透過率を表２中の右側に示す。
表面反射率、内面反射率および波長５５０ｎｍの光に対
する膜透過率を表２中の右側に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】さらに、この実施例２の導電性反射防止膜
の可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦
軸は光反射率（％））を図７および８に示す。
の可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦
軸は光反射率（％））を図７および８に示す。
【００３８】＜実施例３＞実施例３に係る導電性反射防
止膜は、図３に示す如く、ガラス基体Ｇ上に、第１層と
して窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第２層とし
て窒化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第３層として
窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第４層として窒
化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第５層として酸化
チタン（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化ケ
イ素（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなるも
のである。
止膜は、図３に示す如く、ガラス基体Ｇ上に、第１層と
して窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第２層とし
て窒化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第３層として
窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第４層として窒
化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第５層として酸化
チタン（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化ケ
イ素（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなるも
のである。
【００３９】ここで、実施例３における、各層の光学定
数（複素屈折率をｎ±ｉｋで表した場合の屈折率（ｎ）
および消衰係数（ｋ））ならびに幾何学的膜厚（ｎｍ）
を表３に示す。
数（複素屈折率をｎ±ｉｋで表した場合の屈折率（ｎ）
および消衰係数（ｋ））ならびに幾何学的膜厚（ｎｍ）
を表３に示す。
【００４０】また、この実施例３の導電性反射防止膜の
表面反射率、内面反射率および波長５５０ｎｍの光に対
する膜透過率を表３中の右側に示す。
表面反射率、内面反射率および波長５５０ｎｍの光に対
する膜透過率を表３中の右側に示す。
【００４１】
【表３】
【００４２】さらに、この実施例３の導電性反射防止膜
の可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦
軸は光反射率（％））を図９および１０に示す。
の可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦
軸は光反射率（％））を図９および１０に示す。
【００４３】＜実施例４＞実施例４に係る導電性反射防
止膜は、図４に示す如く、ガラス基体Ｇ上に、第１層と
して窒化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第２層とし
て窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第３層として
酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を、第４層として酸
化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）からなる層を、第５層として酸
化チタン（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなる
ものである。
止膜は、図４に示す如く、ガラス基体Ｇ上に、第１層と
して窒化チタン（ＴｉＮＸ）からなる層を、第２層とし
て窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）からなる層を、第３層として
酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を、第４層として酸
化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）からなる層を、第５層として酸
化チタン（ＴｉＯ２）からなる層を、第６層として酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層を順次積層形成してなる
ものである。
【００４４】ここで、実施例４における、各層の光学定
数（複素屈折率をｎ±ｉｋで表した場合の屈折率（ｎ）
および消衰係数（ｋ））ならびに幾何学的膜厚（ｎｍ）
を表４に示す。
数（複素屈折率をｎ±ｉｋで表した場合の屈折率（ｎ）
および消衰係数（ｋ））ならびに幾何学的膜厚（ｎｍ）
を表４に示す。
【００４５】また、この実施例４の導電性反射防止膜の
表面反射率、内面反射率および波長５５０ｎｍの光に対
する膜透過率を表４中の右側に示す。
表面反射率、内面反射率および波長５５０ｎｍの光に対
する膜透過率を表４中の右側に示す。
【００４６】
【表４】
【００４７】さらに、この実施例４の導電性反射防止膜
の可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦
軸は光反射率（％））を図１１および１２に示す。
の可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦
軸は光反射率（％））を図１１および１２に示す。
【００４８】＜比較例＞比較例として、前述した特開平
１０-８７３４８号公報記載のものを用いた。
１０-８７３４８号公報記載のものを用いた。
【００４９】すなわち、比較例の導電性反射防止膜は、
ガラス基体上に、第１層として窒化チタン（ＴｉＮＸ）
からなる層を、第２層として窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）か
らなる層を、第３層として酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から
なる層を順次積層形成してなるものである。各層の幾何
学的膜厚は、第１層が１８ｎｍに、第２層が９ｎｍに、
第３層が７２ｎｍに各々設定されている。
ガラス基体上に、第１層として窒化チタン（ＴｉＮＸ）
からなる層を、第２層として窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）か
らなる層を、第３層として酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から
なる層を順次積層形成してなるものである。各層の幾何
学的膜厚は、第１層が１８ｎｍに、第２層が９ｎｍに、
第３層が７２ｎｍに各々設定されている。
【００５０】この比較例における、表面反射率、内面反
射率および波長５５０ｎｍの光に対する膜透過率は各々
０．５３％、１６．６２％および５５．４８％であっ
た。
射率および波長５５０ｎｍの光に対する膜透過率は各々
０．５３％、１６．６２％および５５．４８％であっ
た。
【００５１】さらに、この比較例の導電性反射防止膜の
可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦軸
は光反射率（％））を図１３および１４に示す。
可視光域反射特性（横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦軸
は光反射率（％））を図１３および１４に示す。
【００５２】また、上述した各実施例１〜４および比較
例についての表面反射率、内面反射率および波長５５０
ｎｍの光に対する膜透過率を纏めたものを表５に示す。
例についての表面反射率、内面反射率および波長５５０
ｎｍの光に対する膜透過率を纏めたものを表５に示す。
【００５３】
【表５】
【００５４】この表５および図５〜１４から明らかなよ
うに、本実施例の導電性反射防止膜においては、膜透過
率を平面状のブラウン管に最適な値に設定しうるととも
に、表面反射率を低い値に維持しながら、内面反射率を
大幅に低下させることができる。
うに、本実施例の導電性反射防止膜においては、膜透過
率を平面状のブラウン管に最適な値に設定しうるととも
に、表面反射率を低い値に維持しながら、内面反射率を
大幅に低下させることができる。
【００５５】なお、本発明の導電性反射防止膜として
は、上記実施例のものに限られるものではなく、各実施
例のものに対して、膜厚等も適宜変更することが可能で
ある。
は、上記実施例のものに限られるものではなく、各実施
例のものに対して、膜厚等も適宜変更することが可能で
ある。
【００５６】例えば、実施例１において、第１層および
第４層の幾何学的膜厚は５〜２５ｎｍおよび５〜５０ｎ
ｍの範囲で変更可能である。また、実施例２において、
第１層および第３層の幾何学的膜厚は５〜２５ｎｍおよ
び５〜５０ｎｍの範囲で変更可能である。また、実施例
３において、第２層および第４層の幾何学的膜厚は５〜
２５ｎｍおよび５〜２５ｎｍの範囲で変更可能である。
さらに、実施例４において、第１層および第４層の幾何
学的膜厚は５〜２５ｎｍおよび５〜６０ｎｍの範囲で変
更可能である。
第４層の幾何学的膜厚は５〜２５ｎｍおよび５〜５０ｎ
ｍの範囲で変更可能である。また、実施例２において、
第１層および第３層の幾何学的膜厚は５〜２５ｎｍおよ
び５〜５０ｎｍの範囲で変更可能である。また、実施例
３において、第２層および第４層の幾何学的膜厚は５〜
２５ｎｍおよび５〜２５ｎｍの範囲で変更可能である。
さらに、実施例４において、第１層および第４層の幾何
学的膜厚は５〜２５ｎｍおよび５〜６０ｎｍの範囲で変
更可能である。
【００５７】また、上記実施例のものでは、第５層を酸
化チタン（ＴｉＯ２）からなる層により、第６層を酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層により形成しているが、
これに替え、第５層として、屈折率ｎが１．９〜２．７
の他の誘電体からなる層により、第６層として屈折率ｎ
が１．３５〜１．７の他の誘電体からなる層により形成
することが可能である。
化チタン（ＴｉＯ２）からなる層により、第６層を酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）からなる層により形成しているが、
これに替え、第５層として、屈折率ｎが１．９〜２．７
の他の誘電体からなる層により、第６層として屈折率ｎ
が１．３５〜１．７の他の誘電体からなる層により形成
することが可能である。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電性反
射防止膜によれば、ガラス基体上に、６層構成の光反射
防止膜を形成してなり、第１層と第２層のうち一方を光
吸収層として機能するＴｉＮｘ層、他方をＳｉＮｘ層と
し、第３層と第４層のうち、一方を光吸収層として機能
する遷移金属の酸化物または窒化物からなる層、他方を
Ｓｉの酸化物または窒化物からなる層とし、第５層を屈
折率ｎが１．９〜２．７の誘電体層とし、第６層を屈折
率ｎが１．３５〜１．７の誘電体層としている。すなわ
ち、ガラス基体に最も近い第１層または第２層のいずれ
かを光吸収層とし、さらにその上に位置する第３層また
は第４層のいずれかを光吸収層として２重の光吸収層を
構成し、さらにその上に位置する第５層を上記屈折率の
誘電体層とすることで、膜透過率を所定の値に設定した
状態で、表面反射率を低い値に維持しながら、内面反射
率を大幅に低下させることを可能としている。
射防止膜によれば、ガラス基体上に、６層構成の光反射
防止膜を形成してなり、第１層と第２層のうち一方を光
吸収層として機能するＴｉＮｘ層、他方をＳｉＮｘ層と
し、第３層と第４層のうち、一方を光吸収層として機能
する遷移金属の酸化物または窒化物からなる層、他方を
Ｓｉの酸化物または窒化物からなる層とし、第５層を屈
折率ｎが１．９〜２．７の誘電体層とし、第６層を屈折
率ｎが１．３５〜１．７の誘電体層としている。すなわ
ち、ガラス基体に最も近い第１層または第２層のいずれ
かを光吸収層とし、さらにその上に位置する第３層また
は第４層のいずれかを光吸収層として２重の光吸収層を
構成し、さらにその上に位置する第５層を上記屈折率の
誘電体層とすることで、膜透過率を所定の値に設定した
状態で、表面反射率を低い値に維持しながら、内面反射
率を大幅に低下させることを可能としている。
【００５９】これにより、平面状のブラウン管に形成す
る導電性反射防止膜としての条件を満たしつつ、従来技
術で問題となっていたゴースト像の発生を防止すること
ができる。
る導電性反射防止膜としての条件を満たしつつ、従来技
術で問題となっていたゴースト像の発生を防止すること
ができる。
【図１】本発明の実施例１に係る導電性反射防止膜の層
構成を示す概略図
構成を示す概略図
【図２】本発明の実施例２に係る導電性反射防止膜の層
構成を示す概略図
構成を示す概略図
【図３】本発明の実施例３に係る導電性反射防止膜の層
構成を示す概略図
構成を示す概略図
【図４】本発明の実施例４に係る導電性反射防止膜の層
構成を示す概略図
構成を示す概略図
【図５】本発明の実施例１に係る導電性反射防止膜の表
面反射率特性を示すグラフ
面反射率特性を示すグラフ
【図６】本発明の実施例１に係る導電性反射防止膜の内
面反射率特性を示すグラフ
面反射率特性を示すグラフ
【図７】本発明の実施例２に係る導電性反射防止膜の表
面反射率特性を示すグラフ
面反射率特性を示すグラフ
【図８】本発明の実施例２に係る導電性反射防止膜の内
面反射率特性を示すグラフ
面反射率特性を示すグラフ
【図９】本発明の実施例３に係る導電性反射防止膜の表
面反射率特性を示すグラフ
面反射率特性を示すグラフ
【図１０】本発明の実施例３に係る導電性反射防止膜の
内面反射率特性を示すグラフ
内面反射率特性を示すグラフ
【図１１】本発明の実施例４に係る導電性反射防止膜の
表面反射率特性を示すグラフ
表面反射率特性を示すグラフ
【図１２】本発明の実施例４に係る導電性反射防止膜の
内面反射率特性を示すグラフ
内面反射率特性を示すグラフ
【図１３】比較例に係る導電性反射防止膜の表面反射率
特性を示すグラフ
特性を示すグラフ
【図１４】比較例に係る導電性反射防止膜の内面反射率
特性を示すグラフ
特性を示すグラフ
【図１５】従来技術の問題点を説明するための図
Ｇ、１２ ガラス基体 １１ 反射防止膜 １３ 蛍光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中岡 拡明 栃木県佐野市小中町700番地 佐野富士光 機株式会社内 (72)発明者 金谷 元隆 栃木県佐野市小中町700番地 佐野富士光 機株式会社内 Ｆターム(参考） 2K009 AA09 AA12 BB02 CC02 CC03 DD04 EE03
Claims (9)
- 【請求項１】 ガラス基体上に、該ガラス基体側から順
に、第１層から第６層まで積層されてなる光反射防止膜
であって、 前記第１層と第２層のうち一方が光吸収層として機能す
るＴｉＮｘ層、他方がＳｉＮｘ層からなり、 前記第３層と第４層のうち、一方が光吸収層として機能
する遷移金属の酸化物または窒化物からなる層、他方が
Ｓｉの酸化物または窒化物からなる層からなり、 前記第５層は屈折率ｎが１．９〜２．７の誘電体層から
なり、 前記第６層は屈折率ｎが１．３５〜１．７の誘電体層か
らなることを特徴とする導電性反射防止膜。 - 【請求項２】 ガラス基体上に、該ガラス基体側から順
に、第１層から第６層まで積層されてなる光反射防止膜
であって、 前記第１層と第２層のうち一方が光吸収層として機能す
るＴｉＮｘ層、他方がＳｉＮｘ層からなり、 前記第３層と第４層のうち、一方が光吸収層として機能
する遷移金属の酸化物または窒化物からなる層、他方が
Ｓｉの酸化物または窒化物からなる層からなり、 前記第５層がＴｉＯ２層からなり、 前記第６層がＳｉＯ２層からなることを特徴とする導電
性反射防止膜。 - 【請求項３】 前記第１層がＴｉＮｘ層、前記第２層が
ＳｉＮｘ層、前記第３層がＳｉＯ２層、前記第４層がＮ
ｉＯｘ層であることを特徴とする請求項１記載の導電性
反射防止膜。 - 【請求項４】 前記第１層がＴｉＮｘ層、前記第２層が
ＳｉＮｘ層、前記第３層がＮｉＯｘ層、前記第４層がＳ
ｉＯ２層であることを特徴とする請求項１記載の導電性
反射防止膜。 - 【請求項５】 前記第１層がＳｉＮｘ層、前記第２層が
ＴｉＮｘ層、前記第３層がＳｉＮｘ層、前記第４層がＴ
ｉＮｘ層であることを特徴とする請求項１記載の導電性
反射防止膜。 - 【請求項６】 前記第１層がＴｉＮｘ層、前記第２層が
ＳｉＮｘ層、前記第３層がＳｉＯ２層、前記第４層がＣ
ｒ２Ｏ３層であることを特徴とする請求項１記載の導電
性反射防止膜。 - 【請求項７】 前記第１層または前記第２層に位置する
光吸収層の膜厚が５〜２５ｎｍに設定されていることを
特徴とする請求項１から６のうちいずれか１項記載の導
電性反射防止膜。 - 【請求項８】 前記第３層または前記第４層に位置する
光吸収層の膜厚が５〜６０ｎｍに設定されていることを
特徴とする請求項１から７のうちいずれか１項記載の導
電性反射防止膜。 - 【請求項９】 前記光吸収層が、波長が５５０ｎｍの光
に対し、４５〜６５％の光透過率を有し、膜全体の内面
反射率が１０％以下とされたことを特徴とする請求項１
記載の導電性反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34094499A JP2001154001A (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 導電性反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34094499A JP2001154001A (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 導電性反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001154001A true JP2001154001A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18341748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34094499A Pending JP2001154001A (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 導電性反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001154001A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031201A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US8519619B2 (en) | 2002-04-23 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9000429B2 (en) | 2002-04-24 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9166202B2 (en) | 2002-06-07 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US9412804B2 (en) | 2002-04-26 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
-
1999
- 1999-11-30 JP JP34094499A patent/JP2001154001A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8519619B2 (en) | 2002-04-23 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9287330B2 (en) | 2002-04-23 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9978811B2 (en) | 2002-04-23 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9000429B2 (en) | 2002-04-24 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9165987B2 (en) | 2002-04-24 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9362534B2 (en) | 2002-04-24 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9831459B2 (en) | 2002-04-24 | 2017-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display module with white light |
| US10454059B2 (en) | 2002-04-24 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9412804B2 (en) | 2002-04-26 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
| US9853098B2 (en) | 2002-04-26 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
| US9166202B2 (en) | 2002-06-07 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2004031201A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
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