JP2004031201A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】上面出射構造において、発光する発光領域以外の箇所には、配線やＴＦＴなどが設けられており、配線の反射光が観察者の目に到達する問題があった。
【解決手段】本発明は、発光領域以外の領域に光を吸収する多層膜６１を設けて、配線による反射光が観察者の目に到達することを防ぐ構造とする。具体的には、第１の電極６６ｂの端部を覆う隔壁（バンク、または障壁とも呼ばれる）の上層として、光を吸収する多層膜６１を用い、下層として有機樹脂６７を用いる。本発明において、隔壁は、材料の異なる３層以上の積層からなることを特徴としている。
【選択図】　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の電極間に有機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を設けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる発光素子を用いた発光装置及びその作製方法に関する。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【０００３】
【従来の技術】
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００４】
発光素子の発光機構は、一対の電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００５】
このような発光素子をマトリクス状に配置して形成された発光装置には、パッシブマトリクス駆動（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（アクティブマトリクス型）といった駆動方法を用いることが可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。
【０００６】
また、発光素子の中心とも言える有機化合物層（厳密には発光層）となる有機化合物は、低分子系材料と高分子系（ポリマー系）材料とがそれぞれ研究されているが、低分子系材料よりも取り扱いが容易で耐熱性の高い高分子系材料が注目されている。
【０００７】
また、これまでの発光装置において、基板上のＴＦＴと電気的に接続された電極が陽極として形成され、陽極上に有機化合物層が形成され、有機化合物層上に陰極が形成される発光素子を有し、有機化合物層において生じた光を透明電極である陽極からＴＦＴの方へ取り出すという構造であった。この構造においては、解像度を向上させようとすると画素部におけるＴＦＴ及び配線等の配置により開口率が制限されるという問題が生じる。
【０００８】
対して、電極を陽極として形成し、陽極上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透明電極である陰極を形成するという構造（以下、上面出射構造とよぶ）がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上面出射構造において、発光する発光領域以外の箇所には、配線やＴＦＴなどが設けられており、配線の反射光が観察者の目に到達する問題があった。
【００１０】
本発明は、上記諸問題を解決することができる構造とした発光装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、発光領域以外の領域に光を吸収する多層膜を設けて、配線による反射光が観察者の目に到達することを防ぐ構造とする。具体的には、第１の電極の端部を覆う隔壁（バンク、または障壁とも呼ばれる）の上層として、光を吸収する多層膜を用い、下層として有機樹脂を用いる。本発明において、隔壁は、材料の異なる３層以上の積層からなることを特徴としている。
【００１２】
光を吸収する多層膜を形成するには、例えば、反射率の高い金属膜（代表的にはアルミニウム、または銀を主成分とする金属膜）上に、窒化珪素膜と、窒化金属膜（代表的には窒化チタン膜、窒化タンタル膜など）と、窒化珪素膜とを適宜膜厚を設定して積層すればよく、外からの光の入射があった場合、これらの層間で引き起こされる光学干渉吸収により減少させる。なお、この光を吸収する多層膜が設けられている箇所は、発光領域とは重なっていない構成となる。
【００１３】
また、ＴＦＴの上方にも配置される上記光を吸収する多層膜は、外光からの照射を防ぐことができるため、外光がＴＦＴに照射されることによる劣化も防止することができる。
【００１４】
本明細書で開示する発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に、薄膜トランジスタと接続された第１の電極と、
第１の電極の端部を覆う隔壁と、
該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該層上に接する第２の電極とを有する発光素子であって、
前記隔壁は、有機樹脂膜と、光を吸収する多層膜との積層からなることを特徴とする発光装置である。
【００１５】
上記構成において、前記隔壁は、前記第１の電極と有機化合物を含む層とが接して積層されている発光領域以外の領域を覆っていることを特徴としている。なお、前記隔壁は、第２の電極を下層の配線と接続する箇所やＦＰＣを接続する端子部に前記隔壁は形成しない。駆動回路も同一基板上に形成する場合には、駆動回路を覆う前記隔壁と同一の積層を設けてもよいし、特に設けなくともよい。少なくとも前記隔壁は、画素部において、表示領域となる発光領域以外の領域を覆うものとする。
【００１６】
また、上記各構成において、前記隔壁の上層に設ける多層膜は、透光性を有する窒化絶縁膜を少なくとも一層含むことを特徴としている。具体的には、前記隔壁の上層に設ける多層膜は、反射性を有する金属膜と、透光性を有する膜と、光を一部吸収する膜と、透光性を有する膜との四層構造を少なくとも有し、透光性を有する膜として、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｓｃ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、または、ＺｎＯからなる層を少なくとも一層含む膜であることを特徴としている。
【００１７】
或いは、上記各構成において、前記反射性を有する金属膜上に設けられた多層膜は、透光性を有する窒化絶縁膜を少なくとも一層含む多層膜とすればよい。アルミニウムを主成分とする膜と窒化珪素膜と窒化チタン膜と窒化珪素膜との積層とすれば、反射率を５％以下とすることができる。また、これらの多層膜として窒化絶縁膜または窒化金属膜を用いれば、酸素や水分のブロッキング層として機能させることができるのでＥＬ素子の劣化を抑えることができる。窒化チタンに代えて窒化タンタル膜などの褐色または黒色である金属膜を用いても同様の効果が得られる。
【００１８】
また、上記各構成において、光を一部吸収する他の膜としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、インコネル、またはニクロムからなる層を少なくとも一層含む膜とすればよい。
【００１９】
また、上記各構成において、前記第２の電極は光を透過する導電膜、例えば薄い金属膜、または透明導電膜、或いは、それらの積層であることを特徴としている。
【００２０】
また、上記各構成において、前記有機化合物を含む層は白色発光する材料であり、封止材に設けられたカラーフィルタと組み合わせたことを特徴とする発光装置、或いは、前記有機化合物を含む層は単色発光する材料であり、封止材に設けられた色変換層または着色層と組み合わせたことを特徴とする発光装置である。また、それぞれＲＧＢの発光が得られるように、画素毎に選択的に異なる有機化合物を含む層を形成してもよく、その場合にはカラーフィルタは特に必要ではない。
【００２１】
また、上記各構成において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であることを特徴としている。或いは、上記各構成において、前記第１の電極は陰極であり、前記第２の電極は陽極であることを特徴としている。
【００２２】
さらに本発明は、蒸着マスクを用いた蒸着法によって配線（補助配線、または第３の電極とも呼ぶ）を各画素電極間に配置する隔壁上に形成し、陰極となる電極（光を透過する電極）の膜抵抗の低抵抗化を図ってもよい。また、上記補助配線を用いて引き出し配線を形成し、下層に存在する他の配線と接続を行うことも本発明の特徴である。
【００２３】
また、上記各構成において、前記第１の電極を凹部形状としてもよい。前記隔壁をマスクとして自己整合的に形成すれば、第１の電極形状を形成する上でマスクの増加はない。なお、前記第１の電極の段差部分（傾斜部の上端部）と絶縁物の側面とはほぼ一致させて、段差被覆性の点から好ましくは、第１の電極の斜面における傾斜角度と絶縁物の側面における傾斜角度とが同一であることが望ましい。第１の電極の端部における段差により、発光素子からの発光（横方向の発光も含む）がＴＦＴへ到達することを防止することができる。前記第１の電極を凹部形状とする場合には、前記第１の電極は、前記第１の電極の中央部に向かう傾斜面を有し、傾斜角度（テーパー角度とも呼ぶ）は、５０°を超え、６０°未満、さらに好ましくは５４．７°であることを特徴としている。なお、この前記第１の電極の傾斜面で反射された光が層間で分散したり、迷光とならないように適宜、傾斜角度、有機化合物層の材料および膜厚、または第２の電極の材料および膜厚を設定することが必要である。
【００２４】
また、上記各構成を実現するための発明の構成は、
陽極と、該陽極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陰極とを有する発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
金属膜からなる第１の電極上に、絶縁膜と光を吸収する多層膜との積層を形成する工程と、
前記絶縁膜と光を吸収する多層膜との積層を選択的にエッチングして前記第１の電極の端部を覆う隔壁を形成する工程と、
有機化合物を含む膜を形成する工程と、
該有機化合物を含む膜上に、光を透過する金属薄膜からなる第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００２５】
また、上記作製方法に関する構成において、前記絶縁膜は、無機絶縁膜または有機樹脂膜からなることを特徴としている。
【００２６】
また、上記作製方法に関する構成において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極よりも仕事関数が大きい金属層からなることを特徴としている。
【００２７】
また、上記作製方法に関する構成において、前記光を吸収する多層膜は、反射性を有する金属膜を少なくとも一層含むことを特徴としている。
【００２８】
また、上記作製方法に関する構成において、前記光を吸収する多層膜は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｓｃ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、または、ＺｎＯからなる層を少なくとも一層含むことを特徴としている。
【００２９】
また、上記作製方法に関する構成において、前記光を吸収する多層膜は、透光性を有する窒化絶縁膜を少なくとも一層含むことを特徴としている。
【００３０】
また、上記作製方法に関する構成において、前記光を吸収する多層膜は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、インコネル、またはニクロムからなる層を少なくとも一層含むことを特徴としている。
【００３１】
なお、ＥＬ素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の製造装置および成膜方法により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用可能である。
【００３２】
ＥＬ層を有する発光素子（ＥＬ素子）は一対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのＴａｎｇらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。
【００３３】
また、他にも陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料を用いて形成しても良いし、全て高分子系の材料を用いて形成しても良いし、無機材料層を用いても良い。なお、本明細書において、陰極と陽極との間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層という。したがって、上記正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、全てＥＬ層に含まれる。
【００３４】
また、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００３６】
アクティブマトリクス型発光装置の断面図（１画素の一部）を図１（Ａ）に示す。ここでは、白色発光する高分子材料からなる有機化合物を含む層を発光層に用いた発光素子を一例として説明する。
【００３７】
図１（Ａ）中、絶縁表面を有する基板１０上に設けられたＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、白色を発光するＥＬ層２０に流れる電流を制御する素子であり、１３、１４はソース領域またはドレイン領域である。基板１０上には下地絶縁膜１１（ここでは、下層を窒化絶縁膜、上層を酸化絶縁膜）が形成されており、ゲート電極１５と活性層との間には、ゲート絶縁膜１２が設けられている。また、１６ａは有機材料または無機材料からなる層間絶縁膜であり、１６ｂは窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムからなる保護膜である。また、ここでは図示しないが、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、ここでは、一つのチャネル形成領域を有するＴＦＴを示したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦＴとしてもよい。
【００３８】
また、１８ａ、１８ｂは、第１の電極、即ち、ＯＬＥＤの陽極（或いは陰極）であり、２１は、導電膜からなる第２の電極、即ち、ＯＬＥＤの陰極（或いは陽極）である。なお、実際に陽極として機能する領域は、１８ｂである。ここでは、１８ａとしてチタン膜、１８ｂとして窒化チタン膜として順に積層し、有機化合物を含む層２０に接する１８ｂを陽極として機能させる。窒化チタン膜を陽極として用いる場合には、表面にＵＶ光やプラズマ処理を行って仕事関数を大きい値に変化させることが望ましい。また、第１の電極１８ｂに用いることのできる他の材料としては、薄膜とした場合に仕事関数の大きい材料（Ｐｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ）が好ましく、膜厚１０〜１００ｎｍの範囲とすればよい。ここでは２層とした例を示したが特に限定されず、単層としても良いし、２層の間に合金化を防ぐブロッキング層を設けて３層、またはそれ以上の積層としてもよい。
【００３９】
また、第１の電極と同じ積層構造で電源供給線１７も形成する。また、ソース配線２２なども同時に形成される。ここでは、プロセス短縮のため、同一層上にソース配線、第１の電極、電源供給線を形成した例を示したが、層間絶縁膜を１層追加して、第１の電極をソース配線や電源供給線とは異なる層に形成してもよい。異なる層に形成した場合、第１の電極の大面積化が図れるため、発光領域の増大を行えるとともに、ソース配線や電源供給線を電気抵抗率の低い材料、例えばアルミニウムを主成分とする材料で形成することによって配線の抵抗化が図れる。
【００４０】
また、白色発光を得るため、有機化合物を含む層２０として、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成した後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成する。なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは溶媒に水を用いており、有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫをその上から塗布する場合にも、再溶解する心配はない。また、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとＰＶＫは溶媒が異なるため、成膜室は同一のものを使用しないことが好ましい。また、有機化合物を含む層２０を単層とすることもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。
【００４１】
また、赤色発光する有機化合物を含む膜や緑色発光する有機化合物を含む膜や青色発光する有機化合物を含む膜を適宜選択し、重ねて混色させることによって全体として白色発光を得ることも可能である。
【００４２】
また、２１としてＣａＦ_２を蒸着法で膜厚１ｎｍ〜１０ｎｍ形成した後、最後にＡｌ膜をスパッタ法または蒸着法により約１０ｎｍの膜厚で形成し、陰極として機能させる。陰極は、有機化合物を含む層２０からの光を通過する膜厚、材料を適宜選択することが必要である。なお、本明細書中、陰極とは、仕事関数の小さい材料膜の単層膜だけでなく、仕事関数の小さい材料薄膜と導電膜との積層膜を含むものとする。
【００４３】
第２の電極２１としてＡｌ膜を用いる構成とすると、有機化合物を含む層２０と接する材料を酸化物以外の材料で形成することが可能となり、発光装置の信頼性を向上させることができる。なお、Ａｌ膜に代えて、第２の電極２１として透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いてもよい。また、ＣａＦ_２に代えて薄い金属層（代表的にはＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉなどの合金）としてもよい。
【００４４】
また、第１の電極１８の両端部およびそれらの間は隔壁（障壁またはバンクとも呼ばれる）で覆われている。本発明において、この隔壁は、各電極間の絶縁を行うとともに、外光を吸収する機能を有している。隔壁として、下層を絶縁膜１９（無機絶縁膜または有機絶縁膜）とし、上層は、光を吸収する多層膜２４（光吸収多層膜とも呼ぶ）、代表的には、反射性を有する金属膜と、透光性を有する膜と、光を一部吸収する膜と、透光性を有する膜とを順に積層した四層構造とすればよい。なお、図１では簡略化のため、光を吸収する多層膜２４を単層で示しているが、実際には少なくとも四層以上積層されている。
【００４５】
反射性を有する金属膜として、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜を用いる。また、透光性を有する膜として、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｓｃ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、または、ＺｎＯからなる層とすればよく、光を一部吸収する他の膜としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、インコネル、またはニクロムからなる層とすればよい。
【００４６】
有機化合物を含む層を後で形成するため、ここでは、窒素を含む膜で外部からの光を吸収する多層膜を用いて説明する。以下に示すシミュレーションを行った。
【００４７】
反射性を有する金属膜であるアルミニウムを主成分とする膜（膜厚１００ｎｍ）上に、窒素とアルゴンを含む雰囲気でシリコンターゲットを用いたスパッタ法で得られる窒化珪素膜（膜厚３７ｎｍ）と、窒化チタン膜（膜厚６６ｎｍ）と、窒素とアルゴンを含む雰囲気でシリコンターゲットを用いたスパッタ法で得られる窒化珪素膜（膜厚３７ｎｍ）とを順に積層したモデル構造において、反射率を求めた結果が図７である。波長範囲３００ｎｍ〜８００ｎｍにおける窒化珪素膜の屈折率は２．０４〜２．２、窒化チタンの屈折率は１．６７〜２．３５、アルミニウムの屈折率は０．３９〜１．９８５としてシミュレーションを行っている。可視領域において、平均反射率が３％となった。なお、膜厚は特に限定されず、適宜設定すればよい。また、材料によっても最適な膜厚は変わってくる。
【００４８】
また、シール材で導電膜２１を覆った場合でも同様のシミュレーションを行って得られた結果が図８である。図７に比べて若干、反射率が高くなるものの平均で６％とすることができる。なお、シール材で覆った場合では、最適な窒化珪素膜の膜厚は４２ｎｍとなった。
【００４９】
また、ここでは反射性を有する金属膜上に、窒化珪素膜、窒化チタン膜、窒化珪素膜の順に積層した例を示したが、例えば、反射性を有する金属膜上に、窒化珪素膜、窒化タンタル膜、窒化珪素膜の順に積層してもよいし、反射性を有する金属膜上に、窒化珪素膜、窒化チタン膜、ＩＴＯ膜の順に積層してもよい。反射性を有する金属膜上に、窒化珪素膜、窒化チタン膜、ＩＴＯ膜の順に積層した場合は、後にエッチングする際のプロセスのマージンが大きいため好ましい。
【００５０】
また、これらの多層膜を全てスパッタ法で形成可能な材料とし、大気に触れることなく、連続して絶縁膜および光吸収層を形成することができる。また、光吸収層２４として窒化膜を用いれば、パッシベーション膜としても機能する。また、光吸収層２４として窒化膜を用いれば、水分や酸素をブロッキングすることもでき、有機化合物を含む層を用いた発光素子に適している。
【００５１】
また、有機化合物を含む層２０や導電膜２１のカバレッジを良好とするために隔壁のトータル膜厚は薄くすることが好ましく、側壁もテーパー形状とすることが好ましい。なお、光吸収多層膜の一層は、反射性を有する金属膜であり、ここでは図示しないが第２の電極２１と接続されて同電位となる。
【００５２】
また、図１（Ｂ）に示すように、導電膜（陰極）２１の低抵抗化を図るため、導電膜２１上に補助電極２３を設けてもよい。補助電極２３は、蒸着マスクを用いた蒸着法によって選択的に形成すればよい。
【００５３】
また、図示しないが、発光装置の信頼性を高めるために第２の電極２１上に保護膜を形成することが好ましい。この保護膜はスパッタ法（ＤＣ方式やＲＦ方式）により得られる窒化珪素または窒化酸化珪素を主成分とする絶縁膜、または炭素を主成分とする薄膜である。シリコンターゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で形成すれば、窒化珪素膜が得られる。また、窒化シリコンターゲットを用いてもよい。また、保護膜は、リモートプラズマを用いた成膜装置を用いて形成してもよい。また、保護膜に発光を通過させるため、保護膜の膜厚は、可能な限り薄くすることが好ましい。なお、陰極としてアルミニウムを主成分とする材料を用いる場合は、酸素や水分に対するブロッキング性は高い。
【００５４】
本発明において、前記炭素を主成分とする薄膜は膜厚３〜５０ｎｍのＤＬＣ膜（Ｄｉａｍｏｎｄ　ｌｉｋｅ　Ｃａｒｂｏｎ）であることを特徴としている。ＤＬＣ膜は短距離秩序的には炭素間の結合として、ＳＰ^３結合をもっているが、マクロ的にはアモルファス状の構造となっている。ＤＬＣ膜の組成は炭素が７０〜９５原子％、水素が５〜３０原子％であり、非常に硬く絶縁性に優れている。このようなＤＬＣ膜は、また、水蒸気や酸素などのガス透過率が低いという特徴がある。また、微少硬度計による測定で、１５〜２５ＧＰａの硬度を有することが知られている。
【００５５】
ＤＬＣ膜はプラズマＣＶＤ法（代表的には、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ法など）、スパッタ法などで形成することができる。いずれの成膜方法を用いても、密着性良くＤＬＣ膜を形成することができる。ＤＬＣ膜は基板をカソードに設置して成膜する。または、負のバイアスを印加して、イオン衝撃をある程度利用して緻密で硬質な膜を形成できる。
【００５６】
成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス（例えばＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_６Ｈ_６など）とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。こうすることにより、緻密で平滑なＤＬＣ膜を得ることができる。なお、このＤＬＣ膜は、可視光に対して透明もしくは半透明な絶縁膜である。
【００５７】
本明細書において、可視光に対して透明とは可視光の透過率が８０〜１００％であることを指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０〜８０％であることを指す。
【００５８】
ここでは図示しないが、最後に、ＥＬ素子を封止するための基板と、シール材とによって密閉する。約２〜３０μｍの間隔が保たれるように封止基板が貼りつけられ、全ての発光素子は密閉されている。シール材によって封止基板を貼りつける直前には真空でアニールを行って脱気を行うことが好ましい。シール剤で全面を覆うように全ての発光素子は密閉し、乾燥剤を用いないようにすることが好ましい。なお、基板間に空間を設け、封止基板を貼りつける際には、サンドブラスト法などによって封止基板に凹部を設け、不活性気体（希ガスまたは窒素）を含む雰囲気下でその凹部に乾燥剤を配置し、貼り合せることが好ましい。
【００５９】
また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。
【００６０】
（実施の形態２）
以下に、白色発光素子とカラーフィルターを組み合わせた方法（以下、カラーフィルター法とよぶ）について図６（Ａ）により説明する。
【００６１】
カラーフィルター法は、白色発光を示す有機化合物膜を有する発光素子を形成し、得られた白色発光をカラーフィルターに通すことで赤、緑、青の発光を得るという方式である。
【００６２】
白色発光を得るためには、様々な方法があるが、ここでは塗布により形成可能な高分子材料からなる発光層を用いる場合について説明する。この場合、発光層となる高分子材料への色素ドーピングは溶液調整で行うことができ、複数の色素をドーピングする共蒸着を行う蒸着法に比べて極めて容易に得ることができる。
【００６３】
具体的には、仕事関数の大きい金属（Ｐｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ）からなる陽極上に、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成した後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成した後、仕事関数の小さい金属（Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｓ）を含む薄膜と、その上に積層した透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層からなる陰極を形成する。なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは溶媒に水を用いており、有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫをその上から塗布する場合にも、再溶解する心配はない。また、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとＰＶＫは溶媒が異なるため、成膜室は同一のものを使用しないことが好ましい。
【００６４】
また、上記例では有機化合物層を積層とした例を示したが、有機化合物層を単層とすることもできる。例えば、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。
【００６５】
なお、有機化合物膜は、陽極と陰極の間に形成されており、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子が有機化合物膜において再結合することにより、有機化合物膜において、白色発光が得られる。
【００６６】
また、赤色発光する有機化合物膜や緑色発光する有機化合物膜や青色発光する有機化合物膜を適宜選択し、重ねて混色させることによって全体として白色発光を得ることも可能である。
【００６７】
以上により形成される有機化合物膜は、全体として白色発光を得ることができる。
【００６８】
上記有機化合物膜が白色発光する方向に赤色発光以外を吸収する着色層（Ｒ）、緑色発光以外を吸収する着色層（Ｇ）、青色発光以外を吸収する着色層（Ｂ）をそれぞれ設けたカラーフィルタを形成することにより、発光素子からの白色発光をそれぞれ分離して、赤色発光、緑色発光、青色発光として得ることができる。また、アクティブマトリクス型の場合には、基板とカラーフィルターの間にＴＦＴが形成される構造となる。
【００６９】
また、着色層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）には、最も単純なストライプパターンをはじめとして、斜めモザイク配列、三角モザイク配列、ＲＧＢＧ四画素配列、もしくはＲＧＢＷ四画素配列などを用いることができる。
【００７０】
カラーフィルターを構成する着色層は、顔料を分散した有機感光材料からなるカラーレジストを用いて形成される。なお、白色発光の色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３４、０．３５）である。白色発光とカラーフィルターを組み合わせれば、フルカラーとしての色再現性は十分確保することができる。
【００７１】
なお、この場合には、得られる発光色が異なっていても、すべて白色発光を示す有機化合物膜で形成されていることから、発光色ごとに有機化合物膜を塗り分けて形成する必要がない。また、鏡面反射を防ぐ円偏光板も特に必要ないものとすることができる。
【００７２】
次に青色発光性の有機化合物膜を有する青色発光素子と蛍光性の色変換層を組み合わせることにより実現されるＣＣＭ法（ｃｏｌｏｒ　ｃｈａｎｇｉｎｇ　ｍｅｄｉｕｍｓ）について図６（Ｂ）により説明する。
【００７３】
ＣＣＭ法は、青色発光素子から出射された青色発光で蛍光性の色変換層を励起し、それぞれの色変換層で色変換を行う。具体的には色変換層で青色から赤色への変換（Ｂ→Ｒ）、色変換層で青色から緑色への変換（Ｂ→Ｇ）、色変換層で青色から青色への変換（Ｂ→Ｂ）（なお、青色から青色への変換は行わなくても良い。）を行い、赤色、緑色及び青色の発光を得るというものである。ＣＣＭ法の場合にも、アクティブマトリクス型の場合には、基板と色変換層の間にＴＦＴが形成される構造となる。
【００７４】
なお、この場合にも有機化合物膜を塗り分けて形成する必要がない。また、鏡面反射を防ぐ円偏光板も特に必要ないものとすることができる。
【００７５】
また、ＣＣＭ法を用いる場合には、色変換層が蛍光性であるため外光により励起され、コントラストを低下させる問題があるので、図６（Ｃ）に示したようにカラーフィルターを装着するなどしてコントラストを上げるようにすると良い。
【００７６】
また、本実施の形態は、実施の形態１と組み合わせることが可能である。
【００７７】
（実施の形態３）
ここでは、他の構造例に関して図３で説明する。なお、図３は図１と一部以外は同一であるため、同じ箇所には同一の符号を用いている。
【００７８】
図３では、配線を４層構造として、１８ａとしてチタン膜、１８ｂとして窒化チタン膜、１８ｃとしてアルミニウムを主成分とする膜、１８ｄとして窒化チタン膜として順に積層し、有機化合物を含む層２０に接する１８ｂを陽極として機能させる。また、同じ積層構造で電源供給線１７も形成される。上記積層構造は、アルミニウムを主成分とする膜を含んでおり、低抵抗な配線とすることができ、ソース配線２２なども同時に形成される。
【００７９】
作製工程としては、金属膜からなる第１の電極を形成し、該第１の電極の端部を覆う隔壁を形成した後、該隔壁をマスクとして自己整合的にエッチングを行い、該隔壁の一部をエッチングするとともに第１の電極の中央部を薄くエッチングして端部に段差を形成する。このエッチングによって第１の電極の中央部は薄く、且つ、平坦な面とし、隔壁で覆われた第１の電極の端部は厚い形状、即ち、凹部形状となる。図３に示した構造は、迷光を防ぎ、且つ、第１の電極の段差部分に形成された斜面で横方向の発光を反射または集光させて、ある一方向（第２の電極を通過する方向）に取り出す発光量を増加させるものである。
【００８０】
従って、斜面となる部分１８ｃは、光を反射する金属、例えばアルミニウム、銀などを主成分とする材料とすることが好ましく、有機化合物を含む層と接する中央部は、仕事関数の大きい陽極材料、或いは、仕事関数の小さい陰極材料とすることが好ましい。斜面となる部分を、例えばアルミニウム、銀などを主成分とする材料とすると、外からの光を反射するため、斜面以外は、反射率の低い材料、望ましくは光を吸収する多層膜で覆うことが好ましい。なお、１８ｄは、酸化防止、腐食防止、またはヒロック等の発生を防止する材料層であり、特になくともよい。最終的に第１の電極の中央部に向かう傾斜面の角度（傾斜角度、テーパー角度）は、３０°を超え、７０°未満、好ましくは、５４．７°とし、後に形成する有機化合物を含む層からの発光を反射させる。
【００８１】
また、本実施の形態は、実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
【００８２】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【００８３】
（実施例）
［実施例１］
本実施例では、本発明の発光素子の形成手順の一例を簡略に図２を用いて以下に説明する。
【００８４】
まず、絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成する。
【００８５】
下地絶縁膜は、１層目としてプラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ_４、ＮＨ_３、及びＮ_２Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜を１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成する。ここでは、膜厚５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成する。次いで、下地絶縁膜の２層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ_４及びＮ_２Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜を５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さに積層形成する。ここでは、膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成する。本実施例では下地絶縁膜として２層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても良い。
【００８６】
次いで、下地膜上に半導体層を形成する。ＴＦＴの活性層となる半導体層は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム合金などで形成すると良い。
【００８７】
また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ_４レーザーを用いることができる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００ｍＪ／ｃｍ^２（代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ^２）とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／ｃｍ^２（代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ^２）とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％として行えばよい。
【００８８】
次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄し、半導体層を覆うゲート絶縁膜６３を形成する。ゲート絶縁膜３３はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成する。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００８９】
次いで、ゲート絶縁膜６３の表面を洗浄した後、ゲート電極を形成する。
【００９０】
次いで、半導体にｐ型を付与する不純物元素（Ｂなど）、ここではボロンを適宜添加して、ソース領域及びドレイン領域６２を形成する。添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行う。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。ＹＡＧレーザーはメンテナンスが少ないため好ましい活性化手段である。
【００９１】
以降の工程は、有機材料または無機材料（塗布シリコン酸化膜、ＰＳＧ（リン添加ガラス、ＢＰＳＧ（ボロンとリンを添加したガラス）などを含む）からなる層間絶縁膜６５を形成し、水素化を行った後、ソース領域、またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する。次いで、ソース電極（配線）、第１の電極（ドレイン電極）６６ａ、６６ｂを形成してＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ）を完成させる。
【００９２】
また、本実施例ではｐチャネル型ＴＦＴを用いて説明したが、ｐ型不純物元素に代えてｎ型不純物元素（Ｐ、Ａｓ等）を用いることによってｐチャネル型ＴＦＴを形成することができることは言うまでもない。
【００９３】
また、本実施例ではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。
【００９４】
以上の工程で、ＴＦＴ（ここではドレイン領域６２しか図示しない）、ゲート絶縁膜６３、層間絶縁膜６５、第１の電極６６ａ、６６ｂを形成する。
【００９５】
本実施例では、第１の電極６６ａ、６６ｂは、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉ_ＸＮ_Ｙ、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉ_Ｘ、ＷＮ_Ｘ、ＷＳｉ_ＸＮ_Ｙ、Ｔａ、ＴａＮ_Ｘ、ＴａＳｉ_ＸＮ_Ｙ、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。
【００９６】
特に、ドレイン領域６２に接する第１の電極６６ａは、シリコンとのオーミック接触が形成可能な材料、代表的にはチタンが好ましく、膜厚１０〜１００ｎｍの範囲とすればよい。また、第１の電極６６ｂは、薄膜とした場合に仕事関数の大きい材料（ＴｉＮ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ）が好ましく、膜厚１０〜１００ｎｍの範囲とすればよい。特に、ＴｉＮを陽極として用いる場合、仕事関数を大きくするために、紫外線照射、プラズマ処理を行うことが望ましい。
【００９７】
また、第１の電極６６ａ、６６ｂは、他の配線、例えば、ソース配線６４、電源供給線などと同時に形成することができる。
【００９８】
次いで、第１の電極の端部（およびドレイン領域６２とのコンタクト部分）を覆う隔壁（バンク、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。隔壁の形状を形成するエッチングは、ドライエッチングまたはウエットエッチングにより、１回または複数回に分けて行えばよい。また、隔壁の形状を形成するエッチングする際、選択比がそれぞれ十分確保できるように隔壁の材料を選択することも重要である。なお、隔壁の上層には光吸収多層膜６１が設けられており、外部の光を吸収する構造となっている。
【００９９】
隔壁の下層となる絶縁物６７としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができるが、本実施例では感光性の有機樹脂を用いる。例えば、絶縁物の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせることが好ましい。また、隔壁の下層となる絶縁物６７として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。また、隔壁の上層となる光吸収多層膜６１としては、光を反射する金属膜、代表的にはＡｌまたはＡｇを主成分とする金属膜（１００ｎｍ以上）と、窒化珪素膜（膜厚３７ｎｍ）と、窒化金属（ＴｉＮ、ＴａＮなど）膜（膜厚６６ｎｍ）と、窒化珪素膜（膜厚３７ｎｍ）との積層が好ましい。また、光を反射する金属膜上に形成した窒化珪素膜は、光を反射する金属膜の酸化防止、腐食防止、またはヒロック等の発生を防止する。
【０１００】
次いで、後に形成する薄い導電膜の電気抵抗を下げるために補助電極６０を形成する。補助電極６０はスパッタ法で得られた金属膜をパターニングして形成してもよいし、蒸着マスクを用いた蒸着法で形成してもよい。本実施例では、図２（Ａ）示すようにＹ方向に補助電極６０を配置する例を示したが、特に限定されず、Ｘ方向に補助電極を配置してもよい。
【０１０１】
また、Ｘ方向に補助電極を配置したパネルの外観図を図４に示す。補助電極（補助配線）７０は図４に示すように引き回されており、画素部８２とソース側駆動回路８３との間の領域で引き回し配線８７と接するように形成する。なお、図４において、８２は画素部、８３はソース側駆動回路、８４、８５はゲート側駆動回路、８６は電源供給線である。また、第１の電極と同時に形成される配線は、電源供給線８６、引き回し配線８７、ソース配線である。また、図４においては、ゲート配線と同時にＦＰＣと接続する端子電極を形成している。
【０１０２】
次いで、有機化合物を含む層６８を蒸着法または塗布法（インクジェット法など）を用いて形成する。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０^−３Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０^−４〜１０^−６Ｐａまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着される。蒸着により積層することによって発光素子全体として白色を示す有機化合物を含む層を形成する。
【０１０３】
例えば、Ａｌｑ_３、部分的に赤色発光色素であるナイルレッドをドープしたＡｌｑ_３、Ａｌｑ_３、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＰＤ（芳香族ジアミン）を順次積層することで白色を得ることができる。
【０１０４】
また、スピンコートを用いた塗布法により有機化合物を含む層を形成する場合、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成し、その後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成すればよい。
【０１０５】
また、上記例では有機化合物層６８を積層とした例を示したが、有機化合物層を単層とすることもできる。例えば、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。また、有機化合物層として高分子材料からなる層と、低分子材料からなる層とを積層してもよい。
【０１０６】
次いで、仕事関数の小さい金属（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、ＣａＮなどの合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜）を含む薄膜と、その上に薄い導電膜６９（ここではアルミニウム膜）とを蒸着して積層する。（図２（Ｂ））アルミニウム膜は水分や酸素をブロッキングする能力が高い膜であり、発光装置の信頼性を向上させる上で導電膜に好ましい材料である。なお、図２（Ｂ）は図２（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’の断面を示している。この積層膜は、発光を通過するのに十分な薄さを有しており、本実施例では陰極として機能させる。また、薄い導電膜に代えて、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いてもよい。また、陰極の低抵抗化を図るため、導電膜上に補助電極を設けてもよい。また、陰極形成の際には蒸着による抵抗加熱法を用い、蒸着マスクを用いて選択的に形成すればよい。
【０１０７】
こうして得られる発光素子は、図２（Ｂ）中の矢印方向に白色発光を示す。また、外部の光は、隔壁の上層に設けられた光吸収多層膜６１により吸収されるため、電極や配線の反射光を抑えることができる。
【０１０８】
以上の工程で第２の電極（導電膜）までを形成した後は、基板上に形成された発光素子を封止するためにシール剤により封止基板（透明基板）を貼り合わせる。なお、封止基板と発光素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、シール剤の内側の空間には窒素等の不活性気体が充填されている。なお、シール剤としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、シール剤はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、空間の内部に酸素や水を吸収する効果をもつ物質（乾燥剤など）を含有させても良い。また、シール剤の内側の空間に気体を充填するのではなく、シール材を充填してもよい。
【０１０９】
以上のようにして発光素子を空間に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０１１０】
また、本実施例は、補助電極６０、７０を形成することによって、陰極の低抵抗化を図っているため、画素部のサイズが大きいものにも適用することができる。
【０１１１】
また、本実施例では、補助電極６０を形成した後、有機化合物を含む層を形成した例を示したが、形成順序は特に限定されず、有機化合物を含む層６８を形成した後、補助電極６０を形成してもよい。
【０１１２】
また、本実施例は、実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【０１１３】
［実施例２］
本実施例では、アクティブマトリクス型発光装置全体の外観図について図５に説明する。なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された９０１はソース信号線駆動回路、９０２は画素部、９０３はゲート信号線駆動回路である。また、９０４は封止基板、９０５はシール剤であり、シール剤９０５で囲まれた内側は、シール材（または樹脂）９０７になっている。
【０１１４】
なお、９０８はソース信号線駆動回路９０１及びゲート信号線駆動回路９０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）９０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１１５】
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。基板９１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路９０１と画素部９０２が示されている。
【０１１６】
なお、ソース信号線駆動回路９０１はｎチャネル型ＴＦＴ９２３とｐチャネル型ＴＦＴ９２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１１７】
また、画素部９０２はスイッチング用ＴＦＴ９１１と、電流制御用ＴＦＴ９１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）９１３を含む複数の画素により形成される。
【０１１８】
また、第１の電極（陽極）９１３の両端には隔壁が形成され、隔壁の下層である絶縁膜９１４の側面は斜面を有している。また、隔壁の上層には実施の形態１に示した光吸収多層膜が設けられており絶縁膜９１４の形成と同時に形成することが望ましい。外部からの光は、隔壁の上層に設けられた光吸収多層膜により吸収されるため、下方に存在する電極や配線の反射光を抑えることができる。また、光吸収多層膜の一層は、反射性を有する金属膜であり、第２の電極９１６と接続されて同電位となる。
【０１１９】
また、第１の電極（陽極）９１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法によって有機化合物を含む層９１５を選択的に形成する。さらに、有機化合物を含む層９１５上には第２の電極（陰極）９１６が形成される。これにより、第１の電極（陽極）９１２、有機化合物を含む層９１５、及び第２の電極（陰極）９１６からなる発光素子９１８が形成される。ここでは発光素子９１８は白色発光とする例であるので着色層９３１とＢＭ９３２からなるカラーフィルター（簡略化のため、ここではオーバーコート層は図示しない）が設けている。
【０１２０】
また、絶縁層９１４上には実施例１に示した構成の一部である第３の電極（補助電極）９１７が形成されており、第２の電極の低抵抗化を実現している。また、第２の電極（陰極）９１６は全画素に共通の配線としても機能し、第３の電極９１７および接続配線９０８を経由してＦＰＣ９０９に電気的に接続されている。
【０１２１】
また、基板９１０上に形成された発光素子９１８を封止するためにシール剤９０５により封止基板９０４を貼り合わせる。なお、封止基板９０４と発光素子９１８との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、シール剤９０５の内側の空間９０７にはシール剤（樹脂）が充填されている。なお、シール剤９０５としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、シール剤９０５はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１２２】
また、本実施例では封止基板９０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ　Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、シール剤９０５を用いて封止基板９０４を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うようにシール剤で封止することも可能である。
【０１２３】
以上のようにして発光素子をシール材９０７に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０１２４】
また、本実施例は実施の形態１乃至３、実施例１と自由に組み合わせることができる。
【０１２５】
［実施例３］
本実施例では、実施例１とは異なる成膜方法および成膜装置（図９、図１０に示す）を用いて有機化合物を含む層、または陰極を形成する例を説明する。なお、第１の電極および隔壁を形成するまでの工程は、実施例１と同一であるため、ここでは説明を省略する。
【０１２６】
実施例１では、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法により有機化合物を含む層や第２の電極を形成する例であったが、本実施例では、減圧下で発光性材料を含む溶液を第１の電極、即ち画素電極（陽極もしくは陰極）に向けて噴射し、前記発光性材料を前記画素電極上に堆積させて発光層を形成することを特徴とするものである。
【０１２７】
減圧下とは、大気圧よりも低い圧力下であることを指し、窒素、希ガスその他の不活性ガスで充填された雰囲気（以下、不活性雰囲気という。）では１×１０^２〜２×１０^４Ｐａ（好ましくは、５×１０^２〜５×１０^３Ｐａ）とすれば良いし、真空中では１〜５×１０^４Ｐａ（１×１０^２〜１×１０^３Ｐａ）とすれば良い。減圧下におくことで、雰囲気中に噴射された液滴は画素電極に到達するまでの間、常に液滴から溶媒が揮発し、その体積は減少していく。そして、画素電極上に到達した時点で殆どすべての溶媒が揮発し、到達と同時に膜形成が完了する。即ち、溶液塗布後に焼成工程等の加熱工程を必要としない点で従来技術よりも優れている。このとき、画素電極が５０〜２００℃に加熱されていると、付着後も容易に溶媒を揮発させることができるため、さらなる膜質の向上に有効である。
【０１２８】
また、画素電極に到達する前に十分溶媒を揮発させることが好ましいため、本発明に用いる溶媒は、できるだけ揮発性の高い材料（即ち蒸気圧の高い材料）を用いると良い。なぜならば揮発性が低いと画素電極と溶液の噴射口（ノズルの先端部）との距離を長くして揮発に要する時間を稼ぐ必要があるが、当該距離が長いと液滴の弾道誤差が大きくなるからである。
【０１２９】
図１０（Ａ）は、発光性材料を含む溶液が噴射された直後の状態を表し、図１０（Ｂ）は、発光性材料が陽極もしくは陰極に到達して薄膜（発光層）が形成された状態を表している。
【０１３０】
図１０（Ａ）において、１０１は陽極もしくは陰極であり、１０２は各画素を画定する隔壁、１０３はキャリア注入層である。キャリア注入層１０３は、１０１が陽極であれば正孔注入層であるし、陰極であれば電子注入層である。また、１０４は溶液を塗布するための装置（以下、溶液塗布装置という。）におけるヘッド部を拡大したものであり、一部分については内部構造を示している。ヘッド部１０４は、発光性材料を含む溶液を噴射する機能を持つ複数の噴射部１０５ａ〜１０５ｃを有しており、それぞれに圧電素子（ピエゾ素子）１０６ａ〜１０６ｃが設けられる。また、噴射部１０５ａ〜１０５ｃのそれぞれには発光性材料を含む溶液１０７ａ〜１０７ｃが充填されている。
【０１３１】
ここで発光性材料を含む溶液１０７ａは、赤色に発光する発光性材料を含み、発光性材料を含む溶液１０７ｂは、緑色に発光する発光性材料を含み、発光性材料を含む溶液１０７ｃは、青色に発光する発光性材料を含む。これら三種類の発光性材料は、それぞれ赤色に発光する画素、緑色に発光する画素及び青色に発光する画素を構成し、これら三つの画素を一つの画素ユニット（画素単位）として捉える。なお、図１０（Ａ）においてはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれ一つに対応する噴射部しか説明していないが、並列に複数の噴射部（ノズル）を並べることも可能であり、スループットを考慮すると画素部の一行分もしくは一列分の画素数（ピクセル数）に相当する数だけ並べることが最も望ましいと言える。
【０１３２】
また、図１０の成膜装置において最も特徴的な点は、ヘッド部１０４と陽極もしくは陰極１０１との間の空間１０８が減圧、即ち大気圧よりも低い圧力に維持されている点にある。具体的には、不活性雰囲気では１×１０^２〜２×１０^４Ｐａ（好ましくは、５×１０^２〜５×１０^３Ｐａ）であり、真空中では１〜５×１０^４Ｐａ（１×１０^２〜１×１０^３Ｐａ）である。噴射部１０５ａ〜１０５ｃに充填された発光性材料を含む溶液１０７ａ〜１０７ｃは、圧電素子１０６ａ〜１０６ｃの体積変化により加圧されて押し出され、画素電極１０１に向かって噴射される。そして、噴射された液滴１０９は、減圧下で溶媒を揮発させながら進行し、残存した発光性材料が画素電極１０１上に堆積する。その結果、発光性材料は間欠的に堆積されることになる。
【０１３３】
こうして堆積された薄膜は、特に加熱等の手段により溶媒を揮発させなくても十分に溶媒成分を除去した状態で薄膜化されているため、脱ガスによる経時劣化等の問題の少ない発光層が得られる。以上のような構成により溶液を塗布した後も焼成工程等を必要とせず、スループットを大幅に向上できると共に、加熱による発光性材料自体の劣化も防ぐことができる。なお、本発明の特徴は焼成工程を必要としない点ではあるが、真空中の加熱処理等の焼成工程を併用しても溶媒成分を十分に除去した脱ガスの少ない発光層が得られるという本発明の効果を損なうものではない。
【０１３４】
こうして図１０（Ｂ）に示すように、赤色に発光する発光層１１０ａ、緑色に発光する発光層１１０ｂ及び青色に発光する発光層１１０ｃが形成される。この後は、必要に応じてキャリア輸送層、キャリア注入層等を形成した後、第２の電極、即ち対向電極（陽極に対しては陰極、陰極に対しては陽極）を設ければ発光素子が完成する。
【０１３５】
また、本実施例では、溶液塗布を液滴の噴射により行う例を示したが、特に限定されず、ある程度の粘性を有するゲル状の溶液を塗布してもよい。
【０１３６】
また、発光体の形成から発光素子の封止までの工程を行うため、本実施例に用いる溶液塗布装置をインライン方式の製造装置に組み合わせた例を図９に示す。なお、図９（Ａ）は上面図、図９（Ｂ）は側面図である。
【０１３７】
図９（Ａ）、（Ｂ）において、１６１は基板の搬入を行うロード室、１６２は基板の搬出を行うアンロード室、１６３は正孔注入層を成膜する成膜室、１６４は発光層を成膜する成膜室、１６５は電子注入層を成膜する成膜室、１６６は陰極となる金属膜を成膜する成膜室、１６７はパッシベーション効果を有する保護膜を成膜する成膜室である。図中の矢印１７０は、基板１６０の搬送方向であり、既に処理の終了した基板は点線で表してある。このとき、基板１６０は立てた状態、即ち表面（被処理面）が重力の方向に対して平行な状態で搬送される。
【０１３８】
なお、ここでは簡略化のため、図示しないが、基板１６０上には予め、実施例１に従ってＴＦＴ、第１の電極および隔壁などが形成されている。本実施例では、実施例１に従って隔壁まで形成された基板をロード室にセットする。
【０１３９】
成膜室１６３〜１６５のそれぞれは、本実施例の溶液塗布装置であり、内部にはヘッド部１６３ａ、１６４ａ、１６５ａが設けられている。これらのヘッド部はいずれも図１０に示した構成を有し、減圧下で有機化合物もしくは無機化合物を含む溶液の塗布及び薄膜形成が行われる。勿論、基板１６０を１５０〜２００℃で加熱する機構を備えても良い。また、図９（Ｂ）に示す矢印１７１は、ヘッド部１６４ａの移動方向を示しており、基板１６０の一端から他端に向かって溶液塗布及び薄膜形成が行われる。
【０１４０】
さらに、このとき、各成膜室１６３〜１６５内には窒素、希ガスその他のフッ化性ガスが紙面に垂直な方向に向かって上から下へ流れており、基板１６０とヘッド部１６３ａ〜１６５ａとの間には不活性ガスによる層流（ラミナーフロー）が形成される。このとき、基板を加熱する代わりに又は併用して、流れる不活性ガスを加熱することもできる。勿論、不活性ガスを導入せずに真空とすることも可能である。
【０１４１】
また、成膜室１６６はスパッタ法により陰極となる金属膜を成膜するチャンバーであり、基板１６０が長方形のターゲット１６６ａの横を通過する間に成膜が行われる。例えば、アルミニウムとリチウムとの合金膜といった周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む金属膜を形成することが可能である。ターゲット１６６ａの形状はこれに限定されるものではないが、基板１６０を縦置きにするメリットとして、線状、長方形状、長楕円形状その他の細長い形状のターゲットを使うことにより高いスループットを確保しつつ装置面積を小さくできるという点が挙げられる。
【０１４２】
また、成膜室１６７はスパッタ法（好ましくは高周波スパッタ法）によりパッシベーション効果を有する絶縁膜を成膜するチャンバーであり、基板１６０が長方形のターゲット１６７ａの横を通過する間に成膜が行われる。例えば、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜といった緻密性の高いシリコン化合物膜を形成することが可能である。ターゲット１６７ａの形状はこれに限定されるものではないが、基板１６０を縦置きにするメリットとして、線状、長方形状、長楕円形状その他の細長い形状のターゲットを使うことにより高いスループットを確保しつつ装置面積を小さくできるという点が挙げられる。
【０１４３】
なお、図９に示す製造装置の特徴として、溶液塗布と同時に薄膜形成が行われるため焼成工程等が不要である点が挙げられるが、各成膜室１６３〜１６６の間において真空中での加熱等の焼成工程を設けても構わない。発光層等の薄膜中から溶媒成分を除去すればその分だけ信頼性が向上すると考えられるからである。
【０１４４】
また、本実施例は実施の形態１乃至３、実施例１、実施例２と自由に組み合わせることができる。
【０１４５】
［実施例４］
本発明を実施することによって有機化合物を含む層を発光層とするモジュール（アクティブマトリクス型ＥＬモジュール）を組み込んだ全ての電子機器が完成される。
【０１４６】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１１、図１２に示す。
【０１４７】
図１１（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
【０１４８】
図１１（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
【０１４９】
図１１（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
【０１５０】
図１１（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。
【０１５１】
図１１（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【０１５２】
図１１（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
【０１５３】
図１２（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。
【０１５４】
図１２（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
【０１５５】
図１２（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。
【０１５６】
ちなみに図１２（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。中小型または大型のものとする場合、実施例２または実施例３に示した補助電極を形成することが好ましい。
【０１５７】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態１乃至３、実施例１、実施例２、実施例３のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０１５８】
【発明の効果】
本発明により、上面出射型の発光装置において、外光が照射した際、設けられた光吸収多層膜によって、発光領域以外の電極の反射および配線の反射を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１を示す図。
【図２】実施例１を示す図。
【図３】実施の形態３を示す図。
【図４】実施例１を示す図。
【図５】実施例２を示す図。
【図６】実施の形態２を示す図。
【図７】本発明の光吸収多層膜のシミュレーション結果である。
【図８】本発明の光吸収多層膜のシミュレーション結果である。
【図９】製造装置の一例を示す図である。（実施例３）
【図１０】製造装置の一例を示す図である。（実施例３）
【図１１】電子機器の一例を示す図。（実施例４）
【図１２】電子機器の一例を示す図。（実施例４）

Claims (22)

1. 絶縁表面を有する基板上に、薄膜トランジスタと接続された第１の電極と、
   第１の電極の端部を覆う隔壁と、
   該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該層上に接する第２の電極とを有する発光素子であって、
   前記隔壁は、有機樹脂膜と、光を吸収する多層膜との積層からなることを特徴とする発光装置。
2. 請求項１において、前記隔壁は、前記第１の電極と有機化合物を含む層とが接して積層されている発光領域以外の領域を覆っていることを特徴とする発光装置。
3. 請求項１または請求項２において、前記多層膜は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｓｃ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、または、ＺｎＯからなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記多層膜は、透光性を有する窒化絶縁膜を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、前記多層膜は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、インコネル、またはニクロムからなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記多層膜は、反射性を有する金属膜と、透光性を有する窒化絶縁膜と、窒化金属膜と、透光性を有する窒化絶縁膜との積層であることを特徴とする発光装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記多層膜は、アルミニウムを主成分とする金属膜と窒化珪素膜と窒化チタン膜と窒化珪素膜との積層であることを特徴とする発光装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、前記第２の電極は光を透過する導電膜であることを特徴とする発光装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１の電極は、凹部形状であり、前記隔壁をマスクとして自己整合的に形成されたことを特徴とする発光装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であることを特徴とする発光装置。
11. 請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の電極は陰極であり、前記第２の電極は陽極であることを特徴とする発光装置。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は、赤色発光する材料、緑色発光する材料、もしくは青色発光する材料であることを特徴とする発光装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は白色発光する材料であり、封止材に設けられたカラーフィルタと組み合わせたことを特徴とする発光装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は単色発光する材料であり、封止材に設けられた色変換層または着色層と組み合わせたことを特徴とする発光装置。
15. 請求項１乃至１４のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末であることを特徴とする発光装置。
16. 陽極と、該陽極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陰極とを有する発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
    金属膜からなる第１の電極上に、絶縁膜と光を吸収する多層膜との積層を形成する工程と、
    前記絶縁膜と光を吸収する多層膜との積層を選択的にエッチングして前記第１の電極の端部を覆う隔壁を形成する工程と、
    有機化合物を含む膜を形成する工程と、
    該有機化合物を含む膜上に、光を透過する金属薄膜からなる第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
17. 請求項１６において、前記絶縁膜は、無機絶縁膜または有機樹脂膜からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
18. 請求項１６または請求項１７において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極よりも仕事関数が大きい金属層からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
19. 請求項１６乃至１８のいずれか一において、前記光を吸収する多層膜は、反射性を有する金属膜を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
20. 請求項１６乃至１９のいずれか一において、前記光を吸収する多層膜は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｓｃ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、または、ＺｎＯからなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
21. 請求項１６乃至２０のいずれか一において、前記光を吸収する多層膜は、透光性を有する窒化絶縁膜を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
22. 請求項１６乃至２１のいずれか一において、前記光を吸収する多層膜は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、インコネル、またはニクロムからなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置の作製方法。

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