JP7076135B2 - 有機el表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Description
近年、デバイスの大型化が進み、効率の良い機能膜の成膜方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等に基づいて塗布するウエットプロセスが提案されている。ウエットプロセスは機能膜を塗り分ける際の位置精度が基板サイズに依存せず、デバイスの大型化への技術的障壁が比較的低いメリットがある。代表的なインクジェット法のウエットプロセスでは、塗布装置の作業テーブル上に塗布対象基板を載置する。基板表面に対してインクヘッドを一方向に走査し、インクジェットヘッドの複数のノズルから基板表面の所定領域にインクを滴下する。その後はインクの溶媒を蒸発乾燥させて機能膜を成膜する。
本実施の形態に係る有機EL表示パネルの製造方法は、有機EL表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板上の少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する工程と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙それぞれに、列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、平面視において、少なくとも前記基板の前記インクが塗布された領域を覆う整流板を、前記基板の上面から第1の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記基板を含む雰囲気の圧力を第1の圧力まで減圧する工程と、前記雰囲気の圧力が前記第1の圧力に達した後、前記整流板を前記基板の上面から前記第1の距離よりも大きい第2の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記雰囲気の圧力を前記第1の圧力より低い第2の圧力以下の圧力まで減圧する工程と、前記基板を加熱することにより発光層を形成する工程と、前記整流板を除去した状態で前記有機機能層上方に対向電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第2の圧力は、1×10-1Paであり、前記第2の距離は、30mm以上70mm以下である構成であってもよい。
また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第1の圧力に到達する時間は、前記雰囲気の圧力の減圧を開始した後、1秒以上300秒以下の時間である構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記雰囲気の圧力を前記第1の圧力まで減圧する工程では、前記基板に塗布されたインクのレベリングを促進し、前記雰囲気の圧力を前記第2の圧力まで減圧する工程では、インクに残存する溶媒の蒸発を促進する構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記対向させて配置する工程では、前記整流板は少なくとも前記基板上の前記複数の列バンクと対向する位置に配される構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記整流板は、前記基板の上方において前記基板を覆い、昇降手段により前記基板に対する相対的な高さを変更される構成であってもよい。
≪実施の形態≫
<表示パネル10の全体構成>
[概要]
本実施の形態に係る表示パネル10について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
表示パネル10は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機EL表示パネルであり、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)が形成された基板100x(TFT基板)に、各々が画素を構成する複数の有機EL表示素子100が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図1におけるX方向、Y方向、Z方向を、それぞれ表示パネル10における、行方向、Y方向、厚み方向とする。
図2は、図1におけるX0部の拡大平面図である。
表示パネル10の表示素子配列領域10eには、有機EL表示素子100に対応する単位画素100eが行列状に配されている。各単位画素100eには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する100aR、緑色に発光する100aG、青色に発光する100aB(以後、100aR、100aG、100aBを区別しない場合は、「100a」と略称する)の3種類の自己発光領域100aが形成されている。すなわち、図2に示すように行方向に並んだ自己発光領域100aR、100aG、100aBのそれぞれに対応する3つのサブ画素100seが1組となりカラー表示における単位画素100eを構成している。
表示パネル10では、バンク122の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する2つの画素電極119の行方向外縁及び外縁間に位置する基板100x上の領域上方には、各条が列方向(図2のY方向)に延伸する列バンク522Yが複数行方向に並設されている。
<表示パネル10の各部構成>
表示パネル10における有機EL表示素子100の構成を図3及び図4の模式断面図を用いて説明する。図3は、図3におけるY1-Y1で切断した模式断面図である。図4は、図1におけるX1-X1で切断した模式断面図である。
[基板100x(TFT基板)]
基板100xは表示パネル10の支持部材であり、基材(不図示)と、基材上に形成された薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)層(不図示)と、基材上及びTFT層上に形成された層間絶縁層(不図示)とを有する。
基板100xの上面に位置する層間絶縁層は、TFT層によって凹凸が存在する基板100xの上面の少なくともサブ画素100seを平坦化するものである。また、層間絶縁層は、配線及びTFTの間を埋め、配線及びTFTの間を電気的に絶縁している。
や酸窒化シリコン(SiON)、酸化シリコン(SiO)や酸窒化シリコン(SiON)を用いることもできる。TFTの接続電極層としては、例えば、モリブデン(Mo)と銅(Cu)と銅マンガン(CuMn)との積層体を採用することができる。基板100xの上面に位置する層間絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用い形成されており、層厚は、例えば、2000nm~8000nmの範囲とすることができる。
基板100xの上面に位置する層間絶縁層上には、サブ画素100se単位で画素電極119が設けられている。画素電極119は、発光層123へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層123へホールを供給する。画素電極119の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極119は行方向に間隔δXをあけて、間隙522zのそれぞれにおいて列方向に間隔δYをあけて基板100x上に配されている。また、基板100xの上面に開設されたコンタクトホールを通して、画素電極119の一部を基板100x方向に凹入された画素電極119の接続凹部119cとTFTのソースとが接続される。
(Al)を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)や酸化インジウム亜鉛(IZO)などを用いることができる。
画素電極119上には、ホール注入層120、ホール輸送層121が順に積層され、ホール輸送層121はホール注入層120に接触している。ホール注入層120、ホール輸送層121は、画素電極119から注入されたホールを発光層123へ輸送する機能を有する。
ホール輸送層121は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
画素電極119、ホール注入層120及びホール輸送層121の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンク122が形成されている。バンク122は、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク522Yと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク122Xとがあり、図2に示すように、列バンク522Yはバンク122Xと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク522Yと行バンク122Xとで格子状をなしている(以後、行バンク122X、列バンク522Yを区別しない場合は「バンク122」とする)。また、列バンク522Yはバンク122Xの上面122Xbよりも高い位置に上面522Ybを有する。
列バンク522Yは、発光層123の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層123の行方向外縁を規定するものである。列バンク522Yの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を縮幅する台形形状である。
列バンク522Yの厚み、例えば、100nm以上5000nm以下、より好ましくは200nm以上3000nm以下であることが好ましい。本実施の形態では、約2000nmとした。
バンク122は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク122の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク122は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
上述のとおり、バンク122Xは、約1000nmの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、100nm~2000nmの範囲とすることができる。また、列バンク522Yは、約2000nmの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、100nm~5000nmの範囲とすることができる。
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、列バンク522Yの形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、列バンク522Yの表面に撥水性を低くするために、列バンク522Yに紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
表示パネル10は、列バンク522Yと間隙522zとが交互に多数並んだ構成を有する。列バンク522Yにより規定された間隙522zには、発光層123が列方向に延伸して形成されている。自己発光領域100aRに対応する赤色間隙522zR、自己発光領域100aGに対応する緑色間隙522zG、自己発光領域100aBに対応する青色間隙522zBには、それぞれ各色に発光する発光層123が形成されている。
で光を発する機能を有する。
発光層123は、画素電極119からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク122Xが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層123は、行バンク122Xがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域100aとなり、自己発光領域100aの列方向における外縁は、行バンク122Xの列方向外縁により規定される。
なお、図8に示すように、発光層123は、自己発光領域100aだけでなく、隣接する非自己発光領域100bまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層123の形成時に、自己発光領域100aに塗布されたインクが、非自己発光領域100bに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域100bでは、行バンク122Xによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。
具体的には、例えば、特許公開公報(日本国・特開平5-163488号公報)に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8-ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2-ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
バンク122上及びバンク122により規定された開口内には、発光層123の上に電子輸送層124が形成されている。また、本例では、発光層123から露出する各列バンク522Yの上面522Yb上にも配されていている。電子輸送層124は、対向電極125から注入された電子を発光層123へ輸送する機能を有する。電子輸送層124は、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などを用い形成されている。
電子輸送層124を被覆するように、対向電極125が積層形成されている。対向電極125については、表示パネル10全体に連続した状態で形成され、ピクセル単位あるいは数ピクセル単位でバスバー配線に接続されていてもよい(図示を省略)。対向電極125は、画素電極119と対になって発光層123を挟むことで通電経路を作り、発光層123へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光
層123へ電子を供給する。対向電極125は、電子輸送層124の表面に沿って形成され、各発光層123に共通の電極となっている。対向電極125は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ(ITO)若しくは酸化インジウム亜鉛(IZO)などを用い形成される。また、銀(Ag)又はアルミニウム(Al)などを薄膜化した電極を用いてもよい。
対向電極125を被覆するように、封止層126が積層形成されている。封止層126は、発光層123が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層126は、対向電極125の上面を覆うように表示パネル10全面に渡って設けられている。封止層126は、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
封止層126のZ軸方向上方には、上部基板130のZ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層128が形成されたCF基板131が配されており、接合層127により接合されている。接合層127は、基板100xから封止層126までの各層からなる背面パネルとCF基板131とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層127の材料は、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
接合層127の上に、上部基板130にカラーフィルタ層128が形成されたCF基板131が設置・接合されている。上部基板130には、表示パネル10がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板130により、表示パネル10、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。透光性材料としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。
上部基板130には画素の各色自己発光領域100aに対応する位置にカラーフィルタ層128が形成されている。カラーフィルタ層128は、R、G、Bに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙522zR内の自己発光領域100aR、緑色間隙522zG内の自己発光領域100aG、青色間隙522zB内の自己発光領域100aBの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層128R、G、Bが各々形成されている。カラーフィルタ層128は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板130に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
[全体構成]
次に、表示パネル10の製造方法に用いるインク乾燥装置の構成について説明する。図5は、実施の形態に係る有機EL表示パネル10の製造方法に用いるインク乾燥装置900の模式断面図である。
図5に示すように、インク乾燥装置900は、列バンク522Y間の間隙522z内に有機発光材料を含むインクが塗布された基板100xを収容するチャンバ500と、チャンバ500内において基板100xが載置される支持台700を備える。さらに、基板100x上の列バンク522Yから所定距離だけ離間した状態で基板100xに対し対向配置される整流板400と、整流板400を列バンク522Yから所定距離だけ離間させて基板100xに対向させるとともに、整流板400又は/及び基板100xを昇降させて前記基板に対する整流板400の相対的な高さを変更するする昇降手段800とを備える。また、チャンバ500に接続されチャンバ500から気体を吸引してチャンバ500外へ排気する真空ポンプ600、支持台700上の基板100xを加熱するヒータ(不図示)とを備える。ヒータは、支持台700に設置されたホットプレート、チャンバ500内を加熱するオーブンを用いることができる。
整流板400は、耐溶剤性を有するステンレス、アルミ、銅、鉄等の金属、又はセラミックの板からなる。
<表示パネル10の製造方法>
次に、表示パネル10の製造方法について説明する。図8は、表示パネル10の製造工程を示す工程図である。図9(a)~(d)、図14(a)(b)は、有機EL表示パネル10の製造における各工程での状態を示す図3におけるにおけるY1-Y1と同じ位置で切断した模式断面図である。
先ず、図8、図9(a)に示すように、層間絶縁層までが形成されたTFT基板100x0を準備する。層間絶縁層にコンタクト孔を開設し、画素電極119を形成する(ステップS10)。
画素電極119の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極119は、TFTの電極と電気的に接続された状態となる。
次に、図9(b)に示すように、画素電極119上に対して、ホール注入層120、ホール輸送層121を形成する(ステップS20、30)。ホール注入層120、ホール輸送層121は、スパッタリング法を用い酸化金属(例えば、酸化タングステン)からなる膜を形成、あるいは、スパッタリング法を用い金属(例えば、タングステン)からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
図9(b)に示すように、ホール輸送層121の縁部を覆うようにバンク122を形成する。バンク122の形成では、先ず行バンク122Xを形成し(ステップS40)、その後、各画素を規定する間隙522zを形成するように列バンク522Yを形成し(ステップS50)、間隙522z内の行バンク122Xと行バンク122Xとの間にホール輸送層121の表面が露出するように設けられる。
[発光層123の形成]
図9(c)に示すように、列バンク522Yで規定された各間隙522z内に、ホール輸送層121側から順に、発光層123を積層形成する(ステップS60)。
具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙522zに、インクジェット法によりR、G、Bいずれかの有機発光層の材料を含むインク123RI、123GI、123BIをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層123R、123G、123Bを形成する(図9(c))。
発光層123のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層123の形成するための溶液の塗布を行う。基板100xに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に3色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、3色のインクを順次塗布する。これにより、基板100x上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
発光層123の形成時には、発光層123を形成するための溶液であるインクを用いて、赤色副画素用の間隙522zR内に発光層123R、緑色副画素用の間隙522zG内に発光層123G、及び青色副画素用の間隙522zB内に発光層123Bを、複数のラインバンク間の各領域に形成する。発光層123Rと、発光層123G又は発光層123Bとは厚みが異なる。具体的には、間隙522zR内に塗布するインクの量を、間隙522zB及び間隙522zG内に塗布するインクの量よりも多くすることにより、発光層123Rの厚みを、発光層123B及び発光層123Gの厚みよりも大きく形成することができる。
他方、ノズルから吐出するインクの量を第1の条件に設定して1枚の基板上の第1色目の間隙にインクを塗布した後、インクの量を第2の条件に変更して隣接する第2色目の間隙にインクを塗布し、さらに、インクの量を第3の条件に変更して隣接する第3色目の間隙にインクを塗布し、インクの量を第1の条件に戻して隣接する第1色目の間隙にインクを塗布し、この動作を繰り返して1枚の基板上の3色の間隙全部にインクを連続して塗布してもよい。
次に、1色の間隙中にインク(例えば、赤色間隙用のインク)を塗布する方法について説明する。
発光層123は、発光領域100aだけでなく、隣接する非自己発光領域100bまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層123の形成時に、発光領域100aに塗布されたインクが、非自己発光領域100bに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域100bでは、行バンク122Xによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらや寿命低下が改善される。
ぶ3つの領域の中の1つである。
発光層123の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
塗布したインクを焼成により乾燥するインク乾燥工程について説明する。図11は、有機EL表示パネル10の製造方法において、インク乾燥工程の詳細を示す工程図である。
ステップS620では、列バンク522Y間の間隙522z内に有機発光材料を含むインクが塗布された基板100xを支持台700に載置し、支持台700を搬送手段(不図示)により、チャンバ500の内に移動させて、基板100xをチャンバ500内に収容する。
そして、ステップS624では、整流板400を基板100x上面から第1の距離よりも大きい第2の距離だけ離間させた状態にてチャンバ500内の圧力を第1の圧力より低い第2の圧力P2以下の圧力まで減圧する。
が形成された基板100xをチャンバ500外に搬出し(ステップS627)、インク乾燥工程を終了する。
図9(d)に示すように、間隙522z内、及び列バンク522Y上にベタ膜として真空蒸着法などを用い電子輸送層124を形成する(ステップS70)。間隙522z内、及び列バンク522Y上にベタ膜として電子輸送層124を被覆するように、対向電極125および封止層126を順に積層形成する(ステップS80、S90)。対向電極125および封止層126は、CVD法、スパッタリング法などを用い形成できる。
次に、CF基板131を形成する(ステップS100)。図13(a)~(d)は、有機EL表示パネル10の製造におけるCF基板131製造の各工程での状態を示す模式断面図である。
CF基板131の形成では、先ず、透明な上部基板130を準備する(図13(a))。次に、上部基板130表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層128(例えば、G)の材料を溶媒に分散させ、ペースト128Xを塗布し(図13(b))、溶媒を一定除去した後、所定のパターンマスクPM2を載置し、紫外線照射を行う(図13(c))。その後はキュアを行い、パターンマスクPM2及び未硬化のペースト128Xを除去して現像すると、カラーフィルタ層128(G)が形成される(図13(d))。この図13(b)、(d)の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層128(R)、128(B)を形成する。なお、ペースト127Xを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
次に、CF基板131と背面パネルとの貼り合わせる(ステップS110)。
工程では、先ず、基板100xから封止層126までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層127の材料を塗布する(図14(a))。
<表示パネル10の製造方法による効果について>
以下、表示パネル10の製造方法から得られる効果について説明する。
発明者は、表示パネル10における発光層123の膜厚の分布を測定した。図15は、表示パネル10の実施例、比較例1、2における膜厚の測定位置を示す模式平面図である。本試験では、表示パネルにおける区画領域10aのX方向中心線上における基板100x上の発光層123の膜厚の分布を、列バンク522Yの列方向列端部522Yeから列端部522Yeまで測定した。
次に、実施例、比較例1から3の仕様について説明する。
実施例は、インク乾燥工程において、実施例に係るインク乾燥装置900を用いる製造方法により製造した表示パネル10の膜厚測定結果である。実施例では、第1の圧力は3×104Pa、第1の距離は5mm、第2の距離は50mm、第2の圧力は1×10-1Paとした。
比較例2は、インク乾燥工程において、整流板400と基板100x上面との距離を5mmに固定した比較例1に係るインク乾燥装置を用いて製造した表示パネルの膜厚測定結果である。
(2)測定結果
図16は、表示パネル10の実施例及び比較例1、2における膜厚の測定結果である。
比較例1では、列バンク522Yの上端部(0mm位置)(図16におけるPl1)にて、上端部から約20mmの位置と比較して膜厚が最大10nm減少した。
比較例2では、比較例1のような、列バンク522Yの上端部(0mm位置)、下端部(270mm位置)における膜厚の降下は観測されなかった。
しかしながら、列バンク522Yの上端部から約10mmの位置(図16におけるWav1)にて、上端部から約30mmの位置と比較して膜厚が最大15nm減少した凹部が観測された。
また、上端部から約30mmの位置よりも内方(図16におけるWav3)では、約65mm周期で最大4nm程度の振幅の凹凸(波打ち)が観測された。
これに対し、表示パネル10の実施例では、列バンク522Yの上端部(0mm位置)及び下端部(270mm位置)における膜厚の変動は4nm以内という結果になった。
[膜厚測定結果について]
以下、表示パネル10の実施例及び比較例1、2から得られた発光層123の膜厚測定結果について考察する。
(1)基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布による膜厚変動
発明者は、基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成するウエットプロセスに於いて、基板上の表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分での乾燥速度差による成膜形状にばらつきについて検討を行った。
その理由は以下のとおりである。すなわち、図17(a)に示すように、インク乾燥工程において整流板400と基板100x上面との距離を50mmに固定した比較例1では、区画領域10aの外周付近に位置する表示領域の周縁部分B1又はC1のサブ画素では、表示領域の中央部分A1のサブ画素に比べ、インクの溶媒の蒸気濃度が相対的に低く乾燥が速い。そのため、図17(b)に示すように、蒸気圧分布の影響により、乾燥の遅い中央部分A1では、溶媒が蒸発する過程で、発光層123インクを構成する固形成分が沈降し間隙522zの底部に移動する量が多く、底部の膜厚t2が基準膜厚t0に比べて増加する。他方、乾燥の早い周縁部分B1又はC1では、蒸気圧分布の影響により、溶媒が蒸発する過程で、発光層123インクを構成する固形成分が沈降して間隙522zの底部に移動する量は少なく、底部の膜厚t1は基準膜厚t0に比べて薄くなる。
(2)間隙522z(列状塗布領域)内の基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスによる膜厚変動
長尺状の列状塗布領域にインクを塗布して発光層123を形成する構成では、主に列方向に連続してインクが塗布されることに起因して、間隙522z(列状塗布領域)内のインク表面張力のアンバランスによる膜厚変動が発生する。
その理由は、上述のとおり、ウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分とでは、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の乾燥速度が大きいためである。ここで、成膜エリアとは、ウエットプロセスによりインクを塗布するエリアであり、図1に示した区画領域10aと同じ領域である。そのため、乾燥により溶媒の蒸発が進み、単位面積あたりの残存溶媒量が少ない列端部522Ye付近のインクよりも、溶媒の蒸発が遅く単位面積あたりの残存溶媒量が多い列端部522Yeより内方のインクの表面張力が不均一となる。その結果、列端部522Ye付近のインクは列端部522Yeより内方のインクからの表面張力によって内方に引っ張られ内方に向けたインク対流が生じ、その結果、列端部522Ye付近のインクは列端部522Yeより内方へ移動し、列端部522Yeより内方におけるインク膜厚は増加する。
(3)吐出口毎のインク吐出量バラツキに起因するインク塗布直後の局所的な膜厚変動
長尺状の列状塗布領域にインクを塗布して発光層123を形成する構成では、吐出口624d1毎のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因した膜厚バラツキが生じ、この膜厚バラツキはインク塗布直後においてより顕著である。
(比較例2)
(1)比較例1において生じた膜厚変動の改善
比較例2では、比較例1のような、列バンク522Yの上端部(0mm位置)、下端部(270mm位置)における膜厚の降下は観測されなかった。
図21(b)に示すように、周縁部分B2及びC2では、基準膜厚t0からの変化はない。比較例2では、上述のとおり、整流板400と基板100x上面との距離が5mmに固定されているので、整流板400と基板100xとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制され、基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランスに起因する膜厚変動は抑制される。また、列端部522Yeから溶媒の乾燥は始まることが抑制される結果、列方向における基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスに起因して発光層123インクを構成する固形成分が中央部分A1に流出することが抑制される。その結果、周縁部分B2及びC2では、底部の膜厚は基準膜厚t0となる。
比較例2では、上述のとおり、上端部から約30mmの位置よりも内方(図16におけるWav3)において、約65mm周期で最大4nm程度の振幅の凹凸(波打ち)が観測された。行方向の断面観察では、比較例2では、図21(b)に示すように、中央部分A2では、基準膜厚t0よりも大きい膜厚t6と基準膜厚t0よりも小さい膜厚t7との間の膜厚変動が生じる。
比較例2では、上述のとおり、列バンク522Yの上端部から約10mmの位置Wav1にて、上端部から約30mmの位置と比較して膜厚が最大15nm減少した凹部が観測された。また、下端部から約10mmの位置Wav2にて、下端部から約30mmの位置と比較して膜厚が最大13nm減少した凹部が観測された。
この膜厚変動についても、中央部分A2における膜厚変動と同様に、基板100xと整流板400との間の空間内の蒸気流Fv1、Fv2は乱れが影響している。加えて、比較例2では、整流板400と基板100xとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制されたことに伴い、蒸発速度の低下に伴いインクの溶質成分がより多くバンク522Yの側壁上に残ると考えられる。
(1)比較例1において生じた膜厚変動の改善
図22(a)は、実施例における塗布直後における膜形状を示す模式図、(b)はレベリングされた後における塗布直後における膜形状を示す模式図である。図22(a)に示すように、実施例においても、インク吐出直後においては、列状塗布領域を構成する間隙522z内において、の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキが生じる。しかしながら、実施例では、減圧開始からチャンバ500内の圧力が第1の圧力P1まで減圧されるTiniまでの時間は、整流板400と基板100x上面との距離を5mmに固定されているので、整流板400と基板100xとの間の空間内の蒸気圧が増加してインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制される。その結果、図22(b)に示すように、基板100xの間隙522z内のインクの列方向への移動が促進されるので、実施例においても、間隙522z内のインクは列方向に移動して膜厚バラツキが期間Tini内に十分にレべリングされる。
(2)比較例2において生じた膜厚変動の改善
図23(a)は、実施例に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との蒸気圧分布と基板と整流板との間の空間における蒸気の流れを示す模式図である。
実施例では、整流板400と基板100x上面との距離を第1の距離Y1に規制した状態で、時間Tiniにおいて、チャンバ500内の圧力を大気圧から第1の圧力P1まで減圧し、その後、整流板400を基板100x上面から第2の距離Y2だけ離間させた状態とする。そのため、基板100xと整流板400との間の空間において、基板100x上の区画領域10aから蒸発したインクの溶媒の蒸気FZ0は、基板100xの平面方向に移動することが促進される。すなわち、区画領域10aから蒸発したインクの溶媒の蒸気Air2は、基板100xと整流板400との間の高さY2の空間内に解放され、空間内の蒸気圧は減少し、基板100xと整流板400による流路抵抗は減少するので、蒸気Air2は基板100xと整流板400との間の空間を抵抗なく移動し、整流板400側方に放出される(Fl2)。したがって、実施例では、比較例2のように空間内の蒸気流Fv1、Fv2は、気流が乱れた乱流のような状態となることはなく、比較例2において生じた凹凸(波打ち)状の膜厚変動は解消される。
実施例では、整流板400を基板100x上面から第2の距離Y2だけ離間させた状態で、チャンバ500内の圧力を第1の圧力から減圧することにより、インクに残存する溶媒の蒸発が促進され、比較例2においてインクの溶媒の蒸気の蒸発が抑制されたことに伴いインクの溶質成分がより多くバンク522Yの側壁上に残るといった現象は生じない。そのため、比較例2においてみられた周縁部分D2及びE2における膜の凹部、すなわち、バンク522Yの側壁上のインク123wlの膜厚が厚くなり間隙522z底部における膜厚は、比較例1よりもさらに薄くとなるという現象は生じない。
発明者の検討では、隣接する2つの長尺状のバンク522Y間の間隙522zからなる列状塗布領域に有機発光材料を含むインクを連続して塗布して発光層123を形成するラインバンク方式の表示パネルでは、主に列方向に連続してインクが塗布されることに起因して、画素毎に島状に発光層が分離されているピクセルバンク方式による表示パネルに比べて、列端部522Yeにおける膜厚変動の影響が区画領域10aを含む基板100xの内方におよび易いという特性がある。そして、長尺状の列状塗布領域にインクを連続して塗布して発光層123を形成する表示パネルの構成では、従来のインク乾燥方法を用いた場合には、インク溶媒の蒸気圧分布から基板上の列状塗布領域内において機能層の膜厚が不均一になり輝度ムラの要因となる。
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル10の製造方法を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル10の変形例を説明する。
(1)実施の形態では、表示パネル10の量産工程において1枚の基板から表示パネル10を同時に形成する枚数について、枚数を特定した説明は行わなかった。しかしながら、表示パネル10の量産工程において1枚の基板から複数の表示パネル10を同時に形成する多面取りを行う場合にも、各表示パネル10に対するそれぞれの区画領域10aが1つの成膜エリアとなることは言うまでもない。多面取りの場合でも隣接する成膜エリア(区画領域10a)が所定の距離以上離間している場合には、各成膜エリアにおいて周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなるからである。
(2)上記実施の形態では、例えば、図1に示すように、表示パネル10は、基板100
x上をマトリックス状に区画してRGB各色の発光単位を規制する列バンク522Yと行バンク122Xとが配された区画領域10aと、区画領域10aの周囲に非区画領域10b(X、Y方向にそれぞれ10Xb、10Yb、区別を要しない場合は10bとする)とから構成される例を示した。しかしながら、列バンク522Yと行バンク122Xとが配された区画領域10aの周囲又は周囲の一部に、格子状の絶縁層により区画された周辺区画領域を設ける構成としてもよい。周辺区画領域では、格子状の絶縁層により区画された部分にも区画領域10aと同様に、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層を形成するためのインクが塗布される。さらに周辺区画領域の周囲に非区画領域10bを設けてもよい。(3)上記実施の形態では、図1に示すように、表示パネル10では、基板100x上の区画領域10aの外縁から所定の区画数だけ、各区画に有機EL表示素子100が形成されていない非発光領域10neが形成された構成とした。しかしながら、列バンク522Yの列端部522Yeまで、基板100x上の各区画に画素電極119を配設して表示素子配列領域10eとしてもよい。基板上の成膜エリアを有効に活用することができ表示素子配列領域10eを拡大することができコスト削減に資する。
(4)表示パネル10では、各色サブ画素100seである間隙522zの上方に、透光
性材料からなる上部基板130を備え、カラーフィルタ層128が形成されている構成とした。しかしながら、例示した表示パネル10において、透光性材料からなる上部基板130を設けずに、間隙522zの上方にはカラーフィルタ層128を設けない構成としてもよい。これにより、外光の照り返し抑制と発光効率を向上に加え、製造コストを低減することができる。
(5)表示パネル10では、発光層123は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層123は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。係る構成によっても、インクの溶媒の蒸気濃度の分布に起因する輝度ムラを改善することができる。
(6)表示パネル10では、行方向に隣接する列バンク522Y間の間隙522zに配されたサブ画素100seの発光層123が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向
に隣接する行バンク122X間の間隙に配されたサブ画素100seの発光層123が発
する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接するサブ画素100seの発光層123が発する光の色は同じであり、列方向に隣接するサ
サブ画素100seの発光層123が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また
、行列方向の両方において隣接するサブ画素100seの発光層123が発する光の色が
互いに異なる構成としてもよい。係る構成によっても、インクの溶媒の蒸気濃度の分布に起因する輝度ムラを改善することができる。
実施の形態に係る表示パネル10では、画素100eには、赤色画素、緑色画素、青色
画素の3種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が1種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する4種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素100eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、
本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を1ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上(あるいは千鳥状)に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
また、上記実施の形態では、画素電極119と対向電極125の間に、ホール注入
層120、ホール輸送層121、発光層123及び電子輸送層124が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層120、ホール輸送層121及び電子輸送層124を用いずに、画素電極119と対向電極125との間に発光層123のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のEL表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
100 有機EL素子
100e 単位画素
100se サブ画素
100a 自己発光領域
100b 非自己発光領域
100x 基板(TFT基板)
119 画素電極
119b コンタクト領域(コンタクトウインドウ)
119c 接続凹部
120 ホール注入層
121 ホール輸送層
122 絶縁層
122X 行バンク
522Y 列バンク
123 発光層
124 電子輸送層
125 対向電極
126 封止層
127 接合層
128 カラーフィルタ層
130 上部基板
131 CF基板
400 整流板
500 チャンバ
500a 開口
600 真空ポンプ
700 支持台
800 昇降手段
801 間隙調整手段
802 駆動手段
803 制御手段
900 インク乾燥装置
Claims (7)
- 有機EL表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板上に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
前記基板上の少なくとも行方向における前記画素電極と前記画素電極の間に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する工程と、
行方向に隣接する前記列バンク間の間隙からなる列状塗布領域それぞれに、列方向に連続して有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、
平面視において、少なくとも前記基板の前記インクが塗布された領域を覆う整流板を、前記基板の上面から第1の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記基板を含む雰囲気の圧力を第1の圧力まで減圧する工程と、
前記雰囲気の圧力が前記第1の圧力に達した後、前記整流板を前記基板の上面から前記第1の距離よりも大きい第2の距離だけ離間させた状態とし、当該状態にて前記雰囲気の圧力を前記第1の圧力より低い第2の圧力以下の圧力まで減圧する工程と、
前記基板を加熱することにより、前記列状塗布領域内に、列方向に連続して延伸する発光層を形成する工程と、
前記整流板を除去した状態で前記発光層上方に対向電極を形成する工程とを含み、
前記第1の圧力は、1×10 4 Pa以上5×10 4 Pa以下であり、
前記第1の距離は、2mm以上10mm以下である
有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記第2の圧力は、1×10-1Paであり、
前記第2の距離は、30mm以上70mm以下である
請求項1に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記基板の前記複数の列バンクを含む範囲の幅に対する前記第1の距離の比率は、5/2000以上5/100以下である
請求項1又は2に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記第1の圧力に到達する時間は、前記雰囲気の圧力の減圧を開始した後、1秒以上300秒以下の時間である
請求項1から3の何れか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記雰囲気の圧力を前記第1の圧力まで減圧する工程では、前記基板に塗布されたインクのレベリングを促進し、
前記雰囲気の圧力を前記第2の圧力まで減圧する工程では、インクに残存する溶媒の蒸発を促進する
請求項1から4の何れか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記整流板は少なくとも前記基板上の前記複数の列バンクと対向する位置に配される
請求項1から5の何れか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記整流板は、前記基板の上方において前記基板を覆い、昇降手段により前記基板に対する相対的な高さを変更される
請求項1から6の何れか1項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006105524A (ja) | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
WO2016047144A1 (ja) | 2014-09-25 | 2016-03-31 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルの製造方法 |
JP2017067343A (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置及び乾燥処理方法 |
US20170317318A1 (en) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Vacuum drying apparatus and method of manufacturing film using the same |
JP2018078094A (ja) | 2016-11-01 | 2018-05-17 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルの製造方法、及びインク乾燥装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
KR100660384B1 (ko) * | 1998-03-17 | 2006-12-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시장치의 제조방법 |
US6134808A (en) | 1998-05-18 | 2000-10-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Gap drying with insulation layer between substrate and heated platen |
JP4216008B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末 |
JP2007090200A (ja) | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 乾燥方法、乾燥装置、および成膜方法、電気光学装置の製造方法、並びに電気光学装置、電子機器 |
JP2010267428A (ja) | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | 機能膜形成方法および機能膜形成装置 |
JP5677435B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
JP5222333B2 (ja) | 2010-09-09 | 2013-06-26 | 富士フイルム株式会社 | 塗布膜の乾燥方法および装置 |
JP6003241B2 (ja) | 2012-05-31 | 2016-10-05 | コニカミノルタ株式会社 | 塗布膜の乾燥装置及び乾燥方法 |
US9312519B2 (en) * | 2012-06-01 | 2016-04-12 | Joled Inc. | Organic light emitting element, organic el display panel, organic el display device, coated device, and method for manufacturing these |
JP6454470B2 (ja) | 2013-03-14 | 2019-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置及び乾燥処理方法 |
JP6328434B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置及び乾燥処理方法 |
JP6114636B2 (ja) | 2013-06-06 | 2017-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置及び乾燥処理方法 |
KR20160011666A (ko) * | 2013-09-19 | 2016-02-01 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 유기 발광 소자의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP6189161B2 (ja) | 2013-09-27 | 2017-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置、乾燥処理方法、基板ホルダ及び溶媒吸着シート |
JP6575239B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2019-09-18 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子の製造方法 |
JP6897021B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2021-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | インク組成物、有機半導体素子の製造方法、有機半導体装置、および光学素子の製造方法 |
JP6804250B2 (ja) | 2016-09-23 | 2020-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置、および減圧乾燥方法 |
JP6909617B2 (ja) | 2016-09-30 | 2021-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
CN107878044B (zh) | 2016-09-30 | 2020-04-07 | 东京毅力科创株式会社 | 减压干燥装置 |
US10553811B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-02-04 | Joled Inc. | Organic EL display panel manufacturing method and ink drying device |
JP6476215B2 (ja) | 2017-01-12 | 2019-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法及びベーク処理システム |
-
2018
- 2018-07-27 JP JP2018141161A patent/JP7076135B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-03 US US16/430,313 patent/US10818879B2/en active Active
- 2019-07-18 CN CN201910652007.4A patent/CN110783494B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006105524A (ja) | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
WO2016047144A1 (ja) | 2014-09-25 | 2016-03-31 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルの製造方法 |
JP2017067343A (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置及び乾燥処理方法 |
US20170317318A1 (en) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Vacuum drying apparatus and method of manufacturing film using the same |
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