JP6575239B2 - 機能素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、機能層形成材料を含むインク、インク容器、当該インクを用いた機能素子の製造方法に関する。

液状体（インク）を液滴として吐出可能なインクジェットヘッドを用いて、例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置の画素に配置される発光層を含む機能層や、液晶表示装置に用いられるカラーフィルターの着色層を形成する液滴吐出法（あるいはインクジェット法とも言う）が知られている。

このような液滴吐出法では、隔壁で区分された塗布膜を形成する領域に、インクジェットヘッドから吐出された液滴を確実に収めて、所望の膜厚を有する塗布膜を形成することが求められる。

例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子の製造においてインクジェット法により塗布される、正孔注入材料または発光材料を含み、粘度が１〜２０ｍＰａ・ｓ（秒）、表面張力が２０〜７０ｍＮ／ｍ、インクジェットヘッドのノズル面を構成する材料に対する接触角が３０〜１７°（度）であるインク組成物が開示されている。このようなインク組成物を用いれば、ノズル孔の目詰まり、インク液滴の飛行曲りを抑えると共に吐出を円滑にし、吐出量及び吐出タイミングの制御が可能となって、インク液滴の安定的な吐出を実現できるとしている。

特開２００７−１０３３８１号公報

しかしながら、上記特許文献１のようにインク組成物における、粘度、表面張力、接触角などの物性を特定したとしても、インクジェットヘッドのノズルから吐出された液滴が塗布膜を形成する領域に確実に収まらないことがあった。例えば、吐出量を抑えて液滴を吐出すると液滴の飛行が不安定になったり、吐出量を増やして液滴を吐出すると尾を引いた状態で液滴が吐出されたりして、吐出された液滴を所望の領域に確実に着弾させることができないという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係るインクは、インクジェットヘッドのノズルから液滴として吐出される機能層形成材料を含むインクであって、前記液滴の吐出量が９．５ｎｇ以上１１ｎｇ以下であり、前記ノズルから前記液滴が吐出速度６ｍ／ｓｅｃ以上９ｍ／ｓｅｃ以下で吐出されたときの前記液滴の長さが、２５０μｍ以下であることを特徴とする。

本適用例に係るインクによれば、液滴の吐出量、吐出速度、液滴の長さのそれぞれの範囲が規定されていることにより、インクジェットヘッドのノズルから所望の領域に安定して液滴を着弾させることが可能なインクを提供できる。

上記適用例に記載のインクにおいて、前記インクジェットヘッドは、前記ノズルごとに設けられた駆動素子としての圧電素子を有し、前記液滴の吐出量が１０ｎｇのときの前記圧電素子の駆動電圧が、１５Ｖ以上３２Ｖ以下であることが好ましい。
この構成によれば、駆動電圧が１５Ｖ以上３２Ｖ以下であることで、ノズルから安定した吐出量で液滴を吐出することができる。具体的には、１５Ｖ未満の低い駆動電圧で圧電素子を駆動した場合には、ノズルから安定した吐出量で液滴を吐出することが難しく、ノズルから液滴が吐出されないこともあり得る。一方、３２Ｖを超える高い駆動電圧で圧電素子を駆動した場合には、圧電素子から発せられる熱によってインクの物性が変化して吐出量がばらつくことがある。すなわち、駆動電圧は１５Ｖ以上３２Ｖ以下が好ましい。

上記適用例に記載のインクにおいて、前記機能層形成材料として、正孔注入層形成材料、正孔輸送層形成材料、発光層形成材料のいずれかを含むことを特徴とする。
この構成によれば、インクジェットヘッドのノズルから所定量のインクを液滴として所望の領域に安定的に着弾させることが可能なインクが提供されるので、所望の領域に所望の膜厚を有する正孔注入層、正孔輸送層、発光層を形成可能なインクを提供できる。

上記適用例に記載のインクにおいて、前記機能層形成材料として、カラーフィルターの着色層形成材料を含むことを特徴とする。
この構成によれば、インクジェットヘッドのノズルから所定量のインクを液滴として所望の領域に安定的に着弾させることが可能なインクが提供されるので、所望の領域に所望の膜厚を有する着色層を形成可能なインクを提供できる。

上記適用例に記載のインクにおいて、前記機能層形成材料として、有機半導体層形成材料を含むことを特徴とする。
この構成によれば、インクジェットヘッドのノズルから所定量のインクを液滴として所望の領域に安定的に着弾させることが可能なインクが提供されるので、所望の領域に所望の膜厚を有する有機半導体層を形成可能なインクを提供できる。

［適用例］本適用例に係るインク容器は、上記適用例に記載のインクが充填されたことを特徴とする。
本適用例のインク容器によれば、インクジェットヘッドのノズルから所望の領域に安定して液滴を着弾させることが可能なインクをインクジェットヘッドに供給することができる。

［適用例］本適用例に係る機能素子の製造方法は、膜形成領域を区画する隔壁を形成する工程と、上記適用例に記載のインクを用い、インクジェットヘッドのノズルから所定量の前記インクを液滴として前記膜形成領域に吐出して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を乾燥して固化し、前記膜形成領域に機能層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、インクジェットヘッドのノズルから所定量のインクを液滴として所望の領域に安定的に着弾させることが可能なインクを用いているので、膜形成領域に所望の膜厚を有する機能層を形成することができる。すなわち、安定した特性を有する機能素子を歩留りよく製造することが可能な機能素子の製造方法を提供できる。

有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 有機ＥＬ素子の構成を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 機能層における画素中央部の膜厚を示す概略断面図。 開口部に対する液滴の吐出状態を示す概略図。 インクジェットヘッドの圧電素子に印加される駆動波形の一例を示す図。 実施例１のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ。 実施例１のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 実施例１のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 実施例１のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 実施例１のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 実施例２のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ。 実施例２のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 実施例２のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 実施例２のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 実施例２のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 実施例３のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ。 実施例３のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 実施例３のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 実施例３のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 実施例３のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 比較例１のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ。 比較例１のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 比較例１のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 比較例１のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 比較例１のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 比較例２のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ。 比較例２のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 比較例２のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 比較例２のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ。 比較例２のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフ。 実施例及び比較例のインクの吐出特性及び液滴の長さに関する評価をまとめた表。 インク容器の一例を示す概略斜視図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

まず、本実施形態の機能素子の製造方法について、機能素子として有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を例に挙げ、図１〜図２を参照して説明する。
図１は有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図２は有機ＥＬ素子の構成を示す概略断面図である。

＜有機ＥＬ装置＞
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光（発光色）が得られるサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂが配置された素子基板１０１を有している。各サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂは略矩形状であり、素子基板１０１の表示領域Ｅにおいてマトリックス状に配置されている。以降、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを総称してサブ画素１１０と呼ぶこともある。同じ発光色のサブ画素１１０が図面上において垂直方向（列方向あるいはサブ画素１１０の長手方向）に配列し、異なる発光色のサブ画素１１０が図面上において水平方向（行方向あるいはサブ画素１１０の短手方向）にＲ，Ｇ，Ｂの順で配列している。すなわち、異なる発光色のサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂが所謂ストライプ方式で配置されている。なお、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂの平面形状と配置は、これに限定されるものではない。また、略矩形状とは、正方形、長方形に加えて、角部が丸くなった四角形、対向する２辺部が円弧状となった四角形を含むものである。

サブ画素１１０Ｒには、赤（Ｒ）の発光が得られる有機ＥＬ素子が設けられている。同じく、サブ画素１１０Ｇには、緑（Ｇ）の発光が得られる有機ＥＬ素子が設けられ、サブ画素１１０Ｂには、青（Ｂ）の発光が得られる有機ＥＬ素子が設けられている。

このような有機ＥＬ装置１００は、異なる発光色が得られる３つのサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを１つの表示画素単位として、それぞれのサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂは電気的に制御される。これによりフルカラー表示が可能となっている。

各サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂには、図２に示す有機ＥＬ素子１３０が設けられている。有機ＥＬ素子１３０は、素子基板１０１上に設けられた反射層１０２と、絶縁膜１０３と、画素電極１０４と、対向電極１０５と、画素電極１０４と対向電極１０５との間に設けられた、発光層１３３を含む機能層１３６とを有している。

画素電極１０４は、陽極として機能するものであり、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂごとに設けられ、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いて形成されている。

画素電極１０４の下層に設けられた反射層１０２は、光透過性を有する画素電極１０４を透過した機能層１３６からの発光を再び画素電極１０４側に反射させるものである。反射層１０２は、光反射性を有する例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの金属やその合金などを用いて形成される。したがって、反射層１０２と画素電極１０４との電気的な短絡を防ぐために、反射層１０２を覆う絶縁膜１０３が設けられる。絶縁膜１０３は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンあるいは酸窒化シリコンなどを用いて形成される。

機能層１３６は、画素電極１０４側から、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３、電子輸送層１３４、電子注入層１３５が順に積層されたものである。特に、発光層１３３は発光色に応じて構成材料が選ばれるが、ここでは発光色に関わらず総称して発光層１３３と呼ぶ。なお、機能層１３６の構成は、これに限定されるものではなく、これらの層以外に、キャリア（正孔や電子）の移動を制御する中間層などを備えていてもよい。

対向電極１０５は、陰極として機能するものであり、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに共通した共通電極として設けられ、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）とＭｇ（マグネシウム）の合金などを用いて形成されている。

陽極としての画素電極１０４側から発光層１３３にキャリアとしての正孔が注入され、陰極としての対向電極１０５側から発光層１３３にキャリアとしての電子が注入される。発光層１３３において注入された正孔と電子とにより、励起子（エキシトン；正孔と電子とがクーロン力にて互いに束縛された状態）が形成され、励起子（エキシトン）が消滅する際（正孔と電子とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。

有機ＥＬ装置１００において、光透過性を有するように対向電極１０５を構成すれば、反射層１０２を有していることから、発光層１３３からの発光を対向電極１０５側から取り出すことができる。このような発光方式はトップエミッション方式と呼ばれている。また、反射層１０２を無くし、光反射性を有するように対向電極１０５を構成すれば、発光層１３３からの発光を素子基板１０１側から取り出すボトムエミッション方式とすることもできる。本実施形態では、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション方式であるとして、以降の説明を行う。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂごとの有機ＥＬ素子１３０をそれぞれ独立して駆動することができる画素回路を素子基板１０１に備えたアクティブ駆動型の発光装置である。画素回路は公知の構成を採用することができるので、図２では画素回路の図示を省略している。

本実施形態において有機ＥＬ装置１００は、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂごとの有機ＥＬ素子１３０における画素電極１０４の外縁と重なると共に、画素電極１０４上に開口部１０６ａを構成する隔壁１０６を有している。
本実施形態において有機ＥＬ素子１３０の機能層１３６は、機能層１３６を構成する正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３のうち、少なくとも１層が液相プロセスで形成されたものである。液相プロセスとは、それぞれの層を構成する成分と溶媒とを含んだ溶液を隔壁１０６で囲まれた膜形成領域としての開口部１０６ａに塗布して乾燥させることにより、それぞれの層を形成する方法である。それぞれの層を所望の膜厚で形成するためには、所定量の溶液を精度よく開口部１０６ａに塗布する必要があり、本実施形態では、液相プロセスとしてインクジェット法（液滴吐出法）を採用している。以降、機能層形成材料と溶媒とを含む溶液をインクと称する。

特に、トップエミッション方式の有機ＥＬ装置１００においては、各サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂのそれぞれにおける発光ムラが目立ち易いため、機能層１３６を構成する各層の断面形状がフラット（平坦）であることが好ましい。本実施形態のインクは、各層の断面形状がフラット（平坦）になるように、開口部１０６ａに所定量のインクを万遍なく塗布して乾燥させている。インクジェットヘッドのノズルからインクを液滴として吐出したときの吐出安定性を考慮して、液滴の吐出量、吐出速度、液滴の長さ、などのパラメーターが所定の範囲に収まるようにインクの調整が行われている。詳しいインクの内容については後述する。

＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、本実施形態の機能素子としての有機ＥＬ素子の製造方法について、図３〜図５を参照して具体的に説明する。図３〜図５は有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図である。なお、前述したように、有機ＥＬ素子１３０を駆動制御する画素回路や、反射層１０２や画素電極１０４の形成方法は、公知の方法を採用できるので、ここでは、隔壁形成工程以降について説明する。

本実施形態の有機ＥＬ素子１３０の製造方法は、隔壁形成工程（ステップＳ１）と、表面処理工程（ステップＳ２）と、機能層形成工程（ステップＳ３）と、対向電極形成工程（ステップＳ４）とを有している。

ステップＳ１の隔壁形成工程では、図３に示すように、反射層１０２及び画素電極１０４が形成された素子基板１０１に、例えばインクに対して撥液性を示す撥液材料を含む感光性樹脂材料を１μｍ〜２μｍの厚みで塗布して乾燥することにより感光性樹脂層を形成する。塗布方法としては、転写法、スリットコート法などが挙げられる。撥液材料としてはフッ素化合物やシロキサン系化合物が挙げられる。感光性樹脂材料としては、ネガ型の多官能アクリル樹脂を挙げることができる。できあがった感光性樹脂層をサブ画素１１０の形状に対応した露光用マスクを用いて露光・現像して、画素電極１０４の外縁と重なると共に、画素電極１０４上に開口部１０６ａを構成する隔壁１０６を形成する。そして、ステップＳ２へ進む。

ステップＳ２の表面処理工程では、隔壁１０６が形成された素子基板１０１に表面処理を施す。表面処理工程は、次工程で機能層１３６を構成する正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３をインクジェット法（液滴吐出法）で形成するに際して、隔壁１０６で囲まれた開口部１０６ａにおいて、機能層形成材料（固形分）を含むインクがむらなく濡れ拡がるように、画素電極１０４の表面の隔壁残渣などの不要物を取り除く目的で行われる。表面処理方法として、本実施形態ではエキシマＵＶ（紫外線）処理を実施した。なお、表面処理方法はエキシマＵＶ処理に限定されず、画素電極１０４の表面を清浄化できればよく、例えば溶媒による洗浄・乾燥工程を行ってもよい。また、画素電極１０４の表面が清浄な状態であれば、表面処理工程を実施しなくてもよい。なお、本実施形態では、撥液材料を含む感光性樹脂材料を用いて隔壁１０６を形成したが、これに限定されるものではなく、撥液材料を含まない感光性樹脂材料を用いて隔壁１０６を形成した後に、ステップＳ２において、フッ素系の処理ガスを用いた例えばプラズマ処理を施して隔壁１０６の表面に撥液性を与え、その後、酸素を処理ガスとするプラズマ処理を施して画素電極１０４の表面を親液化する表面処理を行ってもよい。そして、ステップＳ３へ進む。

ステップＳ３の機能層形成工程では、まず、図４に示すように、正孔注入層形成材料を含むインク５０を開口部１０６ａに塗布する。インク５０の塗布方法は、インクジェットヘッド２０のノズル２１からインク５０を液滴Ｄとして吐出するインクジェット法（液滴吐出法）を用いる。インクジェットヘッド２０から吐出される液滴Ｄの吐出量は、ｐｌ（ピコリットル）単位で制御可能であって、所定量を液滴Ｄの吐出量で除した数の液滴Ｄが開口部１０６ａに吐出される。吐出されたインク５０は隔壁１０６との界面張力により開口部１０６ａにおいて盛り上がるが、溢れてしまうことはない。言い換えれば、開口部１０６ａから溢れ出ない程度の所定量となるように、インク５０における正孔注入層形成材料の濃度が予め調整されている。そして、乾燥工程に進む。

乾燥工程では、例えばインク５０が塗布された素子基板１０１を減圧下に放置し、インク５０から溶媒を蒸発させて乾燥する減圧乾燥を用いる（減圧乾燥工程）。その後、大気圧下で例えば１８０℃で３０分間加熱する焼成処理を施すことにより固化して、図５に示すように正孔注入層１３１を形成する。正孔注入層１３１は、後述する正孔注入層形成材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ１０ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚で形成される。

次に、正孔輸送層形成材料を含むインク６０を用いて正孔輸送層１３２を形成する。正孔輸送層１３２の形成方法も、正孔注入層１３１と同様にインクジェット法（液滴吐出法）を用いて行う。すなわち、所定量のインク６０をインクジェットヘッド２０のノズル２１から液滴Ｄとして開口部１０６ａに吐出する。そして、開口部１０６ａに塗布されたインク６０を減圧乾燥する。その後、窒素などの不活性ガス環境下で、例えば１８０℃で３０分間加熱する焼成処理を施すことにより正孔輸送層１３２を形成する。正孔輸送層１３２は、後述する正孔輸送材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で形成される。また、機能層１３６における他の層との関係で正孔注入層１３１と正孔輸送層１３２とを合体して正孔注入輸送層としてもよい。

次に、発光層形成材料を含むインク７０を用いて発光層１３３を形成する。発光層１３３の形成方法も、正孔注入層１３１と同様に、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて行う。すなわち、所定量のインク７０をインクジェットヘッド２０のノズル２１から液滴Ｄとして開口部１０６ａに吐出する。そして、開口部１０６ａに塗布されたインク７０を減圧乾燥する。その後、窒素などの不活性ガス環境下で、例えば１３０℃で３０分間加熱する焼成処理を施すことにより発光層１３３を形成する。発光層１３３は、後述する発光層形成材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ６０ｎｍ〜８０ｎｍの膜厚で形成される。

次に、発光層１３３を覆って電子輸送層１３４が形成される。電子輸送層１３４を構成する電子輸送材料としては、特に限定されないが、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、ＢＡＬｑ、１，３，５−トリ（５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）（ＯＸＤ−１）、ＢＣＰ（Bathocuproine）、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、４，４’−ｂｉｓ（１，１−ｂｉｓジフェニルエテニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、２，５−ｂｉｓ（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）、４，４’−ｂｉｓ（１，１−ｂｉｓ（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）、２，５−ｂｉｓ（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＢＤ）などを挙げることができる。

また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体などを挙げることができる。これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子輸送層１３４は、上記電子輸送材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ２０ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚で形成される。これにより、陰極としての対向電極１０５から注入された電子を好適に発光層１３３に輸送することができる。なお、機能層１３６における他の層との関係で電子輸送層１３４を削除することもできる。

次に、電子輸送層１３４を覆って電子注入層１３５を形成する。電子注入層１３５を構成する電子注入材料としては、特に限定されないが、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、アルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物を挙げることができる。

アルカリ金属化合物としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ₂ＣＯ₃、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ₂ＣＯ₃、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ₂ＣＯ₃、ＣｓＣｌなどのアルカリ金属塩が挙げられる。また、アルカリ土類金属化合物としては、例えば、ＣａＦ₂、ＣａＣＯ₃、ＳｒＦ₂、ＳｒＣＯ₃、ＢａＦ₂、ＢａＣＯ₃などのアルカリ土類金属塩が挙げられる。これらのアルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物うちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子注入層１３５の膜厚は、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これによって、陰極としての対向電極１０５から電子輸送層１３４に電子を効率よく注入できる。

次に、ステップＳ４の対向電極形成工程では、電子注入層１３５を覆って陰極としての対向電極１０５を形成する。対向電極１０５の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましく、且つ真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕまたはこれらを含む合金などが用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体など）用いることができる。

特に、本実施形態のように、有機ＥＬ装置１００をトップエミッション方式とする場合、対向電極１０５の構成材料としては、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの金属またはＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇなどの合金を用いるのが好ましい。このような金属または合金を用いることにより、対向電極１０５の光透過性を維持しつつ、対向電極１０５の電子注入効率及び安定性の向上を図ることができる。
トップエミッション方式における対向電極１０５の膜厚は、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。

なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション方式とする場合、対向電極１０５には光透過性が求められない。したがって、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄなどの金属または合金が好ましく用いられる。このような金属または合金を対向電極１０５の構成材料として用いることにより、対向電極１０５の電子注入効率及び安定性の向上を図ることができる。
ボトムエミッション方式における対向電極１０５の膜厚は、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。

図２に示すように、上記製造方法により形成された有機ＥＬ素子１３０は、例えば、外部から水分や酸素などが浸入すると、機能層１３６における発光機能が阻害され、部分的に発光輝度が低下したり、発光しなくなったりする暗点（ダークスポット）が発生する。また、発光寿命が短くなるおそれがある。そこで、有機ＥＬ素子１３０を水分や酸素などの浸入から保護するために、封止層（図示省略）によって覆うことが好ましい。封止層としては、例えば、水分や酸素などの透過性が低い、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料を用いることができる。さらには、例えば透明なガラスなどの封止基板を、有機ＥＬ素子１３０が形成された素子基板１０１に接着剤を介して貼り付けることにより、有機ＥＬ素子１３０を封着してもよい。

上記有機ＥＬ素子１３０の製造方法では、機能層１３６のうち、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３を液相プロセス（インクジェット法）で形成したが、これらの層のうち１つを液相プロセス（インクジェット法）で形成すればよく、他の層は真空蒸着などの気相プロセスを用いて形成してもよい。

次に、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３について、液相プロセスまたは気相プロセスで用いることが可能な構成材料について説明する。

［正孔注入層形成材料及び正孔輸送層形成材料］
正孔注入層（ＨＩＬ）１３１や正孔輸送層（ＨＴＬ）１３２の形成に好適な正孔注入輸送材料としては、特に限定されないが、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。

ｐ型の高分子材料（有機ポリマー）としては、例えば、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（（４−sec−ブチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン（ＴＦＢ）などのポリアリールアミンのようなアリールアミン骨格を有する芳香族アミン系化合物、フルオレン−ビチオフェン共重合体のようなフルオレン骨格や、フルオレン−アリールアミン共重合体のようなアリールアミン骨格およびフルオレン骨格の双方を有するポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系、ポリ[ｂｉｓ(４―フェニル)(２，４，６―トリメチルフェニル)アミン])（ＰＴＴＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（フェニル）−ベンジジン］などが挙げられる。
このようなｐ型の高分子材料は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、綜研化学製導電性ポリマーベラゾール（商標）など、ポリアニリンとして日産化学製エルソース（商標）が挙げられる。

ｐ型の低分子材料としては、例えば、１，１−ｂｉｓ（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ｂｉｓ（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）のようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−メチルフェニル）−１，１’ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、トリフェニルアミン−テトラマー（ＴＰＴＥ）、１，３，５−トリス−[４−（ジフェニルアミノ）ベンゼン（ＴＤＡＰＢ）、トリス−（４−カルバゾール−９−イル−フェニル）−アミン（スピローＴＡＤ）、トリス−ｐ−トリルアミン（ＨＴＭ１）、１，１−ｂｉｓ［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＨＴＭ２）、Ｎ４,Ｎ４’−(ビフェニル−４,４’−ジイル)ｂｉｓ（Ｎ４,Ｎ４’,Ｎ４’−トリフェニルビフェニル−４,４’−ジアミン）（ＴＰＴ１）のようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ＰＤＡ−Ｓｉ（Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．Ｖｏｌ．４６２．ｐｐ．２４９−２５６，２００７）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン（ＤＰＰＤ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾール、ＶＢ−ＴＣＡ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００７，１９，３００−３０４）のようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、ＯｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）のようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ｂｉｓ（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物などが挙げられる。なお、ＰＤＡ−Ｓｉは、高分子化を図るために、カチオン重合性化合物：キシレンビスオキセタン（東亞合成 アロンオキセタンＯＸＴ−１２１）、ラジカル重合開始剤：脂肪族系ジアシルパーオキサイド（パーロイルＬ、日本油脂株式会社）が添加されて用いられる。

ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの好ましい溶媒としては、水が挙げられる。他のＰ型の高分子材料や低分子材料の溶媒としては、トルエン、キシレン、３−フェノキシトルエン（３−ＰＴ）などの芳香族溶媒が挙げられる。

次に、蛍光または燐光が得られる発光材料（ＥＭＬ材料）について、発光色ごとに具体例を挙げて説明する。

［赤色発光材料］
まず、赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ポリ[２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−（１−シアノビニレンフェニレン）]、ポリ[｛９，９−ジヘキシル−２，７−ｂｉｓ（１−シアノビニレン）フルオレニレン｝オルト−ｃｏ−｛２，５−ｂｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン｝]、ポリ[{２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−（１−シアノビニレンフェニレン）}−ｃｏ−{２，５−ｂｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン}]などが挙げられる。

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウムなどの金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格などを持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ｂｉｓ［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ファク−トリス（２−フェニル）−ｂｉｓ（２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、ｂｉｓ（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）などが挙げられる。

また、赤色の発光層１３３中には、前述した赤色発光材料の他に、赤色発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料を含んでいてもよい。
ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
このようなホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ナフタセン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体のようなアセン誘導体（アセン系材料）、ジスチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）などのキノリノラト系金属錯体（ＢＡｑｌ）、トリフェニルアミンの４量体などのトリアリールアミン誘導体（ＴＤＡＰＢ）、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体（ＳｉｍＣＰ、ＵＧＨ３）、ジカルバゾール誘導体（ＣＢＰ、ｍＣＰ、ＣＤＢＰ、ＤＣＢ）、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ｂｉｓ（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、リン誘導体（ＰＯ６）などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
前述したような赤色発光材料（ゲスト材料）およびホスト材料を用いる場合、赤色の発光層１３３中における赤色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１ｗｔ％〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。

［緑色発光材料］
緑色発光材料としては、特に限定されず、例えば、各種緑色蛍光材料および緑色燐光材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ｂｉｓ［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−ｃｏ−（１，４−ベンゾ−｛２,１’,３｝−チアジアゾール）］（Ｆ８ＢＴ）などが挙げられる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウムなどの金属錯体が挙げられ、具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ｂｉｓ（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）（Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウムなどが挙げられる。
また、緑色の発光層１３３中には、前述した緑色発光材料の他に、緑色発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。
このようなホスト材料としては、前述した赤色の発光層１３３で説明したホスト材料と同様のものを用いることができる。

［青色発光材料］
青色発光材料としては、例えば、各種青色蛍光材料および青色燐光材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物などのジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ｂｉｓ（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−ｃｏ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（エチルニルベンゼン）］、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（Ｎ,Ｎ’−ジフェニル）−Ｎ,Ｎ’−ジ（パラ−ブチルフェニル）−１,４−ジアミノ−ベンゼン］］などが挙げられる。

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウムなどの金属錯体が挙げられ、具体的には、ｂｉｓ［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム（ＦＩｒｐｉｃ）、トリス（１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ２’）（Ｉｒ（ｐｍｂ）３）、ｂｉｓ（２,４−ジフルオロフェニルピリジネート）（５−（ピリジン−２−イル）−１Ｈ−テトラゾール）イリジウム（ＦＩｒＮ４）、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ｂｉｓ［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ｂｉｓ（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）などが挙げられる。
また、青色の発光層１３３中には、前述した青色発光材料の他に、青色発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。
このようなホスト材料としては、前述した赤色の発光層１３３で説明したホスト材料と同様のものを用いることができる。

なお、本実施形態において、低分子とは平均分子量が１０００未満のものを指し、高分子とは平均分子量が１０００以上であって、基本骨格が繰り返された構造を有するものを指す。これらの発光層形成材料の好ましい溶媒としては、トルエン、キシレン、３−フェノキシトルエン（３−ＰＴ）などの芳香族溶媒が挙げられる。

図６は機能層における画素中央部の膜厚を示す概略断面図である。インクジェット法では、前述したように隔壁１０６で囲まれた開口部１０６ａに所定量のインクを精度よく吐出することで成膜された機能層の膜厚や膜平坦性を確保している。機能層の膜厚ムラは、有機ＥＬ素子１３０における発光ムラや発光寿命に影響する。特に、インクに含まれる固形分が高分子材料か低分子材料かによって、開口部１０６ａにインクを塗布して乾燥させたときに、隔壁１０６の側壁において成膜が始まるピニング位置（膜固定位置）が異なり、これが乾燥後の膜平坦性に影響すると考えられている。

図６に示すように、成膜された膜の画素電極１０４の中央部における膜厚を画素内中央膜厚ｔｃとし、画素電極１０４に接する範囲における膜厚の平均を画素内平均膜厚ｔａとする。これらの膜厚は、例えば触針式の測定装置によって測定することができる。開口部１０６ａに塗布されたインクの乾燥の進み方や上記ピニング位置によって、成膜後の膜断面形状が画素中央部において盛り上がったり、凹んだりする。つまり、画素内中央膜厚ｔｃが変動する。開口部１０６ａに吐出されるインクの総吐出量がばらついていても、インクの乾燥の進み方や上記ピニング位置にも影響を及ぼす。したがって、開口部１０６ａに所定量のインクを精度よく吐出（塗布）することが求められる。

＜液滴の吐出状態＞
図７は、開口部に対する液滴の吐出状態を示す概略図である。図７に示すように、素子基板１０１には、隔壁１０６を形成することにより、各サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに対応した複数の開口部１０６ａが設けられる。インクジェット法では、素子基板１０１とインクジェットヘッド２０とを所定の間隔を置いて対向配置し、素子基板１０１の複数の開口部１０６ａに対してインクジェットヘッド２０を一定の方向に相対移動させる走査の間に、ノズル２１から所定のタイミングで例えばインク５０を液滴Ｄとして吐出させて開口部１０６ａに着弾させる。液滴Ｄは、駆動素子によってインク５０が充填されたキャビティーが加圧され、キャビティーに連通するノズル２１からインク５０が押し出されて分離され液滴Ｄとなって、ノズル２１から尾を引いて吐出される。インクジェットヘッド２０は上記走査によって相対移動していることから、相対移動の影響を受け液滴Ｄの先端部に比べて尾の後端部が遅れて開口部１０６ａに着弾するので、液滴Ｄの先端部の着弾位置と後端部の着弾位置とが異なる。液滴Ｄの長さＬが所定の値よりも長いと、液滴Ｄの後端部が遅れて着弾することから、図７に示すように、本来着弾すべき開口部１０６ａに対して走査方向に隣り合う開口部１０６ａに液滴Ｄの後端部が着弾する、つまりインク５０が隣り合う開口部１０６ａに漏れて着弾するおそれがある。したがって、所定量のインク５０を開口部１０６ａに精度よく塗布するためには、尾を引く液滴Ｄを確実に開口部１０６ａ内に収める必要がある。尾を含めた液滴Ｄの長さＬは、主に、液滴Ｄの吐出量と、吐出速度とによって規定される。液滴Ｄの吐出量、吐出速度は、インクジェットヘッド２０のノズル２１ごとに設けられた駆動素子の駆動条件によって制御することができる。本実施形態のインクジェットヘッド２０は、セイコーエプソン製のＭａｃｈヘッドと呼ばれるもので、上記駆動素子として圧電素子を備えている。また、ノズル２１の径はおよそ２７μｍである。

本実施形態におけるインクジェットヘッド２０のノズル２１が設けられたノズル面と素子基板１０１との間の所定の間隔は、およそ３００μｍである。前述したように開口部１０６ａには複数の液滴Ｄが吐出されて盛り上がるため、開口部１０６ａ内のインク５０の表面とノズル面との距離は、３００μｍ未満となる。素子基板１０１に対するインクジェットヘッド２０の走査の間にノズル２１から液滴Ｄを吐出したときに、開口部１０６ａ内のインク５０に液滴Ｄが触れると、液滴Ｄの吐出が不安定になることから液滴Ｄの長さＬは、３００μｍ未満であって２５０μｍ以下であることが好ましい。なお、液滴Ｄの長さＬは、ノズル面からインクが離れた直後の液滴の長さである。

＜圧電素子の駆動波形＞
図８はインクジェットヘッドの圧電素子に印加される駆動波形の一例を示す図である。図８における縦軸は、最大駆動電圧を「１００」としたときの駆動電圧レベルを示し、横軸は駆動波形における１周期を「２０」としたときの時間軸を示すものである。本実施形態における圧電素子に印加される駆動波形は、ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ型と呼ばれるものである。具体的には、図８に示すように、駆動波形は、基準電圧レベルを「４０」とし、基準電圧レベル「４０」から最大電圧レベル「１００」まで上昇させた後に一定の時間保持する（ｐｕｓｈ波形）。その後、最大電圧レベル「１００」から最小電圧レベル「０」まで降下させて一定の時間保持した後に基準電圧レベル「４０」に戻す（ｐｕｌｌ波形）。電圧レベルが「４０」からスタートし再び「４０」に戻るまでが駆動波形の１周期である。以降において説明する駆動電圧は、最大電圧レベルと最小電圧レベルとの差として定義する。

このような駆動波形において、最大電圧レベルを上げるほどキャビティーの体積変化が大きくなり液滴Ｄの吐出量及び吐出速度は増大する。液滴Ｄの長さＬは、吐出量や吐出速度に依存すると考えられるが、上記駆動波形における電圧レベルが変化する時間にも影響される。例えば、電圧レベルを「４０」から「１００」とする時間や「１００」から「０」にする時間を短くすると、キャビティーにおける体積変化が急激に起こり吐出速度が速くなって液滴Ｄの長さＬが増大する。

＜インク＞
本実施形態のインクは、インクジェットヘッド２０のノズル２１からインクを液滴Ｄとして吐出する際の、液滴Ｄの吐出量（吐出重量（Ｉｗ））の範囲を９．５ｎｇ以上１１．０ｎｇ以下とし、吐出速度（Ｖｍ）の範囲を６ｍ／ｓ（秒）以上９ｍ／ｓ（秒）以下としたときの、尾を含む液滴Ｄの長さＬが２５０μｍ（マイクロメーター）以下という条件を満足するものである。これにより、吐出安定性と着弾性（ねらった開口部にインクが着弾する性能）とを実現した。

また、本実施形態のインクは、液滴Ｄの吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を１０ｎｇとしたときの圧電素子に印加される駆動電圧（最大電圧レベルと最小電圧レベルとの差）の範囲が１５Ｖ以上３２Ｖ以下の条件を満足する。駆動電圧の範囲を１５Ｖ以上３２Ｖ以下とすることでノズル２１から安定した吐出量で液滴Ｄを吐出することができる。具体的には、１５Ｖ未満の低い駆動電圧で圧電素子を駆動した場合には、ノズル２１から安定した吐出量で液滴Ｄを吐出することが難しく、ノズル２１から液滴Ｄが吐出されないこともあり得る。一方、３２Ｖを超える高い駆動電圧で圧電素子を駆動した場合には、圧電素子から発せられる熱によってインクの物性が変化して吐出量がばらつくことがある。すなわち、駆動電圧は１５Ｖ以上３２Ｖ以下が好ましい。さらに、インクジェットヘッド２０は複数のノズル２１を有していることから、ノズル２１ごとの吐出量ばらつきと、吐出量ばらつきに起因する液滴Ｄの長さＬのばらつきを考慮すると、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を１０ｎｇとしたときの圧電素子に印加される駆動電圧は２３Ｖ以下であることがより好ましい。

＜インクの実施例と比較例＞
以降、インクの実施例と比較例とを挙げて、その吐出特性と液滴Ｄの長さについて図９〜図３４を参照して説明する。

（実施例１）
実施例１のインクは、正孔注入層形成材料を含むインクであって、固形分の濃度が１．３ｗｔ％、固形分の良溶媒として３−ＰＴを含むものである。インクの粘度はおよそ３．６ｃＰ（センチポアズ）に調整されている。図８に示した駆動波形の周波数は３０ｋＨｚに設定されている。
図９は実施例１のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ、図１０は実施例１のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図１１は実施例１のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフである。図１２は実施例１のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図１３は実施例１のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフである。グラフ中に示す白抜きの○点は、吐出重量（Ｉｗ）が１０ｎｇであることを示すものである。

本実施形態において、液滴Ｄの吐出重量（Ｉｗ）は、ピコリットル単位の１滴の値を計測することが困難なため、数千から数万発の液滴Ｄを吐出したときのインク総重量を例えば電子天秤などで計測し、それを吐出数で除して求めている。また、吐出速度（Ｖｍ）や液滴Ｄの長さは、例えば、吐出される液滴Ｄを高速度撮影することで、撮像された画像を解析して求めている。

図９に示すように、実施例１のインクでは、駆動電圧が１７Ｖ以上１９．５Ｖ以下の範囲で、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１．０ｎｇ以下に制御可能である。同じく、図１０に示すように、駆動電圧が１７Ｖ以上２０．５Ｖ以下の範囲で、吐出速度（Ｖｍ）を６ｍ／ｓ（秒）以上９ｍ／ｓ（秒）以下に制御可能である。また、図１１に示すように、駆動電圧を２１Ｖ以下とすることで液滴の長さを２５０μｍ以下に制御可能である。また、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））が１０ｎｇのときの駆動電圧はおよそ１８Ｖである。したがって、図１２及び図１３に示すように、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１ｎｇ以下とし、吐出速度（Ｖｍ）を６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下とすれば、液滴の長さはおよそ２２０μｍ以下となる。

（実施例２）
実施例２のインクは、正孔輸送層形成材料を含むインクであって、固形分の濃度が０．５ｗｔ％、固形分の良溶媒として３−ＰＴを含むものである。インクの粘度はおよそ８．１ｃＰ（センチポアズ）に調整されている。駆動波形の周波数は３０ｋＨｚに設定されている。また、実施例１に対して駆動波形における基準電圧レベルは「３０」に設定されている。これは、実施例１よりもインクの粘度が上昇していることに対応して駆動波形の最大電圧レベルを維持したまま基準電圧レベルを下げ、ｐｕｓｈ波形の電圧レベルを実質的に上昇させたものである。
図１４は実施例２のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ、図１５は実施例２のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図１６は実施例２のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフである。図１７は実施例２のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図１８は実施例２のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフである。
図１４に示すように、実施例２のインクでは、駆動電圧が２１Ｖ以上２４．５Ｖ以下の範囲で、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１．０ｎｇ以下に制御可能である。同じく、図１５に示すように、駆動電圧が２２Ｖ以上２５Ｖ以下の範囲で、吐出速度を６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下に制御可能である。また、図１６に示すように、駆動電圧を２４．５Ｖ以下とすることで液滴の長さを２５０μｍ以下に制御可能である。また、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））が１０ｎｇのときの駆動電圧はおよそ２２．５Ｖである。したがって、図１７及び図１８に示すように、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１ｎｇ以下とし、吐出速度（Ｖｍ）を６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下とすれば、液滴の長さは２５０μｍ以下となる。

（実施例３）
実施例３のインクは、緑色の発光が得られる発光層形成材料を含むインクであって、固形分の濃度が１．６ｗｔ％、固形分の良溶媒として３−ＰＴを含むものである。インクの粘度はおよそ６．２ｃＰ（センチポアズ）に調整されている。駆動波形の周波数は３０ｋＨｚに設定されている。また、実施例２と同様に、駆動波形における基準電圧レベルが「３０」に設定されている。これは、実施例１よりもインクの粘度が上昇していることに対応して駆動波形の最大電圧レベルを維持したまま基準電圧レベルを下げ、ｐｕｓｈ波形の電圧レベルを実質的に上昇させたものである。
図１９は実施例３のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ、図２０は実施例３のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図２１は実施例３のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフである。図２２は実施例３のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図２３は実施例３のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフである。
図１９に示すように、実施例３のインクでは、駆動電圧が２０Ｖ以上２２．５Ｖ以下の範囲で、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１．０ｎｇ以下に制御可能である。同じく、図２０に示すように、駆動電圧が２０．５Ｖ以上２３．５Ｖ以下の範囲で、吐出速度（Ｖｍ）を６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下に制御可能である。また、図２１に示すように、駆動電圧を２５Ｖ以下とすることで液滴の長さを２５０μｍ以下に制御可能である。また、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））が１０ｎｇのときの駆動電圧はおよそ２０．５Ｖである。したがって、図２２及び図２３に示すように、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１ｎｇ以下とし、吐出速度（Ｖｍ）を６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下とすれば、液滴の長さはおよそ１８０μｍ以下となる。

（比較例１）
比較例１のインクは、青色の発光が得られる発光層形成材料を含むインクであって、固形分の濃度が２．０ｗｔ％、固形分の良溶媒として３−ＰＴを含むものである。インクの粘度はおよそ１５ｃＰ（センチポアズ）となっている。駆動波形の周波数は３０ｋＨｚに設定されている。比較例１もまた、駆動波形における基準電圧レベルが「３０」に設定されている。これは、実施例１よりもインクの粘度が上昇していることに対応して駆動波形の最大電圧レベルを維持したまま基準電圧レベルを下げ、ｐｕｓｈ波形の電圧レベルを実質的に上昇させたものである。
図２４は比較例１のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ、図２５は比較例１のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図２６は比較例１のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフである。図２７は比較例１のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図２８は比較例１のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフである。
図２４に示すように、比較例１のインクでは、駆動電圧が２５Ｖ以上２８Ｖ以下の範囲で、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１．０ｎｇ以下に制御可能である。同じく、図２５に示すように、駆動電圧が２５．５Ｖ以上２９Ｖ以下の範囲で、吐出速度（Ｖｍ）を６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下に制御可能である。また、図２６に示すように、駆動電圧を２４Ｖとしても液滴の長さはおよそ２８０μｍとなる。また、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））が１０ｎｇのときの駆動電圧はおよそ２６Ｖである。したがって、図２７及び図２８に示すように、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１ｎｇ以下とし、吐出速度（Ｖｍ）を６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下とすると、双方の範囲を満足する液滴の長さは３４０μｍ以上４３０μｍ以下となる。

（比較例２）
比較例２のインクは、比較例１のインクと基本的に同じものであるが、駆動波形の周波数を３０ｋＨｚから１０ｋＨｚに低下させた。駆動波形における基準電圧レベルは比較例１と同様に「３０」としている。これによって、吐出速度（Ｖｍ）を低下させ液滴の長さを調整しようと試みたものである。
図２９は比較例２のインクにおける駆動電圧と吐出重量（Ｉｗ）との関係を示すグラフ、図３０は比較例２のインクにおける駆動電圧と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図３１は比較例２のインクにおける駆動電圧と液滴の長さとの関係を示すグラフである。図３２は比較例２のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と吐出速度（Ｖｍ）との関係を示すグラフ、図３３は比較例２のインクにおける吐出重量（Ｉｗ）と液滴の長さとの関係を示すグラフである。
図２９に示すように、比較例２のインクでは、駆動電圧が２３．５Ｖ以上２６Ｖ以下の範囲で、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１．０ｎｇ以下に制御可能である。同じく、図３０に示すように、駆動電圧が２５．５Ｖ以上２９Ｖ以下の範囲で、吐出速度（Ｖｍ）を６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下に制御可能である。また、図３１に示すように、駆動電圧を２３Ｖ以下とすれば液滴の長さを２５０μｍ以下とすることが可能である。また、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））が１０ｎｇのときの駆動電圧はおよそ２４Ｖである。したがって、図３２及び図３３に示すように、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））を９．５ｎｇ以上１１ｎｇ以下とし、吐出速度（Ｖｍ）を６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下とすると、双方の範囲を満足する液滴の長さは３２０μｍ以上３５０μｍ以下となる。

図３４は実施例及び比較例のインクの吐出特性及び液滴の長さに関する評価をまとめた表である。図３４に示すように、評価における判定項目のＮｏ．１は、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））の範囲が９．５ｎｇ〜１１ｎｇまで安定吐出可能であること。判定項目のＮｏ．２つは、１０ｎｇの液滴を吐出するときの駆動電圧が２３．０（Ｖ）以下であること。判定項目のＮｏ．３は、１０ｎｇの液滴を吐出したときの吐出速度（Ｖｍ）が６ｍ／ｓ以上９ｍ／ｓ以下の範囲内であること。判定項目のＮｏ．４は、１０ｎｇの液滴を吐出したときの液滴の長さが２５０μｍ以下であること。以上、４つの判定項目をすべてクリアーしたインクを総合判定でＯＫ（合格）とした。

図３４に示すように、前述した実施例１〜実施例３のインクは、いずれも４つの判定項目をクリアーし、総合判定はＯＫ（合格）である。これに対して、比較例１のインクは、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））の範囲と吐出速度（Ｖｍ）の範囲はクリアーしたが、駆動電圧と液滴の長さにおいてクリアーできず、総合判定はＮＧ（不合格）である。また、比較例２のインクは、吐出量（吐出重量（Ｉｗ））の範囲はクリアーしたが、吐出速度（Ｖｍ）の範囲、駆動電圧、液滴の長さにおいてクリアーできず、総合判定はＮＧ（不合格）である。
また、実施例１〜実施例３のインクを用いて有機ＥＬ素子１３０を形成すると、開口部１０６ａにおいて、所望の膜厚と膜平坦性とを有する、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、緑（Ｇ）の発光層１３３を形成することができた。
一方で、比較例１及び比較例２のインクを用いて青色の発光層１３３を形成しようとしても、液滴の長さが長く安定して吐出できないことから、青色の発光層１３３を成膜できなかった。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うインク及び該インクを用いた機能素子の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）本実施形態のインクを適用可能なインクジェットヘッド２０は、駆動素子として圧電素子を有するものに限定されない。例えば、駆動素子としてキャビティーの一部を構成する振動板を静電気によって振動させる電気機械変換素子や、キャビティーに充填されたインクを加熱して気泡を発生させ、気泡の圧力でインクを液滴として吐出する加熱素子を備えたインクジェットヘッドにも適用可能である。

（変形例２）本実施形態のインクを適用可能な機能素子の製造方法は、有機ＥＬ素子の製造方法に限定されない。例えば、顔料などの色材を含むインクを用いてカラーフィルターの着色層を形成するカラーフィルターの製造方法や、有機半導体層形成材料を含むインクを用いて有機半導体層を形成する有機トランジスターの製造方法にも適用できる。カラーフィルターの製造方法に適用すれば、異なる色の着色層の混色を防止することができる。

（変形例３）図３５はインク容器の一例を示す概略斜視図である。図３５に示すように、インク容器の一例としてのインクパック４０は、液体収容袋４１と、液体収容袋４１の内部と外部とを連通させる連通部４５とを備えている。液体収容袋４１は、同じ大きさの長方形状で可撓性を有する２枚のフィルム部材４２，４３を重ね合わせて、その４辺の縁を熱溶着することにより袋状に形成されている。また、液体収容袋４１の４辺のうちの１つである辺４４には、連通部４５が、両フィルム部材４２，４３に挟まれた状態で熱溶着されている。これにより、液体収容袋４１の内部空間は封止されるようになっており、その内部空間にインクが充填される。
フィルム部材４２，４３は、例えば、ポリエチレンフィルムなどの熱可塑性樹脂層の間に蒸着されたアルミニウムなどのガスバリア層を挟んだ積層構造となっている。そして、連通部４５は、フィルム部材４２，４３の上記熱可塑性樹脂層と熱溶着可能な樹脂から形成されている。連通部４５を通じてインクが液体収容袋４１の内部に充填される。連通部４５をキャップすれば、インクが充填されたインクパック４０を密封することができる。インク容器としてのインクパック４０の容量は例えば５００ｍｌ（ミリリットル）である。このように、本実施形態のインクが充填されたインク容器もまたインクの性能を発揮させる上で重要な要素であって、本発明の技術的な範囲に含まれるものである。なお、インク容器は、インクパック４０に限らず、密閉可能であればよく、インクの収容部がリジッドなカートリッジ形式やタンク形式であってもよい。

２０…インクジェットヘッド、２１…ノズル、５０，６０，７０…インク、１００…有機ＥＬ装置、１０６…隔壁、１０６ａ…膜形成領域としての開口部、１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂ…サブ画素、１３０…機能素子としての有機ＥＬ素子。

Claims (6)

1. インクジェットヘッドのノズルから機能層形成材料を含むインクを液滴として吐出する工程を含み、
   前記液滴の吐出量が９．５ｎｇ以上１１ｎｇ以下であり、
   前記ノズルから前記液滴が吐出速度６ｍ／ｓｅｃ以上９ｍ／ｓｅｃ以下で吐出されたときの前記液滴の長さが、２５０μｍ以下であることを特徴とする機能素子の製造方法。
2. 前記インクジェットヘッドは、前記ノズルごとに設けられた駆動素子としての圧電素子を有し、
   前記液滴の吐出量が１０ｎｇのときの前記圧電素子の駆動電圧が、１５Ｖ以上３２Ｖ以下であることを特徴とする請求項１に記載の機能素子の製造方法。
3. 前記機能層形成材料として、正孔注入層形成材料、正孔輸送層形成材料、発光層形成材料のいずれかを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の機能素子の製造方法。
4. 前記機能層形成材料として、カラーフィルターの着色層形成材料を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の機能素子の製造方法。
5. 前記機能層形成材料として、有機半導体層形成材料を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の機能素子の製造方法。
6. 膜形成領域を区画する隔壁を形成する工程と、
   インクジェットヘッドのノズルからインクを液滴として前記膜形成領域に吐出して塗布膜を形成する工程と、
   前記塗布膜を乾燥して固化し、前記膜形成領域に機能層を形成する工程と、
   を備え、
   前記液滴の吐出量が９．５ｎｇ以上１１ｎｇ以下であり、
   前記ノズルから前記液滴が吐出速度６ｍ／ｓｅｃ以上９ｍ／ｓｅｃ以下で吐出されたときの前記液滴の長さが、２５０μｍ以下であることを特徴とする機能素子の製造方法。

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