JP2017010633A - 有機ｅｌ素子の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】機能層の膜質の低下を抑制し、所望の素子特性を有する有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置および電子機器を提供する。【解決手段】有機ＥＬ素子１３０の製造方法は、基体において、発光層１３３を含む機能層１３６を備え、前記機能層１３６のうち、液相プロセスにより前記発光層１３３を含む第１の層を形成する工程と、前記機能層１３６のうち、気相プロセスにより前記第１の層に積層して第２の層を形成する工程と、を有し、前記第２の層を形成する工程の前に、１．０×１０-3Ｐａ以下の減圧雰囲気下に所定の時間以上前記基体を減圧雰囲気下に置く工程を備えている。【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置および電子機器に関する。

従来から、有機ＥＬ（Electro−Luminescence；エレクトロルミネッセンス）素子は、有機発光層を含む機能層を備えており、水分などの影響を受けて、機能層における発光機能が低下したり失われたりすることが知られている。従って、有機ＥＬ素子を製造する際には、所望の素子特性が得られるように、水分などの影響を受けないようにプロセスを管理することが求められている。
そのため、例えば、特許文献１では、基板上に塗布法によって形成された有機膜を減圧状態で焼成できる減圧機構を備えることにより、焼成時に、水分が有機膜に吸着することを抑制し、乾燥が促進される焼成装置が開示されている。

特開２０１１−２３３４２６号公報

しかしながら、特許文献１は、塗布法により有機発光層を含む有機層を形成した後、蒸着法によりさらに陰極層を形成する場合、塗布法で用いた溶媒が十分に除去されないと、蒸着中に、残留した溶媒から水分だけでなくアウトガスが発生する。
その結果、塗布法により形成した有機層の膜質がアウトガスの影響で低下し、有機ＥＬ素子の素子特性、例えば、発光特性や素子寿命が劣化してしまうおそれがあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基体において、発光層を含む機能層を備えた有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記機能層のうち、液相プロセスにより前記発光層を含む第１の層を形成する工程と、前記機能層のうち、気相プロセスにより前記第１の層に積層して第２の層を形成する工程と、を有し、前記第２の層を形成する工程より前に、所定の時間以上前記基体を減圧雰囲気下に置く工程を備え、前記減圧雰囲気の絶対圧は、１．０×１０^-3Ｐａ以下であることを特徴とする。

この方法によれば、気相プロセスの前に、基体を減圧雰囲気下に所定の時間以上減圧雰囲気下に置くことにより、液相プロセスにより形成した第１の層に残留している溶媒から発生する水分やアウトガスを十分に除去することができる。そのため、気相プロセスにおいて発生する水分やアウトガスを低減し、機能層の膜質の低下を抑制し、所望の素子特性を有する有機ＥＬ素子を製造することができる。

上記適用例に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記基体を減圧雰囲気下に置く工程において、前記所定の時間は、１時間であることを特徴とする。

この方法によれば、気相プロセスの前に、基体を減圧雰囲気下に１時間以上減圧雰囲気下に置くことにより、液相プロセスにより形成した第１の層に残留している溶媒から発生する水分やアウトガスを十分に除去することができる。

上記適用例に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記基体を減圧雰囲気下に置く工程は、前記第１の層を形成する工程より後であることを特徴とする。

この方法によれば、発光層から発生する水分やアウトガスをより確実に除去してから気相プロセスを行うことができる。そのため、基体を気相プロセスより前の工程で滞留させることが可能になり、工程設計が容易になる。

上記適用例に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記第１の層を形成する工程は、前記液相プロセスにより発光層前駆体を形成する工程と、前記発光層前駆体を焼成して前記発光層を形成する工程と、を含み、前記基体を減圧雰囲気下に置く工程は、前記発光層前駆体を形成する工程より後、かつ前記発光層を形成する工程より前に行うことを特徴とする。

この方法によれば、発光層前駆体を焼成する前に、水分やアウトガスを十分に除去することができるので、発光層前駆体を焼成する際の焼成温度を低くすることができる。そのため、有機ＥＬ素子に対して熱の影響を低減させ、素子特性を向上させることができる。

上記適用例に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記第２の層は、電子輸送層、電子注入層、陰極のうちの少なくとも１つの層を含むことを特徴とする。

この方法によれば、第２の層が、発光層に効率的に電子を注入することができる。

上記適用例に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記液相プロセスは、インクジェット法であることを特徴とする。

この方法によれば、第１の層を形成する領域に、第１の層の材料を含む所定量の溶液を精度よく塗布することができる。そのため、所望の膜厚の第１の層を形成することができる。

上記適用例に係る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記気相プロセスは、真空蒸着法であることを特徴とする。

この方法によれば、スパッタリング法と比較して、第１の層にダメージを与え難い。そのため、有機ＥＬ素子の素子特性を向上させることができる。

［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ素子を備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、優れた電気光学特性を有する電気光学装置を提供することができる。

［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、優れた電気光学特性を有する電子機器を提供することができる。

電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 有機ＥＬ素子の構造を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャート。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。 有機ＥＬ素子の製造装置を示す概略平面図。 実施例および比較例の有機ＥＬ素子の製造方法における保管状態と有機ＥＬ素子の素子特性との関係を示す表。 実施例および比較例の有機ＥＬ素子の素子特性を示す表。 電子機器の一例であるノート型のパーソナルコンピューターを示す概略図。 電子機器の一例である薄型テレビ（ＴＶ）を示す概略図。

以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさにして、説明を分かりやすくするため、各構成要素の尺度を実際とは異なる尺度で記載している場合がある。

（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ素子を備える電気光学装置について、図１および図２を参照して説明する。図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図であり、図２は、有機ＥＬ素子の構造を示す概略断面図である。

図１に示すように、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光（発光色）が得られるサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂが配置された素子基板１０１を有している。素子基板１０１は、ガラスなどからなる透明な基板である。

各サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂは略矩形状であり、素子基板１０１の表示領域Ｅにおいてマトリックス状に配置されている。ここで、略矩形状とは、正方形、長方形に加えて、角部が丸くなった四角形、対向する２辺部が円弧状となった四角形を含むものである。以降、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを総称してサブ画素１１０と呼ぶこともある。

同じ発光色のサブ画素１１０が、図面上において垂直方向（列方向あるいはサブ画素１１０の長手方向）に配列し、異なる発光色のサブ画素１１０が図面上において水平方向（行方向あるいはサブ画素１１０の短手方向）にＲ，Ｇ，Ｂの順で配列している。

すなわち、異なる発光色のサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂが、いわゆるストライプ方式で配置されている。なお、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂの平面形状と配置は、これに限定されるものではない。

サブ画素１１０Ｒには、赤（Ｒ）の発光が得られる有機ＥＬ素子が設けられており、同じく、サブ画素１１０Ｇには、緑（Ｇ）の発光が得られる有機ＥＬ素子が設けられており、サブ画素１１０Ｂには、青（Ｂ）の発光が得られる有機ＥＬ素子が設けられている。

このような有機ＥＬ装置１００は、異なる発光色が得られる３つのサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを１つの表示画素単位として、それぞれのサブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂは電気的に制御される。これによりフルカラー表示が可能となっている。

各サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂには、図２に示す有機ＥＬ素子１３０が設けられている。図２に示すように、有機ＥＬ素子１３０は、基体としての素子基板１０１と、絶縁膜１０２と、画素電極１０３と、対向電極１０４と、機能層１３６と、を有している。

絶縁膜１０２は、素子基板１０１と画素電極１０３との電気的な短絡を防ぐために、素子基板１０１上に形成されており、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンあるいは酸窒化シリコンなどを用いて形成される。

画素電極１０３は、陽極として機能するものであり、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂごとに設けられ、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いて形成されている。

対向電極１０４は、陰極として機能するものであり、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに共通した共通電極として設けられ、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）とＭｇ（マグネシウム）の合金などを用いて形成されている。

陽極としての画素電極１０３側から発光層１３３にキャリアとしての正孔が注入され、陰極としての対向電極１０４側から発光層１３３にキャリアとしての電子が注入される。

発光層１３３において、注入された正孔と電子とにより、励起子（エキシトン）が形成され、励起子（エキシトン）が消滅する際に、言い換えれば、正孔と電子とが再結合する際に、エネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。励起子（エキシトン）とは、正孔と電子とがクーロン力にて互いに束縛された状態のことをいう。

機能層１３６は、画素電極１０３と対向電極１０４との間に設けられており、画素電極１０３側から、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３、電子輸送層１３４、電子注入層１３５が順に積層されたものである。

特に、発光層１３３は発光色に応じて構成材料が選ばれるが、ここでは、発光色に関わらず総称して発光層１３３と呼ぶ。
なお、機能層１３６の構成は、これに限定されるものではなく、これらの層以外に、電荷（キャリア；正孔や電子）の移動を制御する中間層などを備えていてもよい。

有機ＥＬ装置１００において、光反射性を有するように対向電極１０４を構成すれば、発光層１３３からの発光を素子基板１０１側から取り出すボトムエミッション方式とすることができる。

また、画素電極１０３と素子基板１０１との間に反射層を設ける、または光反射性を有するように画素電極１０３を構成し、光透過性を有するように対向電極１０４を構成すれば、発光層１３３からの発光を対向電極１０４側から取り出すトップエミッション方式とすることもできる。

本実施形態では、有機ＥＬ装置１００がボトムエミッション方式であるとして、以降の説明を行う。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂごとの有機ＥＬ素子１３０をそれぞれ独立して駆動することができる画素回路を素子基板１０１に備えたアクティブ駆動型である。画素回路は、公知の構成を採用することができるので、図２では画素回路の図示を省略している。

有機ＥＬ装置１００は、サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂごとの有機ＥＬ素子１３０における画素電極１０３の外縁と重なると共に、画素電極１０３上に開口部１０５ａを構成する隔壁１０５を備えている。

有機ＥＬ素子１３０は、機能層１３６を構成する正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３が液相プロセスにより形成されたものである。ここで、液相プロセスとは、それぞれの層を構成する成分と溶媒とを含んだ溶液、言い換えれば、機能層１３６を形成するために用いる材料（機能層形成用組成物）を隔壁１０５で囲まれた開口部１０５ａに塗布して乾燥、焼成することにより、それぞれの層を形成する方法である。

それぞれの層を所望の膜厚で形成するためには、機能層形成用組成物を、量と位置とに関して精度よく、開口部１０５ａに塗布する必要があり、本実施形態では、液相プロセスとして、インクジェット法（液滴吐出法）を採用している。

＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法について、図面を参照して具体的に説明する。図３は、有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャートであり、図４〜図１０は、有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図である。
なお、前述したように、有機ＥＬ素子１３０を駆動制御する画素回路や画素電極１０３の形成方法は、公知の方法を採用することができるので、ここでは、隔壁１０５を形成する工程以降について説明する。

本実施形態の有機ＥＬ素子１３０の製造方法は、隔壁１０５を形成する工程（ステップＳ１）と、表面処理をする工程（ステップＳ２）と、機能層１３６のうち、液相プロセスにより発光層１３３を含む第１の層を形成する工程（ステップＳ３）と、減圧雰囲気下に基体としての素子基板１０１を減圧雰囲気下に置く工程（ステップＳ４）と、機能層１３６のうち、気相プロセスにより第１の層に積層して第２の層を形成する工程（ステップＳ５）と、封止する工程（ステップＳ６）と、を備えている。

本実施形態において、第１の層は、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、および発光層１３３に相当する。第２の層は、電子輸送層１３４、電子注入層１３５、および対向電極１０４（陰極）に相当する。

（１）ステップＳ１ 隔壁を形成する工程
まず、図４に示すように、画素電極１０３が形成された素子基板１０１に、例えば、機能層形成用組成物（以下、インクという）に対して撥液性を示す撥液材料を含む感光性樹脂材料を、１μｍ〜２μｍの厚みで塗布して乾燥することにより感光性樹脂層（図示せず）を形成する。

塗布方法としては、転写法、スリットコート法などが挙げられる。撥液材料としては、フッ素化合物やシロキサン系化合物が挙げられる。感光性樹脂材料としては、ネガ型の多官能アクリル樹脂を挙げることができる。

次に、できあがった感光性樹脂層をサブ画素１１０の形状に対応した露光用マスクを用いて露光、現像して、画素電極１０３の外縁と重なると共に、画素電極１０３上に開口部１０５ａを構成する隔壁１０５を形成する。

（２）ステップＳ２ 表面処理をする工程
隔壁１０５が形成された素子基板１０１に表面処理を施す。表面処理をする工程は、次工程で機能層１３６を構成する正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３をインクジェット法（液滴吐出法）で形成する際に、隔壁１０５で囲まれた開口部１０５ａにおいて、インク５０がむらなく濡れ拡がるように、画素電極１０３の表面の隔壁残渣などの不要物を取り除く目的で行われる。

表面処理をする方法として、本実施形態ではエキシマＵＶ（紫外線）処理を実施した。なお、表面処理をする方法は、エキシマＵＶ処理に限定されず、画素電極１０３の表面を清浄化できればよく、例えば、溶媒による洗浄、乾燥工程を行ってもよい。また、画素電極１０３の表面が清浄な状態であれば、表面処理をする工程を実施しなくてもよい。

本実施形態では、撥液材料を含む感光性樹脂材料を用いて隔壁１０５を形成したが、これに限定されるものではない。例えば、撥液材料を含まない感光性樹脂材料を用いて隔壁１０５を形成した後に、フッ素系の処理ガスを用いたプラズマ処理を施して隔壁１０５の表面に撥液性を与え、その後、酸素を処理ガスとするプラズマ処理を施して画素電極１０３の表面を親液化する表面処理を行ってもよい。

（３）ステップＳ３ 第１の層を形成する工程
図５に示すように、正孔注入層を形成するために用いる材料（正孔注入層形成材料）を含むインク５０を開口部１０５ａに塗布する（塗布工程）。インク５０の塗布方法は、インク５０をインクジェットヘッド３０のノズル３１から液滴Ｄとして吐出するインクジェット法（液滴吐出法）を用いる。

インクジェットヘッド３０から吐出される液滴Ｄの吐出量は、ｐｌ（ピコリットル）単位で制御可能であって、所定量を液滴Ｄの吐出量で除した数の液滴Ｄが開口部１０５ａに吐出される。吐出されたインク５０は、隔壁１０５との界面張力により開口部１０５ａにおいて盛り上がるが、溢れてしまうことはない。言い換えれば、開口部１０５ａから溢れ出ない程度の所定量となるように、インク５０における後述する正孔注入層形成材料の濃度が予め調整されている。

次に、インク５０が塗布された素子基板１０１を減圧下に放置し、インク５０から溶媒を蒸発させて乾燥する（減圧乾燥工程）。

次に、図６に示すように、窒素などの不活性ガス雰囲気下で、例えば、１８０℃で、３０分間加熱する焼成処理を施すことにより固化して、正孔注入層１３１が完成する（焼成工程）。

正孔注入層１３１は、正孔注入層形成材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で、必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ４０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成される。

次に、図７に示すように、後述する正孔輸送層を形成するために用いる材料（正孔輸送層形成材料）を含むインク６０を用いて正孔輸送層１３２を形成する。正孔輸送層１３２の形成方法も、正孔注入層１３１と同様に、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて行う。すなわち、所定量のインク６０をインクジェットヘッド３０のノズル３１から液滴Ｄとして開口部１０５ａに吐出する（塗布工程）。

次に、インク６０が塗布された素子基板１０１を減圧下に放置し、インク６０から溶媒を蒸発させて乾燥する（減圧乾燥工程）。

次に、図８に示すように、窒素などの不活性ガス雰囲気下で、例えば、２２０℃で、３０分間加熱する焼成処理を施すことにより固化して、正孔輸送層１３２が完成する（焼成工程）。

正孔輸送層１３２は、正孔輸送層形成材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で、必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ１０ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚で形成される。
また、機能層１３６における他の層との関係で、正孔注入層１３１と正孔輸送層１３２とを合体させた正孔注入輸送層としてもよい。

次に、図９に示すように、後述する発光層形成材料を含むインク７０を用いて発光層１３３を形成する。発光層１３３の形成方法も、正孔注入層１３１と同様に、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて行う。すなわち、所定量のインク７０をインクジェットヘッド３０のノズル３１から液滴Ｄとして開口部１０５ａに吐出する（塗布工程）。

次に、インク７０が塗布された素子基板１０１を減圧下に放置し、インク７０から溶媒を蒸発、乾燥させて発光層前駆体（図示せず）を形成する（減圧乾燥工程）。

次に、図１０に示すように、発光層前駆体を窒素などの不活性ガス雰囲気下で、例えば、１６０℃で、１０分間加熱する焼成処理を施すことにより固化して、発光層１３３が完成する（焼成工程）。

発光層１３３は、発光層形成材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で、必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ４０ｎｍ〜７０ｎｍの膜厚で形成される。

（４）ステップＳ４ 素子基板を減圧雰囲気下に置く工程
次に、発光層１３３まで形成された素子基板１０１を減圧雰囲気下に置く（以下、保管するという）。この素子基板１０１を保管する環境は、特に限定されるものではないが、例えば、ターボ分子ポンプやクライオポンプなどの真空ポンプが接続されており、減圧できる密閉された空間として、真空チャンバーなどが挙げられる。

詳細は後述するが、このときの、素子基板１０１を保管する雰囲気の真空度（保管真空度）は、１．０×１０^-3Ｐａ以下であることが望ましい。また、保管する時間（保管時間）は、１時間以上であることが望ましい。

（５）ステップＳ５ 第２の層を形成する工程
次に、発光層１３３と隔壁１０５とを覆って電子輸送層１３４を形成する（図２参照）。電子輸送層１３４を構成する電子輸送材料としては、特に限定されないが、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成できるように、例えば、ＢＡＬｑ、１，３，５−トリ（５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）（ＯＸＤ−１）、ＢＣＰ（Bathocuproine）、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、４，４’−ｂｉｓ（１，１−ｂｉｓジフェニルエテニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、２，５−ｂｉｓ（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）、４，４’−ｂｉｓ（１，１−ｂｉｓ（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）、２，５−ｂｉｓ（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＢＤ）などを挙げることができる。

また、電子輸送層１３４を構成する電子輸送材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体などを挙げることができる。これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子輸送層１３４は、上記電子輸送材料の選択や機能層１３６における他の層との関係で、必ずしもこれに限定されるものではないが、およそ２０ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚で形成される。これにより、陰極としての対向電極１０４から注入された電子を好適に発光層１３３に輸送することができる。また、機能層１３６における他の層との関係で、電子輸送層１３４を省略することもできる。

次に、電子輸送層１３４を覆って電子注入層１３５を形成する（図２参照）。電子注入層１３５を構成する電子注入材料としては、特に限定されないが、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成できるように、例えば、アルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物を挙げることができる。

アルカリ金属化合物としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ₂ＣＯ₃、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ₂ＣＯ₃、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ₂ＣＯ₃、ＣｓＣｌなどのアルカリ金属塩が挙げられる。また、アルカリ土類金属化合物としては、例えば、ＣａＦ₂、ＣａＣＯ₃、ＳｒＦ₂、ＳｒＣＯ₃、ＢａＦ₂、ＢａＣＯ₃などのアルカリ土類金属塩が挙げられる。これらのアルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物うちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子注入層１３５の膜厚は、特に限定されないが、１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これによって、陰極としての対向電極１０４から電子輸送層１３４に電子を効率よく注入できる。

次に、電子注入層１３５を覆って陰極としての対向電極１０４を形成する（図２参照）。対向電極１０４の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましく、かつ、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成できるものが好ましい。

対向電極１０４の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕ、または、これらを含む合金などが用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体など）用いることができる。

特に、本実施形態のように、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション方式とする場合には、対向電極１０４に光反射性が求められるため、対向電極１０４の構成材料として、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄなどの金属または合金が好ましく用いられる。このような金属または合金を対向電極１０４の構成材料として用いることにより、対向電極１０４の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

ボトムエミッション方式における対向電極１０４の膜厚は、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。

有機ＥＬ装置１００をトップエミッション方式とする場合、対向電極１０４の構成材料としては、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの金属、またはＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇなどの合金を用いるのが好ましい。このような金属または合金を用いることにより、対向電極１０４の光透過性を維持しつつ、対向電極１０４の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

トップエミッション方式における対向電極１０４の膜厚は、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。

（６）ステップＳ６ 封止する工程
上記製造方法により形成された有機ＥＬ素子１３０は、例えば、外部から水分や酸素などが浸入すると、機能層１３６における発光機能が阻害され、部分的に発光輝度が低下したり、発光しなくなったりする暗点（ダークスポット）が発生したりするおそれがある。また、発光寿命が短くなるおそれがある。

そこで、有機ＥＬ素子１３０を水分や酸素などの浸入から保護するために、封止層（図示省略）によって覆うことが好ましい。封止層としては、例えば、水分や酸素などの透過性が低い、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料を用いることができる。

また、例えば、透明なガラスなどの封止基板を、有機ＥＬ素子１３０が形成された素子基板１０１に接着剤を介して貼り付けることにより、有機ＥＬ素子１３０を封着してもよい。こうすることによって、発光寿命において高い信頼性を有する有機ＥＬ装置１００を提供することができる。
以上により、有機ＥＬ素子１３０が完成する。

＜構成材料＞
次に、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３について、液相プロセスで用いることが可能なそれぞれの構成材料（形成材料）について説明する。

［正孔注入輸送材料（ＨＩＬ材料、ＨＴＬ材料）］
正孔注入層（ＨＩＬ）１３１や正孔輸送層（ＨＴＬ）１３２の形成に好適な正孔注入輸送材料としては、特に限定されないが、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。

ｐ型の高分子材料（有機ポリマー）としては、例えば、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（（４−sec−ブチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン（ＴＦＢ）などのポリアリールアミンのようなアリールアミン骨格を有する芳香族アミン系化合物、フルオレン−ビチオフェン共重合体のようなフルオレン骨格や、フルオレン−アリールアミン共重合体のようなアリールアミン骨格およびフルオレン骨格の双方を有するポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系、ポリ[ｂｉｓ(４―フェニル)(２，４，６―トリメチルフェニル)アミン])（ＰＴＴＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（フェニル）−ベンジジン］などが挙げられる。

このようなｐ型の高分子材料は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、綜研化学製導電性ポリマーベラゾール（商標）など、ポリアニリンとして日産化学製エルソース（商標）が挙げられる。

ｐ型の低分子材料としては、例えば、１，１−ｂｉｓ（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ｂｉｓ（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）のようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−メチルフェニル）−１，１’ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、トリフェニルアミン−テトラマー（ＴＰＴＥ）、１，３，５−トリス−[４−（ジフェニルアミノ）ベンゼン（ＴＤＡＰＢ）、トリス−（４−カルバゾール−９−イル−フェニル）−アミン（スピローＴＡＤ）、トリス−ｐ−トリルアミン（ＨＴＭ１）、１，１−ｂｉｓ［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＨＴＭ２）、Ｎ４,Ｎ４’−(ビフェニル−４,４’−ジイル)ｂｉｓ（Ｎ４,Ｎ４’,Ｎ４’−トリフェニルビフェニル−４,４’−ジアミン）（ＴＰＴ１）のようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ＰＤＡ−Ｓｉ（Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．Ｖｏｌ．４６２．ｐｐ．２４９−２５６，２００７）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン（ＤＰＰＤ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾール、ＶＢ−ＴＣＡ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００７，１９，３００−３０４）のようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、ＯｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）のようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ｂｉｓ（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物などが挙げられる。

なお、ＰＤＡ−Ｓｉは、高分子化を図るために、カチオン重合性化合物；キシレンビスオキセタン（東亞合成 アロンオキセタンＯＸＴ−１２１）、ラジカル重合開始剤；脂肪族系ジアシルパーオキサイド（パーロイルＬ、日本油脂株式会社）が添加されて用いられる。

ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの好ましい溶媒としては、水が挙げられる。他のｐ型の高分子材料や低分子材料の溶媒としては、トルエン、キシレン、３−フェノキシトルエン（３−ＰＴ）などの芳香族溶媒が挙げられる。

［発光材料］
次に、蛍光または燐光が得られる発光材料（ＥＭＬ材料）について、発光色ごとに具体例を挙げて説明する。

（赤色発光材料）
まず、赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ポリ[２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−（１−シアノビニレンフェニレン）]、ポリ[｛９，９−ジヘキシル−２，７−ｂｉｓ（１−シアノビニレン）フルオレニレン｝オルト−ｃｏ−｛２，５−ｂｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン｝]、ポリ[{２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−（１−シアノビニレンフェニレン）}−ｃｏ−{２，５−ｂｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン}]などが挙げられる。

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウムなどの金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格などを持つものも挙げられる。

さらに具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ｂｉｓ［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ファク−トリス（２−フェニル）−ｂｉｓ（２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、ｂｉｓ（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）などが挙げられる。

また、赤色の発光層１３３中には、前述した赤色発光材料の他に、赤色発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料を含んでいてもよい。
ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。

このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
このようなホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して、前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ナフタセン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体のようなアセン誘導体（アセン系材料）、ジスチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）などのキノリノラト系金属錯体（ＢＡｑｌ）、トリフェニルアミンの４量体などのトリアリールアミン誘導体（ＴＤＡＰＢ）、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体（ＳｉｍＣＰ、ＵＧＨ３）、ジカルバゾール誘導体（ＣＢＰ、ｍＣＰ、ＣＤＢＰ、ＤＣＢ）、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ｂｉｓ（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、リン誘導体（ＰＯ６）などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。

前述したような赤色発光材料（ゲスト材料）およびホスト材料を用いる場合、赤色の発光層１３３中における赤色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１ｗｔ％〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。

（緑色発光材料）
緑色発光材料としては、特に限定されず、例えば、各種緑色蛍光材料および緑色燐光材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ｂｉｓ［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−ｃｏ−（１，４−ベンゾ−｛２,１’,３｝−チアジアゾール）］（Ｆ８ＢＴ）などが挙げられる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウムなどの金属錯体が挙げられ、具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ｂｉｓ（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）（Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウムなどが挙げられる。

また、緑色の発光層１３３中には、前述した緑色発光材料の他に、緑色発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。
このようなホスト材料としては、前述した赤色の発光層１３３で説明したホスト材料と同様のものを用いることができる。

（青色発光材料）
青色発光材料としては、例えば、各種青色蛍光材料および青色燐光材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物などのジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ｂｉｓ（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−ｃｏ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（エチルニルベンゼン）］、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（Ｎ,Ｎ’−ジフェニル）−Ｎ,Ｎ’−ジ（パラ−ブチルフェニル）−１,４−ジアミノ−ベンゼン］］などが挙げられる。

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウムなどの金属錯体が挙げられ、さらに具体的には、ｂｉｓ［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム（ＦＩｒｐｉｃ）、トリス（１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ２’）（Ｉｒ（ｐｍｂ）３）、ｂｉｓ（２,４−ジフルオロフェニルピリジネート）（５−（ピリジン−２−イル）−１Ｈ−テトラゾール）イリジウム（ＦＩｒＮ４）、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ｂｉｓ［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ｂｉｓ（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）などが挙げられる。

また、青色の発光層１３３中には、前述した青色発光材料の他に、青色発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。
このようなホスト材料としては、前述した赤色の発光層１３３で説明したホスト材料と同様のものを用いることができる。

本実施形態において、低分子とは、分子量が１０００未満のモノマー、あるいは重量平均分子量が１０００未満の、基本骨格が繰り返された構造を有するポリマーまたはオリゴマーを指し、高分子とは、重量平均分子量が１０００以上の、基本骨格が繰り返された構造を有するポリマーまたはオリゴマーを指す。
これらの発光層形成材料の好ましい溶媒としては、トルエン、キシレン、３−フェノキシトルエン（３−ＰＴ）などの芳香族溶媒が挙げられる。

＜有機ＥＬ素子の製造装置＞
図１１は、有機ＥＬ素子の製造装置を示す概略平面図である。図１１に示すように、有機ＥＬ素子の製造装置１０は、焼成部１１、保管部１２、成膜部１３の３つのステージを備えている。焼成部１１、保管部１２、および成膜部１３は、素子基板１０１が運搬される経路にこの順番で配置されている。

焼成部１１は、素子基板１０１を２２０℃程度まで加熱することができる加熱手段を有している。
保管部１２は、常圧から１．０×１０^-3Ｐａ以下に減圧することができる減圧手段、つまり、真空ポンプが接続されている密閉された空間、例えば、真空チャンバーなどを有している。
成膜部１３は、例えば、減圧された雰囲気において、金属や酸化物などの蒸着材を蒸発させて、被蒸着物の表面に付着させて薄膜を形成することができる蒸着手段を有している。

焼成部１１および保管部１２は、連結経路１４により連結されており、保管部１２および成膜部１３は、連結経路１５により連結されている。

焼成部１１は、シャッター１６により外部空間と仕切られており、シャッター１７により連結経路１４と仕切られている。
保管部１２は、シャッター１８により連結経路１４と仕切られており、シャッター１９により連結経路１５と仕切られている。
成膜部１３は、シャッター２０により連結経路１５と仕切られており、シャッター２１により外部空間と仕切られている。

焼成部１１、保管部１２、成膜部１３、連結経路１４、および連結経路１５は、それぞれ外部の雰囲気に対して、各シャッターにより空間的に遮断することができる。そのため、素子基板１０１は、焼成部１１から保管部１２に連結経路１４を経由して移動する際、また、保管部１２から成膜部１３に連結経路１５を経由して移動する際には、外部の雰囲気に影響されることなくステージを移動することができる。

具体的に説明すると、まず、シャッター１６〜２１を全て閉じる。そして、シャッター１６を開けて、焼成する素子基板１０１を焼成部１１に搬入して、シャッター１６を閉めて焼成工程を行う。
焼成工程が終了したら、シャッター１７を開けて、素子基板１０１を連結経路１４に移動させて、シャッター１７を閉める。

次に、シャッター１８を開けて、保管する素子基板１０１を保管部１２に搬入して、シャッター１８を閉めて１時間以上保管する。
保管する工程が終了したら、シャッター１９を開けて、素子基板１０１を連結経路１５に移動させてシャッター１９を閉める。

次に、シャッター２０を開けて、成膜する素子基板１０１を成膜部１３に搬入して、シャッター２０を閉めて成膜する。
成膜する工程が終了したら、シャッター２１を開けて、素子基板１０１を外部へ搬出して、シャッター２１を閉める。
このようにして、素子基板１０１が有機ＥＬ素子の製造装置１０の内部を運搬される。

＜保管状態と発光寿命との関係＞
次に、有機ＥＬ素子１３０の製造方法における実施例と比較例とを挙げ、図１２、図１３を参照して、素子基板１０１を減圧雰囲気下で保管する際の保管状態と、成膜時の成膜部１３の到達真空度と、有機ＥＬ素子の素子特性の関係と、について説明する。ここで、保管状態とは、素子基板１０１に発光層１３３を形成する工程と、発光層１３３に積層して電子輸送層１３４を形成する工程と、の間において、素子基板１０１を保管する保管部１２内部の真空度（以下、保管真空度という）と、保管している時間（以下、保管時間という）と、のことである。
本実施形態における真空度および保管真空度とは、保管部内において残存する気体の圧力を、絶対真空を０とした絶対圧として表すものである。

成膜時の成膜部１３の到達真空度は、第１の層に残留している溶媒から発生するアウトガスの量に比例していると考えられる。つまり、成膜時の成膜部１３の到達真空度が高いほど、第１の層に残留している溶媒から発生するアウトガスが少なく、逆に、成膜時の成膜部１３の到達真空度が低いほど、発生するアウトガスが多いということである。

図１２は、実施例および比較例の有機ＥＬ素子の製造方法における保管状態と有機ＥＬ素子の素子特性との関係を示す表であり、図１３は、実施例および比較例の有機ＥＬ素子の素子特性を示す表である。

以下の実施例および比較例で説明する有機ＥＬ素子１３０は、すでに図２で説明した、画素電極１０３と対向電極１０４との間に設けられた、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３、電子輸送層１３４、電子注入層１３５を含む機能層１３６を有しているという素子構成は共通している。

図１２に示すように、発光層１３３まで形成した素子基板１０１を減圧雰囲気下で保管する際の保管真空度および保管時間をパラメーターとして、成膜時の成膜部１３の到達真空度を測定し、有機ＥＬ素子１３０の素子特性を評価する実験を実施した。有機ＥＬ素子１３０の素子特性の評価項目は、具体的には、発光寿命、駆動電圧、電流効率、ＥＱＥ（外部量子効率）である。

発光寿命に関しては、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ²で定電流駆動させた際に、輝度が初期輝度の９５％に低下するまでの時間（以下、ＬＴ９５という）を測定することによって評価した。

発光寿命を評価する判定基準は、ＬＴ９５において、Ｒが１５０００時間以上、Ｇが７５００時間以上、Ｂが１０００時間以上で「○」（可）とした。
なお、発光層１３３を含む機能層１３６からは、緑色発光が得られる有機ＥＬ素子１３０の構成となっている。
まず、実施例１から実施例４までを具体的に説明する。

（実施例１）
正孔注入層１３１は、インクジェット法（液滴吐出法）により、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含むインク５０を隔壁１０５の開口部１０５ａに塗布して、減圧乾燥することにより正孔注入層前駆体を形成した。正孔注入層前駆体を窒素雰囲気下で焼成して正孔注入層１３１を形成した。正孔注入層１３１の膜厚は、４０ｎｍ〜１００ｎｍである。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの溶媒は、水である。

窒素雰囲気下での焼成は、酸素濃度と水分濃度とがそれぞれ１ｐｐｍ以下となるように乾燥された窒素が充填されたチャンバー内に素子基板１０１を放置して行った。

正孔輸送層１３２は、インクジェット法（液滴吐出法）により、ＴＦＢを含むインク６０を隔壁１０５の開口部１０５ａに塗布して、減圧乾燥することにより正孔輸送層前駆体を形成した。正孔輸送層前駆体を窒素雰囲気下で焼成して正孔輸送層１３２を形成した。正孔輸送層１３２の膜厚は、１０ｎｍ〜３０ｎｍである。ＴＦＢの溶媒は、３−フェノキシトルエン（３−ＰＴ）である。

発光層１３３は、インクジェット法（液滴吐出法）により、緑色発光が得られるＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン誘導体）を含むインク７０を隔壁１０５の開口部１０５ａに塗布して、減圧乾燥することにより発光層前駆体を形成した。発光層前駆体を窒素雰囲気下で焼成して発光層１３３を形成した。発光層１３３の膜厚は、４０ｎｍ〜７０ｎｍである。ＰＰＶの溶媒は、３−フェノキシトルエン（３−ＰＴ）である。

ここで、発光層１３３まで形成された素子基板１０１を減圧雰囲気下に保管する。実施例１では、保管真空度を１．０×１０^-3Ｐａ、保管時間を１時間と設定した。

電子輸送層１３４は、真空蒸着法により、電子輸送材料としてのＡｌｑ３を成膜して形成した。このときの成膜時の成膜部１３の到達真空度は、９．５×１０^-6Ｐａであった。電子輸送層１３４の膜厚は２０ｎｍ〜４０ｎｍである。

電子注入層１３５は、真空蒸着法により、電子注入材料としてのＣａを成膜して形成した。電子注入層１３５の膜厚は１ｎｍ〜５ｎｍである。

対向電極１０４は、真空蒸着法により、Ａｌを成膜して形成した。対向電極１０４の膜厚は１００ｎｍ〜２００ｎｍである。

図１３に示すように、このようにして得られた有機ＥＬ素子の素子特性、具体的には、発光寿命、駆動電圧、電流効率、ＥＱＥを測定した結果、発光寿命（ＬＴ９５）は、８６５０Ｈであり、駆動電圧は、６．０Ｖであり、電流効率は、１６．９Ｃｄ／Ａであり、ＥＱＥは、４．３０％である。従って、素子特性の評価は、発光寿命を含めて、「○」（可）であるという結果になった。

（実施例２）
実施例２の有機ＥＬ素子１３０は、保管真空度を５．０×１０^-5Ｐａ、保管時間を３時間と設定した。このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、９．０×１０^-6Ｐａであり、発光寿命は「○」（可）であった。

（実施例３）
実施例３の有機ＥＬ素子１３０は、保管真空度を４．０×１０^-4Ｐａ、保管時間を１０時間と設定した。このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、８．０×１０^-6Ｐａであり、発光寿命は「○」（可）であった。

（実施例４）
実施例４の有機ＥＬ素子１３０は、保管真空度を１．０×１０^-3Ｐａ、保管時間を２４時間と設定した。このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、１．０×１０^-5Ｐａであり、発光寿命は「○」（可）であった。

以上で説明した実施例２から実施例４までの有機ＥＬ素子１３０における発光寿命以外の素子特性においても、図示は省略するが、実施例１と同様の結果が得られ、素子特性の評価は、「○」（可）であるという結果になった。

次に、比較例１から比較例７までを具体的に説明する。
（比較例１）
比較例１の有機ＥＬ素子１３０は、保管真空度を１．３×１０^-5Ｐａ、保管時間を１５分と設定した。このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、３．０×１０^-5Ｐａであった。

（比較例２）
比較例２の有機ＥＬ素子１３０は、保管真空度を２．０×１０^-4Ｐａ、保管時間を３０分と設定した。このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、３．０×１０^-5Ｐａであった。

（比較例３）
比較例３の有機ＥＬ素子１３０は、保管真空度を９．８×１０^-6Ｐａ、保管時間を４５分と設定した。このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、１．５×１０^-5Ｐａであった。

（比較例４）
比較例４の有機ＥＬ素子１３０は、保管真空度を３．７×１０^-2Ｐａ、保管時間を５時間と設定した。このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、２．０×１０^-5Ｐａであった。

（比較例５）
比較例５の有機ＥＬ素子１３０は、保管時間なしと設定した。具体的には、窒素などの不活性ガス雰囲気下で、焼成処理を施すことにより固化して、発光層１３３を形成した後、ステップＳ４の保管する工程を経ずに、ステップＳ５の第２の層を形成する工程、つまり、発光層１３３と隔壁１０５とを覆って電子輸送層１３４を形成した。
このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、３．５×１０^-5Ｐａであった。

（比較例６）
比較例６の有機ＥＬ素子１３０は、保管を窒素雰囲気下、保管時間を１時間と設定した。このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、３．５×１０^-5Ｐａであった。ここで、窒素雰囲気下とは、酸素濃度と水分濃度とがそれぞれ１ｐｐｍ以下となるように乾燥された窒素が充填された雰囲気のことである。

（比較例７）
比較例７の有機ＥＬ素子１３０は、保管を大気下、保管時間を１時間と設定した。ここで、大気下とは、２０℃〜２５℃の室内において相対湿度が４０％以上であり、異物などが混入しないように所定のクリーン度が確保されている環境のことである。
このときの電子輸送層１３４成膜時の成膜部１３の到達真空度は、５．０×１０^-5Ｐａであった。

図１３に示すように、このようにして得られた比較例２の有機ＥＬ素子の素子特性、具体的には、発光寿命、駆動電圧、電流効率、ＥＱＥを測定した結果、発光寿命（ＬＴ９５）は、１０００Ｈであり、駆動電圧は、６．２Ｖであり、電流効率は、１７．１Ｃｄ／Ａであり、ＥＱＥは、４．６３％である。

図示は省略するが、以上で説明した比較例１と、比較例３から比較例７までの有機ＥＬ素子１３０における素子特性は、比較例２と同様の結果が得られた。つまり、実施例１と比較して、比較例１から比較例７までの駆動電圧、電流効率、ＥＱＥは、ほとんど遜色ないが、発光寿命に関しては、上記で説明した発光寿命の判定基準に対して、「×」（不可）という結果となった。従って、素子特性は、良好ではないという結果になった。

この実験により、以下のことが明らかになった。
（１）実施例１と、比較例４、比較例６、比較例７と、の保管真空度を比較すると、比較例４（３．７×１０^-2Ｐａ）、比較例６（Ｎ₂雰囲気下）、比較例７（大気下）は、実施例１（１．０×１０^-3Ｐａ）に対して保管真空度が低い。

また、完成した有機ＥＬ素子の発光寿命を比較すると、実施例１は、発光寿命が「○」（可）であり、比較例４、比較例６、比較例７は、発光寿命が「×」（不可）である。つまり、良好な素子特性、特に、発光寿命を得るためには、保管真空度は、少なくとも１．０×１０^-3Ｐａ以上が必要であることが分かる。

（２）実施例１と、比較例１、比較例２、比較例３、比較例５と、の保管時間を比較すると、比較例１（１５分）、比較例２（３０分）、比較例３（４５分）、比較例５（なし）は、実施例１（１時間）に対して保管時間が短い。

また、完成した有機ＥＬ素子の発光寿命を比較すると、実施例１は、発光寿命が「○」（可）であり、比較例１、比較例２、比較例３、比較例５は、発光寿命が「×」である。つまり、良好な素子特性、特に、発光寿命を得るためには、保管時間は、少なくとも１時間以上が必要であることが分かる。

以上のことから、本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）気相プロセスの前に、素子基板１０１を保管真空度１．０×１０^-3Ｐａ以下の減圧雰囲気下に、１時間以上保管することによって、液相プロセスにより形成した第１の層に残留している溶媒から発生する水分やアウトガスを十分に除去することができる。
そのため、気相プロセスにおいて発生する水分やアウトガスを低減し、機能層１３６の膜質の低下を抑制し、所望の素子特性を有する有機ＥＬ素子１３０を製造することができる。

（２）サブ画素１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂのそれぞれに、本実施形態の有機ＥＬ素子１３０の製造方法を用いて形成された有機ＥＬ素子１３０が設けられているので、機能層１３６の膜質の低下を抑制し、所望の素子特性を有する有機ＥＬ装置１００を提供することができる。

（第２実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１４、図１５を参照して説明する。図１４は、電子機器の一例であるノート型のパーソナルコンピューターを示す概略図であり、図１５は、電子機器の一例である薄型テレビ（ＴＶ）を示す概略図である。

図１４に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピューター１０００は、本体部１００１と、表示ユニット１００３と、を備えている。さらに、本体部１００１は、キーボード１００２を備えており、表示ユニット１００３は、表示部１００４を備えている。

表示ユニット１００３は、本体部１００１に対して、ヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピューター１０００において、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００が、表示部１００４に搭載されている。

図１５に示すように、電子機器としての薄型テレビ（ＴＶ）１１００は、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００が、表示部１１０１に搭載されている。

つまり、優れた表示品質と信頼性品質とを有するパーソナルコンピューター１０００や薄型ＴＶ１１００を提供することができる。

有機ＥＬ装置１００が搭載される電子機器は、上記パーソナルコンピューター１０００や薄型ＴＶ１１００に限定されない。例えば、スマートフォンやＰＯＳなどの携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、デジタルカメラ、モニター直視型のビデオレコーダーなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ素子の製造方法および該有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置、該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）
素子基板１０１を減圧雰囲気下に置く工程は、発光層前駆体を形成する工程の後、かつ発光層１３３を形成する工程の前であってもよい。
こうすることによって、発光層前駆体を焼成する前に、アウトガスを十分に除去することができるので、発光層前駆体を焼成する際の焼成温度を低くすることができる。そのため、有機ＥＬ素子１３０の素子特性を向上させることができる。

（変形例２）
第１実施形態の有機ＥＬ素子１３０が適用される電気光学装置は、表示部を有する有機ＥＬ装置１００に限定されず、照明装置や感光物を露光する露光装置であってもよい。

１０…有機ＥＬ素子の製造装置、５０…インク、６０…インク、７０…インク、１００…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１０１…基体としての素子基板、１０４…陰極としての対向電極、１３０…有機ＥＬ素子、１３３…発光層、１３４…電子輸送層、１３５…電子注入層、１３６…機能層、１０００…電子機器としてのパーソナルコンピューター、１１００…電子機器としての薄型ＴＶ。

Claims (9)

1. 基体において、発光層を含む機能層を備えた有機ＥＬ素子の製造方法であって、
   前記機能層のうち、液相プロセスにより前記発光層を含む第１の層を形成する工程と、
   前記機能層のうち、気相プロセスにより前記第１の層に積層して第２の層を形成する工程と、を有し、
   前記第２の層を形成する工程より前に、所定の時間以上前記基体を減圧雰囲気下に置く工程を備え、
   前記減圧雰囲気の絶対圧は、１．０×１０^-3Ｐａ以下であることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
2. 前記基体を減圧雰囲気下に置く工程において、前記所定の時間は、１時間であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
3. 前記基体を減圧雰囲気下に置く工程は、前記第１の層を形成する工程より後であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
4. 前記第１の層を形成する工程は、
   前記液相プロセスにより発光層前駆体を形成する工程と、
   前記発光層前駆体を焼成して前記発光層を形成する工程と、を含み、
   前記基体を減圧雰囲気下に置く工程は、
   前記発光層前駆体を形成する工程より後、かつ前記発光層を形成する工程より前に行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
5. 前記第２の層は、電子輸送層、電子注入層、陰極のうちの少なくとも１つの層を含むことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
6. 前記液相プロセスは、インクジェット法であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
7. 前記気相プロセスは、真空蒸着法であることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
8. 請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ素子を備えていることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項８に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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