JP3587537B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3587537B2
JP3587537B2 JP02328993A JP2328993A JP3587537B2 JP 3587537 B2 JP3587537 B2 JP 3587537B2 JP 02328993 A JP02328993 A JP 02328993A JP 2328993 A JP2328993 A JP 2328993A JP 3587537 B2 JP3587537 B2 JP 3587537B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wiring
region
contact
electrically connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP02328993A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06232129A (ja
Inventor
稔 宮崎
村上あかね
葆春 崔
睦夫 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26360624&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3587537(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP02328993A priority Critical patent/JP3587537B2/ja
Priority to TW082110288A priority patent/TW359891B/zh
Priority to CNB991071298A priority patent/CN1302560C/zh
Priority to CN03104196.5A priority patent/CN1282252C/zh
Priority to CNB031041957A priority patent/CN1293641C/zh
Priority to KR1019930027128A priority patent/KR0131057B1/ko
Priority to CN93121131A priority patent/CN1111902C/zh
Priority to CN200410097474.9A priority patent/CN1607875B/zh
Priority to CN200510065164.3A priority patent/CN1664683B/zh
Publication of JPH06232129A publication Critical patent/JPH06232129A/ja
Priority to US08/483,049 priority patent/US5623157A/en
Priority to US08/636,917 priority patent/US5804878A/en
Priority to US09/041,702 priority patent/US6031290A/en
Priority to US09/382,674 priority patent/US6166414A/en
Priority to CN00104111.8A priority patent/CN1282980A/zh
Priority to US09/703,594 priority patent/US6448612B1/en
Priority to US10/193,162 priority patent/US6608353B2/en
Priority to CN03104197.3A priority patent/CN1249506C/zh
Priority to US10/620,420 priority patent/US7045399B2/en
Priority to US10/641,008 priority patent/US7061016B2/en
Publication of JP3587537B2 publication Critical patent/JP3587537B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US11/022,882 priority patent/US7105898B2/en
Priority to US11/447,955 priority patent/US7547916B2/en
Priority to US12/476,445 priority patent/US7897972B2/en
Priority to US13/027,502 priority patent/US8294152B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H01L23/53223—Additional layers associated with aluminium layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
    • H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、絶縁基板上に形成され、薄膜トランジスタのごとき、薄いシリコン等の半導体層を有し、該半導体層と配線とを接続する必要のある電子回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、薄膜型の絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）等の薄膜デバイスにおいては活性層として用いられるシリコン等の半導体薄膜は１５００Å程度の厚さであった。そのため、このような半導体薄膜に電極を形成せんとした場合には、従来のＩＣ技術と同様にアルミニウムのごとき金属を直接密着させることによっても十分なコンタクトが形成された。このようなコンタクト部では、通常、アルミニウムとシリコン等の半導体成分との化学的な反応によって、アルミニウム・シリサイドのごときシリサイドが形成されるのであるが、半導体層の厚さがシリサイドの厚さに比べると十分に大きなため何ら問題はなかった。
【０００３】
【発明が解決しようする課題】
しかしながら、最近の研究では、活性層の厚さを１５００Å以下、例えば、１００〜７５０Å程度にまで薄くすると、よりＴＦＴの特性が向上することが明らかとなった。しかしながら、このような薄い半導体層（活性層）に電極を形成せんとする場合には従来の方法では良好なコンタクトが得られなかった。これはシリサイドの厚さが半導体層の厚さと同程度にまで成長し、コンタクトの電気特性が著しく劣化するためであった。そして、このようなコンタクトは長時間の電圧印加等のストレスを加えると著しく劣化した。
【０００４】
また、ＴＦＴの特性を向上させるためには、半導体層との電極形成後、４００℃以下、典型的には２００〜３５０℃の水素雰囲気での熱処理をほどこすことが必要とされたが、半導体層の厚さが１５００Å以下のＴＦＴではこのような熱処理によってシリサイドの形成が著しく進行し、ＴＦＴの特性が劣化することが問題であった。
【０００５】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、配線と半導体層との良好な、少なくとも３００℃の熱処理にも耐えられるコンタクトを得ること、さらにはこれによって信頼性の向上を図らんとするものである。
【０００６】
【発明を解決するための手段】
本発明は、絶縁基板上に形成された、厚さが１５０ｎｍ以下のシリコンを主成分とし、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方の領域と電気的に接続された第１の配線と、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方の領域と電気的に接続された第２の配線と、
前記第１の配線を介して前記一方の領域と電気的に接続された、導電性酸化物を主成分とする膜とを有し、
前記第１の配線及び前記第２の配線は、それぞれ、チタン及び窒素を主成分とする第１の層と、該第１の層上にアルミニウムを主成分とする第２の層と、該第２の層上に該配線の表面を成す窒化チタンからなる第３の層とを有し、
前記第１の配線において、前記第１の層は、前記一方の領域と前記第２の層との間に形成され、且つ前記第３の層と接しない前記導電性酸化物を主成分とする膜と接し、
前記第２の配線において、前記第１の層は前記他方の領域と前記第２の層との間に形成され、前記第３の層は接点金具と接触させて電気的に接続されることを特徴とする半導体装置である。
【０００７】
薄膜半導体層がガラスのごとき絶縁基板上に密着してあるいは何らかの絶縁被膜を介して形成され、そして、この半導体層の一部もしくは全部に、チタンと窒素を主な成分として含有する第１の層が密着し、さらに、この第１の層の上面に、アルミニウムを主成分とする第２の層が形成されており、これら第１および第２の層によって配線が形成されているという構成としてもよい。このとき、第２の層の実質的に全ての下面は第１の層に密着している。また、第２の層の上にさらにチタンと窒素を主な成分とする第３の層が設けられていてもよい。
【０００８】
薄膜半導体層がガラスのごとき絶縁基板上に密着してあるいは何らかの絶縁被膜を介して形成され、そして、この半導体層の一部もしくは全部に、チタンを主な成分として含有する第１の層が密着し、さらに、この第１の層の上面に、チタンと窒素を主成分とする第２の層が密着し、さらに、この第２の層の上面に、アルミニウムを主成分とする第３の層が形成されており、これら第１ないし第３の層によって配線が形成されているという構成としてもよい。第３の層の上にさらに他の層が形成されていてもよいことはいうまでもない。
【０００９】
薄膜半導体層がガラスのごとき絶縁基板上に密着してあるいは何らかの絶縁被膜を介して形成され、そして、この半導体層の一部もしくは全部に、チタンと窒素を主な成分として含有する第１の層が密着し、さらにこの第１の層の上面に、チタンと窒素を主成分とする第２の層が密着し、さらに、この第２の層の上面に、アルミニウムを主成分とする第３の層が形成されており、これら第１ないし第３の層によって配線が形成されているという構成であって、第１の層のチタンと窒素の比率（チタン／窒素）が第２の層のものよりも大きいという構成としてもよい。
【００１０】
いずれの構成においても、第１の層が密着する部分の薄膜半導体はＮ型もしくはＰ型の導電型を呈し、好ましくはその部分の不純物濃度は、１×１０１９〜１×１０２０ｃｍ−２である。この不純物の導入は、公知のイオン注入法、もしくはプラズマドーピング法を用いてなされてもよい。このような不純物イオンを高エネルギーに加速して導入する場合には、ドーズ量は０．８×１０１５〜１×１０１７ｃｍ−２がよい。あるいは不純物ガス雰囲気でのレーザー照射を利用するレーザードーピング法（特願平３−２８３９８１、平成３年１０月４日出願、もしくは特願平３−２９０７１９、平成３年１０月８日出願）によってもよい。また、その部分のシート抵抗は１ｋΩ／□以下が好ましい。
【００１１】
また、薄膜半導体の下部には、酸化珪素が密着して形成されていても良い。このとき、この酸化珪素膜中には薄膜半導体に含有されているのと同じ不純物が含有されていても良い。
【００１２】
前記第１の層において、その主成分であるチタンと窒素の比率は厚さによって異なってもよい。また、チタンと窒素以外に、シリコン、酸素等の他の元素を主な成分として含有してもよい。例えば、第１の層のうち、半導体層に近い場所では主としてチタンとシリコンからなり、第２の層に近い場所ではチタンと窒素を主な成分とし、例えば、チタンと窒素の比率（窒素／チタン）は化学量論比に近い値（０．８以上）とし、その中間では連続的に成分が変化するようにしてもよい。
【００１３】
一般に化学量論比の窒素とチタンからなる材料（窒化チタン）はバリヤ特性に優れ、アルミニウムやシリコンの拡散を防止する機能を有するが、シリコンとの接触抵抗が高く、これを直接、コンタクト形成に用いることは好ましくない。一方、化学量論比のチタンとシリコン（珪化チタン、チタンシリサイド）からなる材料はシリコンを主成分とする半導体との接触抵抗が低く、オーミック接触を形成する上で有利であるが、アルミニウム等が拡散しやすく、例えば、第２の層のアルミニウムが第１の層を通じて拡散し、半導体層にアルミニウム・シリサイドを形成する。
【００１４】
上記のような複雑な層構造はこのような問題を解決するためになされるものである。すなわち、第２の層に接する部分にはバリヤ特性に優れたほぼ化学量論比の窒化チタンを用いて、第２の層のアルミニウムが第１の層に進入することを防止、一方、半導体層に接する部分にはほぼ化学量論比のチタン・シリサイドを形成して、良好なオーミック接触を得ることができる。
【００１５】
チタン・シリサイドの形成にあたっては被膜形成の際に意図的にシリコンを加えなくとも、チタンと半導体層中のシリコンが反応して、自動的にチタン・シリサイドが形成される。したがって、例えば、半導体層に近い部分には窒素の少ないチタンを、また、第２層に近い部分には窒素の多いチタンを堆積しても同様な効果が得られる。
【００１６】
いずれも場合でも、第１の層全体について見れば、チタンと窒素を主な成分としている。好ましくは、第１の層におけるチタンと窒素の比率（窒素／チタン）は、０．５〜１．２である。また、このようなチタンと窒素を主な成分とする材料はインディウム・錫酸化物、酸化亜鉛、酸化ニッケル等の導電性酸化物とオーミック接触を得ることができる。一方、アルミニウムとこのような導伝性酸化物が接合を形成すると接合部に厚い酸化アルミニウムの層が形成されて良好なコンタクトは得られなかった。従来はアルミニウムと導電性酸化物の間にクロムの層を形成していたが、クロムは有毒であるので代わりの材料が求められていた。本発明に使用されるチタンと窒素を主な成分とする材料はこの点でも優れている。以下に実施例を示し本発明の構成を詳細に説明する。
【００１７】
【実施例】
〔実施例１〕 図１および図２に本実施例を示す。図１はＴＦＴを有する電子回路を作製する手順を示したものである。なお、一般的な工程に関しては説明を省略した。まず、コーニング７０５９等のガラス基板１上に下地酸化珪素膜２、厚さ５００〜１５００Å、好ましくは５００〜７５０Åのアモルファスシリコン膜３、保護層４を形成する。そして、これを４５０〜６００℃で１２〜４８時間アニールして、アモルファスシリコン膜を結晶化した。この結晶化の工程は、いわゆるレーザーアニール等の手段を用いてもよいことはいうまでもない。（図１（Ａ））
【００１８】
次に、シリコン膜をパターニングして、島状の半導体領域５を形成し、これを覆って、厚さ５００〜１５００Å、好ましくは８００〜１０００Åの酸化珪素膜６を形成し、これをゲイト酸化膜とした。さらに、アルミニウムのゲイト配線・電極７を形成し、これを陽極酸化することによって、その周囲に酸化アルミニウムの被膜を形成した。このようにトップゲイト型ＴＦＴに陽極酸化を用いる技術に関しては、特願平４−３８６３７（平成４年１月２４日出願）に記述されている。ゲイト電極がシリコン、チタン、タンタル、タングステン、モリブテン等の材料で構成されていてもよいことは言うまでもない。その後、ゲイト電極をマスクとして、例えば燐のごとき不純物をプラズマ・ドーピング法のごとき手段によって注入し、ゲイト電極部７に整合させて不純物領域（ドープド・シリコン領域）８を形成した。さらに、熱アニール、レーザーアニール等の手段によって不純物領域８の再結晶化をおこない、ＴＦＴのソース、ドレインとした。（図１（Ｂ））
【００１９】
さらに、層間絶縁物（酸化珪素）９、導電性透明酸化物、例えばＩＴＯ（インディウム・錫酸化物）を堆積し、ＩＴＯ膜をパターニングして、これをアクティブマトリックス型液晶表示素子の画素電極１０を形成した。そして、層間絶縁物９にコンタクトホールを形成し、不純物領域（ソース、ドレイン）の一部を露出させた。そして、スパッタ法によって、チタンと窒素を主な成分として含有する第１の層と、アルミニウムよりなる第２の層を形成した。その方法は以下のようにおこなった。
【００２０】
まず、スパッタ・チャンバーにターゲットとしてチタンをセットし、アルゴン雰囲気において成膜をおこなった。スパッタ圧力は１〜１０ｍＴｏｒｒとした。そして、最初に窒素をほとんど含まないチタンを主成分とする層を厚さ５０〜５００Å形成した。次に、スパッタ・チャンバー中にアルゴン以外に窒素を導入して、この雰囲気中でスパッタ成膜をおこなった。この結果、ほぼ化学量論比の窒化チタン層を厚さ２００〜１０００Å形成した。このとき、スパッタ雰囲気における窒素の割合は４０％以上となるようにした。なお、スパッタリングによる堆積速度は、スパッタ圧力以外に、窒素の分圧によって著しく変動するので注意しなければならない。例えば、アルゴンのみの雰囲気と窒素が２０％以上含まれている雰囲気では、前者の方が一般的に３〜５倍堆積速度が早い。なお、スパッタ時の雰囲気に関しては、窒素の代わりにアンモニア、ヒドラジン等を用いてもよい。さらに、スパッタ時の窒素の分圧によって得られる被膜の抵抗率が変化することが知られているが、配線材料として用いるのであるから、抵抗が低いことが望ましく、そのために最適な窒素分圧を採用することは言うまでもない。例えば、窒素１００％の雰囲気と窒素４０％の雰囲気では、前者の方が低い抵抗率が得られた。また、典型的な抵抗率は５０〜３００μΩ・ｃｍであった。
【００２１】
また、以上の工程で、最初に成膜される窒素をほとんど含まないチタンの層の厚さがあまりに大きいと、下の半導体層を反応して良好なコンタクトが得られなかった。本発明人の研究の結果、このチタンの層の厚さは半導体層の厚さよりも小さいことが好ましいことがわかった。
【００２２】
このようにして第１の層１１を形成した後、やはりスパッタ法によって第２の層のアルミニウム（１％のシリコンを含む）膜１２を厚さ２０００〜５０００Å形成した。そして、フォトリソグラフィー法によって、これらの層をパターニングした。まず、燐酸等のエッチング液（例えば、燐酸、酢酸、硝酸の混酸）でアルミニウムよりなる第２の層をエッチングした。続いて、このアルミニウム膜の上にレジストを残したまま、バッファード弗酸もしくは弗硝酸によって第１の層をエッチングした。このときにはオーバーエッチングによって層間絶縁膜等が損傷を受けるので注意しなければならない。なお、最初に選択的に残したアルミニウムをマスクとして、過酸化水素（Ｈ２ Ｏ２ ）水とアンモニア水（ＮＨ３ ＯＨ）の混合液によってエッチングしてもよい。この場合には層間絶縁膜には影響がない。ただし、フォトレジスト等の有機材料は酸化されてしまうので、注意を要する。
【００２３】
上記のエッチング工程はドライエッチングプロセスによってもよい。エッチングガスとして、例えば、四塩化炭素（ＣＣｌ４ ）を使用すれば、第２の層と第１の層を連続的にエッチングでき、酸化珪素等にはダメージを与えないので好適である。このようにして不純物領域から延びる配線を形成した後、３００℃の水素雰囲気中でアニールし、ＴＦＴを完成させた。
【００２４】
さて、このようにして形成された回路には外部との接続を必要とする部分が存在する。図２（Ａ）は基板１７上に形成された集積回路１８から基板周辺部に向かって外部接続配線１９が形成されている様子を示している。そして、このような電子回路においては図の点線で囲まれた領域２０において、ソケット等の接点金具等で機械的に電気接触が取られる場合がある。
【００２５】
あるいは、図２（Ｂ）に示されるような液晶表示装置では、基板２１上のアクティブマトリックス領域２５を駆動するための回路２２〜２４に電力や信号を供給するために、図の点線で囲まれた領域２７において電気接触を取る。ワイヤーボンディング等の接続は恒久的であり、信頼性が高いが、作製には少なからず手間がかかり、特に多くの端子を接続するには適していない。そこで機械的に接触させるほうが有利な場合がある。
【００２６】
しかし、その際には接点部分の配線表面が十分に強固であることと、下地と配線の密着性が良好であることが求められる。その目的にはアルミニウムは適切でないが、チタンを主な成分とする材料は、シリコン、酸化珪素、アルミニウム等の材料との密着性が良好であり、また、被膜の硬度も大きいので適している。その際には、窒素は全く含まれていなくても、化学量論比まで最大限含まれていても構わない。本実施例では、第２の層１２のうち、接点部分のみをエッチングして第１の層を露出させた。本実施例では第１の層のうち、第２の層に接する部分は化学量論比の窒化チタンである。そして、この窒化チタンの露出した接点金具１３を押しつけて接点とした。（図１（Ｃ））
【００２７】
あるいは図１（Ｄ）に示すように第１の層１４、第２の層１５に重ねて、窒化チタンからなる第３の層１６を形成し、この第３の層に接点金具を接触させてもよい。この場合には、図１（Ｃ）のように第２の層の一部をエッチングする必要がなく、パターニング工程を省略できる。また、図１（Ｅ）に示すように、本発明の窒素とチタンを主成分とする層を有する配線を先にパターニングしてから、ＩＴＯ膜を形成してもよい。いずれの場合においても、本実施例ではＩＴＯ膜の上又は下に接して窒素とチタンを主成分とする層を形成するので、良好なコンタクトが得られる。これはＩＴＯに限らず、広く酸化物導電体一般について言えることである。
【００２８】
以上のようにして得られたＴＦＴのＶＤ −ＩＤ 特性（曲線ａ）と、参考までに通常のＡｌ／Ｓｉコンタクトを有するＴＦＴのＶＤ −ＩＤ 特性（曲線ｂ）とを図３に示す。従来の方法で作製されたＴＦＴ（曲線ｂで示す）では、ＶＤ 〜０近辺にキンクが見られ、コンタクト抵抗がオーム接触性を示さなかったが、本実施例で作製したＴＦＴ（曲線ａで示す）ではそのような異常は見られず、正常なＭＯＳＦＥＴ特性が示された。
【００２９】
〔実施例２〕 図１を参考にして本実施例を示す。図１はＴＦＴを有する電子回路を作製する手順を概念的に示したものである。なお、一般的な工程に関しては説明を省略した。まず、ガラス基板１上に下地酸化珪素膜２、厚さ１００〜１５００Å、好ましくは１００〜７５０Åのアモルファスシリコン膜３、保護層４を形成する。そして、これを４５０〜６００℃で１２〜４８時間アニールして、アモルファスシリコン膜を結晶化した。この結晶化の工程は、いわゆるレーザーアニール等の手段を用いてもよいことはいうまでもない。（図１（Ａ））
【００３０】
次に、シリコン膜をパターニングして、島状の半導体領域５を形成し、これを覆って、厚さ５００〜１５００Å、好ましくは８００〜１０００Åの酸化珪素膜６を形成し、これをゲイト酸化膜とした。さらに、アルミニウムのゲイト配線・電極７を形成し、これを陽極酸化することによって、その周囲に酸化アルミニウムの被膜を形成した。その後、ゲイト電極をマスクとして、例えば燐のごとき不純物をイオン注入法のごとき手段によって注入し、ゲイト電極部７に整合させて不純物領域（ドープド・シリコン領域）８を形成した。ドーズ量は０．８〜４×１０１５ｃｍ−２とし、１×１０１９〜１×１０２１ｃｍ−３の不純物濃度となるように、ドーズ量、加速電圧、ゲイト酸化膜の厚さを設定した。さらに、熱アニール、レーザーアニール等の手段によって不純物領域８の再結晶化をおこない、ＴＦＴのソース、ドレインとした。（図１（Ｂ））
【００３１】
さらに、層間絶縁物（酸化珪素）９、ＩＴＯを堆積し、ＩＴＯ膜をパターニングして、これをアクティブマトリックス型液晶表示素子の画素電極１０を形成した。そして、層間絶縁物９にコンタクトホールを形成し、不純物領域（ソース、ドレイン）の一部を露出させた。そして、ＤＣスパッタ法によって、チタンと窒素を主な成分として含有する第１の層と、アルミニウムよりなる第２の層を形成した。その方法は以下のようにおこなった。
【００３２】
まず、スパッタ・チャンバーにターゲットとしてチタンをセットし、アルゴンと窒素の分圧比（アルゴン／窒素）が０．３以下、例えば、アルゴン：窒素＝４：１となるような雰囲気において成膜をおこなった。スパッタ圧力は３ｍＴｏｒｒ、ＤＣ電流は４．５Ａ、アルゴンの流量は２４ＳＣＣＭ、窒素の流量は６ＳＣＣＭとした。そして、窒素の含有量が少ない第１の層の下部層を厚さ１００Å形成した。このようにして形成された膜は、シリコンおよびＩＴＯとのコンタクト抵抗が十分に小さかった。
【００３３】
次に、スパッタ・チャンバー中の窒素の雰囲気を増大せしめ、アルゴンと窒素の分圧比（アルゴン／窒素）が０．３以上、例えば、アルゴン：窒素＝１：１として、この雰囲気中でスパッタ成膜をおこなった。スパッタ圧力、ＤＣ電流は３ｍＴｏｒｒ、４．５Ａ、のままであるが、アルゴン、窒素ともその流量は１５ＳＣＣＭとした。以上の工程によって第１の層の上部層を厚さ９００Å形成した。このようにして形成された膜は、シリコンとのコンタクト抵抗が大きかったので、コンタクトには使用できなかったが、本実施例のように配線材料として使用するには何ら問題がなかった。なお、スパッタリングによる堆積速度は、スパッタ圧力以外に、窒素の分圧によって著しく変動するので注意しなければならない。例えば、アルゴン／窒素＝４／１の場合には、１００〜１２０Å／ｍｉｎ、アルゴン／窒素＝１／１の場合には、３０〜４０Å／ｍｉｎであった。
【００３４】
このようにして第１の層１１を形成した後、やはりスパッタ法によって第２の層のアルミニウム（１％のシリコンを含む）膜１２を厚さ２０００〜５０００Å形成した。そして、フォトリソグラフィー法によって、これらの層をパターニングした。まず、燐酸等のエッチング液（例えば、燐酸、酢酸、硝酸の混酸）でアルミニウムよりなる第２の層をエッチングした。続いて、このアルミニウム膜の上にレジストを残したまま、過酸化水素（Ｈ２ Ｏ２ ）水とアンモニア水（ＮＨ３ ＯＨ）の混合液によって第１の層をエッチングした。このエッチャントは有機物質を酸化してしまうので、同時にファイナル有機洗浄をおこなったことと同じである。このようにして不純物領域から延びる配線を形成した後、３００℃の水素雰囲気中でアニールし、ＴＦＴを完成させた。さらに、本実施例では、第１の層１２のうち、接点部分のみをエッチングして、第２の層を露出させた。そして、この第１の層の露出した接点金具１３を押しつけて接点とした。（図１（Ｃ））
【００３５】
【発明の効果】
本発明によって、ＴＦＴの薄いソース、ドレイン（不純物領域）等における良好なコンタクトを形成することができた。このコンタクトは信頼性が高く、したがって、電子回路全体の信頼性を向上させる上で効果があった。このように本発明は工業上、有益な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を利用したＴＦＴを有する回路の例（断面図）を示す。
【図２】本発明を利用した電子回路の例（上面図）を示す。
【図３】本実施例で得られたＴＦＴの特性（ａ）と従来の方法で得られたＴＦＴの特性（ｂ）を示す。
【符号の説明】
１・・・ガラス基板
２・・・下地酸化珪素膜
３・・・シリコン膜
４・・・保護膜
５・・・島状半導体領域
６・・・酸化珪素膜（ゲイト酸化膜）
７・・・ゲイト電極・配線（陽極酸化膜で被覆されたアルミニウム）
８・・・不純物領域
９・・・層間絶縁物（酸化珪素）
１０・・・画素電極（ＩＴＯ）
１１・・・第１の層（窒化チタン）
１２・・・第２の層（アルミニウム）
１３・・・接続端子金具
１４・・・第１の層（窒化チタン）
１５・・・第２の層（アルミニウム）
１６・・・第３の層（窒化チタン）

Claims (8)

  1. 絶縁基板上に形成された、厚さが１５０ｎｍ以下のシリコンを主成分とし、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、
    前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方の領域と電気的に接続された第１の配線と、
    前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方の領域と電気的に接続された第２の配線と、
    前記第１の配線を介して前記一方の領域と電気的に接続された、導電性酸化物を主成分とする膜とを有し、
    前記第１の配線及び前記第２の配線は、それぞれ、チタン及び窒素を主成分とする第１の層と、該第１の層上にアルミニウムを主成分とする第２の層と、該第２の層上に該配線の表面を成す窒化チタンからなる第３の層とを有し、
    前記第１の配線において、前記第１の層は、前記一方の領域と前記第２の層との間に形成され、且つ前記第３の層と接しない前記導電性酸化物を主成分とする膜と接し、
    前記第２の配線において、前記第１の層は前記他方の領域と前記第２の層との間に形成され、前記第３の層は接点金具と接触させて電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  2. 絶縁基板上に形成された、厚さが１５０ｎｍ以下のシリコンを主成分とし、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、
    前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方の領域と電気的に接続された第１の配線と、
    前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方の領域と電気的に接続された第２の配線と、
    前記第１の配線を介して前記一方の領域と電気的に接続された、導電性酸化物を主成分とする膜とを有し、
    前記第１の配線及び前記第２の配線は、それぞれ、チタン及び窒素を主成分とする第１の層と、該第１の層上にアルミニウムを主成分とする第２の層と、該第２の層上に該配線の表面を成す窒化チタンからなる第３の層とを有し、
    前記第１の配線において、前記第１の層は、前記一方の領域と前記第２の層との間に形成されると共に、前記導電性酸化物を主成分とする膜と前記第２の層との間に形成され、且つ前記第３の層と接しない前記導電性酸化物を主成分とする膜と接し、
    前記第２の配線において、前記第１の層は前記他方の領域と前記第２の層との間に形成され、前記第３の層は接点金具と接触させて電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  3. 絶縁基板上に形成された、厚さが１５０ｎｍ以下のシリコンを主成分とし、ソース領域、ドレイン領域及び前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に形成されたチャネル形成領域を有する半導体膜と、
    前記半導体膜と接して形成されたゲイト絶縁膜と、
    前記ゲイト絶縁膜と接して形成されたゲイト電極と、
    前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方の領域と電気的に接続された第１の配線と、
    前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方の領域と電気的に接続された第２の配線と、
    前記一方の領域に前記第１の配線を介して電気的に接続された、導電性酸化物を主成分とする画素電極とを有し、
    前記第１の配線及び前記第２の配線は、それぞれ、チタン及び窒素を主成分とする第１の層と、該第１の層上にアルミニウムを主成分とする第２の層と、該第２の層上に該配線の表面を成す窒化チタンからなる第３の層とを有し、
    前記第１の配線において、前記第１の層は、前記一方の領域と前記第２の層との間に形成され、且つ前記第３の層と接しない前記画素電極と接し、
    前記第２の配線において、前記第１の層は前記他方の領域と前記第２の層との間に形成され、前記第３の層は接点金具と接触させて電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  4. 絶縁基板上に形成された、厚さが１５０ｎｍ以下のシリコンを主成分とし、ソース領域、ドレイン領域及び前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に形成されたチャネル形成領域を有する半導体膜と、
    前記半導体膜と接して形成されたゲイト絶縁膜と、
    前記ゲイト絶縁膜と接して形成されたゲイト電極と、
    前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方の領域と電気的に接続された第１の配線と、
    前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方の領域と電気的に接続された第２の配線と、
    前記第１の配線を介して前記一方の領域と電気的に接続された、導電性酸化物を主成分とする画素電極とを有し、
    前記第１の配線及び前記第２の配線は、それぞれ、チタン及び窒素を主成分とする第１の層と、該第１の層上にアルミニウムを主成分とする第２の層と、該第２の層上に該配線の表面を成す窒化チタンからなる第３の層とを有し、
    前記第１の配線において、前記第１の層は、前記一方の領域と前記第２の層との間に形成されると共に、前記画素電極と前記第２の層との間に形成され、且つ前記第３の層と接しない前記画素電極と接し、
    前記第２の配線において、前記第１の層は前記他方の領域と前記第２の層との間に形成され、前記第３の層は接点金具と接触させて電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記導電性酸化物はインディウム錫酸化物であることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、前記半導体膜の厚さは１０ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、前記第１の層のチタンに対する窒素の比率は０．５〜１．２であることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項３又は４において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に含まれる不純物濃度は１×１０19〜１×１０21ｃｍ-3であることを特徴とする半導体装置。
JP02328993A 1992-12-09 1993-01-18 半導体装置 Expired - Fee Related JP3587537B2 (ja)

Priority Applications (23)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02328993A JP3587537B2 (ja) 1992-12-09 1993-01-18 半導体装置
TW082110288A TW359891B (en) 1992-12-09 1993-12-06 Electronic circuit
CN200510065164.3A CN1664683B (zh) 1992-12-09 1993-12-09 电子电路
CN03104196.5A CN1282252C (zh) 1992-12-09 1993-12-09 电子电路
CNB991071298A CN1302560C (zh) 1992-12-09 1993-12-09 电子电路
CNB031041957A CN1293641C (zh) 1992-12-09 1993-12-09 电子电路
KR1019930027128A KR0131057B1 (ko) 1992-12-09 1993-12-09 전자회로 및 그의 반도체장치
CN93121131A CN1111902C (zh) 1992-12-09 1993-12-09 具有含铝互连线的半导体器件
CN200410097474.9A CN1607875B (zh) 1992-12-09 1993-12-09 显示器件及其制造方法
US08/483,049 US5623157A (en) 1992-12-09 1995-06-07 Semiconductor device having a lead including aluminum
US08/636,917 US5804878A (en) 1992-12-09 1996-04-24 Electronic circuit
US09/041,702 US6031290A (en) 1992-12-09 1998-03-13 Electronic circuit
US09/382,674 US6166414A (en) 1992-12-09 1999-08-25 Electronic circuit
CN00104111.8A CN1282980A (zh) 1992-12-09 2000-03-11 制造半导体器件的方法
US09/703,594 US6448612B1 (en) 1992-12-09 2000-11-02 Pixel thin film transistor and a driver circuit for driving the pixel thin film transistor
US10/193,162 US6608353B2 (en) 1992-12-09 2002-07-12 Thin film transistor having pixel electrode connected to a laminate structure
CN03104197.3A CN1249506C (zh) 1992-12-09 2003-02-11 电子电路
US10/620,420 US7045399B2 (en) 1992-12-09 2003-07-17 Electronic circuit
US10/641,008 US7061016B2 (en) 1992-12-09 2003-08-15 Electronic circuit
US11/022,882 US7105898B2 (en) 1992-12-09 2004-12-28 Electronic circuit
US11/447,955 US7547916B2 (en) 1992-12-09 2006-06-07 Electronic circuit
US12/476,445 US7897972B2 (en) 1992-12-09 2009-06-02 Electronic circuit
US13/027,502 US8294152B2 (en) 1992-12-09 2011-02-15 Electronic circuit including pixel electrode comprising conductive film

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-351916 1992-12-09
JP35191692 1992-12-09
JP02328993A JP3587537B2 (ja) 1992-12-09 1993-01-18 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001012354A Division JP3333501B2 (ja) 1992-12-09 2001-01-19 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06232129A JPH06232129A (ja) 1994-08-19
JP3587537B2 true JP3587537B2 (ja) 2004-11-10

Family

ID=26360624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02328993A Expired - Fee Related JP3587537B2 (ja) 1992-12-09 1993-01-18 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (12) US5623157A (ja)
JP (1) JP3587537B2 (ja)
KR (1) KR0131057B1 (ja)
CN (8) CN1282252C (ja)
TW (1) TW359891B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8878172B2 (en) 2008-10-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Families Citing this family (214)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5643801A (en) * 1992-11-06 1997-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method and alignment
JP3587537B2 (ja) * 1992-12-09 2004-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6544825B1 (en) 1992-12-26 2003-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a MIS transistor
US6410374B1 (en) 1992-12-26 2002-06-25 Semiconductor Energy Laborartory Co., Ltd. Method of crystallizing a semiconductor layer in a MIS transistor
TW425637B (en) * 1993-01-18 2001-03-11 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating mis semiconductor device
JP2814049B2 (ja) * 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
TW297142B (ja) * 1993-09-20 1997-02-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5719065A (en) * 1993-10-01 1998-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device with removable spacers
US6777763B1 (en) * 1993-10-01 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US6133620A (en) * 1995-05-26 2000-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and process for fabricating the same
US6906383B1 (en) 1994-07-14 2005-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacture thereof
US5712191A (en) * 1994-09-16 1998-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JPH08129360A (ja) 1994-10-31 1996-05-21 Tdk Corp エレクトロルミネセンス表示装置
US5814529A (en) 1995-01-17 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing a semiconductor integrated circuit including a thin film transistor and a capacitor
JP3778456B2 (ja) 1995-02-21 2006-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
US6853083B1 (en) 1995-03-24 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US5780908A (en) * 1995-05-09 1998-07-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor apparatus with tungstein nitride
US5972790A (en) * 1995-06-09 1999-10-26 Tokyo Electron Limited Method for forming salicides
JPH09191111A (ja) * 1995-11-07 1997-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5985740A (en) * 1996-01-19 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst
US6555449B1 (en) 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
TW334581B (en) * 1996-06-04 1998-06-21 Handotai Energy Kenkyusho Kk Semiconductor integrated circuit and fabrication method thereof
US6266110B1 (en) * 1996-07-30 2001-07-24 Kawasaki Steel Corporation Semiconductor device reeventing light from entering its substrate transistor and the same for driving reflection type liquid crystal
JPH10135475A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6088070A (en) 1997-01-17 2000-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode
JP3641342B2 (ja) 1997-03-07 2005-04-20 Ｔｄｋ株式会社 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置
TW531684B (en) * 1997-03-31 2003-05-11 Seiko Epson Corporatoin Display device and method for manufacturing the same
US6617648B1 (en) * 1998-02-25 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Projection TV
GB9806609D0 (en) * 1998-03-28 1998-05-27 Philips Electronics Nv Electronic devices comprising thin-film transistors
US5990493A (en) * 1998-05-14 1999-11-23 Advanced Micro Devices, Inc. Diamond etch stop rendered conductive by a gas cluster ion beam implant of titanium
US6271590B1 (en) * 1998-08-21 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Graded layer for use in semiconductor circuits and method for making same
JP3403949B2 (ja) * 1998-09-03 2003-05-06 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置、ならびに薄膜トランジスタの製造方法
EP1744349A3 (en) 1998-10-05 2007-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, beam homogenizer, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device
US6451644B1 (en) * 1998-11-06 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method of providing a gate conductor with high dopant activation
US6617644B1 (en) 1998-11-09 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7141821B1 (en) 1998-11-10 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity gradient in the impurity regions and method of manufacture
US6512271B1 (en) * 1998-11-16 2003-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6420758B1 (en) * 1998-11-17 2002-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity region overlapping a gate electrode
US6909114B1 (en) * 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
US6277679B1 (en) 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US6365917B1 (en) * 1998-11-25 2002-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6501098B2 (en) * 1998-11-25 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
US7235810B1 (en) 1998-12-03 2007-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6469317B1 (en) 1998-12-18 2002-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6576924B1 (en) * 1999-02-12 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having at least a pixel unit and a driver circuit unit over a same substrate
US6576926B1 (en) * 1999-02-23 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP3362008B2 (ja) * 1999-02-23 2003-01-07 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US7821065B2 (en) 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
US6677613B1 (en) * 1999-03-03 2004-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6674136B1 (en) 1999-03-04 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having driver circuit and pixel section provided over same substrate
US6531713B1 (en) * 1999-03-19 2003-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and manufacturing method thereof
US6858898B1 (en) 1999-03-23 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US6281552B1 (en) 1999-03-23 2001-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having ldd regions
EP1041641B1 (en) * 1999-03-26 2015-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A method for manufacturing an electrooptical device
US6346730B1 (en) * 1999-04-06 2002-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having a pixel TFT formed in a display region and a drive circuit formed in the periphery of the display region on the same substrate
TW444257B (en) 1999-04-12 2001-07-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for fabricating the same
TW518650B (en) 1999-04-15 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device and electronic equipment
US6362507B1 (en) * 1999-04-20 2002-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical devices in which pixel section and the driver circuit are disposed over the same substrate
EP1049167A3 (en) 1999-04-30 2007-10-24 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6461899B1 (en) 1999-04-30 2002-10-08 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Oxynitride laminate “blocking layer” for thin film semiconductor devices
US6370502B1 (en) * 1999-05-27 2002-04-09 America Online, Inc. Method and system for reduction of quantization-induced block-discontinuities and general purpose audio codec
CN1263159C (zh) * 1999-06-02 2006-07-05 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
US6777254B1 (en) * 1999-07-06 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US6952020B1 (en) 1999-07-06 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW480554B (en) 1999-07-22 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6541294B1 (en) 1999-07-22 2003-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001035808A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 配線およびその作製方法、この配線を備えた半導体装置、ドライエッチング方法
JP3538084B2 (ja) 1999-09-17 2004-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6876145B1 (en) * 1999-09-30 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
US6885366B1 (en) * 1999-09-30 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4562835B2 (ja) * 1999-11-05 2010-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6646287B1 (en) * 1999-11-19 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with tapered gate and insulating film
JP2001175198A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TW503439B (en) * 2000-01-21 2002-09-21 United Microelectronics Corp Combination structure of passive element and logic circuit on silicon on insulator wafer
US6639265B2 (en) 2000-01-26 2003-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US6646692B2 (en) * 2000-01-26 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating the same
US6825488B2 (en) 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW494447B (en) 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7023021B2 (en) 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW521303B (en) * 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
TW507258B (en) 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
TW495854B (en) 2000-03-06 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6830993B1 (en) 2000-03-21 2004-12-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method
TW513753B (en) * 2000-03-27 2002-12-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor display device and manufacturing method thereof
DE20006642U1 (de) 2000-04-11 2000-08-17 Agilent Technologies, Inc. (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Palo Alto, Calif. Optische Vorrichtung
US6789910B2 (en) 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
US7525165B2 (en) * 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6706544B2 (en) 2000-04-19 2004-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and fabricating method thereof
US7579203B2 (en) 2000-04-25 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6580475B2 (en) 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6747289B2 (en) 2000-04-27 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating thereof
TWI224806B (en) * 2000-05-12 2004-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7804552B2 (en) * 2000-05-12 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same
TW480576B (en) * 2000-05-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing same
US7633471B2 (en) * 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
TW501282B (en) * 2000-06-07 2002-09-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing semiconductor device
US6613620B2 (en) 2000-07-31 2003-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2002057339A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Sony Corp 薄膜半導体装置
US6562671B2 (en) * 2000-09-22 2003-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and manufacturing method thereof
US6509616B2 (en) 2000-09-29 2003-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
KR100854834B1 (ko) 2000-10-10 2008-08-27 더 트러스티스 오브 컬럼비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 얇은 금속층을 가공하는 방법 및 장치
JP5046452B2 (ja) * 2000-10-26 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2002151698A (ja) 2000-11-14 2002-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4954366B2 (ja) * 2000-11-28 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW525216B (en) * 2000-12-11 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device, and manufacturing method thereof
SG111923A1 (en) * 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG179310A1 (en) 2001-02-28 2012-04-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
SG103846A1 (en) * 2001-02-28 2004-05-26 Semiconductor Energy Lab A method of manufacturing a semiconductor device
JP4926329B2 (ja) 2001-03-27 2012-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法、電気器具
SG116443A1 (en) * 2001-03-27 2005-11-28 Semiconductor Energy Lab Wiring and method of manufacturing the same, and wiring board and method of manufacturing the same.
KR100437475B1 (ko) * 2001-04-13 2004-06-23 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치용 표시 소자 제조 방법
US6897477B2 (en) 2001-06-01 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device
KR100415617B1 (ko) * 2001-12-06 2004-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 에천트와 이를 이용한 금속배선 제조방법 및박막트랜지스터의 제조방법
JP2003253482A (ja) * 2002-03-01 2003-09-10 Ngk Insulators Ltd チタン系膜及びチタン酸化物の除去方法
US7038239B2 (en) 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
JP3989761B2 (ja) 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
JP3989763B2 (ja) 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
JP4463493B2 (ja) 2002-04-15 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
US7242021B2 (en) * 2002-04-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display element using semiconductor device
US7579771B2 (en) * 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI272556B (en) 2002-05-13 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
TWI263339B (en) 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2003330388A (ja) * 2002-05-15 2003-11-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US7256421B2 (en) 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
US7897979B2 (en) * 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
CN1757093A (zh) 2002-08-19 2006-04-05 纽约市哥伦比亚大学托管会 具有多种照射图形的单步半导体处理系统和方法
TWI378307B (en) 2002-08-19 2012-12-01 Univ Columbia Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions
JP4615197B2 (ja) * 2002-08-30 2011-01-19 シャープ株式会社 Ｔｆｔアレイ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法
US7094684B2 (en) * 2002-09-20 2006-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
AU2003264515A1 (en) 2002-09-20 2004-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP4373086B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7341928B2 (en) 2003-02-19 2008-03-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York System and process for processing a plurality of semiconductor thin films which are crystallized using sequential lateral solidification techniques
KR100470155B1 (ko) * 2003-03-07 2005-02-04 광주과학기술원 아연산화물 반도체 제조방법
JP4038485B2 (ja) * 2003-03-12 2008-01-23 三星エスディアイ株式会社 薄膜トランジスタを備えた平板表示素子
KR100669688B1 (ko) * 2003-03-12 2007-01-18 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시소자
KR100514181B1 (ko) * 2003-09-03 2005-09-13 삼성에스디아이 주식회사 시리즈 박막트랜지스터, 그를 이용한 능동 매트릭스유기전계발광소자 및 상기 능동 매트릭스유기전계발광소자의 제조방법
WO2005029546A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
TWI366859B (en) 2003-09-16 2012-06-21 Univ Columbia System and method of enhancing the width of polycrystalline grains produced via sequential lateral solidification using a modified mask pattern
WO2005029551A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions
US7164152B2 (en) 2003-09-16 2007-01-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Laser-irradiated thin films having variable thickness
US7364952B2 (en) 2003-09-16 2008-04-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing thin films
US7318866B2 (en) 2003-09-16 2008-01-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths
WO2005029549A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for facilitating bi-directional growth
KR100543005B1 (ko) 2003-09-18 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치
US7311778B2 (en) 2003-09-19 2007-12-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Single scan irradiation for crystallization of thin films
KR100623247B1 (ko) * 2003-12-22 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100626008B1 (ko) * 2004-06-30 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 이를 구비한 평판표시장치
US8217396B2 (en) 2004-07-30 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region
US7417249B2 (en) 2004-08-20 2008-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a wiring including an aluminum carbon alloy and titanium or molybdenum
CN102544027B (zh) 2004-09-15 2016-02-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
JP4974500B2 (ja) * 2004-09-15 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、モジュール及び電子機器
JP4485303B2 (ja) * 2004-09-17 2010-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 透過型表示装置の作製方法
US20060095001A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Transcutaneous Technologies Inc. Electrode and iontophoresis device
US20060091397A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Kengo Akimoto Display device and method for manufacturing the same
US7645337B2 (en) 2004-11-18 2010-01-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films
KR20060064264A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US7563658B2 (en) * 2004-12-27 2009-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8221544B2 (en) 2005-04-06 2012-07-17 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Line scan sequential lateral solidification of thin films
JP2006346368A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Transcutaneous Technologies Inc イオントフォレーシス装置及びその製造方法
JP2007037868A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Transcutaneous Technologies Inc 経皮投与装置及びその制御方法
US8386030B2 (en) * 2005-08-08 2013-02-26 Tti Ellebeau, Inc. Iontophoresis device
US20070060860A1 (en) * 2005-08-18 2007-03-15 Transcutaneous Technologies Inc. Iontophoresis device
WO2007026671A1 (ja) * 2005-08-29 2007-03-08 Transcu Ltd. センサからの情報により投与すべき薬剤の選定を行うイオントフォレーシス装置
WO2007029611A1 (ja) * 2005-09-06 2007-03-15 Tti Ellebeau, Inc. イオントフォレーシス装置
JPWO2007032446A1 (ja) * 2005-09-15 2009-03-19 Ｔｔｉ・エルビュー株式会社 ロッド型イオントフォレーシス装置
WO2007032423A1 (ja) * 2005-09-16 2007-03-22 Tti Ellebeau, Inc. カテーテル型イオントフォレーシス装置
EP1944057A4 (en) * 2005-09-30 2009-02-18 Tti Ellebeau Inc IONTOPHORESIS DEVICE FOR MONITORING THE DOSE AND TIME OF ADMINISTRATION OF A SLEEP-INDUCING AND ANALYTICAL AGENT
US20070232983A1 (en) * 2005-09-30 2007-10-04 Smith Gregory A Handheld apparatus to deliver active agents to biological interfaces
US20070078445A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Curt Malloy Synchronization apparatus and method for iontophoresis device to deliver active agents to biological interfaces
US20070093787A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-26 Transcutaneous Technologies Inc. Iontophoresis device to deliver multiple active agents to biological interfaces
EP1941929A1 (en) * 2005-09-30 2008-07-09 Tti Ellebeau, Inc. Electrode structure for iontophoresis comprising shape memory separator, and iontophoresis apparatus comprising the same
US20070197955A1 (en) * 2005-10-12 2007-08-23 Transcutaneous Technologies Inc. Mucous membrane adhesion-type iontophoresis device
US7659580B2 (en) * 2005-12-02 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW200733240A (en) 2005-12-05 2007-09-01 Univ Columbia Systems and methods for processing a film, and thin films
JP4804904B2 (ja) * 2005-12-09 2011-11-02 Ｔｔｉ・エルビュー株式会社 イオントフォレーシス装置包装品
WO2007079116A1 (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Tti Ellebeau, Inc. Electroosmotic pump apparatus and method to deliver active agents to biological interfaces
US20080033398A1 (en) * 2005-12-29 2008-02-07 Transcutaneous Technologies Inc. Device and method for enhancing immune response by electrical stimulation
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
KR101229413B1 (ko) 2006-04-18 2013-02-04 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
TWI641897B (zh) 2006-05-16 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US7847904B2 (en) 2006-06-02 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
JP2006261705A (ja) * 2006-06-23 2006-09-28 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US20080114282A1 (en) * 2006-09-05 2008-05-15 Transcu Ltd. Transdermal drug delivery systems, devices, and methods using inductive power supplies
BRPI0719353A2 (pt) * 2006-12-01 2014-01-07 Titi Ellebeau Inc Sistemas, dispositivos e métodos para dispositivos de energização e/ou controle, por exemplo, dispositivos de distribuição transdérmicos
JP2008147516A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP4954224B2 (ja) * 2007-02-13 2012-06-13 三菱電機株式会社 表示装置およびその製造方法
US20080191211A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 Mitsubishi Electric Corporation Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device
KR100858818B1 (ko) * 2007-03-20 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
KR101155358B1 (ko) * 2007-07-13 2012-06-19 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 복합 산화물 소결체, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 결정질 복합 산화막
KR20090020847A (ko) * 2007-08-24 2009-02-27 삼성전자주식회사 스트레인드 채널을 갖는 모스 트랜지스터의 제조 방법 및그에 의해 제조된 모스 트랜지스터
US8614471B2 (en) 2007-09-21 2013-12-24 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors
JP5385289B2 (ja) 2007-09-25 2014-01-08 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク 横方向に結晶化した薄膜上に作製される薄膜トランジスタデバイスにおいて高い均一性を生成する方法
US8012861B2 (en) 2007-11-21 2011-09-06 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
WO2009067688A1 (en) 2007-11-21 2009-05-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
CN103354204A (zh) 2007-11-21 2013-10-16 纽约市哥伦比亚大学理事会 用于制备外延纹理厚膜的系统和方法
WO2009111340A2 (en) 2008-02-29 2009-09-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Flash lamp annealing crystallization for large area thin films
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20110094022A (ko) 2008-11-14 2011-08-19 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 박막 결정화를 위한 시스템 및 방법
WO2010144424A2 (en) * 2009-06-09 2010-12-16 Tti Ellebeau, Inc. Long life high capacity electrode, device, and method of manufacture
US9087696B2 (en) 2009-11-03 2015-07-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing
US8440581B2 (en) 2009-11-24 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification
US9646831B2 (en) 2009-11-03 2017-05-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Advanced excimer laser annealing for thin films
KR101802406B1 (ko) 2009-11-27 2017-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
JP5848918B2 (ja) 2010-09-03 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
FR2977367A1 (fr) * 2011-06-30 2013-01-04 St Microelectronics Crolles 2 Transistors dont la grille comprend une couche de nitrure de titane et procede de depot de cette couche
EP2637210A1 (en) * 2012-03-05 2013-09-11 ABB Technology AG Power semiconductor device and method for manufacturing thereof
CN104600123B (zh) * 2015-01-05 2018-06-26 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
US10559520B2 (en) * 2017-09-29 2020-02-11 Qualcomm Incorporated Bulk layer transfer processing with backside silicidation
KR102560100B1 (ko) * 2018-03-08 2023-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
DE102018206482B4 (de) * 2018-04-26 2024-01-25 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einem Verbundwerkstoffclip aus Verbundmaterial

Family Cites Families (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4193080A (en) * 1975-02-20 1980-03-11 Matsushita Electronics Corporation Non-volatile memory device
JPS54137286A (en) * 1978-04-17 1979-10-24 Nec Corp Semiconductor device
JPS5846174B2 (ja) * 1981-03-03 1983-10-14 株式会社東芝 半導体集積回路
JPS6016462A (ja) 1983-07-08 1985-01-28 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JPH0824184B2 (ja) * 1984-11-15 1996-03-06 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPS61183971A (ja) 1985-02-08 1986-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPS62109364A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS62124530A (ja) 1985-11-25 1987-06-05 Sharp Corp 液晶表示素子
JPS62259469A (ja) 1986-05-06 1987-11-11 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH0830822B2 (ja) 1986-05-26 1996-03-27 カシオ計算機株式会社 アクテイブマトリクス液晶表示装置の製造方法
JPS62286271A (ja) 1986-06-05 1987-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ基板の製造方法
JP2718023B2 (ja) 1986-09-17 1998-02-25 松下電器産業株式会社 透明導電膜の形成方法
US4907040A (en) 1986-09-17 1990-03-06 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Thin film Schottky barrier device
JPS6374033A (ja) 1986-09-18 1988-04-04 Canon Inc パタ−ン形成方法
JPS63185066A (ja) 1987-01-28 1988-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ−
JP2644743B2 (ja) 1987-01-28 1997-08-25 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法
US4783248A (en) * 1987-02-10 1988-11-08 Siemens Aktiengesellschaft Method for the production of a titanium/titanium nitride double layer
NL8801164A (nl) * 1987-06-10 1989-01-02 Philips Nv Weergeefinrichting voor gebruik in reflectie.
US4842705A (en) 1987-06-04 1989-06-27 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing transparent conductive indium-tin oxide layers
US4928156A (en) * 1987-07-13 1990-05-22 Motorola, Inc. N-channel MOS transistors having source/drain regions with germanium
US5032883A (en) 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
JPH01113731A (ja) 1987-10-27 1989-05-02 Hitachi Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JPH01122168A (ja) 1987-11-05 1989-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2596949B2 (ja) 1987-11-06 1997-04-02 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2682997B2 (ja) 1987-11-14 1997-11-26 株式会社日立製作所 補助容量付液晶表示装置及び補助容量付液晶表示装置の製造方法
JPH01187983A (ja) 1988-01-22 1989-07-27 Fujitsu Ltd フォトダイオードの製造方法
US4928196A (en) * 1988-04-04 1990-05-22 Eastman Kodak Company Magnetic recording device using circumferentially offset heads with double sided media
JPH01259320A (ja) 1988-04-11 1989-10-17 Toppan Printing Co Ltd 表示装置用電極板又は電極板ブランクの製造方法
US5493129A (en) 1988-06-29 1996-02-20 Hitachi, Ltd. Thin film transistor structure having increased on-current
JPH0212873A (ja) 1988-06-30 1990-01-17 Nec Corp 半導体装置
JPH0666287B2 (ja) * 1988-07-25 1994-08-24 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
EP0365875B1 (en) 1988-10-28 1995-08-09 Texas Instruments Incorporated Capped anneal
JPH02132833A (ja) 1988-11-11 1990-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜配線
US5187604A (en) 1989-01-18 1993-02-16 Hitachi, Ltd. Multi-layer external terminals of liquid crystal displays with thin-film transistors
US5157470A (en) * 1989-02-27 1992-10-20 Hitachi, Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof and matrix circuit board and image display device each using the same
NL8900521A (nl) * 1989-03-03 1990-10-01 Philips Nv Schakeleenheid ten behoeve van een weergeefinrichting en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke schakeleenheid.
JPH02254729A (ja) * 1989-03-28 1990-10-15 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JPH02260640A (ja) 1989-03-31 1990-10-23 Seiko Instr Inc 半導体装置の製造方法
JPH02271632A (ja) 1989-04-13 1990-11-06 Seiko Epson Corp 半導体装置
US5264077A (en) 1989-06-15 1993-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing a conductive oxide pattern
US5316960A (en) * 1989-07-11 1994-05-31 Ricoh Company, Ltd. C-MOS thin film transistor device manufacturing method
JPH0834313B2 (ja) * 1989-10-09 1996-03-29 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JPH03135018A (ja) * 1989-10-20 1991-06-10 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびその装置
US5498573A (en) 1989-11-29 1996-03-12 General Electric Company Method of making multi-layer address lines for amorphous silicon liquid crystal display devices
US5472912A (en) * 1989-11-30 1995-12-05 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method of making an integrated circuit structure by using a non-conductive plug
JPH0693514B2 (ja) 1990-01-18 1994-11-16 工業技術院長 透明導電酸化膜を含むｃｉｓ構造の処理方法
US5288666A (en) 1990-03-21 1994-02-22 Ncr Corporation Process for forming self-aligned titanium silicide by heating in an oxygen rich environment
US5198379A (en) * 1990-04-27 1993-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Method of making a MOS thin film transistor with self-aligned asymmetrical structure
JPH0411227A (ja) 1990-04-27 1992-01-16 Ricoh Co Ltd 薄膜二端子素子
EP0456199B1 (en) * 1990-05-11 1997-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Process for preparing a polycrystalline semiconductor thin film transistor
JPH0423470A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ
EP0459763B1 (en) 1990-05-29 1997-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistors
JP2700277B2 (ja) 1990-06-01 1998-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JPH0448780A (ja) 1990-06-15 1992-02-18 Fuji Xerox Co Ltd 配線構造及びイメージセンサ
JPH0451517A (ja) 1990-06-19 1992-02-20 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0465168A (ja) 1990-07-05 1992-03-02 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ
CN2073169U (zh) * 1990-07-30 1991-03-13 北京市半导体器件研究所 功率mos器件的栅保护器
US5273910A (en) 1990-08-08 1993-12-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making a solid state electromagnetic radiation detector
US5182624A (en) * 1990-08-08 1993-01-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Solid state electromagnetic radiation detector fet array
JPH0492430A (ja) 1990-08-08 1992-03-25 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH03108767A (ja) 1990-08-09 1991-05-08 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JPH0499326A (ja) 1990-08-18 1992-03-31 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH04100232A (ja) 1990-08-20 1992-04-02 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH04113324A (ja) 1990-08-31 1992-04-14 Ricoh Co Ltd 液晶表示装置
JP3109091B2 (ja) 1990-08-31 2000-11-13 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH04111227A (ja) * 1990-08-31 1992-04-13 Hoya Corp 光学的情報再生装置
US5153142A (en) * 1990-09-04 1992-10-06 Industrial Technology Research Institute Method for fabricating an indium tin oxide electrode for a thin film transistor
JPH04116821A (ja) 1990-09-06 1992-04-17 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
DE69102851T2 (de) * 1990-10-09 1995-02-16 Nippon Electric Co Verfahren zur Herstellung eines Ti/TiN/Al Kontaktes unter Benutzung eines reaktiven Zerstäubungsprozesses.
US5221632A (en) * 1990-10-31 1993-06-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of proudcing a MIS transistor
KR950001360B1 (ko) 1990-11-26 1995-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기 광학장치와 그 구동방법
KR960010723B1 (ko) 1990-12-20 1996-08-07 가부시끼가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기광학장치
JPH04253342A (ja) 1991-01-29 1992-09-09 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板
US5246872A (en) * 1991-01-30 1993-09-21 National Semiconductor Corporation Electrostatic discharge protection device and a method for simultaneously forming MOS devices with both lightly doped and non lightly doped source and drain regions
DE69209678T2 (de) * 1991-02-01 1996-10-10 Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung für Hochspannungsverwendung und Verfahren zur Herstellung
DE69225082T2 (de) * 1991-02-12 1998-08-20 Matsushita Electronics Corp Halbleiter-Vorrichtung mit Verdrahtung der verbesserten Zuverlässigkeit und Verfahren zu ihner Herstellung
US5521107A (en) 1991-02-16 1996-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a field-effect transistor including anodic oxidation of the gate
JPH05267666A (ja) 1991-08-23 1993-10-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置とその作製方法
KR100214036B1 (ko) * 1991-02-19 1999-08-02 이데이 노부유끼 알루미늄계 배선형성방법
JP3252397B2 (ja) 1991-02-21 2002-02-04 ソニー株式会社 配線形成方法
US5468987A (en) 1991-03-06 1995-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5380678A (en) * 1991-03-12 1995-01-10 Yu; Chang Bilayer barrier metal method for obtaining 100% step-coverage in contact vias without junction degradation
JP3071851B2 (ja) 1991-03-25 2000-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置
JPH04301623A (ja) 1991-03-29 1992-10-26 Sharp Corp 薄膜トランジスタの製造方法
US5414278A (en) 1991-07-04 1995-05-09 Mitsushibi Denki Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display device
JPH0521796A (ja) 1991-07-10 1993-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
US5242860A (en) * 1991-07-24 1993-09-07 Applied Materials, Inc. Method for the formation of tin barrier layer with preferential (111) crystallographic orientation
JPH06104196A (ja) 1991-10-04 1994-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
KR960008503B1 (en) 1991-10-04 1996-06-26 Semiconductor Energy Lab Kk Manufacturing method of semiconductor device
JPH05102055A (ja) 1991-10-08 1993-04-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体作製方法
JP2550248B2 (ja) * 1991-10-14 1996-11-06 株式会社東芝 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2650543B2 (ja) * 1991-11-25 1997-09-03 カシオ計算機株式会社 マトリクス回路駆動装置
JP3101779B2 (ja) 1992-01-31 2000-10-23 キヤノン株式会社 液晶表示装置
EP0554060A3 (en) 1992-01-31 1993-12-01 Canon Kk Liquid crystal display apparatus
JP3491904B2 (ja) 1992-02-21 2004-02-03 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
US5371042A (en) * 1992-06-16 1994-12-06 Applied Materials, Inc. Method of filling contacts in semiconductor devices
US5198376A (en) * 1992-07-07 1993-03-30 International Business Machines Corporation Method of forming high performance lateral PNP transistor with buried base contact
JP3202362B2 (ja) 1992-07-21 2001-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5808315A (en) 1992-07-21 1998-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor having transparent conductive film
CN100465742C (zh) * 1992-08-27 2009-03-04 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器
DE4228711A1 (de) * 1992-08-28 1994-03-03 Degussa Silicium-Aluminium-Mischoxid
EP0589478B1 (en) * 1992-09-25 1999-11-17 Sony Corporation Liquid crystal display device
JP3587537B2 (ja) * 1992-12-09 2004-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US5365104A (en) * 1993-03-25 1994-11-15 Paradigm Technology, Inc. Oxynitride fuse protective/passivation film for integrated circuit having resistors
US5567966A (en) * 1993-09-29 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Local thinning of channel region for ultra-thin film SOI MOSFET with elevated source/drain
US6777763B1 (en) * 1993-10-01 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
JP3030368B2 (ja) 1993-10-01 2000-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3135018B2 (ja) 1993-12-24 2001-02-13 防衛庁技術研究本部長 銃の照準装置
US5727391A (en) * 1995-10-16 1998-03-17 Mcgill University Deformable structural arrangement

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8878172B2 (en) 2008-10-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US9111806B2 (en) 2008-10-24 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US9647137B2 (en) 2008-10-24 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10141343B2 (en) 2008-10-24 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10692894B2 (en) 2008-10-24 2020-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10978490B2 (en) 2008-10-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US11594555B2 (en) 2008-10-24 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR0131057B1 (ko) 1998-04-14
US8294152B2 (en) 2012-10-23
US5623157A (en) 1997-04-22
CN1293641C (zh) 2007-01-03
CN1607875B (zh) 2011-07-06
US7897972B2 (en) 2011-03-01
CN1664683B (zh) 2011-06-15
US20090236607A1 (en) 2009-09-24
CN1239835A (zh) 1999-12-29
TW359891B (en) 1999-06-01
CN1432858A (zh) 2003-07-30
US20070012923A1 (en) 2007-01-18
CN1090946A (zh) 1994-08-17
CN1516281A (zh) 2004-07-28
CN1302560C (zh) 2007-02-28
CN1664683A (zh) 2005-09-07
CN1111902C (zh) 2003-06-18
US7547916B2 (en) 2009-06-16
CN1607875A (zh) 2005-04-20
US20050145847A1 (en) 2005-07-07
JPH06232129A (ja) 1994-08-19
US7045399B2 (en) 2006-05-16
CN1282980A (zh) 2001-02-07
CN1282252C (zh) 2006-10-25
US7061016B2 (en) 2006-06-13
CN1516282A (zh) 2004-07-28
US20110133201A1 (en) 2011-06-09
US6166414A (en) 2000-12-26
US20020179969A1 (en) 2002-12-05
US20040051102A1 (en) 2004-03-18
US6031290A (en) 2000-02-29
US20040023445A1 (en) 2004-02-05
US6448612B1 (en) 2002-09-10
US5804878A (en) 1998-09-08
CN1249506C (zh) 2006-04-05
US6608353B2 (en) 2003-08-19
US7105898B2 (en) 2006-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3587537B2 (ja) 半導体装置
US5879969A (en) Semiconductor device and method for forming the same
US6040206A (en) Thin film transistor
KR101579453B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
KR100404351B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP3349356B2 (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP3356159B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
TWI819592B (zh) 半導體裝置及其製作方法
JP3333501B2 (ja) 半導体装置
JP2000036603A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP2000252472A (ja) 薄膜半導体素子及びその製造方法
JP3291069B2 (ja) 半導体装置とその作製方法
JP4224661B2 (ja) 銅配線基板及びその製造方法並びに液晶表示装置
CN112687554B (zh) 阵列基板制备方法、阵列基板及显示装置
JPH11111985A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置の製造方法
KR100294777B1 (ko) 박막트랜지스터및그제조방법
JPS6151941A (ja) 電極・配線膜の製造方法
CN115132761A (zh) 显示面板
KR0139322B1 (ko) 절연게이트형 박막트랜지스터
JPH06163896A (ja) 絶縁ゲイト型半導体装置とその作製方法
JPH07111969B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0590205A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0917861A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040623

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040810

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070820

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080820

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090820

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090820

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090820

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100820

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110820

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110820

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120820

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120820

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees