JP3333501B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板上に形成
され、薄膜トランジスタのごとき、薄いシリコン等の半
導体層を有し、該半導体層と配線とを接続する必要のあ
る電子回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜型の絶縁ゲイト型電界効果ト
ランジスタ（ＴＦＴ）等の薄膜デバイスにおいては活性
層として用いられるシリコン等の半導体薄膜は１５００
Å程度の厚さであった。そのため、このような半導体薄
膜に電極を形成せんとした場合には、従来のＩＣ技術と
同様にアルミニウムのごとき金属を直接密着させること
によっても十分なコンタクトが形成された。このような
コンタクト部では、通常、アルミニウムとシリコン等の
半導体成分との化学的な反応によって、アルミニウム・
シリサイドのごときシリサイドが形成されるのである
が、半導体層の厚さがシリサイドの厚さに比べると十分
に大きなため何ら問題はなかった。

【０００３】

【発明が解決しようする課題】しかしながら、最近の研
究では、活性層の厚さを１５００Å以下、例えば、１０
０〜７５０Å程度にまで薄くすると、よりＴＦＴの特性
が向上することが明らかとなった。しかしながら、この
ような薄い半導体層（活性層）に電極を形成せんとする
場合には従来の方法では良好なコンタクトが得られなか
った。これはシリサイドの厚さが半導体層の厚さと同程
度にまで成長し、コンタクトの電気特性が著しく劣化す
るためであった。そして、このようなコンタクトは長時
間の電圧印加等のストレスを加えると著しく劣化した。

【０００４】また、ＴＦＴの特性を向上させるために
は、半導体層との電極形成後、４００℃以下、典型的に
は２００〜３５０℃の水素雰囲気での熱処理をほどこす
ことが必要とされたが、半導体層の厚さが１５００Å以
下のＴＦＴではこのような熱処理によってシリサイドの
形成が著しく進行し、ＴＦＴの特性が劣化することが問
題であった。

【０００５】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたものであり、配線と半導体層との良好な、少なくと
も３００℃の熱処理にも耐えられるコンタクトを得るこ
と、さらにはこれによって信頼性の向上を図らんとする
ものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上に
形成され、厚さが１５００Å以下、好ましくは１００Å
以上７５０Å以下のシリコンを主成分とする半導体層を
有する電子回路に関する。例えば、活性層の厚さが１５
００Å以下のＴＦＴを有する電子回路は、本発明の対象
となる。本発明の効果は半導体層の厚さが薄いほど顕著
である。

【０００７】本発明の第１の構成は、上記のごとき薄膜
半導体層がガラスのごとき絶縁基板上に密着してあるい
は何らかの絶縁被膜を介して形成され、そして、この半
導体層の一部もしくは全部に、チタンと窒素を主な成分
として含有する第１の層が密着し、さらに、この第１の
層の上面に、アルミニウムを主成分とする第２の層が形
成されており、これら第１および第２の層によって配線
が形成されていることを特徴とするものである。このと
き、第２の層の実質的に全ての下面は第１の層に密着し
ている。また、第２の層の上にさらにチタンと窒素を主
な成分とする第３の層が設けられていてもよい。

【０００８】本発明の第２の構成は、薄膜半導体層がガ
ラスのごとき絶縁基板上に密着してあるいは何らかの絶
縁被膜を介して形成され、そして、この半導体層の一部
もしくは全部に、チタンを主な成分として含有する第１
の層が密着し、さらに、この第１の層の上面に、チタン
と窒素を主成分とする第２の層が密着し、さらに、この
第２の層の上面に、アルミニウムを主成分とする第３の
層が形成されており、これら第１ないし第３の層によっ
て配線が形成されていることを特徴とするものである。
第３の層の上にさらに他の層が形成されていてもよいこ
とはいうまでもない。

【０００９】本発明の第３の構成は、薄膜半導体層がガ
ラスのごとき絶縁基板上に密着してあるいは何らかの絶
縁被膜を介して形成され、そして、この半導体層の一部
もしくは全部に、チタンと窒素を主な成分として含有す
る第１の層が密着し、さらに、この第１の層の上面に、
チタンと窒素を主成分とする第２の層が密着し、さら
に、この第２の層の上面に、アルミニウムを主成分とす
る第３の層が形成されており、これら第１ないし第３の
層によって配線が形成されていることを特徴とするもの
で、第１の層のチタンと窒素の比率（チタン／窒素）が
第２の層のものよりも大きいことを特徴とするものであ
る。

【００１０】いずれの構成においても、第１の層が密着
する部分の薄膜半導体はＮ型もしくはＰ型の導電型を呈
し、好ましくはその部分の不純物濃度は、１×１０¹⁹〜
１×１０²⁰ｃｍ^-2である。この不純物の導入は、公知の
イオン注入法、もしくはプラズマドーピング法を用いて
なされてもよい。このような不純物イオンを高エネルギ
ーに加速して導入する場合には、ドーズ量は０．８×１
０¹⁵ 〜１×１０¹⁷ｃｍ^-2がよい。あるいは不純物ガス
雰囲気でのレーザー照射を利用するレーザードーピング
法（特願平３−２８３９８１、平成３年１０月４日出
願、もしくは特願平３−２９０７１９、平成３年１０月
８日出願）によってもよい。また、その部分のシート抵
抗は１ｋΩ／□以下が好ましい。

【００１１】また、薄膜半導体の下部には、酸化珪素が
密着して形成されていても良い。このとき、この酸化珪
素膜中には薄膜半導体に含有されているのと同じ不純物
が含有されていても良い。

【００１２】前記第１の構成の第１の層において、その
主成分であるチタンと窒素の比率は厚さによって異なっ
てもよい。また、チタンと窒素以外に、シリコン、酸素
等の他の元素を主な成分として含有してもよい。例え
ば、第１の層のうち、半導体層に近い場所では主として
チタンとシリコンからなり、第２の層に近い場所ではチ
タンと窒素を主な成分とし、例えば、チタンと窒素の比
率（窒素／チタン）は化学量論比に近い値（０．８以
上）とし、その中間では連続的に成分が変化するように
してもよい。

【００１３】一般に化学量論比の窒素とチタンからなる
材料（窒化チタン）はバリヤ特性に優れ、アルミニウム
やシリコンの拡散を防止する機能を有するが、シリコン
との接触抵抗が高く、これを直接、コンタクト形成に用
いることは好ましくない。一方、化学量論比のチタンと
シリコン（珪化チタン、チタンシリサイド）からなる材
料はシリコンを主成分とする半導体との接触抵抗が低
く、オーミック接触を形成する上で有利であるが、アル
ミニウム等が拡散しやすく、例えば、第２の層のアルミ
ニウムが第１の層を通じて拡散し、半導体層にアルミニ
ウム・シリサイドを形成する。

【００１４】上記のような複雑な層構造はこのような問
題を解決するためになされるものである。すなわち、第
２の層に接する部分にはバリヤ特性に優れたほぼ化学量
論比の窒化チタンを用いて、第２の層のアルミニウムが
第１の層に進入することを防止、一方、半導体層に接す
る部分にはほぼ化学量論比のチタン・シリサイドを形成
して、良好なオーミック接触を得ることができる。

【００１５】チタン・シリサイドの形成にあたっては被
膜形成の際に意図的にシリコンを加えなくとも、チタン
と半導体層中のシリコンが反応して、自動的にチタン・
シリサイドが形成される。したがって、例えば、半導体
層に近い部分には窒素の少ないチタンを、また、第２層
に近い部分には窒素の多いチタンを堆積しても同様な効
果が得られる。

【００１６】いずれも場合でも、第１の層全体について
見れば、チタンと窒素を主な成分としている。好ましく
は、第１の層におけるチタンと窒素の比率（窒素／チタ
ン）は、０．５〜１．２である。また、このようなチタ
ンと窒素を主な成分とする材料はインディウム・錫酸化
物、酸化亜鉛、酸化ニッケル等の導電性酸化物とオーミ
ック接触を得ることができる。一方、アルミニウムとこ
のような導伝性酸化物が接合を形成すると接合部に厚い
酸化アルミニウムの層が形成されて良好なコンタクトは
得られなかった。従来はアルミニウムと導電性酸化物の
間にクロムの層を形成していたが、クロムは有毒である
ので代わりの材料が求められていた。本発明に使用され
るチタンと窒素を主な成分とする材料はこの点でも優れ
ている。以下に実施例を示し本発明の構成を詳細に説明
する。

【００１７】

【実施例】〔実施例１〕 図１および図２に本実施例
を示す。図１はＴＦＴを有する電子回路を作製する手順
を示したものである。なお、一般的な工程に関しては説
明を省略した。まず、コーニング７０５９等のガラス基
板１上に下地酸化珪素膜２、厚さ５００〜１５００Å、
好ましくは５００〜７５０Åのアモルファスシリコン膜
３、保護層４を形成する。そして、これを４５０〜６０
０℃で１２〜４８時間アニールして、アモルファスシリ
コン膜を結晶化した。この結晶化の工程は、いわゆるレ
ーザーアニール等の手段を用いてもよいことはいうまで
もない。（図１（Ａ））

【００１８】次に、シリコン膜をパターニングして、島
状の半導体領域５を形成し、これを覆って、厚さ５００
〜１５００Å、好ましくは８００〜１０００Åの酸化珪
素膜６を形成し、これをゲイト酸化膜とした。さらに、
アルミニウムのゲイト配線・電極７を形成し、これを陽
極酸化することによって、その周囲に酸化アルミニウム
の被膜を形成した。このようにトップゲイト型ＴＦＴに
陽極酸化を用いる技術に関しては、特願平４−３８６３
７（平成４年１月２４日出願）に記述されている。ゲイ
ト電極がシリコン、チタン、タンタル、タングステン、
モリブテン等の材料で構成されていてもよいことは言う
までもない。その後、ゲイト電極をマスクとして、例え
ば燐のごとき不純物をプラズマ・ドーピング法のごとき
手段によって注入し、ゲイト電極部７に整合させて不純
物領域（ドープド・シリコン領域）８を形成した。さら
に、熱アニール、レーザーアニール等の手段によって不
純物領域８の再結晶化をおこない、ＴＦＴのソース、ド
レインとした。（図１（Ｂ））

【００１９】さらに、層間絶縁物（酸化珪素）９、導電
性透明酸化物、例えばＩＴＯ（インディウム・錫酸化
物）を堆積し、ＩＴＯ膜をパターニングして、これをア
クティブマトリックス型液晶表示素子の画素電極１０を
形成した。そして、層間絶縁物９にコンタクトホールを
形成し、不純物領域（ソース、ドレイン）の一部を露出
させた。そして、スパッタ法によって、チタンと窒素を
主な成分として含有する第１の層と、アルミニウムより
なる第２の層を形成した。その方法は以下のようにおこ
なった。

【００２０】まず、スパッタ・チャンバーにターゲット
としてチタンをセットし、アルゴン雰囲気において成膜
をおこなった。スパッタ圧力は１〜１０ｍＴｏｒｒとし
た。そして、最初に窒素をほとんど含まないチタンを主
成分とする層を厚さ５０〜５００Å形成した。次に、ス
パッタ・チャンバー中にアルゴン以外に窒素を導入し
て、この雰囲気中でスパッタ成膜をおこなった。この結
果、ほぼ化学量論比の窒化チタン層を厚さ２００〜１０
００Å形成した。このとき、スパッタ雰囲気における窒
素の割合は４０％以上となるようにした。なお、スパッ
タリングによる堆積速度は、スパッタ圧力以外に、窒素
の分圧によって著しく変動するので注意しなければなら
ない。例えば、アルゴンのみの雰囲気と窒素が２０％以
上含まれている雰囲気では、前者の方が一般的に３〜５
倍堆積速度が早い。なお、スパッタ時の雰囲気に関して
は、窒素の代わりにアンモニア、ヒドラジン等を用いて
もよい。さらに、スパッタ時の窒素の分圧によって得ら
れる被膜の抵抗率が変化することが知られているが、配
線材料として用いるのであるから、抵抗が低いことが望
ましく、そのために最適な窒素分圧を採用することは言
うまでもない。例えば、窒素１００％の雰囲気と窒素４
０％の雰囲気では、前者の方が低い抵抗率が得られた。
また、典型的な抵抗率は５０〜３００μΩ・ｃｍであっ
た。

【００２１】また、以上の工程で、最初に成膜される窒
素をほとんど含まないチタンの層の厚さがあまりに大き
いと、下の半導体層を反応して良好なコンタクトが得ら
れなかった。本発明人の研究の結果、このチタンの層の
厚さは半導体層の厚さよりも小さいことが好ましいこと
がわかった。

【００２２】このようにして第１の層１１を形成した
後、やはりスパッタ法によって第２の層のアルミニウム
（１％のシリコンを含む）膜１２を厚さ２０００〜５０
００Å形成した。そして、フォトリソグラフィー法によ
って、これらの層をパターニングした。まず、燐酸等の
エッチング液（例えば、燐酸、酢酸、硝酸の混酸）でア
ルミニウムよりなる第２の層をエッチングした。続い
て、このアルミニウム膜の上にレジストを残したまま、
バッファード弗酸もしくは弗硝酸によって第１の層をエ
ッチングした。このときにはオーバーエッチングによっ
て層間絶縁膜等が損傷を受けるので注意しなければなら
ない。なお、最初に選択的に残したアルミニウムをマス
クとして、過酸化水素（Ｈ₂ Ｏ₂ ）水とアンモニア水
（ＮＨ₃ ＯＨ）の混合液によってエッチングしてもよ
い。この場合には層間絶縁膜には影響がない。ただし、
フォトレジスト等の有機材料は酸化されてしまうので、
注意を要する。

【００２３】上記のエッチング工程はドライエッチング
プロセスによってもよい。エッチングガスとして、例え
ば、四塩化炭素（ＣＣｌ₄ ）を使用すれば、第２の層と
第１の層を連続的にエッチングでき、酸化珪素等にはダ
メージを与えないので好適である。このようにして不純
物領域から延びる配線を形成した後、３００℃の水素雰
囲気中でアニールし、ＴＦＴを完成させた。

【００２４】さて、このようにして形成された回路には
外部との接続を必要とする部分が存在する。図２（Ａ）
は基板１７上に形成された集積回路１８から基板周辺部
に向かって外部接続配線１９が形成されている様子を示
している。そして、このような電子回路においては図の
点線で囲まれた領域２０において、ソケット等の接点金
具等で機械的に電気接触が取られる場合がある。

【００２５】あるいは、図２（Ｂ）に示されるような液
晶表示装置では、基板２１上のアクティブマトリックス
領域２５を駆動するための回路２２〜２４に電力や信号
を供給するために、図の点線で囲まれた領域２７におい
て電気接触を取る。ワイヤーボンディング等の接続は恒
久的であり、信頼性が高いが、作製には少なからず手間
がかかり、特に多くの端子を接続するには適していな
い。そこで機械的に接触させるほうが有利な場合があ
る。

【００２６】しかし、その際には接点部分の配線表面が
十分に強固であることと、下地と配線の密着性が良好で
あることが求められる。その目的にはアルミニウムは適
切でないが、チタンを主な成分とする材料は、シリコ
ン、酸化珪素、アルミニウム等の材料との密着性が良好
であり、また、被膜の硬度も大きいので適している。そ
の際には、窒素は全く含まれていなくても、化学量論比
まで最大限含まれていても構わない。本実施例では、第
１の層１２のうち、接点部分のみをエッチングして、第
２の層を露出させた。本実施例では第１の層のうち、第
２の層に接する部分は化学量論比の窒化チタンである。
そして、この窒化チタンの露出した接点金具１３を押し
つけて接点とした。（図１（Ｃ））

【００２７】あるいは図１（Ｄ）に示すように第１の層
１４、第２の層１５に重ねて、窒化チタンからなる第３
の層１６を形成し、この第３の層に接点金具を接触させ
てもよい。この場合には、図１（Ｃ）のように第２の層
の一部をエッチングする必要がなく、パターニング工程
が省略できる。また、図１（Ｅ）に示すように、本発明
の窒素とチタンを主成分とする層を有する配線を先にパ
ターニングしてから、ＩＴＯ膜を形成してもよい。いず
れの場合においても、本実施例ではＩＴＯ膜に窒素とチ
タンを主成分とする材料を用いるので、良好なコンタク
トが得られる。これはＩＴＯに限らず、広く酸化物導伝
体一般について言えることである。

【００２８】以上のようにして得られたＴＦＴのＶ_D −
Ｉ_D 特性（曲線ａ）と、参考までに通常のＡｌ／Ｓｉコ
ンタクトを有するＴＦＴのＶ_D −Ｉ_D 特性（曲線ｂ）と
を図３に示す。従来の方法で作製されたＴＦＴ（曲線ｂ
で示す）では、Ｖ_D 〜０近辺にキンクが見られ、コンタ
クト抵抗がオーム接触性を示さなかったが、本実施例で
作製したＴＦＴ（曲線ａで示す）ではそのような異常は
見られず、正常なＭＯＳＦＥＴ特性が示された。

【００２９】〔実施例２〕 図１を参考にして本実施
例を示す。図１はＴＦＴを有する電子回路を作製する手
順を概念的に示したものである。なお、一般的な工程に
関しては説明を省略した。まず、ガラス基板１上に下地
酸化珪素膜２、厚さ１００〜１５００Å、好ましくは１
００〜７５０Åのアモルファスシリコン膜３、保護層４
を形成する。そして、これを４５０〜６００℃で１２〜
４８時間アニールして、アモルファスシリコン膜を結晶
化した。この結晶化の工程は、いわゆるレーザーアニー
ル等の手段を用いてもよいことはいうまでもない。（図
１（Ａ））

【００３０】次に、シリコン膜をパターニングして、島
状の半導体領域５を形成し、これを覆って、厚さ５００
〜１５００Å、好ましくは８００〜１０００Åの酸化珪
素膜６を形成し、これをゲイト酸化膜とした。さらに、
アルミニウムのゲイト配線・電極７を形成し、これを陽
極酸化することによって、その周囲に酸化アルミニウム
の被膜を形成した。その後、ゲイト電極をマスクとし
て、例えば燐のごとき不純物をイオン注入法のごとき手
段によって注入し、ゲイト電極部７に整合させて不純物
領域（ドープド・シリコン領域）８を形成した。ドーズ
量は０．８〜４×１０¹⁵ｃｍ^-2とし、１×１０¹⁹〜１×
１０²¹ｃｍ^-3の不純物濃度となるように、ドーズ量、加
速電圧、ゲイト酸化膜の厚さを設定した。さらに、熱ア
ニール、レーザーアニール等の手段によって不純物領域
８の再結晶化をおこない、ＴＦＴのソース、ドレインと
した。（図１（Ｂ））

【００３１】さらに、層間絶縁物（酸化珪素）９、ＩＴ
Ｏを堆積し、ＩＴＯ膜をパターニングして、これをアク
ティブマトリックス型液晶表示素子の画素電極１０を形
成した。そして、層間絶縁物９にコンタクトホールを形
成し、不純物領域（ソース、ドレイン）の一部を露出さ
せた。そして、ＤＣスパッタ法によって、チタンと窒素
を主な成分として含有する第１の層と、アルミニウムよ
りなる第２の層を形成した。その方法は以下のようにお
こなった。

【００３２】まず、スパッタ・チャンバーにターゲット
としてチタンをセットし、アルゴンと窒素の分圧比（ア
ルゴン／窒素）が０．３以下、例えば、アルゴン：窒素
＝４：１となるような雰囲気において成膜をおこなっ
た。スパッタ圧力は３ｍＴｏｒｒ、ＤＣ電流は４．５
Ａ、アルゴンの流量は２４ＳＣＣＭ、窒素の流量は６Ｓ
ＣＣＭとした。そして、窒素の含有量が少ない第１の層
の下部層を厚さ１００Å形成した。このようにして形成
された膜は、シリコンおよびＩＴＯとのコンタクト抵抗
が十分に小さかった。

【００３３】次に、スパッタ・チャンバー中の窒素の雰
囲気を増大せしめ、アルゴンと窒素の分圧比（アルゴン
／窒素）が０．３以上、例えば、アルゴン：窒素＝１：
１として、この雰囲気中でスパッタ成膜をおこなった。
スパッタ圧力、ＤＣ電流は３ｍＴｏｒｒ、４．５Ａ、の
ままであるが、アルゴン、窒素ともその流量は１５ＳＣ
ＣＭとした。以上の工程によって第１の層の上部層を厚
さ９００Å形成した。このようにして形成された膜は、
シリコンとのコンタクト抵抗が大きかったので、コンタ
クトには使用できなかったが、本実施例のように配線材
料として使用するには何ら問題がなかった。なお、スパ
ッタリングによる堆積速度は、スパッタ圧力以外に、窒
素の分圧によって著しく変動するので注意しなければな
らない。例えば、アルゴン／窒素＝４／１の場合には、
１００〜１２０Å／ｍｉｎ、アルゴン／窒素＝１／１の
場合には、３０〜４０Å／ｍｉｎであった。

【００３４】このようにして第１の層１１を形成した
後、やはりスパッタ法によって第２の層のアルミニウム
（１％のシリコンを含む）膜１２を厚さ２０００〜５０
００Å形成した。そして、フォトリソグラフィー法によ
って、これらの層をパターニングした。まず、燐酸等の
エッチング液（例えば、燐酸、酢酸、硝酸の混酸）でア
ルミニウムよりなる第２の層をエッチングした。続い
て、このアルミニウム膜の上にレジストを残したまま、
過酸化水素（Ｈ₂ Ｏ₂ ）水とアンモニア水（ＮＨ₃Ｏ
Ｈ）の混合液によって第１の層をエッチングした。この
エッチャントは有機物質を酸化してしまうので、同時に
ファイナル有機洗浄をおこなったことと同じである。こ
のようにして不純物領域から延びる配線を形成した後、
３００℃の水素雰囲気中でアニールし、ＴＦＴを完成さ
せた。さらに、本実施例では、第１の層１２のうち、接
点部分のみをエッチングして、第２の層を露出させた。
そして、この第１の層の露出した接点金具１３を押しつ
けて接点とした。（図１（Ｃ））

【００３５】

【発明の効果】本発明によって、ＴＦＴの薄いソース、
ドレイン（不純物領域）等における良好なコンタクトを
形成することができた。このコンタクトは信頼性が高
く、したがって、電子回路全体の信頼性を向上させる上
で効果があった。このように本発明は工業上、有益な発
明である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明を利用したＴＦＴを有する回路の例
（断面図）を示す。

【図２】 本発明を利用した電子回路の例（上面図）を
示す。

【図３】 本実施例で得られたＴＦＴの特性（ａ）と従
来の方法で得られたＴＦＴの特性（ｂ）を示す。

【符号の説明】

１・・・ガラス基板 ２・・・下地酸化珪素膜 ３・・・シリコン膜 ４・・・保護膜 ５・・・島状半導体領域 ６・・・酸化珪素膜（ゲイト酸化膜） ７・・・ゲイト電極・配線（陽極酸化膜で被覆されたア
ルミニウム） ８・・・不純物領域 ９・・・層間絶縁物（酸化珪素） １０・・・画素電極（ＩＴＯ） １１・・・第１の層（窒化チタン） １２・・・第２の層（アルミニウム） １３・・・接続端子金具 １４・・・第１の層（窒化チタン） １５・・・第２の層（アルミニウム） １６・・・第３の層（窒化チタン）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｕ 29/786 21/90 Ｃ 29/78 ６１２Ｃ (72)発明者 山本 睦夫 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社 半導体エネルギー研究所内 審査官 齋藤 恭一 (56)参考文献 特開 平２−271632（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−100232（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−185066（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−122168（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−301623（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−108767（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−112529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−259469（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−235360（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−210117（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 29/786 H01L 21/3205 - 21/3213 H01L 21/768

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ガラス基板上に形成された、厚さが１５０
   ｎｍ以下のシリコンを主成分とする半導体膜と、 前記半導体膜と電気的に接続され且つパターニングされ
   た配線と、 前記配線を介して前記半導体膜と電気的に接続された、
   導電性酸化物を主成分とする膜とを有し、 前記配線は、チタンを主成分とする第１の層と、チタン
   及び窒素を主成分とする第２の層と、アルミニウムを主
   成分とする第３の層と、チタン及び窒素を主成分とする
   第４の層とを有し、 前記第１の層は前記半導体膜上に接して形成され、 前記導電性酸化物を主成分とする膜は前記第４の層上に
   接して形成され、 前記第２の層は前記第１の層と前記第３の層との間に形
   成され、 前記第３の層は前記第２の層と前記第４の層との間に形
   成され てなることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】ガラス基板上に形成された、厚さが１５０
   ｎｍ以下のシリコンを主成分とする半導体膜と、 前記半導体膜と電気的に接続され且つパターニングされ
   た配線と、 前記配線を介して前記半導体膜と電気的に接続されたＩ
   ＴＯ膜とを有し、 前記配線は、チタンを主成分とする第１の層と、チタン
   及び窒素を主成分とする第２の層と、アルミニウムを主
   成分とする第３の層と、チタン及び窒素を主成分とする
   第４の層とを有し、 前記第１の層は前記半導体膜上に接して形成され、 前記ＩＴＯ膜は前記第４の層上に接して形成され、 前記第２の層は前記第１の層と前記第３の層との間に形
   成され、 前記第３の層は前記第２の層と前記第４の層との間に形
   成され てなることを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】ガラス基板上に形成された、不純物として
   燐を含み厚さが１５０ｎｍ以下のシリコンを主成分とす
   る半導体膜と、 前記半導体膜と電気的に接続され且つパターニングされ
   た配線と、 前記配線を介して前記半導体膜と電気的に接続された、
   導電性酸化物を主成分とする膜とを有し、 前記配線は、チタンを主成分とする第１の層と、チタン
   及び窒素を主成分とする第２の層と、アルミニウムを主
   成分とする第３の層と、チタン及び窒素を主成分とする
   第４の層とを有し、 前記第１の層は前記半導体膜上に接して形成され、 前記導電性酸化物を主成分とする膜は前記第４の層上に
   接して形成され、 前記第２の層は前記第１の層と前記第３の層との間に形
   成され、 前記第３の層は前記第２の層と前記第４の層との間に形
   成され てなることを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】ガラス基板上に形成された、不純物として
   燐を含み厚さが１５０ｎｍ以下のシリコンを主成分とす
   る半導体膜と、 前記半導体膜と電気的に接続され且つパターニングされ
   た配線と、 前記配線を介して前記半導体膜と電気的に接続されたＩ
   ＴＯ膜とを有し、 前記配線は、チタンを主成分とする第１の層と、チタン
   及び窒素を主成分とする第２の層と、アルミニウムを主
   成分とする第３の層と、チタン及び窒素を主成分とする
   第４の層とを有し、 前記第１の層は前記半導体膜上に接して形成され、 前記ＩＴＯ膜は前記第４の層上に接して形成され、 前記第２の層は前記第１の層と前記第３の層との間に形
   成され、 前記第３の層は前記第２の層と前記第４の層との間に形
   成され てなることを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】前記半導体膜の厚さは１０ｎｍ以上７５ｎ
   ｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
   か一項記載の半導体装置。
6. 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一項記載の半導
   体装置を用いた液晶表示装置。