JP4224661B2 - 銅配線基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子素子用基板とその製造方法にかかわり、特に低抵抗の銅を電極材料や配線材料に使用した銅配線基板の銅配線と金属酸化物導電体との接触抵抗の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピューターの表示装置等に液晶表示装置が多用されている。液晶表示装置は一対の基板間に液晶を封入し、基板に液晶駆動用回路やバックライト、カラーフィルター等の付帯要素を装着することによって構成されている。液晶表示装置では多数の画素を使用して任意の文字や図形を高精度で表示できるアクティブマトリクス方式が利用されている。アクティブマトリクス方式の液晶駆動用回路の一例としては、薄膜トランジスタ（ Thin Film Transistor：ＴＦＴ ）方式が知られている。
図６と図７は一般的なボトムゲート型の薄膜トランジスタ基板２２の構造の一例を示す図である。図６は平面図を示し、図７は図６の薄膜トランジスタ部分と図示しないゲート配線端子部の断面構造を説明する図である。図に示すように透明で絶縁性の基板１の上にゲート配線５とソース配線６がマトリックス状に配線されている。このゲート配線５とソース配線６に囲まれた領域が画素２１である。各画素２１には薄膜トランジスタ２０が設けられている。
【０００３】
薄膜トランジスタ２０にはアルミニウム、クロム、タンタルあるいはこれらの合金などの導電材料からなるゲート配線５とこのゲート配線５から引き出して設けたゲート電極７上にゲート絶縁膜１０が設けられ、このゲート絶縁膜１０の上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体能動膜１２がゲート電極７に対向させて設けられ、半導体能動膜１２の両側の上部側には、リンなどのドナーとなる不純物を高濃度にドープしたアモルファスシリコンなどから成るオーミックコンタクト膜１３，１４が載置されている。さらにゲート絶縁膜１０の上部には、オーミックコンタクト膜１３，１４の上に一部重なるようにしてアルミニウム、クロム、タンタルあるいはこれらの合金などの導電材料からなるソース電極８とドレイン電極９とを相互に対向させて設けている。また、ドレイン電極９の一端は、コンタクトホール１７が設けられ、インジウム錫酸化物（ Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ）、インジウム錫亜鉛酸化物（ Indium Tin Zinc Oxide：ＩＴＺＯ）等からなる透明な画素電極１１と接続されている。ゲート配線５とソース配線６の一端にはそれぞれゲート配線の端子部１８及びソース配線の端子部１９が設けられ、パッシベーション膜１５には金属配線まで達するコンタクトホールを設けてコンタクトホール内面に金属酸化物導電体１６を被着させ、金属配線と接触させることによりゲート配線の端子部１８あるいはソース配線の端子部１９を形成している。
【０００４】
そしてこれらゲート絶縁膜１０、ソース電極８とドレイン電極９及び画素電極１１などの上に、パッシベーション膜１５が設けられている。パッシベーション膜１５の上には配向膜（図示せず）が形成され、この配向膜に接して液晶が封入されてアクティブマトリクス液晶装置が構成されている。画素電極１１を通して液晶分子に電界を印加することによって液晶分子の配向制御を行うようになっている。
【０００５】
図６と図７に示した薄膜トランジスタ基板を製造する方法の一例としては、たとえばまずアルミニウム、クロム、タンタル等の導電性金属から成るターゲットを使用し、該ターゲットに直流電圧を印加するスパッタ法などの薄膜形成手段を用いて、ガラス等の透明絶縁性の基板１の上にアルミニウム、クロム、タンタル等の導電性金属薄膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィー法により基板１上のゲート電極形成以外の場所の導電性金属薄膜を除去してゲート電極７を形成した後、ＣＶＤ法等の薄膜形成手段を利用してＳｉＯ₂ やＳｉＮ_x から成るゲート絶縁膜１０、半導体能動膜１２を形成する。次いで、これらの上に前述のスパッタ法、フォトリソグラフィー法によりオーミックコンタクト膜１３，１４、ソース電極８とドレイン電極９を形成し、次いで形成したソース電極８とドレイン電極９をマスクとしてオーミックコンタクト膜の一部を除去して、オーミックコンタクト膜を分割した後、ＣＶＤ法等により、パッシベイション膜１５を形成して薄膜トランジスタ基板２２が得られる。
【０００６】
近年液晶表示装置の動作の高速化が要求されるようになり、ゲート配線、ソース配線、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極などの導電部の配線材料での信号伝達の遅延が問題になってきた。この問題を解決する手段として、従来配線材料として使用されてきたアルミニウム、クロム、タンタル等の導電性金属に代えて、より低抵抗で安価な金属である銅（Ｃｕ）を利用することが提案されている。
配線材料として銅を利用する場合、銅の酸化防止策をとる必要がある。銅表面が空気中の酸素や水分に触れると表面にＣｕＯやＣｕ₂Ｏ 等の酸化層が形成される。これらの酸化層は不動態とはならないので内部まで酸化が進行し、配線材料としての銅の比抵抗が増大してしまい、低抵抗であるという銅の利点が失われてしまう。銅表面の酸化を防止するために、半導体分野で一般にパッシベイション膜として使用されている酸化珪素質の保護膜を使用すると、酸化珪素と銅との間で原子の相互拡散が起こり、銅の比抵抗が増大してしまうので酸化珪素質の保護膜は使用することができない。たとえばゲート電極を銅薄膜から構成して、ゲート絶縁膜を酸化珪素膜で構成し、後工程でアニール等の加熱処理を施した場合には、ゲート電極とゲート絶縁膜の間あるいはガラス基板とゲート電極との間などでも酸化珪素と銅との間の原子の相互拡散が起こる。銅がゲート絶縁膜に拡散すると絶縁耐圧不良を起こし、珪素がゲート電極中に拡散するとゲート電極の抵抗が上昇してしまう。このような現象が起こるため、酸化珪素膜は銅配線の酸化防止用の保護膜としては使用することはできない。
【０００７】
酸化珪素膜に代わるものとしてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電体が挙げられる。通常、これらの金属酸化物導電体は液晶表示装置において透明画素電極として使用されるものである。金属酸化物導電体は銅との間で原子の相互拡散を起こさないので、透明画素電極として使用する他に、銅配線に対するパッシベイション膜としても有効である。たとえば、銅配線からなるゲート配線や信号配線の端子部分に金属酸化物導電体からなるキャップ層を設けておけば、大気中の酸素や水分によって銅配線が酸化されることはなく、銅配線の比抵抗が高くなることはない。したがって、銅薄膜からなるゲート配線や信号配線の端子部分に金属酸化物導電体からなるキャップ層を設けことは、接続端子部において良好な接続を維持するためには有効な手段である。
【０００８】
端子部分の銅配線のキャップ層として金属酸化物導電体を使用する場合、銅配線と金属酸化物導電体との間の接触抵抗が低いこと及びその接触抵抗のバラツキが少ないことが求められる。通常、銅配線と金属酸化物導電体との接触抵抗は、銅配線上に金属酸化物導電をスパッタ成膜した後、２５０℃で２時間程度アニールすることにより１．０×１０^-6Ωｃｍ² 以下まで下げることが可能である。
また、金属酸化物導電体を透明画素電極として使用する場合、ドレイン電極を構成する銅配線と金属酸化物導電体との接触抵抗が低いことに加えて、金属酸化物導電体の比抵抗が低いこと及び可視光に対する光透過率が高いことが要求される。
通常、銅配線と金属酸化物導電体との比抵抗を低くするためには、金属酸化物導電体のスパッタ成膜時にアルゴンに若干の酸素を富化した酸化性雰囲気で成膜する。たとえばアルゴン雰囲気中で成膜した場合の金属酸化物導電体薄膜の比抵抗は１．０Ωｃｍ程度であるのに対して、アルゴンに１．５％の酸素を富化した酸化性雰囲気で成膜すると、金属酸化物導電体薄膜の比抵抗は０．４Ωｃｍ程度まで低下する。
【０００９】
金属酸化物導電体の成膜には、たとえばインライン式のスパッタ成膜装置を使用することができる。図８はデポアップ方式のインラインスパッタ成膜装置３０の構成の一例を示す説明図である。スパッタ成膜室３１内には、その下方にターゲット電極が設けられ、ターゲット電極の上面には金属酸化物導電体からなるターゲット３３が静電チャック等の通常の手段を用いて脱着自在に装着できるようにしてある。スパッタ成膜室３１の上方には前記ターゲットに対向する対向電極３４が設けられている。
本装置３０は、基板１を図示しない基板搬送装置によってターゲット３３と対向電極３４の間を図の紙面左右方向に移動できるように構成してある。
【００１０】
本装置３０は、スパッタ成膜室３１内にアルゴンプラズマを創生し、ターゲット表面をスパッタして基板１の表面に目的とするターゲット物質の薄膜を沈着させるようになっている。この装置では基板１の薄膜沈着面を下向きにし、下方からスパッタ照射して成膜する、デポアップ方式を採用している。
上記スパッタ成膜室３１には真空引き用またはガス排気用の排気設備やスパッタ成膜室３１内へのガス供給設備等が付属しており、任意の組成に成分調整した雰囲気ガスをスパッタ成膜室３１に導き、雰囲気調整するとともに、スパッタ成膜室３１の圧力も任意に調整可能なように構成してある。
スパッタ成膜室３１にはストッカーチャンバー３２が付属しており、基板ストッカー３５を内蔵している。図示しない基板搬送装置により、成膜後の基板を移送して調整雰囲気下で基板を保持できるように構成してある。
上記のように構成したスパッタ成膜室３１を使用して、アルゴン雰囲気中でターゲット電極側に高周波電圧を印加すれば、金属酸化物導電体薄膜をスパッタ成膜することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のような装置を使用して銅薄膜の上に得た金属酸化物導電体薄膜は、アルゴンガス単体の非酸化性雰囲気中で成膜した場合には、銅薄膜と金属酸化物導電体薄膜との接触抵抗は低いものの、金属酸化物導電体薄膜の比抵抗は高く、光透過率が低い。たとえば、銅薄膜の上に前記デポアップ方式のインラインスパッタ装置を使用して、アルゴン雰囲気中でターゲット電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加して得られた厚さ１０００オングストロームのインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）薄膜の比抵抗は１Ωｃｍ、光透過率は７５％であり、銅薄膜と金属酸化物導電体薄膜との接触抵抗は１．０×１０^-6Ωｃｍ² である。これらの値は端子部分の銅配線の保護膜として使用するには十分低い接触抵抗値を示しているものの、透明画素電極として使用するには比抵抗が高く、光透過率も低くて満足のいくものではない。
【００１２】
また、アルゴンに酸素を１．５％富化した酸化性雰囲気中でターゲット電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加して得られた厚さ１０００オングストロームのインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）薄膜の比抵抗は０．４Ωｃｍ、光透過率は８８％であり、銅薄膜と金属酸化物導電体薄膜との接触抵抗は１．０×１０^-4Ωｃｍ² 程度である。これらの値は透明画素電極として使用するには比抵抗が低く、光透過率が高くて満足できるものであるが、端子部分の銅配線の保護膜として使用するには接触抵抗が高くて満足のいくものではない。
【００１３】
本発明の目的は、銅薄膜上に金属酸化物導電体薄膜を形成するに際し、比抵抗が低くて光透過率が高く、かつ銅薄膜との接触抵抗が低い金属酸化物導電体薄膜を得ることを目的とする。
本発明の他目的は、前記の特性を有する金属酸化物導電体薄膜を、液晶表示装置のゲート配線やソース配線の端子部の金属導電体のキャップ層、あるいは液晶表示装置駆動用のＴＦＴのドレイン電極につながる透明な画素電極として利用し、金属導電体として比抵抗の低い銅を使用することを可能にしようとするものである。
さらに、本発明のもう一つの目的は、金属導電体として比抵抗の低い銅を使用することにより、金属導電体における信号伝達の遅延を防止し、駆動用電力を低減させて高性能な液晶表示装置を提供しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では金属酸化物導電体薄膜として比抵抗が３００〜４００Ωｃｍ、光透過率が８５％以上、銅薄膜との接触抵抗が０．３×１０^-6Ωｃｍ² 〜０．７×１０^-6Ωｃｍ² の金属酸化物導電体薄膜を採用することとした。
このような本発明の特性を有する金属酸化物導電体は非酸化成雰囲気中でスパッタ成膜された部分と、酸化成雰囲気中でスパッタ成膜された部分とから構成されたものである。
また、本発明の金属酸化物導電体は、インジウム錫、インジウム亜鉛またはインジウム錫亜鉛の酸化物からなるものが利用できる。
上記のような特性を有する金属酸化物導電体薄膜を採用することにより、透明画素電極として使用する場合には比抵抗が低く低電力で動作し、光透過率が高いので高輝度の液晶表示画面が得られる利点を有する。また、端子部の保護膜として使用する場合には、銅配線との接触抵抗が低く、かつ接触抵抗のバラツキも少ないので動作の安定した液晶表示装置が得られる利点を有する。
【００１５】
本発明の銅配線基板は、液晶表示装置として使用する薄膜トランジスタ基板のゲート配線あるいはソース配線に応用することができ、その場合には金属酸化物導電体薄膜をゲート端子あるいはソース端子とすることができる。このようにすれば端子部の金属酸化物導電体が銅配線の保護膜として作用し、銅配線との接触抵抗が低く、かつ接触抵抗のバラツキも少ない端子となる。
また、本発明の銅配線基板は、薄膜トランジスタのドレイン電極に応用することができ、その場合には金属酸化物導電体薄膜をそのまま延伸して透明な画素電極と一体化することができる。本発明の金属酸化物導電体薄膜を画素電極として使用すれば、比抵抗が低く光透過率が高い優れた特性を有する画素電極となる。
【００１６】
また、本発明では金属酸化物導電体薄膜の形成に際し、成膜当初は非酸化性雰囲気中でスパッタ成膜し、次いで酸素を富化した酸化性雰囲気中でスパッタ成膜する２段階成膜手段を採用した。
上記の方法を採用することにより、非酸化性雰囲気成膜の低接触抵抗と、酸化性雰囲気成膜の低比抵抗高光透過率という両者の利点を合わせ持つ特性を発揮させることが可能となる。
金属酸化物導電体薄膜をスパッタ成膜する際のターゲットには、インジウム錫、インジウム亜鉛又はインジウム錫亜鉛の酸化物を使用する。
【００１７】
上記のような方法を採用することにより、銅配線との接触抵抗が低くかつ接触抵抗のバラツキも少なく、しかも比抵抗が低くて光透過率が高い金属酸化物導電体薄膜を雰囲気調整のみの極めて簡便な方法で得ることができる。又、端子部の銅配線の保護膜と画素電極を同一の工程で得ることができる利点を有する。さらには、接触抵抗を下げるためのアニール処理も不要となるので工程が簡略化し、ＴＦＴのアモルファスシリコンを結晶化させたり基板の膨張収縮といった弊害も防ぐことが可能となる利点を有する。
【００１８】
本発明の銅配線基板は、液晶表示装置の互いに対向する一対の基板のいずれか一方の基板として使用する。ゲート配線、ソース配線あるいは薄膜トランジスタ等の液晶表示装置を構成する要素を載置した基板として使用する。本発明の銅配線基板を使用した液晶表示装置は、低電力で動作し、光透過率が高いので高輝度の液晶表示画面が得られる利点を有する。また、端子部の接触抵抗が低く、かつ接触抵抗のバラツキも少ないので動作の安定した液晶表示装置が得られる利点を有する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明で利用できる金属酸化物導電体としては、インジウム錫酸化物（ Indiumu Tin Oxide：ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Indiumu Zinc Oxide：ＩＺＯ）、インジウム錫亜鉛酸化物（ Indiumu Tin Zinc Oxide：ＩＴＺＯ ）等が挙げられる。
図１は本発明の銅配線基板の断面構造の一部を示す図であり、銅配線上に金属酸化物導電体を形成した部分の一例を示した図である。
図１において１はガラス、石英等の少なくとも表面が絶縁性の基板である。基板１の上に銅薄膜からなる銅配線２が形成されており、銅配線２の周囲には絶縁膜４が形成してある。銅配線２の上及び絶縁膜４の上には金属酸化物導電体薄膜３が形成してある。この金属酸化物導電体薄膜３は銅配線２または絶縁膜４と接する部分３ａと、銅配線２または絶縁膜４と離れた表面部分３ｂとからなっている。銅配線２または絶縁膜４と接する部分３ａは厚さが概ね１００〜３００オングストローム程度であり、非酸化性雰囲気中でスパッタ成膜したものである。また、銅配線２または絶縁膜４と離れた表面部分３ｂは厚さが概ね９００〜１１００オングストローム程度で、酸化性雰囲気中でスパッタ成膜したものである。金属酸化物導電体薄膜３の全体の厚さは１０００〜１２００オングストロームである。金属酸化物導電体薄膜３の厚さを１０００〜１２００オングストロームとするのは、銅配線２の表面の酸化を防止して、かつ透明な画素電極とした場合の光透過率を確保するためである。
【００２０】
上記の金属酸化物導電体薄膜の比抵抗は３００〜４００Ωｃｍとする。比抵抗が３００Ωｃｍ未満はスパッタ成膜で得るのは難しい。比抵抗が４００Ωｃｍを越えると液晶表示装置の画素電極に使用した場合に、駆動用電力が増大するから好ましくない。また、上記の金属酸化物導電体薄膜の光透過率は８５％以上が必要である。光透過率が８５％未満では液晶表示装置とした場合の輝度が不足し、良質の表示画面が得られないからである。より好ましくは光透過率は８７％以上である。
【００２１】
さらに、上記の金属酸化物導電体薄膜と銅薄膜との接触抵抗は０．３×１０^-6Ωｃｍ² 〜０．７×１０^-6Ωｃｍ² とする。金属酸化物導電体薄膜と銅薄膜とが接触するどの位置においても接触抵抗が前記範囲に収まっており、バラツキがなく均一になっていることが必要である。接触抵抗は低い方が好ましいのは当然であるが、本発明の薄膜の積層構造においては、０．３×１０^-6Ωｃｍ² 未満の接触抵抗を接合面全面にわたって均一に得るのは困難である。たとえ部分的に接触抵抗の低い部分が得られたとしても、接触抵抗の高い部分があれば画素電極に使用した場合に表示ムラとなり、高品質の表示画面が得られないからである。また、端子部分に使用した場合には、接触抵抗のバラツキが大きいとＴＦＴの動作不良につながるからである。したがって、金属酸化物導電体薄膜と銅薄膜との接触抵抗は１．０×１０^-6Ωｃｍ² 以下のレベルで、バラツキが少なく均一であることが要求される。より好ましくは接触抵抗は０．３×１０^-6Ωｃｍ² 〜０．７×１０^-6Ωｃｍ² の範囲にあれば、端子部分での接触抵抗としてもまたは画素電極の接触抵抗としても満足できるものである。
【００２２】
このような特性を満足する金属酸化物導電体薄膜はスパッタ成膜装置の雰囲気を調整することにより得られる。すなわち、表面が絶縁性である基板上に銅薄膜を形成した後、スパッタ成膜室内を非酸化性雰囲気にして金属酸化物ターゲットを使用してスパッタ成膜し、次いでスパッタ成膜室内を酸化性雰囲気に切り替えて引き続き金属酸化物ターゲットを使用してスパッタ成膜する２段階成膜法を採用することにより得られる。
ここで、非酸化性雰囲気とはアルゴンガス単体の雰囲気が広く使用できる。また、酸化性雰囲気とはアルゴンガスに酸素を富化した雰囲気であり、好ましくは酸素を０．５〜２．０容量％富化した雰囲気を用いることができる。
その他のスパッタ成膜条件には特に制限はないが、通常たとえば雰囲気ガス流量は６０〜１２０ｓｃｃｍ程度、雰囲気圧力は２×１０^-3〜５×１０^-3Ｔｏｒｒ程度、ターゲット電極に印加する電圧は直流で２Ｗ／ｃｍ² 程度が好適に利用できる。基板は特に加熱する必要はない。
このような条件で成膜された金属酸化物導電体薄膜は、非酸化成雰囲気で成膜した低接触抵抗である特性と、酸化成雰囲気で成膜した低比抵抗、高光透過率という両者の特徴を合わせ持つものとなる。
すなわちこのような条件で銅薄膜上にスパッタ成膜して得られた金属酸化物導電体薄膜は、銅薄膜との接触抵抗が１．０×１０^-6Ωｃｍ² 以下と低く、比抵抗は４００Ωｃｍ以下と低くかつ光透過率は８５％以上と高い特性を備えた金属酸化物導電体薄膜が得られる。
【００２３】
金属酸化物導電体薄膜と銅薄膜との接触抵抗は、スパッタ成膜時の雰囲気中の酸素濃度に依存する。
たとえばガラス基板上に銅薄膜をスパッタ成膜した基板を前記インラインスパッタ成膜装置のスパッタ成膜室に装填し、スパッタ成膜室内にアルゴンガス単独又は酸素を富化したアルゴンガスを流し、銅薄膜上にＩＺＯ薄膜をスパッタ成膜したときの銅薄膜とＩＺＯ薄膜との接触抵抗を測定した結果を図２に示す。ＩＺＯ薄膜のスパッタ成膜条件は、雰囲気ガス流量は１００ｓｃｃｍ、雰囲気圧力は２×１０^-3Ｔｏｒｒ、ターゲット電極に印加する電圧は直流で２Ｗ／ｃｍ² である。図２において測定位置１〜測定位置４は四角い基板表面の対角線上に４点の測定位置を定めたものである。
図２に示すように、酸素を富化しないアルゴンガス単独で成膜した場合は、銅薄膜とＩＺＯ薄膜との接触抵抗は３．５×１０^-6Ωｃｍ² 〜５．０×１０^-6Ωｃｍ² であり、接触抵抗が低くてバラツキも少ない。
これに対してアルゴンガスに酸素を富化していくと接触抵抗が高くなり、バラツキも大きくなってくる。たとえばアルゴンガスに酸素を３．０％富化した場合は、銅薄膜とＩＺＯ薄膜との接触抵抗は３００×１０^-6Ωｃｍ²〜２８×１０^-6Ωｃｍ²となり、接触抵抗が高くてバラツキも大きくなる。
【００２４】
上記の雰囲気を変えた条件でスパッタ成膜して得られた金属酸化物導電体薄膜と銅薄膜との界面では、熱処理を行っていないので銅原子の拡散が起こらず、急峻な界面状態を示す。
図３は上記方法によって得られたＩＺＯ薄膜と銅薄膜との界面近傍をオージェ電子分光法（ Auger electron supectroscope ：ＡＥＳ）により観察した結果である。観察条件は雰囲気：アルゴン、スパッタ電圧：直流２ｋＶ、スパッタエッチングレイト：４０オングストローム／ｍｉｎである。図に示すとおり、エッチングのスパッタ時間１７分（深さ約６８０オングストローム）を境にしてインジウム、亜鉛及び酸素のプロファイルが下がり、銅のプロファイルが急上昇している。銅のプロファイルが定常状態に達するまでの時間は、１分弱（厚さで約４０オングストローム弱）である。
【００２５】
これに対してアルゴンに酸素を１．５容量％富化した雰囲気でスパッタ成膜した後、接触抵抗を下げるために２５０℃で２時間アニールしたＩＺＯ薄膜と銅薄膜との界面は、熱処理により急峻性が失われる。
図４はスパッタ成膜直後にＩＺＯ薄膜と銅薄膜との界面近傍をＡＥＳ観察した結果である。図に示すとおりエッチングのスパッタ時間１７．２分（深さ約６９０オングストローム）を境にしてインジウム、亜鉛及び酸素のプロファイルが下がり、銅のプロファイルが急上昇している。銅のプロファイルが定常状態に達するまでの時間は、１分弱（厚さで約４０オングストローム弱）である。
このＩＺＯ薄膜を２５０℃で２時間アニールした後、ＩＺＯ薄膜と銅薄膜との界面近傍をＡＥＳ観察した結果が図５である。図５に示すとおりアニールによる熱拡散が進み、銅のプロファイルが定常状態に達するまでの時間は、約２分（厚さで約８０オングストローム弱）である。
【００２６】
このように酸化物導電体薄膜と銅薄膜との接触抵抗が低くても、アニールにより接触抵抗を下げた場合には酸化物導電体薄膜と銅薄膜との接合界面がブロードになり、定常状態に達するまでの時間は１分以上２分程度（拡散領域の厚さ約８０オングストローム）になるのに対して、本発明の方法による場合には酸化物導電体薄膜と銅薄膜との接合界面が急峻となり、定常状態に達するまでの時間は約１分程度（拡散領域の厚さ約４０オングストローム）となる。
銅薄膜上に形成した金属酸化物導電体薄膜であって、金属酸化物導電体薄膜の比抵抗が低くて光透過率が高く、銅薄膜との接触抵抗が低くしかも金属酸化物導電体薄膜面内において銅薄膜との接触抵抗のバラツキの少ない均一な特性を有しており、かつ銅薄膜と金属酸化物導電体薄膜との接合界面における拡散領域が狭くて急峻な接合界面を有するものは、本発明の方法に依る以外他の方法では得られないものである。
【００２７】
【実施例】
以下本発明の銅配線基板の製造方法を実施例に基づき説明する。
（実施例１）
スパッタ成膜装置を使用してガラス基板上に銅配線パターンを形成し、該銅配線パターンの表面にスパッタ法によりＩＺＯ膜を形成した。
まず、プラズマ成膜室内の基板ホルダーにガラス基板を装着し、ターゲットホルダーに銅ターゲットを装着した。プラズマ成膜室内を４．５×１０^-3Ｔｏｒｒの圧力に保ち、アルゴンガスを８０ｓｃｃｍで流しながら、ターゲット電極に２ｗ／ｃｍ² の直流電圧を印加して、銅薄膜をスパッタ成膜した。
次いでこの銅薄膜の表面にレジストを塗布し、所定の形状にパターン露光して、エッチングにより銅薄膜の不要部分を除去した後、レジストを剥離するパターニングを施して、所定の銅配線パターンとした。
【００２８】
次に、上記所定の銅配線パターンを有するガラス基板をプラズマ成膜室内の基板ホルダーに装着し、ターゲットホルダーにＩＺＯターゲットを装着した。プラズマ成膜室内を３×１０^-3Ｔｏｒｒの圧力に保ち、アルゴン単体ガスを１００ｓｃｃｍで流しながら、ターゲット電極に２ｗ／ｃｍ² の直流電圧を８秒間印加して、厚さ２００オングストロームのＩＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。次いで、プラズマ成膜室内に流すガスをアルゴン単体からアルゴン：酸素の混合比が９８．５：１．５のアルゴン／酸素の混合ガスに切り替え、４０秒間成膜して厚さ１０００オングストロームのＩＺＯ薄膜を得た。このようにしてガラス基板の上に銅配線を有し、該銅配線の表面に厚さ１２００オングストロームのＩＺＯ薄膜を備えた銅配線基板を得た。
【００２９】
上記のようにして得た銅配線基板のＩＺＯ薄膜の比抵抗と光透過率及び銅配線とＩＺＯ薄膜との接触抵抗を測定した。結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】

【００３１】
（比較例１）
比較のため、ＩＺＯ薄膜の成膜条件を変えた以外は実施例１と同様の方法で銅配線基板を製造した。
すなわち、実施例１と同様の方法で製造した所定の銅配線パターンを有するガラス基板をプラズマ成膜室内の基板ホルダーに装着し、ターゲットホルダーにＩＺＯターゲットを装着した。プラズマ成膜室内を３×１０^-3Ｔｏｒｒの圧力に保ち、アルゴンガス単体を１００ｓｃｃｍで流しながら、ターゲット電極に２ｗ／ｃｍ² の直流電圧を４８秒間印加して、厚さ１２００オングストロームのＩＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。このようにして得た銅配線基板について、ＩＺＯ薄膜の比抵抗、ＩＺＯ薄膜の光透過率及び銅配線とＩＺＯ薄膜との接触抵抗を測定した。測定結果を表１に併記する。
表１の結果から、本発明により得られたＩＺＯ薄膜は、接触抵抗が低く、比抵抗も低く光透過率が高いという特性を合わせ持っていることが判る。
【００３２】
（比較例２）
スパッタ製膜室に流すガスをアルゴン単体からアルゴン：酸素の混合比が９８．５：１．５のアルゴン／酸素の混合ガスに変えた以外は比較例１と同様にしてＩＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。このようにして得た銅配線基板について、ＩＺＯ薄膜の比抵抗、ＩＺＯ薄膜の光透過率及び銅配線とＩＺＯ薄膜との接触抵抗を測定した。測定結果を表１に併記する。
【００３３】
次に、本発明の銅配線基板を利用した薄膜トランジスタ基板の製造方法について説明する。
（実施例２）
（２−１） ゲート配線及びゲート電極用銅薄膜の成膜工程
通常のプラズマ成膜装置を使用して、プラズマ成膜室内をアルゴンガス雰囲気とし、ターゲット電極に銅ターゲットを装着し、基板電極にはガラス基板を装着した。ターゲット電極に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、ガラス基板上に厚さ１０００オングストロームの銅薄膜を形成した。
（２−２） ゲート配線及びゲート電極のパターニング
銅薄膜の表面にレジストを塗布してパターン露光し、エッチングにより銅膜膜の不要部分を除去した後にレジストを剥離するパターニングを施して、所望の形状のゲート配線及びゲート電極の銅配線パターンを形成した。
【００３４】
（２−３） ゲート絶縁膜のＣＶＤ成膜
プラズマＣＶＤ成膜室内をＳｉＨ₄ ＋ ＮＨ₃ 混合ガス雰囲気とし、高周波電極に２００ＭＨｚの高周波電流を印加してＣＶＤ成膜を行い、基板全面に窒化珪素からなるゲート絶縁膜を形成した。
（２−４） 半導体能動膜のＣＶＤ成膜
プラズマＣＶＤ成膜室内をＳｉＨ₄ ＋ Ｈ₂ 混合ガス雰囲気とし、高周波電極に２００ＭＨｚの高周波電流を印加して、ゲート絶縁膜の上にアモルファスシリコンからなる半導体能動膜を形成した。
【００３５】
（２−５） オーミックコンタクト膜の成膜
スパッタ成膜室内をアルゴンガス雰囲気とし、ターゲット電極にアモルファスシリコン：ｎ⁺ 生成用のリンドープシリコンからなるシリコンターゲットを装着し、ターゲット電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電流を印加してスパッタ成膜し、半導体能動膜上にアモルファスシリコン：ｎ⁺ からなるオーミックコンタクト膜を形成した。
（２−６） 半導体能動膜とオーミックコンタクト膜のパターニング
オーミックコンタクト膜の表面にレジストを塗布した後、所定の形状にパターン露光し、エッチングにより半導体能動膜とオーミックコンタクト膜の不要部分を除去し、レジストを剥離するパターニングを施して、ゲート電極よりも小さいアイランド状の半導体能動膜とオーミックコンタクト膜を得た。半導体能動膜とオーミックコンタクト膜は、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向する位置に配置してある。
【００３６】
（２−７） ソース・ドレイン配線及びソース・ドレイン電極用銅薄膜の成膜
オーミックコンタクト膜を形成した基板の全面を覆うように、膜厚５００オングストローム程度の銅薄膜を（１−１）に記載した方法とほぼ同様にしてスパッタ成膜した。
（２−８） ソース・ドレイン配線、ソース電極及びドレイン電極並びに半導体能動膜とオーミックコンタクト膜のパターニング
オーミックコンタクト膜の中央部分の上部にある銅薄膜とオーミックコンタクト膜の中央部分とをエッチングにより除去し、半導体能動膜９２の両端部分にオーミックコンタクト膜を介してソース電極とドレイン電極を互いに隔離するように形成した。同様にして銅薄膜を所定の形状にパターニングして、ソース・ドレイン配線の銅配線パターンを形成した。
【００３７】
（２−９） パッシベーション膜の成膜
半導体能動膜、ソース電極及びドレイン電極表面を覆うように、基板の全表面に窒化珪素からなるパッシベーション膜を（１−３）に記載したゲート絶縁膜の形成方法に準じてＣＶＤ成膜した。
（２−１０） ゲート絶縁膜及びパッシベーション膜のパターニング
パッシベーション膜表面にレジストを塗布してパターン露光し、エッチングによりパッシベーション膜やゲート絶縁膜の不要部分を除去した後にレジストを剥離するパターニングを施して、ゲート配線の一端のゲート配線の接続端子を形成する位置、ソース配線の一端のソース配線の接続端子を形成する位置を、ゲート配線又はソース配線に達する深さまでエッチングして、所定形状のコンタクトホール用の孔を設けた。
同様にしてドレイン電極の一端と画素電極とを接続するための、コンタクトホールを形成する位置のパッシベーション膜もドレイン電極に達する深さまでエッチングして、所定形状のコンタクトホール用の孔を設けた。
【００３８】
（２−１１） ＩＺＯ薄膜の成膜
次いで、本発明の方法に依り、パッシベーション膜の表面全面にＩＺＯ薄膜を形成した。先ず、コンタクトホールを形成した基板をスパッタ成膜室の基板電極に装着し、スパッタ成膜室内にアルゴンガス単体を流してスパッタ成膜室内をアルゴン雰囲気とした。ターゲット電極にＩＺＯからなるターゲットを装着し、ターゲット電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を負荷密度２Ｗ／ｃｍ² で印加して、約２００オングストロームの厚さのＩＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。
次いで、スパッタ成膜室内に流すガスをアルゴンガス単体からアルゴン：酸素＝９８．５：１．５（容積比）の混合ガスに切り替え、スパッタ成膜室内を酸化性雰囲気にした後、引き続き同一条件で厚さ約１０００オングストロームのＩＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。このようにして基板全面に厚さ約１２００オングストロームのＩＺＯ薄膜を成膜した。
【００３９】
（２−１２） 画素電極及び接続端子の形成工程
次いで、基板全面にレジストを塗布し、パターン露光してエッチングによりゲート配線の接続端子部、ソース配線の接続端子部及びドレイン電極のコンタクトホール部とそれに続く画素電極以外の不要なレジストを除去した後、エッチャントとして蓚酸を使用してＩＺＯ薄膜をエッチングによりパターニングして、ゲート配線の接続端子部、ソース配線の接続端子部 及び画素電極を形成した。
以上説明した工程を経て薄膜トランジスタ基板を得た。
【００４０】
（実施例３）
スパッタ成膜装置を使用してガラス基板上に銅配線パターンを形成し、該銅配線パターンの表面にスパッタ法によりＩＴＺＯ膜を形成した。
まず、プラズマ成膜室内の基板ホルダーにガラス基板を装着し、ターゲットホルダーに銅ターゲットを装着した。プラズマ成膜室内を４．５×１０^-3Ｔｏｒｒの圧力に保ち、アルゴンガスを８０ｓｃｃｍで流しながら、ターゲット電極に２ｗ／ｃｍ² の直流電圧を印加して、銅薄膜をスパッタ成膜した。
次いでこの銅薄膜の表面にレジストを塗布し、所定の形状にパターン露光して、エッチングにより銅薄膜の不要部分を除去した後、レジストを剥離するパターニングを施して、所定の銅配線パターンとした。
【００４１】
次に、上記所定の銅配線パターンを有するガラス基板をプラズマ成膜室内の基板ホルダーに装着し、ターゲットホルダーにＩＴＺＯターゲットを装着した。ＩＴＺＯターゲットはインジウム酸化物と錫酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、インジウムと錫と亜鉛の合計量に対する亜鉛の原子数率が１ａｔ％ないし１２ａｔ％であり、亜鉛に対する錫の原子数比が１以上であり、かつ、 インジウムと錫と亜鉛の合計量に対する錫の原子数率が２２ａｔ％以下のものである。
プラズマ成膜室内を３×１０^-3Ｔｏｒｒの圧力に保ち、アルゴン単体ガスを１００ｓｃｃｍで流しながら、ターゲット電極に２ｗ／ｃｍ² の直流電圧を８秒間印加して、厚さ２００オングストロームのＩＴＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。次いで、プラズマ成膜室内に流すガスをアルゴン単体からアルゴン：酸素の混合比が９８．５：１．５のアルゴン／酸素の混合ガスに切り替え、４０秒間成膜して厚さ１０００オングストロームのＩＴＺＯ薄膜を得た。このようにしてガラス基板の上に銅配線を有し、該銅配線の表面に厚さ１２００オングストロームのＩＴＺＯ薄膜を備えた銅配線基板を得た。
【００４２】
上記のようにして得た銅配線基板のＩＴＺＯ薄膜の比抵抗と光透過率及び銅配線とＩＴＺＯ薄膜との接触抵抗を測定した。結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】

【００４４】
（比較例３）
比較のため、ＩＴＺＯ薄膜の成膜条件を変えた以外は実施例３と同様の方法で銅配線基板を製造した。
すなわち、実施例３と同様の方法で製造した所定の銅配線パターンを有するガラス基板をプラズマ成膜室内の基板ホルダーに装着し、ターゲットホルダーにＩＴＺＯターゲットを装着した。プラズマ成膜室内を３×１０^-3Ｔｏｒｒの圧力に保ち、アルゴンガス単体を１００ｓｃｃｍで流しながら、ターゲット電極に２ｗ／ｃｍ² の直流電圧を４８秒間印加して、厚さ１２００オングストロームのＩＴＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。このようにして得た銅配線基板について、ＩＴＺＯ薄膜の比抵抗、ＩＴＺＯ薄膜の光透過率及び銅配線とＩＴＺＯ薄膜との接触抵抗を測定した。測定結果を表２に併記する。
表２の結果から、本発明により得られたＩＴＺＯ薄膜は、接触抵抗が低く、比抵抗も低く光透過率が高いという特性を合わせ持っていることが判る。
【００４５】
（比較例４）
スパッタ製膜室に流すガスをアルゴン単体からアルゴン：酸素の混合比が９８．５：１．５のアルゴン／酸素の混合ガスに変えた以外は比較例３と同様にしてＩＴＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。このようにして得た銅配線基板について、ＩＴＺＯ薄膜の比抵抗、ＩＴＺＯ薄膜の光透過率及び銅配線とＩＴＺＯ薄膜との接触抵抗を測定した。測定結果を表２に併記する。
【００４６】
次に、本発明の銅配線基板を利用した薄膜トランジスタ基板の製造方法について説明する。
（実施例４）
（４−１） ゲート配線及びゲート電極用銅薄膜の成膜工程
通常のプラズマ成膜装置を使用して、プラズマ成膜室内をアルゴンガス雰囲気とし、ターゲット電極に銅ターゲットを装着し、基板電極にはガラス基板を装着した。ターゲット電極に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、ガラス基板上に厚さ１０００オングストロームの銅薄膜を形成した。
（４−２） ゲート配線及びゲート電極のパターニング
銅薄膜の表面にレジストを塗布してパターン露光し、エッチングにより銅膜膜の不要部分を除去した後にレジストを剥離するパターニングを施して、所望の形状のゲート配線及びゲート電極の銅配線パターンを形成した。
【００４７】
（４−３） ゲート絶縁膜のＣＶＤ成膜
プラズマＣＶＤ成膜室内をＳｉＨ₄ ＋ ＮＨ₃ 混合ガス雰囲気とし、高周波電極に２００ＭＨｚの高周波電流を印加してＣＶＤ成膜を行い、基板全面に窒化珪素からなるゲート絶縁膜を形成した。
（４−４） 半導体能動膜のＣＶＤ成膜
プラズマＣＶＤ成膜室内をＳｉＨ₄ ＋ Ｈ₂ 混合ガス雰囲気とし、高周波電極に２００ＭＨｚの高周波電流を印加して、ゲート絶縁膜の上にアモルファスシリコンからなる半導体能動膜を形成した。
【００４８】
（４−５） オーミックコンタクト膜の成膜
スパッタ成膜室内をアルゴンガス雰囲気とし、ターゲット電極にアモルファスシリコン：ｎ⁺ 生成用のリンドープシリコンからなるシリコンターゲットを装着し、ターゲット電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電流を印加してスパッタ成膜し、半導体能動膜上にアモルファスシリコン：ｎ⁺ からなるオーミックコンタクト膜を形成した。
（４−６） 半導体能動膜とオーミックコンタクト膜のパターニング
オーミックコンタクト膜の表面にレジストを塗布した後、所定の形状にパターン露光し、エッチングにより半導体能動膜とオーミックコンタクト膜の不要部分を除去し、レジストを剥離するパターニングを施して、ゲート電極よりも小さいアイランド状の半導体能動膜とオーミックコンタクト膜を得た。半導体能動膜とオーミックコンタクト膜は、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向する位置に配置してある。
【００４９】
（４−７） ソース・ドレイン配線及びソース・ドレイン電極用銅薄膜の成膜
オーミックコンタクト膜を形成した基板の全面を覆うように、膜厚５００オングストローム程度の銅薄膜を（１−１）に記載した方法とほぼ同様にしてスパッタ成膜した。
（４−８） ソース・ドレイン配線、ソース電極及びドレイン電極並びに半導体能動膜とオーミックコンタクト膜のパターニング
オーミックコンタクト膜の中央部分の上部にある銅薄膜とオーミックコンタクト膜の中央部分とをエッチングにより除去し、半導体能動膜９２の両端部分にオーミックコンタクト膜を介してソース電極とドレイン電極を互いに隔離するように形成した。同様にして銅薄膜を所定の形状にパターニングして、ソース・ドレイン配線の銅配線パターンを形成した。
【００５０】
（４−９） パッシベーション膜の成膜
半導体能動膜、ソース電極及びドレイン電極表面を覆うように、基板の全表面に窒化珪素からなるパッシベーション膜を（１−３）に記載したゲート絶縁膜の形成方法に準じてＣＶＤ成膜した。
（４−１０） ゲート絶縁膜及びパッシベーション膜のパターニング
パッシベーション膜表面にレジストを塗布してパターン露光し、エッチングによりパッシベーション膜やゲート絶縁膜の不要部分を除去した後にレジストを剥離するパターニングを施して、ゲート配線の一端のゲート配線の接続端子を形成する位置、ソース配線の一端のソース配線の接続端子を形成する位置を、ゲート配線又はソース配線に達する深さまでエッチングして、所定形状のコンタクトホール用の孔を設けた。
同様にしてドレイン電極の一端と画素電極とを接続するための、コンタクトホールを形成する位置のパッシベーション膜もドレイン電極に達する深さまでエッチングして、所定形状のコンタクトホール用の孔を設けた。
【００５１】
（４−１１） ＩＴＺＯ薄膜の成膜
次いで、本発明の方法に依り、パッシベーション膜の表面全面にＩＴＺＯ薄膜を形成した。先ず、コンタクトホールを形成した基板をスパッタ成膜室の基板電極に装着し、スパッタ成膜室内にアルゴンガス単体を流してスパッタ成膜室内をアルゴン雰囲気とした。ターゲット電極にＩＴＺＯからなるターゲットを装着し、ターゲット電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を負荷密度２Ｗ／ｃｍ² で印加して、約２００オングストロームの厚さのＩＴＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。次いで、スパッタ成膜室内に流すガスをアルゴンガス単体からアルゴン：酸素＝９８．５：１．５（容積比）の混合ガスに切り替え、スパッタ成膜室内を酸化性雰囲気にした後、引き続き同一条件で厚さ約１０００オングストロームのＩＴＺＯ薄膜をスパッタ成膜した。このようにして基板全面に厚さ約１２００オングストロームのＩＴＺＯ薄膜を成膜した。
【００５２】
（４−１２） 画素電極及び接続端子の形成工程
次いで、基板全面にレジストを塗布し、パターン露光してエッチングによりゲート配線の接続端子部、ソース配線の接続端子部及びドレイン電極のコンタクトホール部とそれに続く画素電極以外の不要なレジストを除去した後、エッチャントとして蓚酸を使用してＩＴＺＯ薄膜をエッチングによりパターニングして、ゲート配線の接続端子部、ソース配線の接続端子部 及び画素電極を形成した。
以上説明した工程を経て薄膜トランジスタ基板を得た。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の銅配線基板は、銅薄膜上に金属酸化物導電体薄膜を有し、該金属酸化物導電体薄膜は銅薄膜との間で原子の相互拡散を起こすことはなく、安定したものである。また、該金属酸化物導電体薄膜は比抵抗が低くて光透過率が高く、かつ銅薄膜との接触抵抗が低くしかも金属酸化物導電体薄膜面内において銅薄膜との接触抵抗のバラツキの少なく均一な特性を有している。
従って、本発明の銅配線基板を液晶表示装置のゲート配線やソース配線の端子部の金属導電体のキャップ層として利用すれば、端子部での接触抵抗が低くてしかもバラツキが少ないので安定した接続が可能となる。
また、ＴＦＴ駆動型の液晶表示装置のドレイン電極につながる透明な画素電極として利用すれば、比抵抗が低くて光透過率が高いので低い駆動電圧で作動し、しかも輝度の高い液晶表示装置とすることができる。
このように本発明の銅配線基板は金属導電体として比抵抗の低い銅を使用することを可能にし、その結果導電体における信号伝達の遅延を防止し、高性能な液晶表示装置を提供することができる。
さらに、本発明の銅配線基板の製造方法に依れば、雰囲気調整のみの極めて簡便な方法で高特性の銅配線基板を得ることがでる。さらには、接触抵抗を下げるためのアニール処理も不要となるので工程が簡略化し、ＴＦＴのアモルファスシリコンを結晶化させたり、基板の膨張収縮といった弊害も防ぐことが可能となる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の銅配線基板の断面構造の一部を示す図である。
【図２】 スパッタ成膜室内の酸素混合割合と接触抵抗の関係を示す図である。
【図３】 本発明のＩＺＯ薄膜と銅薄膜との界面近傍のＡＥＳプロファイルを示す図である。
【図４】 従来のＩＺＯ薄膜と銅薄膜との界面近傍のＡＥＳプロファイルを示す図である。
【図５】 図４のＩＺＯ薄膜と銅薄膜との界面近傍をアニール後に観察したＡＥＳプロファイルを示す図である。
【図６】 薄膜トランジスタ基板の構造の一例を示す平面図である。
【図７】 図６の薄膜トランジスタ基板の断面構造を説明する図である。
【図８】 スパッタ成膜装置の構成の一例を説明する図である。
【符号の説明】
１・・・基板、２・・・銅配線、３・・・金属酸化物導電体薄膜、４・・・絶縁膜、５・・・ゲー ト配線、６・・・ソース配線、７・・・ゲート電極、８・・・ソース電極、９・・・ドレイン電極、１０・・・ゲート絶縁膜、１１・・・画素電極、１２・・・半導体能動膜、１３，１４・・・オーミックコンタクト膜、１５パッシベーション膜、１６・・・金属酸化物導電体、１７・・・コンタクトホール、１８・・・ゲート配線の端子部、１９・・・ ソース配線の端子部、２０・・・薄膜トランジスタ、２１・・・画素、２２・・・薄膜トランジスタ基板、３０・・・インラインスパッタ装置、３１・・・スパッタ成膜室、３２・・・ストッカーチャンバー、３３・・・ターゲット、３４・・・対向電極、３５・・・基板ストッカー。

Claims (7)

1. 少なくとも表面が絶縁性である基板上に銅配線を有し、該銅配線の表面に非酸化性雰囲気中でスパッタ成膜された部分と、酸化性雰囲気中でスパッタ成膜された部分とからなる金属酸化物導電体を具備しており、該金属酸化物導電体の比抵抗が３００〜４００Ωｃｍ、可視光透過率が８５％以上であり、かつ銅配線との接触抵抗が０．３×１０^-6Ωｃｍ² 〜０．７×１０^-6Ωｃｍ² であることを特徴とする銅配線基板。
2. 前記金属酸化物導電体が、インジウム錫、インジウム亜鉛またはインジウム錫亜鉛の酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の銅配線基板。
3. 前記銅配線が前記基板上に形成された薄膜トランジスタのゲート配線または／およびソース配線であり、前記金属酸化物導電体がゲート端子または／およびソース端子であることを特徴とする請求項１に記載の銅配線基板。
4. 前記銅配線が前記基板上に形成された薄膜トランジスタのドレイン電極であり、前記金属酸化物導電体が前記ドレイン電極に接続されるとともに、前記銅配線表面から前記基板上に延在し画素電極を形成していることを特徴とする請求項１に記載の銅配線基板。
5. 少なくとも表面が絶縁性である基板上に銅薄膜を成膜した後、非酸化性雰囲中で金属酸化物ターゲットを使用して金属酸化物導電体薄膜を成膜し、次いで酸化性雰囲中で前記金属酸化物ターゲットを使用して金属酸化物導電体薄膜を成膜することを特徴とする銅配線基板の製造方法。
6. 前記金属酸化物ターゲットが、インジウム錫、インジウム亜鉛またはインジウム錫亜鉛の酸化物からなるターゲットであることを特徴とする請求項５に記載の銅配線基板の製造方法。
7. 互いに対向する一対の基板間に液晶を挟持した液晶表示装置であって、該一対の基板の少なくとも一方の基板に請求項１に記載の銅配線基板を用いていることを特徴とする液晶表示装置。

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