JP3961172B2 - 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、弱酸で容易にエッチング可能であって微細加工性に優れ、更に接続抵抗も少ない酸化物透明導電膜とそれを用いた技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置の電極回路、画素電極などに使用されている透明導電膜としてインジウムスズ酸化物(ITO)膜が広く知られている。このインジウムスズ酸化物膜において、加熱成膜された多結晶状態のものは抵抗が200×10-6Ω・cm程度であって十分に低いので、液晶表示装置用導体としての低抵抗性に優れ、光の透過率が高く、TCP(テープキャリアパッケージ)接続の際の接触抵抗としても使用に問題のない範囲で良好な低接続抵抗を有するが、このインジウムスズ酸化物膜をエッチングして回路や画素電極を形成するためには、HClとHNO3の混合酸、HClとH2SO4の混合酸等の強酸のエッチング液が必要である。ところが、このような強酸をエッチング液としてインジウムスズ酸化物膜のエッチング加工を行うと、サイドエッチングが著しく、微細加工することが困難であった。
【0003】
更に、液晶表示装置は年々微細化が進められておりインジウムスズ酸化物膜からなる電極や配線以外の部分において更に低抵抗化が必要な配線は、従来のクロムからなる配線やタンタルからなる配線に代えて銅からなる配線が用いられてきている。
ところが、前述のインジウムスズ酸化物膜をエッチングする際に用いる強酸のエッチング液は、銅配線に対して著しいエッチング能を有し、インジウムスズ酸化物膜のエッチングレートと銅のエッチングレートが大きく異なり、しかもサイドエッチ量も大きいために、インジウムスズ酸化物膜をエッチングする強酸を用いると銅配線に断線を生じさせてしまう問題がある。逆に、銅配線に対してエッチング能の低い希塩酸や有機酸ではインジウムスズ酸化物膜をエッチングできない問題がある。
【0004】
なお、特殊な製造方法でアモルファス状態のインジウムスズ酸化物膜を得る技術も知られており、このアモルファス状態のインジウムスズ酸化物膜は有機酸でのエッチングが可能なことも知られているが、このアモルファス状態のインジウムスズ酸化物膜は接触抵抗が高い欠点がある。
また、インジウムスズ酸化物膜を室温で成膜すると、微結晶構造となり易く、抵抗が1000×10-6Ω・cm程度と高くなるので、満足な接続抵抗ではなくなる問題がある。
【0005】
そこで従来、インジウムスズ酸化物膜に代わる透明導電膜としてインジウム亜鉛酸化物(IZO)膜が注目されている。このインジウム亜鉛酸化物膜は、室温成膜でも400×10-6Ω・cm程度の低い抵抗値を得ることができ、光透過率がインジウムスズ酸化物膜と同程度で、弱酸でエッチングが可能であり、弱酸でエッチングした場合のサイドエッチ量が少ないので、微細加工にも適した優れた透明導電膜であることが知られている。更に、インジウム亜鉛酸化物膜を用いると銅配線を腐食させないエッチング液として、例えば希塩酸を選択することができ、希塩酸のエッチング液を用いることで、インジウム亜鉛酸化物膜と銅配線の混合した回路構成を採用しても微細加工が可能になる利点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが本発明者らは、前述のインジウム亜鉛酸化物膜を前述の液晶表示装置用配線として用い、この配線をTCP(テープキャリアパッケージ)接続した場合において、接続抵抗が大きくなり、液晶表示装置の微細化配線を更に推進した場合に、問題になることを知見した。また、本発明者らは、インジウム亜鉛酸化物膜を大気中に保管した場合に経時的に接触抵抗が上昇してしまうことを知見した。
【0007】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、弱酸での微細化エッチングが可能であり、接続抵抗も低く、光透過率も優秀であり、TCP接続する場合の抵抗も低くでき、経時的に抵抗値が変動しない酸化物透明導電膜の提供を目的とする。
更に本発明は、このような優れた特徴を有する酸化物透明導電膜を形成する際に用いて好適なターゲットの提供を目的とする。
本発明は、前記酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法を提供すること、並びに前記の製造方法で得られた基板を備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは先の知見に基づき、インジウム亜鉛酸化物膜のTCP接続時の抵抗が高い原因について研究した。その結果、インジウムスズ酸化物膜とインジウム亜鉛酸化物膜は、アモルファス状態であると、大気中に放置されると水分、酸素または有機物との反応により表面部分に高抵抗層が生成され、この高抵抗層の存在により接触抵抗が高くなることを発見した。そして更に研究を重ねた結果、インジウム亜鉛酸化物膜の電子キャリアの発生源であるIn2O3の酸素欠損(過剰In)が大気中の水分、酸素または有機物と結合し、酸素欠損型導電機構が阻害される結果として高抵抗層が生成されるものとの結論に至った。
【0009】
本発明の酸化物透明導電膜は前述の課題を解決するために、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし7at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数比が5at%ないし10at%であるとともに、少なくとも他の導体との接続部分表面が結晶性を有することを特徴とする。
インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物であり、少なくとも接続部分においてスズが亜鉛よりも多い組成とされ、少なくとも接続部分が結晶性を有する酸化物透明導電膜であるならば、インジウムスズ亜鉛酸化物の導電機構として、インジウム酸化物の過剰インジウムが電子キャリアを発生する導電機構に加え、インジウムにn型ドーパントとしてのスズを添加することによって、4価のスズを活性化させて電子キャリアを増やすようにする導電機構が有効に作用するとともに、活性化すると電子キャリアのアクセプタとなって電子キャリアを消費する亜鉛の阻害因子を少なくすることができ、大気中の水分、酸素または有機物との反応を抑制して良好な低抵抗接続が期待できる。また、前記の酸化物透明導電膜は弱酸でのエッチングが容易でありサイドエッチング量も少ないので、インジウムスズ酸化物膜よりも一層微細配線加工が可能となる。更に、前記の酸化物透明導電膜は弱酸でのエッチングが可能となることから、銅配線を伴う構造を採用しても、銅配線を腐食させることなくエッチング処理することができる。
【0010】
更に本発明は、亜鉛とインジウムとスズの量を前記の範囲とすることでアモルファス状態で成膜し、その後少なくとも接続部分表面を結晶化させることが容易にでき、確実にスズによる電子キャリアを増大させて良好な導電性を確保することができ、電子キャリアを消費する亜鉛の阻害因子を少なくし、更に大気中の水分、酸素または有機物との反応を抑制できる。
【0011】
本発明において、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数比が2at%ないし7at%であり、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数率が5at%ないし10at%であることを特徴とすることが、良好な導電性と反応抑制力を得る上で更に好ましい。
【0012】
本発明の電子機器は、先に記載の酸化物透明導電膜を電気回路の少なくとも一部として備えてなることを特徴とする。
先に記載の酸化物透明導電膜を備えた電子機器であるならば、微細化された配線構造を採用しても、低抵抗で他の部品との接続ができ、大気中に放置しても接続抵抗の劣化が少なく、弱酸でエッチングが可能であり、微細加工もできる配線を備えた電子機器を提供できる。
【0013】
更に本発明のターゲットは、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし10at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数率が5at%ないし12at%であることを特徴とする。この組成のターゲットをスパッタ成膜用ターゲットとして用いるならば、先に説明したような微細化された配線構造を採用しても、低抵抗で他の部品との接続ができ、大気中に放置しても接続抵抗の劣化が少なく、弱酸でエッチングが可能であり、微細加工もできる透明導電膜の配線を得ることができる。
【0015】
本発明の酸化物透明導電膜形成基材の製造方法は、基板上に、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし7at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数比が5at%ないし10at%である非晶質酸化物透明導電膜を成膜し、この非晶質酸化物透明導電膜をエッチング処理してパターニングした後、更に熱処理することで前記パターニング後の非晶質酸化物透明導電膜の少なくとも一部を結晶化することを特徴とする。
インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物であり、少なくとも接続部分においてスズが亜鉛よりも多い組成とされ、少なくとも接続部分が結晶性を有する非晶質酸化物透明導電膜であるならば、インジウム亜鉛酸化物の導電機構として、インジウムにn型ドーパントとしてのスズを添加することにより活性化させて電子キャリアを増やすようにする導電機構が有効に作用するとともに、活性化すると電子キャリアのアクセプタとなって電子キャリアを消費する亜鉛の阻害因子を少なくでき、大気中の水分、酸素または有機物との反応を抑制して良好な接続ができる配線を備えた基板を提供できる。また、前記の複合酸化物であるならば、成膜時のアモルファス状態において弱酸によるエッチングが可能で、微細加工ができ、結晶化後は低抵抗接続ができる。
【0017】
本発明の液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶を挟持した液晶表示装置であって、該一対の基板の少なくとも一方の基板に先に記載の酸化物透明導電膜形成基板が用いられてなることを特徴とする。
これにより、先に記載の特徴を有する酸化物透明導電膜基板を備えた液晶表示装置を提供できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明の酸化物透明導電膜は、インジウム(In)酸化物(In2O3)と、スズ(Sn)酸化物(SnO2)と、亜鉛(Zn)酸化物(ZnO)を主成分とする複合酸化物からなる。これらの主成分の酸化物の外に数at%程度の不純物を含んでいても差し支えない。
この実施形態の酸化物透明導電膜においては、他の配線あるいは導電体と接続して用いられるので、これらとの接続部分において、少なくともスズが亜鉛よりも多く配合され、結晶性を示すことが必要である。例えば、酸化物透明導電膜の表面部分において配線や他の導体との接続を行う場合は、表面部分の組成において少なくともスズが亜鉛よりも多く配合され、結晶性を示すことが必要である。
【0019】
次に本発明の酸化物透明導電膜において、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が1at%ないし9at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数率が20at%以下、より好ましくは1at%以上、20at%以下の範囲である。
そして更に、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし7at%であり、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数率が5at%ないし10at%であることがより好ましい。さらに、インジウムの組成範囲は、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するインジウムの原子数率が98at%以下、75at%以上である。
【0020】
インジウム酸化物は主成分であり、複合酸化物中において酸素と結合していない過剰インジウムが電子キャリアを発生し、酸素欠損型の導電機構を構成する。添加成分としてのスズ酸化物は複合酸化物中において4価のスズを活性化して電子キャリアを発生するために重要である。また、複合酸化物がアモルファス状態であると亜鉛酸化物の2価の亜鉛は活性化しないので、電子キャリアを消費するアクセプタとならない。これら添加物のバランスを考慮して前記の組成範囲を選択する。
【0021】
また、前述の組成の酸化物透明導電膜を実際の配線用として用いる場合、他の配線や端子との接続部分は少なくとも結晶性であることが好ましい。前記組成範囲の酸化物透明導電膜は通常の成膜のままではアモルファス膜であるが、これを結晶化温度以上に加熱するアニール処理(180℃〜300℃の温度に加熱する熱処理)を行えば容易に結晶化する。なお、熱処理温度は周囲の回路や基板の耐熱温度に応じて使い分けることができるが、後述する液晶パネル用として利用した場合に、周辺回路や基板の耐熱性から、好ましくは、250℃以下、200℃程度がより好ましいと考えられる。
【0022】
前述の組成の酸化物透明導電膜は、成膜のままでのアモルファス状態ではTCPとの接触抵抗は高く(41Ω程度)、微細配線接続用として良好な抵抗であるとは言えないが、これを熱処理して少なくとも表面部分(表面から深さ50Å程度)を結晶化することで少なくとも接続部分を低抵抗化(2.3Ω程度)することができる。この結晶化する際の熱処理雰囲気は、大気中、N2雰囲気中、H220%、N280%雰囲気中、O220%、N280%雰囲気中、真空雰囲気中のいずれでも良い。なお、前記結晶化した酸化物透明導電膜は大気中の水分(あるいは酸素)との結合を防止できるので、経時的に接続抵抗が上昇することもない。
また、前述の組成のアモルファス状態の酸化物透明導電膜は希塩酸、有機酸等の弱酸でのエッチングが容易にできるので、アモルファス状態の酸化物透明導電膜のままの状態でエッチング処理し、パターニングを行い配線を形成し、パターニング後に配線接続部分などの必要部分を熱処理して配線接続部分を低抵抗化することで微細回路接続部分であっても低抵抗接続ができる。
【0023】
次に、前述の組成の酸化物透明導電膜を形成するには、スパッタ成膜等の成膜法で絶縁性の基板等の上面に成膜し、熱処理することで得ることができるが、その場合に用いるターゲットとして以下の組成のターゲットが好ましい。
好適に使用できるターゲットの組成は、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が1at%ないし12at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数率が22at%以下のものである。
また、前述のターゲットとして、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし10at%であり、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数比が5at%ないし12at%であることがより好ましい。
【0024】
前述の組成の酸化物透明導電膜を得るために用いるターゲットにおいて、スパッタした際に亜鉛とスズは飛散し易く、膜中に取り込まれ難いので、ターゲットとして亜鉛とスズを目的の組成の膜よりも多く含む組成で良い。
【0025】
図1〜図3は本実施形態の酸化物透明導電膜膜を用いて構成されたアクティブマトリクス型の液晶パネル(電子機器)の一例を示すものである。
この例の液晶パネルPは、上下に対向配置された透明の基板1、2の間に液晶3が封止された構造とされ、上側の基板1の液晶側にカラーフィルタ4と前述の組成の酸化物透明導電膜からなる共通電極5が形成され、下側の基板2の上面側に前述の組成の酸化物透明導電膜からなる画素電極6が縦横に複数整列形成されている。また、下側の基板2の上面において画素電極6…の間の領域には銅等の導電性の金属材料からなるゲート配線7とソース配線8とがマトリクス状に配線され、ゲート配線7とソース配線8とで囲まれた領域に前記画素電極6が配置されるとともに、各画素電極6とゲート配線7あるいはソース配線8とを接続するようにスイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)9が形成されている。更に図1において基板1の上側と基板2の下側には各々偏光板10A、10Bが配置されている。
【0026】
なお、図1に示す液晶パネルPは3列×3行分の画素電極6のみを示しているが実際の液晶パネルにおいては有効表示画素として数百×数百の画素が設けられていて、画素数に応じた画素電極6が設けられる。また、液晶パネルPの有効表示領域(表示に寄与する画素電極6が形成された領域)の外側の配線領域とされる額縁部分におけるゲート配線7とソース配線8の接続部分においてこれら配線の接続端子部が設けられているが、図1では記載の簡略化のためにゲート配線接続部とソース配線接続部の記載は省略した。また、液晶3は基板1、2の周縁部に形成された図示略の封止材と基板1、2に囲まれて封止されているが、封止材の部分の構成も図1では省略した。
【0027】
図1に示す構成の液晶パネルPにおいて、薄膜トランジスタ9の部分とその周囲の配線構造は例えば図2と図3に示すように構成されている。
図2に示す断面構造において、ゲート配線7の一部から引き出して設けたゲート電極11と画素電極6が基板2上に形成され、これらを覆ってゲート絶縁膜12が形成され、ゲート電極11上のゲート絶縁膜12上にアイランド状の半導体膜13が形成され、半導体膜13の両端部側に個々にオーミックコンタクト膜14を介してソース電極15とドレイン電極16とが設けられ、ソース電極15が前記ソース配線8に接続され、ドレイン電極16がゲート絶縁膜12に形成されたコンタクトホール部分の導通部17を介して画素電極6に接続され、導通部17と画素電極6との接触部分が接続部分6aとされ、更にこれらの部分を覆って絶縁膜18が形成されている。なお、実際の基板2の液晶側には配向膜が形成されるが図2では配向膜を省略した。
【0028】
また、液晶パネルPの周縁部分の額縁部分において、ゲート配線7の端子部分においては、図2に示すように、ゲート配線7の端部7aがゲート絶縁層12で覆われ、ゲート配線7の端部7aの外側の基板2上に前述の組成の酸化物透明導電膜からなるゲート端子6Aが形成され、このゲート端子6Aと前記ゲート端子7aが先のソース配線8の材料と同等の導電材料からなる接続層20で接続されてこの部分が接続部分6bとされるとともに、接続層20が先の絶縁膜18で覆われている。そしてゲート端子6Aの端部に、TCP配線がなされるための端子部21がACF(アニソトロピックコンタクトフィルム)等の導電層22で接続されてこの部分が接続部分6cとされている。
【0029】
次に、液晶パネルPの周縁部分の額縁部分において、ソース配線8の端子部分においては、図3に示すように、ゲート絶縁膜12の端部側に前述の組成の酸化物透明導電膜からなるソース端子6Bが形成され、このソース端子6Bに前記ソース配線8の端部が接続され、これらの接続部分を覆って前記絶縁膜18が形成されている。そして、ソース端子6Bの端部に、TCP配線がなされるための端子部25がACF(アニソトロピックコンタクトフィルム)等の導電層26で接続されている。
【0030】
以上の構成の液晶パネルPにあっては、図2に示すように、画素電極6にドレイン電極16の導通部17が接続される接続部分6aと、ゲート端子6Aに接続層20が接続される接続部分6bと、ゲート端子6Aに端子部21が接続される接続部分6cと、図3に示すように、ソース端子6Bにソース配線8の端部が接続される接続部分6dと、ソース端子6Bに端子部25が接続される接続部分6eにおいて、いずれも酸化物透明導電膜と他の導電体との接続がなされている。
ここで画素電極6とゲート端子6Aとソース端子6Bとが前述の酸化物透明導電膜からなるならば、いずれの部分においても低い接続抵抗で接続ができる。しかも、これらの接続部分は、液晶パネルPの微細化が進められるにつれて微細化されてきており、幅において5〜40×10-6m程度に微細化されてきているので、このような微細化された接続部分を更に微細化した次世代の微細化パネルの構造においても十分に良好な接続ができる。
【0031】
ここで、図2と図3に示す構造を実現するには、アモルファス状態の酸化物透明導電膜を形成後、エッチングによって画素電極6、ゲート端子6A、ソース端子6Bを形成した後に他の層の導体部分との接続を行う必要がある。ここで先の組成の酸化物透明導電膜であるならば、エッチング液として強酸ではなく、希塩酸や有機酸などの弱酸でエッチングできるので、サイドエッチ量を少なくすることができ、その分微細構造をエッチングで得ることができる。
そして、酸化物透明導電膜に微細エッチングを行って、規定サイズの画素電極6あるいは、端子6A、6Bを形成した後、これらの膜を結晶化温度以上に加熱してアモルファス状態の膜を結晶化するならば、結晶化した部分の抵抗を低くできるので、ドレイン電極16との接続、端子部21、25との接続を低抵抗で行うことができる。
以上のように酸化物透明導電膜をアモルファス状態でエッチングしてから結晶化して接続するならば、微細配線部分であっても、接続抵抗を低くしたままで接続した部分を備えた液晶パネル(電子機器)Pを得ることができる。
【0032】
図4と図5は液晶パネルPを構成する薄膜トランジスタ9の部分とその周囲の配線構造の第2の例を示すものである。
図4に示す断面構造において、ゲート配線7の一部から引き出して設けたゲート電極31が基板2上に形成されており、これらを覆ってゲート絶縁膜32が形成され、ゲート電極31上のゲート絶縁膜32上にアイランド状の半導体膜33が形成され、半導体膜33の両端部側に個々にオーミックコンタクト膜34を介してソース電極35とドレイン電極36が設けられ、ソース電極35が前記ソース配線8に接続され、これらを覆った絶縁膜38上に画素電極60が形成され、ドレイン電極36が絶縁膜38に形成されたコンタクトホール部分の導通部37を介して画素電極60の接続部分60aに接続されている。
【0033】
また、液晶パネルPの周縁部分の額縁部分において、ゲート配線7の端子部分においては、図4に示すように、ゲート配線7の端部7bがゲート絶縁層32と絶縁膜38で覆われ、ゲート絶縁膜32と絶縁膜38とにかけて形成されたコンタクトホール39を埋めるように先の画素電極60を構成する酸化物透明導電膜と同じ酸化物透明導電膜でゲート配線7の端部7bに接続されたゲート端子40が形成されている。そして、ゲート端子40の端部に、TCP配線がなされるための端子部41がACF(アニソトロピックコンタクトフィルム)等の導電層42で接続されて接続部分40aが形成されている。
【0034】
次に、液晶パネルPの周縁部分の額縁部分において、ソース配線8の端子部分においては、図5に示すように、ゲート絶縁膜32上に前述のソース電極36、ドレイン電極35を構成する導電材料と同じ材料からなるソース端子43が形成され、このソース端子43上の絶縁膜38に形成されたコンタクトホール45部分に形成された前述の組成の酸化物透明導電材料からなるソース端子46が形成され、このソース端子46に、TCP配線がなされるための端子部47がACF(アニソトロピックコンタクトフィルム)等の導電層48で接続されて接続部分46aが形成されている。
【0035】
図4と図5に示す構造を実現するには、酸化物透明導電膜を形成後、エッチングによって画素電極60、ゲート端子40、ソース端子46を形成した後に接続を行う必要がある。ここで先の組成の酸化物透明導電膜であるならば、エッチング液として強酸ではなく、弱酸でエッチングできるので、サイドエッチ量を少なくすることができ、その分微細構造を実現できる。そして、微細エッチングを行って、規定サイズの画素電極60あるいは、端子40、46を形成した後、これらの膜を結晶化温度以上に加熱してアモルファスの膜を結晶化するならば、結晶化した部分の抵抗を低くできるので、ドレイン電極36との接続、端子部41、47との接続を低抵抗で行うことができる。
以上のようにアモルファス状態でエッチングしてから結晶化して接続するならば、微細配線部分であっても、接続抵抗を低くしたままで接続した部分を備えた液晶パネル(電子機器)Pを得ることができる。
【0036】
なお、前述の実施形態においては、電子機器として液晶パネルを例にとって説明したが、本発明の酸化物透明導電膜を液晶パネル以外の透明導電膜が必要な各種の電子機器に広く適用できるのは勿論である。
【0037】
【実施例】
複数枚のガラス基板上に、室温成膜、O2分圧6.3×10-3Pa(5×10-5Torr)の条件でインジウムスズ酸化物膜(以下ITO膜と略称する。In:Sn=92at%:8at%、厚さ1200Å)とインジウムスズ亜鉛酸化物皮膜「In2O3-SnO2-ZnO膜」(以下ITZO膜と略称する。In:Sn:Zn=88at%:9at%:3at%、厚さ1200Å)とインジウム亜鉛酸化物皮膜(以下IZO膜と略称する。In:Zn=82at%:18at%、厚さ1200Å)のいずれかを個々にスパッタ装置で形成し、各皮膜のX線回折ピークを求めた。ここで用いたターゲットは、ITO膜の場合はIn:Sn=90at%:10at%の組成のターゲット、ITZO膜の場合は、In:Sn:Zn=85at%:10at%:5at%の組成のターゲット、IZO膜の場合はIn:Zn=83at%:17at%の組成のターゲットとした。
また、インジウム亜鉛皮膜とインジウムスズ亜鉛皮膜については、20%H2/N2の雰囲気のアニール炉において250℃に2時間加熱する熱処理を施した後のX線回折ピークも求めた。図6にITO膜の結果を示し、図7にITZO膜の結果を示し、図8にIZO膜の結果を示す。
【0038】
図6と図7に示す結果から、室温成膜した場合、ITO膜は結晶性を示し、ITZO膜とIZO膜はいずれもブロードな曲線を示すアモルファス膜であることが判明した。また、ITZO膜は熱処理を施すと結晶化するが、IZO膜は熱処理を施しても結晶化しないことが判明した。
以上のことから、本発明に係る組成のITZO膜は、成膜状態ではアモルファス状態であるがこれを熱処理することで結晶化できることが明らかになった。
また、ITZO膜は成膜のままのアモルファス状態において600×10-6Ω・cmの抵抗を示したが、熱処理後は250×10-6Ω・cmの抵抗となり、アモルファス状態から結晶化することで抵抗値が減少することを確認できた。
【0039】
図9は本発明に係るインジウムスズ亜鉛酸化物膜の熱処理後の状態がアモルファス相状態となるか、多結晶状態となるかを示すグラフである。
図9のグラフの縦軸においてZn/(In+Sn+Zn)[at%]は、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率を示すもので、横軸のSn/(In+Sn+Zn)[at%]は亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数率を示す。
【0040】
図9に描いたa線は亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するZn:1at%の組成を示し、b線は亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するZn:9at%の組成を示し、c線は亜鉛に対するスズの原子数比が1の場合の組成を示す。
図9において、a線の下の組成範囲では、酸化物透明導電膜が成膜時に多結晶相となってしまい、弱酸では容易にエッチングできない組成範囲である。図9において、b線の上の組成範囲では成膜のままのアモルファス状態の膜を熱処理(アニール)してもアモルファスのままの状態を維持する組成範囲であり、接続抵抗を低抵抗化できない組成範囲である。また、図9においてc線は亜鉛とスズの組成比が同一であることを示すので、電子キャリアを亜鉛が消費する割合が多くなり、c線よりも上の組成範囲では電子キャリアを消費する亜鉛の量が多くなり過ぎて低抵抗接続できない組成範囲である。また、組成範囲がc線の下の領域であってもc線に近づくと抵抗が大きくなる傾向にあることを意味する。
【0041】
また、図9の縦軸の亜鉛量が10at%であって、横軸のスズ量が5at%の膜と縦軸の亜鉛量が10at%であって、横軸のスズ量が9at%の膜はいずれも300℃に加熱する熱処理を施しても結晶化しなかった試料である。これに対し、縦軸の亜鉛量が5at%であって、横軸のスズ量が8at%の膜と縦軸の亜鉛量が5at%であって、横軸のスズ量が9at%の膜はいずれも230℃で熱処理することで結晶化できた。更に、縦軸の亜鉛量が3at%であって、横軸のスズ量が6at%の膜と縦軸の亜鉛量が3at%であって、横軸のスズ量が9at%の膜はいずれも200℃で熱処理することで結晶化できた。
以上のことから、亜鉛量を少なくすることで結晶化温度を低くできることが判明した。また、本発明に係る酸化物透明導電膜を電子機器に応用する場合、基板あるいはその上に積層する種々の膜の耐熱温度の制限から、熱処理温度はできる限り低い方が好ましい。よって、熱処理温度を低くすると同時に低接続抵抗化するためには、インジウムに対して添加する亜鉛量、スズ量ともに少ない方が好ましいと考えることができる。
更に、これらの種々の条件を十分に満足させるために、亜鉛に対するスズの原子数比が1を超える条件を満たした上で、亜鉛含有量に関し、1at%以上、9at%以下の範囲内でも、2at%以上、7at%以下の範囲がより好ましく、スズ含有量に関し、20at%以下の範囲でも5at%以上、10at%以下の範囲がより好ましい。
【0042】
次に、図10は先の成膜したまま(as.depo状態)のITZO膜において、亜鉛添加量(Zn添加量)を5at%に固定した場合にスズ含有量の大小に応じた60秒でのエッチング量の変化を測定した結果を示す。エッチング液は3.5%濃度の塩酸溶液(弱酸溶液)を用いた。
図10に示す結果から、Snの添加量が多いほどエッチング量は低下することが明らかである。よって本発明に係る酸化物透明導電膜を用いて微細配線化するためには、スズ添加量を調節することでエッチングレート(E/R)を適宜選択できることで対応可能であることが判明した。ただし、Sn添加量20at%において得られるエッチング量は小さいので、これ以上Sn添加量を増加してもエッチング時間が長くなり、加工時間が増えるので、添加量の上限を20at%とすることが好ましい。
【0043】
図11は先の成膜したままのITZO膜において、亜鉛添加量(Zn添加量)を3at%、スズ添加量(Sn)を9at%に設定した場合に得られた酸化物透明導電膜の透過率の波長依存性を示す。
図11に示す結果から、本発明に係る酸化物透明導電膜は、可視光域(大略450nm〜750nm)において90%を超える優れた透過率を示していることが明らかである。この値は従来から用いられているインジウムスズ酸化物膜の透明導電膜と同等か、波長に応じてはそれ以上に優れたものである。従って、本発明に係る酸化物透明導電膜を液晶パネル用の画素電極や透明配線として用いても明るい表示を得ることができることが明らかである。
【0044】
図12は先の組成のITZO膜において、成膜のままの膜の抵抗値とアニール後の膜の抵抗値に対する成膜雰囲気中の酸素分圧(O2分圧)依存性を測定した結果と、アモルファス状態のITO膜のエッチングレート(E/R)に及ぼす酸素分圧依存性を示す。ITO膜においても酸素分圧の微調整によってエッチングレート(E/R)の低いアモルファス状態のa-ITO膜を得ることができるが、酸素分圧の調整を厳密に行わないと、部分的にエッチングレート(E/R)の異なるa-ITO膜が生成されてしまう傾向がある。これは、a-ITO膜をエッチングして配線を形成する場合に、成膜時の酸素分圧のばらつきによりエッチングむらを生じやすいa-ITO膜となり易く、a-ITO膜では膜質により微細配線を精密に得ることが難しいことを意味する。
【0045】
図13はTCP接続を行った後、信頼性試験を行った結果を示す。また、各測定値は以下の表1に示す。表1のTCP抵抗とは、TCPによる接続(幅40×10-6cmの金属端子電極との接続)を行い、任意の2本間の抵抗値を測定したものであり、TCP接続による金属端子との接続部分50本の平均値を示している。信頼性試験とは高温高湿(80℃、90%RH、240時間)後の抵抗値を測定したものである。
「表1」
これらの結果から、IZO膜でもa-ITO膜でも接触抵抗が経時的に大気中において上昇してゆくことが判明した。また、アニール処理によりa-ITOは結晶化し、接触抵抗が低いまま安定することが判明した。なお、表1には記載されていないが、アニールしたIZO膜はX線回折ではアモルファスであることが判明し、接触抵抗は改善されるものの、ITO膜と同程度まで改善はされなかった。 なお、信頼性試験として、高温ドライ80℃、10%RH、240Hの環境でも同等の試験を行ったが図13に示す結果と全く同じ結果を得ることができた。 これらの試験結果から、アモルファス状態のITZO膜をアニールすることで低抵抗化することができ、しかも環境試験後においても低抵抗を保持できることが判明した。
【0046】
図14は亜鉛を原子数率で2at%、スズを原子数率で6at%含有するITZO膜のアニール前の分光分析結果を示し、図15は亜鉛含有量とスズ含有量の測定結果を示す。
これらの図から、アニール前のアモルファス状態のITZO膜においては、膜の最表面部分において大気中の水分との反応により最表面部分に酸素が極めて多量(O/In比において2.1〜2.2程度)に含有されるとともに、最表面部分においてスズ含有量も多くなっていることがわかる。
【0047】
図16は先の組成のITZO膜のアニール後の分光分析結果を示し、図17は亜鉛含有量とスズ含有量の測定結果を示す。
図16と図17に示す結果から膜の最表面部分における酸素割合は少なくなっており(O/In比において1.6前後)、アニールにより結晶化することで最表面部分の酸素割合が上昇していないことが明らかである。
【0048】
図18はアニールをしていない多結晶ITO膜の分光分析結果、図18はアモルファス状態のIZO膜の分光分析結果を示す。
【0049】
以上図14〜図18に示す結果から鑑み、ITO膜とIZO膜とITZO膜の組成構造比較を行うと、主成分であるIn2O3の結晶構造を出発点として、ITO膜はSnO2をドープした多結晶膜と考えた場合、4価のSnが活性化して電子キャリアを発生しているものと考えられる。これに対してIZO膜はZnOをドープしたアモルファス膜と考えた場合、2価のZnはアモルファス状態では活性化していないと思われ、アクセプタとはならないと考えらえる。また、先の分析結果から、膜の表面においてITO膜はスズリッチとなり、IZO膜は亜鉛欠乏状態(Znプア状態)となっている特徴を有するが、注目すべきは、膜の表面部分においてITO膜よりもIZO膜がより酸素リッチになっている点である。
【0050】
In2O3を主体とする構造においては、酸素と結合していない過剰インジウムが電子キャリアを発生していると考えられるが、酸素リッチな組成ではこの酸素欠損型の導電機構が阻害され、電子キャリアの発生が少なくなる高抵抗層が最表面に形成されているものと推定できる。ITO膜は結晶サイトで活性化した4価のスズが電子キャリアを生成するが、IZO膜はIn2O3の構造からの電子キャリアが導電機構の全てであり、亜鉛は活性化してもアクセプタとなることから導電機構に寄与はないと考えられる。これらのことから、多結晶性のITO膜は酸素欠損型の導電機構が主体でこれに加えてスズが活性化することによるドーピングの効果による導電機構が複合して作用することで高い導電性を確保しているものと思われる。しかし、アモルファス状態のIZO膜は最表面部分において亜鉛欠乏状態であるので、酸素欠損型の導電機構のみが有効であり、また、ドーピングにより亜鉛はアクセプタとなるので、導電性には寄与しない。これに対してITZO膜であれば、酸素欠損型の導電機構に加えて、アクセプタとなる亜鉛よりも多く添加したスズの添加効果によりドーピング型としての導電機構も併せ持つのでより高い導電性を得られるものと考えられる。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物であり、少なくとも接続部分表面においてスズが亜鉛よりも多い組成とされ、少なくとも接続部分表面が結晶性を有する酸化物透明導電膜であり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし7at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数比が5at%ないし10at%であるるので、インジウムスズ亜鉛酸化物の導電機構として、主構成成分であるインジウム酸化物の過剰インジウムが電子キャリアを発生することによる導電機構に加え、インジウムにn型ドーパントとしてのスズを添加することによって、4価のスズを活性化させて電子キャリアを増やすようにする導電機構を有効に作用できるとともに、活性化すると電子キャリアのアクセプタとなって電子キャリアを消費する亜鉛の阻害因子を少なくすることができ、大気中の水分との反応を抑制して良好な低抵抗接続を実現できる。また、前記複合酸化物の酸化物透明導電膜は希塩酸や有機酸等の弱酸でのエッチングが容易でありサイドエッチング量も少ないので、インジウムスズ酸化物膜よりも一層微細配線加工が可能となる。更に、前記複合酸化物の酸化物透明導電膜は希塩酸等の弱酸でのエッチングが可能となることから、銅配線を伴う構造と併用しても、銅配線を腐食させることなくエッチングすることができる。よって、エッチング工程が容易になるとともに、銅配線と酸化物透明導電膜の配線とを混在させた回路構成設計時の自由度が向上する。
【0053】
本発明の電子機器は、先に記載の酸化物透明導電膜を電気回路の少なくとも一部として備えてなるので、微細化された配線構造を採用しても、低抵抗で他の部品との接続ができ、大気中に放置しても接続抵抗の劣化が少なく、弱酸でエッチングが可能であり、微細加工もできる配線を備えた電子機器を提供できる。
【0054】
本発明の酸化物透明導電膜形成基材の製造方法によれば、先の非晶質酸化物透明導電膜をアモルファス状態で形成し、エッチング処理しパターニングしてからこれを結晶化するので、アモルファス状態のエッチング容易な状態で弱酸で微細エッチングを行うことができ、結晶化した後では低抵抗で他の導体に接続できるので、微細回路であっても良好な接続ができる配線を備えた基板を提供できる。更に、前記製造方法で得られた基板を備えた液晶表示装置であるならば、微細回路であっても配線接続部分で低い接続抵抗で接続した構造を提供できる。特に、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし7at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数比が5at%ないし10at%である非晶質酸化物透明導電膜をアモルファス状態で成形し、これを結晶化することにより、良好な導電性と反応抑制力を得ることができる。
また、前述の非晶質酸化物透明導電膜を形成する場合のターゲットとして、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし10at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数率が5at%ないし12at%であるターゲットにより、前記目的の酸化物透明導電膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は本発明に係る酸化物透明導電膜を備えた液晶パネルの概略構成を示す図。
【図2】 図2は図1に示す液晶パネルに設けられる第1の例の薄膜トランジスタ部分とゲート端子部分の断面構造を示す図。
【図3】 図3は図1に示す液晶パネルに設けられる第1の例のソース端子部分の断面構造を示す図。
【図4】 図4は図1に示す液晶パネルに設けられる第2の例の薄膜トランジスタ部分とゲート端子部分の断面構造を示す図。
【図5】 図5は図1に示す液晶パネルに設けられる第2の例のソース端子部分の断面構造を示す図。
【図6】 図6はITO膜のX線回折試験結果を示す図。
【図7】 図7はITZO膜のX線回折試験結果を示す図。
【図8】 図8はIZO膜のX線回折試験結果を示す図。
【図9】 図9は本発明に係る酸化物透明導電膜が結晶化状態あるいはアモルファス状態となる場合の亜鉛含有量依存性とスズ含有量依存性を示す図。
【図10】 図10は本発明に係る酸化物透明導電膜におけるスズ添加量に対するエッチング量依存性を示す図。
【図11】 図11は本発明に係る酸化物透明導電膜における光透過率の波長依存性を示す図。
【図12】 図12は本発明に係る酸化物透明導電膜の比抵抗値に対する成膜時の酸素分圧依存性とITO膜のエッチングレートに対する成膜時の酸素分圧依存性を示す図。
【図13】 図13は本発明に係る酸化物透明導電膜のTCP接続抵抗の信頼性試験結果を示す図。
【図14】 図14は本発明に係る酸化物透明導電膜のアモルファス状態での分光分析結果を示す図。
【図15】 図15は本発明に係る酸化物透明導電膜のアモルファス状態での分光分析結果でスズ含有量と亜鉛含有量を示す図。
【図16】 図16は本発明に係る酸化物透明導電膜の多結晶状態での分光分析結果を示す図。
【図17】 図17は本発明に係る酸化物透明導電膜の多結晶状態での分光分析結果でスズ含有量と亜鉛含有量を示す図。
【図18】 図18は多結晶状態のITO膜の分光分析結果を示す図。
【図19】 図19はアモルファスのIZO膜の分光分析結果を示す図。
【符号の説明】
1、2…基板、
6、60…画素電極(酸化物透明導電膜)
6A、40…ゲート端子(酸化物透明導電膜)
6B、46…ソース端子(酸化物透明導電膜)
6a、6b、6c…接続部分
40…ゲート端子
41、47…端子部
46…ソース端子
60a、40a、46a…接続部分
7…ゲート配線
8…ソース配線
Claims (5)
- インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし7at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数比が5at%ないし10at%であるとともに、少なくとも他の導体との接続部分表面が結晶性を有することを特徴とする酸化物透明導電膜。
- 請求項1に記載の酸化物透明導電膜を電解回路の少なくとも一部として備えてなることを特徴とする電子機器。
- インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし10at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数率が5at%ないし12at%であることを特徴とする酸化物透明導電膜形成用ターゲット。
- 基板上に、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が2at%ないし7at%であり、亜鉛に対するスズの原子数比が1以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数比が5at%ないし10at%である非晶質酸化物透明導電膜を成膜し、この非晶質酸化物透明導電膜をエッチング処理してパターニングした後、更に熱処理することで前記パターニング後の非晶質酸化物透明導電膜の少なくとも一部を結晶化することを特徴とする酸化物透明導電膜形成基板の製造方法。
- 互いに対向する一対の基板間に液晶を挟持した液晶表示装置であって、該一対の基板の少なくとも一方の基板に請求項4記載の製造方法で得られた酸化物透明導電膜形成基板が用いられてなることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33686599A JP3961172B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置 |
US09/718,982 US6533965B1 (en) | 1999-11-26 | 2000-11-22 | Transparent electrically conductive oxide film for an electronic apparatus and related method |
KR10-2000-0070345A KR100382809B1 (ko) | 1999-11-26 | 2000-11-24 | 산화물 투명도전막과 산화물 투명도전막 형성용 타겟 및그 산화물 투명도전막을 구비한 기판의 제조방법과전자기기 및 액정표시장치 |
TW089125385A TW539902B (en) | 1999-11-26 | 2000-11-29 | Transparent electrically conductive oxide film having superior fire workability and electronic apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33686599A JP3961172B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001155549A JP2001155549A (ja) | 2001-06-08 |
JP3961172B2 true JP3961172B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=18303372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33686599A Expired - Fee Related JP3961172B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6533965B1 (ja) |
JP (1) | JP3961172B2 (ja) |
KR (1) | KR100382809B1 (ja) |
TW (1) | TW539902B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6159867B1 (ja) * | 2016-12-22 | 2017-07-05 | Jx金属株式会社 | 透明導電膜形成用ターゲット、透明導電膜形成用ターゲットの製造方法及び透明導電膜の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100849258B1 (ko) * | 1999-11-25 | 2008-07-29 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟 및 투명한 도전성 산화물 |
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JP4728170B2 (ja) | 2006-05-26 | 2011-07-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスおよびアクティブマトリクス型表示装置 |
KR100655856B1 (ko) * | 2006-06-01 | 2006-12-08 | 오명호 | 모기살충기 |
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JP5000937B2 (ja) | 2006-06-30 | 2012-08-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
KR20090075554A (ko) | 2008-01-04 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치와 그 제조 방법 |
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JP5662933B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2015-02-04 | 出光興産株式会社 | 透明導電膜 |
US20110011828A1 (en) * | 2009-07-20 | 2011-01-20 | Applied Materials, Inc. | Organically modified etch chemistry for zno tco texturing |
WO2011027656A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
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JP5689378B2 (ja) * | 2011-07-12 | 2015-03-25 | 出光興産株式会社 | 透明導電膜 |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57165252A (en) * | 1981-04-06 | 1982-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Antistatic plastic film |
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1999
- 1999-11-26 JP JP33686599A patent/JP3961172B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-22 US US09/718,982 patent/US6533965B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-24 KR KR10-2000-0070345A patent/KR100382809B1/ko active IP Right Grant
- 2000-11-29 TW TW089125385A patent/TW539902B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW539902B (en) | 2003-07-01 |
US6533965B1 (en) | 2003-03-18 |
JP2001155549A (ja) | 2001-06-08 |
KR100382809B1 (ko) | 2003-05-09 |
KR20010061955A (ko) | 2001-07-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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