TWI395254B

TWI395254B - Film forming device

Info

Publication number: TWI395254B
Application number: TW95102879A
Authority: TW
Inventors: Naochika Horio
Original assignee: Air Water Inc; Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2006-01-25
Filing date: 2006-01-25
Publication date: 2013-05-01
Also published as: TW200729278A

Description

成膜裝置

本發明是關於藉由至少第一原料氣體與第二原料氣體所組成的原料氣體，在處理基板表面執行成膜的成膜裝置。

例如，在將被使用於白色發光二極體(LED)等的發光元件的ZnO磊晶膜予以成膜的成膜裝置中，反應複數原料氣體亦即O原料氣體與Zn原料氣體而在處理基板執行ZnO膜的形成。

在上述成膜裝置中，成為對於被安裝於同裝置內的處理基板從氣體供給口噴上原料氣體。這時候，一直到上述供給口為止，複數原料氣體(O原料氣體與Zn原料氣體等)不會反應般地，將各原料氣體經被分離的流路引導至供給口。但是，若上述流路的密封狀態不充分，則一直到供給口為止使得原料氣體反應，而結晶成膜(ZnO的結晶成膜)形成於上述流路的內面等，對於處理基板的結晶性會惡化而成為導致降低膜的成長速度或堆積微粒。

又，即使從供給口朝處理基板流出複數原料氣體，則從供給口到達處理基板為止會使原料氣體執行反應，因此被用在處理基板的成膜的原料氣體量變極少者，而使原料氣體的使用量變很大，又，成膜時間也變久。

尤其是，使用O原料氣體(O₂ ，H₂ O，N₂ O等)欲執行ZnO成膜時，則O原料在氣相容易與其他氣體反應之故，因而在處理基板上無法得到良好品質的結晶成膜。又，即使反應室為高真空狀態，反應性也高之故，因而不容易解決上述問題。況且，若反應室為低真空狀態，則出現更高反應性，而上述問題是更難解決。

還有，上述供給口被配置在容易受到來自處理基板的輻射熱的部位之故，因而剛出供給口的原料氣體會立即開始反應，成為處理基板上的結晶性惡化的原因。

一方面，在反應室內，混有著複數原料氣體朝處理基板流動，及以排氣動作引誘上述流動中的原料氣體的現象。因此，在未發揮成膜形成的功能的期間，使得原料氣體在處理基板的近旁生成反應生成物之故，因而與上述情形同樣地，會發生在處理基板的結晶性惡化，降低膜成長速度，堆積微粒等。

專利文獻1：日本專利第3198956號公報專利文獻2：日本特開平1－101623號公報

為了將良好品質的結晶成膜形成在處理基板上，將成膜裝置內的原料氣體的流路的密封狀態作成完全者，必須使複數原料氣體在上述流路過程中不會反應。又，必須在從原料氣體的供給口一直到處理基板之前不會產生早期反應，還有，在可將來自處理基板的輻射熱的影響作成最小的部位配置原料氣體的供給口的情形很重要。又，反應室的原料氣體的舉動必須作成藉由排氣吸引不會受到妨礙。

本發明是鑑於如上述的事項而創作者，其目的是在提供在複數原料氣體在處理基板上發揮成膜形成功能之前防止執行反應，將來自處理基板的輻射熱影響作成最小，對結晶成膜在反應室的氣體舉動可作成更良好的成膜裝置。

為了達成上述目的，本發明的成膜裝置，屬於在被配置於處理室的加熱狀態的處理基板表面，至少反應第一原料氣體與第二原料氣體所組成的複數原料氣體而執行成膜的成膜裝置，其特徵為：上述處理室藉由處理基板至少被區分成加熱室與反應室；在與露出於上述反應室的處理基板相對部位，以連續於反應室的狀態下設有原料氣體的排氣管；對於上述處理基板表面將第一原料氣體與第二原料氣體以分別獨立的狀態供給的第一原料氣體與第二原料氣體的各供給口，配置成比上述排氣管還位於外方，作為要旨。

本發明的成膜裝置是上述上述處理室至少藉由處理基板被區分成加熱室與反應室；在與露出於上述反應室的處理基板相對部位，以連續於反應室的狀態下設有原料氣體的排氣管；對於上述處理基板表面將第一原料氣體與第二原料氣體以分別獨立的狀態供給的第一原料氣體與第二原料氣體的各供給口，配置成比上述排氣管還位於外方。

如此，上述加熱室與反應室是至少藉由處理基板被區分，而到達至處理基板的第一原料氣體與第二原料氣體是形成結晶成膜後，不會流進加熱室或其他部位，因此反應生成物不會附著於處理基板以外的不需要部位。又，形成結晶成膜後，由相對於處理基板的排氣管立即以排氣流被吸引，因此原料氣體的流動成為整齊者而循環性變良好。

還有，第一原料氣體與第二原料氣體的各供給口比上述排氣管位於還外方，因此來自處理基板的輻射熱成為不容易及於各供給口的狀態。藉此，各供給口附近的溫度變低，即使各原料氣體的一部分成為混合狀態，而到達至處理基板為止，也形成有不易反應的溫度條件，而可增量被供給於形成結晶成膜的原料氣體。換言之，上述各供給口的配置部位，是比將排氣管的流路空間延長至反應室側的假想空間更外側開口於反應室。

上述第一原料氣體及第二原料氣體是從上述各供給口分別地流出，因此在流動途中所混合的量也變少，而在到達至處理基板為止可開始反應的情形被極少量化。如此，被噴至處理基板的兩原料氣體是產生紊流，在最接近於處理基板的部位開始反應。該反應所致的反應生成物一面朝處理基板的周圍方向及中心方向擴大，一面在處理基板全領域生成結晶成膜。如此地，從各供給口所流出的原料氣體是其大部分被供作於結晶成膜的形成，之後，由處理基板的中央部附近朝排氣管方向流出。

在本發明的成膜裝置中，上述處理基板所配置的基板配置領域，及連續於上述反應室的排氣管的斷面的各形狀是約圓形；上述基板配置領域的中心是被配置於排氣管的中心線上時，則從上述各供給口所流出的第一原料氣體與第二原料氣體成膜在處理基板上之後，可從上述基板配置領域的約中央部朝排氣管方向執行吸引排氣。

在本發明的成膜裝置中，在上述各供給口的外周側設有減少反應室的外周側空間的壁時，則在反應室內，可將未有效地功能於成膜的兩原料氣體量作成少量，而可提昇處理基板的結晶性並可提高膜的成長速度。又，藉由變更上述壁的方向，可發揮作為兩原料氣體的整流板的功能，而可得到對於處理基板的良好氣流。

在本發明的成膜裝置中，上述各供給口交替地配置於圓周上時，則第一原料氣體與第二原料氣體交替地到達至處理基板的所定部位，而在最接近的處理基板所執行的兩原料氣體的反應均勻地執行在處理基板的每個各反應部位，對於成膜品質的均勻化上有效。

在本發明的成膜裝置中，上述各供給口以等間隔所配置時，則第一原料氣體與第二原料氣體以等間隔又規則正確地到達至處理基板的所定部位，對成膜品質的均勻化更有效。

在本發明的成膜裝置中，上述各供給口，構成反應室的一部分，而朝處理基板的方向擴開，並且設置於連續於上述排氣管的環狀構件時，則各供給口是可配置在不容易受到自處理基板的輻射熱的部位，使得各供給口附近的溫度變低，即使各原料氣體的一部分成為混合狀態下一直到達至處理基板為止，也形成著不易反應的溫度條件，而可增量供給於形成結晶成膜的原料氣體。

在本發明的成膜裝置中，以環狀形狀設有將上述原料氣體分配至各供給口的氣體擴散室時，則第一原料氣體與第二原料氣體是由各氣體擴散室經獨立的流路可將原料氣體送至各供給口。因此由各氣體擴散室一直到各供給口為止，兩原料氣體的流路完全地被分離，因此在其途中不會產生反應。又，氣體擴散室作成環狀形狀，因此與沒有各供給口的上述環狀構件的位置的對應性變良好，而被簡化自氣體擴散室對供給口的配管，又，可均勻化上述各配管的長度，而成為容易均勻化來自各供給口的氣體流出量。

在本發明的成膜裝置中，在上述氣體擴散室內側配置有上述排氣管時，則在環狀氣體擴散室內配置著排氣管，因此氣體擴散室與排氣管的構造性系統變良好。而可將成膜裝置作成精巧。

在本發明的成膜裝置中，上述排氣管的斷面寬度，是比露出於反應室內的處理基板所配置的基板配置領域的寬度還大時，則自上述各供給口所流出的第一原料氣體與第二原料氣體執行成膜於處理基板上之後，而由上述基板配置領域的約中央部可朝排氣管的方向執行吸引排氣。尤其是，即使在基板配置領域配置複數處理基板而在各處理基板一齊施以成膜時，在原料氣體所致的結束成膜後，也可從配置領域中央部吸引排氣，而對提高結晶性成膜成長速度等具有效。

在本發明的成膜裝置中，對於來自上述各供給口的原料氣體的流出方向使得處理基板的表面成為約垂直般地配置著處理基板時，則各原料氣體對於形成反應生成物，由最有效果性方向到達至處理基板，因此結晶性成為顯著良好者。

以下，說明實施本發明所用的最佳形態。

實施例1

第1圖是表示成膜裝置的整體構造的斷面圖。又，第2圖是表示第1圖的[2]－[2]斷面圖。該裝置是在內部作為處理室1的處理容器2內設有分離板3，而在一致於開設在分離板3的圓形開口4的狀態下，載置有處理基板的板狀藍寶石基板5。在藍寶石基板5背面的上方配置加熱用加熱器H。又，分離板3或藍寶石基板5下側的處理室1，作為供給各種處理氣體的反應室1b。又，配置有將處理室1作成真空的真空泵(未圖示)，成為從排氣口6能真空排氣處理室1內。又，在藍寶石基板5具有大面積時，則僅以該藍寶石基板5可區分加熱室1a與反應室1b。

為了形成上述反應室1b或以下所述的環狀構件，排氣管的連接，冷卻室等，環狀箱13被配置在接近於分離板3的部位。在環狀箱13的內側形成有反應室1b。如第1圖所示地，上述反應室1b是配置在藍寶石基板5正下方的空間，而連接有連通於排氣口6的排氣管7。亦即，上述排氣管7是從環狀箱13的內側開口部朝下方延伸。上述排氣管7的流路斷面是如第2圖所示地為圓形，符號7a是表示排氣管7a的圓形內面形狀，經上述開口4而露出於反應室1b的圓形藍寶石基板5的中心，是大約一致於排氣管7的中心線O－O。又，對於平板狀的藍寶石基板5，上述中心線O－O是作成垂直的位置關係。

該實施例是一枚藍寶石基板5的中心作成一致於中心線O－O的例子，而配置有藍寶石基板5的部位成為基板配置領域。在該例中，配置有藍寶石基板5為一枚，而上述基板配置領域是單一圓形，該圓形部分的中心配置在排氣管7的中心線O－O上。

如第1圖及第2圖所示地，露出於反應室1b的圓形藍寶石基板5的直徑，以符號D1所表示。又，排氣管7的內徑是以符號D2表示。又，上述直徑與內徑的大小，是設定成為D2>D1的關係。

區劃反應室1b的構件主要為環狀構件9與壁板構件10。上述環狀構件9是將一端連續於排氣管7而將另一端側朝藍寶石基板5方向擴開的推拔式構件。又，上述壁板構件10是為了減少反應室1b的外周側空間，亦即為了減少反應室1b的死空間的隔開構件，而其內側的壁10a功能成為減少上述空間。如第2圖所示地，上述壁板構件10是與上述中心線O－O同心狀的短圓筒式構件，又，上述環狀構件9也成為與中心線O－O同心狀。因此，反應室1b是第1圖的橫斷面為圓形空間，而中心線O－O貫通其中心部。

本實施例的原料氣體是O原料氣體與Zn原料氣體，作為O原料氣體，使用O₂ 、H₂ O、N₂ O等，又，作為Zn原料氣體，使用OEZn(Diethyl Zinc)。

將O原料氣體(亦即第一原料氣體)朝藍寶石基板5流出的供給口11，及將Zn原料氣體(亦即第二原料氣體)朝藍寶石基板5流出的供給口12，開口於上述環狀構件9。各供給口11，12是配置成位於比排氣管7還外方。亦即，將與排氣管7的內徑D2相同直徑的假想空間延長至反應室1b側，而在該假想空間的外側環狀構件9設有供給口11，12。

如第2圖所示地，各供給口11，12是對於1部位的氣體供給朝環狀構件9的直徑方向排列配置各兩個。又，供給口11與供給口12是交替且以等間隔排列在環狀構件9的圓周上。第2圖是為了容易辨別供給口11與12，僅將供給口12加以凹凸花樣地塗滿。又，各供給口11，12，是將1部位的氣體供給作成1個或3個以上的供給口也可以。

上述環狀箱13是由：環狀構件9，及連續於該構件的平板狀的上部環狀板13a，及連續於該上部環狀板13a外周部的圓筒板13b，及連續於該圓筒板13b的外周部的平板狀下部環狀板13c，及排氣管7的一部分所構成。又，在排氣管7下部結合著環狀支持構件7b，其下部被固定在設定成較厚的高剛性的環狀基板14。因此，具備反應室1b，供給口11，12等的環狀箱13經由排氣管7或支持構件7b形成有被牢固地被結合在基板14的構造，因此得到高剛性的成膜裝置。又，處理容器2也被結合於上述基板14，因此可正確地設定被形成於處理容器2一部分的分離板3或是開口4與反應室1b的相對位置，使得對於藍寶石基板5的反應氣體正確地到達，而可得到良好的成膜。

如第4(A)圖及第1圖所示地，具有環狀氣體擴散室15，16的環狀管15a，16a結合於下部環狀板13c。兩環狀管15a，16a是內外地配置著大徑者與小徑者，惟將此作為同徑而上下地配置也可以。又，排氣管7貫通上述環狀管15a，16a的內側。從裝置外被插入在內部的第一原料氣體(O原料氣體)的供給管17被連接於氣體擴散室15，又，同樣地從裝置外被插入在內部的第二原料氣體(Zn原料氣體)的供給管18被連接於氣體擴散室16。從環狀管15a所延伸的複數支供給管19經環狀箱13內部被分成兩叉而達到上述供給口11。上述兩叉的管路是以符號19a表示。同樣地，從環狀16a所延伸的複數支供給管20經環狀箱13的內部被分成兩叉而達到上述供給口12。上述兩叉的管路是以符號20a表示。又，如第4(B)圖所示地，氣體擴散室15，16是環狀鑄造零件而一體地構成環狀管15a與16a，可將內外的槽作為氣體擴散室15，16。

如第1圖及第3圖所示地，在環狀構件9背後結合著與環狀構件9的相同形狀的區劃板21，而在環狀構件9與區劃板21之間形成有導入冷卻液的冷卻護套22。上述兩叉的管路19a，20a是被連接於以密封狀態橫跨冷卻護套22的筆直導管23，上述供給口11，12是藉由該導管23的開口部所構成。藉由從該導管23流出原料氣體，形成著反應室1b的氣體流的指向性。

在排氣管7的外周部構成有冷卻護套24。從裝置外部有流入管25被連接於冷卻護套24，而上述冷卻護套24與冷卻護套22以連接管26相連接，使得被連接於冷卻護套22的流出管27被突出於裝置外。由流入管25進入的冷卻液是在冷卻護套24來冷卻排氣管7內的氣體，之後流進冷卻護套22而來冷卻兩叉管路19a，20a或反應室1b。然後從流出管流出至外部。

列述上述實施例的作用效果，有如下事項。

第一原料氣體與第二原料氣體是分別從獨立的供給管17，18分別送到氣體擴散室15，16，而從各氣體擴散室15，16經個別的供給管19，20被送到供給口11，12。因此，從供給管17，18一直到供給口11，12為止，兩原料氣體的流略為完全地被分離之故，因而在其途中不會產生反應。

從上述供給口11，12分別流出的第一原料氣體及第二原料氣體，是在上述導管23朝流出方向賦予指向性。所以，從供給口11，12所流出的第一原料氣體與第二原料氣體，是在一直到到達至藍寶石基板5為止開始反應的情形被極少量化。又，兩原料氣體的流出方向是藍寶石基板5的外周側較理想，被噴在藍寶石基板5的外周部附近的兩原料氣體，是產生紊流而在最接近於藍寶石基板5的部位開始反應。該反應所致的反應生成物一面朝藍寶石基板5的圓周方向及中心方向擴大，一面在藍寶石基板5的全領域生成著結晶成膜。如此地，從供給口11，12所流出的原料氣體是其大部分被供作結晶成膜的形成，然後，從藍寶石基板5的中央部附近朝排氣管7方向流出。

又，第一原料氣體與第二原料氣體的供給口11，12，是比朝排氣管7的反應室1b側延長的假想空間還在外側開口於反應室1b。因此，來自藍寶石基板5的輻射熱成為不容易及於供給口11，12的狀態之故，因而供給口11，12附近的溫度變低，即使各原料氣體的一部分成為混合狀態而在一直到到達至藍寶石基板5為止，也形成不容易反應的溫度條件，而可增量供作形成結晶成膜的原料氣體。

加熱室1a與反應室1b是藉由分離板3與藍寶石基板5被區分之故，因而到達至藍寶石基板5的兩原料氣體是形成結晶成膜之後，不會流進加熱室1a或其他部位，因此反應生成物不會附著於藍寶石基板5以外的不需要部位。又，形成結晶成膜之後，立即被排氣流吸引，因此，原料氣體的循環性變良好。

藉由壁10a減少反應室1b外周側空間，因此在反應室1b內可將未有效地功能的兩原料氣體量作成少量化，而提高藍寶石基板5的結晶性而可提高膜的成長速度。

又，各供給口11，12是交替且等間隔地配置在圓周方向，因此第一原料氣體與第二原料氣體有規則且交替地到達至藍寶石基板5的所定部位，使得在最接近於藍寶石基板5的附近所執行的兩原料氣體的反應均勻地執行在藍寶石基板5的每個各反應部位，而對於成膜品質的均勻化上有效。

供給口11，12是設在朝藍寶石基板5的方向擴開的推拔式環狀構件9之故，因而供給口11，12是可配置在從藍寶石基板5不容易受到輻射熱的部位，使得供給口11，12附近的溫度變低，即使各原料氣體的一部分成為混合狀態，一直到到達至藍寶石基板5為止，也形成不容易反應的溫度條件，而可增量被供作結晶成膜的形成的原料氣體。

第一原料氣體與第二原料氣體，是從各氣體擴散室15，16經獨立的供給管19，20而將原料氣體送至各供給口11，12。因此，從各氣體擴散室15，16一直到各供給口11，12為止，兩原料氣體的流路完全地被分離之故，因而在其途中也不會有反應。又，形成氣體擴散室的構件的板狀作成環狀管15a，16a之故，因而與設有各供給口11，12的上述環狀構件9的位置的對應性變良好，而從氣體擴散室的各供給口11，12的配管被簡化，又，可均勻化上述各配管長度，而成為容易均勻化來自各供給口11，12的氣體流出量。

又，例如10^－ ³ ~1Pa(10^－ ⁵ ~10^－ ² Torr)的高真空中的Zn原料氣體(DEZn氣體)分子的平均自由工程是約50~100mm之故，因而增大該平均自由工程，被要求儘量抑制從供給口11，12一直到藍寶石基板5為止而與O(O₂ ，H₂ O，N₂ O等)反應的情形。為此，期望將上述Zn原料氣體的平均自由工程，在上述真空壓力範圍內，而不妨礙反應性的範圍儘量設定在大領域較理想。具體來說，上述平均自由工程是50mm以上較理想，更理想是70mm以上，最理想是100mm以上。

一方面，Zn原料氣體是在200~300℃被分解而冷卻該氣體就會凝結，因此使Zn原料氣體的溫度成為100℃般地執行冷卻護套22等的冷卻控制。

又，在環狀箱13，環狀構件的配置，供給口11，12的配置，冷卻護套22的形成，安裝環狀管15a，16a等，而將該環狀箱作為構造上的中核構造物的構成，故以精巧集約的狀態可形成成膜裝置最重要的功能部分的構造。

實施例2

第5圖是表示本發明的成膜裝置的第2實施例。

該實施例是，環狀的上述壁板構件10的形狀，作成藍寶石基板5側成為小徑的推拔形者。此以外是與上述實施例同樣，在同樣部分賦予相同符號。

藉由上述構成，使得反應室1b的外周側空間變更少，而且來自供給口11，12的氣體流藉由壁板構件10的壁被整流，而使良好的氣體流干涉於藍寶石基板5表面而執行高品質的成膜。此以外是發揮與上述實施例同樣的作用效果。

實施例3

第6圖至第9圖是表示本發明的成膜裝置的第3實施例。

該實施例是在基板配置領域配置8枚藍寶石基板5者。為此，在分離板3將8個開口4設於圓周上。配置有藍寶石基板5的領域是圓形領域，而其中心存在於中心線O－O上。又，如第7圖所示地，分離板3是作成圓形，成為以中心線O－O作為中心而能旋轉。當該分離板整體執行旋轉，所謂公轉是可用各種驅動機構來執行。例如未加以圖示，惟在分離板3的中心部結合軸而作成能旋轉驅動該軸。又，排氣管7的斷面寬度，是設定成比露出於反應室1b內的藍寶石基板5所配置的基板配置領域還寬。

又，如第8圖及第9圖所示地，將藍寶石基板5本體執行旋轉之所謂自轉追加於上述公轉也可以。在這時候的旋轉的驅動機構採用各種者，例如第9圖所示地，以公轉用齒輪28執行旋轉分離板3，另一方面，在配置於中央部的太陽齒輪29嚙合行星齒輪30，而在各行星齒輪30設置上述開口4，在此配置藍寶石基板5。當旋轉齒輪，則使分離板3整體執行公轉，與此同時地各行星齒輪30執行旋轉而使藍寶石基板5執行自轉。此以外是與上述實施例同樣，在同樣部分賦予相同符號。

藉由上述構成，複數藍寶石基板5執行公轉或公轉與自轉，而使原料氣體對於各藍寶石基板5均勻地干涉，於各藍寶石基板5施以無偏差的良好品質的成膜。又，從上述各供給口11，12流出的第一原料氣體與第二原料氣體在藍寶石基板5上形成成膜之後，由上述基板配置領域的大約中央部可朝排氣管7方向被吸引排氣，尤其是，在基板配置領域配置複數藍寶石基板5而在各藍寶石基板5一齊施以成膜之際，而在原料氣體所致的完成成膜之後可從基板配置領域的中央部被吸引排氣，對於提高結晶性或膜成長速度等也有效。此以外是發揮與上述各實施例同樣的作用效果。

實施例4

第10圖是表示本發明的成膜裝置的第4實施例。

該實施例是對於來自上述各供給口11，12的原料氣體的流出方向使藍寶石基板5表面成為大約垂直地配置有藍寶石基板5者。為此，設有相對於推拔形的環狀構件9的圓錐形分離板3a，而在該圓錐形分離板3a安裝有藍寶石基板5，該藍寶石基板5表面對於來自各供給口11，12的原料氣體流出方向成為大約垂直般地設定上述分離板3a的傾斜角度。又，為了此種藍寶石基板5的配置姿勢，反應室1b也成為推拔形空間形狀。此以外是與上述實施例同樣，在同樣部分賦予相同符號。

藉由上述構成，從各原料氣體對於形成反應生成物最有效果性方向到達至藍寶石基板5，因此結晶性成為顯著良好者。又，藍寶石基板5配置於圓錐形分離板3a而對於排氣管7方向成為傾斜，因此成膜後的氣體排氣朝排氣管7方向順利地被流出。

藉由上述構成，各原料氣體從藉由形成反應生成物最有效果性的方向到達至藍寶石基板5，因此結晶性成為顯著良好者。又，藍寶石基板5配置於圓錐形分離板3a而對於排氣管7方向成為傾斜，因此成膜後的氣體排氣朝排氣管7的方向順利地被排出。

1．．．處理室

1a．．．加熱室

1b．．．反應室

2．．．處理容器

3．．．分離室

3a．．．圓錐形分離板

4．．．開口

5．．．處理基板，藍寶石基板

6．．．排氣口

7．．．排氣管

7a．．．內面

7b．．．支持構件

H．．．加熱用加熱器

8．．．反射器

9．．．環狀構件

10．．．壁板構件

10a．．．壁

11．．．供給口(O原料氣體用)

12．．．供給口(Zn原料氣體用)

13．．．環狀箱

13a．．．上部環狀板

13b．．．圓筒板

13c．．．下部環狀板

14．．．基板

15．．．氣體擴散室

15a．．．環狀管

16．．．氣體擴散室

16a．．．環狀管

17，18，19，20．．．供給管

19a，29a．．．兩叉的管路

21．．．區劃板

22，24．．．冷卻護套

23．．．導管

25．．．流入管

26．．．連接管

27．．．流出管

28．．．齒輪

29．．．太陽齒輪

30．．．行星齒輪

D1．．．藍寶石基板的露出部分的直徑

D2．．．排氣管的內徑

O－O．．．中心線

第1圖是表示本發明的一實施例的成膜裝置的斷面圖。

第2圖是表示第1圖的[2]－[2]斷面圖。

第3圖是表示冷卻護套的一部分的斷面圖。

第4(a)圖及第4(b)圖是單獨地表示氣體擴散室的立體圖及斷面圖。

第5圖是表示第2實施例的成膜裝置的斷面圖。

第6圖是表示第3實施例的成膜裝置的斷面圖。

第7圖是表示第6圖的[7]－[7]斷面圖。

第8圖是表示安裝複數藍寶石基板的分離板的斷面圖。

第9圖是簡略地表示藍寶石基板的公轉及自轉的驅動機構的斷面圖。

第10圖是表示第4實施例的成膜裝置的簡略性斷面圖。