JP2001155549A - 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置 - Google Patents

酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、弱酸での微細化エッチングが可能
であり接続抵抗も低く、光透過率も優秀であり、ＴＣＰ
接続する場合の抵抗も低く、経時的に抵抗値が変動しな
い酸化物透明導電膜とその製造用ターゲットの提供を目
的とする。更に本発明は、酸化物透明導電膜を備えた基
板の製造方法の提供を目的とする。 【解決手段】 本発明の酸化物透明導電膜６はインジウ
ム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物か
らなり、少なくとも他の導体との接続部分６ａを有し、
接続部分においてスズが亜鉛よりも多い組成とされ、接
続部分が結晶性を有することを特徴とする。本発明のタ
ーゲットは前記複合酸化物からなる。更に本発明の基板
の製造方法は前記複合酸化物を成膜後、エッチング処理
しパターニングしてから熱処理することで接続抵抗の低
い酸化物透明導電膜６を備えた基板２を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弱酸で容易にエッ
チング可能であって微細加工性に優れ、更に接続抵抗も
少ない酸化物透明導電膜とそれを用いた技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の電極回路、画素電極など
に使用されている透明導電膜としてインジウムスズ酸化
物（ＩＴＯ）膜が広く知られている。このインジウムス
ズ酸化物膜において、加熱成膜された多結晶状態のもの
は抵抗が２００×１０-6Ω・ｃｍ程度であって十分に低
いので、液晶表示装置用導体としての低抵抗性に優れ、
光の透過率が高く、ＴＣＰ（テープキャリアパッケー
ジ）接続の際の接触抵抗としても使用に問題のない範囲
で良好な低接続抵抗を有するが、このインジウムスズ酸
化物膜をエッチングして回路や画素電極を形成するため
には、ＨＣｌとＨＮＯ3の混合酸、ＨＣｌとＨ2ＳＯ4の
混合酸等の強酸のエッチング液が必要である。ところ
が、このような強酸をエッチング液としてインジウムス
ズ酸化物膜のエッチング加工を行うと、サイドエッチン
グが著しく、微細加工することが困難であった。
【０００３】更に、液晶表示装置は年々微細化が進めら
れておりインジウムスズ酸化物膜からなる電極や配線以
外の部分において更に低抵抗化が必要な配線は、従来の
クロムからなる配線やタンタルからなる配線に代えて銅
からなる配線が用いられてきている。ところが、前述の
インジウムスズ酸化物膜をエッチングする際に用いる強
酸のエッチング液は、銅配線に対して著しいエッチング
能を有し、インジウムスズ酸化物膜のエッチングレート
と銅のエッチングレートが大きく異なり、しかもサイド
エッチ量も大きいために、インジウムスズ酸化物膜をエ
ッチングする強酸を用いると銅配線に断線を生じさせて
しまう問題がある。逆に、銅配線に対してエッチング能
の低い希塩酸や有機酸ではインジウムスズ酸化物膜をエ
ッチングできない問題がある。
【０００４】なお、特殊な製造方法でアモルファス状態
のインジウムスズ酸化物膜を得る技術も知られており、
このアモルファス状態のインジウムスズ酸化物膜は有機
酸でのエッチングが可能なことも知られているが、この
アモルファス状態のインジウムスズ酸化物膜は接触抵抗
が高い欠点がある。また、インジウムスズ酸化物膜を室
温で成膜すると、微結晶構造となり易く、抵抗が１００
０×１０-6Ω・ｃｍ程度と高くなるので、満足な接続抵
抗ではなくなる問題がある。
【０００５】そこで従来、インジウムスズ酸化物膜に代
わる透明導電膜としてインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）
膜が注目されている。このインジウム亜鉛酸化物膜は、
室温成膜でも４００×１０-6Ω・ｃｍ程度の低い抵抗値
を得ることができ、光透過率がインジウムスズ酸化物膜
と同程度で、弱酸でエッチングが可能であり、弱酸でエ
ッチングした場合のサイドエッチ量が少ないので、微細
加工にも適した優れた透明導電膜であることが知られて
いる。更に、インジウム亜鉛酸化物膜を用いると銅配線
を腐食させないエッチング液として、例えば希塩酸を選
択することができ、希塩酸のエッチング液を用いること
で、インジウム亜鉛酸化物膜と銅配線の混合した回路構
成を採用しても微細加工が可能になる利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが本発明者ら
は、前述のインジウム亜鉛酸化物膜を前述の液晶表示装
置用配線として用い、この配線をＴＣＰ（テープキャリ
アパッケージ）接続した場合において、接続抵抗が大き
くなり、液晶表示装置の微細化配線を更に推進した場合
に、問題になることを知見した。また、本発明者らは、
インジウム亜鉛酸化物膜を大気中に保管した場合に経時
的に接触抵抗が上昇してしまうことを知見した。
【０００７】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、弱酸での微細化エッチングが可能であり、接続抵抗
も低く、光透過率も優秀であり、ＴＣＰ接続する場合の
抵抗も低くでき、経時的に抵抗値が変動しない酸化物透
明導電膜の提供を目的とする。更に本発明は、このよう
な優れた特徴を有する酸化物透明導電膜を形成する際に
用いて好適なターゲットの提供を目的とする。本発明
は、前記酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法を提
供すること、並びに前記の製造方法で得られた基板を備
えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは先の知見に
基づき、インジウム亜鉛酸化物膜のＴＣＰ接続時の抵抗
が高い原因について研究した。その結果、インジウムス
ズ酸化物膜とインジウム亜鉛酸化物膜は、アモルファス
状態であると、大気中に放置されると水分、酸素または
有機物との反応により表面部分に高抵抗層が生成され、
この高抵抗層の存在により接触抵抗が高くなることを発
見した。そして更に研究を重ねた結果、インジウム亜鉛
酸化物膜の電子キャリアの発生源であるＩｎ2Ｏ3の酸素
欠損（過剰Ｉｎ）が大気中の水分、酸素または有機物と
結合し、酸素欠損型導電機構が阻害される結果として高
抵抗層が生成されるものとの結論に至った。
【０００９】本発明の酸化物透明導電膜は前述の課題を
解決するために、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛
酸化物を含む複合酸化物からなり、少なくとも接続部分
を有し、その接続部分においてスズが亜鉛よりも多い組
成とされ、少なくとも接続部分が結晶性を有することを
特徴とする。インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化
物を含む複合酸化物であり、少なくとも接続部分におい
てスズが亜鉛よりも多い組成とされ、少なくとも接続部
分が結晶性を有する酸化物透明導電膜であるならば、イ
ンジウムスズ亜鉛酸化物の導電機構として、インジウム
酸化物の過剰インジウムが電子キャリアを発生する導電
機構に加え、インジウムにｎ型ドーパントとしてのスズ
を添加することによって、４価のスズを活性化させて電
子キャリアを増やすようにする導電機構が有効に作用す
るとともに、活性化すると電子キャリアのアクセプタと
なって電子キャリアを消費する亜鉛の阻害因子を少なく
することができ、大気中の水分、酸素または有機物との
反応を抑制して良好な低抵抗接続が期待できる。また、
前記の酸化物透明導電膜は弱酸でのエッチングが容易で
ありサイドエッチング量も少ないので、インジウムスズ
酸化物膜よりも一層微細配線加工が可能となる。更に、
前記の酸化物透明導電膜は弱酸でのエッチングが可能と
なることから、銅配線を伴う構造を採用しても、銅配線
を腐食させることなくエッチング処理することができ
る。
【００１０】本発明は前述の課題を解決するために、イ
ンジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸
化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対す
る亜鉛の原子数率が１ａｔ％ないし９ａｔ％であり、亜
鉛に対するスズの原子数比が１以上であり、かつ、亜鉛
とインジウムとスズの合計量に対するスズの原子数比が
２０ａｔ％以下であるとともに、少なくとも一部が結晶
性を有することを特徴とする。亜鉛とインジウムとスズ
の量を前記の範囲とすることでアモルファス状態で成膜
し、その後少なくとも接続部分を結晶化させることが容
易にでき、確実にスズによる電子キャリアを増大させて
良好な導電性を確保することができ、電子キャリアを消
費する亜鉛の阻害因子を少なくし、更に大気中の水分、
酸素または有機物との反応を抑制できる。
【００１１】本発明において、前記亜鉛とインジウムと
スズの合計量に対する亜鉛の原子数比が２ａｔ％ないし
７ａｔ％であり、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量
に対するスズの原子数率が５ａｔ％ないし１０ａｔ％で
あることを特徴とすることが、良好な導電性と反応抑制
力を得る上で更に好ましい。
【００１２】本発明の電子機器は、先に記載の酸化物透
明導電膜を電気回路の少なくとも一部として備えてなる
ことを特徴とする。先に記載の酸化物透明導電膜を備え
た電子機器であるならば、微細化された配線構造を採用
しても、低抵抗で他の部品との接続ができ、大気中に放
置しても接続抵抗の劣化が少なく、弱酸でエッチングが
可能であり、微細加工もできる配線を備えた電子機器を
提供できる。
【００１３】更に本発明のターゲットは、インジウム酸
化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からな
り、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原
子数率が１ａｔ％ないし１２ａｔ％であり、亜鉛に対す
るスズの原子数比が１以上であり、かつ、亜鉛とインジ
ウムとスズの合計量に対するスズの原子数比が２２ａｔ
％以下であることを特徴とする。この組成のターゲット
をスパッタ成膜用ターゲットとして用いるならば、先に
説明したような微細化された配線構造を採用しても、低
抵抗で他の部品との接続ができ、大気中に放置しても接
続抵抗の劣化が少なく、弱酸でエッチングが可能であ
り、微細加工もできる透明導電膜の配線を得ることがで
きる。
【００１４】更に本発明のターゲットにおいて、前記亜
鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率
が２ａｔ％ないし１０ａｔ％であり、前記亜鉛とインジ
ウムとスズの合計量に対するスズの原子数率が５ａｔ％
ないし１２ａｔ％であることを特徴とすることが好まし
い。
【００１５】本発明の酸化物透明導電膜形成基材の製造
方法は、基板上に、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜
鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛の原子％に対
するスズの原子％の比率が１以上である非晶質酸化物透
明導電膜を成膜し、この非晶質酸化物透明導電膜をエッ
チング処理してパターニングした後、更に熱処理するこ
とで前記パターニング処理後の非晶質酸化物透明導電膜
の少なくとも一部を結晶化することを特徴とする。イン
ジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化
物であり、少なくとも接続部分においてスズが亜鉛より
も多い組成とされ、少なくとも接続部分が結晶性を有す
る非晶質酸化物透明導電膜であるならば、インジウム亜
鉛酸化物の導電機構として、インジウムにｎ型ドーパン
トとしてのスズを添加することにより活性化させて電子
キャリアを増やすようにする導電機構が有効に作用する
とともに、活性化すると電子キャリアのアクセプタとな
って電子キャリアを消費する亜鉛の阻害因子を少なくで
き、大気中の水分、酸素または有機物との反応を抑制し
て良好な接続ができる配線を備えた基板を提供できる。
また、前記の複合酸化物であるならば、成膜時のアモル
ファス状態において弱酸によるエッチングが可能で、微
細加工ができ、結晶化後は低抵抗接続ができる。
【００１６】更に本発明は、基板上に、インジウム酸化
物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からな
り、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原
子数比が１ａｔ％ないし９ａｔ％であり、亜鉛に対する
スズの原子数比が１以上であって、かつ、亜鉛とインジ
ウムとスズの合計量に対するスズの原子数率が２０ａｔ
％以下である非晶質酸化物透明導電膜を成膜し、この非
晶質酸化物透明導電膜をエッチング処理してパターニン
グした後、更に熱処理することで前記パターニング処理
後の非晶質酸化物透明導電膜の少なくとも一部を結晶化
することを特徴とする。
【００１７】本発明の液晶表示装置は、互いに対向する
一対の基板間に液晶を挟持した液晶表示装置であって、
該一対の基板の少なくとも一方の基板に先に記載の酸化
物透明導電膜形成基板が用いられてなることを特徴とす
る。これにより、先に記載の特徴を有する酸化物透明導
電膜基板を備えた液晶表示装置を提供できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態について
詳細に説明する。本発明の酸化物透明導電膜は、インジ
ウム（Ｉｎ）酸化物（Ｉｎ2Ｏ3）と、スズ（Ｓｎ）酸化
物（ＳｎＯ2）と、亜鉛（Ｚｎ）酸化物（ＺｎＯ）を主
成分とする複合酸化物からなる。これらの主成分の酸化
物の外に数ａｔ％程度の不純物を含んでいても差し支え
ない。この実施形態の酸化物透明導電膜においては、他
の配線あるいは導電体と接続して用いられるので、これ
らとの接続部分において、少なくともスズが亜鉛よりも
多く配合され、結晶性を示すことが必要である。例え
ば、酸化物透明導電膜の表面部分において配線や他の導
体との接続を行う場合は、表面部分の組成において少な
くともスズが亜鉛よりも多く配合され、結晶性を示すこ
とが必要である。
【００１９】次に本発明の酸化物透明導電膜において、
亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数
率が１ａｔ％ないし９ａｔ％であり、亜鉛に対するスズ
の原子数比が１以上であり、かつ、亜鉛とインジウムと
スズの合計量に対するスズの原子数率が２０ａｔ％以
下、より好ましくは１ａｔ％以上、２０ａｔ％以下の範
囲である。そして更に、前記亜鉛とインジウムとスズの
合計量に対する亜鉛の原子数率が２ａｔ％ないし７ａｔ
％であり、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対す
るスズの原子数率が５ａｔ％ないし１０ａｔ％であるこ
とがより好ましい。さらに、インジウムの組成範囲は、
亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するインジウムの
原子数率が９８ａｔ％以下、７５ａｔ％以上である。
【００２０】インジウム酸化物は主成分であり、複合酸
化物中において酸素と結合していない過剰インジウムが
電子キャリアを発生し、酸素欠損型の導電機構を構成す
る。添加成分としてのスズ酸化物は複合酸化物中におい
て４価のスズを活性化して電子キャリアを発生するため
に重要である。また、複合酸化物がアモルファス状態で
あると亜鉛酸化物の２価の亜鉛は活性化しないので、電
子キャリアを消費するアクセプタとならない。これら添
加物のバランスを考慮して前記の組成範囲を選択する。
【００２１】また、前述の組成の酸化物透明導電膜を実
際の配線用として用いる場合、他の配線や端子との接続
部分は少なくとも結晶性であることが好ましい。前記組
成範囲の酸化物透明導電膜は通常の成膜のままではアモ
ルファス膜であるが、これを結晶化温度以上に加熱する
アニール処理（１８０℃〜３００℃の温度に加熱する熱
処理）を行えば容易に結晶化する。なお、熱処理温度は
周囲の回路や基板の耐熱温度に応じて使い分けることが
できるが、後述する液晶パネル用として利用した場合
に、周辺回路や基板の耐熱性から、好ましくは、２５０
℃以下、２００℃程度がより好ましいと考えられる。
【００２２】前述の組成の酸化物透明導電膜は、成膜の
ままでのアモルファス状態ではＴＣＰとの接触抵抗は高
く（４１Ω程度）、微細配線接続用として良好な抵抗で
あるとは言えないが、これを熱処理して少なくとも表面
部分（表面から深さ５０Å程度）を結晶化することで少
なくとも接続部分を低抵抗化（２.３Ω程度）すること
ができる。この結晶化する際の熱処理雰囲気は、大気
中、Ｎ2雰囲気中、Ｈ2２０％、Ｎ2８０％雰囲気中、Ｏ2
２０％、Ｎ2８０％雰囲気中、真空雰囲気中のいずれで
も良い。なお、前記結晶化した酸化物透明導電膜は大気
中の水分（あるいは酸素）との結合を防止できるので、
経時的に接続抵抗が上昇することもない。また、前述の
組成のアモルファス状態の酸化物透明導電膜は希塩酸、
有機酸等の弱酸でのエッチングが容易にできるので、ア
モルファス状態の酸化物透明導電膜のままの状態でエッ
チング処理し、パターニングを行い配線を形成し、パタ
ーニング後に配線接続部分などの必要部分を熱処理して
配線接続部分を低抵抗化することで微細回路接続部分で
あっても低抵抗接続ができる。
【００２３】次に、前述の組成の酸化物透明導電膜を形
成するには、スパッタ成膜等の成膜法で絶縁性の基板等
の上面に成膜し、熱処理することで得ることができる
が、その場合に用いるターゲットとして以下の組成のタ
ーゲットが好ましい。好適に使用できるターゲットの組
成は、インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含
む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとスズの合計
量に対する亜鉛の原子数率が１ａｔ％ないし１２ａｔ％
であり、亜鉛に対するスズの原子数比が１以上であり、
かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズの
原子数率が２２ａｔ％以下のものである。また、前述の
ターゲットとして、前記亜鉛とインジウムとスズの合計
量に対する亜鉛の原子数率が２ａｔ％ないし１０ａｔ％
であり、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する
スズの原子数比が５ａｔ％ないし１２ａｔ％であること
がより好ましい。
【００２４】前述の組成の酸化物透明導電膜を得るため
に用いるターゲットにおいて、スパッタした際に亜鉛と
スズは飛散し易く、膜中に取り込まれ難いので、ターゲ
ットとして亜鉛とスズを目的の組成の膜よりも多く含む
組成で良い。
【００２５】図１〜図３は本実施形態の酸化物透明導電
膜膜を用いて構成されたアクティブマトリクス型の液晶
パネル（電子機器）の一例を示すものである。この例の
液晶パネルＰは、上下に対向配置された透明の基板１、
２の間に液晶３が封止された構造とされ、上側の基板１
の液晶側にカラーフィルタ４と前述の組成の酸化物透明
導電膜からなる共通電極５が形成され、下側の基板２の
上面側に前述の組成の酸化物透明導電膜からなる画素電
極６が縦横に複数整列形成されている。また、下側の基
板２の上面において画素電極６…の間の領域には銅等の
導電性の金属材料からなるゲート配線７とソース配線８
とがマトリクス状に配線され、ゲート配線７とソース配
線８とで囲まれた領域に前記画素電極６が配置されると
ともに、各画素電極６とゲート配線７あるいはソース配
線８とを接続するようにスイッチング素子としての薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）９が形成されている。更に図１
において基板１の上側と基板２の下側には各々偏光板１
０Ａ、１０Ｂが配置されている。
【００２６】なお、図１に示す液晶パネルＰは３列×３
行分の画素電極６のみを示しているが実際の液晶パネル
においては有効表示画素として数百×数百の画素が設け
られていて、画素数に応じた画素電極６が設けられる。
また、液晶パネルＰの有効表示領域（表示に寄与する画
素電極６が形成された領域）の外側の配線領域とされる
額縁部分におけるゲート配線７とソース配線８の接続部
分においてこれら配線の接続端子部が設けられている
が、図１では記載の簡略化のためにゲート配線接続部と
ソース配線接続部の記載は省略した。また、液晶３は基
板１、２の周縁部に形成された図示略の封止材と基板
１、２に囲まれて封止されているが、封止材の部分の構
成も図１では省略した。
【００２７】図１に示す構成の液晶パネルＰにおいて、
薄膜トランジスタ９の部分とその周囲の配線構造は例え
ば図２と図３に示すように構成されている。図２に示す
断面構造において、ゲート配線７の一部から引き出して
設けたゲート電極１１と画素電極６が基板２上に形成さ
れ、これらを覆ってゲート絶縁膜１２が形成され、ゲー
ト電極１１上のゲート絶縁膜１２上にアイランド状の半
導体膜１３が形成され、半導体膜１３の両端部側に個々
にオーミックコンタクト膜１４を介してソース電極１５
とドレイン電極１６とが設けられ、ソース電極１５が前
記ソース配線８に接続され、ドレイン電極１６がゲート
絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール部分の導通部
１７を介して画素電極６に接続され、導通部１７と画素
電極６との接触部分が接続部分６ａとされ、更にこれら
の部分を覆って絶縁膜１８が形成されている。なお、実
際の基板２の液晶側には配向膜が形成されるが図２では
配向膜を省略した。
【００２８】また、液晶パネルＰの周縁部分の額縁部分
において、ゲート配線７の端子部分においては、図２に
示すように、ゲート配線７の端部７ａがゲート絶縁層１
２で覆われ、ゲート配線７の端部７ａの外側の基板２上
に前述の組成の酸化物透明導電膜からなるゲート端子６
Ａが形成され、このゲート端子６Ａと前記ゲート端子７
ａが先のソース配線８の材料と同等の導電材料からなる
接続層２０で接続されてこの部分が接続部分６ｂとされ
るとともに、接続層２０が先の絶縁膜１８で覆われてい
る。そしてゲート端子６Ａの端部に、ＴＣＰ配線がなさ
れるための端子部２１がＡＣＦ（アニソトロピックコン
タクトフィルム）等の導電層２２で接続されてこの部分
が接続部分６ｃとされている。
【００２９】次に、液晶パネルＰの周縁部分の額縁部分
において、ソース配線８の端子部分においては、図３に
示すように、ゲート絶縁膜１２の端部側に前述の組成の
酸化物透明導電膜からなるソース端子６Ｂが形成され、
このソース端子６Ｂに前記ソース配線８の端部が接続さ
れ、これらの接続部分を覆って前記絶縁膜１８が形成さ
れている。そして、ソース端子６Ｂの端部に、ＴＣＰ配
線がなされるための端子部２５がＡＣＦ（アニソトロピ
ックコンタクトフィルム）等の導電層２６で接続されて
いる。
【００３０】以上の構成の液晶パネルＰにあっては、図
２に示すように、画素電極６にドレイン電極１６の導通
部１７が接続される接続部分６ａと、ゲート端子６Ａに
接続層２０が接続される接続部分６ｂと、ゲート端子６
Ａに端子部２１が接続される接続部分６ｃと、図３に示
すように、ソース端子６Ｂにソース配線８の端部が接続
される接続部分６ｄと、ソース端子６Ｂに端子部２５が
接続される接続部分６ｅにおいて、いずれも酸化物透明
導電膜と他の導電体との接続がなされている。ここで画
素電極６とゲート端子６Ａとソース端子６Ｂとが前述の
酸化物透明導電膜からなるならば、いずれの部分におい
ても低い接続抵抗で接続ができる。しかも、これらの接
続部分は、液晶パネルＰの微細化が進められるにつれて
微細化されてきており、幅において５〜４０×１０-6ｍ
程度に微細化されてきているので、このような微細化さ
れた接続部分を更に微細化した次世代の微細化パネルの
構造においても十分に良好な接続ができる。
【００３１】ここで、図２と図３に示す構造を実現する
には、アモルファス状態の酸化物透明導電膜を形成後、
エッチングによって画素電極６、ゲート端子６Ａ、ソー
ス端子６Ｂを形成した後に他の層の導体部分との接続を
行う必要がある。ここで先の組成の酸化物透明導電膜で
あるならば、エッチング液として強酸ではなく、希塩酸
や有機酸などの弱酸でエッチングできるので、サイドエ
ッチ量を少なくすることができ、その分微細構造をエッ
チングで得ることができる。そして、酸化物透明導電膜
に微細エッチングを行って、規定サイズの画素電極６あ
るいは、端子６Ａ、６Ｂを形成した後、これらの膜を結
晶化温度以上に加熱してアモルファス状態の膜を結晶化
するならば、結晶化した部分の抵抗を低くできるので、
ドレイン電極１６との接続、端子部２１、２５との接続
を低抵抗で行うことができる。以上のように酸化物透明
導電膜をアモルファス状態でエッチングしてから結晶化
して接続するならば、微細配線部分であっても、接続抵
抗を低くしたままで接続した部分を備えた液晶パネル
（電子機器）Ｐを得ることができる。
【００３２】図４と図５は液晶パネルＰを構成する薄膜
トランジスタ９の部分とその周囲の配線構造の第２の例
を示すものである。図４に示す断面構造において、ゲー
ト配線７の一部から引き出して設けたゲート電極３１が
基板２上に形成されており、これらを覆ってゲート絶縁
膜３２が形成され、ゲート電極３１上のゲート絶縁膜３
２上にアイランド状の半導体膜３３が形成され、半導体
膜３３の両端部側に個々にオーミックコンタクト膜３４
を介してソース電極３５とドレイン電極３６が設けら
れ、ソース電極３５が前記ソース配線８に接続され、こ
れらを覆った絶縁膜３８上に画素電極６０が形成され、
ドレイン電極３６が絶縁膜３８に形成されたコンタクト
ホール部分の導通部３７を介して画素電極６０の接続部
分６０ａに接続されている。
【００３３】また、液晶パネルＰの周縁部分の額縁部分
において、ゲート配線７の端子部分においては、図４に
示すように、ゲート配線７の端部７ｂがゲート絶縁層３
２と絶縁膜３８で覆われ、ゲート絶縁膜３２と絶縁膜３
８とにかけて形成されたコンタクトホール３９を埋める
ように先の画素電極６０を構成する酸化物透明導電膜と
同じ酸化物透明導電膜でゲート配線７の端部７ｂに接続
されたゲート端子４０が形成されている。そして、ゲー
ト端子４０の端部に、ＴＣＰ配線がなされるための端子
部４１がＡＣＦ（アニソトロピックコンタクトフィル
ム）等の導電層４２で接続されて接続部分４０ａが形成
されている。
【００３４】次に、液晶パネルＰの周縁部分の額縁部分
において、ソース配線８の端子部分においては、図５に
示すように、ゲート絶縁膜３２上に前述のソース電極３
６、ドレイン電極３５を構成する導電材料と同じ材料か
らなるソース端子４３が形成され、このソース端子４３
上の絶縁膜３８に形成されたコンタクトホール４５部分
に形成された前述の組成の酸化物透明導電材料からなる
ソース端子４６が形成され、このソース端子４６に、Ｔ
ＣＰ配線がなされるための端子部４７がＡＣＦ（アニソ
トロピックコンタクトフィルム）等の導電層４８で接続
されて接続部分４６ａが形成されている。
【００３５】図４と図５に示す構造を実現するには、酸
化物透明導電膜を形成後、エッチングによって画素電極
６０、ゲート端子４０、ソース端子４６を形成した後に
接続を行う必要がある。ここで先の組成の酸化物透明導
電膜であるならば、エッチング液として強酸ではなく、
弱酸でエッチングできるので、サイドエッチ量を少なく
することができ、その分微細構造を実現できる。そし
て、微細エッチングを行って、規定サイズの画素電極６
０あるいは、端子４０、４６を形成した後、これらの膜
を結晶化温度以上に加熱してアモルファスの膜を結晶化
するならば、結晶化した部分の抵抗を低くできるので、
ドレイン電極３６との接続、端子部４１、４７との接続
を低抵抗で行うことができる。以上のようにアモルファ
ス状態でエッチングしてから結晶化して接続するなら
ば、微細配線部分であっても、接続抵抗を低くしたまま
で接続した部分を備えた液晶パネル（電子機器）Ｐを得
ることができる。
【００３６】なお、前述の実施形態においては、電子機
器として液晶パネルを例にとって説明したが、本発明の
酸化物透明導電膜を液晶パネル以外の透明導電膜が必要
な各種の電子機器に広く適用できるのは勿論である。
【００３７】
【実施例】複数枚のガラス基板上に、室温成膜、Ｏ2分
圧６.３×１０-3Ｐａ（５×１０-5Torr）の条件でイン
ジウムスズ酸化物膜（以下ＩＴＯ膜と略称する。Ｉｎ：
Ｓｎ＝９２ａｔ％：８ａｔ％、厚さ１２００Å）とイン
ジウムスズ亜鉛酸化物皮膜「Ｉｎ2Ｏ3-ＳｎＯ2-ＺｎＯ
膜」（以下ＩＴＺＯ膜と略称する。Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝
８８ａｔ％：９ａｔ％：３ａｔ％、厚さ１２００Å）と
インジウム亜鉛酸化物皮膜（以下ＩＺＯ膜と略称する。
Ｉｎ：Ｚｎ＝８２ａｔ％：１８ａｔ％、厚さ１２００
Å）のいずれかを個々にスパッタ装置で形成し、各皮膜
のＸ線回折ピークを求めた。ここで用いたターゲット
は、ＩＴＯ膜の場合はＩｎ：Ｓｎ＝９０ａｔ％：１０ａ
ｔ％の組成のターゲット、ＩＴＺＯ膜の場合は、Ｉｎ：
Ｓｎ：Ｚｎ＝８５ａｔ％：１０ａｔ％：５ａｔ％の組成
のターゲット、ＩＺＯ膜の場合はＩｎ：Ｚｎ＝８３ａｔ
％：１７ａｔ％の組成のターゲットとした。また、イン
ジウム亜鉛皮膜とインジウムスズ亜鉛皮膜については、
２０％Ｈ2／Ｎ2の雰囲気のアニール炉において２５０℃
に２時間加熱する熱処理を施した後のＸ線回折ピークも
求めた。図６にＩＴＯ膜の結果を示し、図７にＩＴＺＯ
膜の結果を示し、図８にＩＺＯ膜の結果を示す。
【００３８】図６と図７に示す結果から、室温成膜した
場合、ＩＴＯ膜は結晶性を示し、ＩＴＺＯ膜とＩＺＯ膜
はいずれもブロードな曲線を示すアモルファス膜である
ことが判明した。また、ＩＴＺＯ膜は熱処理を施すと結
晶化するが、ＩＺＯ膜は熱処理を施しても結晶化しない
ことが判明した。以上のことから、本発明に係る組成の
ＩＴＺＯ膜は、成膜状態ではアモルファス状態であるが
これを熱処理することで結晶化できることが明らかにな
った。また、ＩＴＺＯ膜は成膜のままのアモルファス状
態において６００×１０-6Ω・ｃｍの抵抗を示したが、
熱処理後は２５０×１０-6Ω・ｃｍの抵抗となり、アモ
ルファス状態から結晶化することで抵抗値が減少するこ
とを確認できた。
【００３９】図９は本発明に係るインジウムスズ亜鉛酸
化物膜の熱処理後の状態がアモルファス相状態となる
か、多結晶状態となるかを示すグラフである。図９のグ
ラフの縦軸においてＺｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）[ａｔ
％]は、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対する亜鉛
の原子数率を示すもので、横軸のＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋
Ｚｎ）[ａｔ％]は亜鉛とインジウムとスズの合計量に対
するスズの原子数率を示す。
【００４０】図９に描いたａ線は亜鉛とインジウムとス
ズの合計量に対するＺｎ：１ａｔ％の組成を示し、ｂ線
は亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するＺｎ：９ａ
ｔ％の組成を示し、ｃ線は亜鉛に対するスズの原子数比
が１の場合の組成を示す。図９において、ａ線の下の組
成範囲では、酸化物透明導電膜が成膜時に多結晶相とな
ってしまい、弱酸では容易にエッチングできない組成範
囲である。図９において、ｂ線の上の組成範囲では成膜
のままのアモルファス状態の膜を熱処理（アニール）し
てもアモルファスのままの状態を維持する組成範囲であ
り、接続抵抗を低抵抗化できない組成範囲である。ま
た、図９においてｃ線は亜鉛とスズの組成比が同一であ
ることを示すので、電子キャリアを亜鉛が消費する割合
が多くなり、ｃ線よりも上の組成範囲では電子キャリア
を消費する亜鉛の量が多くなり過ぎて低抵抗接続できな
い組成範囲である。また、組成範囲がｃ線の下の領域で
あってもｃ線に近づくと抵抗が大きくなる傾向にあるこ
とを意味する。
【００４１】また、図９の縦軸の亜鉛量が１０ａｔ％で
あって、横軸のスズ量が５ａｔ％の膜と縦軸の亜鉛量が
１０ａｔ％であって、横軸のスズ量が９ａｔ％の膜はい
ずれも３００℃に加熱する熱処理を施しても結晶化しな
かった試料である。これに対し、縦軸の亜鉛量が５ａｔ
％であって、横軸のスズ量が８ａｔ％の膜と縦軸の亜鉛
量が５ａｔ％であって、横軸のスズ量が９ａｔ％の膜は
いずれも２３０℃で熱処理することで結晶化できた。更
に、縦軸の亜鉛量が３ａｔ％であって、横軸のスズ量が
６ａｔ％の膜と縦軸の亜鉛量が３ａｔ％であって、横軸
のスズ量が９ａｔ％の膜はいずれも２００℃で熱処理す
ることで結晶化できた。以上のことから、亜鉛量を少な
くすることで結晶化温度を低くできることが判明した。
また、本発明に係る酸化物透明導電膜を電子機器に応用
する場合、基板あるいはその上に積層する種々の膜の耐
熱温度の制限から、熱処理温度はできる限り低い方が好
ましい。よって、熱処理温度を低くすると同時に低接続
抵抗化するためには、インジウムに対して添加する亜鉛
量、スズ量ともに少ない方が好ましいと考えることがで
きる。更に、これらの種々の条件を十分に満足させるた
めに、亜鉛に対するスズの原子数比が１を超える条件を
満たした上で、亜鉛含有量に関し、１ａｔ％以上、９ａ
ｔ％以下の範囲内でも、２ａｔ％以上、７ａｔ％以下の
範囲がより好ましく、スズ含有量に関し、２０ａｔ％以
下の範囲でも５ａｔ％以上、１０ａｔ％以下の範囲がよ
り好ましい。
【００４２】次に、図１０は先の成膜したまま（as.dep
o状態）のＩＴＺＯ膜において、亜鉛添加量（Ｚｎ添加
量）を５ａｔ％に固定した場合にスズ含有量の大小に応
じた６０秒でのエッチング量の変化を測定した結果を示
す。エッチング液は３.５％濃度の塩酸溶液（弱酸溶
液）を用いた。図１０に示す結果から、Ｓｎの添加量が
多いほどエッチング量は低下することが明らかである。
よって本発明に係る酸化物透明導電膜を用いて微細配線
化するためには、スズ添加量を調節することでエッチン
グレート（Ｅ／Ｒ）を適宜選択できることで対応可能で
あることが判明した。ただし、Ｓｎ添加量２０ａｔ％に
おいて得られるエッチング量は小さいので、これ以上Ｓ
ｎ添加量を増加してもエッチング時間が長くなり、加工
時間が増えるので、添加量の上限を２０ａｔ％とするこ
とが好ましい。
【００４３】図１１は先の成膜したままのＩＴＺＯ膜に
おいて、亜鉛添加量（Ｚｎ添加量）を３ａｔ％、スズ添
加量（Ｓｎ）を９ａｔ％に設定した場合に得られた酸化
物透明導電膜の透過率の波長依存性を示す。図１１に示
す結果から、本発明に係る酸化物透明導電膜は、可視光
域（大略４５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）において９０％を超
える優れた透過率を示していることが明らかである。こ
の値は従来から用いられているインジウムスズ酸化物膜
の透明導電膜と同等か、波長に応じてはそれ以上に優れ
たものである。従って、本発明に係る酸化物透明導電膜
を液晶パネル用の画素電極や透明配線として用いても明
るい表示を得ることができることが明らかである。
【００４４】図１２は先の組成のＩＴＺＯ膜において、
成膜のままの膜の抵抗値とアニール後の膜の抵抗値に対
する成膜雰囲気中の酸素分圧（Ｏ2分圧）依存性を測定
した結果と、アモルファス状態のＩＴＯ膜のエッチング
レート（Ｅ／Ｒ）に及ぼす酸素分圧依存性を示す。ＩＴ
Ｏ膜においても酸素分圧の微調整によってエッチングレ
ート（Ｅ／Ｒ）の低いアモルファス状態のａ-ＩＴＯ膜
を得ることができるが、酸素分圧の調整を厳密に行わな
いと、部分的にエッチングレート（Ｅ／Ｒ）の異なるａ
-ＩＴＯ膜が生成されてしまう傾向がある。これは、ａ-
ＩＴＯ膜をエッチングして配線を形成する場合に、成膜
時の酸素分圧のばらつきによりエッチングむらを生じや
すいａ-ＩＴＯ膜となり易く、ａ-ＩＴＯ膜では膜質によ
り微細配線を精密に得ることが難しいことを意味する。
【００４５】図１３はＴＣＰ接続を行った後、信頼性試
験を行った結果を示す。また、各測定値は以下の表１に
示す。表１のＴＣＰ抵抗とは、ＴＣＰによる接続（幅４
０×１０-6ｃｍの金属端子電極との接続）を行い、任意
の２本間の抵抗値を測定したものであり、ＴＣＰ接続に
よる金属端子との接続部分５０本の平均値を示してい
る。信頼性試験とは高温高湿（８０℃、９０％ＲＨ、２
４０時間）後の抵抗値を測定したものである。 「表１」 Ｈ2アニール 膜構造 初期ＴＣＰ抵抗 信頼性試験後 ＩＴＯ膜 無し 多結晶 〇 １.１Ω 〇 １.９Ω ａ-ＩＴＯ膜 有り 多結晶 〇 １.４Ω 〇 ２.０Ω ＩＴＺＯ膜 有り 多結晶 〇 ３.７Ω 〇 ２.３Ω ＩＺＯ膜 無し 非晶質 × ７.４Ω ×４１.３Ω ＩＴＺＯ膜 無し 非晶質 （× ７.４Ω） （×４１.３Ω） これらの結果から、ＩＺＯ膜でもａ-ＩＴＯ膜でも接触
抵抗が経時的に大気中において上昇してゆくことが判明
した。また、アニール処理によりａ-ＩＴＯは結晶化
し、接触抵抗が低いまま安定することが判明した。な
お、表１には記載されていないが、アニールしたＩＺＯ
膜はＸ線回折ではアモルファスであることが判明し、接
触抵抗は改善されるものの、ＩＴＯ膜と同程度まで改善
はされなかった。 なお、信頼性試験として、高温ドラ
イ８０℃、１０％ＲＨ、２４０Ｈの環境でも同等の試験
を行ったが図１３に示す結果と全く同じ結果を得ること
ができた。 これらの試験結果から、アモルファス状態
のＩＴＺＯ膜をアニールすることで低抵抗化することが
でき、しかも環境試験後においても低抵抗を保持できる
ことが判明した。
【００４６】図１４は亜鉛を原子数率で２ａｔ％、スズ
を原子数率で６ａｔ％含有するＩＴＺＯ膜のアニール前
の分光分析結果を示し、図１５は亜鉛含有量とスズ含有
量の測定結果を示す。これらの図から、アニール前のア
モルファス状態のＩＴＺＯ膜においては、膜の最表面部
分において大気中の水分との反応により最表面部分に酸
素が極めて多量（Ｏ／Ｉｎ比において２.１〜２.２程
度）に含有されるとともに、最表面部分においてスズ含
有量も多くなっていることがわかる。
【００４７】図１６は先の組成のＩＴＺＯ膜のアニール
後の分光分析結果を示し、図１７は亜鉛含有量とスズ含
有量の測定結果を示す。図１６と図１７に示す結果から
膜の最表面部分における酸素割合は少なくなっており
（Ｏ／Ｉｎ比において１.６前後）、アニールにより結
晶化することで最表面部分の酸素割合が上昇していない
ことが明らかである。
【００４８】図１８はアニールをしていない多結晶ＩＴ
Ｏ膜の分光分析結果、図１８はアモルファス状態のＩＺ
Ｏ膜の分光分析結果を示す。
【００４９】以上図１４〜図１８に示す結果から鑑み、
ＩＴＯ膜とＩＺＯ膜とＩＴＺＯ膜の組成構造比較を行う
と、主成分であるＩｎ2Ｏ3の結晶構造を出発点として、
ＩＴＯ膜はＳｎＯ2をドープした多結晶膜と考えた場
合、４価のＳｎが活性化して電子キャリアを発生してい
るものと考えられる。これに対してＩＺＯ膜はＺｎＯを
ドープしたアモルファス膜と考えた場合、２価のＺｎは
アモルファス状態では活性化していないと思われ、アク
セプタとはならないと考えらえる。また、先の分析結果
から、膜の表面においてＩＴＯ膜はスズリッチとなり、
ＩＺＯ膜は亜鉛欠乏状態（Ｚｎプア状態）となっている
特徴を有するが、注目すべきは、膜の表面部分において
ＩＴＯ膜よりもＩＺＯ膜がより酸素リッチになっている
点である。
【００５０】Ｉｎ2Ｏ3を主体とする構造においては、酸
素と結合していない過剰インジウムが電子キャリアを発
生していると考えられるが、酸素リッチな組成ではこの
酸素欠損型の導電機構が阻害され、電子キャリアの発生
が少なくなる高抵抗層が最表面に形成されているものと
推定できる。ＩＴＯ膜は結晶サイトで活性化した４価の
スズが電子キャリアを生成するが、ＩＺＯ膜はＩｎ2Ｏ3
の構造からの電子キャリアが導電機構の全てであり、亜
鉛は活性化してもアクセプタとなることから導電機構に
寄与はないと考えられる。これらのことから、多結晶性
のＩＴＯ膜は酸素欠損型の導電機構が主体でこれに加え
てスズが活性化することによるドーピングの効果による
導電機構が複合して作用することで高い導電性を確保し
ているものと思われる。しかし、アモルファス状態のＩ
ＺＯ膜は最表面部分において亜鉛欠乏状態であるので、
酸素欠損型の導電機構のみが有効であり、また、ドーピ
ングにより亜鉛はアクセプタとなるので、導電性には寄
与しない。これに対してＩＴＺＯ膜であれば、酸素欠損
型の導電機構に加えて、アクセプタとなる亜鉛よりも多
く添加したスズの添加効果によりドーピング型としての
導電機構も併せ持つのでより高い導電性を得られるもの
と考えられる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、インジ
ウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物
であり、少なくとも接続部分においてスズが亜鉛よりも
多い組成とされ、少なくとも接続部分が結晶性を有する
酸化物透明導電膜であるので、インジウムスズ亜鉛酸化
物の導電機構として、主構成成分であるインジウム酸化
物の過剰インジウムが電子キャリアを発生することによ
る導電機構に加え、インジウムにｎ型ドーパントとして
のスズを添加することによって、４価のスズを活性化さ
せて電子キャリアを増やすようにする導電機構を有効に
作用できるとともに、活性化すると電子キャリアのアク
セプタとなって電子キャリアを消費する亜鉛の阻害因子
を少なくすることができ、大気中の水分との反応を抑制
して良好な低抵抗接続を実現できる。また、前記複合酸
化物の酸化物透明導電膜は希塩酸や有機酸等の弱酸での
エッチングが容易でありサイドエッチング量も少ないの
で、インジウムスズ酸化物膜よりも一層微細配線加工が
可能となる。更に、前記複合酸化物の酸化物透明導電膜
は希塩酸等の弱酸でのエッチングが可能となることか
ら、銅配線を伴う構造と併用しても、銅配線を腐食させ
ることなくエッチングすることができる。よって、エッ
チング工程が容易になるとともに、銅配線と酸化物透明
導電膜の配線とを混在させた回路構成設計時の自由度が
向上する。
【００５２】本発明において、亜鉛とインジウムとスズ
の合計量に対する亜鉛の原子数比が２ａｔ％ないし７ａ
ｔ％であり、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対
するスズの原子数率が５ａｔ％ないし１０ａｔ％である
ことを特徴とすることが、良好な導電性と反応抑制力を
得る上で更に好ましい。
【００５３】本発明の電子機器は、先に記載の酸化物透
明導電膜を電気回路の少なくとも一部として備えてなる
ので、微細化された配線構造を採用しても、低抵抗で他
の部品との接続ができ、大気中に放置しても接続抵抗の
劣化が少なく、弱酸でエッチングが可能であり、微細加
工もできる配線を備えた電子機器を提供できる。
【００５４】本発明の酸化物透明導電膜形成基材の製造
方法によれば、先の非晶質酸化物透明導電膜をアモルフ
ァス状態で形成し、エッチング処理しパターニングして
からこれを結晶化するので、アモルファス状態のエッチ
ング容易な状態で弱酸で微細エッチングを行うことがで
き、結晶化した後では低抵抗で他の導体に接続できるの
で、微細回路であっても良好な接続ができる配線を備え
た基板を提供できる。更に、前記製造方法で得られた基
板を備えた液晶表示装置であるならば、微細回路であっ
ても配線接続部分で低い接続抵抗で接続した構造を提供
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は本発明に係る酸化物透明導電膜を備え
た液晶パネルの概略構成を示す図。
【図２】 図２は図１に示す液晶パネルに設けられる第
１の例の薄膜トランジスタ部分とゲート端子部分の断面
構造を示す図。
【図３】 図３は図１に示す液晶パネルに設けられる第
１の例のソース端子部分の断面構造を示す図。
【図４】 図４は図１に示す液晶パネルに設けられる第
２の例の薄膜トランジスタ部分とゲート端子部分の断面
構造を示す図。
【図５】 図５は図１に示す液晶パネルに設けられる第
２の例のソース端子部分の断面構造を示す図。
【図６】 図６はＩＴＯ膜のＸ線回折試験結果を示す
図。
【図７】 図７はＩＴＺＯ膜のＸ線回折試験結果を示す
図。
【図８】 図８はＩＺＯ膜のＸ線回折試験結果を示す
図。
【図９】 図９は本発明に係る酸化物透明導電膜が結晶
化状態あるいはアモルファス状態となる場合の亜鉛含有
量依存性とスズ含有量依存性を示す図。
【図１０】 図１０は本発明に係る酸化物透明導電膜に
おけるスズ添加量に対するエッチング量依存性を示す
図。
【図１１】 図１１は本発明に係る酸化物透明導電膜に
おける光透過率の波長依存性を示す図。
【図１２】 図１２は本発明に係る酸化物透明導電膜の
比抵抗値に対する成膜時の酸素分圧依存性とＩＴＯ膜の
エッチングレートに対する成膜時の酸素分圧依存性を示
す図。
【図１３】 図１３は本発明に係る酸化物透明導電膜の
ＴＣＰ接続抵抗の信頼性試験結果を示す図。
【図１４】 図１４は本発明に係る酸化物透明導電膜の
アモルファス状態での分光分析結果を示す図。
【図１５】 図１５は本発明に係る酸化物透明導電膜の
アモルファス状態での分光分析結果でスズ含有量と亜鉛
含有量を示す図。
【図１６】 図１６は本発明に係る酸化物透明導電膜の
多結晶状態での分光分析結果を示す図。
【図１７】 図１７は本発明に係る酸化物透明導電膜の
多結晶状態での分光分析結果でスズ含有量と亜鉛含有量
を示す図。
【図１８】 図１８は多結晶状態のＩＴＯ膜の分光分析
結果を示す図。
【図１９】 図１９はアモルファスのＩＺＯ膜の分光分
析結果を示す図。
【符号の説明】
１、２…基板、 ６、６０…画素電極（酸化物透明導電膜） ６Ａ、４０…ゲート端子（酸化物透明導電膜） ６Ｂ、４６…ソース端子（酸化物透明導電膜） ６ａ、６ｂ、６ｃ…接続部分 ４０…ゲート端子 ４１、４７…端子部 ４６…ソース端子 ６０ａ、４０ａ、４６ａ…接続部分 ７…ゲート配線 ８…ソース配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３９ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３９Ｚ ５Ｇ３２３ Ｈ０１Ｂ 1/08 Ｈ０１Ｂ 1/08 ５Ｇ４３５ 13/00 ５０３ 13/00 ５０３Ｂ (72)発明者 蔡 基成 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地 株式 会社フロンテック内 (72)発明者 新井 和之 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地 株式 会社フロンテック内 Ｆターム(参考） 2H092 GA48 GA51 HA04 HA25 JA26 MA05 MA17 MA29 MA37 NA27 NA28 4K029 AA09 BA45 BA47 BA49 BA50 BC01 BC05 BC09 BD01 CA05 DC05 DC09 GA01 5C094 AA43 BA23 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA05 EA07 EB02 GB10 5G301 CA02 CA23 CA27 CA30 CD03 CD10 5G307 FA01 FB01 FC09 FC10 5G323 BA02 BB05 BC03 5G435 AA16 AA17 BB12 EE33 HH02 HH12 KK05 KK09

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸
    化物を含む複合酸化物からなり、少なくとも他の導体と
    の接続部分を有し、少なくとも前記接続部分においてス
    ズが亜鉛よりも多い組成とされ、少なくとも前記接続部
    分が結晶性を有することを特徴とする酸化物透明導電
    膜。
  2. 【請求項２】 インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸
    化物とを含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムと
    スズの合計量に対する亜鉛の原子数率が１ａｔ％ないし
    ９ａｔ％であり、亜鉛に対するスズの原子数比が１以上
    であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対す
    るスズの原子数率が２０ａｔ％以下であるとともに、少
    なくとも一部が結晶性を有することを特徴とする酸化物
    透明導電膜。
  3. 【請求項３】 前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に
    対する亜鉛の原子数率が２ａｔ％ないし７ａｔ％であ
    り、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズ
    の原子数率が５ａｔ％ないし１０ａｔ％であることを特
    徴とする請求項２記載の酸化物透明導電膜。
  4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３に記載の酸化物
    透明導電膜を電気回路の少なくとも一部として備えてな
    ることを特徴とする電子機器。
  5. 【請求項５】 インジウム酸化物とスズ酸化物と亜鉛酸
    化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とインジウムとス
    ズの合計量に対する亜鉛の原子数率が１ａｔ％ないし１
    ２ａｔ％であり、亜鉛に対するスズの原子数比が１以上
    であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計量に対す
    るスズの原子数率が２２ａｔ％以下であることを特徴と
    する酸化物透明導電膜形成用ターゲット。
  6. 【請求項６】 前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に
    対する亜鉛の原子数率が２ａｔ％ないし１０ａｔ％であ
    り、前記亜鉛とインジウムとスズの合計量に対するスズ
    の原子数比が５ａｔ％ないし１２ａｔ％であることを特
    徴とする請求項５記載の酸化物透明導電膜形成用ターゲ
    ット。
  7. 【請求項７】 基板上に、インジウム酸化物とスズ酸化
    物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛に対す
    るスズの原子数比が１以上である非晶質酸化物透明導電
    膜を成膜し、この非晶質酸化物透明導電膜をエッチング
    処理してパターニングした後、更に熱処理することで前
    記パターニング後の非晶質酸化物透明導電膜の少なくと
    も一部を結晶化することを特徴とする酸化物透明導電膜
    形成基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 基板上に、インジウム酸化物とスズ酸化
    物と亜鉛酸化物を含む複合酸化物からなり、亜鉛とイン
    ジウムとスズの合計量に対する亜鉛の原子数率が１ａｔ
    ％ないし９ａｔ％であり、亜鉛に対するスズの原子数比
    が１以上であり、かつ、亜鉛とインジウムとスズの合計
    量に対するスズの原子数比が２０ａｔ％以下である非晶
    質酸化物透明導電膜を成膜し、この非晶質酸化物透明導
    電膜をエッチング処理してパターニングした後、更に熱
    処理することで前記パターニング後の非晶質酸化物透明
    導電膜の少なくとも一部を結晶化することを特徴とする
    酸化物透明導電膜形成基板の製造方法。
  9. 【請求項９】 互いに対向する一対の基板間に液晶を挟
    持した液晶表示装置であって、該一対の基板の少なくと
    も一方の基板に請求項７または８記載の製造方法で得ら
    れた酸化物透明導電膜形成基板が用いられてなることを
    特徴とする液晶表示装置。
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