JP5662933B2 - 透明導電膜 - Google Patents

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Description

本発明は、透明導電膜に関する。
透明導電膜は、太陽電池の光電変換素子の窓電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜、透明タッチパネル等の入力装置の電極、液晶表示体、エレクトロルミネセンス(EL)発光体、エレクトロクロミック(EC)表示体等の透明電極等に幅広く用いられている。
透明導電膜は、太陽電池用途においては変換効率を高めるため、及び表示装置用途においては視認性を損なわないようにするため、良好な導電性を有すると共に高い透明性が求められている。
上記透明導電膜には、例えばインジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物、Alドープ酸化亜鉛(AZO)等が用いられている。
透明導電膜の透明性を高める方法としては、光学設計による透明性向上が一般的であるが、屈折率の異なる膜を積層する必要があり、工程が煩雑になるという欠点があった(特許文献1)。
一方で、ITOは熱処理することにより透過率が改善されるが、可視光領域の平均透過率が90%程度であり、十分とはいえなかった(特許文献2)。特許文献3及び非特許文献1では、窒素雰囲気で熱処理によりインジウム亜鉛酸化物をビックスバイトに結晶化させ、透過率の向上を図っているが、熱処理ITO程度の透過率の向上に留まっていた。
特開2005−274741号公報 特開昭58−209809号公報 特開2008−147459号公報
Thin Solid Films 496 (2006) p89-94
本発明の目的は、良好な導電性を有し、且つ優れた透明性を有する透明導電膜を提供することである。
上述したように、インジウム亜鉛酸化物からなる電極を窒素アニールすることで、非晶質インジウム亜鉛酸化物をビックスバイトに結晶化させ、不充分ではあるものの透過率を向上し、LEDの駆動電圧を低下できることが知られている。本発明者らは鋭意研究した結果、さらに透過率が向上した特定構造を有するインジウム亜鉛酸化物膜を見出した。
本発明によれば、以下の透明導電膜が提供される。
1.In結晶を含むインジウム亜鉛酸化物膜であって、
2θ=35.5°〜37.0°、39.0°〜40.5°及び66.5°〜67.8°のいずれか1つ以上でCukα線のX線回折ピークを有し、
2θ=30.2°〜30.8°及び54.0°〜57.0°に有するピークのピーク強度が、それぞれ主ピークのピーク強度の20%以下である透明導電膜。
2.ZnOの含有量が2〜20重量%である1に記載の透明導電膜。
3.Sn元素の含有量が1000重量ppm以下である1又は2に記載の透明導電膜。
本発明によれば、良好な導電性を有し、且つ優れた透明性を有する透明導電膜が提供できる。
実施例1で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 実施例2で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 実施例3で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 実施例4で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 実施例5で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 実施例8で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 実施例9で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 実施例10で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 比較例1で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 比較例2で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 比較例3で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。 比較例4で得られた透明導電膜のX線回折チャートである。
本発明の透明導電膜は、In とZnOを含み、ZnOの含有量が3〜20重量%であるインジウム亜鉛酸化物膜であって、2θ=35.5°〜37.0°のみ、又は2θ=35.5°〜37.0°と、39.0°〜40.5°及び66.5°〜67.8°のいずれか1つ以上でCukα線のX線回折ピークを有し、2θ=30.2°〜30.8°及び54.0°〜57.0°に有するピークのピーク強度が、それぞれ、2θ=35.5°〜37.0°、39.0°〜40.5°及び66.5°〜67.8°のうちで最もピーク強度の高い主ピークのピーク強度の20%以下である。
本発明において、主ピークとは、Cukα線のX線回折ピークが最も高いピークを言う。また、ピーク強度が主ピークのピーク強度の20%以下とは、Cukα線のX線回折ピークのピーク高さが、主ピークのピーク高さの20%以下であることを意味する。
本発明の透明導電膜は、その結晶構造が2θ=35.5°〜37.0°のみ、又は2θ=35.5°〜37.0°と、39.0°〜40.5°及び66.5°〜67.8°のいずれか1以上でX線回折ピーク(Cukα:λ=1.5418Å)を有することにより、透明度が高く、且つ抵抗が低い透明導電膜とすることができる。
上記X線回析ピークの2θ=35.5°〜37.0°にあるピークは、好ましくは35.8°〜36.6°にピークを有し、さらに好ましくは36.0°〜36.4°にピークを有する。
上記X線回析ピークの2θ=39.0°〜40.5°にあるピークは、好ましくは39.4°〜40.3°にピークを有し、さらに好ましくは39.6°〜40.1°にピークを有する。
上記X線回析ピークの2θ=66.5°〜67.8°にあるピークは、好ましくは66.7°〜67.5°にピークを有し、さらに好ましくは66.9°〜67.3°にピークを有する。
本発明の透明導電膜は、2θ=30.2°〜30.8°及び54.0°〜57.0°に有するX線回折ピーク(Cukα:λ=1.5418Å)のピーク強度が、それぞれ主ピークのピーク強度の20%以下である。
尚、上記ピーク強度が主ピークのピーク強度の20%以下であることは、2θ=30.2〜30.8°又は54.0°〜57.0°にピークが検出されないことも含む。
上記X線回析ピークの2θ=54.0°〜57.0°のピークとは、好ましくは54.5°〜55.7°のピークであり、さらに好ましくは55.0°〜55.2°のピークである。
ビックスバイト構造の結晶は、2θ=30.2〜30.8°、50.8〜51.3°、60.4〜60.8°にX線回折ピーク(Cukα:λ=1.5418Å)を有し、相対強度がそれぞれ約100、35、25となることが知られている。
透明導電膜中にビックスバイト構造の結晶が存在すると、透過率の減少、又は抵抗の上昇を起こすおそれがある。即ち、本発明の透明導電膜はビックスバイト構造の割合が少ないために、透明度を高く、且つ抵抗を低くすることができる。
2θ=54.0〜57.0°に有するX線回折ピーク(Cukα:λ=1.5418Å)は不純物と考えられ、透明導電膜としての抵抗の上昇を起こすおそれがある。即ち、本発明の透明導電膜は、不純物の割合が少ないために、抵抗を低くできる。
本発明の透明導電膜は、ZnOの含有量が、好ましくは2〜20重量%であり、より好ましくは5〜15重量%である。
膜中のZnOの含有量が2重量%未満の場合、成膜時にビックスバイト構造の結晶が生成するおそれがある。一方、膜中のZnOの含有量が20重量%超の場合、透明導電膜中のビックスバイト構造の結晶の割合が増えるおそれがある。
本発明の透明導電膜は、Sn元素の含有量が好ましくは1000重量ppm以下であり、より好ましくは800重量ppm以下である。
膜中のSn元素の含有量が1000重量ppm超の場合、膜の抵抗が高くなるおそれがある。
本発明の透明導電膜中のZnOの含有量は、周知の方法で測定可能である。例えば、ICP(高周波誘導結合発光分析装置)を使用することで、測定可能である。
本発明の透明導電膜中のSn元素の含有量は、周知の方法で測定可能である。例えば、ICP−MS(高周波誘導結合質量分析装置)を使用することで、測定可能である。
本発明の透明導電膜は、透明性及び導電性を損なわない範囲で、他の成分を含みうる。例えば本発明の透明電導膜は、Ga及び/又は正四価の金属元素を含んでもよい。
しかしながら、本発明の透明導電膜は、実質的に上記酸化インジウム、酸化亜鉛及び錫のみからなってもよい。「実質的」とは、透明導電膜の95重量%以上100重量%以下(好ましくは98重量%以上100重量%以下)が上記の成分であること、又は本発明の効果を損なわない範囲で他に不可避不純物のみを含んでいてもよいことを意味する。
本発明の透明導電膜の膜厚は、低い比抵抗及び高い光透過率を得る観点から、好ましくは35nm〜1000nmであり、生産コストの観点から、好ましくは1000nm以下である。
本発明の透明導電膜は、In及びZnOを含む焼結体を用いて、基板上にインジウム亜鉛酸化物アモルファス膜を成膜し、当該インジウム亜鉛酸化物アモルファス膜をアニール処理して製造する。このとき、ZnO濃度、並びにアニール処理の基板温度、雰囲気及び温度を共に調整することにより、30.2°〜30.8°のピークの強度を小さく又は無くすことができる。通常、アニール処理は、酸素を含まない雰囲気で200〜750℃で実施する。スパッタリングにより得られた膜は、アニール処理により、結晶化し、35.5°〜37.0°、39.0°〜40.5°及び66.5°〜67.8°のいずれか1つ以上でピークが見られるようになる。
本発明の透明導電膜は、In中にZnOを3〜20重量%含む焼結体を用いて、基板温度100〜500℃でスパッタリングすることで、基板上にインジウム亜鉛酸化物アモルファス膜を成膜し、当該インジウム亜鉛酸化物アモルファス膜を酸素を含まない雰囲気下で200〜700℃の温度でアニール処理をすることにより得ることができる。
成膜に用いるIn及びZnOを含む焼結体の好適条件は、本発明の透明導電膜の好適条件と同様である。即ち、In及びZnOを含む焼結体は、好ましくはZnOの含有量が好ましくは3〜20重量%であり、好適には5〜15重量%である。また、In及びZnOを含む焼結体は、Sn元素の含有量が好ましくは1000重量ppm以下であり、好適には100重量ppm以下である。
尚、インジウム亜鉛酸化物アモルファス膜の組成は、通常、成膜に用いる焼結体の組成とほぼ一致する。
上記基板は、特に制限はなく公知の基板を使用でき、例えばケイ酸アルカリ系ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラス基板、シリコン基板、サファイア基板、アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の樹脂基板、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリアミド等の高分子フィルム基材等が使用できる。
基板の厚さは0.1〜10mmが一般的であり、0.3〜5mmが好ましい。ガラス基板の場合は、化学的に、或いは熱的に強化させたものが好ましい。透明性や平滑性が求められる場合は、ガラス基板、樹脂基板が好ましく、ガラス基板が特に好ましい。軽量化が求められる場合は樹脂基板や高分子基材が好ましい。
インジウム亜鉛酸化物アモルファス膜の成膜は、例えばスパッタ法、蒸着法、イオンビーム法等を用いて行うことができる。
スパッタ法でインジウム亜鉛酸化物アモルファス膜を成膜する場合、基板温度は好ましくは100℃〜300℃であり、より好ましくは150℃〜300℃である。
インジウム亜鉛酸化物アモルファス成膜条件として、酸素分圧は0〜5%が好ましく、成膜圧力は0.1〜0.8Paであることが好ましく、基板間距離は500mm〜5000mmであることが好ましい。電源は、DC又はRFが使用可能である。
本発明の透明導電膜は、インジウム亜鉛酸化物アモルファス膜を酸素を含まない雰囲気下でアニール処理して結晶化することにより得られる。
酸素を含まない雰囲気とは、酸素分圧が1%以下の雰囲気であり、好ましくは酸素分圧が0.5%以下の雰囲気であり、より好ましくは酸素分圧が0.1%以下の雰囲気である。
上記酸素を含まない雰囲気としては、不活性ガス雰囲気及び真空雰囲気が挙げられる。
不活性ガス雰囲気の不活性ガスとしては、窒素、アルゴン等のガスを用いることが可能である。
また、真空雰囲気とは、圧力が1Pa以下の雰囲気であり、好ましくは0.5Pa以下の雰囲気であり、より好ましくは0.2Pa以下の雰囲気である。
インジウム亜鉛酸化物アモルファス膜のアニール温度は、200℃〜750℃であり、好ましくは400〜700℃であり、さらに好ましくは500〜700℃である。
特に、アニール温度が200℃以上300℃未満の場合、成膜に用いる焼結体に含まれるZnOの含有量を5〜8重量%とすることが望ましい。
アニール温度が200℃未満の場合、結晶化できないおそれがある。一方、アニール温度が750℃超の場合、ビックスバイト結晶の割合が多くなるおそれがある。
アニール処理時間は、アニール温度が500〜750℃の場合は、好ましくは5〜10分である。また、アニール温度が200℃以上400℃以下の場合は、好ましくは60分〜240分である。
本発明の透明導電膜は、膜厚50〜300nmの場合に波長350nm〜450nmの光に対して例えば80%以上の透過率を有し、液晶ディスプレイ、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)、太陽電池等の透明電極として好適に用いることができる。
即ち、本発明には、本発明のインジウム亜鉛酸化物膜を備える液晶ディスプレイ、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)及び透明電極も含まれる。
実施例1
マグネトロンスパッタ装置を用いてIn中にZnOを10.7重量%含むターゲット(IZO(登録商標)、出光興産製)を基板温度200℃でスパッタリングし、ガラス基板上に膜厚300nmのインジウム亜鉛酸化物アモルファス膜を成膜した。このインジウム亜鉛酸化物アモルファス膜付きガラス基板を、真空中500℃で10分間アニール処理をし、インジウム亜鉛酸化物膜を得た。
尚、スパッタリング時の雰囲気については、酸素を3%含むアルゴンガスを系内が0.1Paとなるように調整した。また、成膜は、ガラス基板とターゲットの間隔を100mmにして行った。
得られたインジウム亜鉛酸化物膜についてX線回折測定を行った。結果を図1及び表1に示す。また、得られたインジウム亜鉛酸化物膜について、平均透過率及び比抵抗を評価した。結果を表1に示す。
尚、上記平均透過率とは、波長350〜450nm間の1nm毎のインジウム亜鉛酸化物膜の透過率の平均の値である。
上記X線回折測定の条件は以下の通りである。
装置:Rigaku製 MiniflexII
線源:Cukα
電圧:30kV
電流:15mA
サンプリング間隔:0.05°
スキャンスピード:2°/min
上記平均透過率測定の条件は以下の通りである。
装置:SHIMAZU製 UV−3600
スキャンスピード:中速
サンプリングピッチ:1nm
透過率の測定には、リファレンス側には同じ厚み及び材質のガラスを用いた。
得られたインジウム亜鉛酸化物膜の比抵抗は、三菱化学アナリテック社製のロレスタEPを用いて測定した。ロレスタにより測定した抵抗値に補正係数0.4532を乗じ、さらに膜厚を乗じることで比抵抗を算出した。
実施例2〜10及び比較例1〜5
表1の条件に従って、実施例1と同様にしてインジウム亜鉛酸化物膜を成膜して評価した。結果を表1に示す。
ただし、比較例2に関しては、基板の変形を防ぐためにガラス基板の代わりにサファイア基板を用いた。
同様に、実施例2〜5並びに実施例8〜10のインジウム亜鉛酸化物膜のX線回折測定の結果を、それぞれ図2〜8に示し、比較例1〜4のインジウム亜鉛酸化物膜のX線回折測定の結果を、それぞれ図9〜12に示す。
表1において、相対強度は、各ピークからバックグラウンドを差し引き、主ピークのピーク高さを100としたときの、各ピークのピーク高さの相対値を意味する。相対強度の空欄は、ピークが検出されなかったことを示す。
また、比抵抗の「∞」とは、比抵抗が測定不能つまり、比抵抗が10μΩcm以上であったことを示す。
Figure 0005662933
本発明の透明導電膜は、良好な導電性及び優れた透明性を有し、例えば液晶ディスプレイ、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)、太陽電池等の透明電極として好適に用いることができる。
上記に本発明の実施形態及び/又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び/又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (5)

  1. In とZnOを含み、ZnOの含有量が3〜20重量%であるインジウム亜鉛酸化物膜であって、
    2θ=35.5°〜37.0°のみ、又は
    2θ=35.5°〜37.0°と、39.0°〜40.5°及び66.5°〜67.8°のいずれか1つ以上でCukα線のX線回折ピークを有し、
    2θ=30.2°〜30.8°及び54.0°〜57.0°に有するピークのピーク強度が、それぞれ、2θ=35.5°〜37.0°、39.0°〜40.5°及び66.5°〜67.8°のうちで最もピーク強度の高い主ピークのピーク強度の20%以下である透明導電膜。
  2. 比抵抗が628μΩcm以下である請求項1に記載の透明導電膜。
  3. 平均透過率が83.7%以上である請求項1又は2に記載の透明導電膜。
  4. Sn元素の含有量が1000重量ppm以下である請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電膜。
  5. In 中にZnOを3〜20重量%含む焼結体を用いて、基板温度100〜500℃で基板上にスパッタリングして、前記基板上にインジウム亜鉛酸化物アモルファス膜を成膜し、
    当該インジウム亜鉛酸化物アモルファス膜を酸素を含まない雰囲気下で200〜700℃の温度でアニール処理をする、請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。
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