JPS58209809A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は各種半導体装置等において透明電極として用
いられる透明導電膜の形成方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

透明導電膜の形成方法としては、従来より、酸化インジ
ウム錫を電子ビーム加熱法により真空蒸着する方法、イ
ンジウム錫合金を酸素雰囲気中で活性蒸着する方法、酸
化インジウム錫をターゲットとしてスパッタリングする
方法、インジウム錫合金をターゲットとして酸素を含む
ガス中で活性スパッタリングする方法などがある。

ところが、これらの真空蒸着、スパッタリング法で形成
した透明導電膜は、ピンホール（あるいは化学的に弱い
部分）が多数存在する。そのため、ＣＯＤ、ＴＰＴ　等
の素子に応用する場合ピンホールの存在により、素子の
特性を非常に劣化させる恐れがある。

また、得られた透明導電膜の熱処理の方法としては、空
気中、水素気流中、フォーミングガス（１０％Ｈ！、９
０％Ｎｔ）中、Ａｒ気流中等での熱処理があるが、これ
らの熱処理では、透明導電膜内の金属元素がガスにより
酸化、還元されるか、あるいはガス内のＡｒ等の元素が
透明導電膜内に入り込む事などがあるため、これらの熱
処理によるピンホールの消滅は見られない。

〔発明の目的〕

この発明は上述した従来方法の欠点を改良し、透明導電
膜内のピンホールを消滅せしめる方法を提供することを
目的とする。

〔発明の概要〕

スパッタリングあるいは真空蒸着法等により基板上に形
成した透明導電膜を真空容器に導入し、容器内をＩ　Ｘ
　１０　”Ｔｏｒｒ以下に排気して、所定温度で熱処理
を行う。透明導電膜が酸化インジウム錫のとき、好まし
い熱処理温度範囲は２００〜ａＯＯ℃である。

〔発明の効果〕

８Ｉウエーハー上に８１０．膜を形成した基板にスパッ
タリングあるいは真空蒸着法により透明導電膜を形成す
る。これをフッ化アンモン中に浸すと透明導電膜にピン
ホールが存在する場合、８１０．膜がエツチングされ透
明導電膜のピンホールが観察できる。この方法により、
従来の製造法で形成した透明導電膜のピンホールを観察
すると、多数存在するパととがわかる。

ところが、８ｉ０．膜上に透明導電膜を形成したのち、
真空中で熱処理を行うと、フッ化アンモン中に浸しても
Ｓｉｎ、膜のエツチングが観察されない。つまり、この
発明の方法によれば、透明導電膜のピンホールを効果的
に消滅せしめることができる。

〔発明の実施例〕

数％のＳ　ｎ　Ｏ，を含むＩ　ｎ　１０ｓをターゲット
とし、Ａｒと０．の混合気体中でＤＣスパッタリングを
行い、第１図に示すようにガラス基板１１−ヒに酸化イ
ンジウム錫透明導電膜１２を形成する。

この透明導電膜を真空容器内に導入し、容器内の真空度
がＩ　Ｘ　１０　”Ｔｏｒｒ以下になるまで排気する。

そこでガラス基板を４００℃　に加熱し、３０分間熱処
理を行う。

また、ピンホールの有無を判断するための参照用試料と
して、第２図のように、８１基板２１上にＳｉｎ、膜２
２を形成し、上記と同様の条件でＤＣスパッタリングに
より、酸化インジウム錫透明導電膜２３を形成し熱処理
を行った。

この参照試料について、酸化インジウム錫透明導電膜２
３を形成後、熱処理前にフッ化アンモンに浸すとピンホ
ールを介して８　ｉ　０．膜２２がエツチングされ、透
明導電膜２３のピンホールが多数観察されたが、熱処理
後のものはピンホールが観察されなかった。

こうしてこの実施例によれば、真空中での熱処理を行う
ことで、透明導電膜のピンホールを効果的に解消できる
ことが明らかになった。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の透明導電膜形成基板を示
す図、第２図は上記実施例の効果を確認するための参照
用試料を示す図である。 １１・・・ガラス基板 １２・・・酸化インジウム透明導電膜 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 ２ 第２図 ３

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に透明導電膜な被着した後、これを真空中
   で熱処理することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
2. （２）透明導電膜は酸化インジウム錫であり、熱処理温
   度は２００〜６００℃である特許請求の範囲第１項記載
   の透明導電膜の形成方法。