JPS58209809A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents

透明導電膜の形成方法

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Publication number
JPS58209809A
JPS58209809A JP57092877A JP9287782A JPS58209809A JP S58209809 A JPS58209809 A JP S58209809A JP 57092877 A JP57092877 A JP 57092877A JP 9287782 A JP9287782 A JP 9287782A JP S58209809 A JPS58209809 A JP S58209809A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
conductive film
pinholes
heat treatment
forming
Prior art date
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Pending
Application number
JP57092877A
Other languages
English (en)
Inventor
孝明 上村
畑山 保
野崎 秀俊
忠 歌川
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は各種半導体装置等において透明電極として用
いられる透明導電膜の形成方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
透明導電膜の形成方法としては、従来より、酸化インジ
ウム錫を電子ビーム加熱法により真空蒸着する方法、イ
ンジウム錫合金を酸素雰囲気中で活性蒸着する方法、酸
化インジウム錫をターゲットとしてスパッタリングする
方法、インジウム錫合金をターゲットとして酸素を含む
ガス中で活性スパッタリングする方法などがある。
ところが、これらの真空蒸着、スパッタリング法で形成
した透明導電膜は、ピンホール(あるいは化学的に弱い
部分)が多数存在する。そのため、COD、TPT 等
の素子に応用する場合ピンホールの存在により、素子の
特性を非常に劣化させる恐れがある。
また、得られた透明導電膜の熱処理の方法としては、空
気中、水素気流中、フォーミングガス(10%H!、9
0%Nt)中、Ar気流中等での熱処理があるが、これ
らの熱処理では、透明導電膜内の金属元素がガスにより
酸化、還元されるか、あるいはガス内のAr等の元素が
透明導電膜内に入り込む事などがあるため、これらの熱
処理によるピンホールの消滅は見られない。
〔発明の目的〕
この発明は上述した従来方法の欠点を改良し、透明導電
膜内のピンホールを消滅せしめる方法を提供することを
目的とする。
〔発明の概要〕
スパッタリングあるいは真空蒸着法等により基板上に形
成した透明導電膜を真空容器に導入し、容器内をI X
 10 ”Torr以下に排気して、所定温度で熱処理
を行う。透明導電膜が酸化インジウム錫のとき、好まし
い熱処理温度範囲は200〜aOO℃である。
〔発明の効果〕
8Iウエーハー上に810.膜を形成した基板にスパッ
タリングあるいは真空蒸着法により透明導電膜を形成す
る。これをフッ化アンモン中に浸すと透明導電膜にピン
ホールが存在する場合、810.膜がエツチングされ透
明導電膜のピンホールが観察できる。この方法により、
従来の製造法で形成した透明導電膜のピンホールを観察
すると、多数存在するパととがわかる。
ところが、8i0.膜上に透明導電膜を形成したのち、
真空中で熱処理を行うと、フッ化アンモン中に浸しても
Sin、膜のエツチングが観察されない。つまり、この
発明の方法によれば、透明導電膜のピンホールを効果的
に消滅せしめることができる。
〔発明の実施例〕
数%のS n O,を含むI n 10sをターゲット
とし、Arと0.の混合気体中でDCスパッタリングを
行い、第1図に示すようにガラス基板11−ヒに酸化イ
ンジウム錫透明導電膜12を形成する。
この透明導電膜を真空容器内に導入し、容器内の真空度
がI X 10 ”Torr以下になるまで排気する。
そこでガラス基板を400℃ に加熱し、30分間熱処
理を行う。
また、ピンホールの有無を判断するための参照用試料と
して、第2図のように、81基板21上にSin、膜2
2を形成し、上記と同様の条件でDCスパッタリングに
より、酸化インジウム錫透明導電膜23を形成し熱処理
を行った。
この参照試料について、酸化インジウム錫透明導電膜2
3を形成後、熱処理前にフッ化アンモンに浸すとピンホ
ールを介して8 i 0.膜22がエツチングされ、透
明導電膜23のピンホールが多数観察されたが、熱処理
後のものはピンホールが観察されなかった。
こうしてこの実施例によれば、真空中での熱処理を行う
ことで、透明導電膜のピンホールを効果的に解消できる
ことが明らかになった。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の透明導電膜形成基板を示
す図、第2図は上記実施例の効果を確認するための参照
用試料を示す図である。 11・・・ガラス基板 12・・・酸化インジウム透明導電膜 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 2 第2図 3

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に透明導電膜な被着した後、これを真空中
    で熱処理することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
  2. (2)透明導電膜は酸化インジウム錫であり、熱処理温
    度は200〜600℃である特許請求の範囲第1項記載
    の透明導電膜の形成方法。
JP57092877A 1982-05-31 1982-05-31 透明導電膜の形成方法 Pending JPS58209809A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01206514A (ja) * 1987-10-23 1989-08-18 Nitto Denko Corp 透明導電性積層体の製造方法
JP2003239069A (ja) * 2002-02-15 2003-08-27 Ulvac Japan Ltd 薄膜の製造方法及び装置
US8568621B2 (en) 2009-06-30 2013-10-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transparent conductive film

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003239069A (ja) * 2002-02-15 2003-08-27 Ulvac Japan Ltd 薄膜の製造方法及び装置
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