JPS5891170A - 酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法 - Google Patents
酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法Info
- Publication number
- JPS5891170A JPS5891170A JP18770081A JP18770081A JPS5891170A JP S5891170 A JPS5891170 A JP S5891170A JP 18770081 A JP18770081 A JP 18770081A JP 18770081 A JP18770081 A JP 18770081A JP S5891170 A JPS5891170 A JP S5891170A
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- Japan
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- cr2o3
- chromium oxide
- films
- etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は半導体素子等の製造工程に用いられる酸化クロ
ムのドライエツチング法罠関するもである。
ムのドライエツチング法罠関するもである。
（２）技術の背景
従来磁気・櫂プルメモリ素子等の製造工程において、ホ
トリングラフィ法によシ・臂ターンを形成する１合、エ
ツチングすべき金属面へのホトレゾストの密着性の向上
と、金属面の反射を防止して・ｆターン解儂力を向上す
るえめ酸化クロム（ｃｒ２ｏ、）の薄膜を金属面に被着
形成している。
トリングラフィ法によシ・臂ターンを形成する１合、エ
ツチングすべき金属面へのホトレゾストの密着性の向上
と、金属面の反射を防止して・ｆターン解儂力を向上す
るえめ酸化クロム（ｃｒ２ｏ、）の薄膜を金属面に被着
形成している。
（３） 従来技術と問題点
上記の酸化クロムは・ｆターン形成後は不必要なものと
なる。しかし酸化クロムのエッチャントガスとして従来
用いられて来たｃｃｔ４．ｃｔ２゜Ｃｒ４等のガス（及
びこれらとＡｒ 、０２との混合ガス）は下地の８１０
２もエツチングするので、これまで酸化クロムは取除く
ことができなかった。
なる。しかし酸化クロムのエッチャントガスとして従来
用いられて来たｃｃｔ４．ｃｔ２゜Ｃｒ４等のガス（及
びこれらとＡｒ 、０２との混合ガス）は下地の８１０
２もエツチングするので、これまで酸化クロムは取除く
ことができなかった。
その丸め酸化クロムの使用は導体・譬ターンの断面積を
確保する上で不利となる欠点があり九。
確保する上で不利となる欠点があり九。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点く鑑み、酸化クロムの除去を可
能としたドライエツチング法を提供することを目的とす
るものである。
能としたドライエツチング法を提供することを目的とす
るものである。
（５） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、酸化クロム（ｃｒ２
ｏ３）のドライエツチング法において、酸化クロム（ｃ
ｒ２ｏ、）は電子線蒸着法又はス・譬ツタリング法によ
シネ細物を含まないように形成され良識化り筒ム膜とし
、該膜を酸素プラズマによシエッチングすることを特徴
とする酸化クロム（ｃｒ２ｏ５）のドライエツチング法
を提供することによって達成される。
ｏ３）のドライエツチング法において、酸化クロム（ｃ
ｒ２ｏ、）は電子線蒸着法又はス・譬ツタリング法によ
シネ細物を含まないように形成され良識化り筒ム膜とし
、該膜を酸素プラズマによシエッチングすることを特徴
とする酸化クロム（ｃｒ２ｏ５）のドライエツチング法
を提供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第１図は本発明による酸化クロムのドライエツチング法
に使用されるドライエツチング装置を示す図であり、ａ
−は縦断面図、ｂは１図のｂ−ｂ線における断面図をそ
れぞれ示す。
に使用されるドライエツチング装置を示す図であり、ａ
−は縦断面図、ｂは１図のｂ−ｂ線における断面図をそ
れぞれ示す。
同図に於いて、１は石英製チャン、ｆ−，２はエツチン
グの均一性を良（する六めに設けられ九アルミニウム製
の内管、３は石英メート、４は石英チャンバーの外周を
取シ巻く高周波コイルである。このような装置で行なわ
れる本発明方法は酸化クロム膜が形成され九被エツチン
グ’１１５を石英セードに垂直に並べて載置し、排気口
６よシチャンパー１内の空気を０．１Ｔ＠ｒｒ程変まで
排気し、次いでエラチャントガストじテ酸素を導入し２
〜３ Ｔｏｒｒを保持しっつ２００Ｗ。
グの均一性を良（する六めに設けられ九アルミニウム製
の内管、３は石英メート、４は石英チャンバーの外周を
取シ巻く高周波コイルである。このような装置で行なわ
れる本発明方法は酸化クロム膜が形成され九被エツチン
グ’１１５を石英セードに垂直に並べて載置し、排気口
６よシチャンパー１内の空気を０．１Ｔ＠ｒｒ程変まで
排気し、次いでエラチャントガストじテ酸素を導入し２
〜３ Ｔｏｒｒを保持しっつ２００Ｗ。
３０分１１１エツチングすることにょシ約２００１の厚
さの酸化クロムをエツチングすることができる。この場
合被エツチング物に被着された酸化クロＡ Ｉｌｌ ＃
′ｉｈ電子線蒸着法又はス・ヤツタリング法によシネ軸
物を含まないように形成され光ものであることが本発明
の要点である。
さの酸化クロムをエツチングすることができる。この場
合被エツチング物に被着された酸化クロＡ Ｉｌｌ ＃
′ｉｈ電子線蒸着法又はス・ヤツタリング法によシネ軸
物を含まないように形成され光ものであることが本発明
の要点である。
なお例えば磁気・櫂プルメモリの製造においてはコンダ
クタ−膜、・ｆ−マロイ膜の上に設ける酸化クロム膜を
電子線蒸着又はス・ヤツタリングにより形成し、・譬タ
ーン形成後に酸素プラズマエツチング法によ〕、レジス
トと一緒に酸化クロム膜を除くのである。なお、このと
き下地の５ｆＯ２はエツチングされない。
クタ−膜、・ｆ−マロイ膜の上に設ける酸化クロム膜を
電子線蒸着又はス・ヤツタリングにより形成し、・譬タ
ーン形成後に酸素プラズマエツチング法によ〕、レジス
トと一緒に酸化クロム膜を除くのである。なお、このと
き下地の５ｆＯ２はエツチングされない。
第２図および第３図はｘＰｓ分析結果を示す図であ！り
、！２図は・譬イレックスガラス基板上ＫＴａＭｏを２
００Ｘ、Ａｕを３６００ Ｘ 、 ＴａＭｏを２００１
を順次蒸着し良後、電子線蒸着法で酸化クロムを２００
１蒸着し、これを酸素グッズマエッチングし虎試料につ
いての分析Ｎ１釆を、第３図は・臂イレックスガラス基
板上にＴａＭｏを２００Ｘ。
、！２図は・譬イレックスガラス基板上ＫＴａＭｏを２
００Ｘ、Ａｕを３６００ Ｘ 、 ＴａＭｏを２００１
を順次蒸着し良後、電子線蒸着法で酸化クロムを２００
１蒸着し、これを酸素グッズマエッチングし虎試料につ
いての分析Ｎ１釆を、第３図は・臂イレックスガラス基
板上にＴａＭｏを２００Ｘ。
人Ｕを３６００ス、 ＴａＭｏを２００ＸｔｌｌＩ次蒸
着した後抵抗加熱蒸着法で酸化クロムを２００１蒸着し
、これを酸素プラズマエツチングし九試料についての分
析結果をそれぞれ示し六。
着した後抵抗加熱蒸着法で酸化クロムを２００１蒸着し
、これを酸素プラズマエツチングし九試料についての分
析結果をそれぞれ示し六。
酸化クロムを抵抗蒸着し走用３図においては表面にＷが
存在していることが検出されている。これは蒸着ゲート
材料中のＷが酸化クロム膜中に混入したものと思われる
が、このＷの如く蒸着Ｍ −トから混入する不純物が従
来酸化クロムのエツチングを妨げていえ原因と考えられ
る。
存在していることが検出されている。これは蒸着ゲート
材料中のＷが酸化クロム膜中に混入したものと思われる
が、このＷの如く蒸着Ｍ −トから混入する不純物が従
来酸化クロムのエツチングを妨げていえ原因と考えられ
る。
これに対し第２図０酸化クロムを電子蒸着した本発明の
場合は下地のＴａＭｏ 、 Ａｕが検出され、１浚化ク
ロムが完全に除かれている゛ことがわかる。
場合は下地のＴａＭｏ 、 Ａｕが検出され、１浚化ク
ロムが完全に除かれている゛ことがわかる。
（７）発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明の酸化クロムのドラ
イエツチング法は、エツチングすべき酸化クロム膜を電
子線蒸着法又はス・母ツタリング法により不純物を含ま
ない酸化クロム膜とし喪ことにより、酸素プラズマによ
りドライエツチングすることを可能とした亀のであシ、
磁気／４ ｆルメモリ等の半導体素子の製造に供し得る
といつ大効果大なるものである。
イエツチング法は、エツチングすべき酸化クロム膜を電
子線蒸着法又はス・母ツタリング法により不純物を含ま
ない酸化クロム膜とし喪ことにより、酸素プラズマによ
りドライエツチングすることを可能とした亀のであシ、
磁気／４ ｆルメモリ等の半導体素子の製造に供し得る
といつ大効果大なるものである。
第１図は！５ズマエッチング装置を説明する九めの図、
第２図及び第３図は酸化クロムを電子線蒸着又は抵抗加
熱蒸着後酸素プラズマにてドライエツチングしえ試料を
肝ｓ分析し走結果を示した図である。 図面に於いてｌは石英製チャン・櫂−１２は内筒、３Ｆ
ｉ石英＆−）、４Ｆｉ高周波コイル、５は被エツチング
物をそれぞれ示す。 特杵出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁１士 育 木 朗 弁１士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁４士 山 口 昭 之
第２図及び第３図は酸化クロムを電子線蒸着又は抵抗加
熱蒸着後酸素プラズマにてドライエツチングしえ試料を
肝ｓ分析し走結果を示した図である。 図面に於いてｌは石英製チャン・櫂−１２は内筒、３Ｆ
ｉ石英＆−）、４Ｆｉ高周波コイル、５は被エツチング
物をそれぞれ示す。 特杵出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁１士 育 木 朗 弁１士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁４士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、酸化タロム（Ｃｒ２０３）のドライエツチング法に
おいて、停化クロム（Ｃｒ２０ρは電子線蒸着法文はス
ノ臂ｙタリング法によシネ鈍物を含まないように形成さ
れた酸化クロム膜とし、鋏膜を酸素プラズマによシエッ
チングすることを特徴とする酸化クロム（ｃｒ２ｏ、）
のドライエツチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18770081A JPS6057511B2 (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18770081A JPS6057511B2 (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891170A true JPS5891170A (ja) | 1983-05-31 |
| JPS6057511B2 JPS6057511B2 (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=16210620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18770081A Expired JPS6057511B2 (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057511B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0587990A2 (en) * | 1992-07-27 | 1994-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductive device having a conductive metal oxide |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332017U (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-28 |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP18770081A patent/JPS6057511B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0587990A2 (en) * | 1992-07-27 | 1994-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductive device having a conductive metal oxide |
| EP0587990A3 (en) * | 1992-07-27 | 1994-05-25 | Motorola Inc | Method for fabricating a semiconductive device having a conductive metal oxide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6057511B2 (ja) | 1985-12-16 |
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