JPS6057511B2 - 酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法 - Google Patents
酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法Info
- Publication number
- JPS6057511B2 JPS6057511B2 JP18770081A JP18770081A JPS6057511B2 JP S6057511 B2 JPS6057511 B2 JP S6057511B2 JP 18770081 A JP18770081 A JP 18770081A JP 18770081 A JP18770081 A JP 18770081A JP S6057511 B2 JPS6057511 B2 JP S6057511B2
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- JP
- Japan
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- chromium oxide
- dry etching
- etching method
- etched
- film
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Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は半導体素子等の製造工程に用いられる酸化クロ
ムのドライエッチング法に関するものである。
ムのドライエッチング法に関するものである。
（２）技術の背景
従来磁気バブルメモリ素子等の製造工程において、ホト
リングラフィ法によりパターンを形成する場合、エッチ
ングすべき金属面へのホトレジストの密着性の向上と、
金属面の反射を防止してパターン解像力を向上するため
酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）の薄膜を金属面に被着形成し
ている。
リングラフィ法によりパターンを形成する場合、エッチ
ングすべき金属面へのホトレジストの密着性の向上と、
金属面の反射を防止してパターン解像力を向上するため
酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）の薄膜を金属面に被着形成し
ている。
（３）従来技術と問題点上記の酸化クロムはパターン形
成後は不必要なものとなる。
成後は不必要なものとなる。
しカル酸化クロムのエッチャントガスとして従来用いら
れて来たＣＣｌ４、Ｃｌ２、ＣＦ４等のガス（及びこれ
らとＡｒ、Ｏ２との混合ガス）は下地のＳｉＯ２もエッ
チングするので、これまで酸化クロムは取除くことがで
きなかつた。そのため酸化クロムの使用は導体パターン
の断面積を確保する上で不利となる欠点があつた。
れて来たＣＣｌ４、Ｃｌ２、ＣＦ４等のガス（及びこれ
らとＡｒ、Ｏ２との混合ガス）は下地のＳｉＯ２もエッ
チングするので、これまで酸化クロムは取除くことがで
きなかつた。そのため酸化クロムの使用は導体パターン
の断面積を確保する上で不利となる欠点があつた。
（４） 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、酸化クロムの除去を可
能としたドライエッチング法を提供することを目的とす
るものである。
能としたドライエッチング法を提供することを目的とす
るものである。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、酸化クロム（Ｃｒ２
００）のドライエッチング法において、酸化クロム（Ｃ
ｒ２Ｏ３）は電子線蒸着法又はスパッタリング法により
不純物を含まないように形成された酸化クロム膜とし、
該膜を酸素プラズマによりエッチングすることを特徴と
する酸化クロム（Ｃｒ。
００）のドライエッチング法において、酸化クロム（Ｃ
ｒ２Ｏ３）は電子線蒸着法又はスパッタリング法により
不純物を含まないように形成された酸化クロム膜とし、
該膜を酸素プラズマによりエッチングすることを特徴と
する酸化クロム（Ｃｒ。
Ｏ０）のドライエッチング法を提供することによつて達
成される。（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面によつて詳述する。
成される。（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面によつて詳述する。
第１図は本発明による酸化クロムのドライエッチング法
に使用されるドライエッチング装置を示１す図であり、
ａは縦断面図、をはａ図のｂ−ｂ線における断面図をそ
れぞれ示す。同図に於いて、１は石英製チャンバー、２
はエッチングの均一性を良くするために設けられたアル
ミニウム製の内管、３は石英ボート、４は石英・チャン
バーの外周を取り巻く高周波コイルである。
に使用されるドライエッチング装置を示１す図であり、
ａは縦断面図、をはａ図のｂ−ｂ線における断面図をそ
れぞれ示す。同図に於いて、１は石英製チャンバー、２
はエッチングの均一性を良くするために設けられたアル
ミニウム製の内管、３は石英ボート、４は石英・チャン
バーの外周を取り巻く高周波コイルである。
このような装置で行なわれる本発明方法は酸化クロム膜
が形成された被エッチング物５を石英ボートに垂直に並
べて載置し、排気口６よりチャンバー１内の空気を０．
１Ｔ０ｒｒ程度まで排気し、次いでエッチャントガスと
して酸素を導入し２〜３Ｔ０ｒｒを保持しつつ２００Ｗ
、３０分程度エッチングすることにより約２００Ａの厚
さの酸化クロムをエッチングすることができる。この場
合被エッチング物に被着された酸化クロム膜は、電子線
蒸着法又はスパッタリング法により不純物を含まないよ
うに形成されたものであることが本発明の要点である。
なお例えば磁気バブルメモリの製造においてはコンダク
ター膜、パーマロイ膜の上に設ける酸化クロム膜を電子
線蒸着又はスパッタリングにより形成し、パターン形成
後に酸素プラズマエッチング法により、レジストと一緒
に酸化クロム膜を除くのである。
が形成された被エッチング物５を石英ボートに垂直に並
べて載置し、排気口６よりチャンバー１内の空気を０．
１Ｔ０ｒｒ程度まで排気し、次いでエッチャントガスと
して酸素を導入し２〜３Ｔ０ｒｒを保持しつつ２００Ｗ
、３０分程度エッチングすることにより約２００Ａの厚
さの酸化クロムをエッチングすることができる。この場
合被エッチング物に被着された酸化クロム膜は、電子線
蒸着法又はスパッタリング法により不純物を含まないよ
うに形成されたものであることが本発明の要点である。
なお例えば磁気バブルメモリの製造においてはコンダク
ター膜、パーマロイ膜の上に設ける酸化クロム膜を電子
線蒸着又はスパッタリングにより形成し、パターン形成
後に酸素プラズマエッチング法により、レジストと一緒
に酸化クロム膜を除くのである。
なお、このとき下地のＳｉＯ２はエッチングされない。
第２図および第３図はＸＰＳ分析結果を示す図であり、
第２図はパイレックスガラス基板上に＝ＴａＭＯを２０
０Ａ，Ａｕを３６００Ａ，ＴａＭ０を２００Ａを順次蒸
着した後、電子線蒸着法で酸化クロムを２００Ａ蒸着し
、これを酸素プラズマエッチングした試料についての分
析結果を、第３図はパイレックスガラス基板上にＴａＭ
Ｏを２００Ａ，Ａｕを３６００Ａ，２ＴａＭ０を２００
Ａを順次蒸着した後抵抗加熱蒸着法で酸化クロムを２０
０Ａ蒸着し、これを酸素プラズマエッチングした試料に
ついての分析結果をそれぞれ示した。
第２図および第３図はＸＰＳ分析結果を示す図であり、
第２図はパイレックスガラス基板上に＝ＴａＭＯを２０
０Ａ，Ａｕを３６００Ａ，ＴａＭ０を２００Ａを順次蒸
着した後、電子線蒸着法で酸化クロムを２００Ａ蒸着し
、これを酸素プラズマエッチングした試料についての分
析結果を、第３図はパイレックスガラス基板上にＴａＭ
Ｏを２００Ａ，Ａｕを３６００Ａ，２ＴａＭ０を２００
Ａを順次蒸着した後抵抗加熱蒸着法で酸化クロムを２０
０Ａ蒸着し、これを酸素プラズマエッチングした試料に
ついての分析結果をそれぞれ示した。
酸化クロムを抵抗蒸着した第３図においては表面にｗが
存在していることが検出されている。
存在していることが検出されている。
これは蒸着ボート材料中のｗが酸化クロム膜中に混入し
たものと思われるが、このＷの如く蒸着ボートから混入
する不純物が従来酸化クロムのエッチングを妨げていた
原因と考えられる。これに対し第２図の酸化クロムを電
子蒸着した本発明の場合は下地のＴａＭＯ，Ａｕが検出
され、酸”化クロムが完全に除かれていることがわかる
。
たものと思われるが、このＷの如く蒸着ボートから混入
する不純物が従来酸化クロムのエッチングを妨げていた
原因と考えられる。これに対し第２図の酸化クロムを電
子蒸着した本発明の場合は下地のＴａＭＯ，Ａｕが検出
され、酸”化クロムが完全に除かれていることがわかる
。
（７）発明の効果以上詳細に説明したように、本発明の
酸化クロムのドライエッチング法は、エッチングすべき
酸化クロム膜を電子線蒸着法又はスパッタリング法によ
り不純物を含まない酸化クロム膜としたことにより、酸
素プラズマによりドライエッチングすることを可能とし
たものであり、磁気バブルメモリ等の半導体素子の製造
に供し得るといつた効果大なるものである。
酸化クロムのドライエッチング法は、エッチングすべき
酸化クロム膜を電子線蒸着法又はスパッタリング法によ
り不純物を含まない酸化クロム膜としたことにより、酸
素プラズマによりドライエッチングすることを可能とし
たものであり、磁気バブルメモリ等の半導体素子の製造
に供し得るといつた効果大なるものである。
第１図はプラズマエッチング装置を説明するための図、
第２図及び第３図は酸化クロムを電子線蒸着又は抵抗加
熱蒸着後酸素プラズマにてドライエッチングした試料を
ＸＰＳ分析した結果を示した図である。 図面に於いて１は石英製チャンバー、２は内筒、３は石
英ボート、４は高周波コイル、５は被エッチング物をそ
れぞれ示す。
第２図及び第３図は酸化クロムを電子線蒸着又は抵抗加
熱蒸着後酸素プラズマにてドライエッチングした試料を
ＸＰＳ分析した結果を示した図である。 図面に於いて１は石英製チャンバー、２は内筒、３は石
英ボート、４は高周波コイル、５は被エッチング物をそ
れぞれ示す。
Claims (1)
- １ 酸化クロム（Ｃｒ＿２Ｏ＿３）のドライエッチング
法において、酸化クロム（Ｃｒ＿２Ｏ＿３）は電子線蒸
着法又はスパッタリング法により不純物を含まないよう
に形成された酸化クロム膜とし、該膜を酸素プラズマに
よりエッチングすることを特徴とする酸化クロム（Ｃｒ
＿２Ｏ＿３）のドライエッチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18770081A JPS6057511B2 (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18770081A JPS6057511B2 (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891170A JPS5891170A (ja) | 1983-05-31 |
| JPS6057511B2 true JPS6057511B2 (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=16210620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18770081A Expired JPS6057511B2 (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 酸化クロムＣｒ↓２Ｏ↓３のドライエツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057511B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332017U (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-28 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254217A (en) * | 1992-07-27 | 1993-10-19 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor device having a conductive metal oxide |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP18770081A patent/JPS6057511B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332017U (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5891170A (ja) | 1983-05-31 |
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