JPH06230557A

JPH06230557A - クロム系材料のパターン形成方法

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Publication number: JPH06230557A
Application number: JP3487693A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Kagami; 一郎鏡
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-01-30
Filing date: 1993-01-30
Publication date: 1994-08-19
Anticipated expiration: 2017-11-20
Also published as: JP3348305B2

Abstract

(57)【要約】【目的】高精度で微細加工が可能なポジ型電子線レジ
ストを用いてクロム系材料をパターニングする場合に、
レジストの耐性良く良好なパターン加工が実現でき、被
加工面内の加工均一性を向上して、精度良く信頼性の高
い微細加工を、汚染の問題を抑えて達成するパターン形
成方法を提供する。【構成】含Ｆレジスト等ポジ型電子線レジストを用い
てクロム系材料をエッチングする際、エッチングガスと
してＣｌ₂とＯ₂を含みかつＯ及びＨを少なくとも構成
原子として分子中に有するガス（水分を含む空気やＮ₂
等）を含有率０．６００〜０．７２０の範囲で混合ガス
として使用するクロム系材料のパターン形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、クロム系材料のパター
ン形成方法に関する。この種の技術は、例えば、半導体
装置製造の際等に用いるフォトマスクの形成のために利
用できる。

【０００２】

【従来の技術】フォトマスクは、一般に、ガラス、石英
等の透明基板上に遮光性等の優れたクロム系材料膜を形
成してこれを微細なパターンに加工して形成される。こ
のような場合、パターン状に加工したレジスト膜をマス
クとしてクロム系材料をウェットエッチングする技術が
用いられていたが、この技術であると、出来上がりクロ
ム系材料パターンとレジストパターンとの間の寸法変動
差が大きく、微細化が実現できず、また、寸法制御性も
必ずしも良好とは言えなかった。

【０００３】このため、エッチングガスを用いたドライ
エッチング技術を適用することが考えられたが、高精度
微細加工に適した電子線レジスト材料は耐ドライエッチ
ング特性が悪く、実用化の隘路となっていた。

【０００４】例えば、ハロゲン原子を含む骨格を有する
材料であるｐｏｌｙ〔２，２，２−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏ
ｅｔｈｙｌ−α−ｃｈｌｏｒｏａｃｒｙｌ〕を主成分と
するポジ型電子線レジスト材料（ＥＢＲ−９と称される
もの等）は、それ自体は高精度微細加工に適した材料で
あるが、ドライエッチング耐性が小さく、クロム系材料
がエッチングされる前にレジストが消失してしまうこと
があるなど実用化が難ししかった。

【０００５】そこで、本出願人は既に、塩素、酸素及び
水素を含む混合ガス（例えば塩素ガスと酸素ガスとウェ
ットエアまたはウェット窒素ガスとの混合ガス）でドラ
イエッチングを行うことにより、上記のような耐ドライ
エッチング耐性の低いレジスト材料によっても良好な高
精度微細加工を達成する技術を提案した（特開平３−３
３８４８）。

【０００６】

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら上記し
た提案においては、例えば、塩素ガス１６０ＳＣＣＭ、
酸素ガス４０ＳＣＣＭ、ウェットエア１６０ＳＣＣＭか
らなる混合ガスが用いられている。これは、ウェットエ
アの流量比率が全体の０．４４程度である。この比率で
は、これをフォトマスクパターン形成技術に適用した場
合、他の条件を制御しても、面内線幅均一性の向上に限
界があった。似たようなウェットエア流量比率として、
塩素ガス４０ＳＣＣＭ、酸素ガス１６０ＳＣＣＭ、ウェ
ットエア１６５ＳＣＣＭを選択して実施した場合（ウェ
ットエアの比率約０．４５）のデータとして、実現でき
る面内線幅均一性は、１．７５μｍ線幅（フォトマスク
を用いる被加工半導体デバイス上で言えば、０．３５μ
ｍ寸法の１６ＭＳＲＡＭ、６４ＭＤＲＡＭクラスに相
当）で３σ＝０．０８μｍ程度でしかない。これは、こ
のクラスのデバイス用マスクで必要とする線幅均一性
０．０５μｍは満足せず、高精度デバイスプロセス技術
確立への障害となっていた。

【０００７】また、フォトマスクに用いる遮光膜として
は、低応力化、耐酸性向上、低反射化のニーズから最
近、２層クロム膜（例えば酸化クロム３００Å／クロム
７５０Å）を被加工クロム系材料とする必要性が高まっ
てきているが、この場合も、同上の問題点が生じる。

【０００８】なお、面内線幅均一性を向上させるだけで
あれば、旧来から用いられているウェットエッチングを
採用すればよいのであるが、抜け不良欠陥等の元来の問
題点が再び生じ、また２層クロム膜の場合は、下層のク
ロムのアンダーカットによるプロファイル劣化と、それ
による洗浄性劣化が生じる問題がある。即ち２層クロム
膜の場合、図５に示すように、石英等の基板１上の下層
Ｃｒ膜２と上層酸化クロム膜３とをウェットエッチング
すると、下層Ｃｒ膜２に図の如くアンダーカットが生
じ、ここに汚れが入ったり薬液が残るなどの不都合が生
じる。結局、ウェットエッチング技術は、解決策になら
ない。

【０００９】

【発明の目的】本発明は上記問題点を解決して、高精度
で微細加工が可能なポジ型電子線レジストを用いてクロ
ム系材料をパターニングする場合に、該レジストの耐性
について問題なく良好なパターン加工が実現できるとと
もに、更に、被加工面内の加工均一性を向上でき、精度
が良くかつ信頼性の高い微細加工が達成できて、しかも
洗浄に伴う異物付着などの汚染の問題も小さいパターン
形成方法を提供せんとするものである。

【００１０】

【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、ポジ型電子線レジストを用いてクロム系材料をエ
ッチングしてパターン形成を行うクロム系材料のパター
ン形成方法において、エッチングガスとして塩素ガス
と、酸素ガスと、水素原子及び酸素原子を少なくとも構
成原子として分子中に有するガスとの混合ガスを用いる
とともに、該混合ガス中の前記水素原子及び酸素原子を
少なくとも構成原子として分子中に有するガスとの含有
率が０．６００〜０．７２０の範囲にあることを特徴と
するクロム系材料のパターン形成方法であって、これに
より上記目的を達成するものである。

【００１１】本出願の請求項２の発明は、ポジ型電子線
レジストが、ハロゲン原子を含む骨格を有する材料から
成ることを特徴とする請求項１に記載のクロム系材料の
パターン形成方法であって、これにより上記目的を達成
するものである。

【００１２】本出願の請求項３の発明は、ポジ型電子線
レジストが、フッ素原子を含む骨格を有する材料から成
ることを特徴とする請求項１に記載のクロム系材料のパ
ターン形成方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。

【００１３】本出願の請求項４の発明は、ポジ型電子線
レジストが、塩素原子を含む置換基を有するフッ素原子
含有骨格を有することを特徴とする請求項１に記載のク
ロム系材料のパターン形成方法であって、これにより上
記目的を達成するものである。

【００１４】本出願の請求項５の発明は、ポジ型電子線
レジストが、ｐｏｌｙ〔２，２，２−ｔｒｉｆｌｕｏｒ
ｏｅｔｈｙｌ−α−ｃｈｌｏｒｏａｃｒｙｌ〕から成る
ことを特徴とする請求項１に記載のクロム系材料のパタ
ーン形成方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。

【００１５】本出願の請求項６の発明は、ポジ型電子線
レジストが、少なくともアクリル系成分を単独重合成分
もしくは共重合成分として有することを特徴とする請求
項１に記載のクロム系材料のパターン形成方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。

【００１６】本出願の請求項７の発明は、ポジ型電子線
レジストが、ＰＭＭＡ系重合体を与える成分を単独重合
成分もしくは共重合成分として有することを特徴とする
請求項１に記載のクロム系材料のパターン形成方法であ
って、これにより上記目的を達成するものである。

【００１７】本出願の請求項８の発明は、クロム系材料
が、クロムまたは酸化クロムを含む材料であることを特
徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のクロム系
材料のパターン形成方法であって、これにより上記目的
を達成するものである。

【００１８】本出願の請求項９の発明は、クロム系材料
が、クロム系材料膜の積層構造であることを特徴とする
請求項１ないし７のいずれかに記載のクロム系材料のパ
ターン形成方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。

【００１９】本出願の請求項10の発明は、クロム系材料
が、酸化クロム／クロム構造、または酸化クロム／クロ
ム／酸化クロム構造であることを特徴とする請求項１な
いし７のいずれかに記載のクロム系材料のパターン形成
方法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。

【００２０】本出願の請求項11の発明は、水素原子及び
酸素原子を少なくとも構成原子として分子中に有するガ
スが、水分を含む空気であることを特徴とする請求項１
ないし10のいずれかに記載のクロム系材料のパターン形
成方法であって、これにより上記目的を達成するもので
ある。

【００２１】本出願の請求項12の発明は、水素原子及び
酸素原子を少なくとも構成原子として分子中に有するガ
スが、水分を含む窒素ガスであることを特徴とする請求
項１ないし７に記載のクロム系材料のパターン形成方法
であって、これにより上記目的を達成するものである。

【００２２】

【作用】本出願の発明のように、ポジ型電子線レジスト
を用いてクロム系材料をエッチングしてパターン形成方
法を行う際、エッチングガスとして塩素ガスと、酸素ガ
スと、水素原子及び酸素原子を少なくとも構成原子とし
て分子中に有するガス（以下適宜「含水素・酸素ガス」
と略称することもある）との混合ガスを用い、その混合
ガス中の含水素・酸素ガスの含有率を０．６００〜０．
７２０の範囲にすると、被加工面の面内均一性は格段に
向上する。

【００２３】図１に示すのは、５インチ平方の基板を用
いて、基板面上のクロム系材料をエッチングしたときの
面内均一性を、複数点での実験、及び実験計画法に基づ
くシミュレーションによって予測した結果であるが、エ
ッチング用混合ガス中の含水素・酸素ガス（ここではウ
ェットエアを使用）の流量比が０．６５７である本願発
明の範囲にあるＡ点の場合は、エッチング均一性は線幅
で３８．０００ｎｍであるのに対し、本願発明の範囲を
外れるＢ点（流量比０．５２１）では５１．６６７ｎ
ｍ、Ｃ点（流量比０．４５２）では５４．３３３ｎｍで
あった。

【００２４】具体的には、図１のデータをとったときの
エッチングガス成分は、Ａ点で、塩素ガス／酸素ガス／
ウェットエア＝２５／１００／２４０ＳＣＣＭであり、
Ｂ点で塩素ガス／酸素ガス／ウェットエア＝３０／１２
０／２１５ＳＣＣＭであり、Ｃ点で、塩素ガス／酸素ガ
ス／ウェットエア＝４０／１６０／１６５ＳＣＣＭとし
たものである。

【００２５】本出願の発明において、エッチング用混合
ガス中の含水素・酸素ガスの比率を上記範囲としたこと
の作用機構は必ずしも明らかではないが、少なくとも該
比率を約０．６６を中心とした上記範囲（特に上記実験
では、全流量３６５ＳＣＣＭ中、２２０〜２６０ＳＣＣ
Ｍの範囲）にすると、格段にエッチング均一性の向上が
得られることは実験的に明らかである。

【００２６】

【実施例】次に、本出願の発明の実施例について、図面
を参照して説明する。但し当然のことではあるが、本発
明は実施例により限定されるものではない。

【００２７】実施例１この実施例においては、本発明を、フォトマスク形成の
ための光透過基板上のクロム系材料のパターン形成に適
用して実施した。

【００２８】一般的なフォトマスクの構造についてまず
説明すると、次のとおりである。フォトマスクの構造に
は、図２（ａ）に示すように、光透過部である光透過基
板（石英）１上にクロム系遮光材料２であるＣｒが付い
ている構造のものがあり、また、図２（ｂ）に示すよう
に、基板（石英）１／クロム系遮光材料（Ｃｒ）２／ク
ロム系遮光材料（酸化クロムＣｒＯｘ）３の低反射膜付
き２層Ｃｒ基板の構造のものがある。

【００２９】最近のフォトマスク（レチクル）は、低
応力化により膜応力によるパターン位置ずれ量の低減、
耐強酸性に優れ、レチクル表面清浄度の向上、ステ
ッパーにおける、ウェハ／レチクル間光反射の低減、と
いう点から、図２（ｂ）の構造が採用されることが多く
なるに至っている。本実施例でも、図２（ｂ）の構造の
フォトマスクの形成について、クロム系材料パターン形
成を行った。

【００３０】本実施例に使用するエッチング装置の構成
例を図３に示す。この装置は、上部電極４及び下部電極
５からなる平行平板型ＲＩＥ装置で、両電極４，５間に
高周波電源６（１３．５６ＭＨｚ）が接続されている。

【００３１】エッチングに使用するガスであるＣｌ₂、
Ｏ₂、及び含水素・酸素ガス（ウェットエア、またはウ
ェット窒素等）は、それぞれ別の供給源から各々ガス導
入管71〜73により導入され、導入管７内で混合された
後、上部電極４に設けられたガス供給口より反応室８内
に供給される。またそれぞれのガスの流量は、それぞれ
のガスの供給管71, 72, 73に設置された制御器（マスフ
ローコントローラー）にて独立に制御される。エッチン
グ時のガス圧力は、排気管の途中に設置された弁の開閉
度で排気量を調整することによってて制御される。エッ
チングのパラメータとしてＲＦパワー（Ｗ）圧力
（Ｐａ）電極間隔各々のガス流量電極温度エッ
チング時間等がソフト上（プログラム）で変更でき、１
回の処理に対して２ステップ以上の条件を変えた設定が
可能である。

【００３２】この実施例では、図３に示した上記エッチ
ング装置を使用してドライエッチングを行う場合に、ま
ず被エッチング物である現像−ポストベーグ後のレジス
トパターン付きのフォトマスク基板９を、下部電極５上
に置く。

【００３３】次に、ガス導入管７を通して、Ｃｌ₂、Ｏ
₂、及び本実施例ではウェットエアの混合ガスを導入す
る。ここでは、一辺５インチの正方形で、厚さが０．０
９インチの石英マスク基板を被加工基板とした。エッチ
ングガスとしてＣｌ₂２５ＳＣＣＭ、Ｏ₂１００ＳＣＣ
Ｍ、ウェットエア（２５℃での飽和水蒸気含有エアー）
２４０ＳＣＣＭの混合ガスを反応室８内に導入し、反応
室８内のガス圧を１６０ｍＴｏｒｒ、また上部電極４と
下部電極５の距離を１３０ｍｍとする。

【００３４】その後、上部電極４と下部電極５の間に高
周波電圧（ＲＦパワー１５０Ｗ）を印加し、導入したガ
スをプラズマ化する。このプラズマにより、フォトマス
ク９上でレジストに覆われていない露出した部分の上層
クロム系遮光材料３（酸化クロム。図２（ｂ）参照）を
エッチングする。なお、上層クロム系遮光材料３である
酸化クロムの下層の下層クロム系遮光材料２（クロム）
も、同じ条件で連続してエッチングが可能である。

【００３５】これにより、加工線幅１．７５μｍ、シン
グルラインが、１１０ｍｍ平方で３σ＝０．０５μｍが
達成された。これは、０．３５μｍデバイス用レティク
ルの要求精度を満たす。

【００３６】なおこの実施例においては、電子線レジス
ト材料として、ポジ型電子線レジストのＥＢＲ−９
（２，２，２−トリフルオロエチル−α−クロロアクリ
レート；東レ株式会社製）を用いた。クロム系遮光材料
膜の膜厚及び電子線レジスト膜の膜厚は、一般的なフォ
トマスク形成時の膜厚を採用した。

【００３７】また、この実施例では、図４に示すような
ウェットエア供給装置20を用いた。このウェットエア供
給装置20は、容器21内に水22を注入したものであって、
蓋部23にはウェットエア導出管24とエア導入管25が取り
付けられている。蓋部23は容器22に密着しており、水面
下に端部のあるエア導入管25から空気が容器内に導入さ
れると、ウェットエア導出管24から湿度の高い空気が導
出される。このウェットエア導出管24は上記ウェットエ
ア導入管73（図３参照）に接続しており、従って、反応
室８の内部の真空排気を行うと、容器22の内部が減圧さ
れ、所要のウェットエアが反応室８の内部まで供給され
る。

【００３８】本実施例によれば、エッチングガス組成比
を塩素ガス（Ｃｌ₂）／酸素ガス（Ｏ₂）／含水素・酸
素ガス（ウェットエア）＝２５／１００／２４０に選択
することにより、面内線幅均一性が向上し（１．７５μ
ｍ線幅で、３σ＝０．０３５μｍ）、０．３５μｍデバ
イスで要求される精度を、２層クロム膜（酸化クロム／
クロム）基板を用いてドライエッチングにより達成する
ことが可能となった（勿論、単層クロム膜でもこれは可
能である）。

【００３９】このように、フォトリソグラフィ工程で有
利な２層クロム膜でドライエッチング加工ができること
により、ウェットエッチングを採用した場合の抜け不足
欠陥や、アンダーカットの問題が回避できる。

【００４０】アンダーカットのない、２層クロムの断面
形状は、清浄性が高く、レティクル洗浄後の異物付着を
格段に低減できる。

【００４１】実施例２上記実施例と同じように、一辺６インチの正方形で厚さ
が０．２５インチの石英マスク基板を、図３の装置でエ
ッチングした。エッチングガスは、同じくＣｌ₂２５Ｓ
ＣＣＭ、Ｏ₂１００ＳＣＣＭ、ウェットエア２４０ＳＣ
ＣＭの混合ガスを用いた。これを反応室８内に導入し、
本実施例では反応室８内のガス圧を１４０ｍＴｏｒｒ、
また上部電極４と下部電極５の距離を１００ｍｍとす
る。その後上部電極４と下部電極５の間に高周波電圧
（ＲＦパワー１８０Ｗ）を印加し、導入したガスをプラ
ズマ化する。このプラズマにより、上層クロム系遮光材
料である酸化クロムをエッチングし、その後連続して下
層クロム系遮光材料であるＣｒをエッチングする。

【００４２】これにより、加工線幅１．７５μｍ、シン
グルラインが、１１０ｍｍ平方で３σ＝０．０３５μｍ
が達成された。これは、０．２５μｍデバイス用レティ
クルの精度を満たす。

【００４３】この実施例、及び上記実施例１は、被エッ
チング基板の大きさや厚さが変わった場合、同一装置で
ハードウェアの変更を特に必要とせず、それぞれの基板
に対して、均一性やエッチングレートや選択比の最適化
を行っている例である。

【００４４】また実施例１，２とも、電子線レジストの
プロファイルの悪さやドライエッチン性の小さい影響に
よる酸化クロム層のエッジ部のダメージを最小限におさ
えつつ、均一性よくエッチングができる条件を示す。

【００４５】比較例ここでは比較として、Ｃｌ₂４０ＳＣＣＭ、Ｏ₂１６０
ＳＣＣＭ、ウェットエア１６５ＳＣＣＭの混合ガスを用
いて、その他は実施例１と同様に行った。この結果、加
工の均一性は、実施例１と同じ条件で、実施例１がσ＝
０．０３５であるのに対し、σ＝０．０４６程度であっ
た。

【００４６】実施例３本実施例では、ウェットエアに代えて、ウェットＮ
₂（窒素）を用いた。即ち、実施例１で用いた図４の装
置において、エア導入管25に窒素を供給することによ
り、２５℃飽和水蒸気含有のウェットＮ₂を供給するよ
うにした。その他は実施例１と同様に行った。この実施
例によっても実施例１と同様な効果が得られた。

【００４７】実施例４本実施例では、ポジ型電子線レジストとして、ＰＭＭＡ
系レジスト及びＰＭＭＡ系共重合レジストを用いた。そ
の他は実施例１と同様にした。このようにＰＭＭＡ系レ
ジスト材料を用いた場合も、実施例１と同様の効果が得
られた。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、ポジ型電子線レジスト
を用いてクロム系材料をパターニングする場合に、該レ
ジストの耐性について問題なく良好なパターン加工が実
現でき、かつ、被加工面内の加工均一性を向上でき、高
精度良好な微細加工を効果的に達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】エッチングガス中の含水素・酸素ガスの含有比
とエッチング均一性との関係を示すグラフである。

【図２】被加工材としてのフォトマスクの構造を示す断
面図である。

【図３】実施例で用いるエッチング装置の構成例を示す
図である。

【図４】実施例で用いるウェットエア供給装置を示す構
成図である。

【図５】従来技術の問題点を説明する図である。

【符号の説明】

１光透過基板２クロム系材料（クロム）３クロム系材料（酸化クロム）

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年９月２２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項７

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００４】例えば、ハロゲン原子を含む骨格を有する
材料であるｐｏｌｙ〔２，２，２−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏ
ｅｔｈｙｌ−α−ｃｈｌｏｒｏａｃｒｙｌ〕を主成分と
するポジ型電子線レジスト材料（ＥＢＲ−９と称される
もの等）は、それ自体は高精度微細加工に適した材料で
あるが、ドライエッチング耐性が小さく、クロム系材料
がエッチングされる前にレジストが消失してしまうこと
があるなど実用化が難しかった。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３１】エッチングに使用するガスであるＣｌ_２、
Ｏ_２、及び含水素・酸素ガス（ウェットエア、またはウ
ェット窒素等）は、それぞれ別の供給源から各々ガス導
入管７１〜７３により導入され、導入管７内で混合され
た後、上部電極４に設けられたガス供給口より反応室８
内に供給される。またそれぞれのガスの流量は、それぞ
れのガスの供給管７１，７２，７３に設置された制御器
（マスフローコントローラー）にて独立に制御される。
エッチング時のガス圧力は、排気管の途中に設置された
弁の開閉度で排気量を調整することによって制御され
る。エッチングのパラメータとしてＲＦパワー（Ｗ）
圧力（Ｐａ）電極間隔各々のガス流量電極温度
（６）エッチング時間等がソフト上（プログラム）で変
更でき、１回の処理に対して２ステップ以上の条件を変
えた設定が可能である。

【手続補正４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図３】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ポジ型電子線レジストを用いてクロム系材
料をエッチングしてパターン形成を行うクロム系材料の
パターン形成方法において、エッチングガスとして塩素ガスと、酸素ガスと、水素原
子及び酸素原子を少なくとも構成原子として分子中に有
するガスとの混合ガスを用いるとともに、該混合ガス中の前記水素原子及び酸素原子を少なくとも
構成原子として分子中に有するガスとの含有率が０．６
００〜０．７２０の範囲にあることを特徴とするクロム
系材料のパターン形成方法。
【請求項２】ポジ型電子線レジストが、ハロゲン原子を
含む骨格を有する材料から成ることを特徴とする請求項
１に記載のクロム系材料のパターン形成方法。
【請求項３】ポジ型電子線レジストが、フッ素原子を含
む骨格を有する材料から成ることを特徴とする請求項１
に記載のクロム系材料のパターン形成方法。
【請求項４】ポジ型電子線レジストが、塩素原子を含む
置換基を有するフッ素原子含有骨格を有することを特徴
とする請求項１に記載のクロム系材料のパターン形成方
法。
【請求項５】ポジ型電子線レジストが、ｐｏｌｙ〔２，
２，２−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌ−α−ｃｈｌｏ
ｒｏａｃｒｙｌ〕から成ることを特徴とする請求項１に
記載のクロム系材料のパターン形成方法。
【請求項６】ポジ型電子線レジストが、少なくともアク
リル系成分を単独重合成分もしくは共重合成分として有
することを特徴とする請求項１に記載のクロム系材料の
パターン形成方法。
【請求項７】ポジ型電子線レジストが、ＰＭＭＡ系重合
体を与える成分を単独重合成分もしくは共重合成分とし
て有することを特徴とする請求項１に記載のたクロム系
材料のパターン形成方法。
【請求項８】クロム系材料が、クロムまたは酸化クロム
を含む材料であることを特徴とする請求項１ないし７の
いずれかに記載のクロム系材料のパターン形成方法。
【請求項９】クロム系材料が、クロム系材料膜の積層構
造であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか
に記載のクロム系材料のパターン形成方法。
【請求項10】クロム系材料が、酸化クロム／クロム構
造、または酸化クロム／クロム／酸化クロム構造である
ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の
クロム系材料のパターン形成方法。
【請求項11】水素原子及び酸素原子を少なくとも構成原
子として分子中に有するガスが、水分を含む空気である
ことを特徴とする請求項１ないし10のいずれかに記載の
クロム系材料のパターン形成方法。
【請求項12】水素原子及び酸素原子を少なくとも構成原
子として分子中に有するガスが、水分を含む窒素ガスで
あることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記
載のクロム系材料のパターン形成方法。