JP2003248298A - フォトマスクブランク及びフォトマスク - Google Patents
フォトマスクブランク及びフォトマスクInfo
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- JP2003248298A JP2003248298A JP2002049136A JP2002049136A JP2003248298A JP 2003248298 A JP2003248298 A JP 2003248298A JP 2002049136 A JP2002049136 A JP 2002049136A JP 2002049136 A JP2002049136 A JP 2002049136A JP 2003248298 A JP2003248298 A JP 2003248298A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 露光光が透過する透明基板上に少なくと
も１層の遮光膜と少なくとも１層の反射防止膜とを積層
した複層膜を有するフォトマスクブランクであって、１
００℃の濃硫酸に２時間浸漬した前後の波長２４８〜６
００ｎｍにおける反射率変化量が２％以下であることを
特徴とするフォトマスクブランク。 【効果】 本発明によれば、耐薬品性が向上し、マスク
製造又はマスク使用の際の洗浄等による光学的特性の変
化が微小で、かつ総膜応力が小さい高精度なフォトマス
クブランク及びフォトマスクを提供することができる。
も１層の遮光膜と少なくとも１層の反射防止膜とを積層
した複層膜を有するフォトマスクブランクであって、１
００℃の濃硫酸に２時間浸漬した前後の波長２４８〜６
００ｎｍにおける反射率変化量が２％以下であることを
特徴とするフォトマスクブランク。 【効果】 本発明によれば、耐薬品性が向上し、マスク
製造又はマスク使用の際の洗浄等による光学的特性の変
化が微小で、かつ総膜応力が小さい高精度なフォトマス
クブランク及びフォトマスクを提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路又
は高密度集積回路などの製造工程において使用されるフ
ォトマスクブランク及びフォトマスクに関する。
は高密度集積回路などの製造工程において使用されるフ
ォトマスクブランク及びフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の高密度半導体集積
回路やＣＣＤ（電荷結合素子）やＬＣＤ（液晶表示素
子）用のカラーフィルターや磁気ヘッド等の微細加工に
は、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー技術が
用いられている。
回路やＣＣＤ（電荷結合素子）やＬＣＤ（液晶表示素
子）用のカラーフィルターや磁気ヘッド等の微細加工に
は、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー技術が
用いられている。
【０００３】この微細加工には、石英ガラス、アルミノ
シリケートガラス等の透明な基板の上に、一般的にはク
ロム膜からなる遮光膜をスパッタ又は真空蒸着等で形成
したフォトマスクブランクの遮光膜を所定のパターンに
形成したフォトマスクを用いている。
シリケートガラス等の透明な基板の上に、一般的にはク
ロム膜からなる遮光膜をスパッタ又は真空蒸着等で形成
したフォトマスクブランクの遮光膜を所定のパターンに
形成したフォトマスクを用いている。
【０００４】このようなフォトマスクは、基板上にクロ
ム系の遮光膜を成膜したフォトマスクブランクに、フォ
トレジストや電子線レジストを塗布した後、所定のパタ
ーンに選択的に露光し、現像工程、リンス工程及び乾燥
工程を経てレジストパターンを形成し、次いで、このレ
ジストパターンをマスクとして、硝酸セリウムアンモニ
ウムと過塩素酸の混合水溶液からなるエッチング液を用
いてウエットエッチングを行うか又は塩素ガスを用いた
ドライエッチングを行うことによりマスクされていない
部分のクロム系膜を除去し、その後レジストを除去する
ことにより遮光部と透光部とからなる所定のパターンを
有するフォトマスクを形成することができる。
ム系の遮光膜を成膜したフォトマスクブランクに、フォ
トレジストや電子線レジストを塗布した後、所定のパタ
ーンに選択的に露光し、現像工程、リンス工程及び乾燥
工程を経てレジストパターンを形成し、次いで、このレ
ジストパターンをマスクとして、硝酸セリウムアンモニ
ウムと過塩素酸の混合水溶液からなるエッチング液を用
いてウエットエッチングを行うか又は塩素ガスを用いた
ドライエッチングを行うことによりマスクされていない
部分のクロム系膜を除去し、その後レジストを除去する
ことにより遮光部と透光部とからなる所定のパターンを
有するフォトマスクを形成することができる。
【０００５】しかし、このクロム系の遮光膜は光反射率
が大きく、被露光物である半導体基板で反射した光が投
影レンズを通ってフォトマスクで反射し、再び半導体基
板に戻るため、これを防止するために、通常、遮光膜の
表面、又は表面及び裏面に反射防止膜を形成している。
が大きく、被露光物である半導体基板で反射した光が投
影レンズを通ってフォトマスクで反射し、再び半導体基
板に戻るため、これを防止するために、通常、遮光膜の
表面、又は表面及び裏面に反射防止膜を形成している。
【０００６】このようなフォトマスクに使用される反射
防止膜を形成したフォトマスクブランクの構造として
は、合成石英基板上に遮光膜をスパッタもしくは真空蒸
着等で形成し、更に遮光膜として用いるクロム膜の表層
部に、シリコンウェハから反射した露光光が再度反射さ
れるのを防止する反射防止膜を設けているもの（２層構
造膜）や、基板側にも反射防止膜を設けたもの（３層構
造膜）などがあり、基板側の反射防止膜としてクロム炭
化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜、
遮光膜としてクロム膜、表面側の反射防止膜としてクロ
ム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物
膜を順次積層したフォトマスクブランクが提案されてい
る（特公昭６２−３７３８５号公報）。また、反射防止
膜としてＣｒＯＮを用いたもの（特公昭６１−４６８２
１号公報）、ＣｒＮを用いたもの（特公昭６２−２７３
８６号公報、特公昭６２−２７３８７号公報）、更に、
窒化クロムを用いた単層膜（特公平４−１３３９号公
報）なども提案されている。
防止膜を形成したフォトマスクブランクの構造として
は、合成石英基板上に遮光膜をスパッタもしくは真空蒸
着等で形成し、更に遮光膜として用いるクロム膜の表層
部に、シリコンウェハから反射した露光光が再度反射さ
れるのを防止する反射防止膜を設けているもの（２層構
造膜）や、基板側にも反射防止膜を設けたもの（３層構
造膜）などがあり、基板側の反射防止膜としてクロム炭
化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜、
遮光膜としてクロム膜、表面側の反射防止膜としてクロ
ム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物
膜を順次積層したフォトマスクブランクが提案されてい
る（特公昭６２−３７３８５号公報）。また、反射防止
膜としてＣｒＯＮを用いたもの（特公昭６１−４６８２
１号公報）、ＣｒＮを用いたもの（特公昭６２−２７３
８６号公報、特公昭６２−２７３８７号公報）、更に、
窒化クロムを用いた単層膜（特公平４−１３３９号公
報）なども提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なフォトマスクは、透明基板上に形成されたレジストパ
ターンをマスクとしてドライエッチングで遮光膜及び反
射防止膜をエッチングすることによってパターンを形成
したものであるが、この場合、遮光膜や反射防止膜は、
フォトマスク製造における洗浄等の前処理やマスク使用
時の洗浄に使用される硫酸等の酸に弱く、この洗浄工程
で遮光膜又は反射防止膜の光学的特性（反射率）が変化
してしまうという問題ある。
なフォトマスクは、透明基板上に形成されたレジストパ
ターンをマスクとしてドライエッチングで遮光膜及び反
射防止膜をエッチングすることによってパターンを形成
したものであるが、この場合、遮光膜や反射防止膜は、
フォトマスク製造における洗浄等の前処理やマスク使用
時の洗浄に使用される硫酸等の酸に弱く、この洗浄工程
で遮光膜又は反射防止膜の光学的特性（反射率）が変化
してしまうという問題ある。
【０００８】また、パターンを正確に転写するために
は、基板が平坦であることが強く要求されるが、いかに
平坦な基板を用いても、この基板上に２層又は３層以上
の複数層のクロム系膜を形成すると、これら複数層のク
ロム系膜の膜応力が大きくなり、成膜前後で基板が反っ
てしまい、表面平坦度が低下するという問題がある。ま
た、膜自体の応力で基板の平坦度が変化したフォトマス
クブランクは、それ自体が平坦であっても、その後、ク
ロム系膜をパターンニングしてクロム系膜を除去する
と、応力が解放され、これにより平坦度が変化して、フ
ォトマスクが反ってしまい、このようなフォトマスクを
用いてシリコン基板等の上にマスクパターンを転写する
と転写されたパターンに歪みが生じてしまうという問題
がある。
は、基板が平坦であることが強く要求されるが、いかに
平坦な基板を用いても、この基板上に２層又は３層以上
の複数層のクロム系膜を形成すると、これら複数層のク
ロム系膜の膜応力が大きくなり、成膜前後で基板が反っ
てしまい、表面平坦度が低下するという問題がある。ま
た、膜自体の応力で基板の平坦度が変化したフォトマス
クブランクは、それ自体が平坦であっても、その後、ク
ロム系膜をパターンニングしてクロム系膜を除去する
と、応力が解放され、これにより平坦度が変化して、フ
ォトマスクが反ってしまい、このようなフォトマスクを
用いてシリコン基板等の上にマスクパターンを転写する
と転写されたパターンに歪みが生じてしまうという問題
がある。
【０００９】本発明は、上記問題点を改善するためにな
されたもので、フォトマスク製造の際の洗浄等による光
学的特性の変化が微小で、かつ膜応力が小さいフォトマ
スクブランク及びフォトマスクを提供することを目的と
している。
されたもので、フォトマスク製造の際の洗浄等による光
学的特性の変化が微小で、かつ膜応力が小さいフォトマ
スクブランク及びフォトマスクを提供することを目的と
している。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、露光光が透過する透明基板上に少なくとも１層の遮
光膜と少なくとも１層の反射防止膜とを積層した複層膜
を有するフォトマスクブランクの遮光膜、反射防止膜
を、好ましくは酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なく
とも１種を含むクロム系材料で形成し、更に複層膜の最
表面層をクロム酸化窒化物又は炭素含有量が４原子％以
下のクロム酸化窒化炭化物若しくはクロム酸化炭化物と
するなどによって、マスク加工時の光学的特性（特に、
反射率）の変化が微小となり、硫酸等の酸などに対する
耐薬品性が向上し、更に、基板上に形成された複層膜の
膜応力（総膜応力）が小さいフォトマスクブランクが得
られることを見出し、本発明をなすに至った。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、露光光が透過する透明基板上に少なくとも１層の遮
光膜と少なくとも１層の反射防止膜とを積層した複層膜
を有するフォトマスクブランクの遮光膜、反射防止膜
を、好ましくは酸素、窒素及び炭素から選ばれる少なく
とも１種を含むクロム系材料で形成し、更に複層膜の最
表面層をクロム酸化窒化物又は炭素含有量が４原子％以
下のクロム酸化窒化炭化物若しくはクロム酸化炭化物と
するなどによって、マスク加工時の光学的特性（特に、
反射率）の変化が微小となり、硫酸等の酸などに対する
耐薬品性が向上し、更に、基板上に形成された複層膜の
膜応力（総膜応力）が小さいフォトマスクブランクが得
られることを見出し、本発明をなすに至った。
【００１１】即ち、本発明は、下記のフォトマスクブラ
ンク及びフォトマスクを提供する。 請求項１：露光光が透過する透明基板上に少なくとも１
層の遮光膜と少なくとも１層の反射防止膜とを積層した
複層膜を有するフォトマスクブランクであって、１００
℃の濃硫酸に２時間浸漬した前後の波長２４８〜６００
ｎｍにおける反射率変化量が２％以下であることを特徴
とするフォトマスクブランク。 請求項２：遮光膜又は反射防止膜を、酸素、窒素及び炭
素から選ばれる少なくとも１種を含むクロム系材料で形
成したことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクブ
ランク。 請求項３：複層膜の最表面層が、クロム酸化窒化物又は
炭素含有量が４原子％以下のクロム酸化窒化炭化物若し
くはクロム酸化炭化物からなることを特徴とする請求項
２記載のフォトマスクブランク。 請求項４：複層膜の最表面層の膜厚が２〜７０ｎｍであ
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載
のフォトマスクブランク。 請求項５：複層膜の膜応力が１００ＭＰａ以下であるこ
とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のフ
ォトマスクブランク。 請求項６：請求項１乃至５のいずれか１項記載のフォト
マスクブランクをリソグラフィ法によりパターン形成し
てなることを特徴とするフォトマスク。
ンク及びフォトマスクを提供する。 請求項１：露光光が透過する透明基板上に少なくとも１
層の遮光膜と少なくとも１層の反射防止膜とを積層した
複層膜を有するフォトマスクブランクであって、１００
℃の濃硫酸に２時間浸漬した前後の波長２４８〜６００
ｎｍにおける反射率変化量が２％以下であることを特徴
とするフォトマスクブランク。 請求項２：遮光膜又は反射防止膜を、酸素、窒素及び炭
素から選ばれる少なくとも１種を含むクロム系材料で形
成したことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクブ
ランク。 請求項３：複層膜の最表面層が、クロム酸化窒化物又は
炭素含有量が４原子％以下のクロム酸化窒化炭化物若し
くはクロム酸化炭化物からなることを特徴とする請求項
２記載のフォトマスクブランク。 請求項４：複層膜の最表面層の膜厚が２〜７０ｎｍであ
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載
のフォトマスクブランク。 請求項５：複層膜の膜応力が１００ＭＰａ以下であるこ
とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のフ
ォトマスクブランク。 請求項６：請求項１乃至５のいずれか１項記載のフォト
マスクブランクをリソグラフィ法によりパターン形成し
てなることを特徴とするフォトマスク。
【００１２】本発明のフォトマスクブランクは、１００
℃の濃硫酸に２時間浸漬した前後の反射率変化量が２％
以下であり、フォトマスク製造における洗浄等の前処理
や得られたフォトマスク使用時の洗浄に使用される硫酸
に接触しても反射率の変化量が小さい耐薬品性に優れた
ものであり、総膜応力も極めて小さいため、優れた光学
的特性（反射率）を有し、所望とする微細なパターンが
歪むことなく正確に形成されたフォトマスクを得ること
ができ、更なる半導体集積回路装置における高集積化、
微細化に十分対応することができるものである。
℃の濃硫酸に２時間浸漬した前後の反射率変化量が２％
以下であり、フォトマスク製造における洗浄等の前処理
や得られたフォトマスク使用時の洗浄に使用される硫酸
に接触しても反射率の変化量が小さい耐薬品性に優れた
ものであり、総膜応力も極めて小さいため、優れた光学
的特性（反射率）を有し、所望とする微細なパターンが
歪むことなく正確に形成されたフォトマスクを得ること
ができ、更なる半導体集積回路装置における高集積化、
微細化に十分対応することができるものである。
【００１３】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。本発明のフォトマスクブランクは、露光光が透過す
る透明基板上に少なくとも１層の遮光膜と少なくとも１
層の反射防止膜とを積層した複層膜を有するフォトマス
クブランクであり、上記フォトマスクブランクを１００
℃の濃硫酸に２時間浸漬した前後の波長２４８〜６００
ｎｍにおける反射率変化量が２％以下（即ち、反射率２
％増加から２％減少の範囲）であるものである。
る。本発明のフォトマスクブランクは、露光光が透過す
る透明基板上に少なくとも１層の遮光膜と少なくとも１
層の反射防止膜とを積層した複層膜を有するフォトマス
クブランクであり、上記フォトマスクブランクを１００
℃の濃硫酸に２時間浸漬した前後の波長２４８〜６００
ｎｍにおける反射率変化量が２％以下（即ち、反射率２
％増加から２％減少の範囲）であるものである。
【００１４】上記基板としては、露光光を透過する透明
なものであれば特に制限されず、例えば、石英ガラス、
アルミノシリケートガラス、フッ化カルシウム、フッ化
マグネシウムなどを好ましく用いることができる。
なものであれば特に制限されず、例えば、石英ガラス、
アルミノシリケートガラス、フッ化カルシウム、フッ化
マグネシウムなどを好ましく用いることができる。
【００１５】一方、上記複層膜において、遮光膜と反射
防止膜の積層順、積層数は特に限定されないが、基板か
ら最も離れた層が反射防止膜であることが好ましく、特
に、遮光膜及び反射防止膜を、図１に示したように、透
明基板１上に遮光膜２、反射防止膜３、反射防止膜４の
順に積層した３層構造のものや、図２に示したように、
透明基板１上に反射防止膜３、遮光膜２、反射防止膜
３’、反射防止膜４の順に積層した４層構造のものが好
ましい。
防止膜の積層順、積層数は特に限定されないが、基板か
ら最も離れた層が反射防止膜であることが好ましく、特
に、遮光膜及び反射防止膜を、図１に示したように、透
明基板１上に遮光膜２、反射防止膜３、反射防止膜４の
順に積層した３層構造のものや、図２に示したように、
透明基板１上に反射防止膜３、遮光膜２、反射防止膜
３’、反射防止膜４の順に積層した４層構造のものが好
ましい。
【００１６】上記遮光膜及び反射防止膜としては、酸
素、窒素及び炭素から選ばれる少なくとも１種を含むク
ロム系材料で形成したものであることが好ましく、特
に、クロム酸化炭化物（ＣｒＣＯ）、クロム酸化窒化炭
化物（ＣｒＣＯＮ）又はクロム酸化窒化物（ＣｒＯＮ）
からなるものが好ましい。
素、窒素及び炭素から選ばれる少なくとも１種を含むク
ロム系材料で形成したものであることが好ましく、特
に、クロム酸化炭化物（ＣｒＣＯ）、クロム酸化窒化炭
化物（ＣｒＣＯＮ）又はクロム酸化窒化物（ＣｒＯＮ）
からなるものが好ましい。
【００１７】また、本発明のフォトマスクブランクにお
いては、上記遮光膜及び反射防止膜からなる複層膜の最
表面層の炭素含有量が４原子％以下（即ち、０〜４原子
％）、特に２原子％以下（即ち、０〜２原子％）である
ことが好ましい。炭素含有量が４原子％を超えると硫酸
等の酸に対する耐薬品性が低下し、フォトマスクブラン
クやこれから得られたフォトマスクの光学特性である反
射率の変化が大きくなり、微細なパターンを精度よく転
写することができなくなる恐れがある。
いては、上記遮光膜及び反射防止膜からなる複層膜の最
表面層の炭素含有量が４原子％以下（即ち、０〜４原子
％）、特に２原子％以下（即ち、０〜２原子％）である
ことが好ましい。炭素含有量が４原子％を超えると硫酸
等の酸に対する耐薬品性が低下し、フォトマスクブラン
クやこれから得られたフォトマスクの光学特性である反
射率の変化が大きくなり、微細なパターンを精度よく転
写することができなくなる恐れがある。
【００１８】特に、上記最表面層がクロム酸化窒化炭化
物、クロム酸化炭化物等の炭素を含有するクロム系材料
である場合には、その炭素含有量が０．０１〜４原子
％、好ましくは０．０１〜２原子％、特に好ましくは
０．１〜２原子％、更に好ましくは１〜２原子％である
ことが好ましい。なお、図１，２においては反射防止膜
４が最表面層に相当する。
物、クロム酸化炭化物等の炭素を含有するクロム系材料
である場合には、その炭素含有量が０．０１〜４原子
％、好ましくは０．０１〜２原子％、特に好ましくは
０．１〜２原子％、更に好ましくは１〜２原子％である
ことが好ましい。なお、図１，２においては反射防止膜
４が最表面層に相当する。
【００１９】なお、上記最表面層がクロム酸化窒化物
（ＣｒＯＮ）である場合、その組成は、ＣｒＯＮ膜の場
合はＯが３０〜７０原子％、Ｎが１〜６０原子％、残部
がＣｒであることが好ましく、クロム酸化窒化炭化物
（ＣｒＣＯＮ）である場合は、Ｃが上述の範囲であると
共に、Ｏが３０〜７０原子％、Ｎが１〜３０原子％、残
部がＣｒであることが好ましい。
（ＣｒＯＮ）である場合、その組成は、ＣｒＯＮ膜の場
合はＯが３０〜７０原子％、Ｎが１〜６０原子％、残部
がＣｒであることが好ましく、クロム酸化窒化炭化物
（ＣｒＣＯＮ）である場合は、Ｃが上述の範囲であると
共に、Ｏが３０〜７０原子％、Ｎが１〜３０原子％、残
部がＣｒであることが好ましい。
【００２０】更に、最表面層の膜厚は２〜７０ｎｍであ
ることが好ましい。より好ましくは５〜７０ｎｍであ
る。膜厚が２ｎｍ未満であると耐薬品性が低下する恐れ
がある、また７０ｎｍを超えると膜応力が大きくなる恐
れがある。
ることが好ましい。より好ましくは５〜７０ｎｍであ
る。膜厚が２ｎｍ未満であると耐薬品性が低下する恐れ
がある、また７０ｎｍを超えると膜応力が大きくなる恐
れがある。
【００２１】一方、上記最表面層以外の遮光膜及び反射
防止膜の組成や膜厚は、特に限定されないが、ＣｒＣＯ
膜の場合はＣが１〜２０原子％、Ｏが５〜６０原子％、
残部がＣｒ、ＣｒＣＯＮ膜の場合はＣが１〜２０原子
％、Ｏが５〜６０原子％、Ｎが１〜６０原子％、残部が
Ｃｒ、ＣｒＯＮ膜の場合はＯが３０〜７０原子％、Ｎが
１〜６０原子％、残部がＣｒであることが好ましく、ま
た、膜厚は、遮光膜の場合は１０〜９０ｎｍ、特に２０
〜８０ｎｍであることが好ましく、反射防止膜の場合は
５〜８０ｎｍ、特に１０〜７０ｎｍであることが好まし
い。
防止膜の組成や膜厚は、特に限定されないが、ＣｒＣＯ
膜の場合はＣが１〜２０原子％、Ｏが５〜６０原子％、
残部がＣｒ、ＣｒＣＯＮ膜の場合はＣが１〜２０原子
％、Ｏが５〜６０原子％、Ｎが１〜６０原子％、残部が
Ｃｒ、ＣｒＯＮ膜の場合はＯが３０〜７０原子％、Ｎが
１〜６０原子％、残部がＣｒであることが好ましく、ま
た、膜厚は、遮光膜の場合は１０〜９０ｎｍ、特に２０
〜８０ｎｍであることが好ましく、反射防止膜の場合は
５〜８０ｎｍ、特に１０〜７０ｎｍであることが好まし
い。
【００２２】また、本発明のフォトマスクブランクにお
いては、複層膜の膜応力（総膜応力）が１００ＭＰａ以
下（即ち、０〜１００ＭＰａ）、特に８０ＭＰａ以下
（即ち、０〜８０ＭＰａ）、とりわけ６０ＭＰａ以下
（即ち０〜６０ＭＰａ）であることが好ましい。総膜応
力が１００ＭＰａを超えると、フォトマスクとしてパタ
ーンを形成して膜の応力が解放されたときに、パターン
に歪みが生じ、要求される寸法制度が得られなくなる場
合がある。
いては、複層膜の膜応力（総膜応力）が１００ＭＰａ以
下（即ち、０〜１００ＭＰａ）、特に８０ＭＰａ以下
（即ち、０〜８０ＭＰａ）、とりわけ６０ＭＰａ以下
（即ち０〜６０ＭＰａ）であることが好ましい。総膜応
力が１００ＭＰａを超えると、フォトマスクとしてパタ
ーンを形成して膜の応力が解放されたときに、パターン
に歪みが生じ、要求される寸法制度が得られなくなる場
合がある。
【００２３】本発明のフォトマスクブランクは、例え
ば、ターゲットとしてクロムを用いた反応性スパッタリ
ングにより、遮光膜及び反射防止膜を基板上に形成して
得ることができる。
ば、ターゲットとしてクロムを用いた反応性スパッタリ
ングにより、遮光膜及び反射防止膜を基板上に形成して
得ることができる。
【００２４】ターゲットとしてはクロム単体だけでなく
クロムが主成分であるものであればよく、酸素、窒素、
炭素のいずれかを含むクロム、又は酸素、窒素、炭素を
組み合わせたものをクロムに添加したターゲットを用い
てもよい。
クロムが主成分であるものであればよく、酸素、窒素、
炭素のいずれかを含むクロム、又は酸素、窒素、炭素を
組み合わせたものをクロムに添加したターゲットを用い
てもよい。
【００２５】スパッタリング方法としては、直流（Ｄ
Ｃ）電源を用いたものでも、高周波（ＲＦ）電源を用い
たものでもよく、またマグネトロンスパッタリング方式
であっても、コンベンショナル方式であってもよいが、
ＤＣスパッタリングは機構が単純であり好ましい。ま
た、マグネトロンスパッタリングを用いた場合、成膜速
度が速くなり、生産性が向上する点から好ましい。な
お、成膜装置は通過型でも枚葉型でも構わない。
Ｃ）電源を用いたものでも、高周波（ＲＦ）電源を用い
たものでもよく、またマグネトロンスパッタリング方式
であっても、コンベンショナル方式であってもよいが、
ＤＣスパッタリングは機構が単純であり好ましい。ま
た、マグネトロンスパッタリングを用いた場合、成膜速
度が速くなり、生産性が向上する点から好ましい。な
お、成膜装置は通過型でも枚葉型でも構わない。
【００２６】具体的には、反応性スパッタリングにより
遮光膜又は反射防止膜としてクロム酸化炭化物（ＣｒＣ
Ｏ）膜を成膜する場合、スパッタガスとしてＣＨ4、Ｃ
Ｏ2、ＣＯ等の炭素を含むガスとＣＯ2、Ｏ2等の酸素を
含むガスをそれぞれ１種以上導入する。また、これらに
Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ等の不活性ガスを添加することもでき
る。これらのガスは、チャンバ内に別々に導入しても予
め混合して導入してもよい。
遮光膜又は反射防止膜としてクロム酸化炭化物（ＣｒＣ
Ｏ）膜を成膜する場合、スパッタガスとしてＣＨ4、Ｃ
Ｏ2、ＣＯ等の炭素を含むガスとＣＯ2、Ｏ2等の酸素を
含むガスをそれぞれ１種以上導入する。また、これらに
Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ等の不活性ガスを添加することもでき
る。これらのガスは、チャンバ内に別々に導入しても予
め混合して導入してもよい。
【００２７】特に、スパッタガスとしてＣＯ2、又はＣ
Ｏ2と不活性ガスとの混合ガスを用いると安全であり、
ＣＯ2ガスはＯ2等より反応性が低いが故に、チャンバ内
の広範囲に均一にガスを回り込ませることができ、成膜
されるＣｒＣＯ膜の膜質が均一になる点から好ましい。
Ｏ2と不活性ガスとの混合ガスを用いると安全であり、
ＣＯ2ガスはＯ2等より反応性が低いが故に、チャンバ内
の広範囲に均一にガスを回り込ませることができ、成膜
されるＣｒＣＯ膜の膜質が均一になる点から好ましい。
【００２８】クロム酸化窒化炭化物（ＣｒＣＯＮ）膜を
成膜する場合、スパッタガスとしてＣＨ4、ＣＯ2、ＣＯ
等の炭素を含むガスとＣＯ2、Ｏ2等の酸素を含むガスと
Ｎ2、ＮＯ、Ｎ2Ｏ等の窒素を含むガスをそれぞれ１種以
上導入する。また、これらにＡｒ、Ｎｅ、Ｋｒ等の不活
性ガスを添加することもできる。これらのガスは、チャ
ンバ内に別々に導入しても予め混合して導入してもよ
い。
成膜する場合、スパッタガスとしてＣＨ4、ＣＯ2、ＣＯ
等の炭素を含むガスとＣＯ2、Ｏ2等の酸素を含むガスと
Ｎ2、ＮＯ、Ｎ2Ｏ等の窒素を含むガスをそれぞれ１種以
上導入する。また、これらにＡｒ、Ｎｅ、Ｋｒ等の不活
性ガスを添加することもできる。これらのガスは、チャ
ンバ内に別々に導入しても予め混合して導入してもよ
い。
【００２９】特に、スパッタガスとしてＣＯ2とＮ2との
混合ガス、又はＣＯ2とＮ2と不活性ガスとの混合ガスを
用いると安全であり、ＣＯ2ガスはＯ2等より反応性が低
いが故に、チャンバ内の広範囲に均一にガスを回り込ま
せることができ、成膜されるＣｒＣＯＮ膜の膜質が均一
になる点から好ましい。
混合ガス、又はＣＯ2とＮ2と不活性ガスとの混合ガスを
用いると安全であり、ＣＯ2ガスはＯ2等より反応性が低
いが故に、チャンバ内の広範囲に均一にガスを回り込ま
せることができ、成膜されるＣｒＣＯＮ膜の膜質が均一
になる点から好ましい。
【００３０】クロム酸化窒化物（ＣｒＯＮ）膜を成膜す
る場合、スパッタガスとしてＮＯ、Ｏ2等の酸素を含む
ガスとＮ2、ＮＯ、Ｎ2Ｏ等の窒素を含むガスをそれぞれ
１種以上導入する。また、これらにＡｒ、Ｎｅ、Ｋｒ等
の不活性ガスを添加することもできる。これらのガス
は、チャンバ内に別々に導入しても予め混合して導入し
てもよい。
る場合、スパッタガスとしてＮＯ、Ｏ2等の酸素を含む
ガスとＮ2、ＮＯ、Ｎ2Ｏ等の窒素を含むガスをそれぞれ
１種以上導入する。また、これらにＡｒ、Ｎｅ、Ｋｒ等
の不活性ガスを添加することもできる。これらのガス
は、チャンバ内に別々に導入しても予め混合して導入し
てもよい。
【００３１】なお、最表面層として、クロム酸化炭化物
（ＣｒＣＯ）膜、クロム酸化窒化炭化物（ＣｒＣＯＮ）
膜等の炭素を含む膜を形成する場合、上記の方法におい
て炭素を含むガスの流量を調整することによって目的と
する炭素含有量に制御することができる。
（ＣｒＣＯ）膜、クロム酸化窒化炭化物（ＣｒＣＯＮ）
膜等の炭素を含む膜を形成する場合、上記の方法におい
て炭素を含むガスの流量を調整することによって目的と
する炭素含有量に制御することができる。
【００３２】このようにして得られた本発明のフォトマ
スクブランクをリソグラフィ法によりパターン形成する
ことによりフォトマスクを得ることができる。
スクブランクをリソグラフィ法によりパターン形成する
ことによりフォトマスクを得ることができる。
【００３３】具体的には、図３（Ａ）に示したように、
透明基板１の上に反射防止膜３、遮光膜２、反射防止膜
３’、反射防止膜４を順次形成した後、最表面層である
反射防止膜４の上にレジスト膜５を形成し、図３（Ｂ）
に示したように、レジスト膜５をパターニングし、更
に、図３（Ｃ）に示したように、反射防止膜４、反射防
止膜３’、遮光膜２及び反射防止膜３をドライエッチン
グ又はウェットエッチングした後、図３（Ｄ）に示した
ように、レジスト膜５を剥離する方法が採用され得る。
この場合、レジスト膜の塗布、パターニング（露光、現
像）、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うこ
とができる。
透明基板１の上に反射防止膜３、遮光膜２、反射防止膜
３’、反射防止膜４を順次形成した後、最表面層である
反射防止膜４の上にレジスト膜５を形成し、図３（Ｂ）
に示したように、レジスト膜５をパターニングし、更
に、図３（Ｃ）に示したように、反射防止膜４、反射防
止膜３’、遮光膜２及び反射防止膜３をドライエッチン
グ又はウェットエッチングした後、図３（Ｄ）に示した
ように、レジスト膜５を剥離する方法が採用され得る。
この場合、レジスト膜の塗布、パターニング（露光、現
像）、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うこ
とができる。
【００３４】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。
【００３５】［実施例１］６”の角形石英基板上に金属
クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡ
ｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓ
ｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．
６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる
反射防止膜（膜厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯ
Ｎ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２
原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子
％含まれていた。
クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡ
ｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓ
ｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．
６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる
反射防止膜（膜厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯ
Ｎ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２
原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子
％含まれていた。
【００３６】この反射防止膜上に金属クロムをターゲッ
トとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を０．７ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．
３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法に
てＣｒＣＯからなる遮光膜（膜厚７０ｎｍ）を成膜し
た。このＣｒＣＯ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結
果、Ｃｒが６９原子％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子
％含まれていた。
トとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を０．７ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．
３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法に
てＣｒＣＯからなる遮光膜（膜厚７０ｎｍ）を成膜し
た。このＣｒＣＯ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結
果、Ｃｒが６９原子％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子
％含まれていた。
【００３７】次に、この遮光膜上に金属クロムをターゲ
ットとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ流し、放
電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2の
ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる反射防止膜（膜
厚２５ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯＮ膜の組成をＥ
ＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５
原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれてい
た。
ットとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ流し、放
電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2の
ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる反射防止膜（膜
厚２５ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯＮ膜の組成をＥ
ＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５
原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれてい
た。
【００３８】更に、この反射防止膜上に金属クロムをタ
ーゲットとし、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を２ｓｃｃ
ｍ、Ｎ2Ｏを４８ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３
Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にて
ＣｒＣＯＮからなる反射防止膜（膜厚３ｎｍ）を最表面
層として成膜し、基板上に４層の膜が積層された複層膜
が形成されたフォトマスクブランクを得た。なお、この
最表面層であるＣｒＣＯＮ膜の組成をＥＳＣＡにより分
析した結果、Ｃｒが３３原子％、Ｃが２原子％、Ｏが５
０原子％、Ｎが１５原子％含まれていた。
ーゲットとし、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を２ｓｃｃ
ｍ、Ｎ2Ｏを４８ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３
Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にて
ＣｒＣＯＮからなる反射防止膜（膜厚３ｎｍ）を最表面
層として成膜し、基板上に４層の膜が積層された複層膜
が形成されたフォトマスクブランクを得た。なお、この
最表面層であるＣｒＣＯＮ膜の組成をＥＳＣＡにより分
析した結果、Ｃｒが３３原子％、Ｃが２原子％、Ｏが５
０原子％、Ｎが１５原子％含まれていた。
【００３９】得られたフォトマスクブランクの複層膜の
膜応力（総膜応力）は６０ＭＰａであり、１００℃の濃
硫酸に２時間浸漬した前後の反射率の変化量は、波長２
４８ｎｍの光では−０．６６％、３６５ｎｍでは＋０．
４０％、４３６ｎｍでは＋０．９６％、４８８ｎｍでは
＋１．２８％、６００ｎｍでは＋１．３８％であった。
結果を表１に示す。なお、上記において−は反射率の減
少、＋は反射率の増加を表す（以下同じ）。
膜応力（総膜応力）は６０ＭＰａであり、１００℃の濃
硫酸に２時間浸漬した前後の反射率の変化量は、波長２
４８ｎｍの光では−０．６６％、３６５ｎｍでは＋０．
４０％、４３６ｎｍでは＋０．９６％、４８８ｎｍでは
＋１．２８％、６００ｎｍでは＋１．３８％であった。
結果を表１に示す。なお、上記において−は反射率の減
少、＋は反射率の増加を表す（以下同じ）。
【００４０】［実施例２］６”の角形石英基板上に金属
クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡ
ｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓ
ｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．
６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる
反射防止膜（膜厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯ
Ｎ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２
原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子
％含まれていた。
クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡ
ｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓ
ｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．
６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる
反射防止膜（膜厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯ
Ｎ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２
原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子
％含まれていた。
【００４１】この反射防止膜上に金属クロムをターゲッ
トとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を０．７ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．
３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法に
てＣｒＣＯからなる遮光膜（膜厚７０ｎｍ）を成膜し
た。このＣｒＣＯ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結
果、Ｃｒが６９原子％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子
％含まれていた。
トとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を０．７ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．
３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法に
てＣｒＣＯからなる遮光膜（膜厚７０ｎｍ）を成膜し
た。このＣｒＣＯ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結
果、Ｃｒが６９原子％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子
％含まれていた。
【００４２】次に、この遮光膜上に金属クロムをターゲ
ットとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を５ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏを２０ｓｃｃｍ流し、放
電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2の
ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる反射防止膜（膜
厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯＮ膜の組成をＥ
ＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４４原子％、Ｃが５
原子％、Ｏが３８原子％、Ｎが１３原子％含まれてい
た。
ットとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を５ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏを２０ｓｃｃｍ流し、放
電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2の
ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる反射防止膜（膜
厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯＮ膜の組成をＥ
ＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４４原子％、Ｃが５
原子％、Ｏが３８原子％、Ｎが１３原子％含まれてい
た。
【００４３】更に、この反射防止膜上に金属クロムをタ
ーゲットとし、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏを４８ｓｃ
ｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．６
Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＯＮからなる反射
防止膜（膜厚１０ｎｍ）を最表面層として成膜し、基板
上に４層の膜が積層された複層膜が形成されたフォトマ
スクブランクを得た。なお、この最表面層であるＣｒＯ
Ｎ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが３３
原子％、Ｏが５５原子％、Ｎが１２原子％含まれてい
た。
ーゲットとし、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏを４８ｓｃ
ｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．６
Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＯＮからなる反射
防止膜（膜厚１０ｎｍ）を最表面層として成膜し、基板
上に４層の膜が積層された複層膜が形成されたフォトマ
スクブランクを得た。なお、この最表面層であるＣｒＯ
Ｎ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが３３
原子％、Ｏが５５原子％、Ｎが１２原子％含まれてい
た。
【００４４】得られたフォトマスクブランクの複層膜の
膜応力（総膜応力）は８０ＭＰａであり、１００℃の濃
硫酸に２時間浸漬した前後の反射率の変化量は、波長２
４８ｎｍの光では−０．２１％、３６５ｎｍでは＋０．
１７％、４３６ｎｍでは＋０．３６％、４８８ｎｍでは
＋０．４４％、６００ｎｍでは＋０．４３％であった。
結果を表１に示す。
膜応力（総膜応力）は８０ＭＰａであり、１００℃の濃
硫酸に２時間浸漬した前後の反射率の変化量は、波長２
４８ｎｍの光では−０．２１％、３６５ｎｍでは＋０．
１７％、４３６ｎｍでは＋０．３６％、４８８ｎｍでは
＋０．４４％、６００ｎｍでは＋０．４３％であった。
結果を表１に示す。
【００４５】［比較例１］６”の角形石英基板上に金属
クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡ
ｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓ
ｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．
６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる
反射防止膜（膜厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯ
Ｎ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２
原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子
％含まれていた。
クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡ
ｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓ
ｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．
６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮからなる
反射防止膜（膜厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＣＯ
Ｎ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２
原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子
％含まれていた。
【００４６】この反射防止膜上に金属クロムをターゲッ
トとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を０．７ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．
３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法に
てＣｒＣＯからなる遮光膜（膜厚７０ｎｍ）を成膜し
た。このＣｒＣＯ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結
果、Ｃｒが６９原子％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子
％含まれていた。
トとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、ＣＯ2を０．７ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．
３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法に
てＣｒＣＯからなる遮光膜（膜厚７０ｎｍ）を成膜し
た。このＣｒＣＯ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結
果、Ｃｒが６９原子％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子
％含まれていた。
【００４７】更に、この遮光膜上に金属クロムをターゲ
ットとし、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃ
ｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐ
ａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣ
ｒＣＯＮからなる反射防止膜（膜厚２５ｎｍ）を最表面
層として成膜し、基板上に３層の膜が積層された複層膜
が形成されたフォトマスクブランクを得た。なお、この
最表面層であるＣｒＣＯＮ膜の組成をＥＳＣＡにより分
析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４
３原子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
ットとし、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、ＣＯ2を１４ｓｃｃ
ｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐ
ａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣ
ｒＣＯＮからなる反射防止膜（膜厚２５ｎｍ）を最表面
層として成膜し、基板上に３層の膜が積層された複層膜
が形成されたフォトマスクブランクを得た。なお、この
最表面層であるＣｒＣＯＮ膜の組成をＥＳＣＡにより分
析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４
３原子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
【００４８】得られたフォトマスクブランクの複層膜の
膜応力（総膜応力）は６０ＭＰａであり、１００℃の濃
硫酸に２時間浸漬した前後の反射率の変化量は、波長２
４８ｎｍの光では＋４．５％、３６５ｎｍでは＋１０．
２％、４３６ｎｍでは＋１２．６％、４８８ｎｍでは＋
１２．６％、６００ｎｍでは＋１０．０％であった。結
果を表１に示す。
膜応力（総膜応力）は６０ＭＰａであり、１００℃の濃
硫酸に２時間浸漬した前後の反射率の変化量は、波長２
４８ｎｍの光では＋４．５％、３６５ｎｍでは＋１０．
２％、４３６ｎｍでは＋１２．６％、４８８ｎｍでは＋
１２．６％、６００ｎｍでは＋１０．０％であった。結
果を表１に示す。
【００４９】［比較例２］６”の角形石英基板上に金属
クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡ
ｒを３２ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏを１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓ
ｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．
６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＯＮからなる反
射防止膜（膜厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＯＮ膜
の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが５０原子
％、Ｏが２８原子％、Ｎが２２原子％含まれていた。
クロムターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡ
ｒを３２ｓｃｃｍ、Ｎ2Ｏを１４ｓｃｃｍ、Ｎ2を１０ｓ
ｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐａ、投入電力６．
６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣｒＯＮからなる反
射防止膜（膜厚１０ｎｍ）を成膜した。このＣｒＯＮ膜
の組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが５０原子
％、Ｏが２８原子％、Ｎが２２原子％含まれていた。
【００５０】この反射防止膜上に金属クロムをターゲッ
トとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、Ｎ2Ｏを０．７ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．
３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法に
てＣｒＯＮからなる遮光膜（膜厚７０ｎｍ）を成膜し
た。このＣｒＯＮ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結
果、Ｃｒが７２原子％、Ｏが１２原子％、Ｎが１３原子
％含まれていた。
トとし、スパッタリングガスとしてＡｒを３２ｓｃｃ
ｍ、Ｎ2Ｏを０．７ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．
３Ｐａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法に
てＣｒＯＮからなる遮光膜（膜厚７０ｎｍ）を成膜し
た。このＣｒＯＮ膜の組成をＥＳＣＡにより分析した結
果、Ｃｒが７２原子％、Ｏが１２原子％、Ｎが１３原子
％含まれていた。
【００５１】更に、この遮光膜上に金属クロムをターゲ
ットとし、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、Ｎ 2Ｏを１４ｓｃｃ
ｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐ
ａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣ
ｒＯＮからなる反射防止膜（膜厚２５ｎｍ）を最表面層
として成膜し、基板上に３層の膜が積層された複層膜が
形成されたフォトマスクブランクを得た。なお、この最
表面層であるＣｒＯＮ膜の組成をＥＳＣＡにより分析し
た結果、Ｃｒが３７原子％、Ｏが４８原子％、Ｎが１５
原子％含まれていた。
ットとし、Ａｒを３２ｓｃｃｍ、Ｎ 2Ｏを１４ｓｃｃ
ｍ、Ｎ2を１０ｓｃｃｍ流し、放電中のガス圧０．３Ｐ
ａ、投入電力６．６Ｗ／ｃｍ2のＤＣスパッタ法にてＣ
ｒＯＮからなる反射防止膜（膜厚２５ｎｍ）を最表面層
として成膜し、基板上に３層の膜が積層された複層膜が
形成されたフォトマスクブランクを得た。なお、この最
表面層であるＣｒＯＮ膜の組成をＥＳＣＡにより分析し
た結果、Ｃｒが３７原子％、Ｏが４８原子％、Ｎが１５
原子％含まれていた。
【００５２】得られたフォトマスクブランクの複層膜の
膜応力（総膜応力）は５６０ＭＰａであり、１００℃の
濃硫酸に２時間浸漬した前後の反射率の変化量は、波長
２４８ｎｍの光では−０．４７％、３６５ｎｍでは−
０．２４％、４３６ｎｍでは＋０．０３％、４８８ｎｍ
では＋０．４０％、６００ｎｍでは＋０．４０％であっ
た。結果を表１に示す。
膜応力（総膜応力）は５６０ＭＰａであり、１００℃の
濃硫酸に２時間浸漬した前後の反射率の変化量は、波長
２４８ｎｍの光では−０．４７％、３６５ｎｍでは−
０．２４％、４３６ｎｍでは＋０．０３％、４８８ｎｍ
では＋０．４０％、６００ｎｍでは＋０．４０％であっ
た。結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、耐薬品性が向上し、マ
スク製造又はマスク使用の際の洗浄等による光学的特性
の変化が微小で、かつ総膜応力が小さい高精度なフォト
マスクブランク及びフォトマスクを提供することができ
る。
スク製造又はマスク使用の際の洗浄等による光学的特性
の変化が微小で、かつ総膜応力が小さい高精度なフォト
マスクブランク及びフォトマスクを提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係るフォトマスクブランク
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係るフォトマスクブラン
クの断面図である。
クの断面図である。
【図３】フォトマスクの製造方法を示した説明図であ
り、（Ａ）はレジスト膜を形成した状態、（Ｂ）はレジ
スト膜をパターニングした状態、（Ｃ）は複層膜のエッ
チングを行った状態、（Ｄ）はレジスト膜を除去した状
態の概略断面図である。
り、（Ａ）はレジスト膜を形成した状態、（Ｂ）はレジ
スト膜をパターニングした状態、（Ｃ）は複層膜のエッ
チングを行った状態、（Ｄ）はレジスト膜を除去した状
態の概略断面図である。
１ 透明基板
２ 遮光膜
３，３’ 反射防止膜
４ 反射防止膜（最表面層）
５ レジスト膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 金子 英雄
新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１
信越化学工業株式会社新機能材料技術研究
所内
(72)発明者 稲月 判臣
新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１
信越化学工業株式会社新機能材料技術研究
所内
(72)発明者 岡崎 智
新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１
信越化学工業株式会社新機能材料技術研究
所内
Ｆターム(参考） 2H095 BB31 BB35 BB37 BC05 BC11
BC13 BC14 BD01
Claims (6)
- 【請求項１】 露光光が透過する透明基板上に少なくと
も１層の遮光膜と少なくとも１層の反射防止膜とを積層
した複層膜を有するフォトマスクブランクであって、１
００℃の濃硫酸に２時間浸漬した前後の波長２４８〜６
００ｎｍにおける反射率変化量が２％以下であることを
特徴とするフォトマスクブランク。 - 【請求項２】 遮光膜又は反射防止膜を、酸素、窒素及
び炭素から選ばれる少なくとも１種を含むクロム系材料
で形成したことを特徴とする請求項１記載のフォトマス
クブランク。 - 【請求項３】 複層膜の最表面層が、クロム酸化窒化物
又は炭素含有量が４原子％以下のクロム酸化窒化炭化物
若しくはクロム酸化炭化物からなることを特徴とする請
求項２記載のフォトマスクブランク。 - 【請求項４】 複層膜の最表面層の膜厚が２〜７０ｎｍ
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
記載のフォトマスクブランク。 - 【請求項５】 複層膜の膜応力が１００ＭＰａ以下であ
ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載
のフォトマスクブランク。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項記載のフ
ォトマスクブランクをリソグラフィ法によりパターン形
成してなることを特徴とするフォトマスク。
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|---|---|
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009123167A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクおよびその製造方法 |
| CN102654730A (zh) * | 2005-07-21 | 2012-09-05 | 信越化学工业株式会社 | 光掩模坯、光掩模及其制作方法 |
| US8404406B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-03-26 | Hoya Corporation | Photomask blank and method for manufacturing the same |
| KR20130132925A (ko) | 2010-12-24 | 2013-12-05 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 및 전사용 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP5579056B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-08-27 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
| JP2014183075A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| JP2016105158A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-06-09 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク及びそれを用いたフォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| WO2017077915A1 (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-11 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| KR101771250B1 (ko) * | 2006-05-30 | 2017-08-24 | 호야 가부시키가이샤 | 레지스트막 박리 방법, 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사마스크의 제조 방법 |
| WO2017141605A1 (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2017223972A (ja) * | 2017-07-31 | 2017-12-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| WO2019049919A1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-14 | 株式会社ニコン | フォトマスクブランクス、フォトマスク、露光方法、及び、デバイスの製造方法 |
| WO2020241116A1 (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| CN112578629A (zh) * | 2019-09-30 | 2021-03-30 | 爱发科成膜株式会社 | 掩模坯及光掩模 |
| JP2021089377A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| EP4071551A1 (en) * | 2021-04-06 | 2022-10-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, method for producing photomask, and photomask |
-
2002
- 2002-02-26 JP JP2002049136A patent/JP3956103B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102654730A (zh) * | 2005-07-21 | 2012-09-05 | 信越化学工业株式会社 | 光掩模坯、光掩模及其制作方法 |
| KR101771250B1 (ko) * | 2006-05-30 | 2017-08-24 | 호야 가부시키가이샤 | 레지스트막 박리 방법, 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사마스크의 제조 방법 |
| US8404406B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-03-26 | Hoya Corporation | Photomask blank and method for manufacturing the same |
| JP5579056B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-08-27 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
| WO2009123167A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクおよびその製造方法 |
| US9075314B2 (en) | 2008-03-31 | 2015-07-07 | Hoya Corporation | Photomask blank, photomask, and method for manufacturing photomask blank |
| JP2015156037A (ja) * | 2008-03-31 | 2015-08-27 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法 |
| US9535320B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-01-03 | Hoya Corporation | Mask blank, method of manufacturing the same, transfer mask, and method of manufacturing the same |
| KR20130132925A (ko) | 2010-12-24 | 2013-12-05 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 및 전사용 마스크 및 그 제조 방법 |
| US9091934B2 (en) | 2010-12-24 | 2015-07-28 | Hoya Corporation | Mask blank, method of manufacturing the same, transfer mask, and method of manufacturing the same |
| JP2014183075A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| JP2016105158A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-06-09 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク及びそれを用いたフォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| WO2017077915A1 (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-11 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6158460B1 (ja) * | 2015-11-06 | 2017-07-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2018120245A (ja) * | 2015-11-06 | 2018-08-02 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| US11630388B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-04-18 | Hoya Corporation | Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| US10915016B2 (en) | 2015-11-06 | 2021-02-09 | Hoya Corporation | Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2017141605A1 (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6396611B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2018-09-26 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JPWO2017141605A1 (ja) * | 2016-02-15 | 2018-10-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2017223972A (ja) * | 2017-07-31 | 2017-12-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| CN110809735A (zh) * | 2017-09-07 | 2020-02-18 | 株式会社尼康 | 光掩模坯、光掩模、曝光方法、以及器件的制造方法 |
| JP7167922B2 (ja) | 2017-09-07 | 2022-11-09 | 株式会社ニコン | フォトマスクブランクス、フォトマスク、露光方法、及び、デバイスの製造方法 |
| KR20200044784A (ko) * | 2017-09-07 | 2020-04-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 노광 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
| JPWO2019049919A1 (ja) * | 2017-09-07 | 2020-10-15 | 株式会社ニコン | フォトマスクブランクス、フォトマスク、露光方法、及び、デバイスの製造方法 |
| KR102631490B1 (ko) * | 2017-09-07 | 2024-01-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 노광 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
| TWI774840B (zh) * | 2017-09-07 | 2022-08-21 | 日商尼康股份有限公司 | 光罩坯料及其製造方法、光罩及其製造方法、曝光方法、及元件製造方法 |
| WO2019049919A1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-14 | 株式会社ニコン | フォトマスクブランクス、フォトマスク、露光方法、及び、デバイスの製造方法 |
| WO2020241116A1 (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP2020197566A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| US11971653B2 (en) | 2019-05-31 | 2024-04-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, method for producing photomask, and photomask |
| KR102598715B1 (ko) | 2019-05-31 | 2023-11-07 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
| KR20220013572A (ko) * | 2019-05-31 | 2022-02-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
| JP7044095B2 (ja) | 2019-05-31 | 2022-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP2021056401A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス及びフォトマスク |
| JP7356857B2 (ja) | 2019-09-30 | 2023-10-05 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクス及びフォトマスク |
| CN112578629A (zh) * | 2019-09-30 | 2021-03-30 | 爱发科成膜株式会社 | 掩模坯及光掩模 |
| KR102468612B1 (ko) | 2019-12-05 | 2022-11-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
| JP7280171B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-05-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| KR20210070917A (ko) * | 2019-12-05 | 2021-06-15 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 |
| JP2021089377A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| EP4071551A1 (en) * | 2021-04-06 | 2022-10-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, method for producing photomask, and photomask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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