TWI761942B - 光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩、及光罩之製造方法 - Google Patents

光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩、及光罩之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之光罩基底係具有成為相移光罩之層者，且具有：相移層，其積層於透明基板上；抗反射層，其設置於較上述相移層距上述透明基板更離開之位置；及密接層，其設置於較上述抗反射層距上述透明基板更離開之位置。上述相移層含有鉻，上述抗反射層含有矽化鉬及氧，上述密接層含有鉻及氧，針對上述密接層，以使其相對於光阻劑層具有能夠形成圖案之密接性之方式設定其含氧率。

Description

光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩、及光罩之製造方法
本發明係關於一種光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩、及光罩之製造方法，尤其是關於一種適合用於相移光罩之技術。
伴隨FPD(flat panel display，平板顯示器)之高精細化，形成微細圖案之需求變高。因此，除了一直以來使用之利用遮光膜之光罩以外，還使用邊緣加強型相移光罩(PSM光罩；Phase-Shifting Mask)。
該等相移光罩多數情況下反射率較高。於該情形時，於製作光罩時所進行之光阻劑之曝光中，駐波之影響變大，因此光罩圖案之線寬偏差變大。因此，期望降低相移光罩之反射率(專利文獻1)。
為了降低相移光罩之反射率，需要於相移光罩之上層形成折射率較光罩下層低之層，利用光干涉效應來降低反射率。 又，作為光罩基底中之相移層，通常使用鉻材料。於該情形時，為了得到折射率較低之膜作為抗反射層，能夠使用經氧化之鉻氧化膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2004/070472號
[發明所欲解決之問題]
然而，氧濃度較高之鉻氧化膜之蝕刻速率較低。其結果，於採用氧濃度較高之鉻氧化膜作為抗反射層之情形時，由於抗反射層之蝕刻速率較相移層低，故會出現不被蝕刻之情形。
因此，已知存在如下問題：於製作光罩圖案時，與抗反射層相比，相移層之蝕刻進行得更多，而出現諸如產生形成有簷之截面形狀等問題。
作為兼顧低反射率與良好之截面形狀之方法，考慮於由以鉻為主成分之材料形成相移層之情形時，使用例如矽化鉬膜等金屬矽化物膜作為抗反射層之方法。如此，藉由分別使用不同之材料形成相移層及抗反射層，而於蝕刻一種材料時，另一種材料不被蝕刻，因此能夠選擇性地進行蝕刻加工，結果能夠得到良好之截面形狀。
然而，矽化鉬膜等矽化物膜具有親水性之性質。因此，已判明於為了形成圖案而於其上塗佈光阻劑之情形時，會出現矽化物膜與光阻劑之密接性較差之問題。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於實現一種光罩基底及光罩，其具有兼顧反射率較小及能以較高之選擇比抑制其他層之蝕刻之抗反射層，並且相對於光阻劑之密接性良好，能夠確實地形成圖案。 [解決問題之技術手段]
本發明之光罩基底係具有成為相移光罩之層者，其具有：相移層，其積層於透明基板上；抗反射層，其設置於較上述相移層距上述透明基板更離開之位置；及密接層，其設置於較上述抗反射層距上述透明基板更離開之位置。上述相移層含有鉻，上述抗反射層含有矽化鉬及氧，上述密接層含有鉻及氧，且對上述密接層以使其相對於光阻劑層具有能夠形成圖案之密接性之方式設定其含氧率。藉此，解決了上述問題。 本發明之光罩基底中，上述密接層之上述含氧率可設定在8.4 atm%～65.7 atm%之範圍內。 本發明中，較佳為上述密接層含有氮，且上述密接層之含氮率設定在3.7 atm%～42.3 atm%之範圍內。 本發明之光罩基底能夠使上述密接層含有碳，且上述密接層之含碳率設定在2.2 atm%～2.3 atm%之範圍內。 本發明之光罩基底中，上述密接層之含鉻率可設定在25.2 atm%～42.4 atm%之範圍內。 本發明之光罩基底中，上述密接層之膜厚可設定在5 nm～15 nm之範圍內。 本發明之光罩基底中，上述抗反射層之含氧率可設定在6.7 atm%～63.2 atm%之範圍內。 於本發明之光罩基底中，可使上述抗反射層含有氮，且上述抗反射層之含氮率設定在4.6 atm%～39.3 atm%之範圍內。 本發明之光罩基底可具有設置於較上述密接層距上述透明基板更離開之位置之光阻劑層。 本發明之光罩基底之製造方法係製造上述任一項所記載之光罩基底之製造方法，其具有：相移層形成步驟，其係於上述透明基板上積層含有鉻之上述相移層；抗反射層形成步驟，其係於較上述相移層距上述透明基板更離開之位置，積層含有矽化鉬及氧之上述抗反射層；以及密接層形成步驟，其係於較上述抗反射層距上述透明基板更離開之位置，積層含有鉻及氧之上述密接層；且於上述密接層形成步驟中，藉由針對濺鍍中之供給氣體，設定含氧氣體之分壓，可使上述密接層形成為相對於光阻劑層具有能夠形成圖案之密接性。 本發明之光罩基底之製造方法中，於上述密接層形成步驟中，藉由設定上述含氧氣體之分壓，可使上述密接層之密接性伴隨著含氧率增加而增強。 本發明之光罩基底之製造方法中，於上述密接層形成步驟中，較佳為將上述含氧氣體之分壓比設定在0.00～0.30之範圍內。 本發明之光罩基底之製造方法中，於上述密接層形成步驟中，可將上述含氧氣體設為NO。 本發明之光罩可由上述任一項所記載之光罩基底製造。 本發明之光罩之製造方法係製造上述光罩之製造方法，其具有：相移圖案形成步驟，其係於上述相移層形成圖案；抗反射圖案形成步驟，其係於上述抗反射層形成圖案；及密接圖案形成步驟，其係於上述密接層形成圖案；且可上述相移圖案形成步驟及上述密接圖案形成步驟中之蝕刻液與上述抗反射圖案形成步驟中之蝕刻液不同。
本發明之光罩基底係具有成為相移光罩之層者，其具有：相移層，其積層於透明基板上；抗反射層，其設置於較上述相移層距上述透明基板更離開之位置；及密接層，其設置於較上述抗反射層距上述透明基板更離開之位置。上述相移層含有鉻，上述抗反射層含有矽化鉬及氧，上述密接層含有鉻及氧，且對上述密接層以使其相對於光阻劑層具有能夠形成圖案之密接性之方式設定其含氧率。 據此，矽化鉬相對於光阻劑層之密接性較差，關於原本便具有含有矽化鉬之抗反射層之光罩基底，可藉由具有與光阻劑層相接之密接層，而相對於光阻劑層具有充分之密接性，從而能夠進行所期望之圖案化。此時，可同時對於抗反射層，按照上述抗反射層之折射率之值隨著含氧率增加而減小之曲線，根據所設定之上述抗反射層之含氧率，設定上述抗反射層之折射率之值。 此處，作為密接層，理想的是使用鉻化合物。鉻化合物具有對酸或鹼溶液之藥液耐性較強之性質及疏水性之性質。因此，於密接層與光阻劑相接觸之界面，適合使用鉻化合物。
作為抗反射層，理想的是使用金屬矽化物中之矽化鉬。其原因在於，矽化鉬對於光罩洗淨中通常使用之硫酸與過氧化氫溶液之混合液之耐性較強，藉由控制矽化鉬中所包含之氮或氧濃度，能夠較大程度地控制光學特性。 又，可根據抗反射層中之含氧率，設定抗反射層中之折射率及消光係數。 又，作為相移層，理想的是使用鉻化合物。能夠以藥液耐性較強之鉻化合物及金屬矽化物此兩種材料形成相移膜(光罩層)。
藉此，於維持所需密接性之狀態下，將抗反射層之折射率設為特定值，可成為折射率較相移層低之抗反射層，能夠降低光罩基底之反射率。同時，密接層及相移層含有鉻，抗反射層含有矽化鉬，因此於藉由蝕刻將其等圖案化時，能夠分別使用不同之蝕刻劑(蝕刻液)，而以互不相同之蝕刻速率之形式呈現出較高之選擇性。因而，可提供一種光罩基底，其於相移層、抗反射層及密接層各自之蝕刻中，互不影響，能夠製造具有所期望之截面形狀之相移光罩。
此處，針對本發明之光罩基底，減小作為光罩基底之反射率。為此，重要的是於使密接層及抗反射層之光學常數為接近之值之基礎上，增大抗反射層與相移層之間之折射率及消光係數之值的差。因此，為了降低作為光罩基底之反射率，理想的是減小密接層及抗反射層之折射率及消光係數之值。
本發明之光罩基底中，上述密接層之上述含氧率設定在8.4 atm%～65.7 atm%之範圍內。 藉此，關於密接層，可使其相對於光阻劑層具有充分之密接性，且可維持具有作為光罩層所需之光學特性之狀態。尤其是，於密接層中，藉由增加含氧率，能夠降低親水性而提高疏水性，從而提高相對於光阻劑之密接性。進而，於密接層中，藉由增加含氧率，能夠減小折射率及消光係數之值。
於本發明中，上述密接層含有氮，且上述密接層之含氮率設定在3.7 atm%～42.3 atm%之範圍內。 藉此，關於密接層，可使其相對於光阻劑層具有充分之密接性。又，可使其具有特定之蝕刻速率，同時不會影響到與其他層一併設定之光罩層之光學特性，而製成維持此種狀態之所期望之光罩基底。尤其是，藉由增加密接層之含氮率，能夠減小折射率及消光係數之值。 進而，關於密接層中使用之鉻化合物，藉由提高鉻化合物中之氧濃度及氮濃度，能夠進一步減小折射率及消光係數之值。
於本發明之光罩基底中，能夠使上述密接層含有碳，且上述密接層之含碳率設定在2.2 atm%～2.3 atm%之範圍內。 藉此，關於密接層，可使其相對於光阻劑層具有充分之密接性。又，可使其具有特定之蝕刻速率，同時不會影響到與其他層一併設定之光罩層之光學特性，而製成維持此種狀態之所期望之光罩基底。
本發明之光罩基底中，上述密接層之含鉻率可設定在25.2 atm%～42.4 atm%之範圍內。 藉此，關於密接層，可使其相對於光阻劑層具有充分之密接性。又，可使其具有特定之蝕刻速率，同時不會影響到與其他層一起設定之光罩層之光學特性，而製成維持此種狀態之所期望之光罩基底。 作為密接層，理想的是使用鉻化合物。鉻化合物具有對酸或鹼溶液之藥液耐性較強之性質及疏水性之性質。因此，於密接層與光阻劑相接觸之界面，適合使用鉻化合物。
本發明之光罩基底中，上述密接層之膜厚可設定在5 nm～15 nm之範圍內。 藉此，關於密接層，可使其相對於光阻劑層具有充分之密接性。又，可使其具有特定之蝕刻速率，同時不會影響到與其他層一併設定之光罩層之光學特性，而製成維持此種狀態之所期望之光罩基底。
本發明之光罩基底中，上述抗反射層之含氧率設定在6.7 atm%～63.2 atm%之範圍內。 藉此，針對上述抗反射層，可將波長365 nm～436 nm時之折射率之值設定在2.5～1.8之範圍內。 藉此，可成為折射率較含有鉻之相移層低之抗反射層，能夠降低光罩基底之反射率。 因而，可降低抗反射層之反射率，且能夠於將圖案化中之截面形狀維持為特定狀態之狀態下，作為光罩層，例如於跨及G-光線(436 nm)至I-光線(365 nm)之波長帶中具有低反射率。 藉此，能夠提供一種基底，其即便於FPD製造中之使用雷射光之圖案化中，亦具有特定之反射率。
因抗反射層含有矽化鉬，故能夠控制對光罩洗淨中通常使用之硫酸與過氧化氫溶液之混合液之耐性較強之矽化鉬中所包含之氮或氧濃度，而較大程度地控制光學特性。 又，於上述抗反射層中，可按照上述抗反射層之折射率之值隨著含氧率增加而減小之曲線，根據所設定之上述抗反射層中之含氧率，設定上述抗反射層之折射率之值。 藉此，可使抗反射層之折射率成為特定值，而製成折射率較相移層低之抗反射層，從而能夠降低光罩基底之反射率。
又，於上述抗反射層中，可將上述含氧率設定在上述範圍內，而將波長365 nm～436 nm時之消光係數之值設定在0.6～0.1之範圍。 藉此，可成為相對於含有鉻之相移層具有特定之折射率及消光係數之抗反射層，從而能夠將光罩基底之反射率設定為特定值。
本發明之光罩基底中，上述抗反射層含有氮，且上述抗反射層之含氮率設定在4.6 atm%～39.3 atm%之範圍內。 藉此，可成為相對於含有鉻之相移層具有特定之折射率及消光係數之抗反射層，從而能夠將光罩基底之反射率設定為特定值。 藉由將矽化鉬用作抗反射層中使用之金屬矽化物，並且增加抗反射層中之氮濃度及氧濃度，能夠減小折射率及消光係數之值。尤其是，藉由增加抗反射層中之氧濃度，可大幅減小折射率及消光係數之值。
又，藉由設置上述抗反射層，與未設置上述抗反射層之情形相比，可將波長365 nm～436 nm時之反射率之比降低至1(25%)～1/5(5%)之範圍內。 藉此，可成為相對於含有鉻之相移層具有特定之折射率及消光係數之抗反射層，從而能夠將光罩基底之反射率設定為特定值。
本發明之光罩基底具有設置於較上述密接層距上述透明基板更離開之位置之光阻劑層。 藉此，於利用光微影法進行圖案化時，可製成如下之光罩基底，即，光阻劑層與光罩層具有充分之密接性，而蝕刻液不會滲入至光阻劑層之透明基板側之界面。
本發明之光罩基底之製造方法係上述任一項所記載之光罩基底之製造方法，其具有：相移層形成步驟，其係於上述透明基板上積層含有鉻之上述相移層；抗反射層形成步驟，其係於較上述相移層距上述透明基板更離開之位置，積層含有矽化鉬及氧之上述抗反射層；以及密接層形成步驟，其係於較上述抗反射層距上述透明基板更離開之位置，積層含有鉻及氧之上述密接層；且於上述密接層形成步驟中，藉由針對濺鍍中之供給氣體，設定含氧氣體之分壓，而使上述密接層形成為相對於光阻劑層具有能夠形成圖案之密接性。 藉此，於密接層形成步驟中，藉由在將含氧氣體之分壓設定在特定範圍內之狀態下，利用濺鍍於抗反射層上積層含有鉻之密接層，能夠降低密接層之疏水性而增強撥水性，提高與光阻劑層之密接性，並且將折射率及消光係數之值設定為特定值。 因而，能夠於具有所需之密接性且將圖案化中之截面形狀維持為特定狀態之狀態下，作為光罩層，例如於跨及G-光線(436 nm)至I-光線(365 nm)之波長帶中具有低反射率。
具體而言，首先，利用濺鍍法等，於作為光罩基底之玻璃基板(透明基板)上形成成為相移層之主成分膜之鉻化合物膜。理想的是，此時形成之鉻化合物為含有鉻、氧、氮、碳等之膜。藉由控制膜中所含有之鉻、氧、氮、碳之組成及膜厚，能夠形成具有所期望之透過率及相位之相移層。
此時，於僅由鉻化合物形成相移層之情形時，反射率高達約25%。因此，理想的是藉由在相移層之表面形成低反射層來降低反射率。
因此，要控制相位差、透過率及反射率，除了需要針對形成相移層之鉻膜調整相移層之膜厚及光學常數以外，還需要調整抗反射層之膜厚及光學常數。
此處，藉由以與相移層不同之材料形成抗反射層，而於蝕刻步驟中使用濕式蝕刻之情形時，作為不同之蝕刻步驟，能夠改變蝕刻液而選擇性地進行蝕刻。
又，為了減小相移光罩之反射率，重要的是使抗反射層與相移層之間之折射率及消光係數之值的差增大。因而，為了降低相移光罩之反射率，理想的是進一步減小抗反射層之折射率及消光係數之值。
本發明人等進行了銳意研究，結果發現：理想的是藉由使用如下之三層構造，即於光罩層之最表面使用鉻化合物作為改善與光阻劑之密接性之密接層，於其下方使用矽化鉬等金屬矽化物作為抗反射層，於最下層使用鉻化合物作為相移層，而提高與光阻劑層之密接性，而且使用在蝕刻中各層能以較高之選擇比抑制其他層之蝕刻之工藝。
藉此，能夠分別獨立地控制密接層、抗反射層及相移層之蝕刻，因此能夠充分地降低反射率，而且得到適合用作光罩之截面形狀。
還發現，作為抗反射層，理想的是使用金屬矽化物中之矽化鉬。 這是基於藉由控制矽化鉬中所包含之氮或氧濃度，能夠較大程度地控制光學特性之見解。其原因在於，藉由控制矽化鉬膜中所包含之鉬、矽、氧、氮之濃度，可較大程度地控制矽化鉬膜之光學常數。
尤其是，本發明人等發現，關於矽化鉬，藉由增加膜中之氮濃度及氧濃度，能夠減小折射率及消光係數之值。 尤其是發現，藉由增加膜中之氧濃度，可使折射率及消光係數之值大幅度減小。
因此，藉由使用鉻化合物作為相移層，且使用矽化鉬膜作為抗反射層，能夠降低相移光罩之反射率。
又，與僅使用鉻化合物作為相移層之情形相比，可具有蝕刻中之較高之選擇性。 進而，矽化鉬對於光罩洗淨中通常使用之硫酸與過氧化氫溶液之混合液之耐性較強。
本發明之光罩基底之製造方法中，於上述密接層形成步驟中，藉由設定上述含氧氣體之分壓，從而上述密接層之密接性伴隨著含氧率增加而增強。 藉此，於密接層形成步驟中，藉由在將含氧氣體之分壓設定在特定範圍內之狀態下於抗反射層上積層密接層，能夠將密接層之疏水性及撥水性所關聯之與光阻劑層之密接性、以及折射率及消光係數之值設定為特定值。 此處，藉由將濺鍍中之含氧氣體之分壓設定為特定值，可設定密接層之折射率及消光係數之值。 具體而言，於上述密接層形成步驟中，可增加含氧氣體之分壓，以增強密接層之與光阻劑層之密接性，並且減小密接層之折射率及消光係數之值，並減少上述含氧氣體之分壓，以增加密接層之折射率及消光係數之值。
本發明之光罩基底之製造方法中，於上述密接層形成步驟中，將上述含氧氣體之分壓比設定在0.00～0.30之範圍內。 藉此，可設為特定之含氧率，然後於抗反射層上積層密接層。因而，能夠將密接層之相對於光阻劑層之密接性、以及折射率及消光係數之值設定為特定值。
本發明之光罩基底之製造方法中，於上述密接層形成步驟中，可將上述含氧氣體設為NO。 再者，作為含氧氣體，亦可使用O2 、CO、NOX 等。 進而，於密接層形成步驟中，可採用與同樣含有鉻之相移層之成膜時之含氧氣體不同之氣體。
本發明之光罩可由上述任一項所記載之光罩基底製造。
本發明之光罩之製造方法係上述光罩之製造方法，其具有：相移圖案形成步驟，其係於上述相移層形成圖案；抗反射圖案形成步驟，其係於上述抗反射層形成圖案；及密接圖案形成步驟，其係於上述密接層形成圖案；且上述相移圖案形成步驟及上述密接圖案形成步驟中之蝕刻液與上述抗反射圖案形成步驟中之蝕刻液不同。 藉此，能夠以互不相同之蝕刻速率之形式，呈現較高之選擇性。因而，可提供一種光罩基底，其於密接層、相移層及抗反射層各自之蝕刻中，互不影響，能夠製造具有所期望之截面形狀之光罩。 藉此，可製造於各層中具有所期望之膜特性之光罩。
此處，通常之相移光罩被設定為於I-光線(波長365 nm)下具有約5%之透過率，相移部與透過部之相位差為180°。 [發明之效果]
根據本發明，能夠發揮如下效果：可提供一種具有兼顧反射率較小及能以較高之選擇比抑制其他層之蝕刻之抗反射層，並且與光阻劑之密接性良好而能夠確實地形成圖案之光罩基底及光罩。
以下，基於附圖對本發明之光罩基底、相移光罩及其製造方法之實施方式加以說明。 圖1係表示本實施方式之光罩基底之剖視圖，圖2係表示本實施方式之光罩基底之剖視圖，圖中符號10B係光罩基底。
將本實施方式之光罩基底10B供於在曝光之光之波長為約365 nm～436 nm之範圍內使用之相移光罩(光罩)。 如圖1所示，本實施方式之光罩基底10B包含玻璃基板(透明基板)11、形成於該玻璃基板11上之相移層12、形成於相移層12上之抗反射層13、及形成於抗反射層13上之密接層14。
亦即，抗反射層13設置於較相移層12距玻璃基板11更離開之位置。又，密接層14設置於較抗反射層13距玻璃基板11更離開之位置。 該等相移層12、抗反射層13及密接層14構成光罩層，該光罩層係具有作為光罩所需之光學特性且低反射之相移膜。
進而，本實施方式之光罩基底10B亦可設為如下構成，即，於如圖1所示般由相移層12、抗反射層13及密接層14積層所得之光罩層上，如圖2所示般預先成膜有光阻劑層15。
再者，本實施方式之光罩基底10B亦可設為除了相移層12、抗反射層13及密接層14以外，還積層有耐化學品層、保護層、遮光層、蝕刻終止層等之構成。進而，如圖2所示，亦可於其等之積層膜之上形成有光阻劑層15。
作為玻璃基板(透明基板)11，使用透明性及光學各向同性優異之材料，例如可使用石英玻璃基板。玻璃基板11之大小並無特別限制，可根據使用該光罩進行曝光之基板(例如LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、電漿顯示器、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示器等FPD用基板等)而適當選定。
於本實施方式中，作為玻璃基板(透明基板)11，能應用一邊為100 mm左右以上，一邊為2000 mm以上之矩形基板，進而亦可使用厚度1 mm以下之基板、厚度數mm之基板或厚度10 mm以上之基板。
又，亦可藉由研磨玻璃基板11之表面來降低玻璃基板11之平坦度。玻璃基板11之平坦度例如可設為20 μm以下。藉此，光罩之焦點深度變深，能夠較大程度地幫助微細且高精度之圖案形成。進而，平坦度較良好的是小至10 μm以下。
作為相移層12，具有Cr(鉻)作為主成分，進而包含C(碳)、O(氧)及N(氮)。 進而，相移層12亦可於厚度方向上具有不同之組成，於該情形時，作為相移層12，亦可積層選自Cr單質、以及Cr之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物及碳氮氧化物中之1種或2種以上而構成。 對於相移層12，如下所述設定其厚度及Cr、N、C、O等之組成比(atm%)，以使其獲得特定之光學特性及電阻率。
相移層12之膜厚係根據對相移層12所要求之光學特性而設定，且根據Cr、N、C、O等之組成比而變化。相移層12之膜厚可設為50 nm～150 nm。
例如，相移層12中之組成比可設定為：含碳率(碳濃度)為2.3 atm%～10.3 atm%，含氧率(氧濃度)為8.4 atm%～72.8 atm%，含氮率(氮濃度)為1.8 atm%～42.3 atm%，含鉻率(鉻濃度)為20.3 atm%～42.4 atm%。
藉此，相移層12於在波長365 nm～436 nm左右之範圍內，折射率為2.4～3.1左右，且消光係數為0.3～2.1之情形時，膜厚可設定為90 nm左右。
作為抗反射層13，取與相移層12不同之材料，可設為金屬矽化物膜、例如包含Ta、Ti、W、Mo、Zr等金屬或該等金屬彼此之合金及矽之膜。尤其是，金屬矽化物之中，較佳為使用矽化鉬，可列舉MoSiX (X≧2)膜(例如MoSi2 膜、MoSi3 膜或MoSi4 膜等)。
作為抗反射層13，較佳為設為含有O(氧)及N(氮)之矽化鉬膜。 進而，抗反射層13較佳為含有C(碳)。 於抗反射層13中，可將含氧率(氧濃度)設定在6.7 atm%～63.2 atm%之範圍內，將含氮率(氮濃度)設定在4.6 atm%～39.3 atm%之範圍內，將含碳率(碳濃度)設定在4.0 atm%～13.5 atm%之範圍內。
於抗反射層13中，理想的是使用含氧率(氧濃度)為36 atm%以上，含氮率(氮濃度)為10 atm%以上之矽化鉬化合物。 於抗反射層13中，能夠增加膜中之氮濃度及氧濃度，而減小折射率及消光係數之值。尤其是，藉由增加膜中之氧濃度，而使折射率及消光係數之值大幅度減小。 又，藉由將抗反射層13之膜厚設定為30 nm以上60 nm以下，可降低365～436 nm之波長時之反射率。
此時，於抗反射層13中，可將含矽率(矽濃度)設定在11.1 atm%～21.7 atm%之範圍內，將含鉬率(鉬濃度)設定在14.9 atm%～28.3 atm%之範圍內。
藉此，於抗反射層13中，可將波長365 nm～436 nm時之上述折射率之值設定在2.5～1.8之範圍內。 又，於抗反射層13中，可將波長365 nm～436 nm時之上述消光係數之值設定在0.7～0.1之範圍內。
因而，於本實施方式之光罩基底10B中，藉由具有上述相移層12及抗反射層13，與未設置抗反射層13之情形相比，能夠將波長365 nm～436 nm時之反射率之比降低至1(25%)～1/5(5%)之範圍內。
密接層14具有Cr(鉻)及O(氧)作為主成分，進而包含C(碳)及N(氮)。 於該情形時，作為密接層14，亦可積層選自Cr之氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物及碳氮氧化物中之1種或2種以上而構成。進而，密接層14亦可於厚度方向上具有不同之組成。 對於密接層14，如下所述設定其厚度及Cr、N、C、O、Si等之組成比(atm%)，以得到特定之密接性(疏水性)及特定之光學特性。
例如，密接層14之組成比可設定為含氧率(氧濃度)為8.4 atm%～65.7 atm%，含氮率(氮濃度)為3.7 atm%～42.3 atm%，鉻為25.2 atm%～42.4 atm%，含碳率(碳濃度)為2.2 atm%～2.3 atm%，矽為3.3 atm%～4.7 atm%。
密接層14之膜厚係根據對密接層14所要求之密接性(疏水性)及光學特性等而設定，且根據Cr、N、C、O等之組成比而變化。密接層14之膜厚可設為5 nm～20 nm，進而可設為10 nm～15 nm。 藉由將密接層14之膜厚設為上述範圍，而於利用光微影法形成圖案時，例如提高與針對鉻系所使用之光阻劑層15之密接性，而於密接層14與光阻劑層15之界面不會發生蝕刻液之滲入，因此可得到良好之圖案形狀，形成所期望之圖案。
再者，若密接層14之膜厚較上述範圍更薄，則與光阻劑層15之密接性不成為特定狀態，而是出現光阻劑層15剝離，蝕刻液滲入至界面，從而變得無法進行圖案形成，因此欠佳。又，於密接層14之膜厚較上述範圍更厚之情形時，難以將作為光罩之光學特性設定為所期望之條件，或者光罩圖案之截面形狀有可能不成為所期望之狀態，因此欠佳。
密接層14藉由提高鉻化合物中之氧濃度及氮濃度，能夠降低親水性，而提高疏水性，從而提高密接性。 同時，密接層14藉由提高鉻化合物中之氧濃度及氮濃度，能夠減小折射率及消光係數之值。
本實施方式之光罩基底之製造方法係於玻璃基板(透明基板)11上成膜相移層12之後，成膜抗反射層13，其後成膜密接層14。
光罩基底之製造方法於除了相移層12、抗反射層13及密接層14之外還積層保護層、遮光層、耐化學品層、蝕刻終止層等之情形時，可具有其等之積層步驟。 作為一例，例如可列舉含有鉻之遮光層。
圖3係表示本實施方式之光罩之剖視圖。 如圖3所示，本實施方式之相移光罩(光罩)10係於積層成為光罩基底10B之相移層12、抗反射層13及密接層14形成圖案而獲得。
以下，對由本實施方式之光罩基底10B製造相移光罩10之製造方法進行說明。
作為抗蝕圖案形成步驟，如圖2所示，於光罩基底10B之最外表面上形成光阻劑層15。或者，亦可準備預先於最外表面上形成有光阻劑層15之光罩基底10B。光阻劑層15可為正型，亦可為負型。作為光阻劑層15，可使用能夠適應對所謂之鉻系材料之蝕刻及對矽化鉬系材料之蝕刻的材料。作為光阻劑層15，可使用液態光阻劑。
繼而，藉由對光阻劑層15進行曝光及顯影，而於較密接層14靠外側形成光阻劑圖案。光阻劑圖案作為相移層12、抗反射層13及密接層14之蝕刻遮罩發揮功能。
光阻劑圖案係根據相移層12、抗反射層13及密接層14之蝕刻圖案而確定為適當之形狀。作為一例，於相移區域中，設定為具有與要形成之相移圖案之開口寬度尺寸對應之開口寬度的形狀。
繼而，作為密接圖案形成步驟，隔著該光阻劑圖案使用蝕刻液對密接層14進行濕式蝕刻而形成密接圖案14P。
作為密接圖案形成步驟中之蝕刻液，可使用包含硝酸鈰銨之蝕刻液，例如較佳為使用含有硝酸或過氯酸等酸之硝酸鈰銨。
繼而，作為抗反射圖案形成步驟，隔著該密接圖案14P使用蝕刻液對抗反射層13進行濕式蝕刻而形成抗反射圖案13P。
作為抗反射圖案形成步驟中之蝕刻液，於抗反射層13為MoSi之情形時，較佳為使用包含選自氫氟酸、氟矽酸、氟化氫銨中之至少一種氟化合物、以及選自過氧化氫、硝酸、硫酸中之至少一種氧化劑之材料作為蝕刻液。
繼而，作為相移圖案形成步驟，隔著經圖案形成所得之抗反射圖案13P、密接圖案14P及光阻劑圖案對相移層12進行濕式蝕刻，而形成相移圖案12P。
作為相移圖案形成步驟中之蝕刻液，可使用含有硝酸鈰銨之蝕刻液，例如較佳為使用含有硝酸或過氯酸等酸之硝酸鈰銨。
構成抗反射層13之矽化鉬化合物例如能夠藉由氟化氫銨與過氧化氫之混合液進行蝕刻。與此相對，形成密接層14及相移層12之鉻化合物例如能夠藉由硝酸鈰銨與過氯酸之混合液進行蝕刻。
因而，各濕式蝕刻時之選擇比非常大。因此，於藉由蝕刻形成密接圖案14P、抗反射圖案13P及相移圖案12P之後，能夠獲得接近垂直之良好之截面形狀作為相移光罩10之截面形狀。
又，於相移圖案形成步驟中，由於將密接層14之氧濃度設定地高於相移層12之氧濃度，故蝕刻速率變低。因而，密接圖案14P之蝕刻進行得較相移層12之蝕刻慢。
亦即，密接圖案14P、抗反射圖案13P及相移圖案12P與玻璃基板11表面所成之角度(錐角)θ接近直角，例如可成為90°左右。
而且，藉由以密接層14形成密接圖案14P，提高了密接圖案14P與光阻劑圖案之密接性。藉此，蝕刻液不會滲入密接圖案14P與光阻劑圖案之界面。因而，可進行確實之圖案形成。
進而，於成膜有諸如遮光層等其他膜之光罩基底10B之情形時，藉由使用對應之蝕刻液之濕式蝕刻等將該膜圖案化成與密接圖案14P、抗反射圖案13P及相移圖案12P對應之特定形狀。遮光層等其他膜之圖案化可對應於其積層順序，於相移層12、抗反射層13及密接層14之圖案化之前後作為特定之步驟進行。
進而，藉由使相移層12、抗反射層13及密接層14各自之膜厚方向上之氧濃度變化，能夠改善圖案化後之截面形狀。 具體而言，已知於抗反射層13、亦即MoSi膜中，膜中之氧濃度越高則蝕刻速率越高。因此，藉由使抗反射層13之上層側之氧濃度低於下層側之氧濃度，能夠使上層側之蝕刻速率較下層側慢。藉此，能夠使蝕刻後之截面形狀接近垂直。 另一方面，於相移層12及密接層14、亦即Cr膜中，膜中之氧濃度越高則蝕刻速率越低。因此，藉由使相移層12及密接層14之上層側之氧濃度高於下層側之氧濃度，能夠使上層側之蝕刻速率較下層側之蝕刻速率低。
藉由以上內容，可如圖3所示般獲得具有密接圖案14P、抗反射圖案13P及相移圖案12P之相移光罩10。
以下，基於附圖對本實施方式之光罩基底之製造方法加以說明。
圖4係表示本實施方式之光罩基底之製造裝置之模式圖。 本實施方式之光罩基底10B係由圖4所示之製造裝置製造。
圖4所示之製造裝置S10係往復(Inter back)式濺鍍裝置。製造裝置S10具有裝載室S11、卸載室S16及成膜室(真空處理室)S12。成膜室S12經由密閉機構S17連接於裝載室S11，並且經由密閉機構S18連接於卸載室S16。
於裝載室S11中，設置有將從外部搬入之玻璃基板11向成膜室S12搬送之搬送機構S11a、及將該室內粗抽真空之旋轉泵等排氣機構S11f。
於卸載室S16中，設置有將已完成成膜之玻璃基板11從成膜室S12向外部搬送之搬送機構S16a、及將該室內粗抽真空之旋轉泵等排氣機構S16f。
於成膜室S12中，設置有基板保持機構S12a、及作為與3個成膜處理對應之機構之三段成膜機構S13、S14、S15。
對於由搬送機構S11a搬送來之玻璃基板11，基板保持機構S12a將玻璃基板11以於成膜中與靶S13b、S14b、S15b對向之方式予以保持。基板保持機構S12a能夠實現玻璃基板11之從裝載室S11之搬入及向卸載室S16之搬出。
於成膜室S12之構造中，於裝載室S11附近之位置設置有三段成膜機構S13、S14、S15中之第一段之供給成膜材料之成膜機構S13。 成膜機構S13具有：陰極電極(背襯板)S13c，其具有靶S13b；及電源S13d，其對背襯板S13c施加負電位之濺鍍電壓。
成膜機構S13具有於成膜室S12內將氣體重點導入陰極電極(背襯板)S13c附近之區域之氣體導入機構S13e、及於成膜室S12內將陰極電極(背襯板)S13c附近之區域重點進行抽高真空之渦輪分子泵等高真空排氣機構S13f。
進而，於成膜室S12中之裝載室S11與卸載室S16之中間位置，設置有三段成膜機構S13、S14、S15中之第二段之供給成膜材料之成膜機構S14。 成膜機構S14具有：陰極電極(背襯板)S14c，其具有靶S14b；及電源S14d，其對背襯板S14c施加負電位之濺鍍電壓。
成膜機構S14具有於成膜室S12內將氣體重點導入陰極電極(背襯板)S14c附近之區域之氣體導入機構S14e、及於成膜室S12內將陰極電極(背襯板)S14c附近之區域重點進行抽高真空之渦輪分子泵等高真空排氣機構S14f。
進而，於成膜室S12之構造中，於卸載室S16附近之位置設置有三段成膜機構S13、S14、S15中之第三段之供給成膜材料之成膜機構S15。 成膜機構S15具有：陰極電極(背襯板)S15c，其具有靶S15b；及電源S15d，其對背襯板S15c施加負電位之濺鍍電壓。
成膜機構S15具有於成膜室S12內將氣體重點導入陰極電極(背襯板)S15c附近之區域之氣體導入機構S15e、及於成膜室S12內將陰極電極(背襯板)S15c附近之區域重點進行抽高真空之渦輪分子泵等高真空排氣機構S15f。
於成膜室S12中，設置有抑制氣體流動之氣體防護壁S12g，以使陰極電極(背襯板)S13c、S14c、S15c附近之區域中分別從氣體導入機構S13e、S14e、S15e供給之氣體不混入至相鄰之成膜機構S13、S14、S15中。該等氣體防護壁S12g構成為使基板保持機構S12a能夠於彼此相鄰之成膜機構S13、S14、S15之間移動。
於成膜室S12中，三段成膜機構S13、S14、S15各自具有於玻璃基板11上依序成膜所需之組成、條件。 於本實施方式中，成膜機構S13對應於相移層12之成膜，成膜機構S14對應於抗反射層13之成膜，成膜機構S15對應於密接層14之成膜。
具體而言，於成膜機構S13中，靶S13b設為於玻璃基板11上成膜相移層12所需之組成，由具有鉻之材料構成。
同時，於成膜機構S13中，作為從氣體導入機構S13e供給之氣體，對應於相移層12之成膜而設定如下條件：工藝氣體含有碳、氮、氧等，與氬氣、氮氣等濺鍍氣體一併，設為特定之氣體分壓。
又，依照成膜條件進行從高真空排氣機構S13f之排氣。 又，於成膜機構S13中，與相移層12之成膜對應地設定從電源S13d對背襯板S13c施加之濺鍍電壓。
又，於成膜機構S14中，靶S14b設為於相移層12上成膜抗反射層13所需之組成，由具有矽化鉬之材料構成。
同時，於成膜機構S14中，作為從氣體導入機構S14e供給之氣體，對應於抗反射層13之成膜而設定如下：工藝氣體含有碳、氮、氧等，與氬氣、氮氣等濺鍍氣體一併，設為特定之氣體分壓。
又，依照成膜條件進行從高真空排氣機構S14f之排氣。 又，於成膜機構S14中，與抗反射層13之成膜對應地設定從電源S14d對背襯板S14c施加之濺鍍電壓。
又，於成膜機構S15中，靶S15b設為於抗反射層13上成膜密接層14所需之組成，由具有鉻之材料構成。
同時，於成膜機構S15中，作為從氣體導入機構S15e供給之氣體，對應於密接層14之成膜而設定如下條件：工藝氣體含有碳、氮、氧等，與氬氣、氮氣等濺鍍氣體一併，設為特定之氣體分壓。
又，依照成膜條件進行從高真空排氣機構S15f之排氣。 又，於成膜機構S15中，與密接層14之成膜對應地設定從電源S15d對背襯板S15c施加之濺鍍電壓。
於圖4所示之製造裝置S10中，對於藉由搬送機構S11a從裝載室S11搬入之玻璃基板11，於成膜室(真空處理室)S12中，一面藉由基板保持機構S12a進行搬送，一面進行三段濺鍍成膜。其後，藉由搬送機構S16a將成膜結束後之玻璃基板11從卸載室S16搬出至外部。
於相移層形成步驟中，於成膜機構S13中，從氣體導入機構S13e向成膜室S12之背襯板S13c附近之區域供給濺鍍氣體及反應氣體作為供給氣體。於該狀態下，從外部電源對背襯板(陰極電極)S13c施加濺鍍電壓。又，亦可藉由磁控管磁路於靶S13b上形成特定之磁場。
於成膜室S12內之背襯板S13c附近之區域藉由電漿激發之濺鍍氣體之離子衝擊陰極電極S13c之靶S13b，從而使成膜材料之粒子飛出。然後，飛出之粒子與反應氣體結合後，附著於玻璃基板11上，藉此於玻璃基板11之表面以特定之組成形成相移層12。
同樣，於抗反射層形成步驟中，於成膜機構S14中，從氣體導入機構S14e向成膜室S12之背襯板S14c附近之區域供給濺鍍氣體及反應氣體作為供給氣體。於該狀態下，從外部電源對背襯板(陰極電極)S14c施加濺鍍電壓。又，亦可藉由磁控管磁路於靶S14b上形成特定之磁場。
於成膜室S12內之背襯板S14c附近之區域藉由電漿激發之濺鍍氣體之離子衝擊陰極電極S14c之靶S14b，從而使成膜材料之粒子飛出。然後，飛出之粒子與反應氣體結合後，附著於玻璃基板11上，藉此於玻璃基板11之表面以特定之組成形成抗反射層13。
同樣，於密接層形成步驟中，於成膜機構S15中，從氣體導入機構S15e向成膜室S12之背襯板S15c附近之區域供給濺鍍氣體及反應氣體作為供給氣體。於該狀態下，從外部電源對背襯板(陰極電極)S15c施加濺鍍電壓。又，亦可藉由磁控管磁路於靶S15b上形成特定之磁場。
於成膜室S12內之背襯板S15c附近之區域藉由電漿激發之濺鍍氣體之離子衝擊陰極電極S15c之靶S15b，從而使成膜材料之粒子飛出。然後，飛出之粒子與反應氣體結合後，附著於玻璃基板11上，藉此於玻璃基板11之表面以特定之組成形成密接層14。
此時，於相移層12之成膜中，從氣體導入機構S13e供給成為特定分壓之氮氣、含氧氣體等，以控制其分壓之方式進行切換，使其組成處於設定之範圍內。
又，於抗反射層13之成膜中，從氣體導入機構S14e供給成為特定分壓之氮氣、含氧氣體等，以控制其分壓之方式進行切換，使其組成處於設定之範圍內。
又，於密接層14之成膜中，從氣體導入機構S15e供給成為特定分壓之氮氣、含氧氣體等，以控制其分壓之方式進行切換，使其組成處於設定之範圍內。
此處，作為含氧氣體，可列舉：CO2 (二氧化碳)、O2 (氧氣)、N2 O(一氧化二氮)、NO(一氧化氮)、CO(一氧化碳)等。 又，作為含碳氣體，可列舉：CO2 (二氧化碳)、CH4 (甲烷)、C2 H6 (乙烷)、CO(一氧化碳)等。 再者，於相移層12、抗反射層13、密接層14之成膜中，視需要亦可更換靶S13b、S14b、S15b。
進而，於除了該等相移層12、抗反射層13及密接層14之成膜外，還積層其他膜之情形時，設為對應之靶、氣體等濺鍍條件藉由濺鍍進行成膜、或者藉由其他成膜方法積層該膜，從而製成本實施方式之光罩基底10B。
以下，對本實施方式中之相移層12、抗反射層13、密接層14之膜特性進行說明。
首先，於用以形成光罩之玻璃基板11上，使用濺鍍法等形成成為相移層12之主成分膜之鉻化合物膜。理想的是，此時形成之鉻化合物為含有鉻、氧、氮、碳等之膜。藉由控制相移層12之膜中所含有之鉻、氧、氮、碳之組成及膜厚，能夠形成具有所期望之透過率及相位之相移層12。
此處，於僅由鉻化合物形成相移層12而未設置其他膜之情形時，反射率高達約25%。因此，理想的是藉由在相移層12之表面形成成為低反射層之抗反射層13，而降低反射率。
作為抗反射層13，理想的是使用金屬矽化物中之矽化鉬。矽化鉬對於光罩洗淨中通常使用之硫酸與過氧化氫溶液之混合液之耐性較強，藉由控制矽化鉬中所包含之氮或氧濃度，能夠較大程度地控制光學特性。
此處，由於矽化鉬具有親水性，故有時與光阻劑之密接性較差。為了改善該情況，藉由形成具有撥水性之密接層14來實現密接性之改善。 作為密接層14，理想的是使用鉻化合物。鉻化合物具有對於酸或鹼溶液之藥液耐性較強之性質及疏水性之性質。因此，於密接層14與光阻劑相接觸之界面適合使用鉻化合物。
如此，藉由積層相移層12、抗反射層13及密接層14，能夠以藥液耐性較強之鉻化合物及金屬矽化物此兩種材料形成具有光罩10所需之光學特性等之相移膜。
為了減小相移光罩10之反射率，重要的是於使密接層14及抗反射層13之光學常數為接近之值之基礎上，進而使抗反射層13與相移層12之間之折射率之差及消光係數之差增大。如此，為了降低相移光罩10之反射率，理想的是減小密接層14及抗反射層13之折射率及消光係數之值。
於密接層14中所使用之鉻化合物中，藉由提高鉻化合物中之氧濃度及氮濃度，能夠減小折射率及消光係數之值。尤其是藉由增加膜中之氧濃度，可大幅度減小折射率及消光係數之值。
又，於將矽化鉬用作抗反射層13中所使用之金屬矽化物之情形時，藉由增加膜中之氮濃度及氧濃度，能夠減小折射率及消光係數之值。尤其是，藉由增加膜中之氧濃度，可大幅度減小折射率及消光係數之值。
此處，為了說明，將相移層12設為以含有氮、氧及碳之鉻化合物為主成分之膜，將抗反射層13設為以含有氧及氮之矽化鉬為主成分之膜，將密接層14設為以含有氧及氮之鉻化合物為主成分之膜，但並不限定於此。
如此，針對作為低反射相移膜(光罩層)之相移層12、抗反射層13及密接層14，於相移層12中，將氧濃度、碳濃度、氮濃度設定在上述範圍內，於抗反射層13中，將氧濃度、碳濃度、氮濃度設定在上述範圍內，於密接層14中，將氧濃度、碳濃度、氮濃度設定在上述範圍內。
首先，對密接層14之密接性之變化進行評價。 此處，使用作密接層14之鉻化合物之膜厚變化，查明該情形時之鉻化合物與光阻劑之密接性評價之關係。 光阻劑密接性之評價係於本實施方式之三層構造之光罩基底10B之上形成光阻劑圖案，其後進行濕式蝕刻。 作為光阻劑層15，例如可應用酚醛清漆樹脂等。
此時，於在光阻劑層15與光罩層之界面產生蝕刻液之滲入之情形時設為NG(不合格)，於未產生蝕刻液之滲入之情形時設為OK(合格)。 再者，於在光阻劑層與光罩層之界面產生蝕刻液之滲入之情形時，於該部分不形成作為低反射相移膜(光罩層)之相移層12、抗反射層13及密接層14中之圖案。 將其結果示於表1中。
[ 表 1]
密接層 (nm) 密接性評價
3 NG
5 OK
10 OK
15 OK
密接層膜厚與密接性之關係
根據該結果可知，於密接層(密接改善層)14之膜厚為10 nm以上之情形時，獲得不產生蝕刻液滲入之良好之截面形狀。
其次，對由抗反射層13之組成、亦即氧、氮等之含量變化所致之膜特性變化進行驗證。
使用濺鍍法將矽化鉬化合物成膜。 此處使用之矽化鉬靶之組成為Mo：Si＝1：2.3。又，於濺鍍時，使用N2 與CO2 之混合氣體。 使矽化鉬化合物成膜時之CO2 分壓變化。 如此，將使MoSi化合物成膜時之CO2 分壓變化時之折射率之波長依存性示於圖5。又，將使MoSi化合物成膜時之CO2 分壓變化時之消光係數之波長依存性示於圖6。
當矽化鉬化合物成膜時之CO2 分壓變化時，碳、氮、氧之組成比隨之變化。同時，鉬與矽之組成比亦發生變化。藉由增加成膜時之CO2 分壓，而氧濃度、碳濃度增加，氮濃度、矽濃度及鉬濃度減少。 如圖5、圖6所示，可知藉由增加矽化鉬化合物成膜時之CO2 分壓，可降低折射率及消光係數。
又，藉由歐傑電子能譜法求出矽化鉬化合物之組成。將其結果示於表2中。
[ 表 2]
MoSi 化合物濺鍍時之 CO2 氣體分壓與組成之關係
CO2 氣體分壓 C N O Si Mo
0% 4.0 39.3 6.7 21.7 28.3
10% 13.5 12.3 36.1 16.2 22.0
20% 9.7 9.9 50.7 14.0 15.8
30% 6.2 4.6 63.2 11.1 14.9
可知藉由增加成膜時之CO2 分壓，而氧濃度增加，氮濃度、矽濃度及鉬濃度減少。
於使用濕式蝕刻對矽化鉬膜進行蝕刻時，通常需要使用具有氟化氫之藥液進行蝕刻。但是，氟化氫亦會蝕刻石英等之基板。因此，理想的是使用矽化鉬中之矽濃度較低之材料。因而，作為形成矽化鉬時之靶組成，如上所述，理想的是使用含有Mo及Si之組成。若進一步降低Si濃度，則難以保持靶組成之均一性。
繼而，對由密接層14及相移層12之組成、亦即氧、氮等之含量變化所致之膜特性變化進行驗證。
密接層14及相移層12被設為鉻化合物。 使用濺鍍法將鉻化合物成膜。 於形成鉻化合物時，選擇CO2 氣體及NO氣體作為氧化性氣體，針對各種氣體，示出使其分壓變化之情形時之折射率及消光係數之波長依存性之曲線圖。
將使Cr化合物成膜時之NO氣體分壓以氣體流量比計於0%～30%之範圍內變化時之折射率之波長依存性示於圖7中。又，將使Cr化合物成膜時之NO氣體分壓變化時之消光係數之波長依存性示於圖8中。 關於鉻化合物，藉由調整形成時之氧化性氣體之分壓，能夠使光學特性大幅變化。 如圖7、圖8所示，可知藉由增加成膜時之NO氣體分壓，可降低折射率及消光係數。
藉由歐傑電子能譜法求出選擇NO氣體作為氧化性氣體而成膜之鉻化合物之組成。將其結果示於表3中。
[ 表 3]
Cr 化合物濺鍍時之 NO 氣體分壓與組成之關係
NO 氣體分壓 C N O Si Cr
0% 2.3 42.3 8.4 4.5 42.4
10% 2.3 39.5 11.4 4.7 42.1
20% 2.2 21.6 38.5 4.0 33.7
30% 2.2 3.7 65.7 3.3 25.2
將使Cr化合物成膜時之CO2氣體分壓以氣體流量比計於0%～30%之範圍內變化時之折射率之波長依存性示於圖9中。又，將使Cr化合物成膜時之CO2 氣體分壓變化時之消光係數之波長依存性示於圖10中。 又，藉由歐傑電子能譜法求出選擇CO2 氣體作為氧化性氣體而成膜之鉻化合物之組成。將其結果示於表4中。
[ 表 4]
Cr 化合物濺鍍時之 CO2 氣體分壓與組成之關係
CO2 氣體分壓 C N O Si Cr
0% 2.3 42.3 8.4 4.5 42.4
10% 9.8 34.2 12.3 4.4 39.4
20% 10.3 19.9 32.4 3.6 33.7
30% 2.5 1.8 72.8 2.7 20.3
可知藉由增加Cr化合物成膜時之CO2 分壓或NO分壓，而氧濃度增加，氮濃度及鉻濃度減少。 如此，藉由對矽化鉬化合物及鉻化合物均調整成膜時之氣體分壓，可獲得具有所期望之光學常數之膜。
相移光罩10被設定為於I-光線(波長365 nm)下透過率為約5%，且相移部分與透過部分之相位差為約180°。因此，關於形成相移層12之鉻膜、形成抗反射層13之矽化鉬膜及形成密接層14之鉻膜，藉由調整各自之膜厚及光學常數，能夠控制相位差、透過率及反射率。
相移光罩10必須使反射率降低。因此，於密接層14及抗反射層13中，減小折射率及消光係數，並且於相移層12中，增大折射率及消光係數。亦即，理想的是於抗反射層13與相移層12之間增大折射率之差，同時於抗反射層13與相移層12之間增大消光係數之差。
因此，對於密接層14，理想的是提高成膜時之NO氣體分壓，從而提高膜中氧濃度。 為了使用氧濃度較高之鉻膜提高密接性，與使用CO2 氣體進行氧化相比，使用NO氣體進行氧化更能使與光阻劑之密接性良好。因此，用於密接層之鉻膜理想的是使用NO氣體來成膜。
又，對於抗反射層13，理想的是提高成膜時之含氧氣體分壓而提高膜中氧濃度。於提高了抗反射層13之氧濃度之情形時，有時親水性會增強，因此理想的是提高密接層14之疏水性。
進而，關於相移層12，由添加CO2 氣體而成膜之鉻膜形成，藉由使成膜時之CO2 氣體添加量變化，能夠控制相移層12之光學常數，而獲得所設定之相移光罩10之透過率及相位差。
於具有低反射特性之相移光罩10中，當成膜密接層14、抗反射層13及相移層12時，藉由選擇含氧氣體作為各自之濺鍍氣體，並且設定氣體流量(分壓比)，可如上述般設定各個膜中之氧等之組成比。
例如，亦可於成膜相移層12時，將CO2 氣體分壓設為15%～25%，於成膜抗反射層13時，將NO氣體分壓設為25%～35%，於成膜密接層14時，將NO氣體分壓設為25%～35%。
或者，亦能夠使CO2 氣體分壓為0%～5%，使CO2 氣體分壓為5%～15%，使CO2 氣體分壓為10%～20%，使CO2 氣體分壓為20%～30%，使CO2 氣體分壓為25%～35%。 又，亦可使NO氣體分壓為5%～15%，使NO氣體分壓為10%～20%，使NO氣體分壓為15%～25%，使NO氣體分壓為20%～30%。進而，亦可組合使用該等範圍。 又，於濺鍍氣體中包含氬氣之情形時，可較高地設定含氧氣體之分壓。
於具有低反射特性之相移光罩10中，密接層14、抗反射層13及相移層12分別由不同之材料形成。因此，於在進行圖案化之蝕刻步驟中使用濕式(WET)蝕刻之情形時，能夠改變蝕刻液而選擇性地進行蝕刻。
矽化鉬化合物例如能夠藉由氟化氫銨與過氧化氫之混合液進行蝕刻。鉻化合物例如能夠藉由硝酸鈰銨與過氯酸之混合液進行蝕刻。 該各不相同之濕式蝕刻時之選擇比非常大。因此，蝕刻後之相移光罩10之截面形狀變為接近垂直之形狀，能夠獲得良好之截面形狀。
對具有低反射特性之相移光罩10之特性進行了驗證。 為了進行確認，形成製成三層構造之相移光罩10之光罩基底10B。於玻璃基板11上，使用以20%之CO2 氣體分壓形成之鉻化合物製成相移層12。於相移層12上，使用以30%之CO2 氣體分壓形成之矽化鉬化合物製成抗反射層13。於抗反射層13上，使用以30%之NO氣體分壓形成之鉻化合物製成密接層14。此處，將相移層12之膜厚設為90 nm，將抗反射層13之膜厚設為30 nm，將密接層14之膜厚設為10 nm而使用。
使抗反射層13之膜厚變化而驗證相移光罩10之特性變化。 圖11中示出使本實施例之抗反射層13之膜厚變化之情形時之相移光罩10之反射率特性。 圖12中示出使本實施例之抗反射層13之膜厚變化之情形時之相移光罩10之透過率特性。 再者，LR表示抗反射層13之膜厚。
據此，抗反射層13之膜厚為30～40 nm時反射率為5%左右。亦即，可知於抗反射層13之膜厚為30 nm附近之區域中，例如於被設為413 nm等之波長400 nm附近可獲得較低之反射率。
繼而，使密接層14之膜厚變化而驗證相移光罩10之特性變化。 圖13中示出使本實施例之密接層14之膜厚變化之情形時之相移光罩10之反射率特性。 圖14中示出使本實施例之密接層14之膜厚變化之情形時之相移光罩10之透過率特性。 再者，AE表示密接層14之厚度。
可知，當密接層14之膜厚增厚至10 nm以上時，反射率有增加之傾向，但若為10 nm則可獲得波長400 nm附近之區域之反射率充分地低至5%左右之反射率特性。當使密接層14之膜厚變化時，膜厚越薄，則反射率越低。又，認為是由於在變厚時形成折射率較高之成分，故而反射率上升。
因此，可知本實施方式之相移光罩10具有較低之反射率特性。
本實施方式中之光罩基底10B、光罩10由於能夠分別獨立地控制密接層14、抗反射層13及相移層12之蝕刻，故藥液耐性較強，能夠充分地降低反射率，而且獲得適合用作光罩之截面形狀。 又，藉由控制成膜時之含氧氣體等之氣體流量比，而控制膜中所含有之鉻、氧、氮、碳之組成及膜厚，從而可實現包含具有所期望之透過率及相位之相移層，同樣藉由減小折射率及消光係數之值之密接層14及抗反射層13而使反射率較低之光罩基底10B、光罩10。
再者，於本實施方式中，作為光罩層，設為具有相移層12之相移光罩10而加以說明，但本發明不限於該構成。 例如，亦可設為具有遮光層以代替相移層12之遮光光罩、或者具有半色調層以代替相移層12之半色調光罩、或者將還包含其他層之該等層組合所得之光罩。
10:相移光罩 10B:光罩基底 11:玻璃基板(透明基板) 12:相移層 12P:相移圖案 13:抗反射層 13P:抗反射圖案 14:密接層 14P:密接圖案 15:光阻劑層 S10:製造裝置 S11:裝載室 S11a:搬送機構 S11f:排氣機構 S12:成膜室(真空處理室) S12a:基板保持機構 S12g:氣體防護壁 S13,S14,S15:成膜機構 S13b,S14b,S15b:靶 S13c,S14c,S15c:陰極電極(背襯板) S13d:電源 S13e,S14e,S15e:氣體導入機構 S13f:高真空排氣機構 S14d:電源 S14f:高真空排氣機構 S15d:電源 S15f:高真空排氣機構 S16:卸載室 S16a:搬送機構 S16f:排氣機構 S17:密閉機構 S18:密閉機構
圖1係表示本發明之實施方式之光罩基底之剖視圖。 圖2係表示本發明之實施方式之光罩基底之剖視圖。 圖3係表示本發明之實施方式之光罩之剖視圖。 圖4係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法中之成膜裝置之模式圖。 圖5係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法之抗反射層中所應用之MoSi化合物之折射率之CO2 分壓比依存性的曲線圖。 圖6係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法之抗反射層中所應用之MoSi化合物之消光係數之CO2 分壓比依存性的曲線圖。 圖7係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法之密接層中所應用之Cr化合物之折射率之NO分壓比依存性的曲線圖。 圖8係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法之密接層中所應用之Cr化合物之消光係數之NO分壓比依存性的曲線圖。 圖9係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法之相移層中所應用之Cr化合物之折射率之CO2 分壓比依存性的曲線圖。 圖10係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法之相移層中所應用之Cr化合物之消光係數之CO2 分壓比依存性的曲線圖。 圖11係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法中之反射率特性之對於抗反射層膜厚之依存性的曲線圖。 圖12係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法中之透過率特性之對於抗反射層膜厚之依存性的曲線圖。 圖13係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法中之反射率特性之對於密接層膜厚之依存性的曲線圖。 圖14係表示本發明之實施方式之光罩基底、光罩之製造方法中之透過率特性之對於密接層膜厚之依存性的曲線圖。
10B:光罩基底
11:玻璃基板(透明基板)
12:相移層
13:抗反射層
14:密接層

Claims (15)

  1. 一種光罩基底，其係具有成為相移光罩之層者，且具有： 相移層，其積層於透明基板上； 抗反射層，其設置於較上述相移層距上述透明基板更離開之位置；及 密接層，其設置於較上述抗反射層距上述透明基板更離開之位置；且 上述相移層含有鉻， 上述抗反射層含有矽化鉬及氧， 上述密接層含有鉻及氧， 對上述密接層以使其相對於光阻劑層具有能夠形成圖案之密接性之方式設定其含氧率。
  2. 如請求項1之光罩基底，其中 上述密接層之上述含氧率設定在8.4 atm%～65.7 atm%之範圍內。
  3. 如請求項2之光罩基底，其中 上述密接層含有氮，且上述密接層之含氮率設定在3.7 atm%～42.3 atm%之範圍內。
  4. 如請求項2或3之光罩基底，其中 上述密接層含有碳，且上述密接層之含碳率設定在2.2 atm%～2.3 atm%之範圍內。
  5. 如請求項2或3之光罩基底，其中 上述密接層之含鉻率設定在25.2 atm%～42.4 atm%之範圍內。
  6. 如請求項1之光罩基底，其中 上述密接層之膜厚設定在5 nm～15 nm之範圍內。
  7. 如請求項1之光罩基底，其中 上述抗反射層之含氧率設定在6.7 atm%～63.2 atm%之範圍內。
  8. 如請求項7之光罩基底，其中 上述抗反射層含有氮，且上述抗反射層之含氮率設定在4.6 atm%～39.3 atm%之範圍內。
  9. 如請求項1之光罩基底，其 具有設置於較上述密接層距上述透明基板更離開之位置之光阻劑層。
  10. 一種光罩基底之製造方法，其係製造如請求項1至9中任一項之光罩基底之製造方法，且具有： 相移層形成步驟，其係於上述透明基板上積層含有鉻之上述相移層； 抗反射層形成步驟，其係於較上述相移層距上述透明基板更離開之位置，積層含有矽化鉬及氧之上述抗反射層；以及 密接層形成步驟，其係於較上述抗反射層距上述透明基板更離開之位置，積層含有鉻及氧之上述密接層；且 於上述密接層形成步驟中， 藉由針對濺鍍中之供給氣體，設定含氧氣體之分壓，而使上述密接層形成為相對於光阻劑層具有能夠形成圖案之密接性。
  11. 如請求項10之光罩基底之製造方法，其中 於上述密接層形成步驟中， 藉由設定上述含氧氣體之分壓，而上述密接層之密接性伴隨著含氧率增加而增強。
  12. 如請求項11之光罩基底之製造方法，其中 於上述密接層形成步驟中， 將上述含氧氣體之分壓比設定在0.00～0.30之範圍內。
  13. 如請求項12之光罩基底之製造方法，其中 於上述密接層形成步驟中， 將上述含氧氣體設為NO。
  14. 一種光罩，其係由如請求項1至9中任一項之光罩基底製造。
  15. 一種光罩之製造方法，其係製造如請求項14之光罩之製造方法，且具有： 相移圖案形成步驟，其係於上述相移層形成圖案； 抗反射圖案形成步驟，其係於上述抗反射層形成圖案；及 密接圖案形成步驟，其係於上述密接層形成圖案；且 上述相移圖案形成步驟及上述密接圖案形成步驟中之蝕刻液與上述抗反射圖案形成步驟中之蝕刻液不同。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7417578B2 (ja) * 2021-12-23 2024-01-18 アルバック成膜株式会社 マスクブランクスおよびその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201409166A (zh) * 2012-05-16 2014-03-01 Shinetsu Chemical Co 光罩基板及光罩之製造方法
WO2017038213A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法
TW201821898A (zh) * 2016-09-21 2018-06-16 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩基底之製造方法、及使用其等之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法
CN108594593A (zh) * 2013-09-25 2018-09-28 信越化学工业株式会社 光掩模坯料及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101029162B1 (ko) 2003-02-03 2011-04-12 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크를 이용한 패턴 전사 방법
JP4509050B2 (ja) 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP5530075B2 (ja) 2008-03-31 2014-06-25 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法
JP4831368B2 (ja) 2008-08-15 2011-12-07 信越化学工業株式会社 グレートーンマスクブランク及びグレートーンマスク
JP4930737B2 (ja) * 2011-09-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びバイナリーマスクの製造方法
JP6324756B2 (ja) 2013-03-19 2018-05-16 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
KR101504557B1 (ko) * 2014-03-23 2015-03-20 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크
KR101579848B1 (ko) * 2014-08-29 2015-12-23 주식회사 에스앤에스텍 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP6601245B2 (ja) * 2015-03-04 2019-11-06 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法
JP6803172B2 (ja) 2016-08-19 2020-12-23 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスクブランクス、それを用いたフォトマスクおよびフォトマスクの製造方法
JP6812236B2 (ja) * 2016-12-27 2021-01-13 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
KR102592274B1 (ko) * 2017-06-14 2023-10-23 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
TWI755337B (zh) * 2017-07-14 2022-02-11 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩之製造方法、以及顯示裝置製造方法
JP6998181B2 (ja) 2017-11-14 2022-02-04 アルバック成膜株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法
CN108666325B (zh) * 2018-05-24 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种tft基板的制备方法、tft基板及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201409166A (zh) * 2012-05-16 2014-03-01 Shinetsu Chemical Co 光罩基板及光罩之製造方法
CN108594593A (zh) * 2013-09-25 2018-09-28 信越化学工业株式会社 光掩模坯料及其制造方法
WO2017038213A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法
TW201821898A (zh) * 2016-09-21 2018-06-16 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 光罩基底、光罩基底之製造方法、及使用其等之光罩之製造方法、以及顯示裝置之製造方法

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