JPH0434141B2 - - Google Patents
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- JPH0434141B2 JPH0434141B2 JP1620385A JP1620385A JPH0434141B2 JP H0434141 B2 JPH0434141 B2 JP H0434141B2 JP 1620385 A JP1620385 A JP 1620385A JP 1620385 A JP1620385 A JP 1620385A JP H0434141 B2 JPH0434141 B2 JP H0434141B2
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- metal silicide
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程において用
いられるフオトマスクの製造方法に関するもので
ある。
いられるフオトマスクの製造方法に関するもので
ある。
従来のフオトマスクの製造方法を第２図ａ〜ｄ
により説明する。まず、第２図ａのように、透明
ガラス基板１にスパツタ法または蒸着法等により
クロム等の金属マスク材料２を800〜1000Åに形
成し、次に第２図ｂのように、金属マスク材料２
上にレジスト３を塗布した後、光または電子ビー
ム（EB）により所望のパターンを描画した後、
現像処理を行いレジストパターンを形成する。次
いで第２図ｃのように、ガスプラズマ等によりク
ロム等の金属マスク材料２をエツチング除去し、
レジストパターンを除去することにより、第２図
ｄのようにフオトマスク（ハードマスク）が形成
される。
により説明する。まず、第２図ａのように、透明
ガラス基板１にスパツタ法または蒸着法等により
クロム等の金属マスク材料２を800〜1000Åに形
成し、次に第２図ｂのように、金属マスク材料２
上にレジスト３を塗布した後、光または電子ビー
ム（EB）により所望のパターンを描画した後、
現像処理を行いレジストパターンを形成する。次
いで第２図ｃのように、ガスプラズマ等によりク
ロム等の金属マスク材料２をエツチング除去し、
レジストパターンを除去することにより、第２図
ｄのようにフオトマスク（ハードマスク）が形成
される。
半導体装置、特に微細パターンを要する半導体
装置の製造に際し、写真製版工程で使用されるク
ロム等のハードマスクは、従来のエマルジヨンマ
スクに比べて膜厚の薄い材料が使えるために、パ
ターンの微細化が可能となり、かつその寿命も長
くなる等の多くの利点がある。
装置の製造に際し、写真製版工程で使用されるク
ロム等のハードマスクは、従来のエマルジヨンマ
スクに比べて膜厚の薄い材料が使えるために、パ
ターンの微細化が可能となり、かつその寿命も長
くなる等の多くの利点がある。
しかしながら、同時にクロム等のハードマスク
の金属マスク材料２のエツチング技術が重要な位
置を占めることになる。クロムを例にとると、従
来、エツチングは硝酸第二セリウムアンモン
〔Ce（NH4）2（NO2）6〕と過塩素酸〔HClO4〕との
混合水溶液等の薬品によるウエツトケミカルエツ
チングが適用されていた。しかしながら、近年パ
ターンの微細化に伴つてエツチングも進歩し、ガ
スプラズマまたは反応性イオンエツチングを利用
したドライエツチング技術が開発され利用される
ようになつた。クロムのプラズマエツチングの場
合、塩素などのハロゲン元素と酸素とを含んだ混
合ガスをグロー放電させることにより Cr＋20＋2Cl→CrO2Cl2 と考えられる反応でクロムエツチングされる。
の金属マスク材料２のエツチング技術が重要な位
置を占めることになる。クロムを例にとると、従
来、エツチングは硝酸第二セリウムアンモン
〔Ce（NH4）2（NO2）6〕と過塩素酸〔HClO4〕との
混合水溶液等の薬品によるウエツトケミカルエツ
チングが適用されていた。しかしながら、近年パ
ターンの微細化に伴つてエツチングも進歩し、ガ
スプラズマまたは反応性イオンエツチングを利用
したドライエツチング技術が開発され利用される
ようになつた。クロムのプラズマエツチングの場
合、塩素などのハロゲン元素と酸素とを含んだ混
合ガスをグロー放電させることにより Cr＋20＋2Cl→CrO2Cl2 と考えられる反応でクロムエツチングされる。
上記したように、クロム等のハードマスクは微
細パターン形成に有利であるが、エツチング、特
にガスプラズマを用いたドライエツチングではそ
の速度が遅いという欠点があつた。つまり、クロ
ムの場合、エツチング速度は約100Å／分
（300W、0.2Torrの条件で）程度であり、エツチ
ング時間は８〜10分（800〜1000Å膜厚）要する
ことになる。また、長時間エツチングによるレジ
ストの膜減りも多く、問題がある。
細パターン形成に有利であるが、エツチング、特
にガスプラズマを用いたドライエツチングではそ
の速度が遅いという欠点があつた。つまり、クロ
ムの場合、エツチング速度は約100Å／分
（300W、0.2Torrの条件で）程度であり、エツチ
ング時間は８〜10分（800〜1000Å膜厚）要する
ことになる。また、長時間エツチングによるレジ
ストの膜減りも多く、問題がある。
この発明は、上記のような従来の欠点を除去す
るためになされたもので、ドライエツチングが容
易なフオトマスクの製造方法を提供することを目
的としている。
るためになされたもので、ドライエツチングが容
易なフオトマスクの製造方法を提供することを目
的としている。
この発明に係るフオトマスクの製造方法におい
ては、石英等の透明ガラス基板上に直接金属シリ
サイド膜を形成しその後エツチングを施すもので
ある。
ては、石英等の透明ガラス基板上に直接金属シリ
サイド膜を形成しその後エツチングを施すもので
ある。
この発明においては、マスクパターンを形成す
る金属マスク材料として金属シリサイド膜を用い
ているからエツチング速度も速くなり、基板との
なじみもよいので膜ハガレを生じることもない。
る金属マスク材料として金属シリサイド膜を用い
ているからエツチング速度も速くなり、基板との
なじみもよいので膜ハガレを生じることもない。
第１図ａ〜ｃはこの発明の一実施例を示すフオ
トマスクの製造工程を示す断面図である。まず、
第１図ａに示すように、石英等の透明ガラス基板
１上にモリブテン（Mo）やタングステン（Ｗ）
等の金属のターゲツトをスパツタ法またはEB等
により約1000Å程度の膜厚の金属シリサイド膜４
を直接全面に形成する。つまり、金属シリサイド
膜４は金属膜を形成してからシリサイド化するよ
うな間接的な形成ではなく、直接的に形成するも
のである。次いで第１図ｂに示すように、金属シ
リサイド膜４上にレジスト３を塗布し、光または
EBにより所望のパターンを描画しレジストパタ
ーンを形成する。その後、現像処理およびベーキ
ングを施した後、第２図ｃに示すように、金属シ
リサイド膜４上のエツチングを行うことにより金
属シリサイドのマスクパターン５が形成され、半
導体装置用のフオトマスクが形成される。
トマスクの製造工程を示す断面図である。まず、
第１図ａに示すように、石英等の透明ガラス基板
１上にモリブテン（Mo）やタングステン（Ｗ）
等の金属のターゲツトをスパツタ法またはEB等
により約1000Å程度の膜厚の金属シリサイド膜４
を直接全面に形成する。つまり、金属シリサイド
膜４は金属膜を形成してからシリサイド化するよ
うな間接的な形成ではなく、直接的に形成するも
のである。次いで第１図ｂに示すように、金属シ
リサイド膜４上にレジスト３を塗布し、光または
EBにより所望のパターンを描画しレジストパタ
ーンを形成する。その後、現像処理およびベーキ
ングを施した後、第２図ｃに示すように、金属シ
リサイド膜４上のエツチングを行うことにより金
属シリサイドのマスクパターン５が形成され、半
導体装置用のフオトマスクが形成される。
金属シリサイド膜４をマスク材料として用いる
と、ドライエツチング性の容易さ、透明ガラス基
板１との接着性が増すことで高品質のマスクが提
供できる。透明ガラス基板１上にフオトレジスト
またはEBレジストを4000〜6000Å塗布した後、
光またはEBでパターンを描画した場合、金属シ
リサイド膜４は10〜100Ω程度の抵抗であり、EB
描画におけるチヤージアツプ現象はない。金属シ
リサイド膜４はクロム膜に比べてドライエツチン
グが容易に行える。例えばモリブテン（Mo）の
金属シリサイド膜４の場合、CF4＋O2（２％）の
混合ガスを使用し、0.2Torrの真空度、300Wの
条件で約500〜1000Å／分のエツチング速度であ
り、従来のクロム膜のドライエツチングに比べ約
５〜10倍のスピードとなる。これは十分量産に適
しており、かつそのために寸法制御も容易とな
る。
と、ドライエツチング性の容易さ、透明ガラス基
板１との接着性が増すことで高品質のマスクが提
供できる。透明ガラス基板１上にフオトレジスト
またはEBレジストを4000〜6000Å塗布した後、
光またはEBでパターンを描画した場合、金属シ
リサイド膜４は10〜100Ω程度の抵抗であり、EB
描画におけるチヤージアツプ現象はない。金属シ
リサイド膜４はクロム膜に比べてドライエツチン
グが容易に行える。例えばモリブテン（Mo）の
金属シリサイド膜４の場合、CF4＋O2（２％）の
混合ガスを使用し、0.2Torrの真空度、300Wの
条件で約500〜1000Å／分のエツチング速度であ
り、従来のクロム膜のドライエツチングに比べ約
５〜10倍のスピードとなる。これは十分量産に適
しており、かつそのために寸法制御も容易とな
る。
また、金属シリサイド膜４はシリコン（Si）を
主成分としており、石英（SiO2，Al2O3等を含
む）基板とのなじみもよく、膜ハガレの問題はな
く、信頼性の高いフオトマスクが製造できる。
主成分としており、石英（SiO2，Al2O3等を含
む）基板とのなじみもよく、膜ハガレの問題はな
く、信頼性の高いフオトマスクが製造できる。
この発明は以上説明したとおり、フオトマスク
の製造に石英等の透明ガラス基板を用い、この透
明ガラス基板上に金属シリサイド膜を直接形成す
ることにより、ドライエツチングが容易で、量産
性に富んだ、かつ膜ハガレのない高信頼性のフオ
トマスクの製造が可能となる。そして金属シリサ
イド膜は抵抗値が低いので、電子ビームによりマ
スクパターンを描画したときチヤージアツプ現象
が生じない利点がある。
の製造に石英等の透明ガラス基板を用い、この透
明ガラス基板上に金属シリサイド膜を直接形成す
ることにより、ドライエツチングが容易で、量産
性に富んだ、かつ膜ハガレのない高信頼性のフオ
トマスクの製造が可能となる。そして金属シリサ
イド膜は抵抗値が低いので、電子ビームによりマ
スクパターンを描画したときチヤージアツプ現象
が生じない利点がある。
第１図ａ〜ｃはこの発明の一実施例であるフオ
トマスクの製造工程を示す断面図、第２図ａ〜ｄ
は従来のフオトマスクの製造工程を示す断面図で
ある。 図において、１は透明ガラス基板、３はレジス
ト、４は金属シリサイド膜、５はマスクパターン
である。なお、各図中の同一符号は同一または相
当部分を示す。
トマスクの製造工程を示す断面図、第２図ａ〜ｄ
は従来のフオトマスクの製造工程を示す断面図で
ある。 図において、１は透明ガラス基板、３はレジス
ト、４は金属シリサイド膜、５はマスクパターン
である。なお、各図中の同一符号は同一または相
当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明ガラス基板上に直接金属シリサイド膜を
形成する工程、前記金属シリサイド膜上にレジス
トを塗布する工程、光または電子ビームによりマ
スクパターンを描画した後現像処理する工程、ド
ライエツチング法により前記金属シリサイド膜を
エツチングする工程を含むことを特徴とするフオ
トマスクの製造方法。 ２ 透明ガラス基板は、石英ガラス基板であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフオ
トマスクの製造方法。 ３ 金属シリサイド膜は、1000Å程度の薄膜であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
フオトマスクの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016203A JPS61173251A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスクの製造方法 |
| DE8686300569T DE3679078D1 (de) | 1985-01-28 | 1986-01-28 | Photomaskenherstellungsverfahren. |
| EP86300569A EP0190867B1 (en) | 1985-01-28 | 1986-01-28 | Process for manufacturing a photomask |
| US07/075,297 US4876164A (en) | 1985-01-28 | 1987-07-17 | Process for manufacturing a photomask |
| US07/425,088 US4985319A (en) | 1985-01-28 | 1989-10-23 | Process for manufacturing a photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016203A JPS61173251A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173251A JPS61173251A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0434141B2 true JPH0434141B2 (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=11909948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60016203A Granted JPS61173251A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4876164A (ja) |
| EP (1) | EP0190867B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61173251A (ja) |
| DE (1) | DE3679078D1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173251A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの製造方法 |
| JPS6385553A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法 |
| US5306601A (en) * | 1988-06-29 | 1994-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fine pattern forming material and pattern forming method |
| JPH0827534B2 (ja) * | 1990-09-11 | 1996-03-21 | 三菱電機株式会社 | フォトマスク |
| US5153083A (en) * | 1990-12-05 | 1992-10-06 | At&T Bell Laboratories | Method of making phase-shifting lithographic masks |
| EP0563251A1 (en) * | 1990-12-20 | 1993-10-06 | Exxon Chemical Patents Inc. | Uv/eb curable butyl copolymers for lithographic and corrosion-resistant coating applications |
| JPH04368947A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの作成方法 |
| JPH07159974A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | パターン転写マスクおよびその製造方法 |
| JP2878143B2 (ja) * | 1994-02-22 | 1999-04-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法 |
| KR0151427B1 (ko) * | 1994-03-04 | 1999-02-18 | 문정환 | 위상 반전마스크 및 그의 제조방법 |
| US5786114A (en) * | 1997-01-10 | 1998-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Attenuated phase shift mask with halftone boundary regions |
| JP3347670B2 (ja) * | 1998-07-06 | 2002-11-20 | キヤノン株式会社 | マスク及びそれを用いた露光方法 |
| US6410453B1 (en) * | 1999-09-02 | 2002-06-25 | Micron Technology, Inc. | Method of processing a substrate |
| US6811959B2 (en) | 2002-03-04 | 2004-11-02 | International Business Machines Corporation | Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks |
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| JP2007183048A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Sansyu Sangyo Co Ltd | 燃焼装置および燃焼装置の運転方法 |
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