JP2878143B2 - 減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法 - Google Patents
減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法Info
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- JP2878143B2 JP2878143B2 JP2403795A JP2403795A JP2878143B2 JP 2878143 B2 JP2878143 B2 JP 2878143B2 JP 2403795 A JP2403795 A JP 2403795A JP 2403795 A JP2403795 A JP 2403795A JP 2878143 B2 JP2878143 B2 JP 2878143B2
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフト・リソグラ
フィ・マスクに関する。さらに詳しくは、本発明は、マ
スクと、減衰層を有するマスクを作成するための方法と
に関する。
フィ・マスクに関する。さらに詳しくは、本発明は、マ
スクと、減衰層を有するマスクを作成するための方法と
に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常のクロム・マスク技術で達成される
ものを超えるリソグラフィ・ツールの解像度、コントラ
スト及び焦点深度を拡張するための経路としての位相シ
フト・マスクには、かなりの関心が寄せられている。位
相シフト・マスクにおいては、干渉効果が利用できるよ
うに石英基板プレートがエッチングまたはコーティング
される。このエッチングまたはコーティングの厚さは、
ちょうど１／２波長の隣接領域間に、２つの領域の境界
で破壊的干渉をもたらす光路差が確立できるような厚さ
である。たとえば、交互位相、リム及びその他の構造に
おける効果を定量化し利用するために、沢山の研究が行
われてきた。これまでに、位相シフト・マスクをフルス
ケール超小型回路設計に導入する妨げとなってきた問題
は、回路設計者のために自動的にマスク・レイアウトを
容易にする設計ツールの作成が難しいことであった。こ
のため、いわゆる減衰位相シフト・マスクの使用に焦点
が当てられている。
ものを超えるリソグラフィ・ツールの解像度、コントラ
スト及び焦点深度を拡張するための経路としての位相シ
フト・マスクには、かなりの関心が寄せられている。位
相シフト・マスクにおいては、干渉効果が利用できるよ
うに石英基板プレートがエッチングまたはコーティング
される。このエッチングまたはコーティングの厚さは、
ちょうど１／２波長の隣接領域間に、２つの領域の境界
で破壊的干渉をもたらす光路差が確立できるような厚さ
である。たとえば、交互位相、リム及びその他の構造に
おける効果を定量化し利用するために、沢山の研究が行
われてきた。これまでに、位相シフト・マスクをフルス
ケール超小型回路設計に導入する妨げとなってきた問題
は、回路設計者のために自動的にマスク・レイアウトを
容易にする設計ツールの作成が難しいことであった。こ
のため、いわゆる減衰位相シフト・マスクの使用に焦点
が当てられている。
【０００３】減衰位相シフト・マスクにおいては、クロ
ム層の代わりに僅かに透明な層が１／２波長位相シフト
と共に用いられる。このマスクは、クロム・マスクの場
合と同様にただ１つのパターン形成ステップしかなく、
かつあらゆる縁部が１８０度位相シフト効果のためにコ
ントラストが高くなるという特徴を有する。現在、この
ようなマスクは通常、僅かに透明な、たとえば非常に薄
いクロム層と、所望の位相シフトを発生させるための石
英エッチングとの組合せによって調製される。この方法
では、層とエッチング工程の両方の高度の制御が必要で
ある。
ム層の代わりに僅かに透明な層が１／２波長位相シフト
と共に用いられる。このマスクは、クロム・マスクの場
合と同様にただ１つのパターン形成ステップしかなく、
かつあらゆる縁部が１８０度位相シフト効果のためにコ
ントラストが高くなるという特徴を有する。現在、この
ようなマスクは通常、僅かに透明な、たとえば非常に薄
いクロム層と、所望の位相シフトを発生させるための石
英エッチングとの組合せによって調製される。この方法
では、層とエッチング工程の両方の高度の制御が必要で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主目的は、減
衰層を有する位相シフト・マスクを生成する方法を提供
することである。
衰層を有する位相シフト・マスクを生成する方法を提供
することである。
【０００５】本発明の他の目的は、減衰がうまく制御さ
れた層を有する位相シフト・マスクを提供することであ
る。
れた層を有する位相シフト・マスクを提供することであ
る。
【０００６】本発明の他の目的は、所望の位相シフト及
び位相シフト減衰が同じ層で生じるマスクを提供するこ
とである。
び位相シフト減衰が同じ層で生じるマスクを提供するこ
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、石英基板上に
予め付着された層の選択的エッチングによって減衰型の
位相シフト・マスクを製造することを対象とする。この
層は、必要とされる位相シフトと減衰を組み合わせるこ
とを特徴とし、減衰位相シフト・マスクを生成するため
に容易にパターン形成し加工することができる。すなわ
ち、この方法の利点は、単一の層で光の減衰と位相シフ
トが達成されることである。
予め付着された層の選択的エッチングによって減衰型の
位相シフト・マスクを製造することを対象とする。この
層は、必要とされる位相シフトと減衰を組み合わせるこ
とを特徴とし、減衰位相シフト・マスクを生成するため
に容易にパターン形成し加工することができる。すなわ
ち、この方法の利点は、単一の層で光の減衰と位相シフ
トが達成されることである。
【０００８】
【実施例】重要な材料要件は、減衰層の薄膜を数式１の
ように空気に対して１／２波長のシフトを生成する光路
長に対応するように選ぶことである。
ように空気に対して１／２波長のシフトを生成する光路
長に対応するように選ぶことである。
【数１】（ｎ−１）ｄ＝λ／２
【０００９】上式において、ｎは、リソグラフィ・ツー
ル露光波長λでの膜の屈折率である。さらに、膜は非常
に低い固有応力をもたなければならず、かつ膜はエッチ
するが基板はエッチしない方法でパターン形成すること
が可能なものでなければならない。この厚さの膜の光透
過率は、通常は透過率５〜１５％の選択された値に対応
する。光透過率Ｔは数式２で表すことができる。
ル露光波長λでの膜の屈折率である。さらに、膜は非常
に低い固有応力をもたなければならず、かつ膜はエッチ
するが基板はエッチしない方法でパターン形成すること
が可能なものでなければならない。この厚さの膜の光透
過率は、通常は透過率５〜１５％の選択された値に対応
する。光透過率Ｔは数式２で表すことができる。
【数２】Ｔ＝（１−Ｒ）ｅｘｐ（−４πｋｄ／λ）
【００１０】上式において、ｋは吸収係数、Ｒは反射率
であり、数式３のように表すことができる。
であり、数式３のように表すことができる。
【数３】 Ｒ＝｛（ｎ−１）2＋ｋ2｝／｛（ｎ＋１）2＋ｋ2｝
【００１１】この３つの式は、１８０度位相シフト、透
過率Ｔ、及び最大許容反射率Ｒという所望の位相シフト
・マスクの特性を、屈折率ｎ、吸収率ｋ、及び膜厚ｄと
いう材料パラメータと関係付けるものである。明らかな
通り、ｎとｋは独立に選択することはできない。という
のは、数式１〜３から数式４が成立するからである。
過率Ｔ、及び最大許容反射率Ｒという所望の位相シフト
・マスクの特性を、屈折率ｎ、吸収率ｋ、及び膜厚ｄと
いう材料パラメータと関係付けるものである。明らかな
通り、ｎとｋは独立に選択することはできない。という
のは、数式１〜３から数式４が成立するからである。
【数４】ｋ＝（ｎ−１）（１／２π）１ｎ｛（１−Ｒ）
／Ｔ｝
／Ｔ｝
【００１２】光特性に関する要件を図１に要約して示
す。図１において、陰影付きの領域は、２％及び２０％
という極端な透過率の値に対するｎとｋの値の範囲を示
す。屈折率の値が高すぎると、膜の表面反射率が１０％
よりも大きくなる。本明細書の手法は、値ｎの摂動を最
小にしてｋの値を制御する方法を対象とする。
す。図１において、陰影付きの領域は、２％及び２０％
という極端な透過率の値に対するｎとｋの値の範囲を示
す。屈折率の値が高すぎると、膜の表面反射率が１０％
よりも大きくなる。本明細書の手法は、値ｎの摂動を最
小にしてｋの値を制御する方法を対象とする。
【００１３】光学特性の組合せを達成するために、所望
のいくつかの材料系を調べる。Ｓｉ−Ｎで例示される第
１の材料系は、石英基板に対してある程度選択的にエッ
チングすることができる。ＳｉＯ2で例示される第２の
系では、エッチ・ストップ層が必要である。本発明の方
法は、概念的には、紫外線透過材料を選択し、比較的強
い紫外線吸収を有することがわかっている類似の窒化物
の適当な量を前記透過材料の成膜中に含有するようにそ
れを付着させるものである。この成膜は、窒素ガス含有
反応性雰囲気中での高周波スパッタ技法によって付着さ
せた。Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃ、Ｗ、Ｔｉ、
ＨｆまたはＺｒの元素を所定の割合で混入したＳＩ材料
のスパッタ・ターゲットの使用により、当該の波長３６
５ｎｍ及び２４８ｎｍでの光透過度が制御された窒化物
の成膜を生成することができる。さらに、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｆｅ元素を混入したＳｉ材料の場合には、これらの各酸
化物の成膜も上記波長範囲に亘って制御された光透過度
を有する。
のいくつかの材料系を調べる。Ｓｉ−Ｎで例示される第
１の材料系は、石英基板に対してある程度選択的にエッ
チングすることができる。ＳｉＯ2で例示される第２の
系では、エッチ・ストップ層が必要である。本発明の方
法は、概念的には、紫外線透過材料を選択し、比較的強
い紫外線吸収を有することがわかっている類似の窒化物
の適当な量を前記透過材料の成膜中に含有するようにそ
れを付着させるものである。この成膜は、窒素ガス含有
反応性雰囲気中での高周波スパッタ技法によって付着さ
せた。Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃ、Ｗ、Ｔｉ、
ＨｆまたはＺｒの元素を所定の割合で混入したＳＩ材料
のスパッタ・ターゲットの使用により、当該の波長３６
５ｎｍ及び２４８ｎｍでの光透過度が制御された窒化物
の成膜を生成することができる。さらに、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｆｅ元素を混入したＳｉ材料の場合には、これらの各酸
化物の成膜も上記波長範囲に亘って制御された光透過度
を有する。
【００１４】図２を参照すると、膜は高周波ダイオード
・スパッタ・システムによって付着させた。ガス混合物
を導入する前に、ターボ分子ポンプによってスパッタ・
チャンバ１０を１０-7トル未満に排気することができ
る。プレート１２などの石英プレートを基板として使用
する。プレート１２を直径約２０．３cm（８インチ）の
水冷フィクスチャ１４上に取り付ける。必要ならば、あ
るいは希望するなら、後でさらに詳しく述べるように、
当技術分野で周知の方法を用いてプレート１２上にエッ
チ・ストップ層１６を付着させてもよい。本発明によれ
ば、減衰位相シフト層１８は、プレート１２上に、また
エッチ・ストップ層を使用する場合はエッチ・ストップ
上に直接付着させる。付着の間、当技術分野で周知の方
式でスパッタ・ターゲット２０とフィクスチャ１４の間
に２００Ｗの入力電力を印加する。使用全圧は５ミリト
ルである。付着後、Ｔｅｎｃｏｒのアルファ・ステップ
・プロフィロメータ（図示せず）によって層１８の厚さ
を決定する。自動回析計によるＸ線回析を用いて、これ
らの層または膜の一部の構造を調べる。ＶａｒｉａｎＤ
ＭＳ−２００紫外可視分光光度計で光透過率を測定す
る。
・スパッタ・システムによって付着させた。ガス混合物
を導入する前に、ターボ分子ポンプによってスパッタ・
チャンバ１０を１０-7トル未満に排気することができ
る。プレート１２などの石英プレートを基板として使用
する。プレート１２を直径約２０．３cm（８インチ）の
水冷フィクスチャ１４上に取り付ける。必要ならば、あ
るいは希望するなら、後でさらに詳しく述べるように、
当技術分野で周知の方法を用いてプレート１２上にエッ
チ・ストップ層１６を付着させてもよい。本発明によれ
ば、減衰位相シフト層１８は、プレート１２上に、また
エッチ・ストップ層を使用する場合はエッチ・ストップ
上に直接付着させる。付着の間、当技術分野で周知の方
式でスパッタ・ターゲット２０とフィクスチャ１４の間
に２００Ｗの入力電力を印加する。使用全圧は５ミリト
ルである。付着後、Ｔｅｎｃｏｒのアルファ・ステップ
・プロフィロメータ（図示せず）によって層１８の厚さ
を決定する。自動回析計によるＸ線回析を用いて、これ
らの層または膜の一部の構造を調べる。ＶａｒｉａｎＤ
ＭＳ−２００紫外可視分光光度計で光透過率を測定す
る。
【００１５】図２に示した技法を用いて作成した位相シ
フト・マスク・ブランクの層１８を次にパターン化し
て、図３に示すような所望のリソグラフィ・マスクを形
成する。シリコン・ベースの層を使用することの利点
は、当技術分野で周知の反応性イオン・エッチング（Ｒ
ＩＥ）や湿式エッチングなどの技法でそれが行えること
である。エッチ・ストップ層１６は、どんな種類のエッ
チングを使用するかに応じて、あってもなくてもよい。
エッチングの種類は、層１８を形成する材料によって決
まる。その例は後で示す。
フト・マスク・ブランクの層１８を次にパターン化し
て、図３に示すような所望のリソグラフィ・マスクを形
成する。シリコン・ベースの層を使用することの利点
は、当技術分野で周知の反応性イオン・エッチング（Ｒ
ＩＥ）や湿式エッチングなどの技法でそれが行えること
である。エッチ・ストップ層１６は、どんな種類のエッ
チングを使用するかに応じて、あってもなくてもよい。
エッチングの種類は、層１８を形成する材料によって決
まる。その例は後で示す。
【００１６】窒化シリコン・ベースの層は、基板のエッ
チ速度が比較的低速であるエッチング・プロセスによっ
てパターン形成ができるので、減衰型位相シフト・マス
クとして使用するのに有望である。Ｓｉ−Ｎ膜は、シリ
コン・ターゲットと、アルゴンと窒素からなるスパッタ
用混合気体とを用いる高周波スパッタで付着された。ス
パッタの間に、窒素含有率を０％から３０％まで変え
る。窒素レベルが高いと、窒化シリコンの透明な膜が得
られる。窒素の割合が減少するにつれて、膜はシリコン
に富むようになり、光吸収性が膜に導入される。この吸
収率の大きさは、スパッタ・ガス中の窒素とアルゴンの
比によって制御できる。異なる窒素圧で付着した、厚さ
が１００ｎｍと一定な様々なＳｉ−Ｎ膜の透過率を図４
に示す。膜厚が異なる場合でも同様な結果が得られる。
膜厚１００ｎｍの場合の図４のデータ及び他の厚さのデ
ータによる、２４８ｎｍにおけるＳｉ−Ｎ膜の透過率を
図５にプロットする。吸収定数αと窒素百分率Ｐを関係
付ける実験式は、α＝０．０６／（Ｐ−１３．３）で与
えられる。膜の光透過率Ｔは、数式５で表すことができ
る。
チ速度が比較的低速であるエッチング・プロセスによっ
てパターン形成ができるので、減衰型位相シフト・マス
クとして使用するのに有望である。Ｓｉ−Ｎ膜は、シリ
コン・ターゲットと、アルゴンと窒素からなるスパッタ
用混合気体とを用いる高周波スパッタで付着された。ス
パッタの間に、窒素含有率を０％から３０％まで変え
る。窒素レベルが高いと、窒化シリコンの透明な膜が得
られる。窒素の割合が減少するにつれて、膜はシリコン
に富むようになり、光吸収性が膜に導入される。この吸
収率の大きさは、スパッタ・ガス中の窒素とアルゴンの
比によって制御できる。異なる窒素圧で付着した、厚さ
が１００ｎｍと一定な様々なＳｉ−Ｎ膜の透過率を図４
に示す。膜厚が異なる場合でも同様な結果が得られる。
膜厚１００ｎｍの場合の図４のデータ及び他の厚さのデ
ータによる、２４８ｎｍにおけるＳｉ−Ｎ膜の透過率を
図５にプロットする。吸収定数αと窒素百分率Ｐを関係
付ける実験式は、α＝０．０６／（Ｐ−１３．３）で与
えられる。膜の光透過率Ｔは、数式５で表すことができ
る。
【数５】
【００１７】上式で、ｄはｎｍ単位で表した膜厚、Ｒは
反射率である。
反射率である。
【００１８】したがって、ｎ＝２．３、λ＝２４８ｎｍ
である場合、式１による位相シフトに必要な膜厚は９５
ｎｍとなる。５〜１０％の光透過率を得るには、数式５
から窒素１５．９％が必要である。１８０度位相シフト
の要件を満足する膜の光透過率の有用な範囲を得ること
ができるが、窒素含有率に対する制御要件は、図５を見
るとわかる通り、極めて厳しい。この方法は、有用では
あるが、減衰型位相シフト・マスクの日常的生産には好
都合ではない。
である場合、式１による位相シフトに必要な膜厚は９５
ｎｍとなる。５〜１０％の光透過率を得るには、数式５
から窒素１５．９％が必要である。１８０度位相シフト
の要件を満足する膜の光透過率の有用な範囲を得ること
ができるが、窒素含有率に対する制御要件は、図５を見
るとわかる通り、極めて厳しい。この方法は、有用では
あるが、減衰型位相シフト・マスクの日常的生産には好
都合ではない。
【００１９】アルゴン・ガス中でＳｉＣターゲットをス
パッタすると、２４８ｎｍでの膜の吸収性はかなり良好
であった。スパッタ・ガス中に酸素を添加するとスパッ
タされた膜の透明度が増大する。しかし酸素圧の制御は
非常にクリティカルである。酸素圧が１％変化しても光
透過率が１桁変化する可能性がある。
パッタすると、２４８ｎｍでの膜の吸収性はかなり良好
であった。スパッタ・ガス中に酸素を添加するとスパッ
タされた膜の透明度が増大する。しかし酸素圧の制御は
非常にクリティカルである。酸素圧が１％変化しても光
透過率が１桁変化する可能性がある。
【００２０】スパッタ中に窒素ガスを添加しても、スパ
ッタされる膜の吸収性が低下する。しかし、窒素圧につ
れて透過性が変化する度合は非常に小さいので、窒素圧
の制御はクリティカルではない。スパッタ中のアルゴン
窒素混合気体中の窒素含有率が３５％のときの様々な膜
厚でのＳｉＣ−Ｎ膜の透過率を図６に示す。図６及び他
の窒素圧で得られたデータによる、２４８ｎｍにおける
ＳｉＣ−Ｎ膜の透過率を図７にプロットする。所望の位
相シフトに必要とされる厚さ約１００ｎｍの膜では、Ｎ
2圧のクリティカルな制御なしで容易に５〜１５％の透
過率を得ることができる。したがって、この系は、単層
の減衰型位相シフト・マスクの材料として有望である。
ッタされる膜の吸収性が低下する。しかし、窒素圧につ
れて透過性が変化する度合は非常に小さいので、窒素圧
の制御はクリティカルではない。スパッタ中のアルゴン
窒素混合気体中の窒素含有率が３５％のときの様々な膜
厚でのＳｉＣ−Ｎ膜の透過率を図６に示す。図６及び他
の窒素圧で得られたデータによる、２４８ｎｍにおける
ＳｉＣ−Ｎ膜の透過率を図７にプロットする。所望の位
相シフトに必要とされる厚さ約１００ｎｍの膜では、Ｎ
2圧のクリティカルな制御なしで容易に５〜１５％の透
過率を得ることができる。したがって、この系は、単層
の減衰型位相シフト・マスクの材料として有望である。
【００２１】酸化物ベースの膜も減衰型位相シフト・マ
スクの作成に使用できるが、この場合はエッチ・ストッ
プ層を使用する必要がある。Ａｌ2Ｏ3及びＨｆＯ2を含
めていくつかの材料がこの目的に適していることが判明
している。
スクの作成に使用できるが、この場合はエッチ・ストッ
プ層を使用する必要がある。Ａｌ2Ｏ3及びＨｆＯ2を含
めていくつかの材料がこの目的に適していることが判明
している。
【００２２】ＭｏＳｉ2−Ｏ2は、酸素とアルゴンの混合
気体の存在下でのＭｏＳｉ2ターゲットの反応性スパッ
タリングによって得られる。スパッタの間に酸素含有率
は０％から４０％の間で変化した。スパッタ中の酸素含
有率が８％より高い場合、得られる膜はほぼ同じ光透過
率をもつことがわかっている。様々な厚さのこれらの膜
の透過率を図８に示す。スパッタ中の酸素含有率を８％
より高くして付着させたＭｏＳｉ2膜の２４８ｎｍでの
透過率と膜厚の関係を図９に示す。若干の窒素を添加し
た場合、吸収性が僅かに増大するだけである。ｅｘｐ−
αｄの関係を使って図９から計算した吸収係数αは約
１．２×１０-3である、位相シフト・マスク作成のた
め、ＨｆＯ2エッチ・ストップ層を使って、厚さが約１
８０ｎｍで光透過率が１０％の膜を１２．７cm（５イン
チ）及び１５．２cm（６インチ）の方形の溶融石英基板
上に付着させる。位相シフトの測定値は約１８０度であ
り、２４８ｎｍにおける屈折率は干渉計による位相シフ
トの直接測定から、約１．６８と推定される。
気体の存在下でのＭｏＳｉ2ターゲットの反応性スパッ
タリングによって得られる。スパッタの間に酸素含有率
は０％から４０％の間で変化した。スパッタ中の酸素含
有率が８％より高い場合、得られる膜はほぼ同じ光透過
率をもつことがわかっている。様々な厚さのこれらの膜
の透過率を図８に示す。スパッタ中の酸素含有率を８％
より高くして付着させたＭｏＳｉ2膜の２４８ｎｍでの
透過率と膜厚の関係を図９に示す。若干の窒素を添加し
た場合、吸収性が僅かに増大するだけである。ｅｘｐ−
αｄの関係を使って図９から計算した吸収係数αは約
１．２×１０-3である、位相シフト・マスク作成のた
め、ＨｆＯ2エッチ・ストップ層を使って、厚さが約１
８０ｎｍで光透過率が１０％の膜を１２．７cm（５イン
チ）及び１５．２cm（６インチ）の方形の溶融石英基板
上に付着させる。位相シフトの測定値は約１８０度であ
り、２４８ｎｍにおける屈折率は干渉計による位相シフ
トの直接測定から、約１．６８と推定される。
【００２３】これらの膜をマイクロプローブで分析する
と、２−ＳｉＯ2及びＭｏＯ3に対応する組成を有すると
判定される。６２３，８ｎｍにおけるこれらの膜の屈折
率は約１．６である。
と、２−ＳｉＯ2及びＭｏＯ3に対応する組成を有すると
判定される。６２３，８ｎｍにおけるこれらの膜の屈折
率は約１．６である。
【００２４】Ｍｏターゲットも酸素・アルゴン混合気体
中で反応性スパッタリングを行って、様々な厚さのＭｏ
−Ｏ2膜を作成する。これらの膜もマイクロプローブで
分析し、その組成がＭｏＯ3であると判定される。した
がって、ターゲット中のＳｉ成分もＭｏ成分も反応性ス
パッタリング・プロセスの間に完全に酸化されると判定
される。ターゲット中のＭｏの組成が変化する場合、ス
パッタされた膜の透過率を変化させることができる。
中で反応性スパッタリングを行って、様々な厚さのＭｏ
−Ｏ2膜を作成する。これらの膜もマイクロプローブで
分析し、その組成がＭｏＯ3であると判定される。した
がって、ターゲット中のＳｉ成分もＭｏ成分も反応性ス
パッタリング・プロセスの間に完全に酸化されると判定
される。ターゲット中のＭｏの組成が変化する場合、ス
パッタされた膜の透過率を変化させることができる。
【００２５】様々な厚さのＳｉＯ2膜とＭｏＯ3膜の透過
率を測定し、図１０にプロットした。ＳｉＯ2の２４８
ｎｍでの透過率は非常に高い（９０％を超える）が、Ｍ
ｏＯ3の２４８ｎｍでの透過率は、ＭｏＯ3層の厚さに応
じて非常に低い。この図から、厚さ約１８０ｎｍの膜で
は、２４８ｎｍにおいて僅か６％の光透過率とするに
は、ターゲット材料の組成をＭｏ1.19Ｓｉ2にしなけれ
ばならないと推定される。この仮定をテストするため、
この組成をもつ新しいターゲットを入手し、膜を付着さ
せた。その結果も図９に示す。厚さ約１８０ｎｍの膜の
２４８ｎｍでの透過率は、予測通り６％に低下した。
率を測定し、図１０にプロットした。ＳｉＯ2の２４８
ｎｍでの透過率は非常に高い（９０％を超える）が、Ｍ
ｏＯ3の２４８ｎｍでの透過率は、ＭｏＯ3層の厚さに応
じて非常に低い。この図から、厚さ約１８０ｎｍの膜で
は、２４８ｎｍにおいて僅か６％の光透過率とするに
は、ターゲット材料の組成をＭｏ1.19Ｓｉ2にしなけれ
ばならないと推定される。この仮定をテストするため、
この組成をもつ新しいターゲットを入手し、膜を付着さ
せた。その結果も図９に示す。厚さ約１８０ｎｍの膜の
２４８ｎｍでの透過率は、予測通り６％に低下した。
【００２６】Ｓｉ−Ｎ膜を得るために窒素ガスを用いて
反応性スパッタリングしたＳｉターゲットを使用する
と、減衰が制御し難いが、ＳｉＣ−Ｎ膜を得るためにＳ
ｉ−Ｃターゲットを使用すると、減衰がそれより制御さ
れる。Ｍｏ−Ｓｉ系はずっと大きなフレキシビリティを
与える。任意の厚さでのターゲット材料中のＭｏ濃度が
変えることによって光透過率をどんな値にでもすること
ができ、広範囲の酸素圧が使用できるため、このプロセ
スは非常に制御が容易である。Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉなど他の
金属も使用できることは明らかである。
反応性スパッタリングしたＳｉターゲットを使用する
と、減衰が制御し難いが、ＳｉＣ−Ｎ膜を得るためにＳ
ｉ−Ｃターゲットを使用すると、減衰がそれより制御さ
れる。Ｍｏ−Ｓｉ系はずっと大きなフレキシビリティを
与える。任意の厚さでのターゲット材料中のＭｏ濃度が
変えることによって光透過率をどんな値にでもすること
ができ、広範囲の酸素圧が使用できるため、このプロセ
スは非常に制御が容易である。Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉなど他の
金属も使用できることは明らかである。
【００２７】図１０に示すようにＭｏ−Ｓｉ系では３６
５ｎｍにおける透過率が高いため、２４８ｎｍ用のマス
クしか作成できない。ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｆｅ2Ｏ3など３
６５ｎｍで高い吸収性を示す酸化物は沢山ある。図１１
に、様々な厚さのＳｉＯ2膜及びＣｏＯ膜の透過率を示
す。ＣｏＯと共スパッタしたＳｉＯ2は、２４８ｎｍ及
び３６５ｎｍの減衰位相シフト層を作成するための有力
な候補である。
５ｎｍにおける透過率が高いため、２４８ｎｍ用のマス
クしか作成できない。ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｆｅ2Ｏ3など３
６５ｎｍで高い吸収性を示す酸化物は沢山ある。図１１
に、様々な厚さのＳｉＯ2膜及びＣｏＯ膜の透過率を示
す。ＣｏＯと共スパッタしたＳｉＯ2は、２４８ｎｍ及
び３６５ｎｍの減衰位相シフト層を作成するための有力
な候補である。
【００２８】ＳｉＯ2をベースとする減衰位相シフト層
は、縁部のパターン形成に使用されるＲＩＥエッチング
に対するエッチ・ストップ層を必要とすることがある。
ＳｉＯ2エッチ・プロセスが石英基板をも攻撃するから
である。減衰位相シフト層が基本的にＳｉ3Ｎ4を含有す
る場合は、エッチ・ストップ層が不要となるので有利に
なることがある。これは、窒素・アルゴン混合気体中で
Ｍｏ−Ｓｉなどのスパッタ・ターゲットを使用すると容
易に行える。様々な厚さのＳｉ3Ｎ4膜及びＭｏ2Ｎ膜の
透過率を図１２に示す。Ｍｏ2Ｎ膜の光透過率は同じ厚
さのＭｏＯ3膜よりも高いので、Ｍｏ−Ｓｉターゲット
中のＭｏが少なくてよい。さらに、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｈ
ｆ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅなど他の金属も減衰位相シ
フト膜の作成に使用できる。
は、縁部のパターン形成に使用されるＲＩＥエッチング
に対するエッチ・ストップ層を必要とすることがある。
ＳｉＯ2エッチ・プロセスが石英基板をも攻撃するから
である。減衰位相シフト層が基本的にＳｉ3Ｎ4を含有す
る場合は、エッチ・ストップ層が不要となるので有利に
なることがある。これは、窒素・アルゴン混合気体中で
Ｍｏ−Ｓｉなどのスパッタ・ターゲットを使用すると容
易に行える。様々な厚さのＳｉ3Ｎ4膜及びＭｏ2Ｎ膜の
透過率を図１２に示す。Ｍｏ2Ｎ膜の光透過率は同じ厚
さのＭｏＯ3膜よりも高いので、Ｍｏ−Ｓｉターゲット
中のＭｏが少なくてよい。さらに、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｈ
ｆ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅなど他の金属も減衰位相シ
フト膜の作成に使用できる。
【００２９】要約すると、いくつかの材料系が、減衰型
位相シフト層の作成に有望であることが判明した。一般
に窒化物ベースの系は、石英基板に対して選択的にエッ
チできる可能性がある。Ａｌ2Ｏ3やＨｆＯ2などの透明
なエッチ・ストップ層を使用すると、ずっと高いエッチ
選択性が得られることがある。この場合光減衰層はＣ
ｏ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉなどある範囲の他の材料と
共スパッタしたＳｉＯ2その他の紫外線に透明な材料を
含むことができる。一次近似で、吸収性金属の必要量は
対応する酸化物の吸収率測定値から推定できることが判
明している。
位相シフト層の作成に有望であることが判明した。一般
に窒化物ベースの系は、石英基板に対して選択的にエッ
チできる可能性がある。Ａｌ2Ｏ3やＨｆＯ2などの透明
なエッチ・ストップ層を使用すると、ずっと高いエッチ
選択性が得られることがある。この場合光減衰層はＣ
ｏ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉなどある範囲の他の材料と
共スパッタしたＳｉＯ2その他の紫外線に透明な材料を
含むことができる。一次近似で、吸収性金属の必要量は
対応する酸化物の吸収率測定値から推定できることが判
明している。
【００３０】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３１】（１）位相シフト・マスクにおいて、所与
の波長のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成す
る方法であって、前記所与の波長で透過性である基板を
用意するステップと、シリコンを含有する付着ターゲッ
トを用意するステップと、反応性窒素成分を含有する気
体環境において、付着プロセスを用いて、前記ターゲッ
トから、前記基板上に主としてシリコンと窒素を含有す
る前記層を付着するステップと、を含む方法。 （２）前記ターゲットが金属をも含有し、かつ前記層が
前記波長でエネルギーを吸収する前記金属を含む化学種
を含有することを特徴とする上記（１）に記載の方法。 （３）前記金属が、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｚｒからなる群から選択される
ことを特徴とする上記（２）に記載の方法。 （４）前記ターゲットがＳｉＣを含有し、前記層がＳｉ
Ｃ−Ｎを含有することを特徴とする上記（１）に記載の
方法。 （５）位相シフト・マスクにおいて、所与の波長のエネ
ルギーの減衰を行う位相シフト層を形成する方法であっ
て前記所与の波長で透過性である基板を用意するステッ
プと、シリコンを含有する付着ターゲットを用意するス
テップと、反応性酸素成分を含有する気体環境におい
て、付着プロセスを用いて、前記ターゲットから、前記
基板上に主としてシリコンと酸素を含有する前記層を付
着するステップと、を含む方法。 （６）前記ターゲットが金属をも含有し、かつ前記層が
前記波長でエネルギーを吸収する前記金属を含む化学種
を含有することを特徴とする上記（５）に記載の方法。 （７）前記金属がＭｏであり、前記層がＭｏＯ3−２Ｓ
ｉＯ2を含有することを特徴とする上記（６）に記載の
方法。 （８）前記ターゲットがＭｏXＳｉ2からなることを特徴
とする上記（６）に記載の方法。 （９）前記層がＸＭｏＯ3−２ＳｉＯ2からなることを特
徴とする上記（８）に記載の方法。 （１０）前記金属がＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｕのうちの１つであることを
特徴とする上記（６）に記載の方法。 （１１）前記位相シフト層を付着する前に、前記基板上
にエッチ・ストップ層を形成するステップをさらに含む
ことを特徴とする上記（５）に記載の方法。 （１２）所与の波長で透過性がある基板と、主としてシ
リコンと窒素と前記波長で吸収性のある化学種とを含有
する、付着された位相シフト層と、を備える位相シフト
・マスク。 （１３）前記化学種が炭素であることを特徴とする、上
記（１２）に記載の位相シフト・マスク。 （１４）前記化学種が金属イオンであることを特徴とす
る、上記（１２）に記載の位相シフト・マスク。 （１５）所与の波長で透過性がある基板と、主としてシ
リコンと酸素と前記波長で吸収性のある化学種とを含有
する、付着された位相シフト層と、を備える位相シフト
・マスク。 （１６）前記化学種が炭素であることを特徴とする、上
記（１５）に記載の位相シフト・マスク。 （１７）前記化学種がＭｏＯ3を含むことを特徴とす
る、上記（１５）に記載の位相シフト・マスク。 （１８）所与の波長のエネルギーに対して透過性のある
基板と、位相シフトと前記波長のエネルギーの減衰とを
行う、前記基板上の層とを備え、前記層が、前記波長の
エネルギーに対して基本的に透明である母材と、前記母
材中に分散された、前記波長のエネルギーを吸収する、
制御された量のある化学種とを備える、所与の波長のエ
ネルギーで使用するためのリソグラフィ・マスク。 （１９）前記母材がシリコンであることを特徴とする、
上記（１８）に記載のリソグラフィ・マスク。 （２０）前記化学種が金属イオンであることを特徴とす
る、上記（１８）に記載のリソグラフィ・マスク。 （２１）前記母材が二酸化シリコンを含み、前記吸収性
化学種がＭｏＯ3であることを特徴とする、上記（１
８）に記載のリソグラフィ・マスク。
の波長のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成す
る方法であって、前記所与の波長で透過性である基板を
用意するステップと、シリコンを含有する付着ターゲッ
トを用意するステップと、反応性窒素成分を含有する気
体環境において、付着プロセスを用いて、前記ターゲッ
トから、前記基板上に主としてシリコンと窒素を含有す
る前記層を付着するステップと、を含む方法。 （２）前記ターゲットが金属をも含有し、かつ前記層が
前記波長でエネルギーを吸収する前記金属を含む化学種
を含有することを特徴とする上記（１）に記載の方法。 （３）前記金属が、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｚｒからなる群から選択される
ことを特徴とする上記（２）に記載の方法。 （４）前記ターゲットがＳｉＣを含有し、前記層がＳｉ
Ｃ−Ｎを含有することを特徴とする上記（１）に記載の
方法。 （５）位相シフト・マスクにおいて、所与の波長のエネ
ルギーの減衰を行う位相シフト層を形成する方法であっ
て前記所与の波長で透過性である基板を用意するステッ
プと、シリコンを含有する付着ターゲットを用意するス
テップと、反応性酸素成分を含有する気体環境におい
て、付着プロセスを用いて、前記ターゲットから、前記
基板上に主としてシリコンと酸素を含有する前記層を付
着するステップと、を含む方法。 （６）前記ターゲットが金属をも含有し、かつ前記層が
前記波長でエネルギーを吸収する前記金属を含む化学種
を含有することを特徴とする上記（５）に記載の方法。 （７）前記金属がＭｏであり、前記層がＭｏＯ3−２Ｓ
ｉＯ2を含有することを特徴とする上記（６）に記載の
方法。 （８）前記ターゲットがＭｏXＳｉ2からなることを特徴
とする上記（６）に記載の方法。 （９）前記層がＸＭｏＯ3−２ＳｉＯ2からなることを特
徴とする上記（８）に記載の方法。 （１０）前記金属がＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｕのうちの１つであることを
特徴とする上記（６）に記載の方法。 （１１）前記位相シフト層を付着する前に、前記基板上
にエッチ・ストップ層を形成するステップをさらに含む
ことを特徴とする上記（５）に記載の方法。 （１２）所与の波長で透過性がある基板と、主としてシ
リコンと窒素と前記波長で吸収性のある化学種とを含有
する、付着された位相シフト層と、を備える位相シフト
・マスク。 （１３）前記化学種が炭素であることを特徴とする、上
記（１２）に記載の位相シフト・マスク。 （１４）前記化学種が金属イオンであることを特徴とす
る、上記（１２）に記載の位相シフト・マスク。 （１５）所与の波長で透過性がある基板と、主としてシ
リコンと酸素と前記波長で吸収性のある化学種とを含有
する、付着された位相シフト層と、を備える位相シフト
・マスク。 （１６）前記化学種が炭素であることを特徴とする、上
記（１５）に記載の位相シフト・マスク。 （１７）前記化学種がＭｏＯ3を含むことを特徴とす
る、上記（１５）に記載の位相シフト・マスク。 （１８）所与の波長のエネルギーに対して透過性のある
基板と、位相シフトと前記波長のエネルギーの減衰とを
行う、前記基板上の層とを備え、前記層が、前記波長の
エネルギーに対して基本的に透明である母材と、前記母
材中に分散された、前記波長のエネルギーを吸収する、
制御された量のある化学種とを備える、所与の波長のエ
ネルギーで使用するためのリソグラフィ・マスク。 （１９）前記母材がシリコンであることを特徴とする、
上記（１８）に記載のリソグラフィ・マスク。 （２０）前記化学種が金属イオンであることを特徴とす
る、上記（１８）に記載のリソグラフィ・マスク。 （２１）前記母材が二酸化シリコンを含み、前記吸収性
化学種がＭｏＯ3であることを特徴とする、上記（１
８）に記載のリソグラフィ・マスク。
【図１】減衰位相シフト層に関する当該領域を示すグラ
フである。
フである。
【図２】本発明による層を付着する装置の概略断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明によるパターン付きリソグラフィ位相シ
フト・マスタの概略断面図である。
フト・マスタの概略断面図である。
【図４】様々な窒素圧で付着させた厚さ１００ｎｍのＳ
ｉ−Ｎ膜の、透過率と波長の関係を示すグラフである。
ｉ−Ｎ膜の、透過率と波長の関係を示すグラフである。
【図５】様々な厚さのＳｉ−Ｎ膜の２４８ｎｍでの透過
率と窒素圧の関係を示すグラフである。
率と窒素圧の関係を示すグラフである。
【図６】窒素含有率３５％で付着させた様々な厚さのＳ
ｉＣ−Ｎ膜の透過率と波長の関係を示すグラフである。
ｉＣ−Ｎ膜の透過率と波長の関係を示すグラフである。
【図７】様々な厚さのＳｉＣ−Ｎ膜の２４８ｎｍでの透
過率と付着中の窒素圧の関係を示すグラフである。
過率と付着中の窒素圧の関係を示すグラフである。
【図８】様々な厚さのＭｏＳｉ2−Ｏ2膜の透過率と波長
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図９】ＭｏＳｉ2−Ｏ2膜及び、Ｍｏ1.19Ｓｉ2−Ｏ2膜
の２４８ｎｍでの透過率と膜厚の関係を示すグラフであ
る。
の２４８ｎｍでの透過率と膜厚の関係を示すグラフであ
る。
【図１０】ＳｉＯ2膜及びＭｏＯ3膜の透過率と波長の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図１１】ＳｉＯ2膜及びＣｏＯ膜の透過率と波長の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図１２】Ｓｉ3Ｎ4膜及びＭｏ2Ｎ膜の透過率と波長の
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
１０ スパッタ・チャンバ １２ プレート １４ フィクスチャ １６ エッチ・ストップ層 １８ 減衰位相シフト層 ２０ スパッタ・ターゲット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クワン・クオ・シー アメリカ合衆国10526 ニューヨーク州 ゴールデンズ・ブリッジ ディアトラッ ク・レーン ピー・オー・ボックス335 (56)参考文献 特開 平６−75361（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−250375（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−332152（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−140635（ＪＰ，Ａ) 特表 平８−503557（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08 H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】位相シフト・マスクにおいて、所与の波長
のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成する方法
であって、 前記所与の波長で透過性である基板を用意するステップ
と、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｈｆ、Ｃｕ
またはＺｒの金属元素とＳｉ元素とを所定比率で含有す
る複数金属元素材料から成るスパッタリング ターゲット
を用意するステップと、 反応性窒素成分を含有する気体環境において、窒素圧を
所定の値に制御することにより、広い波長範囲の波長エ
ネルギーを減衰できる主として前記複数金属材料の窒化
物の薄層を前記ターゲットから前記基板上に付着するス
テップと、 を含む方法。 - 【請求項２】位相シフト・マスクにおいて、所与の波長
のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成する方法
であって、 前記所与の波長で透過性である基板およびシリコン含有
材料のスパッタリングターゲットを、それぞれ、反応性
スパッタリング室内に用意するステップと、 前記スパッタリング室内に不活性元素および窒素元素の
混合ガスの反応性スパッタリング雰囲気を確立して前記
シリコン含有材料の窒化物の薄層を前記基板上に付着す
るステップであって、混合ガス中の窒素ガスの含有率Ｐ
および付着層の厚さｄの対数関数として定義される光透
過率Ｔの関係式から、所望の光透過率Ｔに対応する窒素
ガス含有率Ｐを算定し、この算定窒素ガス含有率Ｐに基
づいて窒素ガスの圧力を制御することにより、広い波長
範囲の波長エネルギーを減衰できる主として前記複数金
属材料の窒化物の薄層を形成することを含むステップ
と、 を含む方法。 - 【請求項３】位相シフト・マスクにおいて、所与の波長
のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成する方法
であって、 前記所与の波長で透過性である基板およびＳｉＣ材料の
スパッタリングターゲ ットを、それぞれ、反応性スパッ
タリング室内に用意するステップと、 前記スパッタリング室内に不活性元素および窒素元素の
混合ガスの反応性スパッタリング雰囲気を確立し前記基
板上にＳｉＣ材料の窒化物の薄層を付着し、その際に、
混合ガス中の窒素ガスの含有率Ｐを所定の値に制御する
ことにより広い波長範囲の波長エネルギーを減衰できる
ＳｉＣ材料の窒化物の薄層を形成することを含むステッ
プと、 を含む方法。 - 【請求項４】位相シフト・マスクにおいて、所与の波長
のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成する方法
であって、 前記所与の波長で透過性である基板を用意するステップ
と、 Ｃｏ、Ｆｅ、またはＮｉの金属元素とＳｉ元素とを所定
比率で含有する複数金属材料から成るスパッタリングタ
ーゲットを用意するステップと、 反応性酸素成分を含有する気体環境において、酸素圧を
所定の値に制御することにより、広い波長範囲の波長エ
ネルギーを減衰できる主として前記複数金属材料の酸化
物の薄層を前記ターゲットから前記基板上に付着するス
テップと、 を含む方法。 - 【請求項５】前記位相シフト層を付着する前に、前記基
板上にエッチ・ストップ層を形成するステップをさらに
含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20011794A | 1994-02-22 | 1994-02-22 | |
| US200117 | 1994-02-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07261370A JPH07261370A (ja) | 1995-10-13 |
| JP2878143B2 true JP2878143B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=22740409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2403795A Expired - Lifetime JP2878143B2 (ja) | 1994-02-22 | 1995-02-13 | 減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5939225A (ja) |
| EP (1) | EP0668539A3 (ja) |
| JP (1) | JP2878143B2 (ja) |
| KR (1) | KR100213151B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677087B2 (en) | 2000-09-12 | 2004-01-13 | Hoya Corporation | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing the same |
| US7026077B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-04-11 | Hoya Corporation | Photomask blank manufacturing method |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674647A (en) * | 1992-11-21 | 1997-10-07 | Ulvac Coating Corporation | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask |
| JP2837803B2 (ja) * | 1993-03-26 | 1998-12-16 | ホーヤ株式会社 | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
| US5942356A (en) * | 1996-03-30 | 1999-08-24 | Hoya Corporation | Phase shift mask and phase shift mask blank |
| US5935735A (en) * | 1996-10-24 | 1999-08-10 | Toppan Printing Co., Ltd. | Halftone phase shift mask, blank for the same, and methods of manufacturing these |
| JPH11184067A (ja) | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
| JP3262529B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2002-03-04 | ホーヤ株式会社 | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
| JPH11258772A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| US6593033B1 (en) * | 1998-09-22 | 2003-07-15 | Texas Instruments Incorporated | Attenuated rim phase shift mask |
| JP4163331B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2008-10-08 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフタ膜の製造方法、位相シフトマスク用ブランクスの製造方法、および、位相シフトマスクの製造方法 |
| US6569574B2 (en) * | 1999-10-18 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of patterning radiation, methods of forming radiation-patterning tools, and radiation-patterning tools |
| US6562522B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-05-13 | Intel Corporation | Photomasking |
| US6524755B2 (en) | 2000-09-07 | 2003-02-25 | Gray Scale Technologies, Inc. | Phase-shift masks and methods of fabrication |
| WO2002044812A2 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Unaxis Usa Inc. | Embedded attenuated phase shift mask and method of making embedded attenuated phase shift mask |
| JP4509363B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2010-07-21 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、位相シフトマスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法 |
| US7027226B2 (en) | 2001-09-17 | 2006-04-11 | Euv Llc | Diffractive optical element for extreme ultraviolet wavefront control |
| GB0215243D0 (en) * | 2002-07-02 | 2002-08-14 | Koninkl Philips Electronics Nv | Mask and manufacturing method using mask |
| JP3760927B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2006-03-29 | 凸版印刷株式会社 | パターン転写方法 |
| US20050048375A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-03 | Cheng-Ming Lin | Method of making an attenuated phase-shifting mask from a mask blank |
| US7029803B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-04-18 | Schott Ag | Attenuating phase shift mask blank and photomask |
| EP1682444A2 (en) * | 2003-10-31 | 2006-07-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of manufacturing an electronic device and electronic device |
| US6969568B2 (en) | 2004-01-28 | 2005-11-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for etching a quartz layer in a photoresistless semiconductor mask |
| TWI395053B (zh) * | 2005-02-28 | 2013-05-01 | Hoya Corp | 灰階罩幕及灰階罩幕毛胚 |
| KR100818676B1 (ko) | 2006-01-20 | 2008-04-01 | 주식회사 에스앤에스텍 | 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크용 스퍼터링 타겟, 이를이용한 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크,그리고 그 제조방법 |
| US10394114B2 (en) * | 2016-08-25 | 2019-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chromeless phase shift mask structure and process |
| JP6932552B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-09-08 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5930130B2 (ja) * | 1979-09-20 | 1984-07-25 | 富士通株式会社 | 気相成長方法 |
| JPS61173251A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの製造方法 |
| CA1313792C (en) * | 1986-02-28 | 1993-02-23 | Junji Hirokane | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| US4923772A (en) * | 1986-10-29 | 1990-05-08 | Kirch Steven J | High energy laser mask and method of making same |
| US5079113A (en) * | 1988-09-29 | 1992-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask |
| JPH01244623A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化膜の製造方法 |
| US5196101A (en) * | 1991-02-05 | 1993-03-23 | Califoria Institute Of Technology | Deposition of thin films of multicomponent materials |
| US5194344A (en) * | 1991-03-26 | 1993-03-16 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating phase shift reticles including chemically mechanically planarizing |
| US5194346A (en) * | 1991-04-15 | 1993-03-16 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating phase shifting reticles with an accurate phase shift layer |
| US5194345A (en) * | 1991-05-14 | 1993-03-16 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating phase shift reticles |
| US5208125A (en) * | 1991-07-30 | 1993-05-04 | Micron Technology, Inc. | Phase shifting reticle fabrication using ion implantation |
| US5230971A (en) * | 1991-08-08 | 1993-07-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photomask blank and process for making a photomask blank using gradual compositional transition between strata |
| US5286581A (en) * | 1991-08-19 | 1994-02-15 | Motorola, Inc. | Phase-shift mask and method for making |
| US5174826A (en) * | 1991-12-06 | 1992-12-29 | General Electric Company | Laser-assisted chemical vapor deposition |
| US5286518A (en) * | 1992-04-30 | 1994-02-15 | Vlsi Technology, Inc. | Integrated-circuit processing with progressive intermetal-dielectric deposition |
| US5419988A (en) * | 1992-08-07 | 1995-05-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photomask blank and phase shift photomask |
| TW505829B (en) * | 1992-11-16 | 2002-10-11 | Dupont Photomasks Inc | A transmissive embedded phase shifter-photomask blank |
| JP3064769B2 (ja) * | 1992-11-21 | 2000-07-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
| JP2864915B2 (ja) * | 1992-12-07 | 1999-03-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| KR0135729B1 (en) * | 1993-02-12 | 1998-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | Attenuating type phase shifting mask and method of manufacturing thereof |
| US5604060A (en) * | 1993-08-31 | 1997-02-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask comprising a single layer of halftone light blocking and phase shifting |
| US5952128A (en) * | 1995-08-15 | 1999-09-14 | Ulvac Coating Corporation | Phase-shifting photomask blank and method of manufacturing the same as well as phase-shifting photomask |
| JPH0992616A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-04-04 | Canon Inc | メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
| US5897977A (en) * | 1996-05-20 | 1999-04-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Attenuating embedded phase shift photomask blanks |
| US6037083A (en) * | 1998-12-22 | 2000-03-14 | Hoya Corporation | Halftone phase shift mask blanks, halftone phase shift masks, and fine pattern forming method |
-
1995
- 1995-02-13 JP JP2403795A patent/JP2878143B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-17 EP EP95710009A patent/EP0668539A3/en not_active Withdrawn
- 1995-02-20 KR KR1019950003502A patent/KR100213151B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-07-15 US US08/693,815 patent/US5939225A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-09 US US09/289,227 patent/US6503664B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677087B2 (en) | 2000-09-12 | 2004-01-13 | Hoya Corporation | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing the same |
| US7026077B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-04-11 | Hoya Corporation | Photomask blank manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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